DE69223099T2 - Aufzeichnungsgerät für eine Speicherkarte - Google Patents
Aufzeichnungsgerät für eine SpeicherkarteInfo
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Description
- Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Speicherkartengerät unter Verwendung eines EEPROM (electrically erasable and programmable read-only memory) als Halbleiterspeicher, und insbesondere auf ein Speicherkartengerät, das zur Verwendung für eine elektronische Standbildkamera oder dergleichen geeignet ist, welche so konzipiert ist, daß sie ein photographiertes optisches Bild eines zu photographierenden Objekts in digitale Bilddaten zu verwandeln und die Daten in einem Halbleiterspeicher aufzuzeichnen vermag.
- Wie allgemein bekannt ist, ist eine elektronische Standbildkamera entwickelt worden. Dieser Apparat ist so konzipiert, daß er ein photographiertes optisches Bild eines zu photographierenden Objekts in ein elektrisches Bildsignal verwandelt, das Bildsignal in digitale Bilddaten umwandelt und die Daten in einem Halbleiterspeicher aufzeichnet. In einer elektronischen Standbildkamera dieser Art ist eine Speicherkarte mit einem in einem Gehäuse untergebrachten Halbleiterspeicher so konzipiert, daß sie herausnehmbar in einem Kamerahauptkörper eingebaut ist, so daß die Speicherkarte in derselben Art und Weise gehandhabt werden kann wie ein Film einer gewöhnlichen Kamera.
- Die Standardisierung von Speicherkarten für elektronische Standbildkameras schreitet heute voran. Als eingebauter Halbleiterspeicher ist ein Speicher mit großer Kapazität erforderlich, um digitale Bilddaten aufzuzeichnen, die einer Vielzahl von Frames (Einzelbildern) entsprechen.
- Als Speicher dieser Art ist ein SRAM (static random access memory), ein Masken-ROM (mask ROM), oder ein EEPROM, das fähig ist, Daten elektrisch aufzuzeichnen und zu löschen, oder dergleichen in Betracht gezogen worden. Eine Speicherkarte, die ein SRAM verwendet, ist bereits auf dem Markt gewesen.
- Eine Speicherkarte unter Benutzung eines SRAM ist insofern vorteilhaft, als es sich an die Datenanordnung jeder Art von Format anpassen kann und eine hohe Datenlese-/schreibgeschwindigkeit aufweist. Es muß jedoch in der Speicherkarte eine Zusatzbattene (backup battery) untergebracht werden, um eingeschriebene Daten gespeichert zu halten. Infolgedessen ist die Speicherkapazität entsprechend dem zur Unterbringung der Batterie benotigten Platz verringert. Außerdem ist die Verwendung des SRAM wegen der hohen Kosten wirtschaftlich unvorteilhaft.
- Um die Nachteile des SRAM zu beseitigen, ist in letzter Zeit einem EEPROM als Halbleiterspeicher zur Verwendung für eine Speicherkarte sehr viel Beachtung geschenkt worden. Als Ersatz für eine Magnetplatte lenkt das EEPROM als Aufzeichnungsmedium die Aufmerksamkeit auf sich. Die dem EEPROM eigenen Vorteile bestehen darin, daß es zum Beispiel zum Behalten gespeicherter Daten keine Hilfs- bzw. Zusatzbattene benötigt und eine Kostensenkung pro Chip gestattet. Dank dieser Vorteile schreitet die Entwicklung eines EEPROMs zur Verwendung für eine Speicherkarte rasch fort.
- In der US-A-4 803 554 ist ein Apparat zum elektronischen Aufzeichnen von Standbildern mit hoher Auflösung offenbart. Digital formatierte Bilddaten werden in einem Pufferspeicher und des weiteren in einem eine Anzahl einzeln adressierter Gruppen von EPROM-Schaltungen aufweisenden EPROM-Modul gespeichert, indem die Bilddaten simultan über eine Anzahl von Sperrschaltern (latches) übertragen werden.
