DE69320963T2 - Plasmareinigungsverfahren zum entfernen von rückständen in einer plasmabehandlungskammer - Google Patents
Plasmareinigungsverfahren zum entfernen von rückständen in einer plasmabehandlungskammerInfo
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Description
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Reinigen einer Vakuumbehandlungsvorrichtung zum Entfernen von zuvor niedergeschlagenen, Aluminium-enthaltenden Rückständen, die sich auf den Innenflächen der Vorrichtung angesammelt haben. Das Verfahren läßt sich beispielsweise zum Reinigen von Innenflächen einer Plasmakammer verwenden, wobei Proben wie Siliziumwafern mit einer oder mehreren Lagen einem Trocken-Ätzen unterworfen werden. Die Erfindung betrifft insbesondere ein Plasma-Ätzen zum Entfernen von Aluminium-enthaltenden Rückständen auf Elektroden, Innenwänden oder anderen Bauteilen, die sich innerhalb einer Plasma-Behandlungskammer befinden.
- Es ist üblich, einen Stapel dünner Lagen trockenzuätzen, der ein Photoresistenz (beispielsweise zum Versehen von darunter befindlichen Lagen mit Mustern) enthalten kann, eine Anti-Reflexions-Beschichtung (auch bekannt als ARC-Schicht, verwendet zum Abdecken der Oberfläche der darunter befindlichen Lagen), Aluminium (oder eine Aluminiumverbindung), sowie ein Sperrmaterial (beispielsweise Metall, Metallverbindungen oder Silizide). US 4 986 877 beschreibt z. B. Trockenätzen von Aluminium mit Cl&sub2;, Polysilicium mit SF&sub6;, SiO&sub2; und Si&sub3;N&sub4; mit einem Fluorkohlenwasserstoff und einem Photoresist mit O&sub2;. US 5 022 958 beschreibt Trockenätzen eines Dielektrikums mit CHF&sub3; + Ar, wobei Polymer mit reinem Sauerstoff entfernt und das Dielektrikum weiter geätzt wird mit CHF&sub3; + Ar + CF&sub4;. Ein derartiges Ätzen führt jedoch zu einer Bildung von Rückständen oder Ablagerungen auf einer Fläche innerhalb der Plasmabehandlungskammer.
- Wird ein Film in einem Plasma auf Chlorbasis trockengeätzt (oder in einer Folge von Trockenätzungen auf Chlorbasis und Fluorbasis), so haften Reaktionsrückstände (im folgenden "Rückstände" genannt), an Flächen in der Plasma-Behandlungskammer. Diese Rückstände enthalten Metalle (oder Silikate, je nach Art des angewandten Trockenätzens), Chlor sowie organische Verbindungen (oder Verbindungen der genannten Stoffe). Die Flächen, an welchen die Rückstände anhaften, umfassen obere und untere Elektrodenflächen, Wände der Plasma-Behandlungskammer, Einspannflächen sowie andere Gegenstände, mit denen das Plasma oder dessen Nebenprodukte in Kontakt gelangen. Ein Aufbauen dieser Rückstände verschlechtert die Ätzwirkung des Trockenätzens. Die Anwesenheit solcher Rückstände ist daher unerwünscht.
- JA-OS 61-250185 beschreibt ein Verfahren zum Entfernen von Ablagerungen wie SixClY auf Bauteilen einer Plasma-Ätzvorrichtung. Die Bauteile beinhalten eine Hochfrequenz-Elektrode sowie Innenflächen der Plasma- Reaktionskammer. Derartige Ablagerungen werden dann gebildet, wenn Aluminium auf der Wafer durch ein aus SiCl&sub4; gebildetes Plasma trockengeätzt wird. Die Ablagerungen werden dadurch entfernt, daß die Innenflächen der Kammer mit einem oxidierenden Gas in Berührung gelangen, das die Ablagerungen oxidiert, um SiO&sub2; zu bilden. Sodann wird aus einem Fluor enthaltenden Gas ein Plasma gebildet und das SiO&sub2; entfernt. Es läßt sich beispielsweise ein Feuchtigkeits- oder Wasserstoffperoxid, Ozon usw. enthaltendes Gas in Gestalt eines Plasmas einführen, um die folgende Reaktion auszuführen:
- Si&sub2;Cl&sub2; + H&sub2;O → mHCl (Gas)↑ + SiO&sub2;
- Nach dem Evakuieren der Kammer kann sodann ein Gas, das Fluor wie beispielsweise CF&sub4; oder NF&sub3;, SF&sub6; oder NF&sub3; + O&sub2; oder SF&sub6; + O&sub2; enthält, in Form eines Plasmas eingeführt werden, um die folgende Reaktion auszuführen:
- SiO&sub2; + CF&sub4; + e → SiF&sub4; (Gas)↑ CO&sub2;↑ + e.
