EP3721501A1 - Microwave component and associated manufacturing process - Google Patents
Microwave component and associated manufacturing processInfo
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- EP3721501A1 EP3721501A1 EP18811277.5A EP18811277A EP3721501A1 EP 3721501 A1 EP3721501 A1 EP 3721501A1 EP 18811277 A EP18811277 A EP 18811277A EP 3721501 A1 EP3721501 A1 EP 3721501A1
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Classifications
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- H01P11/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing waveguides or resonators, lines, or other devices of the waveguide type
- H01P11/001—Manufacturing waveguides or transmission lines of the waveguide type
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- H01P3/121—Hollow waveguides integrated in a substrate
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- H01P3/123—Hollow waveguides with a complex or stepped cross-section, e.g. ridged or grooved waveguides
Definitions
- the present invention relates to a microwave component comprising a waveguide comprising at least one upper layer having at least one electrically conductive surface, a lower layer having at least one electrically conductive surface, and a central layer interposed between the upper layer and the lower layer, said layers defining a propagation zone of an electromagnetic wave, the propagation zone extending along an axis of propagation, and comprising a cavity, the cavity being delimited by the upper layer, by the layer; lower, and, laterally, by two opposite lateral edges of the central layer.
- An object of the invention is therefore to manufacture and provide, at low cost, a microwave component adapted to operate in the field of millimeter wavelengths, the component having a good bandwidth and being low losses.
- the subject of the invention is a microwave component of the aforementioned type, characterized in that the waveguide comprises at least one dielectric bar arranged in the propagation zone, the dielectric bar being delimited in one of the upper layer and the lower layer or being disposed in the cavity away from the lateral edges of the cavity.
- the component according to the invention may comprise one or more of the following characteristics, taken separately or in any technically possible combination: -
- the dielectric bar extends in a longitudinal direction parallel to the axis of propagation, and is centered on a median plane of the two lateral edges or is offset laterally of the median plane of the two side edges;
- the dielectric bar is disposed in the cavity away from the side edges of the cavity, the waveguide comprising a functional fastening component, the functional fastening component being formed by a plurality of dielectric fasteners from material with the dielectric bar, each dielectric fastener extending from one of the side edges, the dielectric fasteners being configured to perform a filter function for an electromagnetic wave propagating in the propagation zone;
- each dielectric fastener has a straight bar shape and extends from one of the lateral edges;
- said dielectric bar is disposed in the cavity away from the lateral edges of the cavity, the central layer comprising at least one dielectric underlayer, the cavity being delimited along the axis of propagation between a front end and a rear end; the core layer, the dielectric bar extending from the front end to the rear end and integral with said dielectric underlayer of the core layer;
- said dielectric bar is disposed in the cavity away from the lateral edges of the cavity, said dielectric bar being a first dielectric bar, the waveguide further comprising a second dielectric bar, the second dielectric bar being disposed in the dielectric bar; cavity, away from said first dielectric bar, and away from the side edges of the cavity;
- the dielectric bar is defined in one of the upper layer and the lower layer, said dielectric bar having a surface defining the cavity;
- said dielectric bar is a first dielectric bar
- the waveguide further comprising a second dielectric bar disposed in the propagation zone, the second dielectric bar being delimited in one of the upper layer and the lower layer, the deviation of the first dielectric bar, and having a surface defining the cavity;
- the waveguide further comprises another dielectric bar, said other dielectric bar being disposed in the cavity, away from the side edges of the cavity;
- the dielectric bar is formed in a dielectric underlayer of one of the upper layer and the lower layer, and is delimited by a portion of an electrically conductive sub-layer of said layer and laterally between two lateral boundaries; ; and the cavity is filled with a fluid having a dielectric constant, or defines a sealed closed volume and is empty of fluid.
- the invention also relates to a method of manufacturing a microwave component comprising the following steps:
- a core layer having one or a plurality of recesses, said recess or plurality of recesses being for forming a cavity delimited laterally by opposite side edges formed by the core layer;
- the layers assembling the layers so that the central layer is interposed between the upper layer and the lower layer, the layers defining a propagation zone of an electromagnetic wave, the propagation zone extending along an axis of propagation. and comprising a cavity, the cavity being formed by said recess or said plurality of recesses being delimited by the top layer, the bottom layer, and laterally by said side edges of the core layer;
- the step of providing at least one of the layers comprising the production of a dielectric bar, said dielectric bar being arranged or intended to be arranged in said layer, so that after the assembly step, the bar dielectric is disposed in the propagation zone and is delimited in one of the upper layer and the lower layer, or so that after the assembly step, the dielectric bar is disposed in the propagation zone and in the cavity away from the side edges of the cavity.
- the manufacturing method according to the invention may comprise one or more of the following characteristics, taken separately or in any technically possible combination:
- the step of supplying the central layer comprises the production of the dielectric bar, said dielectric bar being arranged or intended to be disposed in said central layer, so that after the assembly step, the dielectric bar is disposed in the propagation zone and in the cavity away from the lateral edges of the cavity, the dielectric bar being intended to be disposed between a plane defined by an upper surface of the central layer and a plane defined by a lower surface of the central layer;
- the step of providing the central layer comprises: * Providing an initial layer, the initial layer being intended to form the core layer, comprising at least one initial dielectric sublayer and being free of recess,
- the step of producing the dielectric bar being implemented during the cutting of said plurality of recesses, said plurality of cutout recesses delimiting said dielectric bar, the dielectric bar having a length, taken along the axis of propagation, equal along the length of the cavity, taken along the axis of propagation;
- the step of providing the central layer comprises:
- the initial layer being intended to form the core layer, comprising at least one initial dielectric sublayer and being free of recess,
- the step of producing the dielectric bar being implemented during the cutting of said plurality of recesses, said plurality of cut-out recesses being intended to define the cavity, and delimiting the dielectric bar and means for attaching the dielectric bar the fastening means comprising a plurality of dielectric fasteners connecting the dielectric bar to at least one of the side edges;
- the step of producing the dielectric bar comprises providing a dielectric bar and means for attaching the dielectric bar, the attachment means comprising a plurality of dielectric fasteners integral with said dielectric bar, the dielectric bar and the means fasteners being provided away from the core layer;
- the assembly step of the layers comprises fixing the central layer to the lower layer, and then removing the attachment means, by cutting, once the central layer attached to the lower layer;
- the step of supplying one of the upper layer and the lower layer comprises the embodiment of the dielectric bar, said dielectric bar being arranged or intended to be disposed in said layer, so that after the step of assembly, the dielectric bar is disposed in the propagation zone and is delimited in said layer;
- the median plane at the lateral edges of the cavity forms a plane of symmetry of the assembly formed by the dielectric fasteners; the dielectric fasteners extend only from one of the lateral edges;
- each dielectric fastener has a straight bar shape and extends from one of the lateral edges;
- the fastening means is not removed during the layer assembly step, said part of the fastening means then forming a functional fastening component, the non-withdrawn dielectric fasteners being configured to performing a filter function for an electromagnetic wave propagating in the propagation zone;
- the method comprises a step of feeding the microwave component with an electromagnetic wave propagating in the propagation zone, the electromagnetic wave having at least one propagation mode having two maximum electric fields, the or each dielectric bar being located in the cavity at one of said maximums;
- the dielectric bar is a first dielectric bar
- the production stage being a step of producing the first dielectric bar and a second dielectric bar, the step of producing the first dielectric bar and the second dielectric bar being implemented during the cutting of said plurality of recesses; said plurality of cutout recesses defining the first dielectric bar, the second dielectric bar and means for attaching the first dielectric bar and the second dielectric bar;
- the fastening means comprising a plurality of first dielectric fasteners connecting the first dielectric bar to one of the side edges and a plurality of second dielectric fasteners connecting the second dielectric bar to the other of the side edges;
- the dielectric bar has a surface defining the cavity
- the step of supplying one of the upper layer and the lower layer comprises the provision of an initial layer, the initial layer being intended to form said layer and comprising at least one dielectric underlayer, a sub-layer; an electrically conductive upper layer, and an electrically conductive lower sublayer; the embodiment of the dielectric bar comprising the implementation of lateral boundaries in said initial layer and the removal of at least a portion of one of the electrically conductive sub-layers of the initial layer extending between the two lateral boundaries;
- the dielectric bar is a first dielectric bar, a step of providing the upper layer or the lower layer comprising the production of a second dielectric bar; and, after assembly, the cavity is filled with a fluid having a dielectric constant, or defines a sealed closed volume and is empty of fluid.
- FIG. 1 is a schematic top section of a first microwave component according to the invention, said section passing through the dielectric bar;
- FIG. 2 is a diagrammatic cross-sectional view of the first component of FIG. 1;
- FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of the first component in the first manufacturing process
- FIG. 4 is a schematic top sectional view of the first component in a first embodiment of a manufacturing method according to the invention, said section passing through the dielectric bar;
- FIG. 5 is a schematic top sectional view of the first component in a variant of the manufacturing method of the first component according to the invention, said section passing through the dielectric bar;
- FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of a second microwave component according to the invention.
- FIG. 7 is a schematic top section of a third microwave component according to the invention, said section passing through the dielectric bar;
- FIG. 8 is a schematic top section of a fourth component according to the invention, said section passing through the dielectric bar;
- FIG. 9 is a schematic top sectional view of a fifth microwave component according to the invention, said section passing through the dielectric bar;
- Fig. 10 is a schematic cross-sectional view of the fifth component of Fig. 9;
- FIGS. 11 to 17 are diagrammatic sectional views of a sixth, a seventh, an eighth, a ninth, a tenth, an eleventh and a twelfth component respectively. the invention.
- a first microwave component 10A according to the invention is illustrated in the figures
- the first component 10A is for example a filter, in particular a microwave passband, lowpass, highpass or bandpass filter.
- the first microwave component 10A is for example a transmission line, a multiplexer, a coupler, a divider, a combiner, an antenna, an oscillator, an amplifier, a load, a circulator, a resonator, a shifter phase or an insulator.
- the first component 10A is here of the type "integrated guide to the substrate".
- the first component 10A comprises a waveguide 12 adapted to guide an electromagnetic wave along an axis of propagation X-X, the electromagnetic wave having in particular a wavelength greater than or equal to a predetermined minimum wavelength.
- the waveguide 12 comprises an upper layer 14, a lower layer 16, and a central layer 18 interposed between the upper layer 14 and the lower layer 16, said layers 14, 16, 18 defining a propagation zone 19 of the electromagnetic wave, the propagation zone 19 extending along the axis of propagation XX.
- the waveguide 12 further comprises at least one dielectric bar 28 disposed in the propagation zone 19.
- dielectric element means that said element has a relative dielectric permittivity greater than or equal to 1.
- the dielectric material may have absorbent properties, i.e., loss tangent coefficient greater than 0.004, to provide an attenuator function.
- Each of the upper 14, lower 16 and central layers 18 extends parallel to a plane XY, defined by the axis of propagation X-X and a transverse axis Y-Y orthogonal to the axis of propagation X-X.
- Each of the upper 14, lower 16 and central 18 layers has an upper surface 20A, 20B, 20C and a lower surface 21A, 21B, 21C.
- each of said upper surfaces 20A, 20B, 20C and each of said lower surfaces 21A, 21B, 21C are electrically conductive.
- electrically conductive element means that said element has an electrical conductivity greater than 1 * 10 6 Sm 1 , preferably equivalent to that of a metal of the copper, silver, aluminum or gold type.
- the lower layer 16 and the upper layer 14 are arranged at a distance from one another, on either side of the central layer 18, in contact with the central layer 18.
- the lower surface 21A of the upper layer 14 is in contact with the upper surface 20C of the central layer 18.
- the lower surface 21C of the central layer 18 is in contact with the upper surface 20B of the lower layer 16.
- the upper layer 14, the lower layer 16 and the central layer 18 form a stack.
- the lower surface 21A of the upper layer 14 is electrically connected to the upper surface 20C of the central layer 18.
- the lower surface 21C of the central layer 18 is electrically connected to the upper surface 20B of the lower layer 16 .
- transverse direction Y-Y will be called a direction parallel to the transverse axis Y-Y.
- a transverse direction is thus a direction orthogonal to the axis of propagation X-X and parallel to the lower surface 21 A of the upper layer 14.
- each of the upper 14, lower 16 and central 18 layers forms a substrate.
- Each of the upper 14, lower 16 and central 18 layers thus comprises an electrically conductive upper sub-layer 22A, 22B, 22C, an electrically conductive lower sub-layer 24A, 24B, 24C and a dielectric core sub-layer 26A, 26B, 26C , having a first dielectric constant, interposed between the upper sub-layer 22A, 22B, 22C and the lower sub-layer 24A, 24B, 24C.
- the lower sub-layer 24A of the upper layer 14 is electrically connected to the upper sub-layer 22C of the central layer 18.
- the lower sub-layer 24C of the central layer 18 is electrically connected to the sub-layer.
- the upper sub-layers 22A, 22B, 22C and the lower sub-layers 24A, 24B, 24C are for example made of copper.
- the central sub-layers 26A, 26B, 26C are for example made of epoxy resin or Teflon.
- the propagation zone 19 corresponds to an area in which the electromagnetic wave is confined during its propagation in the waveguide 12.
- the propagation zone 19 is delimited by the lower electrically conductive sub-layer 24A of the upper layer 14, the upper sub-layer 22B electrically conductive lower layer 16 and two lateral boundaries central units 30 each arranged in the central layer 18 and spaced apart from each other.
- the propagation zone 19 comprises a cavity 32 delimited by the upper layer 14, by the lower layer 16, and laterally by the central layer 18.
- the central lateral boundaries 30 of the propagation zone 19 are adapted to prevent the passage of an electromagnetic wave having a wavelength greater than or equal to the predetermined minimum wavelength.
- Each central lateral boundary 30 electrically connects the lower sub-layer 24A of the upper layer 14 and the upper sub-layer 22B of the upper layer 14 therebetween.
- the central lateral boundaries 30 extend parallel to the axis of propagation X-X and are here parallel to each other.
- the central lateral boundaries 30 extend over the entire thickness of the central layer 18.
- each central lateral border 30 comprises a row of electrically conductive vias 34, arranged at least through the central layer 18.
- via is meant a hole, arranged at least through the central layer 18, having walls covered with an electrically conductive coating, for example metallized.
- each via 34 extends in the direction Z-Z orthogonal to the axis of propagation X-X and to the transverse axis Y-Y, passing through at least the central layer 18.
- Each via 34 electrically connects the lower sub-layer 24A of the upper layer 14 and the upper sub-layer 22B of the upper layer 14 between them.
- the spacing between two successive vias 34 of a central lateral border 30 is less than the predetermined minimum wavelength, in particular less than one-tenth of the predetermined minimum wavelength, preferably less than one twentieth of the length of the wavelength. predetermined minimum wave.
- the cavity 32 is delimited by the lower surface 21 A of the upper layer 14, the upper surface 20B of the lower layer 16 and the lateral edges 36 of the central layer 18.
- the cavity 32 is filled with a fluid 38 having a second dielectric constant, for example less than the first dielectric constant.
- the fluid 38 is for example air.
- the cavity 32 defines a sealed closed volume, it is filled with air, nitrogen or is empty of fluid.
- the lateral edges 36 of the central layer 18 extend parallel to the X-X propagation axis.
- the lateral edges 36 of the central layer 18 extend in particular orthogonally and to the transverse axis Y-Y.
- the lateral edges 36 of the central layer 18 follow the central lateral boundaries 30.
- “longer” is meant that the lateral edges 36 are in contact with said central lateral borders 30 or disposed at a distance, for example constant, from said lateral boundaries. central 30, this distance being preferably less than 100 pm.
- the dielectric bar 28 is disposed in the cavity 32, away from the lateral edges 36 of the cavity 32.
- the dielectric bar 28 is disposed in the propagation zone 19 such that, in projection on the upper surface 20B of the lower layer 16, said dielectric bar 28 is away from the lateral edges 36 of the cavity 32.
- the dielectric bar 28 is disposed between the lateral edges 36 of the cavity 32.
- the dielectric bar 28 has an elongate shape here and extends in a longitudinal direction parallel to the axis of propagation. In addition, the dielectric bar 28 extends here orthogonally to the transverse axis Y-Y.
- the dielectric bar 28 has a width comprised in particular between 1% and 90% of the width of the cavity 32.
- width of an element is meant the edge-to-edge distance of the element taken along the transverse axis Y-Y.
- the width of the dielectric bar 28 is for example constant along the axis of propagation X-X, as illustrated in FIG.
- the dielectric bar 28 is here centered on a median plane of the two lateral edges 36.
- the dielectric bar 28 has a thickness less than the height of the cavity 32.
- the dielectric bar 28 is fixed to the upper surface 20B of the lower layer 16 via a lower contact sub-layer 40. More precisely, it is attached to the lower contact sub-layer 40, the sub-layer 40 lower contact layer 40 being attached to the upper surface 20B of the lower layer 16.
- the lower contact sub-layer 40 is electrically conductive.
- the dielectric bar 28 is further fixed to the lower surface 21A of the upper layer 14 via an upper contact sub-layer 42. More specifically, it is attached to the upper contact sub-layer 42, the upper contact sub-layer 42 being attached to the lower surface 21A of the upper layer 14.
- the upper contact sub-layer 42 is electrically conductive.
- the first method comprises providing the upper layer 14 and the lower layer 16.
- the core layer 18 being provided by having a plurality of recesses 44 therein, said plurality of recesses 44 being intended to form the cavity 32 of the first component 10A.
- the upper layer 14, the lower layer 16 and the core layer 18 are provided apart from each other.
- the step of providing the central layer 18 comprises the provision of an initial layer 46, the initial layer 46 being intended to form the central layer 18.
- the initial layer 46 thus comprises at least one initial dielectric sublayer 48, having the first dielectric constant, which is intended in particular to form the central sub-layer 26C of the central layer 18.
- the initial layer 46 also comprises an initial electrically conductive upper underlayer 50 intended to form the upper sub-layer 22C of the central layer 18, and an electrically-conductive lower lower sublayer 52 intended to form the underlayer lower 24C of the central layer 18.
- the initial layer 46 is provided with no recess.
- the step of supplying the central layer 18 then comprises cutting, in the initial layer 46 of the plurality of recesses 44 intended to form the cavity 32.
- the cut is implemented throughout the thickness of the initial layer 46.
- the first method comprises a step of implementing the central lateral boundaries 30.
- the implementation of the central lateral borders 30 comprises the realization of said rows of vias 34.
- the step of supplying the central layer 18 further comprises producing the dielectric bar 28.
- the embodiment of the dielectric bar 28 is here implemented during the cutting of said plurality of recesses 44. Said plurality of recesses 44 is then intended to delimit the cavity 32, the dielectric bar 28 and attachment means 54 of the dielectric bar 28.
- the dielectric bar 28 is more precisely formed by a portion of the initial dielectric underlayer 48 of the initial layer 46.
- the dielectric bar 28 is thus disposed in the initial layer 46.
- the initial and lower electrically conductive sub-layers 50, 52 of the initial layer 46 respectively above and below the dielectric bar 28 respectively form the upper contact sub-layer 42 and the lower contact sub-layer 40 of the first component 10A.
- the fastening means 54 comprise a plurality of dielectric fasteners 56 connecting the dielectric bar 28 to at least one of the lateral edges 36 of the cavity 32.
- the dielectric bar 28, the dielectric fasteners 56 and the side edges 36 of the cavity 32 are integral.
- each dielectric fastener 56 has a straight bar shape, and here extends perpendicularly from one of the lateral edges 36.
- At least one dielectric fastener 56 extends from each of the lateral edges 36.
- the dielectric fasteners 56 are spaced apart from each other.
- the spacing separating two adjacent dielectric fasteners 56 is equal for all the dielectric fasteners 56.
- each dielectric fastener 56 extends from one of the lateral edges 36 is disposed substantially in the middle of two adjacent dielectric fasteners 56 extending from the opposite lateral edge 36.
- the embodiment of the dielectric bar 28 comprises, for example, the suppression of the initial upper and lower sublayers 50, 52 that are electrically conductive to the straight of the dielectric fasteners 56, especially above and below the dielectric fasteners 56.
- the dielectric fasteners 56 have a thickness less than the height of the cavity 32.
- the initial layer 46 forms the central layer 18.
- the dielectric bar 28 is disposed between a plane defined by the upper surface 20C of the central layer 18 and a plane defined by a lower surface 21C of the central layer 18.
- the dielectric bar 28 is thus intended to be disposed in the cavity 32, between the lateral edges 36.
- the first method comprises assembling the upper layer 14, the lower layer 16 and the central layer 18, so that the central layer 18 is interposed between the upper layer 14 and the lower layer 16.
- the layers 14, 16, 18 are aligned relative to each other by means of centering pins or by camera with patterns.
- the assembly firstly comprises the attachment of the central layer 18 to the lower layer 16.
- This attachment is for example made by gluing.
- the dielectric bar 28 is likewise fixed to the lower layer 16.
- the dielectric bar 28 is held in position relative to the central layer 18 and to the lower layer 16 by the dielectric fasteners 56. The positioning of the dielectric bar 28 is therefore very precise and chosen when the cutting step.
- the assembly then comprises the removal of the fastening means 54, once the central layer 18 has been fastened to the lower layer 16, in particular once the dielectric bar 28 has been fastened to the lower layer 16.
- This removal is implemented by cutting the fastening means 54, and in particular by cutting the dielectric fasteners 56.
- the preceding step of removing the upper and lower sub-layers initial electrically conductive 50, 52 facilitates this step of cutting dielectric fasteners 56.
- Each dielectric fastener 56 is preferably cut flush with the side edge 36 from which it extends.
- each dielectric fastener 56 is advantageously cut off flush with the dielectric bar 28.
- the assembly comprises the attachment of the upper layer 14 to the central layer 18.
- This attachment is for example made by gluing.
- the cavity 32 is then formed by said plurality of recesses 44 being delimited by the upper layer 14, by the lower layer 16, and laterally by said opposite lateral edges 36 of the central layer 18.
- the first component 10A is formed.
- the layers 14, 16, 18 define the propagation zone 19 of an electromagnetic wave.
- the propagation zone 19 is then delimited by the electrically conductive lower sublayer 24A of the upper layer 14, the upper electrically conductive sub-layer 22B of the lower layer 16 and the central lateral boundaries 30.
- This propagation zone 19 comprises the cavity 32.
- the dielectric bar 28 is disposed in the cavity 32 away from the lateral edges 36 of the cavity 32.
- the dielectric bar 28, disposed in the central layer 18, is disposed in the propagation zone 19, and, in projection on the upper surface 20B of the lower layer 16, to the distance from the lateral edges 36 of the cavity 32.
- the first method comprises a step of feeding the first microwave component 10A with an electromagnetic wave propagating in the propagation zone 19.
- the electromagnetic wave has at least one propagation mode having a maximum of electric field.
- the dielectric bar 28 is positioned in the cavity 32 at a predetermined position such that, during this step of supplying the first component 10A, the predetermined position corresponds to the level of said maximum electric field.
- the dimensions of the dielectric fasteners 56 are predetermined so that, after assembly, the dielectric bar 28 is located in the cavity 32 at the predetermined position.
- the dielectric bar 28 thus has an effect on said mode of propagation.
- the dielectric bar 28 charges the waveguide 12 so as to widen the monomode bandwidth.
- the structure comprising three layers 14, 16, 18 makes the first component 10A compact and flexible.
- the waveguide 12 comprises a first electrically insulating layer between the lower sublayer 24A of the upper layer 14 and the upper sub-layer 22C of the central layer 18, and / or one second electrically insulating layer between the lower sublayer 24C of the central layer 18 and the upper sub-layer 22B of the lower layer 16.
- the insulating layer or layers are for example made in prepreg.
- Each central lateral border 30, and in particular each via 34, passes through the insulating layer or layers.
- the dielectric bar 28 is not centered on a median plane of the two lateral edges 36 but is shifted laterally of said median plane. Such a lateral shift makes it possible to provide a control of the desired modes of propagation of the electromagnetic wave propagating in the waveguide 12.
- the width of the dielectric bar 28 varies along the axis of propagation.
- the waveguide 12 comprises electrically conductive wires passing through the cavity 32 from one side to the other, and electrically connecting the lower sub-layer 24A of the upper layer 14 to the upper layer 22B of the lower layer 16. These wires make it possible to perform impedance matching to another circuit.
- the waveguide 12 comprises electrically conductive wires passing through the cavity 32, being electrically connected to the lower sub-layer 24A of the upper layer 14, and having a free end away from of the upper layer 22B of the lower layer 16. These son allow to make capacitive pads for adjusting the filtering properties of the component.
- FIG. 10A A variant of the first method of manufacturing the first component 10A is illustrated in FIG.
- This variant differs from the first method described in that the median plane of the two lateral edges 36 is a plane of symmetry of the dielectric fasteners 56.