- In der EP-A-0 372 514 ist ein Bildspeicherapparat offenbart, bei dem die Speicherung und das Auslesen der Daten unter Verwendung von Mehrfach-Adreßgeneratoren für die Startadresse jedes Datenblocks im Speicher im Direktzugriff bzw. Zufallszugriff (randomized) erfolgt. Die Eingabe-/Ausgabe-Bildverarbeitungsverfahren vom Speicher werden durch Abtast- bzw. Erfassungsmittel gesteuert, welche eine Schalteinheit zum Ansteuern der Startadresse jedes Datenblocks triggern.
- Fig. 1 stellt die Vorteile und Nachteile einer Speicherkarte (SRAM-Karte) unter Verwendung eines SRAM und einer Speicherkarte (EEPROM-Karte) unter Verwendung eines EEPROM im Vergleich dar. Was zunächst einmal die Vergleichsposten 1 und 2, nämlich "Zusatzbatterie" und "Kosten" betrifft, so erfordert die SRAM-Karte eine Zusatzbattene und ist teuer, während die EEPROM-Karte keine Zusatzbattene erfordert und eine Kostenreduzierung gestattet.
- Hinsichtlich der "Schreibgeschwindigkeit" und der "Lesegeschwindigkeit" als Vergleichposten 3 und 4, ist als nächstes ein Direktzugriffsmodus in Betracht zu ziehen, der dem SRAM und dem EEPROM gemeinsam ist, und bei dem ein Datenschreib-/lesevorgang bezüglich eines willkürlich durch eine Adresse bezeichneten Bytes oder Bits stattfindet, und ein dem EEPROM eigener Seitenmodus, bei dem der Datenschreib-/lesevorgang in Einheiten von Seiten stattfindet, indem man eine aus einer Vielzahl von aufeinanderfolgenden Bytes (mehrere hundert Bytes) bestehende Seite bezeichnet bzw. zuweist.
- Beim Direktzugriffsmodus sind sowohl die Schreib- als auch die Lesegeschwindigkeiten des SRAM hoch, während die des EEPROM niedrig sind. Beim Seitenmodus sind die Schreib- und Lesegeschwindigkeiten höher als beim Direktzugriffsmodus, da eine große, einer Seite entsprechende Datenmenge in das EEPROM eingelesen bzw. von diesem ausgelesen werden.
- Der "Löschmodus" (erase mode) als Vergleichsposten 5 ist nur dem EEPROM eigen,im SRAM jedoch nicht vorhanden. Das heißt, daß im EEPROM Daten nicht neu in einem Bereich aufgezeichnet werden können, in dem schon Daten eingeschrieben worden sind, ohne die vorher eingeschriebenen Daten zuerst zu löschen. Deshalb wird beim Einschreiben von Daten dieser Löschmodus ausgeführt. Der Löschmodus umfaßt einen Chip-Löschvorgang, bei dem alle gespeicherten Inhalte des EEPROM auf einmal gelöscht werden, und einen Block-Löschvorgang, bei dem die gespeicherten Inhalte in Einheiten von Blöcken gelöscht werden, von denen jeder (mehrere kBytes) aus einer Anzahl von Seiten besteht.
- Was die "Schreibprüfung" (write verify) als Vergleichsposten 6 betrifft, so ist dieser Modus ebenfalls nur dem EEPROM eigen, jedoch im SRAM nicht vorhanden. Im allgemeinen können im EEPROM Daten nicht in einem Schreibvorgang vollständig geschrieben werden. Aus diesem Grund muß jedesmal, wenn eine Schreiboperation bezüglich des EEPROM stattfindet, der geschriebene Inhalt vom EEPROM ausgelesen werden, um zu prüfen, ob die Daten richtig eingeschrieben sind. Dieser Vorgang findet im Schreibprüfmodus statt.
- Genauer gesagt werden die in das EEPROM zu schreibenden Daten vorher in einem Pufferspeicher aufgezeichnet. Nachdem die vom Pufferspeicher übertragenen Daten in das EEPROM eingeschrieben sind, wird der eingeschriebene Inhalt des EEPROMs ausgelesen, um zu prüfen, ob der ausgelesene Inhalt mit dem Inhalt des Pufferspeichers übereinstimmt. Falls eine Nicht-Koinzidenz (Fehler) als Ergebnis des Schreibprüfvorgangs ermittelt wird, wird der Inhalt des Pufferspeichers nochmals in das EEPROM eingeschrieben.
