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DE69419942T3 - Verfahren und vorrichtung zur behandlung einer halbleiterscheibe in einer flüssigkeit - Google Patents

Verfahren und vorrichtung zur behandlung einer halbleiterscheibe in einer flüssigkeit Download PDF

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DE69419942T3
DE69419942T3 DE69419942T DE69419942T DE69419942T3 DE 69419942 T3 DE69419942 T3 DE 69419942T3 DE 69419942 T DE69419942 T DE 69419942T DE 69419942 T DE69419942 T DE 69419942T DE 69419942 T3 DE69419942 T3 DE 69419942T3
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solvent
organic
drying
tank
bath
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Robert Roger Richmond MATTHEWS
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Legacy Systems Inc Richardson
Legacy Systems Inc
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Legacy Systems Inc Richardson
Legacy Systems Inc
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Description

  • Die Erfindung betrifft die Halbleiterherstellung. Insbesondere betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Lösungsmitteltrocknung von Oberflächen von Objekten, z. B. Halbleiterscheiben, nach einer Naßbehandlung. Die Erfindung betrifft außerdem eine Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens.
  • Bei der Herstellung von Halbleiterscheiben erfordern verschiedene Verfahrensschritte eine Berührung der Scheiben mit Fluiden. Beispiele solcher Verfahrensschritte sind Ätzen, Photoresistentfernung und Vordiffusionsreinigung. Häufig sind die Chemikalien, die in diesen Schritten verwendet werden, sehr insofern gefährlich, als sie starke Säuren, Laugen oder flüchtige Lösungsmittel aufweisen.
  • Die Ausrüstung, die herkömmlicherweise für eine Berührung von Halbleiterscheiben mit einem Prozeßfluid verwendet werden, besteht aus einer Serie von Tanks oder Becken, in die mit Halbleiterscheiben gefüllte Kassetten eingetaucht werden. Eine solche herkömmliche Naßbehandlungsausrüstung hat verschiedene Schwierigkeiten.
  • Erstens kann die Umsetzung der Scheiben von Tank zu Tank zur Kontamination führen, wobei die Kontamination für mikroskopische Schaltungen, die in dem Herstellungsverfahren hergestellt werden, besonders schädlich ist. Zweitens müssen die gefährlichen Chemikalien und das deionisierte Wasser, die verwendet werden, durch neue Lösungen ersetzt werden, die normalerweise durch Ausgießen von Flaschen, durch chemische Verteilung oder aus baulichen Vorrichtungen im Falle von deionisiertem Wasser eingefüllt werden. Die Chemikalien werden im allgemeinen von chemischen Firmen hergestellt und an das Halbleiterherstellungswerk geliefert. Die chemische Reinheit ist somit durch die Qualität des Wassers, das von den chemischen Herstellerfirmen verwendet wird, durch die Behälter, die für den Transport und die Lagerung der Chemikalien verwendet werden, und durch den Umgang mit der Chemikalie begrenzt.
  • Während Chemikalien altern, können sie außerdem durch Verunreinigungen aus der Luft und von den Scheiben kontaminiert werden. Die Behandlung der letzten Charge von Scheiben vor einer Fluidverjüngung kann nicht so effektiv sein wie die Behandlung der ersten Charge von Scheiben in einer neuen Lösung. Eine ungleichmäßige Behandlung ist ein großes Problem bei der Halbleiterherstellung.
  • Einige der Fluidberührungsschritte der Halbleiterherstellung sind die Entfernung von organischen Materialien und Verunreinigungen von der Scheibenoberfläche. Beispielsweise ist es bei der Herstellung von integrierten Schaltungen üblich, eine Photoresistbeschichtung auf einer Siliciumscheibe als Teil des Herstellungsverfahrens aushärten zu lassen. Diese Beschichtung aus Photoresist oder organischem Material muß nach der Behandlung wieder entfernt werden.