- each dielectric fastener 56 does not extend perpendicularly from one of the lateral edges 36. At least two dielectric fasteners 56 extend from the same side edge 36, joining at the dielectric bar 28. As shown in FIG. 5, these two dielectric fasteners 56 form a repeating pattern along the axis of propagation.
- another dielectric fastener 56 extends from the same side edge 36, joining at the level of the dielectric bar 28.
- the embodiment of the dielectric bar 28 does not include the removal of the initial and lower electrically conductive upper and lower sub-layers 50, 52 to the right of the dielectric fasteners 56. These sub-layers 50, 52 are removed. when removing the attachment means 54.
- the dielectric fasteners 56 extend from only one of the lateral edges 36.
- a second microwave component 10B will now be described, with reference to FIG.
- This second component 10B differs from the first component 10A in that the dielectric bar 28 and the lower surface 21A of the upper layer 14 delimit a free space between them.
- the dielectric bar 28 is thus not fastened to the lower surface 21A of the upper layer 14 via the upper contact sub-layer 42.
- the waveguide 12 is then devoid of said upper contact sub-layer 42.
- a second manufacturing method relating to the manufacture of the second component 10B differs from the first method in that the embodiment of the dielectric bar 28 comprises the removal of the initial upper electrically conductive underlayer 50 above the dielectric bar 28.
- a third microwave component 10C will now be described, with reference to FIG. 7.
- This third component 10C differs from the first component 10A in that the waveguide 12 further comprises a functional fastening component 58.
- the functional fastening component 58 is formed by a plurality of dielectric fasteners 56 integral with the dielectric bar 28, each dielectric fastener 56 extending from one of the side edges 36.
- Said dielectric fasteners 56 have characteristics identical to the dielectric fasteners described in the first method.
- the dielectric fasteners 56 extend from only one of the side edges 36.
- the dielectric bar 28 is thus spaced from the lateral edges 36 in at least one region of the dielectric bar 28.
- the dielectric clips 56 are configured to perform a filter function for an electromagnetic wave propagating in the propagation zone 19.
- the distribution, the spacing between two adjacent dielectric fasteners 56, and their dimensions are predetermined to perform said function.
- a third manufacturing method relating to the manufacture of the third component 10C differs from the first method in that at least a part of the attachment means 54 is not removed during the assembly step.
- the upper layer 14 is fixed to the central layer 18 without removing all the dielectric fasteners 56.
- the distribution, the spacing between two adjacent dielectric fasteners 56, and their dimensions are predetermined to perform said function.
- the width of the dielectric bar 28 varies along the axis of propagation.
- the width of the dielectric bar 28 is constant between two dielectric fasteners 56 adjacent, and the width of the dielectric bar 28 between a pair of adjacent dielectric fasteners 56 is different for at least two pairs of dielectric adjacent dielectric fasteners 56.
- the width of the dielectric bar 28 taken at a dielectric fastener 56 is different from the width of the dielectric bar 28 taken at an adjacent dielectric attachment 56.
- the side of the bar dielectric 28 joining said two adjacent dielectric fasteners 56 then having in plan view a predetermined profile selected from: a straight line or a curve.
- a fourth component 10D according to the invention is illustrated in FIG.
- This fourth component 10D differs from the first component 10A in that the dielectric bar 28 is made of a dielectric material different from the material in which the central sub-layer 26C of the central layer 18 is made.
- the dielectric bar 28 is in contact with the upper surface 20B of the lower layer 16.
- the dielectric bar 28 is fixed to the upper surface 20B of the lower layer 16, for example by gluing.
- the dielectric bar 28 is in contact with the lower surface 21A of the upper layer 14. In other words, it has a thickness equal to the height of the cavity 32.
- the dielectric bar 28 is fixed to the lower surface 21A of the upper layer 14, for example by gluing.
- the dielectric bar 28 and the lower surface 21A of the upper layer 14 delimit a free space between them.
- the dielectric bar 28 is devoid of contact with the lower surface 21A of the upper layer 14.
- the thickness of the dielectric bar 28 is therefore less than the thickness of the central layer 18.
- the waveguide 12 comprises a functional fastening component 58 similar to the functional fastening component 58 of the third component 10C.
- the fourth method differs from the first method in that the dielectric bar 28 and the attachment means 54 are not cut in the central layer 18, and in that the step of producing the dielectric bar 28 comprises the supply of the dielectric bar 28 and attachment means 54 of the dielectric bar 28, the dielectric bar 28 and the attachment means 54 being provided away from the central layer 18.
- Central layer 18 is provided having a recess 44 for forming cavity 32 alone.
- the attachment means 54 have characteristics identical to the fastening means of the first method but differ from the latter in that the dielectric fasteners 56 are not integral with the lateral edges 36 of the cavity 32.
- the fastening means 54 thus comprise the plurality of dielectric fasteners 56 integral with the dielectric bar 28, the dielectric fasteners 56 being integral with the dielectric bar 28, for example integral with the dielectric bar 28.
- the dielectric bar 28 and the dielectric fasteners 56 are preferably made of a dielectric material different from the material in which the central sub-layer 26C of the central layer 18 is made. In a variant, they are made of the same material as that of the central underlayer 26C of the central layer 18.
- the dielectric bar 28 is fixed to the lower layer 16.
- the dielectric bar 28 is held in position relative to the lower layer 16, by the dielectric fasteners 56 for the duration necessary for its attachment to the lower layer 16.
- the central layer 18 is fixed to the lower layer 16, the dielectric bar 28 then being arranged in the recess 44.
- FIGS. 9 and 10 A fifth component 10E according to the invention is illustrated in FIGS. 9 and 10.
- This fifth component 10E differs from the first component 10A in that the cavity 32 is delimited along the axis of propagation between a front end 60 and a rear end 62 of the central layer 18, the dielectric bar 28 extending from the end before 60 at the rear end 62.
- the cavity 32 has, in projection on the upper surface 20B of the lower layer 16, a closed outer contour.
- the fifth component 10E further comprises two auxiliary transmission lines 64, arranged longitudinally on either side of the cavity 32, the propagation zone 19, and the central lateral boundaries 30, extending into each of these two additional transmission lines 64.
- Each transmission transmission line 64 comprises an upper electrically conductive upper layer 66, identical to the upper layer 14 and integrally formed with the upper layer 14, an electrically conductive lower layer, identical to the lower layer 16 and integrally formed with the lower layer 16, and a central dielectric layer 68, identical to the central layer 18 and integral with the central layer 18.
- the auxiliary transmission lines 64 are devoid of cavity 32.
- the spacing, taken along the transverse axis Y-Y, between the central lateral boundaries 30 is greater in the cavity 32 at their spacing in the adjoining transmission lines 64.
- the dielectric bar 28 is integral with the central sub-layer 26C of the central layer 18.
- the dielectric bar 28 is here integral with the central sub-layer 26C of the central layer 18.
- the dielectric bar 28 is thus integral with the central appendix layer 68 of each of the associated transmission lines 64.
- the dielectric bar 28 has a length equal to the length of the cavity 32. "Length of an element” means the edge-to-edge distance of the element taken along the axis of propagation.
- the embodiment of the fifth component 10E illustrated in FIG. 10 differs from the first component 10A in that, in at least one portion of the cavity 32, taken along the transverse axis YY, the dielectric bar 28 defines respectively with the lower surface 21A of the upper layer 14 and the upper surface 20B of the lower layer 16 a free space.
- the upper appendix layers 66 and the lower auxiliary layers protrude into the cavity 32 respectively above and below the dielectric bar 28.
- said projections in the cavity 32 of the upper appendages 66 and lower layers attached have a pointed shape.
- the fifth method differs from the first method in that during the cutting of said plurality of recesses 44, said plurality of recesses 44 is intended to delimit the cavity 32, along the axis of propagation, between a front end 60 and a rear end 62 of the central layer 18.
- said plurality of recesses 44 is intended to define the cavity 32 as it has, in projection on the upper surface 20B of the lower layer 16, a closed outer contour.
- Said plurality of recesses 44 cut out delimits the dielectric bar 28, the dielectric bar 28 extending from the front end 60 to the rear end 62, and having in particular a length equal to the length of the cavity 32.
- said plurality of recesses 44 delimits the dielectric bar 28 without delimiting dielectric fasteners 56 connecting the dielectric bar 28 to the remainder of the central layer 18.
- the implementation of the central lateral boundaries 30 is implemented such that, after assembly, the propagation zone 19 extends longitudinally on either side of the cavity 32.
- the upper layer 14, the lower layer 16 and the central layer 18 then define, on either side of the cavity 32, the two additional transmission lines 64.
- the wave In use, during the step of feeding the fifth 10E microwave component with an electromagnetic wave, the wave propagates in the propagation zone 19 in one of the transmission lines 64.
- the projections of the upper and lower auxiliary layers 66 make it possible to ensure a good electromagnetic transition for the wave propagating in the propagation zone 19 between the adjoining transmission lines 64 and the cavity 32.
- a sixth component 10F microwave will now be described, with reference to Figure 1 1.
- This sixth component 10F differs from the previous embodiments in that the central lateral boundaries 30 do not include rows of vias 34.
- Each central lateral border 30 comprises an electrically conductive continuous side wall 70.
- Said continuous side wall 70 is in particular formed by an electrically conductive coating, for example a metallic coating. Said coating is here applied to the lateral edges 36 of the cavity 32.
- Continuous side wall means that the metal coating is applied over the entire height and length of the side edges 36.
- the central lateral borders 30 are in particular devoid of vias.
- the sixth method differs from the first method in that the step of implementing the central lateral boundaries 30 is implemented after the step of cutting said plurality of recesses 44.
- This step of implementation of the central lateral boundaries 30 comprises the realization of an electrically conductive continuous side wall 70, by the application of an electrically conductive coating, for example metal, on edges of said plurality of recesses 44, these edges being intended to form the lateral edges 36 of the cavity 32.
- an electrically conductive coating for example metal
- a seventh component 10G according to the invention will now be described with reference to FIGS.
- This seventh component 10G differs from the first component 10A in that the dielectric bar 28 is a first dielectric bar 28, and in that the waveguide 12 further comprises a second dielectric bar 72.
- the second dielectric bar 72 is disposed in the cavity 32, away from said first dielectric bar 28, and away from the side edges 36 of the cavity 32.
- the second dielectric bar 72 is disposed in the propagation zone 19 such that, in projection on the upper surface 20B of the lower layer 16, said second dielectric bar 72 is away from the lateral edges 36 of the cavity 32 .
- the second dielectric bar 72 is disposed between the lateral edges 36 of the cavity 32.
- the first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72 extend respectively in a longitudinal direction parallel to the axis of propagation X-X. In addition, they extend here orthogonally to the transverse axis Y-Y.
- the first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72 are offset laterally from the median plane of the two lateral edges 36.
- the second dielectric bar 72 is at least partially disposed between the first dielectric bar 28 and one of the lateral edges 36.
- the second dielectric bar 72 is substantially similar to the first dielectric bar 28.
- the second dielectric bar 72 has a width comprised in particular between 1% and 90% of the width of the cavity 32.
- the width of the second dielectric bar 72 is for example constant along the axis of propagation X-X. Alternatively, the width of the second dielectric bar 72 varies along the axis of propagation.
- the second dielectric bar 72 has in this example a thickness less than the height of the cavity 32.
- the second dielectric bar 72 is fixed to the upper surface 20B of the lower layer 16 via a second lower contact sub-layer 74. More specifically, it is attached to the second lower contact sub-layer 74, the second lower contact sub-layer 74 being attached to the upper surface 20B of the lower layer 16.
- the second lower contact sub-layer 74 is electrically conductive.
- the second dielectric bar 72 is further attached to the lower surface 21A of the upper layer 14 via a second upper contact sub-layer 76. More specifically, it is attached to the second upper sub-layer of contact 76, the second upper contact sub-layer 76 being attached to the lower surface 21A of the upper layer 14.
- the second upper contact sub-layer 76 is electrically conductive.
- the seventh method differs from the first method in that the step of providing the central layer 18 comprises a step of producing the first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72.
- first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72 being implemented here during the cutting of said plurality of recesses 44.
- said plurality of recesses 44 is intended to delimit the first dielectric bar 28, the second dielectric bar 72 and attachment means 54 of the first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72.
- the first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72 are more precisely formed by a portion of the initial dielectric underlayer 48 of the initial layer 46.
- the fastening means 54 comprise a plurality of first dielectric fasteners connecting the first dielectric bar 28 to one of the side edges 36 of the cavity 32. They further comprise a plurality of second dielectric fasteners connecting the second dielectric bar 72 to the other side edges 36 of the cavity 32.
- the fastening means 54 comprise a plurality of intermediate dielectric fasteners connecting the first dielectric bar 28 to the second dielectric bar 72.
- the first dielectric fasteners, the second dielectric fasteners and the intermediate dielectric fasteners have substantially identical characteristics to the dielectric fasteners 56 described in the first method.
- the seventh method comprises a step of supplying the seventh 10G microwave component with an electromagnetic wave propagating in the propagation zone 19.
- the electromagnetic wave here has at least a first and a second propagation mode, the second propagation mode having two maximums of electric field.
- the first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72 are respectively positioned in the cavity 32 at a first predetermined position and at a second predetermined position such that, during this step of supplying the seventh component 10G, the first predetermined position and the second predetermined position respectively correspond to the levels of said electric field maximums.
- the dimensions of the first fasteners and the second fasteners are predetermined so that, after assembly, the first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72 are respectively located in the cavity 32 at the level of said maximum electric fields.
- the first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72 thus have an effect on the second mode of propagation. In particular, they reduce the monomode band of the seventh component 10G to obtain a controlled dual mode structure.
- This eighth component 10H differs from the fourth component 10D in that the dielectric bar 28 is a first dielectric bar 28, and in that the waveguide 12 comprises at least one other dielectric bar 72.
- the waveguide 12 comprises at least three other dielectric bars 72.
- Each other dielectric bar 72 is disposed in the cavity 32, away from said first dielectric bar 28, away from each other dielectric bar 72 and away from the side edges 36 of the cavity 32.
- each other dielectric bar 72 is disposed in the propagation zone 19 such that, in projection on the upper surface 20B of the lower layer 16, said other dielectric bar 72 is away from the lateral edges 36 of the cavity 32 .
- Each other dielectric bar 72 is disposed between the lateral edges 36 of the cavity 32.
- the first dielectric bar 28 and each other dielectric bar 72 extend respectively in a longitudinal direction parallel to the axis of propagation X-X. In addition, they extend here orthogonally to the transverse axis Y-Y.
- the first dielectric bar 28 and each other dielectric bar 72 are offset laterally from the median plane of the two lateral edges 36.
- first dielectric bar 28 and each other dielectric bar 72 define respectively a circular outer contour.
- the term "bar" is here to be taken in a broad sense.
- each other dielectric bar 72 is substantially similar to the first dielectric bar 28. In particular, they have a substantially identical diameter here.
- the first dielectric bar 28 and each other dielectric bar 72 then respectively have a dielectric permittivity greater than 6.
- the eighth method differs from the fourth method in that it comprises a step of producing each other dielectric bar 72.
- the step of producing each other dielectric bar 72 comprises the provision of said other dielectric bar 72 and attachment means of said another dielectric bar 72, said other dielectric bar 72 and the attachment means being provided away from the central layer 18.
- each other dielectric bar 72 is fixed to the lower layer 16, in particular before the central layer 18 is fixed to the lower layer 16.
- At least one of the first dielectric bar 28 and of each other dielectric bar 72 defines an outer contour having a rectangle, square, or oval shape.
- At least one of the first dielectric bar 28 and each other dielectric bar 72 defines a ring shape, having an outer contour of circular shape rectangular, square, or oval, and an inner contour of circular, rectangular, square, or oval shape.
- At least two bars of the first dielectric bar 28 and the other dielectric bars 72 are made of different materials.
- the eighth manufacturing method described allows to simultaneously mount several bars 28, 72 made of different materials.
- the waveguide 12 further comprises a functional fastening component formed by a plurality of dielectric fasteners integral with at least one of the bars 28, 72, each dielectric fastener extending to from one of the lateral edges 36.
- a functional fastening component formed by a plurality of dielectric fasteners integral with at least one of the bars 28, 72, each dielectric fastener extending to from one of the lateral edges 36.
- a ninth component 101 according to the invention will now be described with reference to FIG.
- This ninth component 101 differs from the first component 10A in that the dielectric bar 28 is not disposed in the cavity 32.
- the dielectric bar 28 is disposed in the propagation zone 19 and is delimited in the upper layer 14. The dielectric bar 28 is thus formed in the upper layer 14.
- the dielectric bar 28 is formed in the central sub-layer 26A of the upper layer 14 and is defined by a portion of the upper sub-layer 22A electrically conductive of the upper layer 14 and laterally between two upper lateral boundaries 78.
- the dielectric bar 28 opens on the cavity 32.
- the dielectric bar 28 has a surface 80 delimiting the cavity 32.
- the dielectric bar 28 is disposed between a plane defined by an upper surface 20C of the central layer 18 and a plane defined by an upper surface 20A of the upper layer 14.
- the upper layer 14 is devoid of lower sublayer 24A, in at least a portion of the upper layer 14 between the two upper lateral boundaries 78.
- the upper layer 14 is entirely without lower underlayer 24A, between the two upper lateral boundaries 78.
- the dielectric bar 28 is here arranged in the propagation zone 19, such that, in projection on the upper surface 20B of the lower layer 16, the dielectric bar 28 is away from the lateral edges 36 of the cavity 32.
- the propagation zone 19 is delimited by the upper electrically conductive sub-layer 22B of the lower layer 16 and the two central lateral boundaries 30 each arranged in the central layer and spaced apart from each other . Furthermore, in the ninth component 101, the propagation zone 19 is delimited by the portion of the upper sub-layer 22A of the upper layer 14 extending above the dielectric bar 28, by a portion of the underlayer electrically conductive bottom 24A of the upper layer 14, and the upper lateral boundaries 78, the upper lateral boundaries 78 joining said parts.
- the upper lateral boundaries 78 are adapted to prevent the passage of an electromagnetic wave having a wavelength greater than or equal to the predetermined minimum wavelength.
- the upper lateral boundaries 78 are each arranged in the upper layer 14.
- the upper lateral boundaries 78 extend parallel to the axis of propagation X-X and are here parallel to each other.
- the upper lateral boundaries 78 are spaced apart from each other.
- the dielectric bar 28 is thus centered here on the median plane of the lateral edges 36.
- a cross section of the propagation zone 19 has substantially a T-shape returned.
- the upper lateral boundaries 78 are disposed apart and between the lateral edges 36.
- Each upper lateral boundary 78 electrically connects the lower sub-layer 24A of the upper layer 14 and the upper sub-layer 22A of the upper layer 14 between them.
- the upper lateral boundaries 78 and the central lateral boundaries 30 electrically connect the upper sub-layer 22B of the lower layer 16 to the upper sub-layer 22A of the upper layer 14, respectively on either side of the cavity 32.
- each upper lateral frontier 78 comprises a row of electrically conductive vias 34 arranged through the upper layer 14. More precisely, each via 34 extends in the ZZ direction, crossing the layer superior 14.
- Each via 34 electrically connects the lower sub-layer 24A of the upper layer 14 and the upper sub-layer 22A of the upper layer 14 between them.
- the distance between two successive vias 34 of an upper lateral border 78 is less than the predetermined minimum wavelength, in particular less than one-tenth of the predetermined minimum wavelength, preferably less than one twentieth of the length of the wavelength. predetermined minimum wave.
- the ninth method differs from the first method in that the dielectric bar 28 is not cut in the central layer 18 and is not arranged in the cavity 32.
- no fastening means as described in the first method is cut in the central layer 18.
- no fastener is used compared to the embodiments for arranging the dielectric bar 28 in the cavity 32.
- Central layer 18 is provided having a recess 44 for forming cavity 32 alone.
- the supply of the upper layer 14 comprises the provision of an upper initial layer, the upper initial layer being intended to form the upper layer 14.
- the upper initial layer thus comprises at least one initial dielectric sublayer, intended to form the central sub-layer 26A of the upper layer 14, an electrically conductive upper sub-layer, intended to form the upper sublayer 22A of the layer upper 14, and an electrically conductive lower sub-layer, for forming the lower sub-layer 24A of the upper layer 14.
- the step of providing the upper layer 14 comprises the realization of the dielectric bar 28.
- the embodiment of the dielectric bar 28 comprises the implementation of the upper lateral boundaries 78 and the removal of at least a portion, preferably of the entirety of the electrically conductive lower sub-layer of the upper initial layer extending between the two upper lateral boundaries 78.
- the portion of the central dielectric sub-layer of the upper initial layer delimited between the upper lateral boundaries 78 forms said dielectric bar 28.
- the upper initial layer forms the upper layer 14.
- the central layer 18 is attached to the lower layer 16 and the upper layer 14 is fixed to the central layer 18 to form the ninth component 101.
- the propagation zone 19 comprises the dielectric bar 28 delimited in the upper layer 14, the dielectric bar 28 having a surface delimiting the cavity 32.
- the dielectric bar 28 is delimited in the lower layer 16.
- the step of providing the lower layer 16 comprises the production of the dielectric bar 28.
- the dielectric bar 28 is not centered on the median plane of the lateral edges 36.
- the dielectric bar 28 is laterally offset from the median plane of the lateral edges 36.
- the upper lateral boundaries 78 are then devoid of symmetry with respect to the median plane of the lateral edges 36.
- a tenth component 10 J according to the invention will now be described with reference to FIG.
- This tenth component 10J differs from the ninth component 101 in that said dielectric bar 28 is a first dielectric bar 28.
- the waveguide 12 further comprises a second dielectric bar 72 disposed in the propagation zone 19 and delimited in the lower layer 16, away from the first dielectric bar 28.
- the second dielectric bar 72 is thus formed in the lower layer 16, in particular away from the first dielectric bar 28.
- the second dielectric bar 72 is formed in the central sub-layer 26B of the lower layer 16 and is delimited by a portion of the electrically conductive lower sublayer 24B of the lower layer 16 and laterally between two lower lateral boundaries 82.
- the second dielectric bar 72 opens on the cavity 32.
- the second dielectric bar 72 has a surface 84 delimiting the cavity 32.
- the second dielectric bar 72 is disposed between a plane defined by a lower surface 21 C of the central layer 18 and a plane defined by a lower surface 21 B of the lower layer 16.
- the lower layer 16 is devoid of upper sub-layer 22B, in at least a portion of the lower layer 16 between the two lower lateral boundaries 82. In particular, in the example illustrated in FIG. 15, the lower layer 16 is entirely devoid of upper sub-layer 22B between the two lower lateral boundaries 82.
- the propagation zone 19 is delimited by a portion of the electrically conductive lower sublayer 24A of the upper layer 14, a portion of the upper sublayer 22A electrically conductive of the upper layer 14 and the boundaries upper side 78 joining said parts.
- the propagation zone 19 is also delimited laterally by the two central lateral boundaries 30 each arranged in the central layer 18 and spaced apart from each other.
- the propagation zone 19 is delimited by the portion of the electrically conductive lower sublayer 24B of the lower layer 16 extending below the second dielectric bar 72, by a portion of the upper sub-layer 22B electrically conductive bottom layer 16, and by the lower side boundaries 82, the lower side boundaries 82 joining said parts.
- the lower lateral boundaries 82 of the propagation zone 19 are able to prevent the passage of an electromagnetic wave having a wavelength greater than or equal to the predetermined minimum wavelength.
- the lower lateral boundaries 82 are each arranged in the lower layer 16.
- the lower lateral boundaries 82 extend parallel to the axis of propagation X-X and are here parallel to each other.
- the lower lateral boundaries 82 are spaced apart from each other.
- the second dielectric bar 72 is here centered on the median plane of the lateral edges 36.
- a cross section of the propagation zone 19 has substantially a cross shape.
- the lower lateral boundaries 82 extend for example here respectively in the extension of the upper lateral boundaries 78.
- the lower lateral boundaries 82 are disposed apart and between the lateral edges 36.
- Each lower lateral boundary 82 electrically connects the upper sub-layer 22B of the lower layer 16 and the lower sub-layer 24B of the lower layer 16 between them.
- the lower lateral boundaries 82, the upper lateral boundaries 78 and the central lateral boundaries 30 electrically connect the lower sub-layer 24B of the lower layer 16 to the upper sub-layer 22A of the upper layer 14 respectively on either side of the the cavity 32.
- each lower lateral border 82 comprises a row of electrically conductive vias 34, arranged through the lower layer 16. More specifically, each via 34 extends in the ZZ direction, crossing the layer lower 16.
- Each via 34 electrically connects the upper sub-layer 22B of the lower layer 16 and the lower sub-layer 24B of the lower layer 16 between them.
- the distance between two successive vias 34 of a lower lateral border 82 is less than the predetermined minimum wavelength, in particular less than one-tenth of the predetermined minimum wavelength, preferably less than one twentieth of the length of the wavelength. predetermined minimum wave.
