Hintergrund der Erfindung
Gebiet der Erfindung
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Die vorliegende Erfindung betrifft Wärmeleitrohre und Wärmeleitrohr-Verdampfer.
Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung die Vergrößerung des
Oberflächeninhalts eines Verdampfers und gleichzeitig die Vergrößerung der Anzahl von
Kernbildungsstellen auf der Oberfläche eines Verdampfers. Weiterhin verwendet die
vorliegende Erfindung einen Graphitverbundstoff, um das obige zu erreichen.
Abriß des Standes der Technik
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Im Stand der Technik gibt es einige Vorrichtungen zur Kühlung von integrierten
Schaltungen mit hoher Leistung. Sie umfassen einfache Methoden wie Lüfter und
kompliziertere Methoden mit ausgefeilten Wärmeleitrohren.
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Es wird auf Figur 1 Bezug genommen, die eine Anordnung aus einem Standard-
Wärmeleitrohr und einer integrierten Schaltung nach dem Stand der Technik zeigt.
Das Wärmeleitrohr 10 weist grundsätzlich zwei Bereiche auf: einen Kondensator
18 und einen Verdampfer 17. Der Verdampferbereich 17 besteht normalerweise
aus einem Reservoir, das ein Fluid 16 enthält, und einer verdampfenden
Oberfläche. Das Fluid 16 wird im Kühlprozeß der integrierten Schaltung 12 zum Sieden
gebracht, und die abgegebenen Dämpfe bewegen sich durch das Wärmerohr des
Wärmeleitrohres 10 zum Kondensator. Der Kondensatorbereich 18 ist
normalerweise durch das Vorhandensein von Wärmeleitrohr-Rippen 19 definiert.
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Ein Wärmeleitrohr 10 kann einen Docht haben oder nicht. Ein Docht ist ein Vlies
oder ein Bündel aus Fasern oder eine Anordnung von Rillen oder Poren, die vom
Verdampferbereich 17 zum Kondensatorbereich 18 verläuft. Der Docht sammelt
Kondensat und schickt es durch Kapillarwirkung zum Verdampfer 17 zurück. Der
Vorteil eines Wärmeleitrohres mit einem Docht ist, daß es beliebig angeordnet
werden kann, ohne Rücksicht auf die Schwerkraft. Ein dochtloses Wärmeleitrohr
oder ein Thermosiphon andererseits muß aufrecht gesetzt werden, so daß
kondensiertes Fluid in den Verdampferbereich 17 zurückfließt.
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Wie in der Querschnittsansicht von Figur 1 gezeigt, ist die verdampfende
Oberfläche allgemein flach. Dies führt zu einem minimalen Oberflächeninhalt und einer
minimalen Fluidmenge, die mit der verdampfenden Oberfläche in Kontakt kommt.
Man erkennt im Stand der Technik, daß die im Kontakt mit der verdampfenden
Oberfläche befindliche Fluidmenge vergrößert wird und dementsprechend die
Kühlgeschwindigkeit vergrößert wird, wenn der Oberflächeninhalt vergrößert wird.
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Zusätzlich zur Vergrößerung des Oberflächeninhalts ist es jedoch wünschenswert,
eine Fülle von Kernbildungsstellen zu haben, mikroskopischen hinterschnittenen
Hohlräumen, die kleine Gasblasen in der Oberfläche zurückhalten, um das Sieden
bei geringen Wandüberhitzungen einzuleiten. Gegenwärtige Techniken zur
Vergrößerung des Oberflächeninhalts umfassen, Schnitte durch das Material zu machen,
das ein Metall ist, häufig Kupfer, oder das Kupfer zu formen, so daß es eine
multiple Oberfläche aufweist. Je ausgedehnter die Konturen auf der
Verdampferoberfläche, um so schwieriger ist jedoch die Arbeit auf der Oberfläche, um
Kernbildungsstellen zu erzeugen. Beispielsweise hat man Laser verwendet, um die
Verdampferoberflächen aufzurauhen. Werden aber Nuten in den Verdampfer
geschnitten, um den Oberflächeninhalt zu vergrößern, so ist es ausgesprochen schwierig,
einen Laser in eine Position zum Kerben der Wände der geschnittenen Nuten zu
manövrieren. Soweit ausreichendes Kerben möglich ist, ist es außerdem ein
langsamer Prozeß, der häufig nur an einer Vorrichtung auf einmal durchgeführt werden
kann, was zu Massenproduktion in einem Gegensatz steht.
