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DE69026743T2 - Fehlertolerantes Speichersystem - Google Patents

Fehlertolerantes Speichersystem

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DE69026743T2
DE69026743T2 DE69026743T DE69026743T DE69026743T2 DE 69026743 T2 DE69026743 T2 DE 69026743T2 DE 69026743 T DE69026743 T DE 69026743T DE 69026743 T DE69026743 T DE 69026743T DE 69026743 T2 DE69026743 T2 DE 69026743T2
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DE
Germany
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memory
level
correction
error correction
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DE69026743T
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DE69026743D1 (de
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Robert Martin Blake
Douglas Craig Bossen
Chin-Long Chen
John Atkinson Fifield
Howard Leo Kalter
Tin-Chee Lo
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International Business Machines Corp
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International Business Machines Corp
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Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
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    • G06F11/10Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
    • G06F11/1008Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
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    • G06F11/10Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
    • G06F11/1008Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices

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  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Hardware Redundancy (AREA)
  • Detection And Correction Of Errors (AREA)

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein ein fehlertolerantes Speichersystem.
  • Da Halbleiter-Speicherchips mit immer kleineren Strukturgrößen und einer entsprechenden Zunahme der Schaltkreisintegrationsdichte entwickelt werden, gewinnen zusätzliche Fehlerkorrekturverfahren, zum Beispiel eine chipintegrierte Fehlerkorrektur, immer mehr an Bedeutung. Im allgemeinen fallen auf einem Chip auftretende Speicherfehler in zwei verschiedene Kategorien: permanente Fehler und weiche Fehler. Weiche Fehler sind im typischen Fall Übergangsereignisse, die zum Beispiel durch Alpha- Hintergrundstrahlung hervorgerufen werden, oder werden durch parametrische Verfahrens-Störanfälligkeit, die "Schwachzellen" erzeugt, verursacht: Schwachzellen sind diejenigen, die beim Anlegen von eindeutigen Spannungen oder Datenmustern ausfallen oder ansonsten empfindlich gegenüber Rauschen, Druckbildgröße oder Bildverfolgung sind. Mit zunehmenden Chipdichten werden weiche Fehler häufiger. Folglich führt eine zunehmende Chipdichte zu einem höheren Bedarf an Möglichkeiten zur chipintegrierten Fehlerkorrektur, besonders für weiche Fehler.
  • Zusätzlich zum Auftreten von weichen Fehlern, die normalerweise durch Fehlerkorrekturcode-Schaltungen korrigiert werden können, besteht außerdem die Möglichkeit von permanenten Fehlern. Permanente Fehler entstehen oftmals durch mangelhafte Herstellungsbedingungen einschließlich Geräteverunreinigung. Mit zunehmender Speicherdichte ist eine fehlerlose Chipherstellung sehr schwierig. Folglich können permanente Fehler zusätzlich zu weichen Fehlern vorkommen. Außerdem haben permanente Fehler den scheinbar paradoxen Vorteil, daß sie im allgemeinen wiederholt werden können. Die Reproduzierbarkeit solcher Fehler stellt jedoch einen Mechanismus zu ihrer Korrektur bereit (siehe unren). Eine der allgemeinen Formen von in einem Speichersystem auftretenden permanenten Fehlern ist das Auftreten eines "Haft"-Fehlers, bei dem eine der Speicherpositionen, unabhängig vom jeweiligen Inhalt der Speicherzelle, fortwährend eine Null oder Eins als Ausgabeantwort in einer oder mehreren Bitpositionen anzeigt.
  • Ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Korrektur von Einzelbitfehlern sind beispielsweise aus WO83/01320 bekannt. Die Vorrichtung kann Einzelbitfehler unter Verwendung von zusätzlichen Prüfbits in den gespeicherten Daten korrigieren. Außer der Korrektur von Daten im Speicher selbst erzeugt die Vorrichtung außerdem Fehlerbits zur Verwendung durch den Prozessor. Insbesondere werden diese Fehlersignale verwendet, um einen Prozessorstopp zu bewirken, wenn keine Fehlerkorrektur möglich ist, oder sie starten eine Unterbrechungs-Routine des Prozessors, um ein Fehlerkorrekturprogramm zu verarbeiten.