- Wie aus obigem Vergleich hervorgeht, hat das EEPROM einmalige Vorteile, welche das SRAM nicht aufweist, z.B. die Fähigkeit ohne Zusatzbattene zu arbeiten, niedrige Kosten, und die Fähigkeit, Datenschreib-/leseoperationen in Einheiten von Seiten auszuführen. Das EEPROM hat jedoch auch einige Nachteile. Zum Beispiel hat das EEPROM im Direktzugriffsmodus niedrige Datenschreib-/lesegeschwindigkeiten, und erfordert Betriebsarten, die das SRAM nicht benötigt, z.B. den Löschmodus und den Schreibprüfmodus.
- Deshalb müssen, falls das EEPROM als Halbleiterspeicher für eine Speicherkarte anstatt des gängigen SRAM verwendet werden soll, in verschiedener Hinsicht Verbesserungen in Einzelheiten durchgeführt werden, damit die EEPROM-Karte ebenso verwendet werden kann wie eine Speicherkarte mit dem SRAM, d.h. damit eine Verwendung der EEPROM-Karte ähnlich der SRAM-Karte durch Beseitigung dieser Nachteile, d.h. niedriger Datenschreib- und -lesegeschwindigkeiten, und der Notwendigkeit von Lösch- und Schreibprüfmodi und dgl. möglich wird.
- Die vorliegende Erfindung ist unter Berücksichtigung der obigen Situation gemacht worden, und ihre Aufgabe ist es, ein Speicherkartengerät bereitzustellen, das eine SRAM- Karten-ähnliche Verwendung eines EEPROMs bei der Datenschreib-/leseverarbeitung gestattet.
- Die Erfindung ist in den Ansprüchen dargelegt.
- Diese Erfindung wird anhand der folgenden detaillierten Beschreibung in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen näher erläutert. In den Zeichnungen zeigen:
- Fig. 1 eine Übersicht über die Vor- und Nachteile einer SRAM- und einer EEPROM- Karte im Vergleich, und
- Fig. 2 ein Blockschaltbild zur Darstellung der Anordnung eines Speicherkartengeräts gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
- Im folgenden ist eine Ausführungsform detailliert unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen erläutert, bei der die vorliegende Erfindung auf eine elektronische Standbildkamera angewandt ist. Gemäß der Fig. 2 bezeichnet das Bezugszeichen 11 einen Speicherkartenkörper, der über einen an einem Endabschnitt des Speicherkartenkörpers 11 angeordneten Verbinder 12 mit einem Hauptkörper CA einer elektronischen Standbildkamera verbunden ist. Digitale Daten DA zum Einschreiben in den Speicherkartenkörper 11, sowie Adreßdaten AD, welche deren Schreibstelle angeben, werden von der Hauptkörperseite CA der elektronischen Standbildkamera dem Verbinder 12 zugeführt.
- Die dem Verbinder 12 zugeführten digitalen Daten DA werden vorübergehend in einen Pufferspeicher 13 geladen und dort aufgezeichnet. Die Zeittakte, mit denen die digitalen Daten DA in den Pufferspeicher 13 geladen werden, werden durch von einem Adreßgenerator 14 ausgegebene Adreßdaten gesteuert. Der Adreßgenerator 14 zählt die Taktimpulse CK, die durch einen Selektor bzw. eine Taktschalteinrichtung 15 ausgewählt werden, um die dem Pufferspeicher 13 zuzuführenden Adreßdaten zu generieren bzw. zu erzeugen.
- Der Selektor 15 ist zum Empfang von Bus-Taktimpulsen BCK ausgelegt, die mit den Adreßdaten AD synchronisiert sind, sowie von Taktimpulsen YCK, die von einer Datenverarbeitungs(DV)-Steuereinrichtung 16 abgegeben werden. Wenn die digitalen Daten DA in den Pufferspeicher 13 geladen werden sollen, wählt der Selektor 15 die Bus- Taktimpulse BCK in Übereinstimmung mit einem Auswahisignal SEL aus, das von der DV-Steuereinrichtung 16 ausgegeben wird, und führt sie als CK-Taktimpulse dem Adreßgenerator 14 zu.