- the tenth method differs from the ninth method in that the described embodiment step of the dielectric bar 28 corresponds to the production of the first dielectric bar 28.
- the step of supplying the lower layer 16 comprises the production of the second dielectric bar 72.
- the supply of the lower layer 16 comprises the provision of a lower initial layer, the lower initial layer being intended to form the lower layer 16.
- the lower initial layer thus comprises at least one initial dielectric underlayer, intended to form the central sub-layer 26B of the lower layer 16, an electrically conductive upper sub-layer, intended to form the upper sublayer 22B of the layer lower 16, and an electrically conductive lower sublayer for forming the lower sub-layer 24B of the lower layer 16.
- the realization of the second dielectric bar 72 includes the implementation of the lower lateral boundaries 82 and the removal of at least a portion, preferably all, of the electrically conductive upper sub-layer of the lower initial layer extending between the two lower lateral boundaries 82.
- the portion of the central dielectric sub-layer of the lower initial layer delimited between the lower lateral boundaries 82 forms said second dielectric bar 72.
- the lower initial layer forms the lower layer 16.
- the central layer 18 is fixed to the lower layer 16 and the upper layer 14 is fixed to the central layer 18 to form the tenth component 10J.
- the propagation zone 19 comprises a second dielectric bar 72 delimited in the lower layer 16, the second dielectric bar 72 being away from the first dielectric bar 28.
- the second dielectric bar 72 is not centered on the median plane of the lateral edges 36.
- the second dielectric bar 72 is laterally offset from the median plane of the lateral edges 36.
- the lower lateral boundaries 82 are then devoid of symmetry with respect to the median plane of the lateral edges 36.
- the eleventh component 10K differs from the ninth component 101 in that said dielectric bar 28 is a first dielectric bar 28.
- the waveguide 12 further comprises a second dielectric bar 72 disposed in the propagation zone 19 and delimited in the upper layer 14, away from the first dielectric bar 28.
- the second dielectric bar 72 is thus formed in the upper layer 14, in particular away from the first dielectric bar 28.
- the first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72 are each formed in the central sub-layer 26A of the upper layer 14 and are respectively defined by a portion of the upper sub-layer 22A electrically conductive of the upper layer 14 and laterally between an inner upper lateral border 86 and an outer upper lateral boundary 88.
- the first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72 each open at least partly on the cavity 32.
- the first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72 each have a surface 90A, 90B delimiting the cavity 32.
- the upper layer 14 is devoid of lower sub-layer 24A, in at least a portion of the upper layer 14.
- an inner upper lateral and an adjacent outer upper lateral boundary is meant that no inner upper lateral boundary 86 is interposed between said boundaries .
- the propagation zone 19 is delimited by the upper electrically conductive sub-layer 22B of the lower layer 16 and the two central lateral boundaries 30 each arranged in the central layer 18 and spaced apart from one another. other.
- the propagation zone 19 is delimited by the portion of the upper sub-layer 22A of the upper layer 14 extending above the first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72, by a portion of the electrically conductive bottom sublayer 24A of the top layer 14, and the inner upper side boundaries 86 and the outer upper side boundaries 88, the inner upper 86 and outer side boundaries 88 joining said portions.
- the inner upper 86 and outer 88 lateral boundaries are adapted to prevent the passage of an electromagnetic wave having a wavelength greater than or equal to the predetermined minimum wavelength.
- the upper internal lateral 86 and outer 88 boundaries are each arranged in the upper layer 14.
- the inner upper 86 and outer 88 lateral boundaries extend parallel to the X-X propagation axis and are here parallel to each other.
- the inner upper 86 and outer 88 lateral boundaries are spaced from each other.
- the upper internal 86 and outer 88 lateral boundaries electrically connect the lower sub-layer 24A of the upper layer 14 and the upper sub-layer 22A of the upper layer 14 respectively.
- the outer upper lateral boundaries 88 and the central lateral boundaries 30 electrically connect the upper sub-layer 22B of the lower layer 16 to the upper sub-layer 22A of the upper layer 14, respectively on either side of the cavity 32.
- the outer upper lateral boundaries 88 are respectively arranged in the extension of the central lateral borders 30. In a variant, they are laterally offset with respect to the central lateral boundaries 30.
- the outer upper lateral boundaries 88 are here symmetrical to each other with respect to the median plane of the lateral edges 36.
- the inner upper lateral boundaries 86 are disposed between the outer upper lateral boundaries 88.
- the inner upper lateral boundaries 86 are here symmetrical to each other with respect to the median plane of the lateral edges 36.
- the first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72 are each laterally offset from the median plane of the lateral edges 36.
- the inner upper lateral boundaries 86 are disposed apart and between the lateral edges 36.
- the lower sub-layer 24A of the upper layer 14 electrically connects the inner upper lateral boundaries 86 to each other.
- the lower sub-layer 24A of the upper layer 14 is continuous.
- continuous is meant that the lower sub-layer 24A of the upper layer 14 is devoid of through opening.
- each of the inner and outer upper lateral boundaries 86 comprises a row of electrically conductive vias 34 formed through the top layer 14. More precisely, each via extends in the ZZ direction, crossing the upper layer 14.
- Each via electrically connects the lower sub-layer 24A of the upper layer 14 and the upper sub-layer 22A of the upper layer 14 between them.
- the spacing between two successive vias 34 of an upper internal lateral 86 or outer 88 border is less than the predetermined minimum wavelength, in particular less than one tenth of the predetermined minimum wavelength, preferably less than one twentieth the predetermined minimum wavelength.
- the eleventh method differs from the ninth method in that the step of providing the upper layer 14 comprises the production of the first dielectric bar 28 and the production of the second dielectric bar 72.
- the realization step comprises the implementation of the upper internal 86 and outer 88 lateral boundaries in the upper layer 14, and the removal of at least a portion of the electrically lower sub-layer. conductor of the upper initial layer extending between the inner upper 86 and outer 88 lateral boundaries adjacent to each other.
- a twelfth component 10L according to the invention will now be described with reference to FIG. 17.
- the twelfth component 10L differs from the eleventh component 10K in that the waveguide 12 further comprises another dielectric bar 28, said other dielectric bar 28 being disposed in the cavity 32, away from the lateral edges 36 of the cavity 32.
- Said other dielectric bar 28 is similar to the dielectric bar of the first component 10A.
- the twelfth component 10L makes it possible to enlarge the monomode band and also to obtain propagation characteristics of interest for the radiofrequency domain of application.
- the twelfth method differs from the eleventh method in that it further comprises a step of producing the other dielectric bar 28.
- This step of producing the other dielectric bar 28 is substantially similar to the step of producing the dielectric bar of the first method.
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Abstract
Description
Composant micro-ondes et procédé de fabrication associé Microwave component and method of manufacturing the same
La présente invention concerne un composant micro-onde comportant un guide d’onde comprenant au moins une couche supérieure présentant au moins une surface électriquement conductrice, une couche inférieure présentant au moins une surface électriquement conductrice, et une couche centrale interposée entre la couche supérieure et la couche inférieure, lesdites couches définissant une zone de propagation d’une onde électromagnétique, la zone de propagation s’étendant le long d’un axe de propagation, et comprenant une cavité, la cavité étant délimitée par la couche supérieure, par la couche inférieure, et, latéralement, par deux bords latéraux opposés de la couche centrale. The present invention relates to a microwave component comprising a waveguide comprising at least one upper layer having at least one electrically conductive surface, a lower layer having at least one electrically conductive surface, and a central layer interposed between the upper layer and the lower layer, said layers defining a propagation zone of an electromagnetic wave, the propagation zone extending along an axis of propagation, and comprising a cavity, the cavity being delimited by the upper layer, by the layer; lower, and, laterally, by two opposite lateral edges of the central layer.
A l’heure actuelle, une problématique importante de l’industrie des télécoms, notamment pour les stations de base 5G, de l’industrie des radars millimétriques pour drones, des voitures autonomes et plus généralement de tout type de robot, est de réduire les pertes dans les systèmes de façon drastique, à l’heure où l’économie d’énergie est essentielle pour les applications de demain. Ces niveaux de pertes sont en effet rédhibitoires pour les équipements comme les équipements en amont d’une antenne d’émission et de réception (équipement de type « front-end RF »). At present, an important problem of the telecom industry, especially for 5G base stations, the millimeter radar industry for drones, autonomous cars and more generally any type of robot, is to reduce losses in systems drastically, at a time when energy saving is essential for the applications of tomorrow. These loss levels are indeed prohibitive for equipment such as equipment upstream of a transmitting and receiving antenna (RF front-end type equipment).
Pour réduire les pertes, il est connu de concevoir des structures électroniques passives en ayant recours à la technologie de Guide d’onde Intégré au Substrat creux rempli d’air ou vide (AFSIW ou ESIW en anglais). La structure passive forme alors une ligne de transmission micro-ondes. To reduce losses, it is known to design passive electronic structures by using the waveguide technology incorporated into the hollow substrate filled with air or empty (AFSIW or ESIW in English). The passive structure then forms a microwave transmission line.
Cependant, pour certaines applications, la bande passante offerte par de telles structures n’est pas entièrement satisfaisante. However, for some applications, the bandwidth offered by such structures is not entirely satisfactory.
Un objet de l’invention est donc de fabriquer et de fournir, à faibles coûts, un composant micro-ondes adapté pour fonctionner dans le domaine des longueurs d’onde millimétriques, le composant présentant une bonne bande passante et étant à faibles pertes. An object of the invention is therefore to manufacture and provide, at low cost, a microwave component adapted to operate in the field of millimeter wavelengths, the component having a good bandwidth and being low losses.
A cet effet, l’invention a pour objet un composant micro-ondes du type précité, caractérisé en ce que le guide d’onde comprend au moins un barreau diélectrique disposé dans la zone de propagation, le barreau diélectrique étant délimité dans l’une de la couche supérieure et de la couche inférieure ou étant disposé dans la cavité à l’écart des bords latéraux de la cavité. To this end, the subject of the invention is a microwave component of the aforementioned type, characterized in that the waveguide comprises at least one dielectric bar arranged in the propagation zone, the dielectric bar being delimited in one of the upper layer and the lower layer or being disposed in the cavity away from the lateral edges of the cavity.
Le composant selon l’invention peut comprendre l’une ou plusieurs des caractéristiques suivantes, prise(s) isolément ou suivant toutes combinaisons techniquement possibles : - le barreau diélectrique s'étend suivant une direction longitudinale parallèle à l'axe de propagation, et est centré sur un plan médian des deux bords latéraux ou est décalé latéralement du plan médian des deux bords latéraux ; The component according to the invention may comprise one or more of the following characteristics, taken separately or in any technically possible combination: - The dielectric bar extends in a longitudinal direction parallel to the axis of propagation, and is centered on a median plane of the two lateral edges or is offset laterally of the median plane of the two side edges;
- ledit barreau diélectrique est disposé dans la cavité à l’écart des bords latéraux de la cavité, le guide d'onde comprenant un composant d’attache fonctionnel, le composant d’attache fonctionnel étant formé par une pluralité d’attaches diélectriques venues de matière avec le barreau diélectrique, chaque attache diélectrique s’étendant à partir d’un des bords latéraux, les attaches diélectriques étant configurées pour réaliser une fonction de filtre pour une onde électromagnétique se propageant dans la zone de propagation ; said dielectric bar is disposed in the cavity away from the side edges of the cavity, the waveguide comprising a functional fastening component, the functional fastening component being formed by a plurality of dielectric fasteners from material with the dielectric bar, each dielectric fastener extending from one of the side edges, the dielectric fasteners being configured to perform a filter function for an electromagnetic wave propagating in the propagation zone;
- chaque attache diélectrique présente une forme de barre rectiligne et s’étend à partir d’un des bords latéraux ; each dielectric fastener has a straight bar shape and extends from one of the lateral edges;
- ledit barreau diélectrique est disposé dans la cavité à l’écart des bords latéraux de la cavité, la couche centrale comprenant au moins une sous-couche diélectrique, la cavité étant délimitée selon l’axe de propagation entre une extrémité avant et une extrémité arrière de la couche centrale, le barreau diélectrique s’étendant de l’extrémité avant à l’extrémité arrière et étant venu de matière avec ladite sous-couche diélectrique de la couche centrale ; said dielectric bar is disposed in the cavity away from the lateral edges of the cavity, the central layer comprising at least one dielectric underlayer, the cavity being delimited along the axis of propagation between a front end and a rear end; the core layer, the dielectric bar extending from the front end to the rear end and integral with said dielectric underlayer of the core layer;
- ledit barreau diélectrique est disposé dans la cavité à l’écart des bords latéraux de la cavité, ledit barreau diélectrique étant un premier barreau diélectrique, le guide d'onde comprenant en outre un deuxième barreau diélectrique, le deuxième barreau diélectrique étant disposé dans la cavité, à l’écart dudit premier barreau diélectrique, et à l’écart des bords latéraux de la cavité ; said dielectric bar is disposed in the cavity away from the lateral edges of the cavity, said dielectric bar being a first dielectric bar, the waveguide further comprising a second dielectric bar, the second dielectric bar being disposed in the dielectric bar; cavity, away from said first dielectric bar, and away from the side edges of the cavity;
- le barreau diélectrique est délimité dans l’une de la couche supérieure et de la couche inférieure, ledit barreau diélectrique présentant une surface délimitant la cavité ; - The dielectric bar is defined in one of the upper layer and the lower layer, said dielectric bar having a surface defining the cavity;
- ledit barreau diélectrique est un premier barreau diélectrique, le guide d'onde comprenant en outre un deuxième barreau diélectrique disposé dans la zone de propagation, le deuxième barreau diélectrique étant délimité dans l’une de la couche supérieure et de la couche inférieure, à l’écart du premier barreau diélectrique, et présentant une surface délimitant la cavité ; said dielectric bar is a first dielectric bar, the waveguide further comprising a second dielectric bar disposed in the propagation zone, the second dielectric bar being delimited in one of the upper layer and the lower layer, the deviation of the first dielectric bar, and having a surface defining the cavity;
- le guide d'onde comprend en outre un autre barreau diélectrique, ledit autre barreau diélectrique étant disposé dans la cavité, à l’écart des bords latéraux de la cavité ; - The waveguide further comprises another dielectric bar, said other dielectric bar being disposed in the cavity, away from the side edges of the cavity;
- le barreau diélectrique est formé dans une sous-couche diélectrique de l’une de la couche supérieure et de la couche inférieure, et est délimité par une partie d’une sous- couche électriquement conductrice de ladite couche et, latéralement entre deux frontières latérales ; et - la cavité est remplie d’un fluide présentant une constante diélectrique, ou définit un volume fermé étanche et est vide de fluide. the dielectric bar is formed in a dielectric underlayer of one of the upper layer and the lower layer, and is delimited by a portion of an electrically conductive sub-layer of said layer and laterally between two lateral boundaries; ; and the cavity is filled with a fluid having a dielectric constant, or defines a sealed closed volume and is empty of fluid.
L’invention a également pour objet un procédé de fabrication d’un composant micro-ondes comprenant les étapes suivantes : The invention also relates to a method of manufacturing a microwave component comprising the following steps:
- fourniture d’une couche supérieure et d’une couche inférieure présentant respectivement au moins une surface électriquement conductrice ; providing an upper layer and a lower layer respectively having at least one electrically conductive surface;
- fourniture d’une couche centrale présentant un ou une pluralité d’évidement(s), ledit évidement ou ladite pluralité d’évidements étant destiné(e) à former une cavité délimitée latéralement par des bords latéraux opposés formés par la couche centrale ; puis, providing a core layer having one or a plurality of recesses, said recess or plurality of recesses being for forming a cavity delimited laterally by opposite side edges formed by the core layer; then,
- assemblage des couches de telle sorte que la couche centrale soit interposée entre la couche supérieure et la couche inférieure, les couches définissant une zone de propagation d’une onde électromagnétique, la zone de propagation s’étendant le long d’un axe de propagation et comprenant une cavité, la cavité étant formée par ledit évidement ou ladite pluralité d’évidements en étant délimitée par la couche supérieure, par la couche inférieure, et, latéralement, par lesdits bords latéraux de la couche centrale ; assembling the layers so that the central layer is interposed between the upper layer and the lower layer, the layers defining a propagation zone of an electromagnetic wave, the propagation zone extending along an axis of propagation. and comprising a cavity, the cavity being formed by said recess or said plurality of recesses being delimited by the top layer, the bottom layer, and laterally by said side edges of the core layer;
l’étape de fourniture d’au moins une des couches comprenant la réalisation d’un barreau diélectrique, ledit barreau diélectrique étant disposé ou destiné à être disposé dans ladite couche, de telle sorte qu’après l’étape d’assemblage, le barreau diélectrique est disposé dans la zone de propagation et est délimité dans l’une de la couche supérieure et de la couche inférieure, ou de telle sorte qu’après l’étape d’assemblage, le barreau diélectrique est disposé dans la zone de propagation et dans la cavité à l’écart des bords latéraux de la cavité. the step of providing at least one of the layers comprising the production of a dielectric bar, said dielectric bar being arranged or intended to be arranged in said layer, so that after the assembly step, the bar dielectric is disposed in the propagation zone and is delimited in one of the upper layer and the lower layer, or so that after the assembly step, the dielectric bar is disposed in the propagation zone and in the cavity away from the side edges of the cavity.
Le procédé de fabrication selon l’invention peut comprendre l’une ou plusieurs des caractéristiques suivantes, prise(s) isolément ou suivant toutes combinaisons techniquement possibles : The manufacturing method according to the invention may comprise one or more of the following characteristics, taken separately or in any technically possible combination:
- l’étape de la fourniture de la couche centrale comprend la réalisation du barreau diélectrique, ledit barreau diélectrique étant disposé ou destiné à être disposé dans ladite couche centrale, de telle sorte qu’après l’étape d’assemblage, le barreau diélectrique est disposé dans la zone de propagation et dans la cavité à l’écart des bords latéraux de la cavité, le barreau diélectrique étant destiné à être disposé entre un plan défini par une surface supérieure de la couche centrale et un plan défini par une surface inférieure de la couche centrale ; the step of supplying the central layer comprises the production of the dielectric bar, said dielectric bar being arranged or intended to be disposed in said central layer, so that after the assembly step, the dielectric bar is disposed in the propagation zone and in the cavity away from the lateral edges of the cavity, the dielectric bar being intended to be disposed between a plane defined by an upper surface of the central layer and a plane defined by a lower surface of the central layer;
- l’étape de fourniture de la couche centrale comprend : * la fourniture d’une couche initiale, la couche initiale étant destinée à former la couche centrale, comprenant au moins une sous-couche diélectrique initiale et étant dépourvue d’évidement, the step of providing the central layer comprises: * Providing an initial layer, the initial layer being intended to form the core layer, comprising at least one initial dielectric sublayer and being free of recess,
* la découpe, dans la couche initiale, de ladite pluralité d’évidements destinée à former la cavité, * cutting, in the initial layer, said plurality of recesses for forming the cavity,
l’étape de réalisation du barreau diélectrique étant mise en œuvre lors de la découpe de ladite pluralité d’évidements, ladite pluralité d’évidements découpée délimitant ledit barreau diélectrique, le barreau diélectrique présentant une longueur, prise selon l’axe de propagation, égale à la longueur de la cavité, prise selon l’axe de propagation ; the step of producing the dielectric bar being implemented during the cutting of said plurality of recesses, said plurality of cutout recesses delimiting said dielectric bar, the dielectric bar having a length, taken along the axis of propagation, equal along the length of the cavity, taken along the axis of propagation;
- l’étape de fourniture de la couche centrale comprend : the step of providing the central layer comprises:
* la fourniture d’une couche initiale, la couche initiale étant destinée à former la couche centrale, comprenant au moins une sous-couche diélectrique initiale et étant dépourvue d’évidement, * Providing an initial layer, the initial layer being intended to form the core layer, comprising at least one initial dielectric sublayer and being free of recess,
* la découpe, dans la couche initiale, de ladite pluralité d’évidements destinée à former la cavité, * cutting, in the initial layer, said plurality of recesses for forming the cavity,
l’étape de réalisation du barreau diélectrique étant mise en œuvre lors de la découpe de ladite pluralité d’évidements, ladite pluralité d’évidements découpée étant destinée à délimiter la cavité, et délimitant le barreau diélectrique et des moyens d’attache du barreau diélectrique, les moyens d’attache comprenant une pluralité d'attaches diélectriques reliant le barreau diélectrique à au moins un des bords latéraux ; the step of producing the dielectric bar being implemented during the cutting of said plurality of recesses, said plurality of cut-out recesses being intended to define the cavity, and delimiting the dielectric bar and means for attaching the dielectric bar the fastening means comprising a plurality of dielectric fasteners connecting the dielectric bar to at least one of the side edges;
- l’étape de réalisation du barreau diélectrique comprend la fourniture d’un barreau diélectrique et de moyens d’attache du barreau diélectrique, les moyens d’attache comprenant une pluralité d'attaches diélectriques solidaire dudit barreau diélectrique, le barreau diélectrique et les moyens d’attache étant fournis à l’écart de la couche centrale ; the step of producing the dielectric bar comprises providing a dielectric bar and means for attaching the dielectric bar, the attachment means comprising a plurality of dielectric fasteners integral with said dielectric bar, the dielectric bar and the means fasteners being provided away from the core layer;
- l’étape d’assemblage des couches comprend la fixation de la couche centrale à la couche inférieure, puis le retrait des moyens d’attache, par leur découpe, une fois la couche centrale fixée à la couche inférieure ; - The assembly step of the layers comprises fixing the central layer to the lower layer, and then removing the attachment means, by cutting, once the central layer attached to the lower layer;
- l’étape de fourniture de l’une de la couche supérieure et de la couche inférieure comprend la réalisation du barreau diélectrique, ledit barreau diélectrique étant disposé ou destiné à être disposé dans ladite couche, de telle sorte qu’après l’étape d’assemblage, le barreau diélectrique est disposé dans la zone de propagation et est délimité dans ladite couche ; the step of supplying one of the upper layer and the lower layer comprises the embodiment of the dielectric bar, said dielectric bar being arranged or intended to be disposed in said layer, so that after the step of assembly, the dielectric bar is disposed in the propagation zone and is delimited in said layer;
- le plan médian aux bords latéraux de la cavité forme un plan de symétrie de l’ensemble formé par les attaches diélectriques ; - les attaches diélectriques ne s'étendent qu'à partir d'un seul des bords latéraux ;the median plane at the lateral edges of the cavity forms a plane of symmetry of the assembly formed by the dielectric fasteners; the dielectric fasteners extend only from one of the lateral edges;
- chaque attache diélectrique présente une forme de barre rectiligne et s’étend à partir d’un des bords latéraux ; each dielectric fastener has a straight bar shape and extends from one of the lateral edges;
- au moins une partie des moyens d’attache n’est pas retirée lors de l’étape d’assemblage des couches, ladite partie des moyens d’attache formant alors un composant d’attache fonctionnel, les attaches diélectriques non retirées étant configurées pour réaliser une fonction de filtre pour une onde électromagnétique se propageant dans la zone de propagation ; at least a part of the fastening means is not removed during the layer assembly step, said part of the fastening means then forming a functional fastening component, the non-withdrawn dielectric fasteners being configured to performing a filter function for an electromagnetic wave propagating in the propagation zone;
- le procédé comprend une étape d'alimentation du composant micro-ondes avec une onde électromagnétique se propageant dans la zone de propagation, l'onde électromagnétique présentant au moins un mode de propagation présentant deux maximums de champs électriques, le ou chaque barreau diélectrique étant localisé dans la cavité au niveau d'un desdits maximums ; the method comprises a step of feeding the microwave component with an electromagnetic wave propagating in the propagation zone, the electromagnetic wave having at least one propagation mode having two maximum electric fields, the or each dielectric bar being located in the cavity at one of said maximums;
- le barreau diélectrique est un premier barreau diélectrique, l’étape de réalisation étant une étape de réalisation du premier barreau diélectrique et d’un deuxième barreau diélectrique, l’étape de réalisation du premier barreau diélectrique et du deuxième barreau diélectrique étant mise en œuvre lors de la découpe de ladite pluralité d’évidements ; ladite pluralité d’évidements découpée délimitant le premier barreau diélectrique, le deuxième barreau diélectrique et des moyens d’attache du premier barreau diélectrique et du deuxième barreau diélectrique ; les moyens d'attache comprenant une pluralité de premières attaches diélectriques reliant le premier barreau diélectrique à l’un des bords latéraux et une pluralité de deuxièmes attaches diélectriques reliant le deuxième barreau diélectrique à l’autre des bords latéraux ; the dielectric bar is a first dielectric bar, the production stage being a step of producing the first dielectric bar and a second dielectric bar, the step of producing the first dielectric bar and the second dielectric bar being implemented during the cutting of said plurality of recesses; said plurality of cutout recesses defining the first dielectric bar, the second dielectric bar and means for attaching the first dielectric bar and the second dielectric bar; the fastening means comprising a plurality of first dielectric fasteners connecting the first dielectric bar to one of the side edges and a plurality of second dielectric fasteners connecting the second dielectric bar to the other of the side edges;
- après assemblage, le barreau diélectrique présente une surface délimitant la cavité ; - After assembly, the dielectric bar has a surface defining the cavity;
- l’étape de fourniture de l’une de la couche supérieure et de la couche inférieure comprend la fourniture d’une couche initiale, la couche initiale étant destinée à former ladite couche et comprenant au moins une sous-couche diélectrique, une sous-couche supérieure électriquement conductrice, et une sous-couche inférieure électriquement conductrice ; la réalisation du barreau diélectrique comprenant l’implémentation de frontières latérales dans ladite couche initiale et la suppression d’au moins une partie d’une des sous-couches électriquement conductrices de la couche initiale s’étendant entre les deux frontières latérales ; the step of supplying one of the upper layer and the lower layer comprises the provision of an initial layer, the initial layer being intended to form said layer and comprising at least one dielectric underlayer, a sub-layer; an electrically conductive upper layer, and an electrically conductive lower sublayer; the embodiment of the dielectric bar comprising the implementation of lateral boundaries in said initial layer and the removal of at least a portion of one of the electrically conductive sub-layers of the initial layer extending between the two lateral boundaries;
- le barreau diélectrique est un premier barreau diélectrique, une étape de fourniture de la couche supérieure ou de la couche inférieure comprenant la réalisation d’un deuxième barreau diélectrique ; et, - après assemblage, la cavité est remplie d’un fluide présentant une constante diélectrique, ou définit un volume fermé étanche et est vide de fluide. - The dielectric bar is a first dielectric bar, a step of providing the upper layer or the lower layer comprising the production of a second dielectric bar; and, after assembly, the cavity is filled with a fluid having a dielectric constant, or defines a sealed closed volume and is empty of fluid.