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Die DE-341 0767 erörtert allgemein eine Anzahl von verschiedenen Typen von
verbesserten Blasensiedeoberfächen für integrierte Schaltungen. Beispiele umfassen
einen offenzelligen netzartigen organischen Schaumstoff, der mit Graphit
beschichtet oder getränkt ist, und mit auf den Graphit plattiertem Kupfer. Dieser wird zu
einem Bandmaterial laminiert, um ein verbessertes Blasensiedeoberflächen-Band
herzustellen.
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Man hat eine neue Faser entwickelt, die interessante Eigenschaften hat, unter
anderem daß sie axial die doppelte Wärmeleitfähigkeit wie Kupfer hat. Diese Fasern
bestehen aus Graphit.
Abriß der Erfindung
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Dementsprechend ist es die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen
Verdampfer zu schaffen, der die axiale Wärmeleitfähigkeit von Graphitfasern ausnutzt, um
Wärme schnell von einer integrierten Schaltung abzuleiten.
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Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen Verdampfer zu
schaffen, der einen vergrößerten Oberflächeninhalt hat.
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Noch eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen Verdampfer mit einer
Vielzahl von in einem ausgedehnten Oberflächeninhalt erzeugten
Kernbildungsstellen zu schaffen, insbesondere durch Ausnutzung der physikalischen
Eigenschaften von Graphit zur Herstellung der Kernbildungsstellen.
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Diese und verwandte Aufgaben können durch Verwendung des neuen
Verdampfers wie im Anspruch 1 angegeben gelöst werden. Ein Verdampfer gemäß der
Erfindung enthält einen Graphit-Metall-Verbundstoff, der zu einer Vielzahl von
Kühlstiften geformt ist. Die vielen Kühlstifte dienen zur Vergrößerung des
Oberflächeninhalts des Verdampfers. Der Oberflächeninhalt des Verdampfers wird so
behandelt, daß es eine Vielzahl von Kernbildungsstellen darauf gibt. Der Verdampfer
kann direkt mit dem Gehäuse einer integrierten Schaltung verbunden werden oder
in einem Wärmeleitrohr verwendet werden.
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Die vorhergehenden und verwandte Aufgaben, Vorteile und Merkmale der
Erfindung ergeben sich für den Fachmann noch deutlicher aus der folgenden
detaillierteren Beschreibung der Erfindung anhand der Zeichnungen, in denen:
Kurzbeschreibung der Zeichnungen
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Figur 1 ist eine Querschnittsansicht einer Wärmeleitrohr-Anordnung des Standes
der Technik.
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Figur 2a ist eine Seitenansicht des Verdampfers der bevorzugten
Ausführungsform.
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Figur 2b ist eine Draufsicht auf den Verdampfer der bevorzugten
Ausführungsform.
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Figur 3 ist eine Querschnittsansicht eines für den Einbau der vorliegenden
Erfindung geeigneten Aufbaus.
Detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungsform
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Es wird auf Figur 1 Bezug genommen, die eine Querschnittsansicht des
Wärmeleitrohres nach dem Stand der Technik zeigt. Das Wärmeleitrohr 10 wird zum
Abtransport der von einer integrierten Schaltung 12 (nachfolgend "Chip 12")
erzeugten Wärme verwendet. Zwischen den Chip 12 und das Wärmeleitrohr 10 ist ein
Wärmeverteiler 15 gelegt. Der Wärmeverteiler 15 hat die Aufgabe, die vom Chip
12 erzeugte Wärme auf einen größeren Oberflächeninhalt als den des Chips 12
allein zu verteilen. Die Wärme breitet sich durch den Wärmeverteiler 15 aus, bis
sie mit der Unterseite des Wärmeleitrohres 10 in Kontakt kommt. Das Fluid 16 im
Wärmeleitrohr 10 wird dann erwärmt und in Dampf verwandelt, der die Wärme
das Wärmeleitrohr 10 hinauf transportiert. Für die Kühlung ist der Phasenübergang
von Fluid in Dampf verantwortlich. Der Dampf kondensiert im Kondensator 18 und
läuft in den Verdampferbereich 17 hinab zurück (der in der bevorzugten
Ausführungsform den Verdampfer 30 von Figur 2 enthält).
