[go: up one dir, main page]

EP3133184B1 - Verfahren zum ausbilden einer schicht mit hoher lichttransmission und/oder niedriger lichtreflexion - Google Patents

Verfahren zum ausbilden einer schicht mit hoher lichttransmission und/oder niedriger lichtreflexion Download PDF

Info

Publication number
EP3133184B1
EP3133184B1 EP16184261.2A EP16184261A EP3133184B1 EP 3133184 B1 EP3133184 B1 EP 3133184B1 EP 16184261 A EP16184261 A EP 16184261A EP 3133184 B1 EP3133184 B1 EP 3133184B1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
layer
substrate
deposition
deposited
gradient
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
EP16184261.2A
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
EP3133184A1 (de
Inventor
Manuela Junghähnel
Thomas Preussner
Ullrich Hartung
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Original Assignee
Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV filed Critical Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Priority to PL16184261T priority Critical patent/PL3133184T3/pl
Publication of EP3133184A1 publication Critical patent/EP3133184A1/de
Application granted granted Critical
Publication of EP3133184B1 publication Critical patent/EP3133184B1/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
    • C03C17/23—Oxides
    • C03C17/245—Oxides by deposition from the vapour phase
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00436—Shaping materials, i.e. techniques for structuring the substrate or the layers on the substrate
    • B81C1/00444—Surface micromachining, i.e. structuring layers on the substrate
    • B81C1/00468—Releasing structures
    • B81C1/00476—Releasing structures removing a sacrificial layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/006—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with materials of composite character
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/06—Glass compositions containing silica with more than 90% silica by weight, e.g. quartz
    • C03C3/061—Glass compositions containing silica with more than 90% silica by weight, e.g. quartz by leaching a soluble phase and consolidating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/081—Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/10—Glass or silica
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C23C14/352—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering using more than one target
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • C23C14/5826—Treatment with charged particles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • C23C14/5873—Removal of material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/11—Anti-reflection coatings
    • G02B1/113—Anti-reflection coatings using inorganic layer materials only
    • G02B1/115—Multilayers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2201/00—Glass compositions
    • C03C2201/06—Doped silica-based glasses
    • C03C2201/30—Doped silica-based glasses containing metals
    • C03C2201/32—Doped silica-based glasses containing metals containing aluminium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2201/00—Glass compositions
    • C03C2201/06—Doped silica-based glasses
    • C03C2201/30—Doped silica-based glasses containing metals
    • C03C2201/40—Doped silica-based glasses containing metals containing transition metals other than rare earth metals, e.g. Zr, Nb, Ta or Zn
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/40—Coatings comprising at least one inhomogeneous layer
    • C03C2217/425—Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a porous layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/70—Properties of coatings
    • C03C2217/73—Anti-reflective coatings with specific characteristics
    • C03C2217/732—Anti-reflective coatings with specific characteristics made of a single layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/90—Other aspects of coatings
    • C03C2217/91—Coatings containing at least one layer having a composition gradient through its thickness
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
    • C03C2218/32—After-treatment
    • C03C2218/328—Partly or completely removing a coating
    • C03C2218/33—Partly or completely removing a coating by etching