L’invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre, donnée uniquement à titre d’exemple, et faite en se référant aux dessins annexés, sur lesquels : The invention will be better understood on reading the description which follows, given solely by way of example, and with reference to the appended drawings, in which:
- la figure 1 est une vue schématique en section de dessus d’un premier composant micro-ondes selon l’invention, ladite section passant par le barreau diélectrique ; - Figure 1 is a schematic top section of a first microwave component according to the invention, said section passing through the dielectric bar;
- la figure 2 est une vue schématique en section transversale du premier composant de la figure 1 ; FIG. 2 is a diagrammatic cross-sectional view of the first component of FIG. 1;
- la figure 3 est une vue schématique en section transversale du premier composant lors du premier procédé de fabrication ; - Figure 3 is a schematic cross-sectional view of the first component in the first manufacturing process;
- la figure 4 est une vue schématique en section de dessus du premier composant lors d’un premier mode de réalisation d’un procédé de fabrication selon l’invention, ladite section passant par le barreau diélectrique ; - Figure 4 is a schematic top sectional view of the first component in a first embodiment of a manufacturing method according to the invention, said section passing through the dielectric bar;
- la figure 5 est une vue schématique en section de dessus du premier composant lors d’une variante du procédé de fabrication du premier composant selon l’invention, ladite section passant par le barreau diélectrique ; - Figure 5 is a schematic top sectional view of the first component in a variant of the manufacturing method of the first component according to the invention, said section passing through the dielectric bar;
- la figure 6 est une vue schématique en section transversale d’un deuxième composant micro-ondes selon l’invention ; - Figure 6 is a schematic cross-sectional view of a second microwave component according to the invention;
- la figure 7 est une vue schématique en section de dessus d’un troisième composant micro-ondes selon l’invention, ladite section passant par le barreau diélectrique ; - Figure 7 is a schematic top section of a third microwave component according to the invention, said section passing through the dielectric bar;
- la figure 8 est une vue schématique en section de dessus d’un quatrième composant selon l’invention, ladite section passant par le barreau diélectrique ; - Figure 8 is a schematic top section of a fourth component according to the invention, said section passing through the dielectric bar;
- la figure 9 est une vue schématique en section de dessus d’un cinquième composant micro-ondes selon l’invention, ladite section passant par le barreau diélectrique ; - Figure 9 is a schematic top sectional view of a fifth microwave component according to the invention, said section passing through the dielectric bar;
- la figure 10 est une vue schématique en section transversale du cinquième composant de la figure 9 ; Fig. 10 is a schematic cross-sectional view of the fifth component of Fig. 9;
- les figures 1 1 à 17 sont respectivement des vues schématiques en section d’un sixième, d’un septième, d’un huitième, d’un neuvième, d’un dixième, d’un onzième et d’un douzième composants selon l’invention. FIGS. 11 to 17 are diagrammatic sectional views of a sixth, a seventh, an eighth, a ninth, a tenth, an eleventh and a twelfth component respectively. the invention.
Un premier composant micro-ondes 10A selon l’invention est illustré sur les figures A first microwave component 10A according to the invention is illustrated in the figures
1 et 2. Le premier composant 10A est par exemple un filtre, notamment un filtre micro ondes passe-bande, passe-bas, passe-haut ou coupe-bande. En variante, le premier composant micro-ondes 10A est par exemple une ligne de transmission, un multiplexeur, un coupleur, un diviseur, un combineur, une antenne, un oscillateur, un amplificateur, une charge, un circulateur, un résonateur, un décaleur de phase ou encore un isolateur. 1 and 2. The first component 10A is for example a filter, in particular a microwave passband, lowpass, highpass or bandpass filter. In a variant, the first microwave component 10A is for example a transmission line, a multiplexer, a coupler, a divider, a combiner, an antenna, an oscillator, an amplifier, a load, a circulator, a resonator, a shifter phase or an insulator.
Le premier composant 10A est ici du type « à guide intégré au substrat ». The first component 10A is here of the type "integrated guide to the substrate".
Le premier composant 10A comporte un guide d’onde 12 propre à guider une onde électromagnétique le long d’un axe de propagation X-X, l’onde électromagnétique présentant notamment une longueur d’onde supérieure ou égale à une longueur d’onde minimale prédéterminée. The first component 10A comprises a waveguide 12 adapted to guide an electromagnetic wave along an axis of propagation X-X, the electromagnetic wave having in particular a wavelength greater than or equal to a predetermined minimum wavelength.
Le guide d’onde 12 comprend une couche supérieure 14, une couche inférieure 16, et une couche centrale 18 interposée entre la couche supérieure 14 et la couche inférieure 16, lesdites couches 14, 16, 18 définissant une zone de propagation 19 de l’onde électromagnétique, la zone de propagation 19 s’étendant le long de l’axe de propagation X-X. The waveguide 12 comprises an upper layer 14, a lower layer 16, and a central layer 18 interposed between the upper layer 14 and the lower layer 16, said layers 14, 16, 18 defining a propagation zone 19 of the electromagnetic wave, the propagation zone 19 extending along the axis of propagation XX.
Le guide d’onde 12 comprend en outre au moins un barreau diélectrique 28 disposé dans la zone de propagation 19. The waveguide 12 further comprises at least one dielectric bar 28 disposed in the propagation zone 19.
Par la suite, par « élément diélectrique », on entend que ledit élément présente une permittivité diélectrique relative supérieure ou égale à 1. Subsequently, the term "dielectric element" means that said element has a relative dielectric permittivity greater than or equal to 1.
Le matériau diélectrique peut avoir des propriétés absorbantes, c’est-à-dire un coefficient de tangente de perte supérieur à 0.004, pour réaliser une fonction d’atténuateur. The dielectric material may have absorbent properties, i.e., loss tangent coefficient greater than 0.004, to provide an attenuator function.
Chacune des couches supérieures 14, inférieures 16 et centrales 18 s’étend parallèlement à un plan XY, défini par l’axe de propagation X-X et par un axe transverse Y-Y orthogonal à l’axe de propagation X-X. Each of the upper 14, lower 16 and central layers 18 extends parallel to a plane XY, defined by the axis of propagation X-X and a transverse axis Y-Y orthogonal to the axis of propagation X-X.
Chacune des couches supérieure 14, inférieure 16 et centrale 18 présente une surface supérieure 20A, 20B, 20C et une surface inférieure 21 A, 21 B, 21 C. Each of the upper 14, lower 16 and central 18 layers has an upper surface 20A, 20B, 20C and a lower surface 21A, 21B, 21C.
Dans le premier composant 10A, chacune desdites surfaces supérieures 20A, 20B, 20C et chacune desdites surfaces inférieures 21 A, 21 B, 21 C sont électriquement conductrices. In the first component 10A, each of said upper surfaces 20A, 20B, 20C and each of said lower surfaces 21A, 21B, 21C are electrically conductive.
Par la suite, par « élément électriquement conducteur », on entend que ledit élément présente une conductivité électrique supérieure à 1 *106 S.m 1 , de préférence équivalente à celle d’un métal de type cuivre, argent, aluminium ou or. Subsequently, the term "electrically conductive element" means that said element has an electrical conductivity greater than 1 * 10 6 Sm 1 , preferably equivalent to that of a metal of the copper, silver, aluminum or gold type.
La couche inférieure 16 et la couche supérieure 14 sont disposées à distance l’une de l’autre, de part et d’autre de la couche centrale 18, au contact de la couche centrale 18. En particulier, la surface inférieure 21 A de la couche supérieure 14 est au contact de la surface supérieure 20C de la couche centrale 18. De même, la surface inférieure 21 C de la couche centrale 18 est au contact de la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16. The lower layer 16 and the upper layer 14 are arranged at a distance from one another, on either side of the central layer 18, in contact with the central layer 18. In particular, the lower surface 21A of the upper layer 14 is in contact with the upper surface 20C of the central layer 18. Similarly, the lower surface 21C of the central layer 18 is in contact with the upper surface 20B of the lower layer 16.
Ainsi, la couche supérieure 14, la couche inférieure 16 et la couche centrale 18 forment un empilement. Thus, the upper layer 14, the lower layer 16 and the central layer 18 form a stack.
La surface inférieure 21 A de la couche supérieure 14 est électriquement reliée à la surface supérieure 20C de la couche centrale 18. De même, la surface inférieure 21 C de la couche centrale 18 est électriquement reliée à la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16. The lower surface 21A of the upper layer 14 is electrically connected to the upper surface 20C of the central layer 18. Similarly, the lower surface 21C of the central layer 18 is electrically connected to the upper surface 20B of the lower layer 16 .
Dans la suite de la description, on appellera « direction transverse » Y-Y une direction parallèle à l’axe transverse Y-Y. In the remainder of the description, the term "transverse direction" Y-Y will be called a direction parallel to the transverse axis Y-Y.
Une direction transverse est donc une direction orthogonale à l’axe de propagation X-X et parallèle à la surface inférieure 21 A de la couche supérieure 14. A transverse direction is thus a direction orthogonal to the axis of propagation X-X and parallel to the lower surface 21 A of the upper layer 14.
Dans un mode de réalisation préféré, chacune des couches supérieure 14, inférieure 16 et centrale 18 forme un substrat. In a preferred embodiment, each of the upper 14, lower 16 and central 18 layers forms a substrate.
Chacune des couches supérieure 14, inférieure 16 et centrale 18 comprend ainsi une sous-couche supérieure 22A, 22B, 22C électriquement conductrice, une sous-couche inférieure 24A, 24B, 24C électriquement conductrice et une sous-couche centrale 26A, 26B, 26C diélectrique, présentant une première constante diélectrique, interposée entre la sous-couche supérieure 22A, 22B, 22C et la sous-couche inférieure 24A, 24B, 24C. Each of the upper 14, lower 16 and central 18 layers thus comprises an electrically conductive upper sub-layer 22A, 22B, 22C, an electrically conductive lower sub-layer 24A, 24B, 24C and a dielectric core sub-layer 26A, 26B, 26C , having a first dielectric constant, interposed between the upper sub-layer 22A, 22B, 22C and the lower sub-layer 24A, 24B, 24C.
De plus, la sous-couche inférieure 24A de la couche supérieure 14 est électriquement reliée à la sous-couche supérieure 22C de la couche centrale 18. De même, la sous-couche inférieure 24C de la couche centrale 18 est électriquement reliée à la sous-couche supérieure 22B de la couche inférieure 16. In addition, the lower sub-layer 24A of the upper layer 14 is electrically connected to the upper sub-layer 22C of the central layer 18. Similarly, the lower sub-layer 24C of the central layer 18 is electrically connected to the sub-layer. upper layer 22B of the lower layer 16.
Les sous-couches supérieures 22A, 22B, 22C et les sous-couches inférieures 24A, 24B, 24C sont par exemple réalisées en cuivre. The upper sub-layers 22A, 22B, 22C and the lower sub-layers 24A, 24B, 24C are for example made of copper.
Les sous-couches centrales 26A, 26B, 26C sont par exemple réalisées en résine époxyde ou en téflon. The central sub-layers 26A, 26B, 26C are for example made of epoxy resin or Teflon.
La zone de propagation 19 correspond à une zone dans laquelle est confinée l’onde électromagnétique lors de sa propagation dans le guide d’onde 12. The propagation zone 19 corresponds to an area in which the electromagnetic wave is confined during its propagation in the waveguide 12.
Dans le premier composant 10A des figures 1 et 2, la zone de propagation 19 est délimitée par la sous-couche inférieure 24A électriquement conductrice de la couche supérieure 14, la sous-couche supérieure 22B électriquement conductrice de la couche inférieure 16 et deux frontières latérales centrales 30 aménagées chacune dans la couche centrale 18 et espacées l’une de l’autre. En outre, la zone de propagation 19 comprend une cavité 32 délimitée par la couche supérieure 14, par la couche inférieure 16, et, latéralement, par la couche centrale 18. In the first component 10A of Figures 1 and 2, the propagation zone 19 is delimited by the lower electrically conductive sub-layer 24A of the upper layer 14, the upper sub-layer 22B electrically conductive lower layer 16 and two lateral boundaries central units 30 each arranged in the central layer 18 and spaced apart from each other. In addition, the propagation zone 19 comprises a cavity 32 delimited by the upper layer 14, by the lower layer 16, and laterally by the central layer 18.
Les frontières latérales centrales 30 de la zone de propagation 19 sont propres à empêcher le passage d’une onde électromagnétique présentant une longueur d’onde supérieure ou égale à la longueur d’onde minimale prédéterminée. The central lateral boundaries 30 of the propagation zone 19 are adapted to prevent the passage of an electromagnetic wave having a wavelength greater than or equal to the predetermined minimum wavelength.
Chaque frontière latérale centrale 30 connecte électriquement la sous-couche inférieure 24A de la couche supérieure 14 et la sous-couche supérieure 22B de la couche supérieure 14 entre elles. Each central lateral boundary 30 electrically connects the lower sub-layer 24A of the upper layer 14 and the upper sub-layer 22B of the upper layer 14 therebetween.
Les frontières latérales centrales 30 s’étendent parallèlement à l’axe de propagation X-X et sont ici parallèles l’une par rapport à l’autre. The central lateral boundaries 30 extend parallel to the axis of propagation X-X and are here parallel to each other.
Elles s’étendent notamment selon la direction Z-Z orthogonale à l’axe de propagation X-X et à l’axe transverse Y-Y. They extend in particular along the direction Z-Z orthogonal to the axis of propagation X-X and the transverse axis Y-Y.
Par la suite, les termes « au-dessus » et « en-dessous » seront compris vis-à-vis de la direction Z-Z. Subsequently, the terms "above" and "below" will be understood vis-à-vis the Z-Z direction.
Les frontières latérales centrales 30 s’étendent notamment sur toute l’épaisseur de la couche centrale 18. The central lateral boundaries 30 extend over the entire thickness of the central layer 18.
Elles sont en particulier disposées latéralement de part et d’autre de la cavité 32, par exemple ici à l’extérieur de la cavité 32. They are in particular arranged laterally on either side of the cavity 32, for example here outside the cavity 32.
Dans le mode de réalisation des figures 1 et 2, chaque frontière latérale centrale 30 comprend une rangée de vias 34 électriquement conducteurs, aménagés au moins à travers la couche centrale 18. Par « via », on entend un trou, aménagé au moins à travers la couche centrale 18, présentant des parois recouvertes d’un revêtement électriquement conducteur, par exemple métallisé. In the embodiment of Figures 1 and 2, each central lateral border 30 comprises a row of electrically conductive vias 34, arranged at least through the central layer 18. By "via" is meant a hole, arranged at least through the central layer 18, having walls covered with an electrically conductive coating, for example metallized.
Plus précisément, chaque via 34 s’étend selon la direction Z-Z orthogonale à l’axe de propagation X-X et à l’axe transverse Y-Y, en traversant au moins la couche centrale 18. More specifically, each via 34 extends in the direction Z-Z orthogonal to the axis of propagation X-X and to the transverse axis Y-Y, passing through at least the central layer 18.
Chaque via 34 connecte électriquement la sous-couche inférieure 24A de la couche supérieure 14 et la sous-couche supérieure 22B de la couche supérieure 14 entre elles. Each via 34 electrically connects the lower sub-layer 24A of the upper layer 14 and the upper sub-layer 22B of the upper layer 14 between them.
L’écartement entre deux vias 34 successifs d’une frontière latérale centrale 30 est inférieur à la longueur d’onde minimale prédéterminée, notamment inférieur à un dixième de la longueur d’onde minimale prédéterminée, de préférence inférieur à un vingtième de la longueur d’onde minimale prédéterminée. Dans l’exemple illustré sur les figures 1 et 2, la cavité 32 est délimitée par la surface inférieure 21 A de la couche supérieure 14, la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16 et des bords latéraux 36 de la couche centrale 18. The spacing between two successive vias 34 of a central lateral border 30 is less than the predetermined minimum wavelength, in particular less than one-tenth of the predetermined minimum wavelength, preferably less than one twentieth of the length of the wavelength. predetermined minimum wave. In the example illustrated in FIGS. 1 and 2, the cavity 32 is delimited by the lower surface 21 A of the upper layer 14, the upper surface 20B of the lower layer 16 and the lateral edges 36 of the central layer 18.
La cavité 32 est remplie d’un fluide 38 présentant une deuxième constante diélectrique par exemple inférieure à la première constante diélectrique. The cavity 32 is filled with a fluid 38 having a second dielectric constant, for example less than the first dielectric constant.
Le fluide 38 est par exemple de l’air. En variante, dans le cas où la cavité 32 définit un volume fermé étanche, elle est remplie d’air, d’azote ou est vide de fluide. The fluid 38 is for example air. Alternatively, in the case where the cavity 32 defines a sealed closed volume, it is filled with air, nitrogen or is empty of fluid.
Comme illustré sur la figure 1 , les bords latéraux 36 de la couche centrale 18 s’étendent parallèlement à l’axe de propagation X-X. As illustrated in FIG. 1, the lateral edges 36 of the central layer 18 extend parallel to the X-X propagation axis.
Les bords latéraux 36 de la couche centrale 18 s’étendent notamment orthogonalement et à l’axe transverse Y-Y. The lateral edges 36 of the central layer 18 extend in particular orthogonally and to the transverse axis Y-Y.
Les bords latéraux 36 de la couche centrale 18 longent les frontières latérales centrales 30. Par « longer », on entend que les bords latéraux 36 sont en contact avec lesdites frontières latérales centrales 30 ou disposés à une distance, par exemple constante, desdites frontières latérales centrales 30, cette distance étant de préférence inférieure à 100 pm. The lateral edges 36 of the central layer 18 follow the central lateral boundaries 30. By "longer" is meant that the lateral edges 36 are in contact with said central lateral borders 30 or disposed at a distance, for example constant, from said lateral boundaries. central 30, this distance being preferably less than 100 pm.
Dans le premier composant 10A illustré sur les figures 1 et 2, le barreau diélectrique 28 est disposé dans la cavité 32, à l’écart des bords latéraux 36 de la cavité 32. In the first component 10A illustrated in FIGS. 1 and 2, the dielectric bar 28 is disposed in the cavity 32, away from the lateral edges 36 of the cavity 32.
En particulier, le barreau diélectrique 28 est disposé dans la zone de propagation 19 tel que, en projection sur la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16, ledit barreau diélectrique 28 est à l’écart des bords latéraux 36 de la cavité 32. In particular, the dielectric bar 28 is disposed in the propagation zone 19 such that, in projection on the upper surface 20B of the lower layer 16, said dielectric bar 28 is away from the lateral edges 36 of the cavity 32.
Le barreau diélectrique 28 est disposé entre les bords latéraux 36 de la cavité 32. The dielectric bar 28 is disposed between the lateral edges 36 of the cavity 32.
Le barreau diélectrique 28 présente ici une forme allongée et s'étend suivant une direction longitudinale parallèle à l'axe de propagation. En outre, le barreau diélectrique 28 s’étend ici orthogonalement à l’axe transverse Y-Y. The dielectric bar 28 has an elongate shape here and extends in a longitudinal direction parallel to the axis of propagation. In addition, the dielectric bar 28 extends here orthogonally to the transverse axis Y-Y.
Dans l’exemple illustré sur la figure 1 , le barreau diélectrique 28 présente une largeur comprise notamment entre 1% et 90% de la largeur de la cavité 32. In the example illustrated in FIG. 1, the dielectric bar 28 has a width comprised in particular between 1% and 90% of the width of the cavity 32.
Par « largeur d’un élément », on entend la distance bord à bord de l’élément, prise suivant l’axe transverse Y-Y. By "width of an element" is meant the edge-to-edge distance of the element taken along the transverse axis Y-Y.
La largeur du barreau diélectrique 28 est par exemple constante le long de l’axe de propagation X-X, comme illustré sur la figure 1. The width of the dielectric bar 28 is for example constant along the axis of propagation X-X, as illustrated in FIG.
Le barreau diélectrique 28 est ici centré sur un plan médian des deux bords latéraux 36. The dielectric bar 28 is here centered on a median plane of the two lateral edges 36.
Le barreau diélectrique 28 présente dans cet exemple une épaisseur inférieure à la hauteur de la cavité 32. Par « épaisseur d’un élément » ou « hauteur d’un élément », on entend la distance bord à bord de l’élément, prise selon la direction Z-Z orthogonale à l’axe de propagation X-X et à l’axe transverse Y-Y. In this example, the dielectric bar 28 has a thickness less than the height of the cavity 32. By "thickness of an element" or "height of an element", we hear the edge-to-edge distance of the element, taken in the direction ZZ orthogonal to the axis of propagation XX and the transverse axis YY.
Il est ici disposé à l'écart de la surface inférieure 21 A de la couche supérieure 14 et de la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16. It is here disposed away from the lower surface 21A of the upper layer 14 and the upper surface 20B of the lower layer 16.
Le barreau diélectrique 28 est fixé à la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16 par l’intermédiaire d’une sous-couche inférieure de contact 40. Plus précisément, il est fixé à la sous-couche inférieure de contact 40, la sous-couche inférieure de contact 40 étant fixée à la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16. La sous-couche inférieure de contact 40 est électriquement conductrice. The dielectric bar 28 is fixed to the upper surface 20B of the lower layer 16 via a lower contact sub-layer 40. More precisely, it is attached to the lower contact sub-layer 40, the sub-layer 40 lower contact layer 40 being attached to the upper surface 20B of the lower layer 16. The lower contact sub-layer 40 is electrically conductive.
Le barreau diélectrique 28 est en outre fixé à la surface inférieure 21 A de la couche supérieure 14 par l’intermédiaire d’une sous-couche supérieure de contact 42. Plus précisément, il est fixé à la sous-couche supérieure de contact 42, la sous-couche supérieure de contact 42 étant fixée à la surface inférieure 21 A de la couche supérieure 14. La sous-couche supérieure de contact 42 est électriquement conductrice. The dielectric bar 28 is further fixed to the lower surface 21A of the upper layer 14 via an upper contact sub-layer 42. More specifically, it is attached to the upper contact sub-layer 42, the upper contact sub-layer 42 being attached to the lower surface 21A of the upper layer 14. The upper contact sub-layer 42 is electrically conductive.
Un premier procédé de fabrication relatif à la fabrication du premier composant 10A selon l’invention va maintenant être décrit, en référence aux figures 3 et 4. A first manufacturing method relating to the manufacture of the first component 10A according to the invention will now be described, with reference to FIGS. 3 and 4.
Le premier procédé comprend la fourniture de la couche supérieure 14 et de la couche inférieure 16. The first method comprises providing the upper layer 14 and the lower layer 16.
Il comprend aussi la fourniture de la couche centrale 18, la couche centrale 18 étant fournie en présentant ici une pluralité d’évidements 44, ladite pluralité d’évidements 44 étant destinée à former la cavité 32 du premier composant 10A. It also includes the provision of the core layer 18, the core layer 18 being provided by having a plurality of recesses 44 therein, said plurality of recesses 44 being intended to form the cavity 32 of the first component 10A.
La couche supérieure 14, la couche inférieure 16 et la couche centrale 18 sont fournies à l'écart les unes des autres. The upper layer 14, the lower layer 16 and the core layer 18 are provided apart from each other.