- Die an den Verbinder 12 gelieferten Adreßdaten AD werden der DV-Steuereinrichtung 16 zugeführt, und es wird unterschieden, ob es sich bei den Daten um Kopfteiladreßdaten HAD oder um Bildadreßdaten PAD handelt. Das heißt, die digitale Datenausgabe DA von der Hauptkörperseite CA der elektronischen Standbildkamera umfaßt Kopfteildaten HD als Teilstücke von Speicher- Managementinformation, so z.B. Speicherkarten- Merkmalsinformation, verschiedene, den einzelnen Bilddaten jeweils eigene Informationsarten, Dateninformation, Rest-Frame-Zählwert -Information sowie Bilddaten PD (einschließlich Sprache bzw. Ton), die einem zu photographierenden Gegenstand entsprechen.
- Wenn die DV-Steuereinrichtung 16 bestimmt, daß die eingegebenen Adreßdaten AD die Kopfteil- bzw. Kennsatzadreßdaten HAD sind, gibt die Steuereinrichtung 16 Kopfteil-Schreibfreigabedaten HWE an ein Kopfteil- EEPROM 17 aus. Das EEPROM 17 besteht aus einer Anzahl (zwei in Fig. 2) von EEPROM-Chips 171 und 172. Das EEPROM 17 wird so gesteuert, daß Daten nur in einem Zeitintervall eingeschrieben werden können, während dem die Kopfteil-Schreibfreigabedaten HWE aktiv sind (z.B. auf H-Niveau), eine Schreiboperation in anderen Zeitintervallen jedoch verhindert wird.
- Wenn die DV-Steuereinrichtung 16 bestimmt, daß die eingegebenen Adreßdaten AD die Bildadreßdaten PAD sind, gibt die Steuereinrichtung 16 Bild-Schreibfreigabedaten PWE an ein Bild-EEPROM 18 aus. Auch dieses Bild-EEPROM 18 besteht aus einer Anzahl von EEPROM-Chips 181 bis 18n. Das Bild-EEPROM 18 ist so gesteuert, daß Daten nur in dem Zeitintervall eingeschrieben werden können, während dem die Bild-Schreibfreigabedaten PWE aktiv sind (z.B. auf H- Niveau), und Schreiboperationen während anderer Zeitintervalle verhindert werden.
- Im allgemeinen werden EEPROMs eingeteilt in den ersten Typ, der eine geringe Speicherkapazität von mehreren 10 kBytes hat, aber Datenschreib- und -leseoperationen bei verhältnismäßig hohen Geschwindigkeiten in durch Adressen bezeichneten Byteeinheiten gestattet, und den zweiten Typ, der eine große Speicherkapazität von mehreren 10 Mbits aufweist, aber keine Schreib- /Leseoperation in Byte-Einheiten durchführen kann. Der zweite Typ verfügt jedoch über eine Stapellöschfunktion, die alle Speicherinhalte kollektiv löscht, sowie über eine Funktion zum kollektiven Durchführen von Datenschreib-/leseoperationen in Einheiten von Seiten.
- Alle Kopfteildaten HD der digitalen Daten DA sind dadurch gekennzeichnet, daß der totale Datenumfang nur 16 kBytes beträgt, und hauptsächlich Daten aufweist, die in Byte- Einheiten aktualisiert werden müssen, z.B. Dateninformat ion sowie Rest-Frame-Zählwert information. Deshalb wird als Kopfteil-EEPROM 17 zum Aufzeichnen der Kopfteildaten HD ein EEPROM des ersten, vorstehend beschriebenen Typs verwendet, das eine geringe Speicherkapazität aufweist und Datenschreib- /leseoperationen in Byte-Einheiten durchführen kann.
- Alle Bilddaten PD der digitalen Daten DA sind dadurch gekennzeichnet, daß sie sehr große Datenmengen für einen Bild-Frame aufweisen und insgesamt sequentiell (angeordnet) sind. Daher wird als Bild-EEPROM 18 zum Aufzeichnen der Bilddaten PD ein EEPROM des zweiten Typs verwendet, das eine große Speicherkapazität, die Stapellöschfunktion sowie die Funktion des kollektiven Durchführens einer Datenschreib-/leseoperation in Einheiten von Seiten durchführt.