Definitions

  • the invention relates to a method for forming a layer on a substrate which brings about an increase in light transmission and / or a reduction in light reflection.
  • An anti-reflective coating is often implemented by depositing a number of sub-layers on top of each other, in which sub-layers with a low refractive index and sub-layers with a high refractive index alternate ( DE 10 2005 015 631 A1 ).
  • the deposition of several sub-layers either requires a relatively high expenditure of time if a substrate is fed past two coating stations in multiple passages for the deposition of the two different types of sub-layers, or an increased outlay in terms of equipment if the substrate passes a number corresponding to the number of sub-layers in one pass is passed by coating stations.
  • a method for depositing an anti-reflective coating in which a porous layer made of a metal oxide or a mixed metal oxide is deposited by means of a sol-gel method.
  • the pores within the layer have the effect that radiation incident on the layer is reflected at the pore boundaries at different angles, which leads to an anti-reflective coating.
  • the pores in the layer also reduce the transmission, which limits the range of applications for this method.
  • US 2014/0272127 A1 For an optically effective layer, it is proposed to deposit a sol-gel matrix and to detach organic microparticles from the sol-gel matrix by the action of heat, whereby a porous and thus rough surface is created.
  • Methods for depositing a porous layer are in DE 10 2005 053 262 A1 disclosed.
  • a mixed layer of two different materials is first deposited with a gradient in the course of the layer thickness and, after the layer has been deposited, a material is removed from the mixed layer, for example by evaporation.
  • Methods for depositing a gradient layer are also off DE 10 2004 014 323 A1 known.
  • a rough TCO layer which can consist of zinc oxide, for example, is deposited first.
  • the elevations of the rough TCO layer are then increased by subsequent layer deposition processes. So that only the elevations of the rough TCO layer are covered with new layer material, masking processes are required which increase the complexity of such a procedure.
  • the invention is therefore based on the technical problem of creating a method for forming a layer with high light transmission and / or reduced light reflection with a high bandwidth, by means of which the disadvantages from the prior art can be overcome.
  • the solution to the technical problem results from subjects having the features of claim 1. Further advantageous embodiments of the invention emerge from the dependent claims.
  • a layer with high light transmission and / or low light reflection is formed on a substrate by first depositing the layer as a mixed layer of a material A and a material B.
  • the layer is formed in the course of the layer thickness with a gradient in such a way that the material B has the smallest proportion of the layer material on the substrate surface and the highest proportion of the layer material on the layer surface.
  • the material B is at least partially removed from the layer.
  • care must be taken that the structure of material A, which has formed within the gradient layer, is not damaged as far as possible.
  • a jagged structure is created which has most of the layer material directly on the substrate surface, which becomes less and less in area towards the layer surface.
  • Such a jagged structure causes a reduced light reflection and at the same time can increase the light transmission in a light-transparent substrate.
  • Various processes can be used to deposit the gradient layer.
  • Wet chemical Deposition processes can also be carried out for this, as can vacuum coating processes, of which, for example, processes of chemical vapor deposition (also called chemical vapor deposition or CVD for short) or physical vapor deposition (also called physical vapor deposition or shortened PVD) can be used.
  • CVD chemical vapor deposition
  • PVD physical vapor deposition
  • co-sputtering or co-evaporation are particularly suitable because these deposition processes can be used to set a continuously running layer gradient with dynamic coating of a substrate.
  • the layer gradient can also be set in steps in the course of the layer thickness.
  • the present invention is explained in more detail below using an exemplary embodiment.
  • the Fig. 1 shows a schematic representation of a device by means of which a gradient layer can be deposited according to the invention.
  • the device comprises a vacuum chamber 1 through which a light-transparent substrate 2 made of glass is moved in the direction of the arrow.
  • the substrate 2 is first moved over a magnetron 3 and then over a magnetron 4.
  • a material is selected as material A with a refractive index that is as close as possible to the refractive index of the substrate.
  • material A there is always a requirement that material A must withstand the process of removing material B that follows the layer deposition.
  • the substrate 2 consists of glass in the exemplary embodiment, conductively doped silicon dioxide, which has a similar refractive index to the glass substrate 2, was selected as material A.
  • compounds containing silicon oxide are also suitable for this purpose.
  • Aluminum-zinc oxide (AZO) was chosen as material B.
  • other zinc oxide-containing compounds or zinc oxide can also be used as material B, for example.
  • the magnetron 3 is equipped with a target 5 made of silicon dioxide and the magnetron 4 with a target 6 made of AZO.
  • the magnetron 3 and the magnetron 4 are electrically connected to a bipolar pulsing power supply device 7 and are in this way switched alternately and in opposite directions as the cathode and anode of a magnetron discharge.
  • the working gas argon is admitted into the vacuum chamber 1 through an inlet 8.
  • the magnetrons 3 and 4 are aligned with one another in such a way that the particle clouds of the particles sputtered by the targets 5 and 6 partially overlap before the particles hit the Substrate 2 are deposited.