Dans le premier procédé, l’étape de fourniture de la couche centrale 18 comprend la fourniture d’une couche initiale 46, la couche initiale 46 étant destinée à former la couche centrale 18. In the first method, the step of providing the central layer 18 comprises the provision of an initial layer 46, the initial layer 46 being intended to form the central layer 18.
La couche initiale 46 comprend ainsi au moins une sous-couche diélectrique initiale 48, présentant la première constante diélectrique, qui est notamment destinée à former la sous-couche centrale 26C de la couche centrale 18. The initial layer 46 thus comprises at least one initial dielectric sublayer 48, having the first dielectric constant, which is intended in particular to form the central sub-layer 26C of the central layer 18.
En particulier, la couche initiale 46 comprend aussi une sous-couche supérieure initiale 50 électriquement conductrice destinée à former la sous-couche supérieure 22C de la couche centrale 18, et une sous-couche inférieure initiale 52 électriquement conductrice destinée à former la sous-couche inférieure 24C de la couche centrale 18. In particular, the initial layer 46 also comprises an initial electrically conductive upper underlayer 50 intended to form the upper sub-layer 22C of the central layer 18, and an electrically-conductive lower lower sublayer 52 intended to form the underlayer lower 24C of the central layer 18.
La couche initiale 46 est fournie en étant dépourvue d’évidement. The initial layer 46 is provided with no recess.
L’étape de fourniture de la couche centrale 18 comprend alors la découpe, dans la couche initiale 46 de la pluralité d’évidements 44 destinée à former la cavité 32. La découpe est mise en œuvre dans toute l’épaisseur de la couche initiale 46.The step of supplying the central layer 18 then comprises cutting, in the initial layer 46 of the plurality of recesses 44 intended to form the cavity 32. The cut is implemented throughout the thickness of the initial layer 46.
Avant ou après ladite étape de découpe, le premier procédé comprend une étape d’implémentation des frontières latérales centrales 30. Before or after said cutting step, the first method comprises a step of implementing the central lateral boundaries 30.
Par exemple, l’implémentation des frontières latérales centrales 30 comprend la réalisation desdites rangée de vias 34. For example, the implementation of the central lateral borders 30 comprises the realization of said rows of vias 34.
Dans le premier procédé, l’étape de fourniture de la couche centrale 18 comprend en outre la réalisation du barreau diélectrique 28. In the first method, the step of supplying the central layer 18 further comprises producing the dielectric bar 28.
La réalisation du barreau diélectrique 28 est ici mise en œuvre lors de la découpe de ladite pluralité d’évidements 44. Ladite pluralité d’évidements 44 est alors destinée à délimiter la cavité 32, le barreau diélectrique 28 et des moyens d’attache 54 du barreau diélectrique 28. The embodiment of the dielectric bar 28 is here implemented during the cutting of said plurality of recesses 44. Said plurality of recesses 44 is then intended to delimit the cavity 32, the dielectric bar 28 and attachment means 54 of the dielectric bar 28.
Lors de la découpe, le barreau diélectrique 28 est plus précisément formé par une partie de la sous-couche diélectrique initiale 48 de la couche initiale 46. During cutting, the dielectric bar 28 is more precisely formed by a portion of the initial dielectric underlayer 48 of the initial layer 46.
Le barreau diélectrique 28 est ainsi disposé dans la couche initiale 46. Au droit du barreau diélectrique 28, les sous-couches supérieure et inférieure initiales 50, 52 électriquement conductrices de la couche initiale 46 respectivement au-dessus et en- dessous du barreau diélectrique 28 forment respectivement la sous-couche supérieure de contact 42 et la sous-couche inférieure de contact 40 du premier composant 10A. The dielectric bar 28 is thus disposed in the initial layer 46. At the right of the dielectric bar 28, the initial and lower electrically conductive sub-layers 50, 52 of the initial layer 46 respectively above and below the dielectric bar 28 respectively form the upper contact sub-layer 42 and the lower contact sub-layer 40 of the first component 10A.
Comme illustré sur la figure 4, les moyens d’attache 54 comprennent une pluralité d'attaches diélectriques 56 reliant le barreau diélectrique 28 à au moins un des bords latéraux 36 de la cavité 32. As illustrated in FIG. 4, the fastening means 54 comprise a plurality of dielectric fasteners 56 connecting the dielectric bar 28 to at least one of the lateral edges 36 of the cavity 32.
Ainsi, le barreau diélectrique 28, les attaches diélectriques 56 et les bords latéraux 36 de la cavité 32 sont venus de matière. Thus, the dielectric bar 28, the dielectric fasteners 56 and the side edges 36 of the cavity 32 are integral.
Comme illustré sur la figure 4, chaque attache diélectrique 56 présente une forme de barre rectiligne, et s’étend ici perpendiculairement à partir d’un des bords latéraux 36. As illustrated in FIG. 4, each dielectric fastener 56 has a straight bar shape, and here extends perpendicularly from one of the lateral edges 36.
Dans l’exemple illustré sur la figure 4, au moins une attache diélectrique 56 s’étend à partir de chacun des bords latéraux 36. In the example illustrated in FIG. 4, at least one dielectric fastener 56 extends from each of the lateral edges 36.
Les attaches diélectriques 56 sont écartées les unes des autres. The dielectric fasteners 56 are spaced apart from each other.
Dans le premier procédé, comme illustré sur la figure 4, l’écartement séparant deux attaches diélectriques 56 adjacentes est égal pour toutes les attaches diélectriques 56. In the first method, as illustrated in FIG. 4, the spacing separating two adjacent dielectric fasteners 56 is equal for all the dielectric fasteners 56.
En projection sur l’axe de propagation X-X, chaque attache diélectrique 56 s’étend d’un des bords latéraux 36 est disposée sensiblement au milieu de deux attaches diélectriques 56 adjacentes s’étendant du bord latéral opposé 36. In projection on the propagation axis X-X, each dielectric fastener 56 extends from one of the lateral edges 36 is disposed substantially in the middle of two adjacent dielectric fasteners 56 extending from the opposite lateral edge 36.
La réalisation du barreau diélectrique 28 comprend par exemple la suppression des sous-couches supérieure et inférieure initiales 50, 52 électriquement conductrices au droit des attaches diélectriques 56, notamment au-dessus et en-dessous des attaches diélectriques 56. The embodiment of the dielectric bar 28 comprises, for example, the suppression of the initial upper and lower sublayers 50, 52 that are electrically conductive to the straight of the dielectric fasteners 56, especially above and below the dielectric fasteners 56.
Les attaches diélectriques 56 présentent dans cet exemple une épaisseur inférieure à la hauteur de la cavité 32. In this example, the dielectric fasteners 56 have a thickness less than the height of the cavity 32.
A l’issue de l’étape de réalisation du barreau diélectrique 28 et de l’étape de découpe, la couche initiale 46 forme la couche centrale 18. At the end of the step of producing the dielectric bar 28 and the cutting step, the initial layer 46 forms the central layer 18.
A l’issue de l’étape de réalisation, le barreau diélectrique 28 est disposé entre un plan défini par la surface supérieure 20C de la couche centrale 18 et un plan défini par une surface inférieure 21 C de la couche centrale 18. At the end of the embodiment step, the dielectric bar 28 is disposed between a plane defined by the upper surface 20C of the central layer 18 and a plane defined by a lower surface 21C of the central layer 18.
Le barreau diélectrique 28 est ainsi destiné à être disposé dans la cavité 32, entre les bords latéraux 36. The dielectric bar 28 is thus intended to be disposed in the cavity 32, between the lateral edges 36.
Par la suite, le premier procédé comprend l’assemblage de la couche supérieure 14, de la couche inférieure 16 et de la couche centrale 18, de telle sorte que la couche centrale 18 soit interposée entre la couche supérieure 14 et la couche inférieure 16. Subsequently, the first method comprises assembling the upper layer 14, the lower layer 16 and the central layer 18, so that the central layer 18 is interposed between the upper layer 14 and the lower layer 16.
Pendant tout le procédé de fabrication, les couches 14, 16, 18 sont alignées les unes par rapport aux autres par l’intermédiaire de plots de centrage ou par caméra avec des mires. During the entire manufacturing process, the layers 14, 16, 18 are aligned relative to each other by means of centering pins or by camera with patterns.
Comme illustré sur la figure 3, l’assemblage comprend tout d’abord la fixation de la couche centrale 18 à la couche inférieure 16. Cette fixation est par exemple réalisée par collage. As illustrated in FIG. 3, the assembly firstly comprises the attachment of the central layer 18 to the lower layer 16. This attachment is for example made by gluing.
Lors de cette étape de fixation, le barreau diélectrique 28 est de même fixé à la couche inférieure 16. During this fixing step, the dielectric bar 28 is likewise fixed to the lower layer 16.
Pendant toute la durée de cette fixation, le barreau diélectrique 28 est maintenu en position par rapport à la couche centrale 18 et à la couche inférieure 16 par les attaches diélectriques 56. Le positionnement du barreau diélectrique 28 est donc très précis et choisi lors de l’étape de découpe. During the entire duration of this fixation, the dielectric bar 28 is held in position relative to the central layer 18 and to the lower layer 16 by the dielectric fasteners 56. The positioning of the dielectric bar 28 is therefore very precise and chosen when the cutting step.
Dans le premier procédé, l’assemblage comprend ensuite le retrait des moyens d’attache 54, une fois la couche centrale 18 fixée à la couche inférieure 16, en particulier une fois le barreau diélectrique 28 fixé à la couche inférieure 16. In the first method, the assembly then comprises the removal of the fastening means 54, once the central layer 18 has been fastened to the lower layer 16, in particular once the dielectric bar 28 has been fastened to the lower layer 16.
Ce retrait est mis en œuvre par la découpe des moyens d’attache 54, et en particulier par la découpe des attaches diélectriques 56. L’étape précédente de suppression des sous-couches supérieure et inférieure initiales 50, 52 électriquement conductrices permet de faciliter cette étape de découpe des attaches diélectriques 56. This removal is implemented by cutting the fastening means 54, and in particular by cutting the dielectric fasteners 56. The preceding step of removing the upper and lower sub-layers initial electrically conductive 50, 52 facilitates this step of cutting dielectric fasteners 56.
Cette découpe est par exemple réalisée par manuellement avec un scalpel, avec une fraiseuse numérique, ou avec un laser. Chaque attache diélectrique 56 est de préférence découpée en affleurant le bord latéral 36 à partir duquel elle s’étend. This cutting is for example performed manually with a scalpel, with a digital milling machine, or with a laser. Each dielectric fastener 56 is preferably cut flush with the side edge 36 from which it extends.
En outre, chaque attache diélectrique 56 est avantageusement découpée en affleurant le barreau diélectrique 28. In addition, each dielectric fastener 56 is advantageously cut off flush with the dielectric bar 28.
Par la suite, l’assemblage comprend la fixation de la couche supérieure 14 à la couche centrale 18. Cette fixation est par exemple réalisée par collage. Subsequently, the assembly comprises the attachment of the upper layer 14 to the central layer 18. This attachment is for example made by gluing.
Lors de cette fixation, la cavité 32 est alors formée par ladite pluralité d’évidements 44 en étant délimitée par la couche supérieure 14, par la couche inférieure 16, et latéralement, par lesdits bords latéraux opposés 36 de la couche centrale 18. During this fixation, the cavity 32 is then formed by said plurality of recesses 44 being delimited by the upper layer 14, by the lower layer 16, and laterally by said opposite lateral edges 36 of the central layer 18.
Après assemblage, le premier composant 10A est formé. En particulier, les couches 14, 16, 18 définissent la zone de propagation 19 d’une onde électromagnétique. After assembly, the first component 10A is formed. In particular, the layers 14, 16, 18 define the propagation zone 19 of an electromagnetic wave.
La zone de propagation 19 est alors délimitée par la sous-couche inférieure 24A électriquement conductrice de la couche supérieure 14, la sous-couche supérieure 22B électriquement conductrice de la couche inférieure 16 et les frontières latérales centrales 30. The propagation zone 19 is then delimited by the electrically conductive lower sublayer 24A of the upper layer 14, the upper electrically conductive sub-layer 22B of the lower layer 16 and the central lateral boundaries 30.
Cette zone de propagation 19 comprend la cavité 32. This propagation zone 19 comprises the cavity 32.
Après l’étape d’assemblage, le barreau diélectrique 28 est disposé dans la cavité 32 à l’écart des bords latéraux 36 de la cavité 32. After the assembly step, the dielectric bar 28 is disposed in the cavity 32 away from the lateral edges 36 of the cavity 32.
En particulier, après l’étape d’assemblage, le barreau diélectrique 28, disposé dans la couche centrale 18, est disposé dans la zone de propagation 19, et, en projection sur la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16, à l’écart des bords latéraux 36 de la cavité 32. In particular, after the assembly step, the dielectric bar 28, disposed in the central layer 18, is disposed in the propagation zone 19, and, in projection on the upper surface 20B of the lower layer 16, to the distance from the lateral edges 36 of the cavity 32.
En utilisation, le premier procédé comprend une étape d'alimentation du premier composant 10A micro-ondes avec une onde électromagnétique se propageant dans la zone de propagation 19. L'onde électromagnétique présente au moins un mode de propagation présentant un maximum de champ électrique. In use, the first method comprises a step of feeding the first microwave component 10A with an electromagnetic wave propagating in the propagation zone 19. The electromagnetic wave has at least one propagation mode having a maximum of electric field.
Le barreau diélectrique 28 est positionné dans la cavité 32 à une position prédéterminée telle que, lors de cette étape d'alimentation du premier composant 10A, la position prédéterminée corresponde au niveau dudit maximum de champ électrique. The dielectric bar 28 is positioned in the cavity 32 at a predetermined position such that, during this step of supplying the first component 10A, the predetermined position corresponds to the level of said maximum electric field.
Plus précisément, lors de l’étape de réalisation du barreau diélectrique 28, les dimensions des attaches diélectriques 56 sont prédéterminées pour que, après assemblage, le barreau diélectrique 28 soit localisé dans la cavité 32 à la position prédéterminée. More specifically, during the step of producing the dielectric bar 28, the dimensions of the dielectric fasteners 56 are predetermined so that, after assembly, the dielectric bar 28 is located in the cavity 32 at the predetermined position.
Le barreau diélectrique 28 présente ainsi un effet sur ledit mode de propagation. En particulier, le barreau diélectrique 28 charge le guide d’onde 12 de façon à élargir la bande passante monomode. De plus, en utilisation, la structure comprenant trois couches 14, 16, 18 permet de rendre le premier composant 10A compact et flexible. The dielectric bar 28 thus has an effect on said mode of propagation. In particular, the dielectric bar 28 charges the waveguide 12 so as to widen the monomode bandwidth. In addition, in use, the structure comprising three layers 14, 16, 18 makes the first component 10A compact and flexible.
En variante non représentée du premier composant 10A, le guide d’onde 12 comprend une première couche électriquement isolante entre la sous-couche inférieure 24A de la couche supérieure 14 et la sous-couche supérieure 22C de la couche centrale 18, et/ou une deuxième couche électriquement isolante entre la sous-couche inférieure 24C de la couche centrale 18 et la sous-couche supérieure 22B de la couche inférieure 16. As a variant not shown of the first component 10A, the waveguide 12 comprises a first electrically insulating layer between the lower sublayer 24A of the upper layer 14 and the upper sub-layer 22C of the central layer 18, and / or one second electrically insulating layer between the lower sublayer 24C of the central layer 18 and the upper sub-layer 22B of the lower layer 16.
La ou les couches isolantes sont par exemple réalisées en prépreg. The insulating layer or layers are for example made in prepreg.
Chaque frontière latérale centrale 30, et en particulier chaque via 34, traverse la ou les couches isolantes. Each central lateral border 30, and in particular each via 34, passes through the insulating layer or layers.
En variante non représentée du premier composant 10A, le barreau diélectrique 28 n’est pas centré sur un plan médian des deux bords latéraux 36 mais est décalé latéralement dudit plan médian. Un tel décalage latéral permet d’apporter un contrôle des modes de propagation désiré de l’onde électromagnétique se propageant dans le guide d’onde 12. As a variant not shown of the first component 10A, the dielectric bar 28 is not centered on a median plane of the two lateral edges 36 but is shifted laterally of said median plane. Such a lateral shift makes it possible to provide a control of the desired modes of propagation of the electromagnetic wave propagating in the waveguide 12.
En variante non représentée du premier composant 10A, la largeur du barreau diélectrique 28 varie le long de l’axe de propagation. As a variant not shown of the first component 10A, the width of the dielectric bar 28 varies along the axis of propagation.
En variante non représentée du premier composant 10A, le guide d’onde 12 comprend des fils électriquement conducteurs traversant la cavité 32 de part en part, et connectant électriquement la sous-couche inférieure 24A de la couche supérieure 14 à la couche supérieure 22B de la couche inférieure 16. Ces fils permettent de réaliser une adaptation d’impédance à un autre circuit. In a variant not shown of the first component 10A, the waveguide 12 comprises electrically conductive wires passing through the cavity 32 from one side to the other, and electrically connecting the lower sub-layer 24A of the upper layer 14 to the upper layer 22B of the lower layer 16. These wires make it possible to perform impedance matching to another circuit.
En variante non représentée du premier composant 10A, le guide d’onde 12 comprend des fils électriquement conducteurs traversant la cavité 32, étant connecté électriquement à la sous-couche inférieure 24A de la couche supérieure 14, et présentant une extrémité libre à l’écart de la couche supérieure 22B de la couche inférieure 16. Ces fils permettent de réaliser des plots capacitifs permettant de faire un réglage de propriétés de filtrage du composant. In a variant not shown of the first component 10A, the waveguide 12 comprises electrically conductive wires passing through the cavity 32, being electrically connected to the lower sub-layer 24A of the upper layer 14, and having a free end away from of the upper layer 22B of the lower layer 16. These son allow to make capacitive pads for adjusting the filtering properties of the component.
Une variante du premier procédé de fabrication du premier composant 10A est illustrée sur la figure 5. A variant of the first method of manufacturing the first component 10A is illustrated in FIG.
Cette variante diffère du premier procédé décrit en ce que le plan médian des deux bords latéraux 36 est un plan de symétrie des attaches diélectriques 56. This variant differs from the first method described in that the median plane of the two lateral edges 36 is a plane of symmetry of the dielectric fasteners 56.
En outre, chaque attache diélectrique 56 ne s’étend pas perpendiculairement à partir d’un des bords latéraux 36. Au moins deux attaches diélectriques 56 s'étendent à partir d’un même bord latéral 36, en se joignant au niveau du barreau diélectrique 28. Comme illustré sur la figure 5, ces deux attaches diélectriques 56 forment un motif qui se répète le long de l’axe de propagation. In addition, each dielectric fastener 56 does not extend perpendicularly from one of the lateral edges 36. At least two dielectric fasteners 56 extend from the same side edge 36, joining at the dielectric bar 28. As shown in FIG. 5, these two dielectric fasteners 56 form a repeating pattern along the axis of propagation.
Plus généralement, pour chaque attache diélectrique 56, une autre attache diélectrique 56 s’étend à partir du même bord latéral 36, en se joignant au niveau du barreau diélectrique 28. More generally, for each dielectric fastener 56, another dielectric fastener 56 extends from the same side edge 36, joining at the level of the dielectric bar 28.
En variante non représentée du premier procédé de fabrication, la réalisation du barreau diélectrique 28 ne comprend pas la suppression des sous-couches supérieure et inférieure initiales 50, 52 électriquement conductrices au droit des attaches diélectriques 56. Ces sous-couches 50, 52 sont supprimées lors du retrait des moyens d’attache 54. As a variant not shown of the first manufacturing method, the embodiment of the dielectric bar 28 does not include the removal of the initial and lower electrically conductive upper and lower sub-layers 50, 52 to the right of the dielectric fasteners 56. These sub-layers 50, 52 are removed. when removing the attachment means 54.
En variante non représentée du premier procédé de fabrication, les attaches diélectriques 56 s’étendent à partir d’un seul des bords latéraux 36. In a variant not shown of the first manufacturing method, the dielectric fasteners 56 extend from only one of the lateral edges 36.
Un deuxième composant 10B micro-ondes va maintenant être décrit, en référence à la figure 6. A second microwave component 10B will now be described, with reference to FIG.
Ce deuxième composant 10B diffère du premier composant 10A en ce que le barreau diélectrique 28 et la surface inférieure 21 A de la couche supérieure 14 délimitent un espace libre entre eux. This second component 10B differs from the first component 10A in that the dielectric bar 28 and the lower surface 21A of the upper layer 14 delimit a free space between them.
Le barreau diélectrique 28 n’est ainsi pas fixé à la surface inférieure 21 A de la couche supérieure 14 par l’intermédiaire de la sous-couche supérieure de contact 42. The dielectric bar 28 is thus not fastened to the lower surface 21A of the upper layer 14 via the upper contact sub-layer 42.
Le guide d’onde 12 est alors dépourvu de ladite sous-couche supérieure de contact 42. The waveguide 12 is then devoid of said upper contact sub-layer 42.
Un deuxième procédé de fabrication relatif à la fabrication du deuxième composant 10B diffère du premier procédé en ce que la réalisation du barreau diélectrique 28 comprend la suppression de la sous-couche supérieure initiale 50 électriquement conductrice au-dessus du barreau diélectrique 28. A second manufacturing method relating to the manufacture of the second component 10B differs from the first method in that the embodiment of the dielectric bar 28 comprises the removal of the initial upper electrically conductive underlayer 50 above the dielectric bar 28.
Un troisième composant 10C micro-ondes va maintenant être décrit, en référence à la figure 7. A third microwave component 10C will now be described, with reference to FIG. 7.
Ce troisième composant 10C diffère du premier composant 10A en ce que le guide d'onde 12 comprend en outre un composant d’attache fonctionnel 58. This third component 10C differs from the first component 10A in that the waveguide 12 further comprises a functional fastening component 58.
Le composant d’attache fonctionnel 58 est formé par une pluralité d’attaches diélectriques 56 venues de matière avec le barreau diélectrique 28, chaque attache diélectrique 56 s’étendant à partir d’un des bords latéraux 36. The functional fastening component 58 is formed by a plurality of dielectric fasteners 56 integral with the dielectric bar 28, each dielectric fastener 56 extending from one of the side edges 36.
Lesdites attaches diélectriques 56 présentent des caractéristiques identiques aux attaches diélectriques décrites dans le premier procédé. Dans le troisième composant 10C illustré sur la figure 7, les attaches diélectriques 56 s’étendent à partir d’un seul des bords latéraux 36. Said dielectric fasteners 56 have characteristics identical to the dielectric fasteners described in the first method. In the third component 10C shown in FIG. 7, the dielectric fasteners 56 extend from only one of the side edges 36.
Le barreau diélectrique 28 est donc à l’écart des bords latéraux 36 dans au moins une région du barreau diélectrique 28. The dielectric bar 28 is thus spaced from the lateral edges 36 in at least one region of the dielectric bar 28.
En outre, les attaches diélectriques 56 sont configurées pour réaliser une fonction de filtre pour une onde électromagnétique se propageant dans la zone de propagation 19. In addition, the dielectric clips 56 are configured to perform a filter function for an electromagnetic wave propagating in the propagation zone 19.
En particulier, la répartition, l’écartement entre deux attaches diélectriques 56 adjacentes, et leurs dimensions sont prédéterminées pour réaliser ladite fonction. In particular, the distribution, the spacing between two adjacent dielectric fasteners 56, and their dimensions are predetermined to perform said function.
Un troisième procédé de fabrication relatif à la fabrication du troisième composant 10C diffère du premier procédé en ce qu’au moins une partie des moyens d’attache 54 n’est pas retirée lors de l’étape d’assemblage. A third manufacturing method relating to the manufacture of the third component 10C differs from the first method in that at least a part of the attachment means 54 is not removed during the assembly step.
La couche supérieure 14 est fixée à la couche centrale 18 sans retirer toutes les attaches diélectriques 56. The upper layer 14 is fixed to the central layer 18 without removing all the dielectric fasteners 56.
Ladite partie des moyens d’attache 54 forment alors le composant d’attache fonctionnel 58, les attaches diélectriques 56 non retirées étant configurées pour réaliser la fonction de filtre pour une onde électromagnétique se propageant dans la zone de propagation 19. Said part of the fastening means 54 then form the functional fastening component 58, the non-withdrawn dielectric fasteners 56 being configured to perform the filter function for an electromagnetic wave propagating in the propagation zone 19.
En particulier, lors de l’étape de réalisation du barreau diélectrique 28, la répartition, l’écartement entre deux attaches diélectriques 56 adjacentes, et leurs dimensions sont prédéterminées pour réaliser ladite fonction. In particular, during the step of producing the dielectric bar 28, the distribution, the spacing between two adjacent dielectric fasteners 56, and their dimensions are predetermined to perform said function.
