DE102005015631A1

DE102005015631A1 - Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines reflexionsvermindernden Kratzschutzschichtsystems für Kunststoffe

Info

Publication number: DE102005015631A1
Application number: DE200510015631
Authority: DE
Inventors: Christoph Dr. Köckert
Original assignee: Von Ardenne Anlagentechnik GmbH
Current assignee: Von Ardenne Anlagentechnik GmbH
Priority date: 2005-04-05
Filing date: 2005-04-05
Publication date: 2006-10-12
Anticipated expiration: 2025-04-06
Also published as: DE102005015631B4

Abstract

Der Erfindung, die ein Verfahren zum Abscheiden eines als Wechselschichtsystem aus dickeren niedrigbrechenden und dünneren hochbrechenden Schichten aufgebauten dielektrischen, reflexionsmindernden Kratzschutzschichtsystems auf die Oberseite eines thermoplastischen Kunststoffsubstrats betrifft, liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren aufzuzeigen, das eine langzeitstabile großflächige Abscheidung des Schichtsystems auf thermoplastischen Kunststoffsubstraten ermöglicht und mindestens gleich gute optische und mechanische Eigenschaften wie das herkömmliche Aufdampfen erzielt. Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren gelöst, bei dem nach einer plasmagestützten Substratvorbehandlung abwechselnd die niedrigbrechenden Schichten mit Hilfe eines reaktiven Magnetron-Sputterprozesses mit hoher Sputterrate abgeschieden werden und die hochbrechenden Schichten mit Hilfe eines reaktiven Magnetron-Sputterprozesses mit geringer Sputterrate abgeschieden werden. Außerdem wird eine Sputteranlage zur Ausführung des erfindungsgemäßen Verfahrens aufgezeigt.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren sowie eine Vorrichtung zum Abscheiden eines dielektrischen, reflexionsmindernden Kratzschutzschichtsystems, das als Wechselschichtsystem aus dickeren niedrigbrechenden und dünneren hochbrechenden Schichten aufgebaut ist, auf die Oberseite eines thermoplastischen Kunststoffsubstrats.
Kunststoffoptiken werden als Linsen in Kameras oder CD-Playern eingesetzt, Displays aus Kunststoff finden sich in Autoradios, GPS-Empfängern oder Telefongeräten. Um störende Reflexe zu vermeiden, müssen diese Bauelemente entspiegelt werden. Damit die Oberflächen nicht verkratzen, müssen sie außerdem gehärtet werden.
Eine der Herausforderungen bei der Abscheidung kratzfester und reflexionsvermindernder Schichtsysteme auf thermoplastischen Kunststoffsubstraten besteht darin, durch geeignete Substratvorbehandlung eine ausreichende Haftfestigkeit zu erzielen und während dieser Vorbehandlung und der eigentlichen Schichtabscheidung das Substrat keinen zu hohen Temperaturen auszusetzen.

Reflexionsreduzierende Schichtsysteme sind beispielsweise in US 4057316 und US 3854796 offenbart. Verfahren zur Abscheidung von Kratzschutzschichten und reflexionsreduzierenden Schichten auf einzelnen Linsen und Brillengläsern sind u. a. aus DE 4338040 und US 6126792 bekannt.

Aus dem "Fraunhofer IOF Jahresbericht 2003" sowie aus DE 100 34 158 A1 sind Schichtsysteme bekannt, in welchen die beiden Funktionen der Kratzfestigkeit und Entspiegelung kombiniert sind. Dabei werden in eine harte, niedrigbrechende Schicht aus beispielsweise Siliziumdioxid dünne Lagen eines hochbrechenden Materials eingebaut, die einen Teil des einfallenden Lichts genau so reflektieren, dass die ursprünglich an der Kunststoffoberfläche reflektierten Lichtstrahlen durch Interferenz ausgelöscht werden. Schwierigkeiten bereitet es dabei, diese AR-hard^® genannten Schichtsysteme bei den für thermoplastische Substrate wie etwa Polymethylmethacrylat (PMMA) zulässigen niedrigen Substrattemperaturen abzuscheiden und dennoch eine haftfeste und umweltbeständige Beschichtung zu erreichen. Dies gelingt bisher mittels eines aus DE 197 52 889 C1 bekannten Aufdampfverfahrens in Kombination mit einer Substratvorbehandlung entsprechend DE 197 03 538 A1 . Dabei wird die PMMA-Oberfläche mittels einer Plasmabehandlung modifiziert, bei der ein Sauerstoff und Wasser enthaltendes Gas zugeführt wird, wodurch sich an der Substratoberfläche Methylen- und Hydroxylgruppen ausbilden, die eine bessere Haftfestigkeit der Schichten ermöglichen. Während der anschließenden Aufdampfung des zuvor benannten Schichtsystems wird die aufwachsende Schicht mit Argonionen beschossen, um das Schichtsystem zu verdichten und eine gute Haftfestigkeit und Umweltbeständigkeit zu erzielen.

