FI120450B - Anordning för framställning av nanorör - Google Patents
Anordning för framställning av nanorör Download PDFInfo
- Publication number
- FI120450B FI120450B FI20070231A FI20070231A FI120450B FI 120450 B FI120450 B FI 120450B FI 20070231 A FI20070231 A FI 20070231A FI 20070231 A FI20070231 A FI 20070231A FI 120450 B FI120450 B FI 120450B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- thermal reactor
- reactor
- nanotubes
- thermal
- temperature
- Prior art date
Links
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 title claims description 45
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 77
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 33
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 28
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 25
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 15
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 15
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000002109 single walled nanotube Substances 0.000 claims description 13
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 claims description 12
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 claims description 12
- 239000002048 multi walled nanotube Substances 0.000 claims description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 3
- 238000001089 thermophoresis Methods 0.000 claims description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 29
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 14
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 5
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 4
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000003517 fume Substances 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical class C* 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007306 functionalization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002309 gasification Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000005442 molecular electronic Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000002121 nanofiber Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
- C01B21/064—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with boron
- C01B21/0641—Preparation by direct nitridation of elemental boron
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/15—Nano-sized carbon materials
- C01B32/152—Fullerenes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/15—Nano-sized carbon materials
- C01B32/158—Carbon nanotubes
- C01B32/159—Carbon nanotubes single-walled
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/15—Nano-sized carbon materials
- C01B32/158—Carbon nanotubes
- C01B32/16—Preparation
- C01B32/162—Preparation characterised by catalysts
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/15—Nano-sized carbon materials
- C01B32/158—Carbon nanotubes
- C01B32/16—Preparation
- C01B32/164—Preparation involving continuous processes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/15—Nano-sized carbon materials
- C01B32/158—Carbon nanotubes
- C01B32/168—After-treatment
- C01B32/174—Derivatisation; Solubilisation; Dispersion in solvents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/20—Graphite
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B2202/00—Structure or properties of carbon nanotubes
- C01B2202/02—Single-walled nanotubes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B2202/00—Structure or properties of carbon nanotubes
- C01B2202/06—Multi-walled nanotubes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/10—Particle morphology extending in one dimension, e.g. needle-like
- C01P2004/13—Nanotubes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geology (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Claims (26)
1. Anordning för framställning av nanorör, vid vilken anordning dopade och/eller odopade singel eller mängväggars nanorör kan produceras, vilken anordning omfattar ätminstone en termisk reaktor, kännetecknad av att den nämnda termiska reaktom har ätminstone till sin hetaste del och ätminstone delvis framställts av material som tili följd av uppvärmningen av den termiska reaktom ätminstone delvis sublimeras i den termiska reaktom och det sublimerade materialet ätminstone delvis deltar i tillväxten av nanorör.
2. Anordning enligt patentkrav 1, kännetecknad av att den nämnda termiska reaktom ätminstone tili sin hetaste del är grafit eller dopad grafit.
3. Anordning enligt patentkrav 1 eller 2, kännetecknad av att den termiska reaktom uppvärms genom att leda elström tili ätminstone en del av den termiska reaktom.
4. Anordning enligt patentkrav 3, kännetecknad av att elektricitet kopplas tili den termiska reaktom induktivt.
5. Anordning enligt nägot av de föregäende patentkraven, kännetecknad av att tili följd av uppvärmning en temperaturprofil bildas tili den termiska reaktom.
6. Anordning enligt nägot av de föregäende patentkraven, kännetecknad av att den termiska reaktom uppvärms ätminstone tili sin hetaste del tili en temperatur där kolmolekyler sublimeras frän väggytan av den termiska reaktom och de ifrägavarande kolmolekylema ätminstone delvis deltar i tillväxtprocessen av kolnanorör.
7. Anordning enligt nägot av de föregäende patentkraven, kännetecknad av att temperaturen i den hetaste punkien av den termiska reaktom är minst 2000°C.
8. Anordning enligt nägot av de föregäende patentkraven, kännetecknad av att temperaturen i den hetaste punkten av den termiska reaktom är minst 2300°C.
9. Anordning enligt nägot av de föregäende patentkraven, kännetecknad av att den termiska reaktom bestär av Hera än en zon som kan vara av olika material.
10. Anordning enligt patentkrav 9, kännetecknad av att olika zoner uppvärms med olika induktansspolar.
11. Anordning enligt nägot av de föregäende patentkraven, i vilken anordning residenstiden av materialet kan variera i olika ställen av anordningen, kännetecknad av att variationen av residenstiden skapas genom att ändra tvärsnittsytan av gasströmningar i den termiska reaktom.