- Angenommen, die digitalen Daten DA, die über den Verbinder 12 in den Pufferspeicher 13 eingeschrieben werden, sind die Kopfteildaten HD. In diesem Fall bestimmt die DV-Steuereinrichtung 16, daß die Kopfteildaten HD eingelesen werden, weil die eingegebenen Adreßdaten AD die Kopfteiladreßdaten HAD sind. Daraufhin gibt die DV-Steuereinrichtung 16 die Kopfteiladreßdaten HAD an das Kopfteil-EEPROM 17 aus und setzt die Kopfteil- Schreibfreigabedaten HWE in einen aktiven Zustand.
- Daraufhin steuert die DV-Steuereinrichtung 16 das Auswahlsignal SEL zum Schalten des Selektors 15 so, daß die von der Steuereinrichtung 16 erzeugten Taktimpulse YCK dem Adreßgenerator 14 zugeführt werden. Mit dieser Operation werden die Kopfteildaten HD sequentiell aus dem Pufferspeicher 13 in Übereinstimmung mit den vom Adreßgenerator 14 auf der Basis der Taktimpulse YCK generierten Adreßdaten ausgelesen, und die ausgelesenen Daten in das Kopfteil-EEPROM 17 eingeschrieben.
- Nachdem alle Kopfteildaten HD in das Kopfteil-EEPROM 17 eingeschrieben sind, führt die DV-Steuereinrichtung 16 eine Schreibprüfoperation wie folgt aus. Die Steuereinrichtung 16 aktiviert die Kopfteilausgabe- Freigabedaten HOE in bezug auf das Kopfteil-EEPROM 17, und gibt die Kopfteiladreßdaten HAD aus, um die geschriebenen Kopfteildaten HD auszulesen. Die Steuereinrichtung 16 prüft sodann, ob die ausgelesenen Kopfteildaten HD mit den im Pufferspeicher 13 aufgezeichneten Kopfteildaten HD übereinstimmen.
- Wenn die vom Kopfteil-EEPROM 17 ausgelesenen Kopfteildaten HD nicht mit den im Pufferspeicher 13 aufgezeichneten Kopfteildaten HD übereinstimmen, überträgt die DV-Steuereinrichtung 16 die Kopfteildaten HD nochmals vom Pufferspeicher 13 an das Kopfteil-EEPROM 17, um die Daten darin einzuschreiben. Diese Operation wird solange wiederholt, bis die aus dem Kopfteil-EEPROM 17 ausgelesenen Kopfteildaten HD vollständig mit den im Pufferspeicher 13 aufgezeichneten Kopfteildaten HD übereinstimmen, womit der Schreibvorgang der Kopfteildaten HD abgeschlossen ist.
- Angenommen, die über den Verbinder 12 in den Pufferspeicher 13 eingelesenen digitalen Daten DA sind die Bilddaten PD, so bestimmt in diesem Fall, da die eingegebenen Adreßdaten AD die Bildadreßdaten PAD sind, die Datensteuereinrichtung 16, daß die Bilddaten PD eingegeben werden. Daraufhin gibt die Steuereinrichtung 16 die Bildadreßdaten PAD an das Bild-EEPROM 18 aus und aktiviert die Bild-Schreibfreigabedaten PWE.
- Die DV-Steuereinrichtung 16 steuert dann das Auswahlsignal SEL zum Schalten des Selektors 15 so, daß die von der Steuereinrichtung 16 erzeugten Taktimpulse YCK dem Adreßgenerator 14 zugeführt werden. Daraufhin werden die Bilddaten PD in Übereinstimmung mit den von dem Adreßgenerator 14 auf der Basis der Taktimpulse YCK generierten Adreßdaten sequentiell ausgelesen, und die ausgelesenen Daten werden in das Bild-EEPROM 18 eingeschrieben.
- Nachdem alle Bilddaten PD in das Bild-EEPROM 18 eingeschrieben sind, führt die DV-Steuereinrichtung 16 eine Schreibprüfoperation wie folgt aus: Die Steuereinrichtung aktiviert Bildausgabe-Freigabedaten POE bezüglich des Bild-EEPROM 18 und gibt die Bildadreßdaten PAD aus, um die eingeschriebenen Bilddaten PD auszulesen. Die Steuereinrichtung 16 prüft daraufhin, ob die ausgelesenen Bilddaten PD mit den im Pufferspeicher 13 aufgezeichneten Bilddaten übereinstimmen.