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Zur Verbindung eines Chips 12 mit einer (nicht gezeigten) Leiterplatte dient ein
Gehäuse 13, das Gehäusestifte 14 aufweist. Der Chip 12 wird im Gehäuse 13
befestigt.
Danach wird oben auf dem Chip 12 und dem Gehäuse 13 ein
Wärmeverteiler 15 befestigt. Dies kann mittels einer von mehreren bekannten
Verbindungstechniken geschehen, einschließlich Kleben, Löten oder Hartlöten. Der
Wärmeverteiler 15 wird häufig aus Kupfer (Cu) hergestellt, das für seine
Wärmeleiteigenschaften bekannt ist. Das Wärmeleitrohr 10 wird dann mit dem Wärmeverteiler 15
verbunden. Zur Herstellung der Verbindung werden häufig Löten und Hartlöten
verwendet. Zur Befestigung des Wärmeleitrohres 10 am Chip 12 (oder dem
Gehäuse 13) sind somit zwei Verbindungen nötig. Die erste ist die Verbindung des Chips
12 (oder des Gehäuses 13) mit dem Wärmeverteiler 15, und die zweite ist die
Verbindung zwischen dem Wärmeverteiler 15 und dem Wärmeleitrohr 10.
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An der Unterseite des Wärmeleitrohres 10 ist ein Verdampferbereich 17 gebildet.
In diesem Bereich 17 verdampft das Fluid 16 im Wärmeleitrohr 10 zu Dampf und
fördert dadurch die Kühlung. Es gibt zwei wesentliche physikalische Phänomene,
die in diesem Bereich berücksichtigt werden müssen. Das erste ist der
Oberflächeninhalt. Das zweite ist die Erzeugung von Kernbildungsstellen, mit anderen
Worten, Überhitzung zu minimieren.
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In bezug auf den Oberflächeninhalt gilt, daß, je größer der Oberflächeninhalt, um
so größer die Menge Fluid 16, welche die verdampfende Oberfläche berührt, und
folglich um so größer die von der verdampfenden Oberfläche auf das Fluid 16
übertragene Wärmemenge. Die Vergrößerung der nutzbaren Oberfläche wird nur
durch das Nachschubvermögen des Fluids, das die verdampfende Oberfläche für
korrekten Betrieb benetzen muß, und durch die endliche Wärmeleitfähigkeit der
Feststoffe beschränkt, aus denen die Oberfläche besteht.
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Ein zweiter wichtiger Gesichtspunkt ist Überhitzung. Überhitzung bezieht sich auf
das Phänomen, daß ein bestimmtes Fluid über einen Bereich von Temperaturen
sieden kann. Eine primäre Bedingung, welche die Siedetemperatur beeinflußt, ist
die Dichte von Kernbildungsstellen. Eine Kernbildungsstelle ist ein mikroskopisch
kleiner hinterschnittener Hohlraum (hinterschnitten bedeutet, daß die Öffnung
kleiner als das Innere des Hohlraums ist), der kleine Gasblasen in der Oberfläche
zurückhält, um das Sieden bei geringen Wandüberhitzungen einzuleiten. In der
Technik ist es bekannt, daß eine große Zahl von Kernbildungsstellen einen
niedrigeren Siedepunkt eines Fluids fördert.
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Im Gegensatz dazu gibt es auf einer glatten Siedeoberfläche wenige Stellen, an
denen sich Gasmoleküle anhäufen können. Folglich bilden sich wenig große Blasen,
die zur Erzeugung von Turbuenzen im Fluid nicht ausreichen. Unter diesen
Bedingungen ist es möglich, daß die Fluidtemperatur vor einer tatsächlichen
Phasenänderung von Fluid in Dampf über ihren Siedepunkt steigt. Ist zum Beispiel das Fluid
16 Wasser auf normalem Atmosphärendruck, kann das Wasser eine Temperatur
von 102 ºC (215 ºF) oder sogar 105,5 ºC (220 ºF) erreichen, ehe es siedet.
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Bei der Kühlung eines Chips 12 ist es wünschenswert, den Siedepunkt so niedrig
wie möglich zu halten. Je größer der Überhitzungsbetrag, um so heißer die
Temperatur, auf der der Chip 12 arbeitet. Durch Vergrößerung der Anzahl von
Kernbildungsstellen wird daher die Gesamt-Betriebstemperatur des Chips 12 vermindert.