Dieses Verfahren eignet sich besonders für kleine Substrate wie einzelne Linsen, Brillengläser oder kleinere Sichtscheiben.

Für andere Sichtscheiben und Displays sind jedoch größere Substratformate vorgegeben bzw. ist es im Hinblick auf eine wirtschaftliche Herstellung kleinerer Sichtscheiben oder Displays für beispielsweise Mobiltelefone wünschenswert, das reflexionsmindernde Kratzschutzschichtsystem großflächig aufzubringen und danach Elemente in dem gewünschten Maß zuzuschneiden.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren sowie eine Vorrichtung zur Herstellung der zuvor benannten reflexionsmindernden Kratzschutzschichtsysteme wie beispielsweise des Schichtsystems aus DE 100 34 158 A1 zur Verfügung zu stellen, die eine langzeitstabile großflächige Abscheidung des Schichtsystems auf thermoplastischen Kunststoffsubstraten ermöglichen und mindestens gleich gute optische und mechanische Eigenschaften wie bei dem herkömmlichen Aufdampfen erzielen.

Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, dass nach einer plasmagestützten Substratvorbehandlung abwechselnd die niedrigbrechenden Schichten mit Hilfe eines reaktiven Magnetron-Sputterprozesses mit hoher Sputterrate abgeschieden werden und die hochbrechenden Schichten mit Hilfe eines reaktiven Magnetron-Sputterprozesses mit geringer Sputterrate abgeschieden werden. Als Substratvorbehandlung ist eine allgemein bekannte Glimmentladung ausreichend.

Die niedrigbrechenden Schichten können erfindungsgemäß vorteilhaft mittels eines IMBAL^®-geregelten reaktiven Mittelfrequenz(MF)-Sputterprozesses mit Doppelmagnetron bei einem Arbeitspunkt im oberen Übergangsbereich einer materialspezifischen Hysteresekurve oder alternativ mittels eines gepulsten reaktiven Gleichstrom(DC)-Sputterprozesses mit Einzelmagnetron abgeschieden werden.

Die hochbrechenden Schichten können erfindungsgemäß vorteilhaft mittels eines intensitätsgeregelten reaktiven MF-Sputterprozesses mit Doppelmagnetron bei einem Arbeitspunkt im unteren Übergangsbereich einer materialspezifischen Hysteresekurve oder alternativ mittels eines reaktiven DC-Sputterprozesses vom keramischen Target mit fest eingestelltem Reaktivgasfluss abgeschieden werden.

Als niedrigbrechende Schichten werden Schichten aus SiO₂ oder MgF₂ in einer Schichtdicke im Bereich von 100 nm bis 250 nm bevorzugt.

Als hochbrechende Schichten können vorteilhaft Schichten aus Oxiden oder Fluoriden von Elementen der IV- oder V. Nebengruppe, beispielsweise TiO₂, Nb₂O₅, Ta₂O₅, ZrO₂, HfO₂ oder ITO in einer Schichtdicke im Bereich von 5 nm bis 15 nm abgeschieden werden.

Der erfindungsgemäße Sputterprozess kann geeignet im Inline-Modus oder im Mehrfach-Überlaufmodus ausgeführt werden.

Die Lösung der erfindungsgemäßen Aufgabe gelingt zudem mit Hilfe einer Vorrichtung zur Ausführung des vorstehend angegebenen Verfahrens, wobei die Vorrichtung eine Inline-Magnetronsputteranlage mit mindestens zwei Sputterquellen umfasst. Die Sputteranlage kann dabei für horizontal oder vertikal angeordnete Substrate vorgesehen sein oder kann eine Magnetronsputteranlage mit rotierendem Target sein.