- JA-OS 3 62520 beschreibt ein Verfahren zum Anwenden eines Plasmas, gebildet aus Chlor und Fluor, um ein Reaktionsprodukt zu entfernen, das nach dem Ätzen eines Aluminiumlegierungsfilmes verbleibt sowie nach dem Ätzen eines Sperrmetalls. Wird beispielsweise eine obere Aluminiumschicht wie Al-Si-Cu, Al-Si oder Al-Cu mit Chlor geätzt und eine darunter befindliche Sperrschicht wie TiW, MoSi, WSi, Ti, TiN oder α-Si mit Fluor geätzt, so bilden sich Reaktions-Restprodukte innerhalb der Plasmabehandlungskammer auf Teilen wie Elektroden, nachdem 10 Wafern geätzt wurden. Um die Ablagerungen zu entfernen, wird Plasma aus einem Gas gebildet, das Cl&sub2; alleine oder Cl&sub2; + BCl&sub3; oder Cl&sub2; + HCl enthält, und es wird während fünf Minuten gereinigt. Sodann wird ein Gas, das SF&sub6;, SF oder C&sub2;F&sub5; enthält, in Plasma umgewandelt, und die Reinigung wird während fünf Minuten durchgeführt. Demzufolge bilden eine Al- und eine Ti-Verbindung AlCl&sub2; und TiCl&sub2;, das während des Cl&sub2;-Plasmareinigens entfernt wird, und eine W- Verbindung bildet WF&sub5;, das während des SF&sub6;-Plasmareinigens entfernt wird.
- US 4 786 352 beschreibt ein Verfahren zum Reinigen von Siliciumoxid bei einer chemischen Niederdruckbedampfungskammer unter Verwendung eines Reinigungsgases, das abgebaut wird, um ätzende Plasmaarten zu bilden. Das Reinigungsgas enthält CF&sub4;, CF&sub4; + O&sub2;, C&sub2;F&sub6;, SF&sub6; oder NF&sub3;, Andere Reinigungsgase enthalten CF&sub3;Cl, CF&sub3;Br, CCl&sub4;, BCl&sub3;, Cl&sub2;, HCl, O&sub2; sowie Kombinationen mit oder ohne inerte Gase.
- US 4 576 698 beschreibt das Plasmareinigen von Ablagerungsprodukten, die sich in einer Ablagerungskammer bilden, wobei das Reinigungsgas P. D. 100 ist. US 4 749 440 beschreibt ein Verfahren zum Reinigen von Oxidablagerungen auf Quarzbooten. US 4 816 113 beschreibt ein Verfahren zum Entfernen von Kohlenstoffablagerungen in einer Kammer mit Sauerstoffplasma.
- US-A-4998979 beschreibt ein Verfahren zum Waschen eines Ablagerungsfilms, der Silicium enthält, vom Inneren eines Reaktionsgefäßes unter Verwendung von ClF&sub3;-Gas. Dieses Dokument beschreibt nicht das Entfernen von Aluminiumablagerungen.