En variante non représentée du troisième composant 10C, la largeur du barreau diélectrique 28 varie le long de l’axe de propagation. As a variant not shown of the third component 10C, the width of the dielectric bar 28 varies along the axis of propagation.
Dans une variante non représentée du troisième composant 10C, la largeur du barreau diélectrique 28 est constante entre deux attaches diélectriques 56 adjacentes, et la largeur du barreau diélectrique 28 entre un couple d’attaches diélectriques 56 adjacentes est différente pour au moins deux couples d’attaches diélectriques 56 adjacentes. In a variant not shown of the third component 10C, the width of the dielectric bar 28 is constant between two dielectric fasteners 56 adjacent, and the width of the dielectric bar 28 between a pair of adjacent dielectric fasteners 56 is different for at least two pairs of dielectric adjacent dielectric fasteners 56.
Dans une autre variante non représentée du troisième composant 10C, la largeur du barreau diélectrique 28 prise au niveau d’une attache diélectrique 56 est différente de la largeur du barreau diélectrique 28 prise au niveau d’une attache adjacente diélectrique 56. Le côté du barreau diélectrique 28 joignant lesdites deux attaches diélectriques 56 adjacentes présentant alors en vue de dessus un profil prédéterminé choisi parmi : une ligne droite ou une courbe. In another variant not shown of the third component 10C, the width of the dielectric bar 28 taken at a dielectric fastener 56 is different from the width of the dielectric bar 28 taken at an adjacent dielectric attachment 56. The side of the bar dielectric 28 joining said two adjacent dielectric fasteners 56 then having in plan view a predetermined profile selected from: a straight line or a curve.
Un quatrième composant 10D selon l’invention est illustré sur la figure 8. Ce quatrième composant 10D diffère du premier composant 10A en ce que le barreau diélectrique 28 est réalisé dans un matériau diélectrique différent du matériau dans lequel est réalisée la sous-couche centrale 26C de la couche centrale 18. A fourth component 10D according to the invention is illustrated in FIG. This fourth component 10D differs from the first component 10A in that the dielectric bar 28 is made of a dielectric material different from the material in which the central sub-layer 26C of the central layer 18 is made.
Le barreau diélectrique 28 est en contact avec la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16. The dielectric bar 28 is in contact with the upper surface 20B of the lower layer 16.
En particulier, le barreau diélectrique 28 est fixé à la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16, par exemple par collage. In particular, the dielectric bar 28 is fixed to the upper surface 20B of the lower layer 16, for example by gluing.
Dans cet exemple, le barreau diélectrique 28 est en contact avec la surface inférieure 21 A de la couche supérieure 14. En d’autres termes, il présente une épaisseur égale à la hauteur de la cavité 32. In this example, the dielectric bar 28 is in contact with the lower surface 21A of the upper layer 14. In other words, it has a thickness equal to the height of the cavity 32.
En particulier, le barreau diélectrique 28 est fixé à la surface inférieure 21 A de la couche supérieure 14, par exemple par collage. In particular, the dielectric bar 28 is fixed to the lower surface 21A of the upper layer 14, for example by gluing.
En variante non représentée du quatrième composant 10D, le barreau diélectrique 28 et la surface inférieure 21 A de la couche supérieure 14 délimitent un espace libre entre eux. En d’autres termes, le barreau diélectrique 28 est dépourvu de contact avec la surface inférieure 21 A de la couche supérieure 14. L’épaisseur du barreau diélectrique 28 est donc inférieure à l’épaisseur de la couche centrale 18. As a variant, not shown, of the fourth component 10D, the dielectric bar 28 and the lower surface 21A of the upper layer 14 delimit a free space between them. In other words, the dielectric bar 28 is devoid of contact with the lower surface 21A of the upper layer 14. The thickness of the dielectric bar 28 is therefore less than the thickness of the central layer 18.
En variante non représentée du quatrième composant 10D, le guide d’onde 12 comporte un composant d’attache fonctionnel 58 similaire au composant d’attache fonctionnel 58 du troisième composant 10C. In a non-illustrated variant of the fourth component 10D, the waveguide 12 comprises a functional fastening component 58 similar to the functional fastening component 58 of the third component 10C.
Un quatrième procédé de fabrication relatif à la fabrication du quatrième composant 10D va maintenant être décrit. A fourth manufacturing method relating to the manufacture of the fourth component 10D will now be described.
Le quatrième procédé diffère du premier procédé en ce que le barreau diélectrique 28 et les moyens d’attache 54 ne sont pas découpés dans la couche centrale 18, et en ce que l’étape de réalisation du barreau diélectrique 28 comprend la fourniture du barreau diélectrique 28 et de moyens d’attache 54 du barreau diélectrique 28, le barreau diélectrique 28 et les moyens d’attache 54 étant fournis à l’écart de la couche centrale 18. The fourth method differs from the first method in that the dielectric bar 28 and the attachment means 54 are not cut in the central layer 18, and in that the step of producing the dielectric bar 28 comprises the supply of the dielectric bar 28 and attachment means 54 of the dielectric bar 28, the dielectric bar 28 and the attachment means 54 being provided away from the central layer 18.
La couche centrale 18 est fournie en présentant un évidement 44 destiné à former à lui seul la cavité 32. Central layer 18 is provided having a recess 44 for forming cavity 32 alone.
Les moyens d’attache 54 présentent des caractéristiques identiques aux moyens d’attache du premier procédé mais diffèrent de ces derniers en ce que les attaches diélectriques 56 ne sont pas venues de matière avec les bords latéraux 36 de la cavité 32. The attachment means 54 have characteristics identical to the fastening means of the first method but differ from the latter in that the dielectric fasteners 56 are not integral with the lateral edges 36 of the cavity 32.
Les moyens d’attache 54 comprennent ainsi la pluralité d'attaches diélectriques 56 solidaires du barreau diélectrique 28, les attaches diélectriques 56 étant solidaires du barreau diélectrique 28, par exemple venues de matière avec le barreau diélectrique 28. Le barreau diélectrique 28 et les attaches diélectriques 56 sont de préférence réalisés dans un matériau diélectrique différent du matériau dans lequel est réalisée la sous-couche centrale 26C de la couche centrale 18. En variante, ils sont réalisés dans le même matériau que celui de la sous-couche centrale 26C de la couche centrale 18. The fastening means 54 thus comprise the plurality of dielectric fasteners 56 integral with the dielectric bar 28, the dielectric fasteners 56 being integral with the dielectric bar 28, for example integral with the dielectric bar 28. The dielectric bar 28 and the dielectric fasteners 56 are preferably made of a dielectric material different from the material in which the central sub-layer 26C of the central layer 18 is made. In a variant, they are made of the same material as that of the central underlayer 26C of the central layer 18.
Lors de l’assemblage, le barreau diélectrique 28 est fixé à la couche inférieure 16. During assembly, the dielectric bar 28 is fixed to the lower layer 16.
Le barreau diélectrique 28 est maintenu en position par rapport à la couche inférieure 16, par les attaches diélectriques 56 pendant toute la durée nécessaire à sa fixation à la couche inférieure 16. The dielectric bar 28 is held in position relative to the lower layer 16, by the dielectric fasteners 56 for the duration necessary for its attachment to the lower layer 16.
Par la suite, la couche centrale 18 est fixée à la couche inférieure 16, le barreau diélectrique 28 étant alors disposé dans l’évidement 44. Subsequently, the central layer 18 is fixed to the lower layer 16, the dielectric bar 28 then being arranged in the recess 44.
Un cinquième composant 10E selon l’invention est illustré sur les figures 9 et 10. A fifth component 10E according to the invention is illustrated in FIGS. 9 and 10.
Ce cinquième composant 10E diffère du premier composant 10A en ce que la cavité 32 est délimitée selon l’axe de propagation entre une extrémité avant 60 et une extrémité arrière 62 de la couche centrale 18, le barreau diélectrique 28 s’étendant de l’extrémité avant 60 à l’extrémité arrière 62. This fifth component 10E differs from the first component 10A in that the cavity 32 is delimited along the axis of propagation between a front end 60 and a rear end 62 of the central layer 18, the dielectric bar 28 extending from the end before 60 at the rear end 62.
La cavité 32 présente, en projection sur la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16, un contour extérieur fermé. The cavity 32 has, in projection on the upper surface 20B of the lower layer 16, a closed outer contour.
Comme illustré sur la figure 9, le cinquième composant 10E comprend en outre deux lignes de transmission annexes 64, disposées longitudinalement de part et d’autre de la cavité 32, la zone de propagation 19, et les frontières latérales centrales 30, se prolongeant dans chacune de ces deux lignes de transmission annexes 64. As illustrated in FIG. 9, the fifth component 10E further comprises two auxiliary transmission lines 64, arranged longitudinally on either side of the cavity 32, the propagation zone 19, and the central lateral boundaries 30, extending into each of these two additional transmission lines 64.
Chaque ligne de transmission annexe 64 comprend une couche annexe supérieure 66 électriquement conductrice, identique à la couche supérieure 14 et venue de matière avec la couche supérieure 14, une couche annexe inférieure électriquement conductrice, identique à la couche inférieure 16 et venue de matière avec la couche inférieure 16, et une couche annexe centrale diélectrique 68, identique à la couche centrale 18 et venue de matière avec la couche centrale 18. Each transmission transmission line 64 comprises an upper electrically conductive upper layer 66, identical to the upper layer 14 and integrally formed with the upper layer 14, an electrically conductive lower layer, identical to the lower layer 16 and integrally formed with the lower layer 16, and a central dielectric layer 68, identical to the central layer 18 and integral with the central layer 18.
Les lignes de transmission annexes 64 sont dépourvues de cavité 32. The auxiliary transmission lines 64 are devoid of cavity 32.
L’écartement, pris selon l’axe transversal Y-Y, entre les frontières latérales centrales 30 est supérieur dans la cavité 32 à leur écartement dans les lignes de transmission annexes 64. The spacing, taken along the transverse axis Y-Y, between the central lateral boundaries 30 is greater in the cavity 32 at their spacing in the adjoining transmission lines 64.
Le barreau diélectrique 28 est solidaire avec la sous-couche centrale 26C de la couche centrale 18. En particulier, le barreau diélectrique 28 est ici venu de matière avec la sous-couche centrale 26C de la couche centrale 18. The dielectric bar 28 is integral with the central sub-layer 26C of the central layer 18. In particular, the dielectric bar 28 is here integral with the central sub-layer 26C of the central layer 18.
Le barreau diélectrique 28 est ainsi notamment venu de matière avec la couche annexe centrale 68 de chacune des lignes de transmission annexes 64. Le barreau diélectrique 28 présente une longueur égale à la longueur de la cavité 32. Par « longueur d’un élément », on entend la distance bord à bord de l’élément, prise selon l’axe de propagation. The dielectric bar 28 is thus integral with the central appendix layer 68 of each of the associated transmission lines 64. The dielectric bar 28 has a length equal to the length of the cavity 32. "Length of an element" means the edge-to-edge distance of the element taken along the axis of propagation.
En outre, le mode de réalisation du cinquième composant 10E illustré sur la figure 10 diffère du premier composant 10A en ce que, dans au moins une tranche de la cavité 32, prise selon l’axe transverse Y-Y, le barreau diélectrique 28 délimite respectivement avec la surface inférieure 21 A de la couche supérieure 14 et la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16 un espace libre. In addition, the embodiment of the fifth component 10E illustrated in FIG. 10 differs from the first component 10A in that, in at least one portion of the cavity 32, taken along the transverse axis YY, the dielectric bar 28 defines respectively with the lower surface 21A of the upper layer 14 and the upper surface 20B of the lower layer 16 a free space.
Plus précisément, les couches annexes supérieures 66 et les couches annexes inférieures font saillie dans la cavité 32 respectivement au-dessus et en-dessous du barreau diélectrique 28. En projection sur la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16, lesdites saillies dans la cavité 32 des couches annexes supérieures 66 et des couches annexes inférieures présentent une forme en pointe. More specifically, the upper appendix layers 66 and the lower auxiliary layers protrude into the cavity 32 respectively above and below the dielectric bar 28. In projection on the upper surface 20B of the lower layer 16, said projections in the cavity 32 of the upper appendages 66 and lower layers attached have a pointed shape.
Un cinquième procédé de fabrication relatif à la fabrication du cinquième composant 10E va maintenant être décrit. A fifth manufacturing method relating to the manufacture of the fifth component 10E will now be described.
Le cinquième procédé diffère du premier procédé en ce que lors de la découpe de ladite pluralité d’évidements 44, ladite pluralité d’évidements 44 est destinée à délimiter la cavité 32, selon l’axe de propagation, entre une extrémité avant 60 et une extrémité arrière 62 de la couche centrale 18. The fifth method differs from the first method in that during the cutting of said plurality of recesses 44, said plurality of recesses 44 is intended to delimit the cavity 32, along the axis of propagation, between a front end 60 and a rear end 62 of the central layer 18.
Lors de la découpe, ladite pluralité d’évidements 44 est destinée à délimiter la cavité 32 telle qu’elle présente, en projection sur la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16, un contour extérieur fermé. During cutting, said plurality of recesses 44 is intended to define the cavity 32 as it has, in projection on the upper surface 20B of the lower layer 16, a closed outer contour.
Ladite pluralité d’évidements 44 découpée délimite le barreau diélectrique 28, le barreau diélectrique 28 s’étendant de l’extrémité avant 60 à l’extrémité arrière 62, et présentant en particulier une longueur égale à la longueur de la cavité 32. Said plurality of recesses 44 cut out delimits the dielectric bar 28, the dielectric bar 28 extending from the front end 60 to the rear end 62, and having in particular a length equal to the length of the cavity 32.
Par exemple, ladite pluralité d’évidements 44 délimite le barreau diélectrique 28 sans délimiter d’attaches diélectriques 56 reliant le barreau diélectrique 28 au reste de la couche centrale 18. For example, said plurality of recesses 44 delimits the dielectric bar 28 without delimiting dielectric fasteners 56 connecting the dielectric bar 28 to the remainder of the central layer 18.
En outre, l’implémentation des frontières latérales centrales 30 est mise en œuvre telle que, après assemblage, la zone de propagation 19 se prolonge longitudinalement de part et d’autre de la cavité 32. La couche supérieure 14, la couche inférieure 16 et la couche centrale 18 définissent alors, de part et d’autre de la cavité 32, les deux lignes de transmission annexes 64. In addition, the implementation of the central lateral boundaries 30 is implemented such that, after assembly, the propagation zone 19 extends longitudinally on either side of the cavity 32. The upper layer 14, the lower layer 16 and the the central layer 18 then define, on either side of the cavity 32, the two additional transmission lines 64.
En utilisation, lors de l’étape d'alimentation du cinquième composant 10E micro ondes avec une onde électromagnétique, l’onde se propage dans la zone de propagation 19 dans une des lignes de transmission annexe 64. Les saillies des couches annexes supérieures 66 et inférieures permettent d’assurer une bonne transition électromagnétique pour l’onde se propageant dans la zone de propagation 19 entre les lignes de transmission annexes 64 et la cavité 32. In use, during the step of feeding the fifth 10E microwave component with an electromagnetic wave, the wave propagates in the propagation zone 19 in one of the transmission lines 64. The projections of the upper and lower auxiliary layers 66 make it possible to ensure a good electromagnetic transition for the wave propagating in the propagation zone 19 between the adjoining transmission lines 64 and the cavity 32.
Un sixième composant 10F micro-ondes va maintenant être décrit, en référence à la figure 1 1. A sixth component 10F microwave will now be described, with reference to Figure 1 1.
Ce sixième composant 10F diffère des précédents modes de réalisation en ce que les frontières latérales centrales 30 ne comprennent pas de rangées de vias 34. This sixth component 10F differs from the previous embodiments in that the central lateral boundaries 30 do not include rows of vias 34.
Chaque frontière latérale centrale 30 comprend une paroi latérale continue électriquement conductrice 70. Each central lateral border 30 comprises an electrically conductive continuous side wall 70.
Ladite paroi latérale continue 70 est notamment formée par un revêtement électriquement conducteur, par exemple métallique. Ledit revêtement est ici appliqué sur les bords latéraux 36 de la cavité 32. Said continuous side wall 70 is in particular formed by an electrically conductive coating, for example a metallic coating. Said coating is here applied to the lateral edges 36 of the cavity 32.
Par « paroi latérale continue », on entend que le revêtement métallique est appliqué sur toute la hauteur et la longueur des bords latéraux 36. "Continuous side wall" means that the metal coating is applied over the entire height and length of the side edges 36.
Les frontières latérales centrales 30 sont en particulier dépourvues de vias. The central lateral borders 30 are in particular devoid of vias.
Un sixième procédé de fabrication relatif à la fabrication du sixième composant 10F va maintenant être décrit. A sixth manufacturing method relating to the manufacture of the sixth component 10F will now be described.
Le sixième procédé diffère du premier procédé en ce que l’étape d’implémentation des frontières latérales centrales 30 est mise en œuvre après l’étape de découpe de ladite pluralité d’évidements 44. The sixth method differs from the first method in that the step of implementing the central lateral boundaries 30 is implemented after the step of cutting said plurality of recesses 44.
Cette étape d’implémentation des frontières latérales centrales 30 comprend la réalisation d’une paroi latérale continue électriquement conductrice 70, par l’application d’un revêtement électriquement conducteur, par exemple métallique, sur des bords de ladite pluralité d’évidements 44, ces bords étant destinés à former les bords latéraux 36 de la cavité 32. This step of implementation of the central lateral boundaries 30 comprises the realization of an electrically conductive continuous side wall 70, by the application of an electrically conductive coating, for example metal, on edges of said plurality of recesses 44, these edges being intended to form the lateral edges 36 of the cavity 32.
Un septième composant 10G selon l’invention va maintenant être décrit en regard des figures 12. A seventh component 10G according to the invention will now be described with reference to FIGS.
Ce septième composant 10G diffère du premier composant 10A en ce que le barreau diélectrique 28 est un premier barreau diélectrique 28, et en ce que le guide d'onde 12 comprend en outre un deuxième barreau diélectrique 72. This seventh component 10G differs from the first component 10A in that the dielectric bar 28 is a first dielectric bar 28, and in that the waveguide 12 further comprises a second dielectric bar 72.
Le deuxième barreau diélectrique 72 est disposé dans la cavité 32, à l’écart dudit premier barreau diélectrique 28, et à l’écart des bords latéraux 36 de la cavité 32. The second dielectric bar 72 is disposed in the cavity 32, away from said first dielectric bar 28, and away from the side edges 36 of the cavity 32.
En particulier, le deuxième barreau diélectrique 72 est disposé dans la zone de propagation 19 tel que, en projection sur la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16, ledit deuxième barreau diélectrique 72 est à l’écart des bords latéraux 36 de la cavité 32. Le deuxième barreau diélectrique 72 est disposé entre les bords latéraux 36 de la cavité 32. In particular, the second dielectric bar 72 is disposed in the propagation zone 19 such that, in projection on the upper surface 20B of the lower layer 16, said second dielectric bar 72 is away from the lateral edges 36 of the cavity 32 . The second dielectric bar 72 is disposed between the lateral edges 36 of the cavity 32.
Le premier barreau diélectrique 28 et le deuxième barreau diélectrique 72 s'étendent respectivement suivant une direction longitudinale parallèle à l'axe de propagation X-X. En outre, ils s'étendent ici orthogonalement à l’axe transverse Y-Y. The first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72 extend respectively in a longitudinal direction parallel to the axis of propagation X-X. In addition, they extend here orthogonally to the transverse axis Y-Y.
Le premier barreau diélectrique 28 et le deuxième barreau diélectrique 72 sont décalés latéralement du plan médian des deux bords latéraux 36. The first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72 are offset laterally from the median plane of the two lateral edges 36.
Dans l’exemple illustré sur la figure 12, le deuxième barreau diélectrique 72 est au moins disposé en partie entre le premier barreau diélectrique 28 et l’un des bords latéraux 36. In the example illustrated in FIG. 12, the second dielectric bar 72 is at least partially disposed between the first dielectric bar 28 and one of the lateral edges 36.
Le deuxième barreau diélectrique 72 est sensiblement similaire au premier barreau diélectrique 28. The second dielectric bar 72 is substantially similar to the first dielectric bar 28.
Le deuxième barreau diélectrique 72 présente une largeur comprise notamment entre 1% et 90% de la largeur de la cavité 32. The second dielectric bar 72 has a width comprised in particular between 1% and 90% of the width of the cavity 32.
La largeur du deuxième barreau diélectrique 72 est par exemple constante le long de l’axe de propagation X-X. En variante, la largeur du deuxième barreau diélectrique 72 varie le long de l’axe de propagation. The width of the second dielectric bar 72 is for example constant along the axis of propagation X-X. Alternatively, the width of the second dielectric bar 72 varies along the axis of propagation.
Le deuxième barreau diélectrique 72 présente dans cet exemple une épaisseur inférieure à la hauteur de la cavité 32. The second dielectric bar 72 has in this example a thickness less than the height of the cavity 32.
Il est ici disposé à l'écart de la surface inférieure 21 A de la couche supérieure 14 et de la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16. It is here disposed away from the lower surface 21A of the upper layer 14 and the upper surface 20B of the lower layer 16.
Le deuxième barreau diélectrique 72 est fixé à la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16 par l’intermédiaire d’une deuxième sous-couche inférieure de contact 74. Plus précisément, il est fixé à la deuxième sous-couche inférieure de contact 74, la deuxième sous-couche inférieure de contact 74 étant fixée à la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16. La deuxième sous-couche inférieure de contact 74 est électriquement conductrice. The second dielectric bar 72 is fixed to the upper surface 20B of the lower layer 16 via a second lower contact sub-layer 74. More specifically, it is attached to the second lower contact sub-layer 74, the second lower contact sub-layer 74 being attached to the upper surface 20B of the lower layer 16. The second lower contact sub-layer 74 is electrically conductive.
Le deuxième barreau diélectrique 72 est en outre fixé à la surface inférieure 21 A de la couche supérieure 14 par l’intermédiaire d’une deuxième sous-couche supérieure de contact 76. Plus précisément, il est fixé à la deuxième sous-couche supérieure de contact 76, la deuxième sous-couche supérieure de contact 76 étant fixée à la surface inférieure 21 A de la couche supérieure 14. La deuxième sous-couche supérieure de contact 76 est électriquement conductrice. The second dielectric bar 72 is further attached to the lower surface 21A of the upper layer 14 via a second upper contact sub-layer 76. More specifically, it is attached to the second upper sub-layer of contact 76, the second upper contact sub-layer 76 being attached to the lower surface 21A of the upper layer 14. The second upper contact sub-layer 76 is electrically conductive.
Un septième procédé de fabrication relatif à la fabrication du septième composant 10G va maintenant être décrit. Le septième procédé diffère du premier procédé en ce que l’étape de fourniture de la couche centrale 18 comprend une étape de réalisation du premier barreau diélectrique 28 et du deuxième barreau diélectrique 72. A seventh manufacturing method relating to the manufacture of the seventh component 10G will now be described. The seventh method differs from the first method in that the step of providing the central layer 18 comprises a step of producing the first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72.
La réalisation du premier barreau diélectrique 28 et du deuxième barreau diélectrique 72 étant ici mise en œuvre lors de la découpe de ladite pluralité d’évidements 44. The realization of the first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72 being implemented here during the cutting of said plurality of recesses 44.
Lors de la découpe de ladite pluralité d’évidements 44, ladite pluralité d’évidements 44 est destinée à délimiter le premier barreau diélectrique 28, le deuxième barreau diélectrique 72 et des moyens d’attache 54 du premier barreau diélectrique 28 et du deuxième barreau diélectrique 72. During the cutting of said plurality of recesses 44, said plurality of recesses 44 is intended to delimit the first dielectric bar 28, the second dielectric bar 72 and attachment means 54 of the first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72.
Lors de la découpe, le premier barreau diélectrique 28 et le deuxième barreau diélectrique 72 sont plus précisément formés par une partie de la sous-couche diélectrique initiale 48 de la couche initiale 46. During cutting, the first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72 are more precisely formed by a portion of the initial dielectric underlayer 48 of the initial layer 46.
Au droit du deuxième barreau diélectrique 72, les sous-couches supérieure et inférieure initiales 50, 52 électriquement conductrices de la couche initiale 46, respectivement au-dessus et en-dessous du deuxième barreau diélectrique 72, forment respectivement la deuxième sous-couche supérieure de contact 76 et la deuxième sous- couche inférieure de contact 74 du premier composant 10A. At the right of the second dielectric bar 72, the initial and lower electrically conductive upper and lower sub-layers 50, 52 of the initial layer 46, respectively above and below the second dielectric bar 72, form respectively the second upper sub-layer of contact 76 and the second lower contact sub-layer 74 of the first component 10A.