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Es wird auf Figuren 2a und 2b Bezug genommen, die eine Seitenansicht des
Verdampfers 30 der bevorzugten Ausführungsform bzw. eine Draufsicht darauf
zeigen. Ein Schlüsselmerkmal der bevorzugten Ausführungsform ist die Verwendung
von Graphitfasern in einem Verdampfer. Diese Graphitfasern gibt es erst seit
kurzem. Sie haben eine außerordentliche axiale Wärmeleitfähigkeit und niedrige
(tatsächlich negative) axiale Wärmeausdehnungskoeffizienten (Graphit ist ein
anisotropes Material). Ein kommerzielles Beispiel ist das Material Amoco P-120,
dessen Wärmeleitfähigkeit ungefähr doppelt so hoch wie die von Kupfer ist. Diese
Fasern werden verwendet, um Metallmatrix-Verbundstoffe (typischerweise Al oder
Cu) mit niedrigen planaren Ausdehnungskoeffizienten und hoher
Wärmeleitfähigkeit herzustellen. Diese Eigenschaften machen solche Verbundstoffe zu idealen
Substratmaterialien zur Befestigung an großen integrierten Schaltungen mit hoher
Leistung.
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Die bevorzugte Ausführungsform besteht im wesentlichen aus einem Stapel 31.
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Der Stapel 31 besteht aus einem Verbundstoff aus Graphitfasern und Cu. Ähnliche
Metalle wie Aluminium (Al) können zwar ebenfalls verwendet werden, man
beachte aber, daß Al nur mit bestimmten Arbeitsfluida wie Ammoniak und Freon
verwendet werden kann. In erster Linie gibt es zwei Verfahren zur Herstellung eines
Stapels 31. Bei dem ersten Verfahren wird ein Graphitvlies (eine aus Graphitfasern
gewebte Matrix) vorgesehen, auf die eine dünne Cu-Schicht gelegt wird. Auf diese
Anordnung wird ein weiteres Vlies aus Graphit, dann eine weitere dünne Schicht
Cu und so weiter gelegt, bis ein Stapel aus abwechselnden Schichten Graphit und
Cu gebildet ist. Der Stapel wird dann unter hoher Temperatur und hohem Druck
zusammengepreßt. Das Ergebnis ist ein fester Aufbau, in dem die einzelnen
Schichten nicht mehr voneinander unterscheidbar sind. Bei dem zweiten Verfahren
werden die einzelnen Graphitfasern mit Cu beschichtet und dann zu einem Vlies
gewoben. Diese Vliesschichten werden dann unter hoher Temperatur und hohem
Druck zusammengepreßt, um den Stapel 31 zu bilden. Diese Technik wird von der
Fa. American Cyanamid praktiziert.
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Aus der Verwendung dieser Vliese ergeben sich mehrere Vorteile. Ein erster Vorteil
ist, daß bei Verwendung einer Graphit-Cu-Verbundmatrix die Mischung von Cu und
Graphit gesteuert werden kann, um die Gesamt-Wärmeausdehnung des Materials
zu steuern. Zum Beispiel ist die Verwendung eines Graphit-Cu-Verbundstoffes
gegenüber reinem Cu vorzuziehen, da eine verbesserte Anpassung des
Ausdehnungskoeffizienten an die integrierte Siliziumschaltung hergestellt werden kann.
Dies ermöglicht es, eine zuverlässige Chipverbindung herzustellen. Ein zweiter
Vorteil ist die Verbesserung der planaren Wärmeleitfähigkeit.
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Unabhängig von dem zur Erzeugung des Stapels 31 verwendeten Verfahrens wird
der Stapel 31 dann auf eine solche Weise geschnitten, daß der Oberflächeninhalt
des Verdampfers 30 stark vergrößert wird. in einer bevorzugten Ausführungsform
wird der Stapel maschinell bearbeitet oder beschnitten, um eine Anordnung von
Kühlstiften 33 zu bilden. Im allgemeinen ist es wichtig, daß der Stapel so
bearbeitet wird, daß er einen vergrößerten Oberflächeninhalt aufweist.