- Die Erfindung betrifft ein Plasmareinigungsverfahren zum Entfernen von Aluminium-enthaltenden Rückständen in einer Plasmabehandlungskammer. Das Verfahren beinhaltet das Einleiten eines Reinigungsgasgemisches, umfassend ein O&sub2; enthaltendes Gas sowie ein Chlor-enthaltendes Gas in die Kammer sowie das Durchführen einer Plasmareinigungsstufe durch Aktivieren des Reinigungsgasgemisches und durch Bilden eines Plasmas, das das Reinigungsgas enthält, durch Inkontaktbringen der Innenflächen der Kammer mit dem Plasmareinigungsgas und das Entfernen der Aluminium-enthaltenden Rückstände von den Innenflächen. Das Reinigungsgas kann ferner ein Gas auf Fluorbasis enthalten.
- Das Gas auf Chlorbasis kann 10-25 Volumenprozent des Reinigungsgases enthalten. Das Gas auf Fluorbasis kann 2-10 Volumenprozent des Reinigungsgases enthalten. Das Gas auf Chlorbasis kann Cl&sub2;, CCl&sub4;, HCl oder ein Gemisch hiervon umfassen. Das Gas auf Fluorbasis kann NF&sub3;, SF&sub6;, einen Fluorkohlenstoff oder ein Gemisch hiervon enthalten. Der Fluorkohlenstoff kann CF&sub4;, C&sub2;H&sub6; oder ein Gemisch hiervon enthalten. Das O&sub2;-enthaltende Gas kann weiterhin H&sub2;O, H&sub2;O&sub2;, O&sub3; oder ein Gemisch hiervon enthalten. Das Gas auf Chlorbasis und das Gas auf Fluorbasis können ein Chlor-Fluor- Kohlenstoffgas umfassen.
- Das Plasmareinigungsgas kann Kohlenstoff von organischen Rückständen, Metallen und Metalloxide in Gestalt von gasförmigen Nebenprodukten entfernen. So lassen sich beispielsweise Aluminium und Kupfer in den Rückständen mittels einer Reaktion mit dem Chlor im Plasmareinigungsgas in Gasform überführen. Oxide und Wolfram in den Rückständen lassen sich in Gasform mittels einer Reaktion mit dem Fluor des Plasmareinigungsgases überführen.
- Das Verfahren kann aus abwechselnden Stufen hohen und niedrigen Druckes bestehen, während das Kammerreinigungsplasma erzeugt wird. Diese abwechselnden Stufen können weiterhin aufeinanderfolgend wiederholt werden, um das Reinigen weiterhin zu begünstigen. So kann beispielsweise der "hohe" Druck (relativ zu den Verfahren, die in der Kammer normalerweise gefahren werden) größer als 3,3 Pa (25 mTorr) betragen, und der "niedere" Druck weniger als 3,3 Pa (25 mTorr). In einem speziellen Beispiel kann der Hochdruck bei 5,3 Pa (40 mTorr), und der niedrige Druck bei 1,3 Pa (10 mTorr) liegen.
- Als Ergebnis des Plasmareinigungsverfahrens lassen sich die Rückstände ohne ein Öffnen der Plasmabehandlungskammer entfernen. Die Reinigungsstufe kann beispielsweise durchgeführt werden im Anschluß an eine Stufe des Trockenätzens von einer oder mehreren Lagen auf einer Wafer, wobei die Lagen ein Fotoresist, einen Metallfilm und einen Oxidfilm umfassen, und das Trockenätzen Rückstände sich auf den Innenflächen der Plasmabehandlungskammer niederschlagen läßt. Die Reinigungsstufe läßt sich durchführen, nachdem mehrere hundert solcher Wafen geätzt wurden. Die Rückstände eines Trockenätzens auf Chlorbasis lassen sich beispielsweise entfernen durch Plasmareinigungsgas ohne daß Nebenprodukte zurückbleiben, die mit dem anschließenden Trockenätzen kollidieren, und ohne daß Partikel erzeugt werden, die den Wirkungsgrad eines nachfolgenden Trockenätzens beeinträchtigen. So lassen sich tatsächlich Rückstände von den Innenflächen der Plasmabehandlungskammer vollständig entfernen, ohne daß in der Plasmabehandlungskammer nach dem Beenden der Plasmareinigungsstufe Nebenprodukte verbleiben. Es lassen sich beispielsweise Nebenprodukte aus der Anwendung des Reinigungsplasmas, wie AlCl&sub3;, CO, CO&sub2;, Cl&sub2;, CuCl und WF&sub3;, aus der Plasmabehandlungskammer dann entfernen, wenn die Innenflächen der Kammer mit dem Plasma in Berührung gelangen.