  • US 4 902 350 offenbart ein Verfahren zur Reinigung, Spülung und Trocknung dünner Scheiben, z. B. Siliciumscheiben oder anderer scheibenähnlicher Substrate oder Elemente, wobei die Scheiben in einem warmen Wasserbad gespült werden, während sie in einem herkömmlichen mit Schlitzen versehenen Träger bzw. Halter gehalten werden. Die Scheiben werden gereinigt und gespült, während sie durch einen planaren Schallenergiestrahl in einem Wasserbad bewegt werden. Die Trocknung der Scheiben wird durch langsames Herausheben der Scheiben aus dem Wasserbad erreicht, so daß die Wasseroberflächenspannung an der Oberfläche des Wasserbades das Wasser von den zu spülenden Oberflächen der Scheiben gleichmäßig und effektiv abzieht. US 4 967 777 betrifft eine Vorrichtung zur Behandlung eines Objekts mit einer wäßrigen Flüssigkeit, bei der das Objekt in die Flüssigkeit in einem Tank eingetaucht wird, der Überlaufsteuerteile hat, die über den Seitenflächen des Tanks mit einem vorbestimmten Raum in einem Überlaufbereich der Flüssigkeit versehen sind, wobei der Raum so strukturiert ist, daß der Überlauf der Flüssigkeit durch Kapillarwirkung abgeführt wird.
  • Aus der US-A-4 967 761 und der EP-A-0 385 536 ist ein Verfahren zur Trocknung von behandelten Halbleiterscheiben mittels organischem Lösungsmittel bekannt, wobei in beiden Dokuemnten gasförmige, mit Wasser vermischbare Lösungsmittel vorgeschlagen werden.
  • Es ist Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zur Trocknung von Oberflächen von Objekten, z. B. Halbleiterscheiben, bereitzustellen, bei dem Streifen- oder Punktbildung auf der Scheibenoberfläche minimiert wird, wodurch eine höhere Ausbeute möglich wird.
  • Es ist noch eine weitere Aufgabe der Erfindung, ein Trocknungsverfahren für die Oberflächen von Objekten, z. B. Halbleiterscheiben, bereitzustellen, das keine Erzeugung, Behandlung und Rückgewinnung von großen organischem Dampfmengen erfordert.
  • Es ist eine weitere Aufgabe der Erfindung, ein Trocknungsverfahren für die Oberfläche von Objekten, z. B. Halbleiterscheiben, mit reduzierter Verfahrenszeit und reduzierter Scheibenhandhabung bereitzustellen.
  • Die Aufgaben werden durch die Merkmale der Ansprüche gelöst.
  • 1 ist eine schematische Darstellung eines Schnittes einer Seitenansicht einer erfindungsgemäßen Vorrichtung zur Behandlung von Halbleiterscheiben mit einem Fluid.
  • 2 ist eine schematische Darstellung eines Schnittes einer Vorderansicht des erfindungsgemäßen Tanks.
  • 3 ist eine auseinandergezogene dreidimensionale schematische Darstellung einer bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführungsform des Gasdiffusors.
  • 4 zeigt eine erfindungsgemäße Vorrichtung zur Lösungsmitteltrocknung einer Halbleiterscheibe.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform wird das erfindungsgemäße Verfahren in der Vorrichtung gemäß 1 durchgeführt. Die Behandlung erfolgt in einer mit einem Abzug versehenen Absaugnaßstation, wobei eine richtige Ozonüberwachungs- und katalytische Abbauausrüstung an Ort und Stelle vorhanden ist. Resistbehaftete Scheiben oder andere Scheiben, von denen organische Materialien zu entfernen sind, werden in den Pro zeßtank 13 eingebracht, der mit subambientem deionisiertem Wasser (1 bis 15 °C) gefüllt ist. Der Tank arbeitet in einem Kaskadenmodus mit niedrigem Durchfluß (etwa 0,5 g/min), wobei eine Wasserzufuhrleitung 7 während der Behandlung durch einen Kühlapparat 8 führt, um einen kontinuierlichen deionisierten Kühlwasserstrom zuzuführen. Ozon vom Ozongenerator 6 wird durch eine Leitung 5 über einen vor Ort befindlichen Diffusor 4 in den Tank diffundiert. Die Resistentfernung ist zeitlich festgelegt, woraufhin das Ozon abgeschaltet wird und die Scheiben mit der kontinuierlichen hohen Durchflußmenge (etwa 10 bis 15 g/min) des deionisierten Wassers gespült werden. Die Abführleitung 12 wird zu einer Rückgewinnung 10 deionisiertes Wasser umgeleitet, und frisches deionisiertes Wasser wird zum Spülen aktiviert. Nach einer zeitlich festgelegten ambienten deionisierten Wasserspülung können die Scheiben wahlweise zusätzlich mit warmem deionisiertem Wasser gespült werden.
