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DE69313062T2 - Chip-Direktmontage - Google Patents

Chip-Direktmontage

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DE69313062T2
DE69313062T2 DE69313062T DE69313062T DE69313062T2 DE 69313062 T2 DE69313062 T2 DE 69313062T2 DE 69313062 T DE69313062 T DE 69313062T DE 69313062 T DE69313062 T DE 69313062T DE 69313062 T2 DE69313062 T2 DE 69313062T2
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Texas Instruments Inc
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Description

    GEBIET DER ERFINDUNG
  • Diese Erfindung bezieht sich auf Haibleiterbauelemente und insbesondere auf eine Chips auf einer Leiterplatte aufweisende Anordnung und ein entsprechendes Verfahren, bei denen ungekapselte Halbleiterchips abwechselnd auf gegenüberliegenden Seiten einer Leiterplatte befestigt werden.
    • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Bei einer Chips auf einer Leiterpiatte aufweisenden Anordnung werden Halbleiterchips normalerweise auf einer Seite der Leiterplatte befestigt. Golddrähte werden verwendet, um die Bondkontaktstellen auf dem Halbleiterbauelement mit den Kontaktflächen auf der Leiterplatte zu verbinden. Es sind nicht nur zur Befestigung der Halbleiterchips, sondern auch zum Vorsehen der Schaltungskontaktflächen für die Zwischenverbindungen zum Anschließen der Haibleiterbauelemente auf der Leiterplatte große Flächen erforderlich. Herkömmliche Chipanordnungen sind in den US-A-4 807 019 und US-A-5 099 309 dargestellt.
    • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Die Erfindung bezieht sich auf eine Chips auf einer Leiterplatte aufweisende Anordnung gemäß Anspruch 1, bei der ungekapselte Halbleiterchips abwechselnd auf gegenüberliegenden Seiten einer Leiterplatte befestigt werden. Jedes Haibleiterbauelement verwendet eine zentrale Bondkontaktstellenanordnung. Der ungekapselte Chip wird mit der aktiven Seite nach unten befestigt, wobei die zentral liegende Bondkontaktstelle innerhalb einer Öffnung in der Leiterplatte zentriert wird. Die zentral liegenden Bondkontaktstellen werden nach dem Nagelkopfbondverfahren oder dem Keilbondverfahren mit den Leiterplattenkontakten auf der Seite der Leiterplatte verbunden, die der Seite, auf der der ungekapselte Chip befestigt ist, gegenüberliegt Die abwechselnde Befestigung und die zentral liegenden Bondkontaktstellen des Halbleiterchips nutzen die Leiterplattenfläche besser aus.
  • Ein Verfahren zur Herstellung einer Chipanordnung auf der Leiterplatte ist im Anspruch 6 offenbart.
  • Sowohl der technische Fortschritt, den die Erfindung darstellt, als auch deren Ziele werden aus der folgenden Beschreibung einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung deutlich werden, wenn diese in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen und den in den beigefügten Ansprüchen herausgestellten neuen Merkmalen betrachtet wird.
    • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Figur 1 ist ein zum Stand der Technik gehörender Halbleiter mit zentral liegenden Bondkontaktstellen;
  • Fig. 2 ist eine typische bisherige Chips auf einer Leiterplatte aufweisende Anordnung;
  • Fig. 3 zeigt eine Chips auf einer Leiterplatte aufweisende Anordnung gemäß der vorliegenden Erfindung;
  • Fig. 4 ist eine Seitenansicht der Chips auf einer Leiterplatte aufweisenden Anordnung der vorliegenden Erfindung; und
  • Fig. 5 ist eine Draufsicht der Chips auf einer Leiterplatte aufweisenden Anordnung der vorliegenden Erfindung.
    • BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • Die Fig. 1 stellt einen typischen Halbleiterchip 10 mit zentral liegenden Bondkontaktstellen 11 dar.
  • Die Fig. 2 zeigt die typische Anordnung einer Leiterplatte, bei der das Verfahren der Chipmontage auf der Leiterplatte verwendet wurde. Wenn die Bondkontaktstellen 23 des Halbleiterbauelements 21 entlang dem Rand des Chips liegen, ist die Fläche der Leiterplatte 20 für den Chip 21 typischerweise größer als der Chip, da der Chip befestigt werden muß und Verbindungen zwischen den Bondkontaktstellen 23 auf dem Chip und den Kontakten 24 auf der Leiterplatte hergestellt werden müssen. Ein Chip 10 mit zentral liegenden Bondkontaktstellen 11 kann auch in entsprechender Weise rnit größerer Drahtlänge 12 angebracht werden. Jeder der Chips 10 und 21 ist mit einem Kapselungsmaterial bei 28 bzw. 29 beschichtet, um das Bauelement zu kapseln und zu schützen und den Bonddraht an seinem Platz zu halten.