12. Anordning enligt patentkrav 9-11, kännetecknad av att mellan olika zoner av den termiska reaktom mätäs räämne för processen.
13. Anordning enligt nägot av de föregäende patentkraven, kännetecknad av att genom att ändra termiska och matade gasströmningar i anordningen kan man ändra residenstiden av räämnen i den termiska reaktom eller i dess olika delar.
14. Anordning enligt nägot av de föregäende patentkraven, kännetecknad av att innanför den del av den termiska reaktom som uppvärms med elström finns material, in i vilket tili följd av uppvärmningen överförs värme frän den termiska reaktom och vilket material pä grund därav ätminstone delvis sublimeras i den termiska reaktom och vilket sublimerade materialet ätminstone delvis debar i tillväxtprocessen av nanorör.
15. Anordning enligt patentkrav 14, kännetecknad av att det material som ska uppvärmas kan fast eller med hjälp av ett styrsystem placeras i den termiska reaktom pä en punkt där temperaturen av det material som ska uppvärmas avviker frän temperaturen av den hetaste punkien av den termiska reaktom.
16. Anordning enligt patentkrav 14-15, kännetecknad av att det iffägavarande sublimerande materialet är övergängsgrundämne.
17. Anordning enligt patentkrav 14-15, kännetecknad av att det ifrägavarande sublimerande materialet är bor.
18. Anordning enligt patentkrav 14-15, kännetecknad av att det ifrägavarande sublimerande materialet är fulleren.
19. Anordning enligt nägot av de föregäende patentkraven, kännetecknad av att ytan av den termiska reaktom är ätminstone delvis strukturerad för att oka sublimationsytan.
20. Anordning enligt nägot av de föregäende patentkraven, kännetecknad av att den termiska reaktom bestär av tvä koncentriska delar, temperaturen av vilka bäda delar kan regleras tillsammans eller skilt och mellan vilka förblir ett reaktoratrymme som behövs för tillväxt av nanorör.
21. Anordning enligt nägot av de föregäende patentkraven, kännetecknad av att matning av sublimerande material till anordning har anordnats att vara kontinuerlig.
22. Anordning enligt nägot av de föregäende patentkraven, kännetecknad av att temperaturprofilen av den termiska reaktom regleras genom att ändra väggtjockleken av den termiska reaktom.
23. Anordning enligt nägot av de föregäende patentkraven, kännetecknad av att temperaturprofilen av den termiska reaktom regleras genom att ändra avständet av den termiska reaktoms vägg frän induktansspolen.
24. Anordning enligt nägot av de föregäende patentkraven, kännetecknad av att trycket av den gasatmosfar som produceras in i den termiska reaktom avviker frän normaltrycket.
25. Anordning enligt nägot av de föregäende patentkraven, kännetecknad av att tili anordningen mätäs räämnen som behövs i CVD-växtprocessen av nanorör.
26. Anordning enligt nägot av de föregäende patentkraven, kännetecknad av att de producerade nanorör samlas med hjälp av en termofores.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI20070231A FI120450B (sv) | 2007-03-21 | 2007-03-21 | Anordning för framställning av nanorör |
| CN2008800092383A CN101641282B (zh) | 2007-03-21 | 2008-03-20 | 用于生成纳米管的设备和方法 |
| PCT/FI2008/050129 WO2008113892A1 (en) | 2007-03-21 | 2008-03-20 | Device and method for producing nanotubes |
| US12/529,361 US8475760B2 (en) | 2007-03-21 | 2008-03-20 | Device and method for producing nanotubes |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI20070231 | 2007-03-21 | ||
| FI20070231A FI120450B (sv) | 2007-03-21 | 2007-03-21 | Anordning för framställning av nanorör |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FI20070231A0 FI20070231A0 (sv) | 2007-03-21 |
| FI120450B true FI120450B (sv) | 2009-10-30 |
Family
ID=37930033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FI20070231A FI120450B (sv) | 2007-03-21 | 2007-03-21 | Anordning för framställning av nanorör |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8475760B2 (sv) |
| CN (1) | CN101641282B (sv) |
| FI (1) | FI120450B (sv) |