  • In einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Erfindung erfolgt das Verfahren im Tank gemäß 2, der den Gasdiffusor gemäß 3 enthält. Obwohl die erfindungsgemäße Vorrichtung gemäß 1, der Tank gemäß 2 und der Gasdiffusor gemäß 3 zur Verwendung mit dem ozonierten Wasserverfahren besonders bevorzugt werden, können sie aber auch zur Durchführung jeder Fluidbehandlung von Halbleiterscheiben verwendet werden. Insbesondere können die bisher bekannten Verfahren zur Entfernung von organischen Materialien von Scheiben in der erfindungsgemäßen Vorrichtung und Tank verwendet werden. Der Anmelder hat festgestellt, daß die erfindungsgemäße Vorrichtung verwendet werden kann, um bisher bekannte Verfahren effektiv durchzuführen, ohne daß mehrere Tanks notwendig sind. Außerdem hat die erfindungsgemäße Vorrichtung die Fähigkeit, Chemikalien vor Ort zu erzeugen, wodurch das Problem der Alterung von Chemikalien und des Transports von gefährlichen Chemikalien von entfernten Orten vermieden wird.
  • Der Tank 13 kann auch mit einer ultravioletten Lichtquelle 3 zur Bestrahlung der Lösung mit UV-Licht ausgestattet sein. Die UV-Quelle, mit 3 in 1 und 2 bezeichnet, kann an der Außenseite des Tanks angeordnet oder vorzugsweise in den Tank eingetaucht oder über dem Diffusor 4 angeordnet sein. Das UV-Licht kann verwendet werden, um sauerstofffreie Radikale, Wasserstoffperoxid und Sauerstoffmoleküle aus dem Ozon zu erzeugen, das zur Entfernung von organischen Materialien auf den Scheiben 14 während des Betriebs des erfindungsgemäßen Ozonwasserverfahrens direkt in den Behandlungstank eingeperlt wird.
  • In einer weiteren Ausführungsform ist der Tank, wie in 4 gezeigt ist, mit einem Deckel 157 zum Schließen des Tanks ausgestattet, der eine Infrarotlichtquelle 159 hat, die im Deckel angeordnet ist. Das Infrarotlicht kann verwendet werden, um die Trocknung der Scheibe nach der Behandlung zu unterstützen. Die Infrarotlichtquelle ist im Deckel so angeordnet, daß die Lichtquelle im Tank über dem Fluid ist, wenn der Deckel geschlossen ist, und nach unten in das Fluid gerichtet ist.
  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Scheibentrocknung. Zu Beginn des erfindungsgemäßen Trocknungsverfahrens wird die Scheibe vorzugsweise in ein wäßriges Spülbad (letztes Spülbad) getaucht, das im Tank enthalten ist, der vorzugsweise mit dem Spülbad hydraulisch gefüllt ist.
  • Das Spülbad kann jede Art von Spülung auf Wassergrundlage sein, die normalerweise nach dem Naßbehandlungsverfahren von Halbleiterscheiben verwendet wird. Das bevorzugte Spülfluid ist Wasser. Je nach Beschaffenheit der Oberfläche der zu spülenden Scheiben, der Art der Kontamination, die auf der Oberfläche vorhanden ist, und der Art der Prozeßchemikalien (z. B. Reinigungs- oder Ätzfluide), die abzuspülen sind, können jedoch auch andere Spülfluide verwendet werden. Andere Spülfluide, die verwendet werden können, sind organische Lösungsmittel, Gemische aus organischen Lösungsmitteln und Wasser, Gemische aus organischen Lösungsmitteln und dgl. Es wird bevorzugt, daß das Spülfluid Wasser ist, das deionisiert und gefiltert worden ist, um ungelöste und suspendierte Materie zu entfernen.
  • Es wird außerdem bevorzugt, daß das Spülfluid in einer einzigen Phase, z. B. flüssig, mit den Scheiben in Berührung kommt und im wesentlichen frei von Phasengrenzen ist, z. B.
  • Gas/Flüssigkeitsgrenzflächen, die auftreten, wenn Gasblasen in einer Flüssigkeit vorhanden sind. Partikel können an der Gas/Flüssigkeitsphasengrenze agglomerieren. Diese Partikel können an der Oberfläche der Scheibe haften. Hydrophobe Partikel haben die Tendenz, sich an solchen Grenzflächen zu sammeln, und sie sind somit unerwünscht. Das Haften der Partikel an der Oberfläche der Scheibe ist jedoch auch eine Funktion der Zusammensetzung der Scheibenoberfläche. Eine hydrophibe Scheibenoberfläche, z. B. Siliciumdioxid, hat eine geringe Affinität zu hydrophoben Partikeln, während hydrophobe Oberflächen, z. B. reines Silicium, hydrophobe Partikel anzieht.