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Die neugebildete Oberfläche wird dann behandelt, um Kernbildungsstellen zu
erzeugen. Der geschnittene Graphit-Cu-Stapel 31 wird geätzt oder auf andere Weise
behandelt, um einen Teil der Graphitfasern bis zu einer Tiefe zu entfernen, die zur
Bildung von einleitenden Kernbildungsstellen ausreicht. Dies kann mittels einer
Kombination von gasförmigen und/oder flüssigen Ätzmitteln durchgeführt werden.
Ein bevorzugtes Verfahren, bekannt als "Schwabbeln" der Vorrichtung, besteht
darin, den Graphit bei einer minimalen Ofentemperatur von 400-500 ºC mit Luft oder
Sauerstoff wegzubrennen. Zur Beschleunigung des Ätzprozesses kann Ultraschall
nützlich sein. Man beachte, daß die geätzten Hohlräume hinterschnitten werden
sollten. Dies kann als Teil des Ätzprozesses durch ein Ätzmittel erfolgen, das die
passivierte Schicht unterschneidet. Alternativ kann dies durch Plattieren oder
Tropfenblasen durchgeführt werden, um die Größe der Öffnung zu verkleinern.
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Ziel und Ergebnis des Schneidprozesses ist, daß viele zerbrochene Fasern
freigelegt werden, die dann zurückgeätzt werden, um Kernbildungsstellen zu erzeugen.
Alternative Ätztechniken können mechanische, chemische (insbesondere Oxidation
und Plasmaätzen, das Oxidation ähnlich ist) und Ultraschall-Techniken umfassen.
Man beachte, daß Graphit und Cu sehr verschiedene Eigenschaften haben. Es
kann mehrere Verfahren geben, um den Graphit selektiv anzugreifen. Das
gewünschte Ergebnis ist, die Faser zurückzuätzen und Kupfer zurückzubehalten, so
daß eine Fülle von mikroskopischen Löchern in der Oberfläche gebildet werden.
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Die Verwendung der oben beschrieben Anordnung nutzt daher die
Wärmeleiteigenschaften von Graphit aus, um Wärme von einer integrierten Schaltung
wegzutransportieren. Zusätzlich befördert diese Anordnung die Wärme zu einer
Verdampferoberfläche, die einen großen Oberflächeninhalt und eine Vielzahl von
Kernbildungsstellen aufweist. Whisker- oder Schnittfaserverstärkung könnte sich ebenfalls als
günstig erweisen. Eine Variante könnte die Verwendung von Mikroballonen in der
Metallmatrix sein; wenn ein Schneidwerkzeug die Mikroballone trifft, würden sie
eine leicht hergestellte Höhlung freilegen.
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In Figur 3, auf die Bezug genommen wird, ist ein Aufbau gezeigt, in dem die
vorliegende
Erfindung verwendet werden kann. In Figur 1, auf die noch einmal Bezug
genommen wird, ist der Aufbau eines Wärmeleitrohres 10 nach dem Stand der
Technik gezeigt. Zwischen dem Wärmeleitrohr 10 und dem Chip 12 liegt ein
Wärmeverteiler 15. Wie der Name impliziert, verteilt der Wärmeverteiler 15 Wärme
vom Chip 12 auf eine größere Fläche des Wärmeleitrohres 10. Der Wärmeverteiler
15 besteht häufig aus Metall, zum Beispiel Cu oder Cu-W (Kupfer-Wolfram), und
enthält einen begrenzten Bereich, über den er Wärme transportieren kann. Als
allgemeine Regel kann eine Wärmesenke größere Wärmemengen aufnehmen, wenn
die Wärme schnell von der Quelle (dem Chip 12) entfernt werden kann. Dies ist
das Wesen der Verwendung von Verdampfern, wobei die Verwandlung der Wärme
in Fluid zu Wärme in Gas einen schnelleren Wärmetransport ermöglicht.