- Wenn die vom Bild-EEPROM 18 ausgelesenen Bilddaten PD nicht mit den im Pufferspeicher 13 aufgezeichneten Bilddaten PD übereinstimmen, überträgt die DV- Steuereinrichtung 16 die Bilddaten PD vom Pufferspeicher 13 nochmals an das Bild-EEPROM 18, um die Daten darin einzuschreiben. Diese Operation wird solange wiederholt, bis die aus dem Bild-EEPROM 18 ausgelesenen Bilddaten PD vollständig mit den im Pufferspeicher 13 aufgezeichneten Bilddaten PD übereinstimmen, womit der Schreibvorgang für die Bilddaten PD abgeschlossen ist.
- Im folgenden wird der Auslesevorgang der Kopfteildaten HD und der Bilddaten PD vom Kopfteil-EEPROM 17 bzw. dem Bild-EEPROM 18, sowie das Ausgeben der ausgelesenen Daten nach außerhalb des Speicherkartenkörpers 11 beschrieben. Adressen, an denen von der Hauptkörperseite CA der elektronischen Standbildkamera über den Verbinder 12 Daten ausgelesen werden, werden zuerst bezeichnet. Die bezeichneten Adressen werden der DV-Steuereinrichtung 16 zugeführt und es wird diskriminiert bzw. unterschieden, ob die Daten die Kopfteiladreßdaten HAD oder die Bildadreßdaten PAD sind.
- Daraufhin aktiviert die DV-Steuereinrichtung 16 die Kopfteilausgabe-Freigabedaten HOE und die Bildausgabe- Freigabedaten POE auf der Basis des Diskriminierungsergebnisses, und schaltet den Selektor 15 so, daß die von der Steuereinrichtung 16 erzeugten Taktimpulse YCK dem Adreßgenerator 14 zugeführt werden, wodurch die Kopfteildaten HD und die Bilddaten PD vom Kopfteil-EEPROM 17 bzw. dem Bild-EEPROM 18 ausgelesen werden, und die ausgelesenen Daten in den Pufferspeicher 13 eingeschrieben werden.
- Die DV-Steuereinrichtung 16 schaltet dann den Selektor 15 so, daß die über den Verbinder 12 von der Hauptkörperseite CA der elektronischen Standbildkamera gelieferten Bus-Taktimpulse BCK dem Adreßgenerator 14 zugeführt werden. Daraufhin werden Daten in Übereinstimmung mit den von dem Adreßgenerator 14 auf der Basis der Bus-Taktimpulse BCK erzeugten Adreßdaten aus dem Pufferspeicher 13 ausgelesen. Die ausgelesenen Daten werden über den Verbinder 12 dem Hauptkörper CA der elektronischen Standbildkamera zugeführt, und die Kopfteildaten HD sowie die Bilddaten PD werden aus dem speicherkartenkörper 11 ausgelesen.
- Gemäß der Anordnung der vorstehend beschriebenen Ausführungsform wird ein EEPROM des ersten Typs, das eine geringe Speicherkapazität aufweist und Datenschreib- /leseoperationen in Byte-Einheiten bei einer relativ hohen Geschwindigkeit durchführen kann, als Kopfteil- EEPROM 17 zum Aufzeichnen der Kopfteildaten HD verwendet, das dadurch gekennzeichnet ist, daß es eine geringe Datenmenge aufweist und hauptsächlich Daten umfaßt, die in Byte-Einheiten aktualisiert werden, und ein EEPROM des zweiten Typs, das eine große Speicherkapazität besitzt und eine Stapellöschoperation sowie eine Stapel- Datenschreib-/leseoperation in Einheiten von Seiten ausführen kann, wird als Bild-EEPROM 18 zum Aufzeichnen der Bilddaten PD verwendet, und zeichnet sich dadurch aus, daß es eine sehr große Datenmenge aufweist und insgesamt sequentiell arbeitet. Daher können Daten sogar mit EEPROMs in Byte-Einheiten oder Seiten, je nach Datentyp, beliebig aktualisiert werden.