Vorzugsweise umfasst die erfindungsgemäße Sputteranlage Einrichtungen zur Stabilisierung eines reaktiven Sputterprozesses, beispielsweise Einrichtungen für eine PEM^®- und/oder IMBAL^®-Regelung.

Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht zusammen mit der erfindungsgemäßen Vorrichtung eine langzeitstabile großflächige Abscheidung der kratzfesten Entspiegelungs-Mehrschichtsysteme mit exzellenter Schichtdickengleichmäßigkeit ohne komplizierte Substratvorbehandlung und daher mit geringerem Verfahrensaufwand als bei dem bekannten Aufdampfverfahren und mit gleich guten optischen Schichteigenschaften sowie mindestens gleich guter Haftung und Umweltbeständigkeit.

Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung sind der folgenden detaillierten Beschreibung anhand eines Ausführungsbeispiels sowie den anliegenden Zeichnungen zu entnehmen. Dabei zeigt:
1 qualitativ den Zusammenhang zwischen dem Reaktivgaszufluss und verschiedenen Prozessparameter für einen reaktiven Magnetronsputterprozess; und
2 eine Prinzipskizze einer beispielhaften Sputteranordnung zur Ausführung des erfindungsgemäßen Verfahrens.
Als kostengünstiges Abscheideverfahren, das es gestattet, dünne Schichten großflächig reproduzierbar abzuscheiden, hat sich das Magnetronsputtern technisch etabliert. Hierbei wird ein Niedertemperaturplasma in einem Inertgas, z. B. Argon, genutzt, um ein auf der Kathode liegendes Targetmaterial abzutragen und auf einem gegenüberliegenden Substrat abzuscheiden. Die abzuscheidenden Teilchen werden also im Gegensatz zu CVD-Verfahren, bei welchen das Schichtmaterial verdampft wird, was mit einer Temperaturerhöhung der Beschichtungskammer und damit auch des Substrats einhergeht, beim Sputtern mechanisch aus dem Target herausgeschlagen (zerstäubt) und schlagen auf das Substrat bzw. die aufwachsende Schicht mit erhöhter Energie auf, wodurch verfahrensimmanent eine höhere Haftfestigkeit und Schichtverfestigung als bei Aufdampfprozessen zu erwarten ist und das Substrat gleichzeitig minimal thermisch belastet wird. Damit ist das Magnetronsputtern als potentielles Verfahren zum Aufbringen des eingangs erwähnten kratzfesten Entspiegelungsschichtsystems interessant, vorausgesetzt es gelingt, durch geeignete Prozessführung die geforderten optischen und mechanischen Eigenschaften zu erzielen.
Für die Abscheidung von Verbindungsschichten ist das reaktive Sputtern bekannt, bei welchem dem Sputtergas noch ein Reaktivgas (Sauerstoff für Oxide) zugemischt wird. Die Art der reaktiven Prozessführung, die u. a. durch die Art und den Betrag des Reaktivgasflusses und die applizierte Leistungsdichte und damit die Sputterrate bestimmt wird, entscheidet dabei über die Eigenschaften der abgeschiedenen Schicht. Die Prozessführung ist daher nicht von einem bekannten Schichtsystem auf ein neuartiges übertragbar.
1 veranschaulicht in einer graphischen Darstellung den qualitativen Zusammenhang zwischen Reaktivgaszufluss und Spannung, Intensität des Plasmas sowie Sputterrate, die mit der Intensität des Plasmas korreliert, für einen reaktiven Magnetronsputterprozess. Es ist zu erkennen, dass bei Erhöhung des Reaktivgasflusses (Sauerstoff im Falle oxidischer Verbundschichten) der Prozess aus dem metallischen Modus (links oben) in den reaktiven Modus (rechts unten) abkippt. In Letzterem ist die Sputter- und damit Abscheiderate gering, aber die Schichten sind stöchiometrisch. Bei einem Arbeitspunkt im metallischen Modus ergeben sich stark unterstöchiometrische Schichten mit geringem Reaktivgasanteil. Die wichtigste Herausforderung bei der reaktiven Prozessführung besteht darin, stabil in dem dazwischen liegenden Übergangsbereich zu arbeiten, der nicht allein durch den Reaktivgaseinlass regelbar ist.