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Ein Hauptaspekt der Anordnung von Figur 3 ist, daß eine zusätzliche Verbindung
zwischen dem Gehäuse 13 (oder Chip 12) und dem Verdampfer 51 entfällt. Wie
man sich erinnert, erfordert im Stand der Technik die Befestigung des Gehäuses
13 am Verdampfer 10 eine Verbindung zwischen dem Gehäuse 13 und dem
Wärmeverteiler 15 und eine weitere zwischen dem Wärmeverteiler 15 und dem
Verdampfer 10. Jede Verbindung benötigt mehrere Schritte im Herstellungsprozeß
und gibt daher Gelegenheit zur Einbringung von Defekten wie Lücken oder
Verunreinigungen. Diese Defekte können die Wärmeübertragung unmittelbar
beeinträchtigen oder zu einer schadhaften Verbindung führen. Eine zerbrochene Verbindung
kann falsche Kühlung und Zerstörung des Chips 12 zur Folge haben. Dadurch, daß
eine der beiden Verbindungen entfällt, vermindert der Aufbau von Figur 3 die
Wahrscheinlichkeit eines verbindungsbezogenen Problems um 50%.
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Wie aus Figur 3 deutlich wird, wird der Wärmeverteiler 15 (von Figur 1) nicht
verwendet und wird das Wärmeleitrohr 51 direkt mit der Oberseite des Gehäuses 13
der integrierten Schaltung verbunden. Das Gehäuse kann einen Anpaßkörper 53
enthalten oder nicht. Anpaßkörper 53 werden in manchen Gehäusen verwendet,
um die Wärmeableitung vom Chip 12 zu verbessern. Auf diese Weise wird die
Wärme direkt dem Fluid zugeführt, wo sie in Dampf umgeformt wird, und das
Wärmeleitrohr 51 hinauf transportiert und durch die Rippen 52 abgeleitet. Diese
Anordnung in ihrer einfachsten Form ermöglicht jedoch keinen optimierten
Verdampferaufbau. Mögliche Verbesserungen sind, vor der Kondensatormontage eine
ausgedehnte Oberfläche in der Mitte des Anpaßkörpers 53 maschinell zu
bearbeiten oder einen Docht bzw. eine ausgedehnte Oberflächenstruktur auf die Mitte des
Anpaßkörpers 53 zu löten.
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Ein Gesichtspunkt ist, daß die Oberfläche des Gehäuses 13 möglicherweise nicht
als Verdampfer gestaltet wird und möglicherweise keine sehr große Zahl von
Kernbildungsstellen aufweist. Die Gehäuseoberfläche kann im Einklang mit den obigen
Lehren als wirksamer Verdampfer gehandhabt werden. Zusätzlich müssen
Kompromisse zwischen der Verdampferleistung und dem zusätzlichen
Grenzflächenwiderstand an einer zu verwendenden zusätzlichen Verbindung eingegangen werden,
wie im Stand der Technik. Ferner muß der Montageprozeß sicherstellen, daß die
Funktion des Chips 12 nicht beeinträchtigt wird.
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Zur Verbesserung der Kühlung kann der Verdampfer 30 (von Figur 2) in dem
Aufbau von Figur 3 verwendet werden, indem der Verdampfer 30 an Stelle des
Anpaßkörpers 53 direkt auf dem Gehäuse 13 befestigt wird (oder oben auf dem
Anpaßkörper 53, je nach der Gestaltung des Gehäuses, wie es vom Händler
empfangen wird). Die Verbindung zwischen dem Verdampfer 30 und dem Gehäuse
13 sollte hermetisch sein, extreme Temperaturen überstehen können und durch
eine Technik gebildet werden, die keines der Teile beschädigt. Die Wärme vom
Chip 12 breitet sich dann direkt zum Verdampfer 30 und in das Fluid aus. Auf
diese Weise werden der Wärmeverteiler 15 und die Unzulänglichkeiten der
Wärmezufuhr aufgrund der Verbindung zwischen dem Wärmeverteiler und dem
Verdampfer beseitigt. Ferner können alle oben aufgelisteten nützlichen Eigenschaften des
Verdampfers 30 ausgenutzt werden.
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Die vorhergehende Beschreibung von bestimmten Ausführungsformen der
vorliegenden Erfindung erfolgte zwecks Veranschaulichung und Beschreibung. Sie soll
nicht erschöpfend sein oder die Erfindung auf die exakt offenbarten Formen
einschränken. Die Ausführungsformen wurden gewählt und beschrieben, um die
Prinzipien der Erfindung und ihre praktische Anwendung am besten zu erläutern,
um den Fachmann in die Lage zu versetzen, den besten Nutzen aus der Erfindung
zu ziehen. Der Schutzbereich der Erfindung soll durch die beigefügten
Patentansprüche definiert sein.