Les moyens d’attache 54 comprennent une pluralité de premières attaches diélectriques reliant le premier barreau diélectrique 28 à l’un des bords latéraux 36 de la cavité 32. Ils comprennent en outre une pluralité de deuxièmes attaches diélectriques reliant le deuxième barreau diélectrique 72 à l’autre des bords latéraux 36 de la cavité 32. The fastening means 54 comprise a plurality of first dielectric fasteners connecting the first dielectric bar 28 to one of the side edges 36 of the cavity 32. They further comprise a plurality of second dielectric fasteners connecting the second dielectric bar 72 to the other side edges 36 of the cavity 32.
Par exemple, les moyens d’attache 54 comprennent une pluralité d’attaches diélectriques intermédiaires reliant le premier barreau diélectrique 28 au deuxième barreau diélectrique 72. For example, the fastening means 54 comprise a plurality of intermediate dielectric fasteners connecting the first dielectric bar 28 to the second dielectric bar 72.
Les premières attaches diélectriques, les deuxièmes attaches diélectriques et les attaches diélectriques intermédiaires présentent des caractéristiques sensiblement identiques aux attaches diélectriques 56 décrites dans le premier procédé. The first dielectric fasteners, the second dielectric fasteners and the intermediate dielectric fasteners have substantially identical characteristics to the dielectric fasteners 56 described in the first method.
Comme dans le premier procédé, en utilisation, le septième procédé comprend une étape d'alimentation du septième composant 10G micro-ondes avec une onde électromagnétique se propageant dans la zone de propagation 19. As in the first method, in use, the seventh method comprises a step of supplying the seventh 10G microwave component with an electromagnetic wave propagating in the propagation zone 19.
L’onde électromagnétique présente ici au moins un premier et un deuxième modes de propagation, le deuxième mode de propagation présentant deux maximums de champ électrique. The electromagnetic wave here has at least a first and a second propagation mode, the second propagation mode having two maximums of electric field.
Le premier barreau diélectrique 28 et le deuxième barreau diélectrique 72 sont respectivement positionnés dans la cavité 32 à une première position prédéterminée et à une deuxième position prédéterminée telles que, lors de cette étape d'alimentation du septième composant 10G, la première position prédéterminée et la deuxième position prédéterminée correspondent respectivement aux niveaux desdits maximums de champ électrique. The first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72 are respectively positioned in the cavity 32 at a first predetermined position and at a second predetermined position such that, during this step of supplying the seventh component 10G, the first predetermined position and the second predetermined position respectively correspond to the levels of said electric field maximums.
Plus précisément, lors de l’étape de réalisation du barreau diélectrique 28, les dimensions des premières attaches et des deuxièmes attaches sont prédéterminées pour que, après assemblage, le premier barreau diélectrique 28 et le deuxième barreau diélectrique 72 soient respectivement localisés dans la cavité 32 au niveau desdits maximums de champs électriques. More precisely, during the step of producing the dielectric bar 28, the dimensions of the first fasteners and the second fasteners are predetermined so that, after assembly, the first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72 are respectively located in the cavity 32 at the level of said maximum electric fields.
Le premier barreau diélectrique 28 et le deuxième barreau diélectrique 72 présentent ainsi un effet sur le deuxième mode de propagation. En particulier, ils diminuent la bande monomode du septième composant 10G pour obtenir une structure bi mode contrôlée. The first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72 thus have an effect on the second mode of propagation. In particular, they reduce the monomode band of the seventh component 10G to obtain a controlled dual mode structure.
Un huitième composant 10H va maintenant être décrit, en référence à la figure 13. An eighth component 10H will now be described, with reference to FIG. 13.
Ce huitième composant 10H diffère du quatrième composant 10D en ce que le barreau diélectrique 28 est un premier barreau diélectrique 28, et en ce que le guide d'onde 12 comprend au moins un autre barreau diélectrique 72. This eighth component 10H differs from the fourth component 10D in that the dielectric bar 28 is a first dielectric bar 28, and in that the waveguide 12 comprises at least one other dielectric bar 72.
Dans l’exemple illustré sur la figure 13, le guide d’onde 12 comprend au moins trois autres barreaux diélectriques 72. In the example illustrated in FIG. 13, the waveguide 12 comprises at least three other dielectric bars 72.
Chaque autre barreau diélectrique 72 est disposé dans la cavité 32, à l’écart dudit premier barreau diélectrique 28, à l’écart de chaque autre barreau diélectrique 72 et à l’écart des bords latéraux 36 de la cavité 32. Each other dielectric bar 72 is disposed in the cavity 32, away from said first dielectric bar 28, away from each other dielectric bar 72 and away from the side edges 36 of the cavity 32.
En particulier, chaque autre barreau diélectrique 72 est disposé dans la zone de propagation 19 tel que, en projection sur la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16, ledit autre barreau diélectrique 72 est à l’écart des bords latéraux 36 de la cavité 32. In particular, each other dielectric bar 72 is disposed in the propagation zone 19 such that, in projection on the upper surface 20B of the lower layer 16, said other dielectric bar 72 is away from the lateral edges 36 of the cavity 32 .
Chaque autre barreau diélectrique 72 est disposé entre les bords latéraux 36 de la cavité 32. Each other dielectric bar 72 is disposed between the lateral edges 36 of the cavity 32.
Le premier barreau diélectrique 28 et chaque autre barreau diélectrique 72 s'étendent respectivement suivant une direction longitudinale parallèle à l'axe de propagation X-X. En outre, ils s'étendent ici orthogonalement à l’axe transverse Y-Y. The first dielectric bar 28 and each other dielectric bar 72 extend respectively in a longitudinal direction parallel to the axis of propagation X-X. In addition, they extend here orthogonally to the transverse axis Y-Y.
Le premier barreau diélectrique 28 et chaque autre barreau diélectrique 72 sont décalés latéralement du plan médian des deux bords latéraux 36. The first dielectric bar 28 and each other dielectric bar 72 are offset laterally from the median plane of the two lateral edges 36.
En projection sur la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16, le premier barreau diélectrique 28 et chaque autre barreau diélectrique 72 définissent respectivement un contour extérieur circulaire. Le terme « barreau » est donc ici à prendre dans un sens large. In projection on the upper surface 20B of the lower layer 16, the first dielectric bar 28 and each other dielectric bar 72 define respectively a circular outer contour. The term "bar" is here to be taken in a broad sense.
Dans l’exemple illustré sur la figure 13, chaque autre barreau diélectrique 72 est sensiblement similaire au premier barreau diélectrique 28. En particulier, ils présentent ici un diamètre sensiblement identique. In the example illustrated in FIG. 13, each other dielectric bar 72 is substantially similar to the first dielectric bar 28. In particular, they have a substantially identical diameter here.
Le premier barreau diélectrique 28 et chaque autre barreau diélectrique 72 présentent alors respectivement une permittivité diélectrique supérieure à 6. The first dielectric bar 28 and each other dielectric bar 72 then respectively have a dielectric permittivity greater than 6.
Un huitième procédé de fabrication relatif à la fabrication du huitième composant 10H va maintenant être décrit. An eighth manufacturing method relating to the manufacture of the eighth component 10H will now be described.
Le huitième procédé diffère du quatrième procédé en ce qu’il comprend une étape de réalisation de chaque autre barreau diélectrique 72. L’étape de réalisation de chaque autre barreau diélectrique 72 comprend la fourniture dudit autre barreau diélectrique 72 et de moyens d’attache dudit autre barreau diélectrique 72, ledit autre barreau diélectrique 72 et les moyens d’attache étant fournis à l’écart de la couche centrale 18. The eighth method differs from the fourth method in that it comprises a step of producing each other dielectric bar 72. The step of producing each other dielectric bar 72 comprises the provision of said other dielectric bar 72 and attachment means of said another dielectric bar 72, said other dielectric bar 72 and the attachment means being provided away from the central layer 18.
Lors de l’assemblage, chaque autre barreau diélectrique 72 est fixé à la couche inférieure 16, notamment avant que la couche centrale 18 soit fixée à la couche inférieure 16. During assembly, each other dielectric bar 72 is fixed to the lower layer 16, in particular before the central layer 18 is fixed to the lower layer 16.
En variante du huitième composant 10H, en projection sur la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16, au moins un du premier barreau diélectrique 28 et de chaque autre barreau diélectrique 72 définit un contour extérieur présentant une forme rectangle, carré, ou ovale. As a variant of the eighth component 10H, in projection on the upper surface 20B of the lower layer 16, at least one of the first dielectric bar 28 and of each other dielectric bar 72 defines an outer contour having a rectangle, square, or oval shape.
Dans encore une variante du huitième composant 10H, en projection sur la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16, au moins un du premier barreau diélectrique 28 et de chaque autre barreau diélectrique 72 définit une forme en anneau, présentant un contour extérieur de forme circulaire, rectangulaire, carré, ou ovale, et un contour intérieur de forme circulaire, rectangulaire, carré, ou ovale. In yet another variant of the eighth component 10H, projected on the upper surface 20B of the lower layer 16, at least one of the first dielectric bar 28 and each other dielectric bar 72 defines a ring shape, having an outer contour of circular shape rectangular, square, or oval, and an inner contour of circular, rectangular, square, or oval shape.
Dans encore une autre variante du huitième composant 10H, au moins deux barreaux parmi le premier barreau diélectrique 28 et les autres barreaux diélectriques 72 sont réalisés dans des matériaux différents. In yet another variant of the eighth component 10H, at least two bars of the first dielectric bar 28 and the other dielectric bars 72 are made of different materials.
Le huitième procédé de fabrication décrit permet de monter simultanément plusieurs barreaux 28, 72 réalisés dans des matériaux différents. The eighth manufacturing method described allows to simultaneously mount several bars 28, 72 made of different materials.
En variante du huitième composant 10H, le guide d'onde 12 comprend en outre un composant d’attache fonctionnel formé par une pluralité d’attaches diélectriques venues de matière avec au moins un des barreaux 28, 72, chaque attache diélectrique s’étendant à partir d’un des bords latéraux 36. Dans le procédé de fabrication associé à cette variante, au moins une partie des moyens d’attache n’est pas retirée lors de l’étape d’assemblage. As an alternative to the eighth component 10H, the waveguide 12 further comprises a functional fastening component formed by a plurality of dielectric fasteners integral with at least one of the bars 28, 72, each dielectric fastener extending to from one of the lateral edges 36. In the manufacturing process associated with this alternatively, at least a portion of the attachment means is not removed during the assembly step.
Un neuvième composant 101 selon l’invention va maintenant être décrit en regard de la figure 14. A ninth component 101 according to the invention will now be described with reference to FIG.
Ce neuvième composant 101 diffère du premier composant 10A en ce que le barreau diélectrique 28 n’est pas disposé dans la cavité 32. This ninth component 101 differs from the first component 10A in that the dielectric bar 28 is not disposed in the cavity 32.
Le barreau diélectrique 28 est disposé dans la zone de propagation 19 et est délimité dans la couche supérieure 14. Le barreau diélectrique 28 est ainsi formé dans la couche supérieure 14. The dielectric bar 28 is disposed in the propagation zone 19 and is delimited in the upper layer 14. The dielectric bar 28 is thus formed in the upper layer 14.
Le barreau diélectrique 28 est formé dans la sous-couche centrale 26A de la couche supérieure 14 et est délimité par une partie de la sous-couche supérieure 22A électriquement conductrice de la couche supérieure 14 et, latéralement entre deux frontières latérales supérieures 78. The dielectric bar 28 is formed in the central sub-layer 26A of the upper layer 14 and is defined by a portion of the upper sub-layer 22A electrically conductive of the upper layer 14 and laterally between two upper lateral boundaries 78.
Le barreau diélectrique 28 débouche sur la cavité 32. The dielectric bar 28 opens on the cavity 32.
Comme illustré sur la figure 14, le barreau diélectrique 28 présente une surface 80 délimitant la cavité 32. As illustrated in FIG. 14, the dielectric bar 28 has a surface 80 delimiting the cavity 32.
Le barreau diélectrique 28 est disposé entre un plan définit par une surface supérieure 20C de la couche centrale 18 et un plan définit par une surface supérieure 20A de la couche supérieure 14. The dielectric bar 28 is disposed between a plane defined by an upper surface 20C of the central layer 18 and a plane defined by an upper surface 20A of the upper layer 14.
La couche supérieure 14 est dépourvue de sous-couche inférieure 24A, dans au moins une partie de la couche supérieure 14 entre les deux frontières latérales supérieures 78. En particulier, dans l’exemple illustré sur la figure 14, la couche supérieure 14 est entièrement dépourvue de sous-couche inférieure 24A, entre les deux frontières latérales supérieures 78. The upper layer 14 is devoid of lower sublayer 24A, in at least a portion of the upper layer 14 between the two upper lateral boundaries 78. In particular, in the example illustrated in FIG. 14, the upper layer 14 is entirely without lower underlayer 24A, between the two upper lateral boundaries 78.
Le barreau diélectrique 28 est ici disposé dans la zone de propagation 19, tel que, en projection sur la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16, le barreau diélectrique 28 est à l’écart des bords latéraux 36 de la cavité 32. The dielectric bar 28 is here arranged in the propagation zone 19, such that, in projection on the upper surface 20B of the lower layer 16, the dielectric bar 28 is away from the lateral edges 36 of the cavity 32.
Comme dans le premier composant 10A, la zone de propagation 19 est délimitée par la sous-couche supérieure 22B électriquement conductrice de la couche inférieure 16 et les deux frontières latérales centrales 30 aménagées chacune dans la couche centrale et espacées l’une de l’autre. En outre, dans le neuvième composant 101, la zone de propagation 19 est délimitée par la partie de la sous-couche supérieure 22A de la couche supérieure 14 s’étendant au-dessus du barreau diélectrique 28, par une partie de la sous- couche inférieure 24A électriquement conductrice de la couche supérieure 14, et par les frontières latérales supérieures 78, les frontières latérales supérieures 78 joignant lesdites parties. Les frontières latérales supérieures 78 sont propres à empêcher le passage d’une onde électromagnétique présentant une longueur d’onde supérieure ou égale à la longueur d’onde minimale prédéterminée. As in the first component 10A, the propagation zone 19 is delimited by the upper electrically conductive sub-layer 22B of the lower layer 16 and the two central lateral boundaries 30 each arranged in the central layer and spaced apart from each other . Furthermore, in the ninth component 101, the propagation zone 19 is delimited by the portion of the upper sub-layer 22A of the upper layer 14 extending above the dielectric bar 28, by a portion of the underlayer electrically conductive bottom 24A of the upper layer 14, and the upper lateral boundaries 78, the upper lateral boundaries 78 joining said parts. The upper lateral boundaries 78 are adapted to prevent the passage of an electromagnetic wave having a wavelength greater than or equal to the predetermined minimum wavelength.
Les frontières latérales supérieures 78 sont chacune aménagées dans la couche supérieure 14. The upper lateral boundaries 78 are each arranged in the upper layer 14.
Les frontières latérales supérieures 78 s’étendent parallèlement à l’axe de propagation X-X et sont ici parallèles l’une par rapport à l’autre. The upper lateral boundaries 78 extend parallel to the axis of propagation X-X and are here parallel to each other.
Elles s’étendent notamment sur toute l’épaisseur de la couche supérieure 14. They extend in particular over the entire thickness of the upper layer 14.
Les frontières latérales supérieures 78 sont espacées l’une de l’autre. The upper lateral boundaries 78 are spaced apart from each other.
Elles sont notamment ici symétriques l’une de l’autre par rapport au plan médian des bords latéraux 36. Le barreau diélectrique 28 est ainsi ici centré sur le plan médian des bords latéraux 36. They are here in particular symmetrical to one another with respect to the median plane of the lateral edges 36. The dielectric bar 28 is thus centered here on the median plane of the lateral edges 36.
Une section transversale de la zone de propagation 19 présente sensiblement une forme en T retourné. A cross section of the propagation zone 19 has substantially a T-shape returned.
Dans l’exemple illustré sur la figure 14, en projection sur la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16, les frontières latérales supérieures 78 sont disposées à l’écart et entre les bords latéraux 36. In the example illustrated in FIG. 14, in projection on the upper surface 20B of the lower layer 16, the upper lateral boundaries 78 are disposed apart and between the lateral edges 36.
Chaque frontière latérale supérieure 78 connecte électriquement la sous-couche inférieure 24A de la couche supérieure 14 et la sous-couche supérieure 22A de la couche supérieure 14 entre elles. Each upper lateral boundary 78 electrically connects the lower sub-layer 24A of the upper layer 14 and the upper sub-layer 22A of the upper layer 14 between them.
Les frontières latérales supérieures 78 et les frontières latérales centrales 30 connectent électriquement la sous-couche supérieure 22B de la couche inférieure 16 à la sous-couche supérieure 22A de la couche supérieure 14, respectivement de part et d’autre de la cavité 32. The upper lateral boundaries 78 and the central lateral boundaries 30 electrically connect the upper sub-layer 22B of the lower layer 16 to the upper sub-layer 22A of the upper layer 14, respectively on either side of the cavity 32.
Dans le mode de réalisation de la figure 14, chaque frontière latérale supérieure 78 comprend une rangée de vias 34 électriquement conducteurs, aménagés à travers la couche supérieure 14. Plus précisément, chaque via 34 s’étend selon la direction Z-Z, en traversant la couche supérieure 14. In the embodiment of FIG. 14, each upper lateral frontier 78 comprises a row of electrically conductive vias 34 arranged through the upper layer 14. More precisely, each via 34 extends in the ZZ direction, crossing the layer superior 14.
Chaque via 34 connecte électriquement la sous-couche inférieure 24A de la couche supérieure 14 et la sous-couche supérieure 22A de la couche supérieure 14 entre elles. Each via 34 electrically connects the lower sub-layer 24A of the upper layer 14 and the upper sub-layer 22A of the upper layer 14 between them.
L’écartement entre deux vias 34 successifs d’une frontière latérale supérieure 78 est inférieur à la longueur d’onde minimale prédéterminée, notamment inférieur à un dixième de la longueur d’onde minimale prédéterminée, de préférence inférieur à un vingtième de la longueur d’onde minimale prédéterminée. Un neuvième procédé relatif à la fabrication du neuvième composant 101 va maintenant être décrit. The distance between two successive vias 34 of an upper lateral border 78 is less than the predetermined minimum wavelength, in particular less than one-tenth of the predetermined minimum wavelength, preferably less than one twentieth of the length of the wavelength. predetermined minimum wave. A ninth method relating to the manufacture of the ninth component 101 will now be described.
Le neuvième procédé diffère du premier procédé en ce que le barreau diélectrique 28 n’est pas découpé dans la couche centrale 18 et n’est pas disposé dans la cavité 32. The ninth method differs from the first method in that the dielectric bar 28 is not cut in the central layer 18 and is not arranged in the cavity 32.
En outre, aucun moyen d’attache tel que décrit dans le premier procédé n’est découpé dans la couche centrale 18. Dans ce mode de réalisation, aucune attache n’est utilisée comparativement aux modes de réalisation permettant de disposer le barreau diélectrique 28 dans la cavité 32. In addition, no fastening means as described in the first method is cut in the central layer 18. In this embodiment, no fastener is used compared to the embodiments for arranging the dielectric bar 28 in the cavity 32.
La couche centrale 18 est fournie en présentant un évidement 44 destiné à former à lui seul la cavité 32. Central layer 18 is provided having a recess 44 for forming cavity 32 alone.
La fourniture de la couche supérieure 14 comprend la fourniture d’une couche initiale supérieure, la couche initiale supérieure étant destinée à former la couche supérieure 14. The supply of the upper layer 14 comprises the provision of an upper initial layer, the upper initial layer being intended to form the upper layer 14.
La couche initiale supérieure comprend ainsi au moins une sous-couche diélectrique initiale, destinée à former la sous-couche centrale 26A de la couche supérieure 14, une sous-couche supérieure électriquement conductrice, destinée à former la sous-couche supérieure 22A de la couche supérieure 14, et une sous-couche inférieure électriquement conductrice, destinée à former la sous-couche inférieure 24A de la couche supérieure 14. The upper initial layer thus comprises at least one initial dielectric sublayer, intended to form the central sub-layer 26A of the upper layer 14, an electrically conductive upper sub-layer, intended to form the upper sublayer 22A of the layer upper 14, and an electrically conductive lower sub-layer, for forming the lower sub-layer 24A of the upper layer 14.
Dans le neuvième procédé, l’étape de fourniture de la couche supérieure 14 comprend la réalisation du barreau diélectrique 28. La réalisation du barreau diélectrique 28 comprend l’implémentation des frontières latérales supérieures 78 et la suppression d’au moins une partie, avantageusement de l’intégralité, de la sous-couche inférieure électriquement conductrice de la couche initiale supérieure s’étendant entre les deux frontières latérales supérieures 78. In the ninth method, the step of providing the upper layer 14 comprises the realization of the dielectric bar 28. The embodiment of the dielectric bar 28 comprises the implementation of the upper lateral boundaries 78 and the removal of at least a portion, preferably of the entirety of the electrically conductive lower sub-layer of the upper initial layer extending between the two upper lateral boundaries 78.
La partie de la sous-couche centrale diélectrique de la couche initiale supérieure délimitée entre les frontières latérales supérieures 78 forme ledit barreau diélectrique 28. The portion of the central dielectric sub-layer of the upper initial layer delimited between the upper lateral boundaries 78 forms said dielectric bar 28.
A l’issue de l’étape de réalisation du barreau diélectrique 28, la couche initiale supérieure forme la couche supérieure 14. At the end of the step of producing the dielectric bar 28, the upper initial layer forms the upper layer 14.
Lors de l’assemblage, la couche centrale 18 est fixée à la couche inférieure 16 et la couche supérieure 14 est fixée à la couche centrale 18 pour former le neuvième composant 101. During assembly, the central layer 18 is attached to the lower layer 16 and the upper layer 14 is fixed to the central layer 18 to form the ninth component 101.
Ainsi, après assemblage, la zone de propagation 19 comprend le barreau diélectrique 28 délimité dans la couche supérieure 14, le barreau diélectrique 28 présentant une surface délimitant la cavité 32. En variante non représentée du neuvième composant 101, le barreau diélectrique 28 est délimité dans la couche inférieure 16. Dans le procédé de fabrication associé, l’étape de fourniture de la couche inférieure 16 comprend la réalisation du barreau diélectrique 28. Thus, after assembly, the propagation zone 19 comprises the dielectric bar 28 delimited in the upper layer 14, the dielectric bar 28 having a surface delimiting the cavity 32. As a variant, not shown, of the ninth component 101, the dielectric bar 28 is delimited in the lower layer 16. In the associated manufacturing method, the step of providing the lower layer 16 comprises the production of the dielectric bar 28.
En variante non représentée du neuvième composant 101, le barreau diélectrique 28 n’est pas centré sur le plan médian des bords latéraux 36. En particulier, le barreau diélectrique 28 est latéralement décalé par rapport au plan médian des bords latéraux 36. As a variant not shown of the ninth component 101, the dielectric bar 28 is not centered on the median plane of the lateral edges 36. In particular, the dielectric bar 28 is laterally offset from the median plane of the lateral edges 36.
Les frontières latérales supérieures 78 sont alors dépourvues de symétrie par rapport au plan médian des bords latéraux 36. The upper lateral boundaries 78 are then devoid of symmetry with respect to the median plane of the lateral edges 36.
Un dixième composant 10 J selon l’invention va maintenant être décrit en regard de la figure 15. A tenth component 10 J according to the invention will now be described with reference to FIG.
Ce dixième composant 10J diffère du neuvième composant 101 en ce que ledit barreau diélectrique 28 est un premier barreau diélectrique 28. This tenth component 10J differs from the ninth component 101 in that said dielectric bar 28 is a first dielectric bar 28.
Le guide d'onde 12 comprend en outre un deuxième barreau diélectrique 72 disposé dans la zone de propagation 19 et délimité dans la couche inférieure 16, à l’écart du premier barreau diélectrique 28. The waveguide 12 further comprises a second dielectric bar 72 disposed in the propagation zone 19 and delimited in the lower layer 16, away from the first dielectric bar 28.
Le deuxième barreau diélectrique 72 est ainsi formé dans la couche inférieure 16 notamment à l’écart du premier barreau diélectrique 28. The second dielectric bar 72 is thus formed in the lower layer 16, in particular away from the first dielectric bar 28.
Le deuxième barreau diélectrique 72 est formé dans la sous-couche centrale 26B de la couche inférieure 16 et est délimité par une partie de la sous-couche inférieure 24B électriquement conductrice de la couche inférieure 16 et, latéralement entre deux frontières latérales inférieures 82. The second dielectric bar 72 is formed in the central sub-layer 26B of the lower layer 16 and is delimited by a portion of the electrically conductive lower sublayer 24B of the lower layer 16 and laterally between two lower lateral boundaries 82.
Le deuxième barreau diélectrique 72 débouche sur la cavité 32. The second dielectric bar 72 opens on the cavity 32.
Comme illustré sur la figure 15, le deuxième barreau diélectrique 72 présente une surface 84 délimitant la cavité 32. As illustrated in FIG. 15, the second dielectric bar 72 has a surface 84 delimiting the cavity 32.