  • Die Fig. 3 ist eine dreidimensionale Ansicht der vorliegenden Erfindung. Lediglich fünf Chips sind dargestellt. Bei der Leiterplatte 31 sind Halbleiterchips 32 abwechselnd auf gegenüberliegenden Seiten der Leiterplatte 31 befestigt. Jeder Halbleiterchip 32 besitzt zentral liegende Bondkontaktstellen 35. Jeder Chip liegt über einer Öffnung 33 in der Leiterplatte 31, so daß die Bondkontaktstellen 35 in den Öffnungen 33 zentriert sind. Jede Bondkontaktstelle 35 ist mit einem Kontakt 34 auf der Leiterplatte 31 verbunden. Die Kontakte 34 sind ein Teil der Schaltungsanordnung auf der Leiterplatte 31. Durchgangslöcher liegen in einigen dieser Kontakte, um die anderen Schichten der Leiterplatte zu verbinden. Da die Bondkontaktstellen 35 nahe an den Kontakten 34 liegen, ist nur ein kurzer Bonddraht erforderlich, um den Halbleiterchip mit der Schaltungsanordnung auf der Leiterplatte zu verbinden, und eine größere Anzahl an Halbleiterchips kann auf jeder Leiterplatte untergebracht werden.
  • Die Fig. 4 ist eine Seitenansicht einer Chips auf einer Leiterplatte aufweisenden Anordnung. Ungekapselte Halbleiterchips 32 sind mit einem Hochtemperaturkleber 31a abwechselnd auf gegenüberliegenden Seiten der Leiterplatte 31 angebracht. Die Leiterplatte 31 wurde mit einer Lötmaske zur elektrischen Isolation beschichtet. Bei jedem Chip sind die Bondkontaktstellen zentral liegend angeordnet. Ein Feld von Bondkontaktstellen 35 liegt entfernt von der Kante des Chips. Dieses Kontaktstellenfeld ist über einer Öffnung 33 in der Leiterplatte 31 zentriert. Jede Bondkontaktstelle auf dem Halbleiter 32 ist nach dem Nagelkopfbondverfahren oder dem Keilbondverfahren mit einem Bonddraht 32a mit einem entsprechenden (nicht dargestellten) Kontakt 34 auf der Seite der Leiterplatte 31 angebracht, die der Seite, auf der der Halbleiterchip befestigt ist, gegenüberliegt Durch abwechselndes Befestigen der Halbleiterchips auf gegenüberliegenden Seiten der Leiterplatte und durch Verwenden eines zentral liegenden Bondkontaktstellenfeldes können die Chips dichter beieinander angebracht werden, was eine höhere Dichte der Bauelemente schafft. Nach dem Testen wird eine Schutzschicht 36 aufgebracht.
  • Die Fig. 5 ist eine Draufsicht einer Chips auf einer Leiterplatte aufweisenden Anordnung 30. Die Halbleiterchips 32 sind dicht beieinander befestigt, wobei eine Öffnung 33 in der Leiterplatte zwischen jedem Halbleiterchippaar liegt. Wie in der Fig. 4 zu sehen ist, ist bei dem Halbleiterchip 32 auf der Bodenseite der Leiterplatte 31 das zentrale Bondkontaktstellenfeld über einer Öffnung 33 zentriert und die Bondkontaktstellen 35 sind mit den Kontaktflächen 34 auf der Oberseite der Leiterplatte 31 verbunden. Die Bonddrähte 32a erstrecken sich von den Bondkontaktstellen durch die Öffnungen 33 und sind mit den Kontakten 34 auf der gegenüberliegenden Seite der Leiterplatte 31 verbunden. Zwischen jedem Halbleiterchippaar ist eine einzige Kontaktreihe auf der Leiterplatte 31 dargestellt, es kann jedoch - je nach der gewünschten Schaltungskonfiguration - eine doppelte Kontaktreihe verwendet werden.
  • Das Bonden der Halbleiterbondkontaktstellen durch die Lei terplatte zu den Kontakten auf der gegenüberliegenden Seite der Leiterplatte ermöglicht den kürzesten Bonddraht zum Verbinden des Halbleiterchips mit der Leiterplatte. Die kurzen Bonddrähte erstrecken sich nicht über den Halbleiterchip, bieten Schutz für die Bonddrähte während des Testens und liefern für den gesamten Leiterplattenaufbau ein niedriges Profil und eine hohe Chipdichte.
  • Es ist nur eine Reihe Halbleiterchips, die abwechselnd auf einer Leiterplatte befestigt sind, dargestellt, jedoch können zwei oder mehrere Reihen - je nach Wunsch für eine spezielle Schaltungskonfiguration - angebracht werden.