Es ist uns nun gelungen, das eingangs erwähnte Schichtsystem mit Hilfe eines Magnetronsputterverfahrens großflächig auf einem thermoplastischen Kunststoff abzuscheiden und dabei die gewünschten optischen Eigenschaften und sogar eine bessere Haftfestigkeit und Umweltbeständigkeit als bei dem auf herkömmliche Weise abgeschiedenen gleichartigen Schichtsystem zu erzielen, und zwar durch abwechselnde Abscheidung der niedrigbrechenden Schichten mit Hilfe eines reaktiven Magnetron-Sputterprozesses mit hoher Sputterrate und der hochbrechenden Schichten mit Hilfe eines reaktiven Magnetron-Sputterprozesses mit geringer Sputterrate. Dafür war eine herkömmliche Substratvorbehandlung wie etwa eine allgemein bekannte Glimmentladung ausreichend.
Als geeigneter Prozessschritt zur Abscheidung der niedrigbrechenden Schichten hat sich zum einen ein IMBAL^®-geregelter reaktiver Mittelfrequenz(MF)-Sputterprozess mittels einer Doppelmagnetronanordnung und zum anderen ein gepulster reaktiver Gleichstrom(DC)-Sputterprozess mittels einer Einzelmagnetronanordnung erwiesen. Die IMBAL^®-Regelung der Anmelderin, welche detailliert in "Balanceregelung für reaktives Magnetronsputtern zur optischen Großflächenbeschichtung, Vakuum in Forschung und Praxis, (2000), Nr. 2 ausgeführt ist, ermöglicht eine schnelle Regelung des Reaktivgaszuflusses (d. h. mit einer Zeitkonstante deutlich unter 100 ms) und damit ein stabiles Arbeiten im so genannten Transition-Mode mit Arbeitspunkten auf der in 1 durch Quadrate gekennzeichneten materialspezifischen Hysteresekurve. Entscheidend beim erfindungsgemäßen Abscheiden der niedrigbrechenden Schichten ist, dass der Arbeitspunkt des Sputterprozesses in den oberen Übergangsbereich der materialspezifischen Hysteresekurve gelegt wird, infolgedessen sich leicht unterstöchiometrische Schichten ausbilden, welche die gewünschten Schichteigenschaften begünstigen.
Als geeigneter Prozessschritt zur Abscheidung der hochbrechenden Schichten hat sich zum einen ein intensitätsgeregelter reaktiver MF-Sputterprozess mittels Doppelmagnetronanordnung und zum anderen ein reaktiver DC-Sputterprozess vom keramischen Target, bei dem der Reaktivgasfluss fest eingestellt wird, erwiesen. Die Intensitätsregeung gelingt beispielsweise mit Hilfe der PEM^®-Regelung (Plasma-Emissions-Monitor) der Anmelderin, die ebenfalls in "Balanceregelung für reaktives Magnetronsputtern zur optischen Großflächenbeschichtung, Vakuum in Forschung und Praxis, (2000), Nr. 2 ausgeführt ist. Entscheidend beim erfindungsgemäßen Abscheiden der hochbrechenden Schichten ist, dass der Arbeitspunkt des Sputterprozesses in den unteren Übergangsbereich der materialspezifischen Hysteresekurve aus 1 gelegt wird. So ergeben sich die gewünschten Schichteigenschaften, wobei die mit dem vollreaktiven Prozess einhergehenden geringen Abscheideraten wegen der hier relevanten geringen Schichtdicken von lediglich einigen Nanometern keinen wesentlichen nachteiligen Zeitfaktor darstellen. Den höheren Targetkosten bei der Abscheidung vom keramischen Target steht der Vorteil gegenüber, dass mit einem solchen bei geringen Reaktivgaspartialdrücken und ohne zusätzliche schnelle Regelung des Reaktivgaszuflusses gearbeitet werden, wodurch sich der Verfahrensaufwand insgesamt verringert.
Das erfindungsgemäße Verfahren kann in einer Inline-Beschichtungsanlage, wie sie von der Anmelderin vertrieben wird, ausgeführt werden. Eine solche Anlage umfasst üblicherweise mehrere Vakuumkammern, darunter eine Einschleusekammer, Vorbehandlungskammer(n), Beschichtungskammer(n), optionale Nachbehandlungskammer(n) und eine Ausschleusekammer, durch welche die Substrate durchgeführt werden. 2 zeigt die Prinzipskizze einer Planar-Doppelmagnetron-Sputteranordnung, wie sie in einer der Beschichtungskammern der Inlineanlage enthalten sein kann, zusammen mit den für die Schichtabscheidung wesentlichen Regelmöglichkeiten.