- Außerdem wird, da die Datenübertragung zwischen dem Hauptkörper CA der elektronischen Standbildkamera und dem Speicherkartenkörper 11 immer über den Pufferspeicher 13 ausgeführt wird, sowohl die Datenschreibgeschwindigkeit als auch die Datenlesegeschwindigkeit erhöht, und die Speicherkarte kann in gleicher Weise wie eine SRAM-Karte verwendet werden. Darüber hinaus kann, da eine dem EEPROM eigene Schreibprüfoperation automatisch zwischen dem Pufferspeicher 13 und den Kopfteil- bzw. Bild-EEPROMs 17 bzw. 18 innerhalb des Speicherkartenkörpers 11 durchgeführt wird, der Datenschreib-/lesevorgang auf eine SRAM-Karten-ähnliche Weise ausgeführt werden, wenn man es von der Hauptkörperseite CA der elektronischen Standbildkamera aus betrachtet.
Claims (5)
1. Speicherkartengerät zum Empfangen und Speichern von
Daten von einer externen Einheit, umfassend einen Speicher (13)
zum Eingeben und Ausgeben der Daten bezüglich der externen
Einheit, EEPROMs zur Durchführung von Lese- und
Schreiboperationen bezüglich des Speichers (13) und eine
Steuereinrichtung (16),
dadurch gekennzeichnet, daß
die Daten eine erste Datengruppe, bestehend aus mindestens
einer Gruppe von ersten Daten, die in Einheiten von Bytes
gelesen/geschrieben ist, und eine zweite Datengruppe, bestehend
aus mindestens einer Gruppe von zweiten Daten, die sequentiell
als Ganzes angeordnet ist, umfassen, wobei jede zweite Gruppe
von Daten größer ist als jede erste Gruppe von Daten,
der Speicher (13) Hochgeschwindigkeitslese-
und - schreiboperationen durchführen kann,
die EEPROMs ein erstes EEPROM (17) und ein zweites EEPROM
(18) umfassen, wobei das erste EEPROM (17) eine
Speicherkapazität besitzt, die groß genug ist, um die erste
Datengruppe aufzuzeichnen, und die Lese- und Schreiboperationen
in Einheiten von Bytes durchführen kann, und das zweite EEPROM
(18) eine Speicherkapazität besitzt, die groß genug ist, um die
zweite Datengruppe aufzuzeichnen, und die eine Datenlese- und
-schreiboperation in Einheiten von Verweis- bzw.
Referenzbereichen durchführen kann, und wobei jeder
Referenzbereich mehrere aufeinanderfolgende Bytes besitzt, und
die Steuereinrichtung (16) eine Einrichtung zum Kennzeichnen
der in dem Speicher (13) gespeicherten Daten als solche der
ersten Datengruppe und der zweiten Datengruppe und zum Schreiben
der Daten in ein ausgewähltes des ersten und zweiten EEPROMs
(17, 18) auf der Grundlage der Kennzeichnung umfaßt, und
weiterhin umfaßt:
eine Schreibsteuereinrichtung zum Auslesen der in das
ausgewählte EEPROM (17, 18) geschriebenen Daten, nachdem die
Daten von dem Speicher (13) in das ausgewählte EEPROM (17, 18)
übertragen und geschrieben worden sind, zum Vergleichen der
ausgelesenen Daten mit den im Speicher (13) gespeicherten Daten,
und zum erneuten Übertragen der Daten vom Speicher (13) in das
ausgewählte EEPROM (17, 18), wenn die ausgelesenen Daten und die
im Speicher (13) gespeicherten Daten nicht miteinander
übereinstimmen,
eine Taktschalteinrichtung (15) zum Bewirken eines ersten
Schaltens und eines zweiten Schaltens, wobei das erste Schalten
zwischen einer Eingabeoperation, bei der von der externen
Einheit gelieferte Daten in den Speicher (13) eingegeben werden,
und einer Ausgabeoperation stattfindet, bei der die Daten vom
Speicher (13) zur externen Einheit ausgegeben werden, und das
erste Schalten auf der Grundlage eines ersten Takts, der von der
externen Einheit geliefert ist, bewirkt ist, und wobei das
zweite Schalten zwischen einer Schreiboperation, bei der Daten
vom Speicher (13) zum ausgewählten EEPROM (17, 18) übertragen
und in es geschrieben werden, und einer Leseoperation
stattfindet, bei der Daten von dem ausgewählten EEPROM (17, 18)
in den Speicher (13) gelesen werden, und das zweite Schalten auf
der Grundlage eines intern erzeugten zweiten Takts bewirkt ist,
und
eine Sperrsignalerzeugungseinrichtung zum Erzeugen und
Ausgeben eines Dateneingabesperrsignals zum Sperren der Eingabe
von Daten von der externen Einheit, während Daten vom Speicher
(13) vom zweiten EEPROM (18) ausgelesen und in es geschrieben
werden.