  • In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform wird ein Tank, z. B. der in 4 dargestellte, zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens verwendet. Der Tank gemäß 4 entspricht dem in 2, außer daß der Tank in 4 eine Extraausrüstung hat, um das Trocknungsverfahren zu erleichtern. Die bevorzugte Vorrichtung zur Behandlung und Trocknung der Halbleiterscheiben mit einem Fluid weist einen Tank zur Verwendung in einer mit einem Abzug versehenen Absaugnaßstation auf. Der Tank 13 hat eine Einrichtung 7, die mit dem Tank verbunden ist, zum Einleiten von Fluid in den Tank, eine Einrichtung 15 zum Halten mindestens einer Scheibe im Tank in Berührung mit dem Fluid, eine Einrichtung 153 zum Abführen, eine Einrichtung 154 zum Einleiten der oberen Schicht eines organischen Trocknungslösungsmittels und ein Überlaufwehr 1.
  • Die Einrichtung 15 zum Halten mindestens einer Scheibe im Tank in Berührung mit dem Fluid 152 kann irgendeine Einrichtung sein, die dem Fachmann bekannt ist, zum Inberührungbringen einer Scheibe mit einer Behandlungslösung, wie oben beschrieben.
  • Die Einrichtung 154 zum Einleiten eines organischen Lösungsmittels in den oberen Bereich des Tanks ist im allgemeinen eine Leitung, die mit einem oberen Teil des Tanks verbunden ist, aber jede Vorrichtung oder jedes Gerät, das dem Fachmann bekannt ist, zum Einleiten eines Fluidstroms in einen Tank kann verwendet werden. Das Fluid kann dem Tank 13 beispielsweise durch Perfluoralkoxylvinylether(PFA)-Schläuche oder -Röhren, Polytetrafluorethylen(PTFE)-Schläuche oder -Röhren, Polyvinylidenfluorid(PVDF)-Schläuche oder -Röhren oder Quarzröhren zugeführt werden. Vorzugsweise werden PFA-Schläuche oder -Röhren verwendet. In einer bevorzugten Ausführungsform sind PFA-Schläuche mit dem Tank durch eine konisch erweiterten Formteilverbindung verbunden.
  • Die Abführeinrichtung 153 ist im allgemeinen eine Einrichtung, die dem Fachmann bekannt ist, zum Abführen von Fluid aus einem Tank. Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung ist die Abführeinrichtung 153 am Boden des Tanks 13 angeordnet und weist eine Einrichtung zum Steuern des Flüssigkeitsvolumens auf, das aus dem Tank abgeführt wird. Die Einrichtung zum Steuern des Volumens der Flüssigkeit, die aus dem Tank abgeführt wird, kann eine einfache Ventilanordnung oder irgendeine Vorrichtung sein, die dem Fachmann bekannt ist.
  • Man beachte, daß das Überlaufwehr 1, wie es in 4 dargestellt ist, eine einzige Einschnittstruktur ist, die um die obere offene Seite des Tanks 13 herumläuft. In einer Ausführungsform ist das Überlaufwehr 1 mit einer Einschnittabführeinrichtung ausgestattet, die irgendein Typ eines Ablaufs sein kann, der dem Fachmann bekannt ist, und zusätzlich wahlweise ein Ventil aufweist. Die Einschnittabführeinrichtung 52 ist in Fluidkommunikation mit einer organischen Trocknungslösungsmittelsammeleinrichtung 55, die irgendeine Einrichtung zum sicheren Aufnehmen von organischen Lösungsmitteln sein kann, die dem Fachmann bekannt ist. Vorzugsweise wird eine Trocknungslösungsmittelsammeleinrichtung 55 verwendet. Die Lösungsmittelsammeleinrichtung 55 kann ein Auffangkanister sein, der vom Boden durch eine organische Lösungsmittelzuführeinrichtung 163 versorgt wird. Die organische Lösungsmittelzuführeinrichtung 163 kann als alternative Quelle für ein organisches Trocknungslösungsmittel über der Einrichtung zum Einleiten eines organischen Lösungsmittels 154 verwendet werden, wenn der Auffangkanister mit dem organischen Trocknungslösungsmittel gefüllt ist.