Claims (8)

1. Chips auf einer Leiterplatte aufweisende Halbleiteranordnung, die Halbleiterchips (32) mit wenigstens einer aktiven Fläche und eine Leiterplatte (31) mit zwei Befestigungsflächen umfaßt, mit:
mehreren Öffnungen (33) in der Leiterplatte, die sich von einer Befestigungsfläche zu der gegenüberliegenden erstrecken;
mehreren Schaltungskontakten (34) auf jeder der zwei Befestigungsflächen der Leiterplatte;
mehreren Halbleiterchips, die abwechselnd auf gegenüberliegenden Befestigungsflächen der Leiterplatte befestigt sind, wobei die aktive Fläche an der Befestigungsfläche der Leiterplatte angebracht ist, jeder Halbleiterchip ein zentral liegendes Feld aus Bondkontaktstellen (35) auf seiner aktiven Fläche aufweist, wobei das auf jedem Halbleiterchip zentral liegende Bondkontaktstellenfeld über einer der mehreren Öffnungen in der Leiterplatte zentriert ist, so daß das zentral liegende Bondkontaktstellenfeld durch die entsprechende Öffnung in der Leiterplatte freigelegt ist und Bonddrähten (32a), die sich durch die entsprechende Öffnung in der Leiterplatte erstrecken und die Bondkontaktstellen des zentral liegenden Feldes auf jedem Halbleiterchip mit den Schaltungskontakten auf der Leiterplattenbefestigungsfläche verbinden, die derjenigen gegenüber liegt, auf der der Halbleiterchip angebracht ist.
2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, bei der die Bonddrähte nach dem Nagelkopfbondverfahren mit den Bondkontaktstellen auf dem Halbleiterchip verbunden sind.
3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, bei der die Bonddrähte nach dem Keilbondverfahren mit den Kontaktstellen auf dem Halbleiterchip verbunden sind.
4. Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche mit wenigstens zwei Reihen abwechselnd auf jeder Seite der Leiterplatte befestigter Halbleiterchips.
5. Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die aktive Fläche jedes Halbleiterchips durch einen Klebstoff an der Leiterplatte angebracht ist.
6. Verfahren zum Herstellen einer Chips auf einer Leiterplatte aufweisenden Anordnung mit den Schritten: es wird eine Leiterplatte (31) mit einer ersten Befestigungsfläche und einer zweiten Befestigungsfläche vorbereitet, wobei sich auf jeder der beiden Befestigungsflächen leitfähige Schaltungsanordnungen und Kontakte (34) befinden;
es werden mehrere längliche Löcher (33) gebildet, die sich durch die gesamte Leiterplatte erstrecken;
es werden mehrere Halbleiterchips (32), die jeweils ein zentral liegendes Bondkontaktstellenfeld auf ihrer aktiven Fläche besitzen, abwechselnd auf der ersten Befestigungsfläche der Leiterplatte und der zweiten Befestigungsfläche der Leiterplatte so befestigt, daß jedes zentral liegende Bondkontaktstellenfeld der mehreren Halbleiterchips in einem der länglichen Löcher zentriert ist; und
es wird jedes auf den Halbleiterchips zentral liegende Bondkontaktstellenfeld mit Kontakten auf der Leiterplatte durch einen Bonddraht (32a) verbunden, der an eine Bondkontaktstelle des zentral liegenden Feldes gebondet wird, sich durch das längliche Loch erstreckt und mit einem Leiterplattenkontakt auf der Leiterplattenbefestigungsfläche verbunden wird, die der Fläche gegenüber liegt, auf der der Halbleiterchip befestigt ist.
7. Verfahren nach Anspruch 6, umfassend den Schritt: es werden die Halbleiterchips vor dem Drahtbonden an der Leiterplatte mit einem Klebstoff angebracht.
8. Verfahren nach Anspruch 6 oder Anspruch 71 enthaltend den Schritt: es werden die mehreren länglichen Löcher, die sich durch die Leiterplatte erstrecken, so angeordnet, daß sie im wesentlichen parallel zueinander sind.
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