| WO (1) | WO2008113892A1 (sv) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110125412A1 (en) * | 1998-12-17 | 2011-05-26 | Hach Company | Remote monitoring of carbon nanotube sensor |
| US7454295B2 (en) | 1998-12-17 | 2008-11-18 | The Watereye Corporation | Anti-terrorism water quality monitoring system |
| US8958917B2 (en) * | 1998-12-17 | 2015-02-17 | Hach Company | Method and system for remote monitoring of fluid quality and treatment |
| US9056783B2 (en) * | 1998-12-17 | 2015-06-16 | Hach Company | System for monitoring discharges into a waste water collection system |
| US8920619B2 (en) | 2003-03-19 | 2014-12-30 | Hach Company | Carbon nanotube sensor |
| CN100418876C (zh) * | 2005-08-19 | 2008-09-17 | 清华大学 | 碳纳米管阵列制备装置及方法 |
| JP5375293B2 (ja) * | 2009-04-09 | 2013-12-25 | トヨタ自動車株式会社 | カーボンナノチューブの製造方法およびカーボンナノチューブ製造装置 |
| AU2015249316B2 (en) * | 2014-04-24 | 2017-03-30 | Bnnt, Llc | Continuous boron nitride nanotube fibers |
| KR102515356B1 (ko) | 2014-11-01 | 2023-03-30 | 비엔엔티 엘엘씨 | Bnnt 합성을 위한 타겟 홀더, 다입사각 및 다영역 가열 |
| US10444384B2 (en) | 2015-05-13 | 2019-10-15 | Bnnt, Llc | Boron nitride nanotube neutron detector |
| JP6705837B2 (ja) * | 2015-05-21 | 2020-06-03 | ビイエヌエヌティ・エルエルシイ | 直接誘導による窒化ホウ素ナノチューブ合成 |
| US9812295B1 (en) | 2016-11-15 | 2017-11-07 | Lyten, Inc. | Microwave chemical processing |
| US9997334B1 (en) | 2017-02-09 | 2018-06-12 | Lyten, Inc. | Seedless particles with carbon allotropes |
| US9767992B1 (en) | 2017-02-09 | 2017-09-19 | Lyten, Inc. | Microwave chemical processing reactor |
| JP7042282B2 (ja) | 2017-03-16 | 2022-03-25 | ライテン・インコーポレイテッド | 炭素及びエラストマーの融合 |
| US10920035B2 (en) | 2017-03-16 | 2021-02-16 | Lyten, Inc. | Tuning deformation hysteresis in tires using graphene |
| US9862606B1 (en) | 2017-03-27 | 2018-01-09 | Lyten, Inc. | Carbon allotropes |
| US9862602B1 (en) | 2017-03-27 | 2018-01-09 | Lyten, Inc. | Cracking of a process gas |
| US10465128B2 (en) | 2017-09-20 | 2019-11-05 | Lyten, Inc. | Cracking of a process gas |
| US10756334B2 (en) | 2017-12-22 | 2020-08-25 | Lyten, Inc. | Structured composite materials |
| WO2019136181A1 (en) * | 2018-01-04 | 2019-07-11 | Lyten, Inc. | Resonant gas sensor |
| WO2019143559A1 (en) | 2018-01-16 | 2019-07-25 | Lyten, Inc. | Microwave transparent pressure barrier |
| US11555473B2 (en) | 2018-05-29 | 2023-01-17 | Kontak LLC | Dual bladder fuel tank |
| US11638331B2 (en) | 2018-05-29 | 2023-04-25 | Kontak LLC | Multi-frequency controllers for inductive heating and associated systems and methods |
| CN113353919B (zh) * | 2020-03-04 | 2022-11-01 | 哈尔滨金纳科技有限公司 | 一种单壁碳纳米管制备装置 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05238718A (ja) * | 1992-02-27 | 1993-09-17 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | フラーレンの製造方法及び装置 |
| JP3077655B2 (ja) * | 1997-12-22 | 2000-08-14 | 日本電気株式会社 | カーボンナノチューブの製造装置及びその製造方法 |
| US6692717B1 (en) * | 1999-09-17 | 2004-02-17 | William Marsh Rice University | Catalytic growth of single-wall carbon nanotubes from metal particles |
| US7125534B1 (en) * | 1998-09-18 | 2006-10-24 | William Marsh Rice University | Catalytic growth of single- and double-wall carbon nanotubes from metal particles |
| JP3422302B2 (ja) * | 1999-09-22 | 2003-06-30 | 日本電気株式会社 | カーボンナノチューブの製造方法及びレーザターゲット |
| US6401526B1 (en) * | 1999-12-10 | 2002-06-11 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Carbon nanotubes and methods of fabrication thereof using a liquid phase catalyst precursor |
| DE10055033A1 (de) * | 2000-11-07 | 2002-05-08 | Aixtron Ag | CVD-Reaktor mit grafitschaum-isoliertem, rohrförmigen Suszeptor |
| US7138100B2 (en) * | 2001-11-21 | 2006-11-21 | William Marsh Rice Univesity | Process for making single-wall carbon nanotubes utilizing refractory particles |
| US20040265211A1 (en) * | 2001-12-14 | 2004-12-30 | Dillon Anne C. | Hot wire production of single-wall carbon nanotubes |
| ITPD20020316A1 (it) * | 2002-12-11 | 2004-06-12 | Mauro Schiavon | Dispositivo e metodo per la creazione di fullereni e/o nanotubi |