  • Ein Auffangkanister, der vom Boden versorgt wird, wird bevorzugt, da er eine Wasseransammlung im Kanister verhindert. Wenn ein Teil des organischen Trocknungslösungsmittels aus dem Tank überläuft, kann Fluid aus dem Spülbad in das Überlaufwehr und schließlich in den Lösungsmittelauffangkanister eintreten. Während der Stillstandsperiode scheiden sich das Spülbad und das organische Trocknungslösungsmittel im Auffangkanister ab und bilden zwei Schichten im Kanister. Das wäßrige Spülbad scheidet sich am Boden des Auffangkanisters ab, und das organische Trocknungslösungsmittel scheidet sich oben auf dem Spülbad ab. Wenn im nächsten Trocknungszyklus das Lösungsmittel aus dem oberen Teil des Auffangkanisters (ähnlich einer Spritze) abgegeben wird, könnte ein Teil des Wassers im Auffangkanister zurückbleiben. Nach vielen Verwendungen kann das Wasser schließlich das Lösungsmittel im Auffangkanister ersetzen, und das Trocknungsmittel kann versagen. Um zu verhindern, daß sich Wasser im Kanister ansammelt, wird das Fluid vom Boden über die organische Lösungsmittelzuführeinrichtung 163 abgezogen. Dadurch wird sichergestellt, daß das gesamte Wasser nach jedem Zyklus aus dem Auffangkanister abgezogen wird. Demzufolge wird das Lösungsmittel so zum Tank geleitet, daß das Lösungsmittel vom Boden des Auffangkanisters über die organische Lösungsmittelzuführeinrichtung 163 zugeführt wird, aber vom Überlaufwehr 1 über die Einschnittabführeinrichtung 52 in den oberen Teil des Auffangkanisters zurückkehrt.
  • Wie oben ausgeführt, sollte die Scheibe vollständig in das Abschlußspülbad 152 eingetaucht sein. In einer erfindungsgemäßen Ausführungsform sitzt die Scheibe eingetaucht in einem hydraulisch gefüllten Tank, der mit dem wäßrigen Spülbad gefüllt ist. Das wäßrige Spülfluid 152 wird dann abgeführt, um das Hinzusetzen des organischen Trocknungslösungsmittels zu ermöglichen. Normalerweise wird ein Minimum von 0,5 Zoll oder mehr von der Abführeinrichtung 153 abgeführt. Der obere Teil der Scheibe sollte jedoch vollständig im Spülfluid 152 eingetaucht bleiben.
  • An diesem Punkt wird das organische Trocknungslösungsmittel 150 dann im oberen Teil des Tanks durch die Einrichtung 154 zum Einleiten eines organischen Lösungsmittels eingeleitet. Der Füllstand des organischen Trocknungslösungsmittels, der ausreicht, um die Scheibe zu trocknen, variiert je nach dem Lösungsmittel, der Geschwindigkeit, mit der die Scheiben aus dem Bad herausgezogen werden, der Temperatur des Bades und dem Druck über dem Bad. Normalerweise ist ein Minimum von 0,5 Zoll Lösungsmittel erforderlich. Je schneller die Scheibe aus dem Bad herausgezogen wird, um so tiefer sollte die organische Trocknungslösungsmittelschicht sein. Die Schicht variiert von einer Dicke von 10 mm für eine Scheibendurchgangszeit von 10 s oder mehr bis zu einer Dicke von 18 mm für eine Scheibendurchgangszeit von 2 bis 4 s. Das Volumen des Trocknungsfluids, das hinzugesetzt wird, sollte dem Volumen des abgeführten Spülfluids entsprechen, so daß der Tank hydraulisch voll bleibt und dabei den oberen Teil des Tanks 13 erreicht.
  • In einer Ausführungsform tritt das Ablassen und Füllen gleichzeitig auf, so daß der Tank immer hydraulisch voll ist und der Füllstand des Gesamtfluids im Tank konstant bleibt. Wie dem Fachmann bekannt ist, führt das Mischen von organischen und wäßrigen Lösungen zu einem Endvolumen, das sich vom Gesamtvolumen der ungemischten Komponenten unterscheidet. Für einen geeigneten Ausgleich dafür sollte gesorgt werden.
  • Um das organische Trocknungslösungsmittel vom Spülwasser ohne zusätzliche Extraktionsausrüstung oder Lösungsmittelrückgewinnungs/Destillationssysteme zu trennen, ist die Phasengrenze wichtig. Das Lösungsmittel ist vorzugsweise nicht mit dem wäßrigen Spülbad mischbar und schwimmt auf der Oberfläche des wäßrigen Spülbades. Vorzugsweise werden Lösungsmittel mit Löslichkeiten unter 0,1 g/l in Wasser verwendet. Die Dichte des organischen Trocknungslösungsmittels muß kleiner sein als die Dichte des wäßrigen Lösungsbades. Wenn die Dichte des wäßrigen Lösungsbades 1 ist, muß demzufolge die Dichte des organischen Trocknungslösungsmittels kleiner als 1 sein.