- Die Erfindung betrifft ein neues und verbessertes Verfahren zum Entfernen von Aluminium-enthaltenden Rückständen von den Innenflächen einer Plasmabehandlungskammer. Diese Rückstände entstehen dann, wenn mehrlagige Strukturen mit Plasma (wie Plasmen auf Chlor-Basis und/oder auf Fluor-Basis) in der Plasmabehandlungskammer trockengeätzt werden. Derartige Aluminium-enthaltende Rückstände enthalten weitere Metalle, Silikate, Chlor, organische Bestandteile und/oder Gemische hiervon. Das Verfahren ist besonders wirksam beim Reinigen der Vorrichtung gemäß US 4 948 458 ("Ogle"), worauf hiermit Bezug genommen wird.
- Gemäß der Erfindung wird Plasma verwendet, gebildet aus Chlor sowie einem O&sub2;-enthaltenden Gas, um Aluminium-enthaltende Rückstände von den Innenflächen einer Plasmabehandlungskammer zu entfernen. Aufgrund der Vollständigkeit der Reaktionen beim Umwandeln der festen Rückstände in Gasform ist es möglich, die Plasmabehandlungskammer vollständig zu reinigen, so daß keine Nebenprodukte in der Kammer verbleiben.
- Das Verfahren gemäß der Erfindung erzielt überraschenderweise eine überragende Reinigung von Aluminium-enthaltenden Rückständen, verglichen mit dem aufeinanderfolgenden Gebrauch einzelner Plasmareinigungsgase. So vermag beispielsweise ein Plasma, das lediglich ein Gas auf Chlorbasis enthält, Aluminium-enthaltende Rückstände, die vom Trockenätzen eines Stapels dünner Lagen zurückbleiben, wie dies beim Herstellen von Halbleitervorrichtungen der Fall ist, nicht vollständig zu reinigen. Solche Lagen beinhalten üblicherweise ein Sperrmetall, das durch Zugabe von Gas auf Fluorbasis geätzt werden kann. Man beachte, daß die Trockenätzrückstände ein Produkt eines Serienätzens einiger Lagen von Materialien wie verschiedene Metallagen sind, und des Konstantätzens anderer wie Fotoresiste. Die Rückstände als solche sind von komplexer Materialkombination, die eine selektive Ätzung auf Chlorbasis nicht entfernen kann.
- Ein Plasma, das lediglich ein O&sub2;-enthaltendes Gas umfaßt, ist unwirksam bezüglich des Reinigens von Rückständen, die Aluminium enthalten. Ein Plasma, das lediglich ein Gas auf Fluor-Basis umfaßt, führt zu festen Nebenprodukten wie AlF&sub3;, die in der Kammer verbleiben. Diese Nebenprodukte stören weiterhin nachfolgendes Ätzen aufgrund des Fluors, das während des Trockenätzens freigesetzt wird. Die Nebenprodukte tragen weiterhin zu Partikeln bei, die einen Wirkungsgradverlust bezüglich des Produktes des Trockenätzens zur Folge haben.