  • the deposition of a gradient layer on the moving substrate 2 leads to the deposition of a gradient layer on the moving substrate 2 in such a way that initially exclusively silicon dioxide is deposited on the surface of the substrate 2.
  • the layer then also has a proportion of AZO which increases continuously with increasing layer thickness and finally amounts to 100% on the layer surface.
  • the gradient layer is deposited with a thickness of 1 ⁇ m.
  • the layer materials silicon dioxide and AZO mentioned in the exemplary embodiment are only exemplary and do not limit the range of materials for material A and material B.
  • the only restriction for material B is that it must be at least partially removable from a gradient layer deposited according to the invention using known method steps without significantly destroying the layer structure of material A formed in the gradient layer.
  • the material A is limited in that it has to withstand the process step of removing the material B from the gradient layer. It is advantageous if the material A also has a refractive index that comes as close as possible to the refractive index of the substrate.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ausbilden einer Schicht auf einem Substrat, welche eine Erhöhung der Lichttransmission und/oder eine Verringerung der Lichtreflexion bewirkt.
  • Bei einer Vielzahl optischer Anwendungen ist es erforderlich, ein Substrat mit einer Entspiegelungsschicht zu versehen. Eine Entspiegelungsschicht wird oftmals realisiert, indem eine Anzahl von Teilschichten übereinander abgeschieden wird, bei denen sich Teilschichten mit niedrigem Brechungsindex und Teilschichten mit hohem Brechungsindex abwechseln ( DE 10 2005 015 631 A1 ). Das Abscheiden mehrerer Teilschichten erfordert jedoch entweder einen relativ hohen Zeitaufwand, wenn ein Substrat im Mehrfachdurchlauf an zwei Beschichtungsstationen für das Abscheiden der zwei unterschiedlichen Teilschichtarten vorbeigeführt wird oder aber einen erhöhten apparativen Aufwand, wenn das Substrat in einem Durchlauf an einer der Anzahl der Teilschichten entsprechenden Anzahl von Beschichtungsstationen vorbeigeführt wird.
  • Aus DE 10 2005 020 168 A1 ist ein Verfahren zum Abscheiden einer Entspiegelungsschicht bekannt, bei welchem eine poröse Schicht aus einem Metall- oder einem Metallmischoxid mittels eines Sol-Gel-Verfahrens abgeschieden wird. Die Poren innerhalb der Schicht bewirken, dass auf die Schicht auftreffende Strahlung an den Porengrenzen mit unterschiedlichen Winkeln reflektiert wird, was zu einer Entspiegelung führt. Gleichzeitig bewirken die Poren in der Schicht aber auch eine Verringerung der Transmission, was die Anwendungsvielfalt dieses Verfahrens einschränkt. In US 2014/0272127 A1 wird für eine optisch wirksame Schicht vorgeschlagen, eine Sol-Gel-Matrix abzuscheiden und organische Mikropartikel aus der Sol-Gel-Matrix durch eine Hitzeeinwirkung herauszulösen, wodurch eine poröse und somit raue Oberfläche entsteht. Verfahren zum Abscheiden einer porösen Schicht sind in DE 10 2005 053 262 A1 offenbart. Hierbei wird zunächst eine Mischschicht aus zwei verschiedenen Materialien mit einem Gradienten im Schichtdickenverlauf abgeschieden und nach der Schichtabscheidung ein Material beispielsweise durch Herausdampfen aus der Mischschicht entfernt. Verfahren zum Abscheiden einer Gradientenschicht sind auch aus DE 10 2004 014 323 A1 bekannt.
  • Eine weitere Alternative zum Reduzieren der Grenzflächenreflexion von Kunststoffsubstraten ist in DE 102 41 708 A1 beschrieben. Bei diesem Verfahren wird eine Brechzahlgradientenschicht an einer Substratoberfläche ausgebildet, indem ein Polymersubstrat mit einem lonenbeschuss beaufschlagt wird. Derartige Verfahren lassen sich jedoch oftmals nicht bei großflächigen Substraten, wie beispielsweise Kunststofffolien, anwenden.
  • In DE 10 2014 100 769 A1 werden Verfahren zum Herstellen eines reflexionsmindernden Schichtsystems offenbart, bei dem zunächst eine erste Schicht, anschließend eine anorganische, poröse zweite Schicht und abschließend eine organische Deckschicht abgeschieden werden, wobei in der organischen Deckschicht mittels eines Plasmaätzprozesses eine Nanostruktur erzeugt wird.
  • Verfahren zum Erhöhen der Oberflächenrauigkeit einer TCO-Schicht sind in US 2015/0171261 A1 beschrieben. Hierbei wird zunächst eine raue TCO-Schicht, die beispielsweise aus Zinkoxid bestehen kann, abgeschieden. Anschließend werden die Erhebungen der rauen TCO-Schicht durch nachfolgende Schichtabscheideprozesse erhöht. Damit nur die Erhebungen der rauen TCO-Schicht mit neuem Schichtmaterial bedeckt werden, sind Maskierungsprozesse erforderlich, welche den Aufwand einer solchen Verfahrensweise erhöhen.
  • Der Erfindung liegt daher das technische Problem zugrunde, ein Verfahren zum Ausbilden einer Schicht mit hoher Lichttransmission und/oder reduzierter Lichtreflexion hoher Bandbreite zu schaffen, mittels dessen die Nachteile aus dem Stand der Technik überwunden werden können. Insbesondere soll es mit dem erfindungsgemäßen Verfahren auch möglich sein, die Schicht auf großflächigen Substraten auszubilden. Die Lösung des technischen Problems ergibt sich durch Gegenstände mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1. Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
  • Beim erfindungsgemäßen Verfahren wird eine Schicht mit hoher Lichttransmission und/ oder niedriger Lichtreflexion auf einem Substrat ausgebildet, indem die Schicht zunächst als Mischschicht eines Materials A und eines Materials B abgeschieden wird. Dabei wird die Schicht im Schichtdickenverlauf mit einem Gradienten derart ausgebildet, dass das Material B an der Substratoberfläche den geringsten Anteil und an der Schichtoberfläche den höchsten Anteil am Schichtmaterial aufweist. Nach dem Abscheiden der Schicht wird das Material B zumindest teilweise aus der Schicht entfernt. Beim Entfernen des Materials B aus der Schicht ist darauf zu achten, dass die Struktur des Materials A, die sich innerhalb der Gradientenschicht ausgebildet hat, möglichst nicht beschädigt wird. Durch das zumindest teilweise Entfernen des Materials B aus der Gradientenschicht entsteht eine zerklüftete Struktur, welche unmittelbar an der Substratoberfläche das meiste Schichtmaterial aufweist, das zur Schichtoberfläche hin flächenbezogen immer weniger wird.