  • Um die flüchtigen organischen Verbindungsemissionen (VOC-Emissionen) des Trocknungsverfahrens zu reduzieren, hat das Lösungsmittel vorzugsweise außerdem einen niedrigeren Dampfdruck. Wenn das Lösungsmittel eine hohe Verdampfungsrate hat, muß es nicht nur nachgefüllt werden, sondern erfordert auch ein Abnahmeeinrichtung, um das Gas zu erfassen oder entweder zu verbrennen oder zu kondensieren und in den Kreislauf zurückzuführen. In beiden Fällen bleibt das gewünschte Lösungsmittel vorzugsweise eine Flüssigkeit bei Raumtemperatur und hat niedrige Verdampfungsraten. Das Ziel ist es, Lösungs mittelverluste während der Behandlung zu minimieren (einschließlich flüchtige und flüssige Emissionen). Ein Trocknungsmittel mit einer Emission von weniger als 0,5 lbs pro Tag wird bevorzugt.
  • Ein weiteres wichtiges Kriterium bei der Wahl eines Lösungsmittels ist die Sicherheit. Beispielsweise ist das Lösungsmittel vorzugsweise nicht krebserregend. Demzufolge können Alkohole und Aliphate gegenüber Aromaten, z. B. Benzol, bevorzugt werden.
  • Wenn der nächste Scheibenbehandlungsschritt nach der Trocknung ein Hochtemperaturdiffusionsschritt ist, kann bevorzugt werden, eine kleine organische Schicht auf der Oberfläche der Scheibe zu belassen, da sie als Schutzbegrenzung für das darunterliegende Substrat wirkt und im Diffusionsofen bei niedrigen Temperaturen (200 bis 400 °C) vor der Hochtemperaturabscheidung von Schichten (800 bis 1600 °C) leicht entfernt wird. Wenn der nächste Scheibenbehandlungsschritt ein Hochtemperaturdiffusionsschritt ist, muß das Lösungsmittel demzufolge nur die oben ausgeführten Kriterien erfüllen. Insbesondere sollte das Lösungsmittel für eine gute Phasengrenze zwischen dem wäßrigen Lösungsbad und den niedrigen VOC-Emissionen sorgen.
  • Wenn der nächste Scheibenbehandlungsschritt nach der Trocknung eine Niedrigtemperatur-CVD-Beschichtung ist, kann das Vorhandensein von Spuren von organischen Stoffen auf der Oberfläche der Scheibe schädlich sein. Es kann unerwünschte Nebenreaktionen, z. B. Siliciumcarbid, erzeugen, einen feinen Nebel auf der Scheibe bei einer Polysiliciumablagerung zurücklassen oder bewirken, daß sich von der Scheibe aufgrund organischer Unverträglichkeit Metallschichten ablösen, z. B. Wolframsilicid. Bei der Niedrigtemperatur-CVD-Beschichtung wird daher bevorzugt, alle organischen Stoffe von den Scheibenoberflächen zu entfernen. Dies kann erfolgen, indem die Scheibe durch die Lösungsmittelschicht gezogen wird, um das Wasser zu verdrängen und die Scheiben dann einer Ozongaszone, einem UV-Licht und Infrarotwärme auszusetzen. Dadurch werden jegliche Spuren einer organischen Restkontamination oxidiert. Wenn der nächste Scheibenbehandlungsschritt eine Niedrigtemperatur-CVD- Beschichtung ist, wird demzufolge bevorzugt, ein organisches Trocknungslösungsmittel zu verwenden, das aus verzweigten oder sauerstoffgesättigten Verbindungen, z. B. Ethern und Ketonen, besteht, da sie schneller im Ozon abgebaut werden als geradkettige Kohlenwasserstoffe. Daher werden sowohl geradkettige als auch verzweigte Kohlenwasserstoffe (aliphatische Kohlenwasserstoffe, Ketone und Ether) gegenüber aromatischen Verbindungen und Kohlenwasserstoffen, die Stickstoff, Schwefel und Halogene enthalten, bevorzugt.