- Es wurde überraschenderweise festgestellt, daß ein Plasma, gebildet aus Chlor und einem O&sub2; enthaltenden Gas mit oder ohne einem Fluor- enthaltendem Gas Aluminium-enthaltende Rückstände in einer Plasmabehandlungskammer wirksam vollständig entfernt. Wird das Reinigen andererseits aufeinanderfolgend mit einem O&sub2; enthaltenden Plasma durchgeführt, sodann mit einem Plasma auf Chlor-Basis, gefolgt von einem Plasma auf Fluor-Basis, so ist jedes Plasma zu selektiv bezüglich der Reaktion und vermag demgemäß nicht Aluminium-enthaltende Rückstände zu entfernen, die weiterhin komplexe Verbindungen von Metallen, Chlor und/oder organischen Stoffen enthalten. Dasselbe gilt für verschiedene Folgen des Reinigens mit solchen O&sub2;-enthaltenden Gasen auf Chlor-Basis und auf Fluor- Basis. Durch Anwenden einer Folge von Ätzungen, basierend auf O&sub2;- enthaltenden Gasen auf Chlor-Basis und auf Fluor-Basis werden andere Nebenprodukte gebildet, die weiterhin das Trockenätzen stören und sogar Partikel erzeugen, die den Wirkungsgrad des Trockenätzens verringern. Gemäß der Erfindung ist es jedoch möglich, eine Plasmabehandlungskammer Plasma zu reinigen und Aluminium-enthaltende Rückstände vollständig zu entfernen, die von vorausgehendem Trockenätzen zurückgeblieben sind, ohne Partikel zu erzeugen, die den Wirkungsgrad des Trockenätzens verringern.
- Gemäß der Erfindung wird ein Plasma (oder dessen reagierende Nebenprodukte) in eine evakuierte Kammer eingeführt (die zuvor verwendet wurde zum Trockenätzen auf Chlor-Basis oder zum Trockenätzen auf Chlor- und Fluor-Basis), um mit den Innenflächen der Plasmabehandlungskammer in Kontakt zu gelangen; Produkte der Reaktion mit den Aluminium-enthaltenden Rückständen werden evakuiert. Das zum Reinigen der Plasmabehandlungskammer verwendete Plasma beinhaltet ein O&sub2;- enthaltendes Gas (z. B. O&sub2;) und ein Gas auf Chlor-Basis (z. B. Cl&sub2;) oder ein Gasgemisch, das O&sub2; enthaltendes Gas, Gas auf Chlor-Basis und ein Gas auf Fluor-Basis umfaßt. Demzufolge setzt das Plasma den Kohlenstoff der organischen Bestandteile frei, und Metalle wie Al und Cu werden mittels der Reaktion mit Chlor in Gasform überführt. Oxide und einige Metalle wie W reagieren mit Fluor, um weitere gasförmige Nebenprodukte zu bilden. Chlor und Fluor bilden außerdem eine katalytische Unterstützung des Sauerstoffes (durch Besprühen), um den Kohlenstoff der organischen Bestandteile freizusetzen. Da alle diese Reaktionen gleichzeitig stattfinden und einander unterstützen, wird das gesamte Material in den Rückständen aufgebraucht. Demgemäß werden Aluminium-enthaltende Rückstände des vorausgehenden Trockenätzens auf Chlor-Basis entfernt, ohne daß Stoffe zurückbleiben, die ein künftiges Trockenätzen stören und ohne daß Partikel erzeugt werden, die den Wirkungsgrad des Trockenätzens verringern würden.
- Das folgende Beispiel dient zum Erläutern weiterer Gedanken der Erfindung.
- Um einen Mehrlagenstapel zu ätzen (wie eine Oberlage von Fotoresisten zum Bemustern, Ti für das ARC, Aluminium mit Kupfer und TiW) ist es üblich, einen wenigstens zwei Ätzstufen umfassenden Prozeß durchzuführen. Insbesondere werden Ti und Al mit Trockenätzung auf Chlor-Basis geätzt, und sodann wird TiW trockengeätzt auf Fluor-Basis. Sind mehrere hundert Wafern trockengeätzt, so bedecken Rückstände diese Ätzungen die Flächen der Kammer und sammeln sich bis zu einer erheblichen Stärke an, die das nachfolgende Trockenätzen solcher Wafern erheblich beeinträchtigen. Gemäß der Erfindung lassen sich diese Rückstände durch Anwenden der folgenden Gasgemische entfernen:
- (1) O&sub2; + Cl&sub2; (Gasvolumenverhältnis 20 : 4)
- (2) O&sub2; + Cl&sub2; + CF&sub4; (Gasvolumenverhältnis 20 : 4 : 1)
- Der Reinigungsprozeß gemäß der Erfindung kann bei Hochdruck ablaufen (z. B. bei einem Druck von ü ber 3,3 Pa = 25 mTorr) bis 5,3 Pa (40 mTorr) und sodann bei einem niedrigen Druck (z. B. von weniger als 3,3 Pa = 25 mTorr bis 1,3 Pa = 10 mTorr); jede Stufe wird etwa 15 Minuten lang durchgeführt. Diese "hohen" und "niedrigen" Drücke verstehen sich in Bezug auf den normalen Arbeitsbereich des Trockenätzens, das in der Kammer durchgeführt wird. Die Rückstände, die Metalle, Chlor, Fluor und organische Stoffe enthalten, werden somit durch Nebenprodukte entfernt wie AlCl&sub3;, Co, CO&sub2;, Cl&sub2;, CuCl und WF&sub5;. Aufgrund der Vollständigkeit der Reaktionen bezüglich des Umwandelns der festen Rückstände in Gasform verbleiben keine Nebenprodukte nach der Reinigungsstufe in der Kammer.
