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FR1109535A - Perfectionnements aux procédés de fabrication des jonctions nu-p - Google Patents

Perfectionnements aux procédés de fabrication des jonctions nu-p

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Publication number
FR1109535A
FR1109535A FR1109535DA FR1109535A FR 1109535 A FR1109535 A FR 1109535A FR 1109535D A FR1109535D A FR 1109535DA FR 1109535 A FR1109535 A FR 1109535A
Authority
FR
France
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junctions
manufacturing processes
processes
manufacturing
junctions manufacturing
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Expired
Application number
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English (en)
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Thales SA
Original Assignee
CSF Compagnie Generale de Telegraphie sans Fil SA
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Publication date
Application filed by CSF Compagnie Generale de Telegraphie sans Fil SA filed Critical CSF Compagnie Generale de Telegraphie sans Fil SA
Application granted granted Critical
Publication of FR1109535A publication Critical patent/FR1109535A/fr
Expired legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D10/00—Bipolar junction transistors [BJT]

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  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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FR1109535D 1954-07-30 1954-07-30 Perfectionnements aux procédés de fabrication des jonctions nu-p Expired FR1109535A (fr)

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FR1109535T 1954-07-30

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FR1109535A true FR1109535A (fr) 1956-01-30

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FR1109535D Expired FR1109535A (fr) 1954-07-30 1954-07-30 Perfectionnements aux procédés de fabrication des jonctions nu-p

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FR (1) FR1109535A (fr)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1062823B (de) * 1957-07-13 1959-08-06 Telefunken Gmbh Verfahren zur Herstellung von Kristalloden des Legierungstyps
DE1148661B (de) * 1959-05-29 1963-05-16 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit einlegiertem pn-UEbergang
DE1162487B (de) * 1959-05-06 1964-02-06 Nippon Telegraph & Telephone Verfahren zur Herstellung von einlegierten pn-UEbergaengen eines Hochfrequenz-Flaechen-Transistors
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DE1185296B (de) * 1961-07-08 1965-01-14 Telefunken Patent Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen
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