Zur Abscheidung von oxidischen Verbindungsschichten wird in dem Beschichtungsraum zwischen dem auf der Kathode liegenden Target 2 und dem durch die Kammer laufenden Substrat 3 ein Plasma 10 erzeugt. Dabei wird Argon als Sputtergas sowie Sauerstoff 8 als Reaktivgas eingelassen. Im elektrischen Feld zwischen Anode und Kathode beschleunigte und durch das Magnetfeld der Magnetrons 1 geführte Argonionen treffen auf das Targetmaterial 2 auf und zerstäuben dieses. Die abgesputterten Targetteilchen reagieren mit dem Reaktivgas und scheiden sich als Verbindungsschicht auf dem Substrat 3 ab. Ein Regelkreis (4, 5, 6,) nutzt die in-situ-Messung 4 der Intensität von Spektrallinien des gesputterten Targetmaterials, um in Bezug auf einen Sollwert für die Intensität 7 die Zufuhr 8 des Reaktivgases Sauerstoff in Abhängigkeit von dem gemessenen Intensitätssignal zu regeln (5, 6). Für das vorliegende Schichtsystem kam der bei der Anmelderin der vorliegenden Erfindung zu beziehende PEM^®05-Regelkreis für die hochbrechenden Schichten bzw. der ebenfalls bei der Anmelderin zu beziehende IMBAL^®-Regelkreis zum Einsatz. Alternativ könnte jedes andere schnelle Regelungssystem genutzt werden, das eine Abscheidung bei einem stabilen, definierten Arbeitspunkt des reaktiven Sputterprozesses garantiert.
Die Schichtabscheidung erfolgte in einer Inline-Anlage im Mehrfach-Überlaufmodus (multiple pass mode) abwechselnd über zwei verschiedenen Sputterquellen (für die hoch- bzw. die niedrigbrechenden Schichten). Bei ausreichend vielen hintereinander angeordneten Sputterquellen könnte die Schichtabscheidung auch in einem Einfachdurchlauf erfolgen. Dieser Vorgang wurde im so genannten Sputter-Up-Verfahren, bei dem das Substrat über der Sputterquelle hinwegbewegt wird, und im so genannten Sputter-Down-Verfahren, bei dem das Substrat unter der Sputterquelle hinwegbewegt wird, ausgeführt.
Für die Herstellung von Schichten mit geringer Defektdichte in der abgeschiedenen Schicht kann das erfindungsgemäße Verfahren auch in einer Anlage, die als vertikale Anlage ausgeführt ist, durchgeführt werden. Dabei kann vermieden werden, dass parasitäre Partikel auf das Substrat oder das Target fallen. In einer derartigen Anlage steht das Substrat meist nicht exakt senkrecht, sondern in einem Winkel kleiner 10° zur Senkrechten geneigt.
Das Verfahren kann auch unter Verwendung einer Magnetronvorrichtung mit rotierendem Target (so genanntem rotatable magnetron oder C-MAG) durchgeführt werden.
Als beispielhaftes Schichtsystem wurde mit Hilfe des erfindungsgemäßen Verfahrens auf einer Polycarbonat(PC)-Schutzscheibe ein aus neun Schichten bestehendes Wechselschichtsystem aus abwechselnd niedrigbrechendem SiO₂ und hochbrechendem TiO₂ aufgebracht. Schichten aus dem die Kratzfestigkeit vermittelnden SiO₂-Material bildeten dabei die substrat- sowie umweltseitig äußerste Schicht sowie weitere drei Schichtlagen, jeweils mit einer Schichtdicke im Bereich von 100 nm bis 250 nm. Zwischen diesen wurden Schichtlagen aus TiO₂, jeweils mit einer Schichtdicke im Bereich von 5 nm bis 15 nm, abgeschieden. Das derart mit Hilfe des erfindungsgemäßen Verfahrens abgeschiedene reflexionsmindernde Kratzschutzschichtsystem weist eine hohe Kratzfestigkeit auf und zeigt gleichzeitig eine sehr gute Entspiegelungswirkung mit einer Reflexion kleiner 0,5 % im sichtbaren Spektralbereich. Außerdem genügen die Schichten den üblichen Normen hinsichtlich Haftfestigkeit und Umweltbeständigkeit.