  • Eine solche zerklüftete Struktur bewirkt eine verminderte Lichtreflexion und kann gleichzeitig die Lichttransmission bei einem lichttransparenten Substrat erhöhen. Zum Abscheiden der Gradientenschicht können verschiedene Prozesse angewendet werden. Nasschemische Abscheideprozesse sind hierfür ebenso durchführbar wie auch Vakuumbeschichtungsprozesse, von denen beispielsweise Prozesse der chemischen Gasphasenabscheidung (auch Chemical Vapor Deposition oder verkürzt CVD genannt) oder der physikalischen Gasphasenabscheidung (auch Physical Vapor Deposition oder verkürzt PVD genannt) anwendbar sind. Von den PVD-Prozessen sind insbesondere das co-Sputtern oder auch das co-Verdampfen besonders geeignet, weil mit diesen Abscheideprozessen ein kontinuierlich verlaufender Schichtgradient bei einer dynamischen Beschichtung eines Substrates sehr genau einstellbar ist. Alternativ kann beim erfindungsgemäßen Verfahren der Schichtgradient aber auch stufenförmig im Schichtdickenverlauf eingestellt werden.Dies kann beispielsweise realisiert werden, indem verschiedene Teilschichten mit unterschiedlichem Mischungsverhältnis der Materialen A und B übereinander auf einem Substrat abgeschieden werden. Dies kann beispielsweise realisiert werden, indem verschiedene Teilschichten mit unterschiedlichem Mischungsverhältnis der Materialen A und B übereinander auf einem Substrat abgeschieden werden.
  • Auch beim zumindest teilweisen Entfernen des Materials B aus der Gradientenschicht können unterschiedliche Prozesse angewendet werden. In Abhängigkeit der verwendeten Materialien A und B kann hierfür das chemische Ätzen ebenso geeignet sein, wie auch das Plasmaätzen oder das Verwenden eines Lösungsmittels.
  • Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend anhand eines Ausführungsbeispiels näher erläutert. Die Fig. 1 zeigt eine schematische Darstellung einer Vorrichtung, mittels der eine Gradientenschicht erfindungsgemäß abgeschieden werden kann. Die Vorrichtung umfasst eine Vakuumkammer 1, durch die ein lichttransparentes Substrat 2 aus Glas in Pfeilrichtung hindurchbewegt wird. Beim Durchführen durch die Vakuumkammer 1 wird das Substrat 2 erst über ein Magnetron 3 und anschließend über eine Magnetron 4 hinwegbewegt. Nach dem erfindungsgemäßen Behandeln des Substrates 2 soll dieses eine verminderte Lichtreflexion und eine erhöhte Lichttransmission aufweisen. Es ist vorteilhaft, wenn als Material A ein Material mit einem Brechungsindex ausgewählt wird, der möglichst nahe am Brechungsindex des Substrates liegt. Gleichzeitig besteht hinsichtlich des Materials A immer auch eine Anforderung dahingehend, dass das Material A dem nach der Schichtabscheidung folgenden Prozess des Entfernens des Materials B standhalten muss. Da beim Ausführungsbeispiel das Substrat 2 aus Glas besteht, wurde leitfähig dotiertes Siliziumdioxid, welches einen ähnlichen Brechungsindex wie das Glassubstrat 2 aufweist, als Material A gewählt. Alternativ sind hierfür auch siliziumoxidhaltige Verbindungen geeignet. Als Material B wurde Aluminium-Zinkoxid (AZO) gewählt. Als Material B sind aber beispielsweise auch andere zinkoxidhaltige Verbindungen oder Zinkoxid verwendbar.
  • Das Magnetron 3 ist im Ausführungsbeispiel mit einem Target 5 aus Siliziumdioxid und das Magnetron 4 mit einem Target 6 aus AZO bestückt. Das Magnetron 3 und das Magnetron 4 sind elektrisch mit einer bipolar pulsenden Stromversorgungseinrichtung 7 verbunden und werden auf diese Weise abwechselnd und gegenläufig als Kathode bzw. Anode einer Magnetronentladung geschaltet. Zum Betreiben der Magnetrons 3 und 4 wird durch einen Einlass 8 das Arbeitsgas Argon in die Vakuumkammer 1 eingelassen. Dabei sind die Magnetrons 3 und 4 derart zueinander ausgerichtet, dass sich die Partikelwolken der von den Targets 5 und 6 abgestäubten Partikel teilweise überlagern, bevor die Partikel auf dem Substrat 2 abgeschieden werden. Dieses co-Sputtern der Targets 5 und 6 mit den teilweise überlagerten Partikelwolken führt zum Abscheiden einer Gradientenschicht auf dem bewegten Substrat 2 derart, dass auf der Oberfläche des Substrats 2 zunächst ausschließlich Siliziumdioxid abgeschieden wird. Mit aufwachsender Schichtdicke weist die Schicht dann auch einen Anteil von AZO auf, der mit zunehmender Schichtdicke kontinuierlich ansteigt und an der Schichtoberfläche schließlich 100 % beträgt. Beim Ausführungsbeispiel wird die Gradientenschicht mit einer Dicke von 1 µm abgeschieden.
  • Für das erfindungsgemäße Entfernen des AZO aus der abgeschiedenen Gradientenschicht wurde chemisches Ätzen mittels einer 0,5 prozentigen Salzsäurelösung gewählt. Nach wenigen Minuten in einer solchen Salzsäurelösung ist das AZO größtenteils aus der Gradientenschicht entfernt, während die in der Gradientenschicht ausgebildete Struktur des Siliziumdioxid nahezu vollständig erhalten bleibt. Die auf diese Weise erzeugte Restschicht mit einer Dicke von 0,6 µm und mit einer zerklüfteten Schichtstruktur führt zu einem Verbund aus Substrat 2 und darauf abgeschiedener Schicht mit einer höheren Lichttransmission und niedrigerer Lichtreflexion gegenüber dem unbeschichteten Substrat 2.
  • Es sei ausdrücklich erwähnt, dass die im Ausführungsbeispiel genannten Schichtmaterialien Siliziumdioxid und AZO lediglich Beispielcharakter haben und die Materialpalette für Material A und Material B nicht beschränken. Für das Material B besteht eine Einschränkung lediglich dahingehend, dass es aus einer erfindungsgemäß abgeschiedenen Gradientenschicht mit bekannten Verfahrensschritten zumindest teilweise entfernbar sein muss ohne dabei die Schichtstruktur des in der Gradientenschicht ausgebildeten Materials A wesentlich zu zerstören. Das Material A ist dadurch limitiert, dass es dem Verfahrensschritt des Entfernens des Materials B aus der Gradientenschicht widerstehen muss. Es ist vorteilhaft, wenn das Material A zusätzlich auch noch einen Brechungsindex aufweist, der dem Brechungsindex des Substrates möglichst nahe kommt.