Le deuxième barreau diélectrique 72 est disposé entre un plan définit par une surface inférieure 21 C de la couche centrale 18 et un plan définit par une surface inférieure 21 B de la couche inférieure 16. The second dielectric bar 72 is disposed between a plane defined by a lower surface 21 C of the central layer 18 and a plane defined by a lower surface 21 B of the lower layer 16.
La couche inférieure 16 est dépourvue de sous-couche supérieure 22B, dans au moins une partie de la couche inférieure 16 entre les deux frontières latérales inférieures 82. En particulier, dans l’exemple illustré sur la figure 15, la couche inférieure 16 est entièrement dépourvue de sous-couche supérieure 22B, entre les deux frontières latérales inférieures 82. The lower layer 16 is devoid of upper sub-layer 22B, in at least a portion of the lower layer 16 between the two lower lateral boundaries 82. In particular, in the example illustrated in FIG. 15, the lower layer 16 is entirely devoid of upper sub-layer 22B between the two lower lateral boundaries 82.
Le deuxième barreau diélectrique 72 disposé dans la zone de propagation 19, tel que, en projection sur la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16, ledit deuxième barreau diélectrique 72 est à l’écart des bords latéraux 36 de la cavité 32. Comme dans le neuvième composant 101, la zone de propagation 19 est délimitée par une partie de la sous-couche inférieure 24A électriquement conductrice de la couche supérieure 14, une partie la sous-couche supérieure 22A électriquement conductrice de la couche supérieure 14 et les frontières latérales supérieures 78 joignant lesdites parties. La zone de propagation 19 est aussi délimitée latéralement par les deux frontières latérales centrales 30 aménagées chacune dans la couche centrale 18 et espacées l’une de l’autre. The second dielectric bar 72 disposed in the propagation zone 19, such that, in projection on the upper surface 20B of the lower layer 16, said second dielectric bar 72 is away from the lateral edges 36 of the cavity 32. As in the ninth component 101, the propagation zone 19 is delimited by a portion of the electrically conductive lower sublayer 24A of the upper layer 14, a portion of the upper sublayer 22A electrically conductive of the upper layer 14 and the boundaries upper side 78 joining said parts. The propagation zone 19 is also delimited laterally by the two central lateral boundaries 30 each arranged in the central layer 18 and spaced apart from each other.
En outre, dans le dixième composant 10J, la zone de propagation 19 est délimitée par la partie de la sous-couche inférieure 24B électriquement conductrice de la couche inférieure 16 s’étendant en-dessous du deuxième barreau diélectrique 72, par une partie de la sous-couche supérieure 22B électriquement conductrice de la couche inférieure 16, et par les frontières latérales inférieures 82, les frontières latérales inférieures 82 joignant lesdites parties. In addition, in the tenth component 10J, the propagation zone 19 is delimited by the portion of the electrically conductive lower sublayer 24B of the lower layer 16 extending below the second dielectric bar 72, by a portion of the upper sub-layer 22B electrically conductive bottom layer 16, and by the lower side boundaries 82, the lower side boundaries 82 joining said parts.
Les frontières latérales inférieures 82 de la zone de propagation 19 sont propres à empêcher le passage d’une onde électromagnétique présentant une longueur d’onde supérieure ou égale à la longueur d’onde minimale prédéterminée. The lower lateral boundaries 82 of the propagation zone 19 are able to prevent the passage of an electromagnetic wave having a wavelength greater than or equal to the predetermined minimum wavelength.
Les frontières latérales inférieures 82 sont aménagées chacune dans la couche inférieure 16. The lower lateral boundaries 82 are each arranged in the lower layer 16.
Les frontières latérales inférieures 82 s’étendent parallèlement à l’axe de propagation X-X et sont ici parallèles l’une par rapport à l’autre. The lower lateral boundaries 82 extend parallel to the axis of propagation X-X and are here parallel to each other.
Elles s’étendent notamment sur toute l’épaisseur de la couche inférieure 16. They extend in particular over the entire thickness of the lower layer 16.
Les frontières latérales inférieures 82 sont espacées l’une de l’autre. The lower lateral boundaries 82 are spaced apart from each other.
Elles sont notamment ici symétriques l’une de l’autre par rapport au plan médian des bords latéraux 36. Le deuxième barreau diélectrique 72 est ainsi ici centré sur le plan médian des bords latéraux 36. They are here in particular symmetrical to each other with respect to the median plane of the lateral edges 36. The second dielectric bar 72 is here centered on the median plane of the lateral edges 36.
Une section transversale de la zone de propagation 19 présente sensiblement une forme en croix. A cross section of the propagation zone 19 has substantially a cross shape.
En particulier, les frontières latérales inférieures 82 s’étendent par exemple ici respectivement dans le prolongement des frontières latérales supérieures 78. In particular, the lower lateral boundaries 82 extend for example here respectively in the extension of the upper lateral boundaries 78.
En outre, dans l’exemple illustré sur la figure 15, en projection sur la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16, les frontières latérales inférieures 82 sont disposées à l’écart et entre les bords latéraux 36. In addition, in the example illustrated in FIG. 15, in projection on the upper surface 20B of the lower layer 16, the lower lateral boundaries 82 are disposed apart and between the lateral edges 36.
Chaque frontière latérale inférieure 82 connecte électriquement la sous-couche supérieure 22B de la couche inférieure 16 et la sous-couche inférieure 24B de la couche inférieure 16 entre elles. Les frontières latérales inférieures 82, les frontières latérales supérieures 78 et les frontières latérales centrales 30 connectent électriquement la sous-couche inférieure 24B de la couche inférieure 16 à la sous-couche supérieure 22A de la couche supérieure 14 respectivement de part et d’autre de la cavité 32. Each lower lateral boundary 82 electrically connects the upper sub-layer 22B of the lower layer 16 and the lower sub-layer 24B of the lower layer 16 between them. The lower lateral boundaries 82, the upper lateral boundaries 78 and the central lateral boundaries 30 electrically connect the lower sub-layer 24B of the lower layer 16 to the upper sub-layer 22A of the upper layer 14 respectively on either side of the the cavity 32.
Dans le mode de réalisation de la figure 15, chaque frontière latérale inférieure 82 comprend une rangée de vias 34 électriquement conducteurs, aménagés à travers la couche inférieure 16. Plus précisément, chaque via 34 s’étend selon la direction Z-Z, en traversant la couche inférieure 16. In the embodiment of FIG. 15, each lower lateral border 82 comprises a row of electrically conductive vias 34, arranged through the lower layer 16. More specifically, each via 34 extends in the ZZ direction, crossing the layer lower 16.
Chaque via 34 connecte électriquement la sous-couche supérieure 22B de la couche inférieure 16 et la sous-couche inférieure 24B de la couche inférieure 16 entre elles. Each via 34 electrically connects the upper sub-layer 22B of the lower layer 16 and the lower sub-layer 24B of the lower layer 16 between them.
L’écartement entre deux vias 34 successifs d’une frontière latérale inférieure 82 est inférieur à la longueur d’onde minimale prédéterminée, notamment inférieur à un dixième de la longueur d’onde minimale prédéterminée, de préférence inférieur à un vingtième de la longueur d’onde minimale prédéterminée. The distance between two successive vias 34 of a lower lateral border 82 is less than the predetermined minimum wavelength, in particular less than one-tenth of the predetermined minimum wavelength, preferably less than one twentieth of the length of the wavelength. predetermined minimum wave.
Un dixième procédé relatif à la fabrication du dixième composant 10J va maintenant être décrit. A tenth method relating to the manufacture of the tenth component 10J will now be described.
Le dixième procédé diffère du neuvième procédé en ce que l’étape de réalisation décrite du barreau diélectrique 28 correspond à la réalisation du premier barreau diélectrique 28. The tenth method differs from the ninth method in that the described embodiment step of the dielectric bar 28 corresponds to the production of the first dielectric bar 28.
Dans le dixième procédé, l’étape de fourniture de la couche inférieure 16 comprend la réalisation du deuxième barreau diélectrique 72. In the tenth method, the step of supplying the lower layer 16 comprises the production of the second dielectric bar 72.
La fourniture de la couche inférieure 16 comprend la fourniture d’une couche initiale inférieure, la couche initiale inférieure étant destinée à former la couche inférieure 16. The supply of the lower layer 16 comprises the provision of a lower initial layer, the lower initial layer being intended to form the lower layer 16.
La couche initiale inférieure comprend ainsi au moins une sous-couche diélectrique initiale, destinée à former la sous-couche centrale 26B de la couche inférieure 16, une sous-couche supérieure électriquement conductrice, destinée à former la sous- couche supérieure 22B de la couche inférieure 16, et une sous-couche inférieure électriquement conductrice, destinée à former la sous-couche inférieure 24B de la couche inférieure 16. The lower initial layer thus comprises at least one initial dielectric underlayer, intended to form the central sub-layer 26B of the lower layer 16, an electrically conductive upper sub-layer, intended to form the upper sublayer 22B of the layer lower 16, and an electrically conductive lower sublayer for forming the lower sub-layer 24B of the lower layer 16.
La réalisation du deuxième barreau diélectrique 72 comprend l’implémentation des frontières latérales inférieures 82 et la suppression d’au moins une partie, avantageusement de l’intégralité, de la sous-couche supérieure électriquement conductrice de la couche initiale inférieure s’étendant entre les deux frontières latérales inférieures 82. La partie de la sous-couche centrale diélectrique de la couche initiale inférieure délimitée entre les frontières latérales inférieures 82 forme ledit deuxième barreau diélectrique 72. The realization of the second dielectric bar 72 includes the implementation of the lower lateral boundaries 82 and the removal of at least a portion, preferably all, of the electrically conductive upper sub-layer of the lower initial layer extending between the two lower lateral boundaries 82. The portion of the central dielectric sub-layer of the lower initial layer delimited between the lower lateral boundaries 82 forms said second dielectric bar 72.
A l’issue de l’étape de réalisation du deuxième barreau diélectrique 72, la couche initiale inférieure forme la couche inférieure 16. At the end of the step of producing the second dielectric bar 72, the lower initial layer forms the lower layer 16.
Lors de l’assemblage, la couche centrale 18 est fixée à la couche inférieure 16 et la couche supérieure 14 est fixée à la couche centrale 18 pour former le dixième composant 10J. During assembly, the central layer 18 is fixed to the lower layer 16 and the upper layer 14 is fixed to the central layer 18 to form the tenth component 10J.
Ainsi, après assemblage, la zone de propagation 19 comprend un deuxième barreau diélectrique 72 délimité dans la couche inférieure 16, le deuxième barreau diélectrique 72 étant à l’écart du premier barreau diélectrique 28. Thus, after assembly, the propagation zone 19 comprises a second dielectric bar 72 delimited in the lower layer 16, the second dielectric bar 72 being away from the first dielectric bar 28.
En variante du dixième composant 10J, le deuxième barreau diélectrique 72 n’est pas centré sur le plan médian des bords latéraux 36. En particulier, le deuxième barreau diélectrique 72 est latéralement décalé par rapport au plan médian des bords latéraux 36. As a variant of the tenth component 10J, the second dielectric bar 72 is not centered on the median plane of the lateral edges 36. In particular, the second dielectric bar 72 is laterally offset from the median plane of the lateral edges 36.
Les frontières latérales inférieures 82 sont alors dépourvues de symétrie par rapport au plan médian des bords latéraux 36. The lower lateral boundaries 82 are then devoid of symmetry with respect to the median plane of the lateral edges 36.
Un onzième composant 10K selon l’invention va maintenant être décrit en regard de la figure 16. An eleventh component 10K according to the invention will now be described with reference to FIG.
Le onzième composant 10K diffère du neuvième composant 101 en ce que ledit barreau diélectrique 28 est un premier barreau diélectrique 28. The eleventh component 10K differs from the ninth component 101 in that said dielectric bar 28 is a first dielectric bar 28.
Le guide d'onde 12 comprend en outre un deuxième barreau diélectrique 72 disposé dans la zone de propagation 19 et délimité dans la couche supérieure 14, à l’écart du premier barreau diélectrique 28. The waveguide 12 further comprises a second dielectric bar 72 disposed in the propagation zone 19 and delimited in the upper layer 14, away from the first dielectric bar 28.
Le deuxième barreau diélectrique 72 est ainsi formé dans la couche supérieure 14, notamment à l’écart du premier barreau diélectrique 28. The second dielectric bar 72 is thus formed in the upper layer 14, in particular away from the first dielectric bar 28.
Le premier barreau diélectrique 28 et le deuxième barreau diélectrique 72 sont chacun formés dans la sous-couche centrale 26A de la couche supérieure 14 et sont respectivement délimités par une partie de la sous-couche supérieure 22A électriquement conductrice de la couche supérieure 14 et, latéralement entre une frontière latérale supérieure intérieure 86 et une frontière latérale supérieure extérieure 88. The first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72 are each formed in the central sub-layer 26A of the upper layer 14 and are respectively defined by a portion of the upper sub-layer 22A electrically conductive of the upper layer 14 and laterally between an inner upper lateral border 86 and an outer upper lateral boundary 88.
Le premier barreau diélectrique 28 et le deuxième barreau diélectrique 72 débouchent chacun au moins en partie sur la cavité 32. The first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72 each open at least partly on the cavity 32.
Comme illustré sur la figure 16, le premier barreau diélectrique 28 et le deuxième barreau diélectrique 72 présentent chacun une surface 90A, 90B délimitant la cavité 32. As illustrated in FIG. 16, the first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72 each have a surface 90A, 90B delimiting the cavity 32.
Entre une frontière latérale supérieure intérieure 86 et la frontière latérale supérieure extérieure 88 qui lui est adjacente, la couche supérieure 14 est dépourvue de sous-couche inférieure 24A, dans au moins une partie de la couche supérieure 14. Par « une frontière latérale supérieure intérieure et une frontière latérale supérieure extérieure adjacentes », on entend qu’aucune frontière latérale supérieure intérieure 86 n’est interposée entre lesdites frontières. Between an inner upper lateral boundary 86 and the outer upper lateral boundary 88 adjacent thereto, the upper layer 14 is devoid of lower sub-layer 24A, in at least a portion of the upper layer 14. By "an inner upper lateral and an adjacent outer upper lateral boundary" is meant that no inner upper lateral boundary 86 is interposed between said boundaries .
Comme dans le premier composant 10A, la zone de propagation 19 est délimitée par la sous-couche supérieure 22B électriquement conductrice de la couche inférieure 16 et les deux frontières latérales centrales 30 aménagées chacune dans la couche centrale 18 et espacées l’une de l’autre. As in the first component 10A, the propagation zone 19 is delimited by the upper electrically conductive sub-layer 22B of the lower layer 16 and the two central lateral boundaries 30 each arranged in the central layer 18 and spaced apart from one another. other.
En outre, dans le onzième composant 10K, la zone de propagation 19 est délimitée par la partie de la sous-couche supérieure 22A de la couche supérieure 14 s’étendant au-dessus du premier barreau diélectrique 28 et du deuxième barreau diélectrique 72, par une partie de la sous-couche inférieure 24A électriquement conductrice de la couche supérieure 14, et par les frontières latérales supérieures intérieures 86 et par les frontières latérales supérieures extérieures 88, les frontières latérales supérieures intérieures 86 et extérieures 88 joignant lesdites parties. In addition, in the eleventh component 10K, the propagation zone 19 is delimited by the portion of the upper sub-layer 22A of the upper layer 14 extending above the first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72, by a portion of the electrically conductive bottom sublayer 24A of the top layer 14, and the inner upper side boundaries 86 and the outer upper side boundaries 88, the inner upper 86 and outer side boundaries 88 joining said portions.
Les frontières latérales supérieures intérieures 86 et extérieures 88 sont propres à empêcher le passage d’une onde électromagnétique présentant une longueur d’onde supérieure ou égale à la longueur d’onde minimale prédéterminée. The inner upper 86 and outer 88 lateral boundaries are adapted to prevent the passage of an electromagnetic wave having a wavelength greater than or equal to the predetermined minimum wavelength.
Les frontières latérales supérieures intérieures 86 et extérieures 88 sont aménagées chacune dans la couche supérieure 14. The upper internal lateral 86 and outer 88 boundaries are each arranged in the upper layer 14.
Les frontières latérales supérieures intérieures 86 et extérieures 88 s’étendent parallèlement à l’axe de propagation X-X et sont ici parallèles l’une par rapport à l’autre. The inner upper 86 and outer 88 lateral boundaries extend parallel to the X-X propagation axis and are here parallel to each other.
Elles s’étendent notamment sur toute l’épaisseur de la couche supérieure 14. They extend in particular over the entire thickness of the upper layer 14.
Les frontières latérales supérieures intérieures 86 et extérieures 88 sont espacées les unes des autres. The inner upper 86 and outer 88 lateral boundaries are spaced from each other.
Les frontières latérales supérieures intérieures 86 et extérieures 88 connectent respectivement électriquement la sous-couche inférieure 24A de la couche supérieure 14 et la sous-couche supérieure 22A de la couche supérieure 14 entre elles. The upper internal 86 and outer 88 lateral boundaries electrically connect the lower sub-layer 24A of the upper layer 14 and the upper sub-layer 22A of the upper layer 14 respectively.
Les frontières latérales supérieures extérieures 88 et les frontières latérales centrales 30 connectent électriquement la sous-couche supérieure 22B de la couche inférieure 16 à la sous-couche supérieure 22A de la couche supérieure 14, respectivement de part et d’autre de la cavité 32. The outer upper lateral boundaries 88 and the central lateral boundaries 30 electrically connect the upper sub-layer 22B of the lower layer 16 to the upper sub-layer 22A of the upper layer 14, respectively on either side of the cavity 32.
Dans l’exemple illustré sur la figure 16, les frontières latérales supérieures extérieures 88 sont respectivement disposées dans le prolongement des frontières latérales centrales 30. En variante, elles sont latéralement décalées par rapport aux frontières latérales centrales 30. Les frontières latérales supérieures extérieures 88 sont ici symétriques l’une de l’autre par rapport au plan médian des bords latéraux 36. In the example illustrated in FIG. 16, the outer upper lateral boundaries 88 are respectively arranged in the extension of the central lateral borders 30. In a variant, they are laterally offset with respect to the central lateral boundaries 30. The outer upper lateral boundaries 88 are here symmetrical to each other with respect to the median plane of the lateral edges 36.
Les frontières latérales supérieures intérieures 86 sont disposées entre les frontières latérales supérieures extérieures 88. The inner upper lateral boundaries 86 are disposed between the outer upper lateral boundaries 88.
Les frontières latérales supérieures intérieures 86 sont ici symétriques l’une de l’autre par rapport au plan médian des bords latéraux 36. The inner upper lateral boundaries 86 are here symmetrical to each other with respect to the median plane of the lateral edges 36.
Le premier barreau diélectrique 28 et le deuxième barreau diélectrique 72 sont chacun latéralement décalés par rapport au plan médian des bords latéraux 36. The first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72 are each laterally offset from the median plane of the lateral edges 36.
Dans l’exemple illustré sur la figure 16, en projection sur la surface supérieure 20B de la couche inférieure 16, les frontières latérales supérieures intérieures 86 sont disposées à l’écart et entre les bords latéraux 36. In the example illustrated in FIG. 16, in projection on the upper surface 20B of the lower layer 16, the inner upper lateral boundaries 86 are disposed apart and between the lateral edges 36.
La sous-couche inférieure 24A de la couche supérieure 14 connecte électriquement les frontières latérales supérieures intérieures 86 entre elles. The lower sub-layer 24A of the upper layer 14 electrically connects the inner upper lateral boundaries 86 to each other.
Entre les frontières latérales supérieures intérieures 86, la sous-couche inférieure 24A de la couche supérieure 14 est continue. Par « continue », on entend que la sous- couche inférieure 24A de la couche supérieure 14 est dépourvue d’ouverture traversante. Between the inner upper lateral boundaries 86, the lower sub-layer 24A of the upper layer 14 is continuous. By "continuous" is meant that the lower sub-layer 24A of the upper layer 14 is devoid of through opening.
Dans le mode de réalisation de la figure 16, chacune des frontières latérales supérieures intérieures 86 et extérieures 88 comprend une rangée de vias 34 électriquement conducteurs, aménagés à travers la couche supérieure 14. Plus précisément, chaque via s’étend selon la direction Z-Z, en traversant la couche supérieure 14. In the embodiment of FIG. 16, each of the inner and outer upper lateral boundaries 86 comprises a row of electrically conductive vias 34 formed through the top layer 14. More precisely, each via extends in the ZZ direction, crossing the upper layer 14.
Chaque via connecte électriquement la sous-couche inférieure 24A de la couche supérieure 14 et la sous-couche supérieure 22A de la couche supérieure 14 entre elles. Each via electrically connects the lower sub-layer 24A of the upper layer 14 and the upper sub-layer 22A of the upper layer 14 between them.
L’écartement entre deux vias 34 successifs d’une frontière latérale supérieure intérieure 86 ou extérieure 88 est inférieur à la longueur d’onde minimale prédéterminée, notamment inférieur à un dixième de la longueur d’onde minimale prédéterminée, de préférence inférieur à un vingtième de la longueur d’onde minimale prédéterminée. The spacing between two successive vias 34 of an upper internal lateral 86 or outer 88 border is less than the predetermined minimum wavelength, in particular less than one tenth of the predetermined minimum wavelength, preferably less than one twentieth the predetermined minimum wavelength.
Un onzième procédé relatif à la fabrication du onzième composant 10K va maintenant être décrit. An eleventh method relating to the manufacture of the eleventh component 10K will now be described.
Le onzième procédé diffère du neuvième procédé en ce que l’étape de fourniture de la couche supérieure 14 comprend la réalisation du premier barreau diélectrique 28 et la réalisation du deuxième barreau diélectrique 72. The eleventh method differs from the ninth method in that the step of providing the upper layer 14 comprises the production of the first dielectric bar 28 and the production of the second dielectric bar 72.
L’étape de réalisation comprend l’implémentation des frontières latérales supérieures intérieures 86 et extérieures 88 dans la couche supérieure 14, et la suppression d’au moins une partie de la sous-couche inférieure électriquement conductrice de la couche initiale supérieure s’étendant entre les frontières latérales supérieures intérieures 86 et extérieures 88 adjacentes les unes aux autres. The realization step comprises the implementation of the upper internal 86 and outer 88 lateral boundaries in the upper layer 14, and the removal of at least a portion of the electrically lower sub-layer. conductor of the upper initial layer extending between the inner upper 86 and outer 88 lateral boundaries adjacent to each other.
Les parties de la sous-couche centrale diélectrique de la couche initiale supérieure délimitées entre les frontières latérales supérieures intérieure 86 et extérieure 88 adjacentes forment le premier barreau diélectrique 28 et le deuxième barreau diélectrique 72. The portions of the dielectric central sub-layer of the upper initial layer delimited between the inner upper 86 and outer 88 outer lateral boundaries form the first dielectric bar 28 and the second dielectric bar 72.
Un douzième composant 10L selon l’invention va maintenant être décrit en regard de la figure 17. A twelfth component 10L according to the invention will now be described with reference to FIG. 17.
Le douzième composant 10L diffère du onzième composant 10K en ce que le guide d'onde 12 comprend en outre un autre barreau diélectrique 28, ledit autre barreau diélectrique 28 étant disposé dans la cavité 32, à l’écart des bords latéraux 36 de la cavité 32. The twelfth component 10L differs from the eleventh component 10K in that the waveguide 12 further comprises another dielectric bar 28, said other dielectric bar 28 being disposed in the cavity 32, away from the lateral edges 36 of the cavity 32.
Ledit autre barreau diélectrique 28 est similaire au barreau diélectrique du premier composant 10A. Said other dielectric bar 28 is similar to the dielectric bar of the first component 10A.
Le douzième composant 10L permet d’élargir la bande monomode et d’obtenir également des caractéristiques de propagation intéressante pour le domaine d’application radiofréquences. The twelfth component 10L makes it possible to enlarge the monomode band and also to obtain propagation characteristics of interest for the radiofrequency domain of application.
Un douzième procédé relatif à la fabrication du douzième composant 10L va maintenant être décrit. A twelfth process relating to the manufacture of the twelfth component 10L will now be described.
Le douzième procédé diffère du onzième procédé en ce qu’il comprend en outre une étape de réalisation de l’autre barreau diélectrique 28. The twelfth method differs from the eleventh method in that it further comprises a step of producing the other dielectric bar 28.
Cette étape de réalisation de l’autre barreau diélectrique 28 est sensiblement similaire à l’étape de réalisation du barreau diélectrique du premier procédé. This step of producing the other dielectric bar 28 is substantially similar to the step of producing the dielectric bar of the first method.
Les modes de réalisation décrits ci-dessus peuvent être combinés suivant toutes combinaisons techniquement possibles. The embodiments described above can be combined in any technically possible combination.
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