  • Das Oxidationsverfahren kann erfolgen, ohne daß zusätzlicher Naßstationsraum einbezogen wird, indem einfach ein Tunnel zwischen dem letzten chemischen Bad und der Entladestation mit Ozongas installiert wird. Die Zeitdauer der Periode, in der die Scheibe im Tunnel ist, kann gesteuert werden, um sicherzustellen, daß die Scheibe den Oxidationsgasen entsprechend ausgesetzt wird, um ein vollständiges Entfernen von organischen Resten zu erreichen (normalerweise zwischen 2 und 3 min). Wenn eine oxidfreie Oberfläche gewünscht wird, kann ein zusätzlicher Gasschritt hinzugefügt werden, bei dem am Ende des Tunnels ein wasserfreies HF-Gas zugeführt wird, so daß die Scheiben im HF-Gas gebadet werden. Das HF-Gas wird am Ende des Tunnels zugeführt, und die Scheiben werden im HF-Gas für 15 s gebadet, bevor sie in den abgehenden Kassetten angeordnet werden.
  • Angesichts dessen kann die Wahl des Lösungsmittels und die nachfolgende Behandlung drei verschiedene Oberflächenzustände erzeugen; eine organische Schutzschicht, eine organisch freie Siliciumdioxidoberfläche (hydrophil) oder eine organische freie Siliciumoberfläche (hydrophob).
  • Beispiele für bevorzugte erfindungsgemäße organische Lösungsmittel sind Oktan, Dekan, 5-Hepten-2-1- und 2-Nonanon. Wenn eine Schutzschicht gewünscht wird, werden Aliphate bevorzugt. Wenn eine kohlenstofffreie Oberfläche gewünscht wird, werden sauerstoffgesättigte Ketone bevorzugt. Das erfindungsgemäße organische Trocknungslösungsmittel kann auch ein Einkomponenten- oder Mehrkomponentenlösungsmittel sein. Lösungsmittel mit Dampfdrücken von weniger als 100 Pa bei Raumtemperatur werden bevorzugt. Unlösliche verzweigte Kohlenwasser stoffe mit mehr als 5 Kohlenstoffen in der Kette und einer Dichte, die kleiner ist als Wasser, werden bevorzugt. Das Lösungsmittel muß kein minimal siedendes azeotropes Gemisch mit Wasser bilden. Lösungsmittel mit Siedepunkten von 140 bis 200 °C werden bevorzugt.
  • Nachdem das organische Trocknungslösungsmittel hinzugesetzt worden ist, sind im Bad zwei Phasen vorhanden. Die untere wäßrige Phase 152 besteht aus dem Spülbad, das nach dem oben ausgeführten teilweisen Abführen im Tank zurückbleibt. Die obere organische Phase 150 besteht aus dem organischen Trocknungslösungsmittel.
  • Die Scheibe wird dann aus der unteren wäßrigen Schicht 152 durch die obere organische Schicht 150 herausgehoben, wobei das Spülfluid von der Oberfläche der Scheibe an der Grenzfläche zwischen der oberen und der unteren Schicht 151 verdrängt wird. Die Erfindung verwendet keine Lösungsmitteldämpfe, um die Trocknung zu erreichen. Obwohl möglicherweise auch andere Mechanismen wirken, geht man davon aus, daß die Phasengrenzfläche zwischen dem organischen Trocknungslösungsmittel und dem wäßrigen Lösungsmittelbad die Trocknung durch Verdrängung des Wassers erleichtert. Organische Lösungsmittel haben eine geringe Affinität zu Silicium und werden daher praktisch trocken gezogen. Die Oberflächenspannung kann auch ein sekundärer Effekt bei dieser Trocknungstechnologie sein.
  • In einer Ausführungsform der Erfindung weist die Tankvorrichtung eine Hebeeinrichtung 155 zum Herausnehmen des Endeffektors 15 auf, der die Scheiben hält. Die Hebeeinrichtung 155 können zwei vertikale Hebeelemente sein (eines auf jeder Seite des Tanks und mit Endplatten auf jeder Seite des Endeffektors verbunden). Die Scheiben können dann einem horizontalen Roboter übergeben werden und zu einer Entladestation laufen.
  • Die Hebeeinrichtung 155 kann eine beliebige Zahl verschiedener Hebeverfahren umfassen, die dem Fachmann für Scheibenhandhabung bekannt sind. Eine solche Einrichtung ist im US-Patent 4 722 752 offenbart. Die Hebeeinrichtung kann auch eine manuelle Hebeeinrichtung sein, wobei ein Griff am Endeffektor befestigt ist. Das System ist jedoch vorzugsweise ein Robotersystem.