1: Magnetron
2: Target
3: durchlaufendes Substrat
4: Intensitätsmessung
5: PEM^®-Regelung
6: Regelventil für Reaktivgaseinlass
7: Sollwert für Intensität
8: Reaktivgaszufuhr
9: Generatorleistung
10: Plasma
11: Dunkelfeldabschirmung

Claims

Verfahren zum großflächigen Aufbringen eines dielektrischen, reflexionsmindernden Kratzschutzschichtsystems, welches als Wechselschichtsystem aus dickeren niedrigbrechenden und dünneren hochbrechenden Schichten aufgebaut ist, auf die Oberseite eines thermoplastischen Kunststoffsubstrats, dadurch gekennzeichnet, dass nach einer plasmagestützten Substratvorbehandlung abwechselnd die niedrigbrechenden Schichten mit Hilfe eines reaktiven Magnetron-Sputterprozesses mit hoher Sputterrate abgeschieden werden und die hochbrechenden Schichten mit Hilfe eines reaktiven Magnetron-Sputterprozesses mit geringer Sputterrate abgeschieden werden.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die niedrigbrechenden Schichten in einem IMBAL^®-geregelten reaktiven Mittelfrequenz(MF)-Sputterprozess mit Doppelmagnetron bei einem Arbeitspunkt im oberen Übergangsbereich einer materialspezifischen Hysteresekurve abgeschieden werden.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die niedrigbrechenden Schichten in einem gepulsten reaktiven DC-Sputterprozess mit Einzelmagnetron abgeschieden werden.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die hochbrechenden Schichten in einem intensitätsgeregelten reaktiven MF-Sputterprozess mit Doppelmagnetron bei einem Arbeitspunkt im unteren Übergangsbereich einer materialspezifischen Hysteresekurve abgeschieden werden.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die hochbrechenden Schichten in einem reaktiven DC-Sputterprozess vom keramischen Target mit fest eingestelltem Reaktivgasfluss abgeschieden werden.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die niedrigbrechenden Schichten aus SiO₂ oder MgF₂ in einer Schichtdicke im Bereich von 100 nm bis 250 nm abgeschieden werden.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die hochbrechenden Schichten aus Oxiden oder Fluoriden von Elementen der IV- oder V. Nebengruppe, beispielsweise TiO₂, Nb₂O₅, Ta₂O₅, ZrO₂, HfO₂ oder ITO in einer Schichtdicke im Bereich von 5 nm bis 15 nm abgeschieden werden.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Sputterprozess im Inline-Modus oder im Mehrfach-Überlaufmodus ausgeführt wird.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die plasmagestützte Substratvorbehandlung eine Glimmentladung umfasst.
Vorrichtung zum großflächigen Aufbringen eines dielektrischen, reflexionsmindernden Kratzschutzschichtsystems, das als Wechselschichtsystem aus dickeren niedrigbrechenden und dünneren hochbrechenden Schichten aufgebaut ist, auf die Oberseite eines thermoplastischen Kunststoffsubstrats, zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung eine Inline-Magnetronsputteranlage mit mindestens zwei Sputterquellen umfasst.
Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Sputteranlage für horizontal oder vertikal angeordnete Substrate vorgesehen ist oder eine Magnetronsputteranlage mit rotierendem Target ist.
Vorrichtung nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Sputteranlage Einrichtungen zur Stabilisierung eines reaktiven Sputterprozesses, insbesondere Einrichtungen für eine PEM^®- und/oder IMBAL^®-Regelung umfasst.