Claims (10)

  1. Verfahren zum Ausbilden einer Schicht auf einem Substrat (2), welche die Lichttransmission des Substrates (2) erhöht und/oder dessen Lichtreflexion verringert, wobei die Schicht als Mischschicht eines Materials A und eines Materials B abgeschieden wird, wobei die Schicht im Schichtdickenverlauf mit einem Gradienten derart ausgebildet wird, dass das Material B an der Substratoberfläche den geringsten Anteil und an der Schichtoberfläche den höchsten Anteil am Schichtmaterial aufweist, und dass nach dem Abscheiden der Schicht das Material B zumindest teilweise aus der Schicht entfernt wird, dadurch gekennzeichnet, dass Zinkoxid oder eine zinkoxidhaltige Verbindung als Material B verwendet wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zum Abscheiden der Schicht ein nasschemischer Abscheideprozess verwendet wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zum Abscheiden der Schicht ein Vakuumabscheideprozess verwendet wird.
  4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass zum Abscheiden der Schicht ein PVD- oder ein CVD-Prozess verwendet wird.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Material A und das Material B mittels co-Sputtern auf dem Substrat abgeschieden werden, wobei das Substrat eine Relativbewegung gegenüber der Sputtereinrichtung ausführt.
  6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zum Entfernen des Materials B aus der Schicht chemisches Ätzen angewendet wird.
  7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass eine Salzsäurelösung zum chemischen Ätzen verwendet wird.
  8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zum Entfernen des Materials B aus der Schicht Plasmaätzen angewendet wird.
  9. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zum Entfernen des Materials B aus der Schicht ein Lösungsmittel verwendet wird.
  10. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass Siliziumoxid oder eine siliziumoxidhaltige Verbindung als Material A verwendet wird.
EP16184261.2A 2015-08-17 2016-08-16 Verfahren zum ausbilden einer schicht mit hoher lichttransmission und/oder niedriger lichtreflexion Active EP3133184B1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL16184261T PL3133184T3 (pl) 2015-08-17 2016-08-16 Sposób wytwarzania powłoki z wysoką transmitancją światła i/lub niskim odbiciem światła