  • Wenn die Scheiben dem Flüssigkeitspegel verlassen haben, dann wird bei einer Ausführungsform der Erfindung das Wasser vom Boden des Tanks durch einen deionisierten Wassereinlaß eingeleitet, um ein kleines Volumen über das Volumen des organischen Trocknungslösungsmittels hinaus überlaufen zu lassen, das dem Überlaufwehr 1 zugeführt wird.
  • Wenn die Scheiben den Flüssigkeitspegel verlassen haben, verdampft das auf den Scheiben zurückbleibende Trocknungslösungsmittel. Der Verdampfungsvorgang kann durch Erwärmung oder irgendeine der oben erwähnten Nachbehandlungen, einschließlich Einwirkenlassen von Ozongas, UV, IR und/oder HF, auf die Scheibe, beschleunigt werden. Wenn die Scheibe aber dann aus der Flüssigkeit entfernt worden ist, bleibt kein Wasser auf der Oberfläche der Scheibe zurück. Demzufolge ist die auftretende Verdampfung eine Verdampfung des organischen Trocknungslösungsmittels und keine Verdampfung von Wasser, da das gesamte Wasser von der Oberfläche der Scheibe verdrängt worden ist.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform wird das oben beschriebene IR-Licht in Verbindung mit dem Lösungsmitteltrocknungsverfahren verwendet, wobei ein geeignetes Kohlenwasserstofflösungsmittel auf das Fluid im Tank gebracht wird und die Scheiben langsam durch die Lösungsmittelschicht angehoben werden, so daß die Lösungsmittelschicht das Wasser von den Scheiben verdrängt. Jegliches Lösungsmittel, das auf den Scheiben verbleibt, wird in dem Verfahren zur Erwärmung der Scheiben unter Verwendung einer IR-Lampe bis zu etwa 150 °C ±30 °C und zum Einleiten von Ozongas zur Oxidation der organischen Reste verdampft. Das IR-Licht kann entweder an der Außenseite des Deckels 157 (vorzugsweise aus Quarz) oder an der Außenseite des Gastunnels 170, durch das die Scheiben nach dem Herausnehmen aus dem Tank laufen, angeordnet sein.

Claims (9)

  1. Verfahren zur Trocknung einer oder mehrerer Halbleiterscheiben (14), die in ein wäßriges Spülbad eingetaucht sind, gekennzeichnet durch: Hinzusetzen eines organischen Trocknungslösungsmittels (150) mit einer geringeren Dichte als Wasser zu dem Bad, um eine untere wäßrige Schicht (152) und eine obere flüssige, organische Schicht (150) in dem Bad auszubilden, wobei das Trocknungslösungsmittel unvermischbar mit dem wäßrigen Spülbad ist, und wobei die Scheibe (14) gänzlich in der unteren wäßrigen Schicht (152) eingetaucht bleibt; und Heben der Scheibe (14) aus der unteren wäßrigen Schicht (152) durch die obere flüssige, organische Schicht (150).
  2. Verfahren nach Anspruch 1, ferner mit dem Schritt: Entfernen der Scheibe (14) aus dem Bad und Beenden des Trocknungsschritts außerhalb des Bades.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, ferner mit einem oder mehreren Naßbehandlungsschritten die dem Schritt des Hinzusetzens vorausgehen.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, ferner mit einem Verdampfungstrocknungsschritt, wobei ein Ozonstrom über die Oberfläche der Scheibe (14) geführt wird.
  5. Verfahren nach Anspruch 1, ferner mit einem Verdampfungsschritt eines organischen Trocknungslösungsmittels (150), das auf der Oberfläche der Scheibe (14) verbleibt, wobei die Verdampfung dadurch beschleunigt wird, daß die Scheibe einer IR-Lichtquelle ausgesetzt wird.
  6. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das organische Trocknungslösungsmittel ein unlöslicher verzweigter Kohlenwasserstoff mit einer Kette mit mehr als fünf Kohlenstoffatomen und mit einer geringeren Dichte als Wasser ist.
  7. Verfahren nach Anspruch 6, wobei das organische Trocknungslösungsmittel ein Dekan oder 2-Nonanon ist.
  8. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die untere wäßrige Schicht (152) deionisiertes Wasser ist.
  9. Verfahren zur Trocknung mehrerer Halbleiterscheiben (14), die in ein wäßriges Spülbad getaucht sind, nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß ein oberer Abschnitt des wäßrigen Spülbades durch das unvermischbare flüssige organische Trocknungslösungsmittel ersetzt wird.
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