2. Speicherkartengerät nach Anspruch 1, wobei jedes der
ersten und zweiten EEPROMs (17, 18) umfaßt:
einen Datenbereich zum Aufzeichnen von Daten in Einheiten von
Referenzbereichen, und
einen Managementbereich zum Aufzeichnen von
Managementinformation entsprechend den im Datenbereich
aufgezeichneten Daten, und wobei
die Steuereinrichtung (16) einen Datenaktualisierungszählwert
in einem Teil des Managementbereichs aufzeichnet, wenn ein
entsprechender Referenzbereich mit Daten aktualisiert wird.
3. Speicherkartengerät nach Anspruch 1, wobei jedes der
ersten und zweiten EEPROMs (17, 18) umfaßt:
einen Datenbereich zum Aufzeichnen von Daten in Einheiten von
Referenzbereichen, und
einen Managementbereich zum Aufzeichnen von
Managementinformation entsprechend den im Datenbereich
aufgezeichneten Daten, und wobei
die Steuereinrichtung (16) einen Datenlöschzählwert in einem
Teil des Managementbereichs aufzeichnet, wenn Daten von einem
Teil eines entsprechenden Datenbereichs gelöscht sind bzw.
werden.
4. Speicherkartengerät nach Anspruch 1, weiterhin
umfassend:
eine Fehlerdetektionseinrichtung zum Detektieren der An-
/Abwesenheit eines Fehlers innerhalb des Referenzbereichs des
zweiten EEPROMs (18),
eine Fehlerflagschreibeinrichtung zum Aufzeichnen eines
Fehlerflags, das die detektierte An-/Abwesenheit eines Fehlers
innerhalb des Referenzbereichs darstellt, wobei die Fehlerflags
in einem der Referenzbereiche aufgezeichnet sind bzw. werden,
die als Fehlerflagbereich ausgewiesen sind,
eine Datenschreibsubstitutionseinrichtung zum Schreiben von
Daten, die in einen der mit einem Fehler markierten
Referenzbereiche geschrieben sind, in einen freien Bereich, der
als Substitutionsbereich ausgewiesen ist,
eine Adreßschreibeinrichtung zum Schreiben einer
Substitutionsadresse in den Fehlerreferenzbereich, wenn Daten in
den Substitutionsbereich geschrieben sind bzw. werden, wobei die
Substitutionsadresse einer Stelle innerhalb des
Substitutionsbereichs der Daten entspricht, die durch die
Datenschreibsubstitutionseinrichtung geschrieben wurden, und
eine Datenleseeinrichtung zum Bestimmen des
Fehlerreferenzbereichs durch Bezugnahme auf den
Fehlerflagbereich, zum Bestimmen der Substitutionsadresse durch
Auslesen von Daten aus dem Fehlerreferenzbereich und zum
Auslesen der Daten vom Substitutionsreferenzbereich auf der
Grundlage der bestimmten Adresse.
5. Speicherkartengerät nach Anspruch 4, wobei
die Adreßschreibeinrichtung die Substitutionsadresse in
mehreren Bytes in den Fehlerreferenzbereich schreibt, und
die Datenleseeinrichtung Daten von mehreren Bytes in dem
Fehlerreferenzbereich ausliest, um eine Substitutionsadresse
durch Mehrheit zu bestimmen.
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