- Falls das Reinigungsplasma ein O&sub2;-enthaltendes Gas sowie ein Gas auf Chlor- Basis umfaßt, kann das Gas auf Chlor-Basis in einer Menge von 10-25 Volumenprozent vorliegen. Enthält das Reinigungsgas O&sub2; enthaltendes Gas, ein Gas auf Chlor-Basis und ein Gas auf Fluor-Basis, so kann das Gas auf Chlor-Basis in einer Menge von 10-25 Volumenprozent vorliegen, und das Gas auf Fluor-Basis in einer Menge von 2-10 Volumenprozent. Das O&sub2;- enthaltende Gas kann ferner H&sub2;O, H&sub2;O&sub2;, O&sub3; und/oder Gemische hiervon enthalten. Das Gas auf Chlor-Basis kann Cl&sub2;, CCl&sub4;, HCl und/oder andere Gemische hiervon enthalten. Das Gas auf Fluor-Basis kann NF&sub3;, SF&sub6;, einen Fluorkohlenwasserstoff wie CF&sub4; oder C&sub2;F&sub6; und/oder Kombinationen hiervon enthalten. In jedem Falle können die Moleküle selbst, eine Kombination oder dissoziierte Ionen sowie Radikale hiervon im O&sub2;-enthaltenden Gas, im Gas auf Chlor-Basis und/oder im Gas auf Fluor-Basis eingeschlossen sein. Die Gase auf Chlor-Basis und auf Fluor-Basis können ersetzt oder ergänzt werden durch ein Chlorkohlenstoffgas (bekannt als CFC).
Claims (20)
1. Plasma-Reinigungsverfahren zum Entfernen von aluminium-
enthaltenden Rückständen in einer Plasma-Behandlungskammer,
umfassend:
Einleiten eines Reinigungsgasgemisches, umfassend ein O&sub2;-
enthaltendes Gas und ein chlor-enthaltendes Gas in eine Plasma-
Behandlungskammer; und
Ausführen eines Plasma-Reinigungsschrittes durch Aktivieren des
Reinigungsgasgemisches und durch Bilden eines Plasmas mit dem
Reinigungsgas, in Berührungbringen der Innenflächen der Plasma-
Behandlungskammer mit dem Plasma-Reinigungsgas und Entfernen
der aluminium-enthaltenden Rückstände von den Innenflächen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Reinigungsgasgemisch
weiterhin ein Gas auf Fluorbasis aufweist.
3. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das chlor-enthaltende Gas 10 bis 25
Volumen-% des Reinigungsgases enthält.
4. Verfahren nach Anspruch 2, wobei das Gas auf Fluorbasis 2 bis 10
Volumen-% des Reinigungsgases enthält.
5. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das chlor-enthaltende Gas Cl&sub2;, CCl&sub4;,
HCl oder Gemische hiervon enthält.
6. Verfahren nach Anspruch 2, wobei das Gas auf Fluorbasis NF&sub3;, SF&sub6;, ein
Fluorkohlenstoff oder ein Gemisch hiervon enthält.
7. Verfahren nach Anspruch 6, wobei der Fluorkohlenstoff CF&sub4;, C&sub2;F&sub6; oder
ein Gemisch hiervon enthält.
8. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das O&sub2;-enthaltende Gas weiterhin
H&sub2;O, H&sub2;O&sub2;, O&sub3; oder ein Gemisch hiervon enthält.
9. Verfahren nach Anspruch 2, wobei das chlor-enthaltende Gas sowie
das Gas auf Fluorbasis ein Chlor-Fluor-Kohlenstoffgas enthält.
10. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Plasma-Reinigungsgas
weiterhin Kohlenstoff organischer Rückstände sowie Metalle und
Metalloxide in Form von gasförmigen Nebenprodukten entfernt.
11. Verfahren nach Anspruch 1, wobei Aluminium und gegebenenfalls
Kupfer im Rückstand durch Reaktion mit Chlor im Plasma-
Reinigungsgas in Gasform überführt wird.
12. Verfahren nach Anspruch 2, wobei die Innenflächen weiterhin Oxide
und/oder Wolframrückstände umfassen, und die Oxide und/oder
Wolframrückstände mittels Reaktion mit dem Chlor des Plasma-
Reinigungsgases in Gasform überführt werden.
13. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Plasma-Behandlungskammer
eine Plasamätzkammer ist, die während der Reinigungsstufe evakuiert
wird.
14. Verfahren nach Anspruch 13, wobei während der Reinigungsstufe der
Innenraum der Plasma-Behandlungskammer zunächst unter hohem
und sodann unter niedrigem Druck steht, wobei der hohe Druck größer
als 3,3 Pa (25 mTorr) und der niedere Druck weniger als 3,3 Pa (25
mTorr) ist.
15. Verfahren nach Anspruch 14, wobei der Hochdruck bei etwa 5,3 Pa (40
mTorr) und der Niederdruck bei etwa 1,3 Pa (10 mTorr) beträgt.
16. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Innenflächen weiterhin C, Cu
und/oder W-Rückstände aufweisen und das Plasma-Reinigungsgas C,
Cu und/oder W-Rückstände in wenigstens ein zusätzliches
Nebenprodukt umwandelt, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus
CO, CO&sub2;, Cl&sub2;, CuCl und WF&sub5;, das dann aus der Plasma-
Behandlungskammer entfernt ist, wenn die Innenflächen der Kammer
mit dem Plasma-Reinigungsgas in Kontakt gelangen.
17. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die aluminium-enthaltenden
Rückstände ohne Öffnung der Plasma-Behandlungskammer entfernt
werden.
18. Verfahren nach Anspruch 1, weiterhin umfassend das Verarbeiten einer
Halbleiter-Wafer in der Plasma-Behandlungskammer vor der Plasma-
Reinigungsstufe, wobei das Verarbeiten eine Stufe des trockenen
Ätzens einer oder mehrerer Schichten der Wafer umfaßt, gefolgt vom
Entfernen der geätzten Wafer aus der Plasma-Behandlungskammer vor
dem Plasma-Reinigungsschritt, die Lagen einer aluminium-enthaltende
Schicht beinhalten, eine photoresistente Schicht sowie einen Oxidfilm,
und wobei das Trockenätzen die aluminium-enthaltenden Bestände
dazu bringt, auf den Innenflächen der Plasma-Behandlungskammer
sich niederzuschlagen.
19. Verfahren nach Anspruch 18, wobei das Trockenätzen ein
Trockenätzen auf Chlorbasis beinhaltet und wobei Rückstände des auf
Chlorbasis durchgeführten Trockenätzens durch das Plasma-
Reinigungsgas entfernt werden, ohne daß Nebenprodukte
zurückbleiben oder Partikel erzeugt werden, die ein nachfolgendes
Trockenätzen stören, das auf einer Halbleiter-Wafer im Anschluß an
den Plasma-Reinigungsschritt durchgeführt wird.
20. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die aluminium-enthaltenden
Rückstände von den Innenflächen der Plasma-Behandlungskammer
vollständig entfernt werden und keine Nebenprodukte in der Plasma-
Behandlungskammer nach dem Beendigen des Plasma-
Reinigungsschrittes verbleiben.
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