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102015113542.6A DE102015113542B4 (de) 2015-08-17 2015-08-17 Verfahren zum Ausbilden einer Schicht mit hoher Lichttransmission und/oder niedriger Lichtreflexion

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EP3133184A1 EP3133184A1 (de) 2017-02-22
EP3133184B1 true EP3133184B1 (de) 2020-11-25

Family

ID=56686721

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP16184261.2A Active EP3133184B1 (de) 2015-08-17 2016-08-16 Verfahren zum ausbilden einer schicht mit hoher lichttransmission und/oder niedriger lichtreflexion

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9909208B2 (de)
EP (1) EP3133184B1 (de)
DE (1) DE102015113542B4 (de)
PL (1) PL3133184T3 (de)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CZ2020696A3 (cs) * 2020-12-18 2022-06-29 Fyzikální Ústav Av Čr, V. V. I. Optická polovodivá tenká vrstva, způsob její výroby, zařízení vhodné pro výrobu této vrstvy a čtecí zařízení
WO2023239524A1 (en) * 2022-06-09 2023-12-14 The Penn State Research Foundation Graded index inorganic antireflection coatings produced by magnetron sputtering

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7186569B2 (en) * 2002-08-02 2007-03-06 Unity Semiconductor Corporation Conductive memory stack with sidewall
DE10241708B4 (de) 2002-09-09 2005-09-29 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Reduzierung der Grenzflächenreflexion von Kunststoffsubstraten sowie derart modifiziertes Substrat und dessen Verwendung
US7351607B2 (en) * 2003-12-11 2008-04-01 Georgia Tech Research Corporation Large scale patterned growth of aligned one-dimensional nanostructures
DE102004014323B4 (de) 2004-03-22 2009-04-02 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Verfahren und Anordnung zur Herstellung von Gradientenschichten oder Schichtenfolgen durch physikalische Vakuumzerstäubung
DE102005015631B4 (de) 2005-04-05 2010-12-02 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Verfahren zur Herstellung eines reflexionsvermindernden Kratzschutzschichtsystems für Kunststoffe
DE102005020168A1 (de) 2005-04-28 2006-11-02 Schott Ag Entspiegelungsschicht und Verfahren zu deren Aufbringung
DE102007012103A1 (de) 2005-11-08 2007-11-29 Weinert, Hilmar, Dipl.-Ing. Verfahren zum Herstellen eines Trägers mit poröser Vakuumbeschichtung
DE102005053262B4 (de) 2005-11-08 2008-09-04 Weinert, Hilmar, Dipl.-Ing. Träger mit poröser Vakuumbeschichtung und Verfahren zu seiner Herstellung
US20120107558A1 (en) * 2010-11-01 2012-05-03 Shari Elizabeth Koval Transparent substrate having durable hydrophobic/oleophobic surface
DE102011016881A1 (de) 2011-04-13 2012-10-18 Forschungszentrum Jülich GmbH Ätzlösung sowie Verfahren zur Strukturierung einer Zinkoxidschicht und Zinkoxidschicht
CN103203912B (zh) 2012-01-12 2016-08-24 上海北玻玻璃技术工业有限公司 一种新型azo镀膜玻璃及其制备工艺
CN102856328B (zh) * 2012-10-10 2015-06-10 友达光电股份有限公司 太阳能电池及其制作方法
US9423532B2 (en) 2013-03-12 2016-08-23 Intermolecular, Inc. Anti-reflection coatings with aqueous particle dispersions and methods for forming the same
JP6328984B2 (ja) * 2013-05-22 2018-05-23 日東電工株式会社 両面透明導電性フィルムおよびタッチパネル
DE102013106392B4 (de) 2013-06-19 2017-06-08 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Herstellung einer Entspiegelungsschicht
CN103451609B (zh) 2013-08-30 2016-04-27 中国科学院西安光学精密机械研究所 一种多孔氧化物半导体纳米薄膜制备方法
US20150171261A1 (en) 2013-12-17 2015-06-18 Tel Solar Ag Transparent conductive oxide (tco) layer, and systems, apparatuses and methods for fabricating a transparent conductive oxide (tco) layer
DE102014100769B4 (de) 2014-01-23 2019-07-18 Carl Zeiss Ag Verfahren zur Herstellung eines reflexionsmindernden Schichtsystems und reflexionsminderndes Schichtsystem