| FI121334B (sv) | 2004-03-09 | 2010-10-15 | Canatu Oy | Förfarande och anordningar för framställning av nanorör |
| US20060078489A1 (en) * | 2004-09-09 | 2006-04-13 | Avetik Harutyunyan | Synthesis of small and narrow diameter distributed carbon single walled nanotubes |
| US7871591B2 (en) * | 2005-01-11 | 2011-01-18 | Honda Motor Co., Ltd. | Methods for growing long carbon single-walled nanotubes |
-
2007
- 2007-03-21 FI FI20070231A patent/FI120450B/sv not_active IP Right Cessation
-
2008
- 2008-03-20 CN CN2008800092383A patent/CN101641282B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-03-20 WO PCT/FI2008/050129 patent/WO2008113892A1/en active Application Filing
- 2008-03-20 US US12/529,361 patent/US8475760B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20100072429A1 (en) | 2010-03-25 |
| US8475760B2 (en) | 2013-07-02 |
| FI20070231A0 (sv) | 2007-03-21 |
| CN101641282A (zh) | 2010-02-03 |
| WO2008113892A1 (en) | 2008-09-25 |
| CN101641282B (zh) | 2013-04-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FI120450B (sv) | Anordning för framställning av nanorör | |
| US20200230566A1 (en) | Method and device to synthesize boron nitride nanotubes and related nanoparticles | |
| Xu et al. | Advances in synthesis and applications of boron nitride nanotubes: A review | |
| Hutchison et al. | Double-walled carbon nanotubes fabricated by a hydrogen arc discharge method | |
| Laplaze et al. | Carbon nanotubes: dynamics of synthesis processes | |
| KR101262827B1 (ko) | 플러렌으로 기능화된 탄소나노튜브 | |
| Farhat et al. | Review of the arc process modeling for fullerene and nanotube production | |
| Wei et al. | The effect of sulfur on the number of layers in a carbon nanotube | |
| Tripathi et al. | Fine-tuning control on CNT diameter distribution, length and density using thermal CVD growth at atmospheric pressure: an in-depth analysis on the role of flow rate and flow duration of acetylene (C 2 H 2) gas | |
| Gattia et al. | AC arc discharge synthesis of single-walled nanohorns and highly convoluted graphenesheets | |
| Xu et al. | Evolution of nanoparticles in the gas phase during the floating chemical vapor deposition synthesis of carbon nanotubes | |
| Shiozawa et al. | Catalyst and Chirality Dependent Growth of Carbon Nanotubes Determined Through Nano‐Test Tube Chemistry | |
| Sun et al. | Strategies for scalable gas-phase preparation of free-standing graphene | |
| Li et al. | Emission spectra analysis of arc plasma for synthesis of carbon nanostructures in various magnetic conditions | |
| Zhang et al. | Reaction Pathway Analysis of B/Li2O in a Li–B–O System for Boron Nitride Nanotube Growth | |
| KR100658113B1 (ko) | 화학기상응축법에 의한 실리카 코팅 나노철분말 합성공정 | |
| Ou et al. | Characteristics of graphene-layer encapsulated nanoparticles fabricated using laser ablation method | |
| Kowalska et al. | Structural, thermal, and electrical properties of carbonaceous films containing palladium nanocrystals | |
| Tiwari et al. | Engineering the physical parameters for continuous synthesis of fullerene peapods | |
| Bokhonov et al. | In situ investigation of morphological and phase changes during thermal annealing and oxidation of carbon-encapsulated copper nanoparticles | |
| Prilutskiy et al. | Synthesis of carbon nanomaterials by a catalytic disproportionation of carbon monoxide | |
| US20040124093A1 (en) | Continuous production and separation of carbon-based materials | |
| Sakhapov et al. | Experimental and theoretical study of the conditions for the formation of carbon nanostructures in an arc discharge in helium, argon and nitrogen | |
| Zhang et al. | Synthesize and Characterization of Hollow Boron‐Nitride Nanocages | |
| Haluska | Synthesis of Tridimensional Ensembles of Carbon Nanotubes |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG | Patent granted |
Ref document number: 120450 Country of ref document: FI |
|
| MM | Patent lapsed |