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
None *

Also Published As

Publication number Publication date
DE102015113542B4 (de) 2018-08-16
US9909208B2 (en) 2018-03-06
EP3133184A1 (de) 2017-02-22
DE102015113542A1 (de) 2017-02-23
PL3133184T3 (pl) 2021-05-31
US20170051397A1 (en) 2017-02-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2456904B1 (de) Verfahren zum herstellen einer strukturierten beschichtung auf einem substrat
DE10336041A1 (de) Optisches Schichtsystem mit Antireflexeigenschaften
WO2007003502A2 (de) Parylen-beschichtung und verfahren zum herstellen einer parylen-beschichtung
EP3133184B1 (de) Verfahren zum ausbilden einer schicht mit hoher lichttransmission und/oder niedriger lichtreflexion
EP2650703A2 (de) Verfahren zur Herstellung eines reflexionsmindernden Interferenzschichtsystems sowie reflexionsminderndes Interferenzschichtsystem
EP1495153B1 (de) Verfahren zur beschichtung von metalloberflächen
DE102012011277B4 (de) Verfahren zur Ausbildung geschlossener flächiger Schichten aus Graphen auf der Oberfläche eines Substrats und mit dem Verfahren beschichtetes Substrat
WO2009118034A1 (de) Verfahren zur herstellung eines mehrkomponentigen, polymer- und metallhaltigen schichtsystems, vorrichtung und beschichteter gegenstand
WO2010009719A1 (de) Verfahren zum herstellen einer dielektrischen schicht in einem elektroakustischen bauelement sowie elektroakustisches bauelement
EP2699706A1 (de) Verfahren zum abscheiden eines transparenten barriereschichtsystems
DE102006019000A1 (de) Einrichtung und Verfahren zur plasmagestützten Abscheidung von Hartstoffschichten
DE102012100288B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Kunststoffsubstrats mit einer porösen Schicht
EP1737997B1 (de) Vorrichtung zum beidseitigen beschichten von substraten mit einer hydrophoben schicht
EP1294959B1 (de) Verfahren zur herstellung einer multifunktionalen mehrlagen schicht auf einem transparenten kunststoffsubstrat und eine danach hergestellte multifunktionale mehrlagenschicht
EP2699705B1 (de) Verfahren zum abscheiden eines transparenten barriereschichtsystems
DE102016100907B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines reflexionsmindernden Schichtsystems
WO2012113464A1 (de) Reflexionsschichtsystem und verfahren zu dessen herstellung
DE102013206484A1 (de) Transfermaske zur strukturierten Bedampfung und Verfahren unter deren Verwendung
DE112018001685T5 (de) Metallbeschichtung von Gittern zur Verwendung beim lonenstrahlsputtern
DE10201492A1 (de) Optisches Schichtsystem und Verfahren zur haftfesten Beschichtung mit einem optischen Schichtsystem
WO2017029367A1 (de) Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements und optoelektronisches bauelement
DE102020133316A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer gegenüber Wasser stabilisierten Aluminiumoxid-Schicht auf einer Kunststoffoberfläche
WO2021191398A1 (de) Barriereschichtsystem und verfahren zum herstellen eines barriereschichtsystems
DE102014118487A1 (de) Verfahren zum Abscheiden eines transparenten Mehrschichtsystems mit Kratzschutzeigenschaften
DD300743A5 (de) Verfahren zur herstellung haftfester optischer mehrfachschichtsysteme

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE APPLICATION HAS BEEN PUBLISHED

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR

AX Request for extension of the european patent

Extension state: BA ME

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: REQUEST FOR EXAMINATION WAS MADE

17P Request for examination filed

Effective date: 20170819

RBV Designated contracting states (corrected)

Designated state(s): AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR

RIC1 Information provided on ipc code assigned before grant

Ipc: C23C 14/10 20060101ALI20200420BHEP

Ipc: C23C 14/08 20060101ALI20200420BHEP

Ipc: C03C 17/34 20060101ALI20200420BHEP

Ipc: C23C 14/35 20060101AFI20200420BHEP

Ipc: C03C 17/245 20060101ALI20200420BHEP

Ipc: C03C 17/00 20060101ALI20200420BHEP

Ipc: C23C 14/58 20060101ALI20200420BHEP

GRAP Despatch of communication of intention to grant a patent

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOSNIGR1

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: GRANT OF PATENT IS INTENDED

INTG Intention to grant announced

Effective date: 20200828

GRAS Grant fee paid

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOSNIGR3

GRAA (expected) grant

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009210

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE PATENT HAS BEEN GRANTED

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: B1

Designated state(s): AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR

REG Reference to a national code

Ref country code: GB

Ref legal event code: FG4D

Free format text: NOT ENGLISH

REG Reference to a national code

Ref country code: CH

Ref legal event code: EP

REG Reference to a national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R096

Ref document number: 502016011768

Country of ref document: DE

REG Reference to a national code

Ref country code: AT

Ref legal event code: REF

Ref document number: 1338399

Country of ref document: AT

Kind code of ref document: T

Effective date: 20201215

REG Reference to a national code

Ref country code: IE

Ref legal event code: FG4D

Free format text: LANGUAGE OF EP DOCUMENT: GERMAN

REG Reference to a national code

Ref country code: NL

Ref legal event code: MP

Effective date: 20201125

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: GR

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20210226

Ref country code: FI

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20201125

Ref country code: PT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20210325

Ref country code: RS

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20201125

Ref country code: NO

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20210225

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: BG

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20210225

Ref country code: SE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20201125

Ref country code: IS

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20210325

Ref country code: LV

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20201125

REG Reference to a national code

Ref country code: LT

Ref legal event code: MG9D

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: HR

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20201125

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: CZ

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20201125

Ref country code: EE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20201125

Ref country code: LT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20201125

Ref country code: SM

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20201125

Ref country code: SK

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20201125

Ref country code: RO

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20201125

REG Reference to a national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R097

Ref document number: 502016011768

Country of ref document: DE

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: DK

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20201125

PLBE No opposition filed within time limit

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009261

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: NO OPPOSITION FILED WITHIN TIME LIMIT

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: NL

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20201125

Ref country code: AL

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20201125

26N No opposition filed

Effective date: 20210826

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: ES

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20201125

Ref country code: SI

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20201125

REG Reference to a national code

Ref country code: CH

Ref legal event code: PL

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: MC

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20201125

GBPC Gb: european patent ceased through non-payment of renewal fee

Effective date: 20210816

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: LI

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20210831

Ref country code: CH

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20210831

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: IS

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20210325

Ref country code: LU

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20210816

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: IE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20210816

Ref country code: GB

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20210816

REG Reference to a national code

Ref country code: AT

Ref legal event code: MM01

Ref document number: 1338399

Country of ref document: AT

Kind code of ref document: T

Effective date: 20210816

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: AT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20210816

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: HU

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT; INVALID AB INITIO

Effective date: 20160816

P01 Opt-out of the competence of the unified patent court (upc) registered

Effective date: 20230524

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: CY

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20201125

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: MK

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20201125

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: MT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20201125

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: DE

Payment date: 20240819

Year of fee payment: 9

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: BE

Payment date: 20240820

Year of fee payment: 9

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: FR

Payment date: 20240823

Year of fee payment: 9

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: PL

Payment date: 20240807

Year of fee payment: 9

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: IT

Payment date: 20240830

Year of fee payment: 9