  • Eine andere Möglichkeit der Fehlerkorrektur wird in EP-0186 719 offenbart, wobei ein spezieller Algorithmus verwendet wird, um zwei permanente Fehler oder einen permanenten Fehler, der mit einem zu korrigierenden welchen Fehler auftritt, zu korrigieren. Der Algorithmus beruht auf dem Neuschreihen von Datenwörtern und einem Vergleich von Leseergebnissen.
  • Obwohl es viele verschiedene Fehlerkorrekturcodes gibt, die in Verbindung mit Speichersystemen anwendbar und verfügbar sind, besteht eine der am weitesten verbreiteten Gruppe von Codes, die zu diesem Zweck verwendet wurden, aus Codes mit einem Mindestabstand von vier zwischen Codewörtern. Solche Codes sind geeignet zur Einzelbitkorrektur und zur Doppelbitkorrektur (SEC/DED) Diese Codes sind gut bekannt und werden leicht realisiert und sind nachgewiesenermaßen sehr zuverlässig und leicht herzustellen, insbesondere was die vereinfachte Schaltungsanordnung und einen minimalen Verbrauch an "nutzbarer Chipfläche" betrifft. Eindeutige Einzelfehler, ob permanent oder weich, stellen für solche Codes kein Problem dar. Außerdem können solche Codes das Vorhandensein von permanenten oder weichen Doppelfehlern erkennen, können sie im allgemeinen jedoch nicht korrigieren. Im Falle von zwei weichen Fehlern ist eine Korrektur unter Verwendung solcher Codes und Decodierverfahren wohl im allgemeinen nicht möglich. Das Vorhandensein von zwei permanenten Fehlern oder einem permanenten und einem weichen Fehler eignet sich jedoch zur Verwendung des Komplement/Rekomplement-Algorithmus zur Doppelfehlerkorrektur. Dieser Algorithmus wird auch als Doppelkomplement-Algorithmus bezeichnet. Dieses Verfahren wird beispielsweise in dem Artikel "Error-Correcting Codes for Semiconductor Memory Applications a State-of-the-Art Review" von C. L. Chen und M. Y. Hsaio, erschienen im IBM Journal of Research and Development, Seiten 124 bis 134, März 1984, beschrieben. Dieser Algorithmus nutzt die Tatsache, daß permanente Fehler im allgemeinen reproduzierbar sind. Infolgedessen ist es möglich, die fehlerhaften Bitpositionen zu kennzeichnen. Mit dieser Kenntnis kann tatsächlich eine Doppelfehlerkorrektur eigentlich ausgeführt werden. Es ist folglich ersichtlich, daß die Reproduzierbarkeit von permanenten Fehlern eine Verbesserung der Zuverlässigkeit von Informationsspeichersystemen, die anfällig für permanente/permanente Fehler oder permanente/weiche Fehler sind, ohne eine Zunahme der Codewortlänge ermöglicht. Folglich stellen Aspekte der Speicherchip-Gestaltung, die dazu tendieren, die Reproduzierbarkeit von permanenten Fehlern zunichte zu machen, auch Hindernisse für die Doppelfehlerkorrekuur auf Systemebene dar, besonders in Systemen, die um bestehende Einzelfehlerkorrektur- und Doppelfehlererkennungs-Codes und -Schaltungsanordnungen gestaltet werden.
  • Die Speicherarchitektur selbst spielt außerdem eine Rolle im Hinblick auf die Fehlerkorrektur. Insbesondere ist es oftmals wünschenswert, auf ein Doppeiwort (64 Bit) von Speicherdaten zuzugreifen, wobei jedes Bit des Doppelwortes von einem separaten Speicherchip geliefert wird. Diese Speicherarchitektur ist hilfreich, da sie Vorteile hinsichtlich der Geschwindigkeit und der Zuverlässigkeit bereilstellen kann. Fehlerkorrektur-Codierverfahren werden außerdem auf das Doppelworü von Daten angewendet. Dies wird hier als Fehlerkorrektur (und -erkennung) auf Systemebene bezeichnet. Auf dieser Ebene wird der Komplement/- Rekomplement-Algorithmus zur Korrektur von permanent-permanenten Fehlern und permanent-weichen Fehlern, das heißt permanenten Doppelfehlern, verwendet. Insbesondere bedeutet dies, daß eine bestimmte Anzahl von Speicherchips lediglich zur Speicherung von redundanten Codierinformationen, im typischen Fall über die Parität oder die Kontrollsummenart dient.
  • Dementsprechend ist zu erkennen, daß es wünschenswert ist, Speichersysteme zu entwickeln, die infolge hoher Schaltkreisintegrationsdichten eine chipintegrierte Fehlerkorrektur und Erkennungseinrichtungen verwenden. SEC/DED-Codes sind auf die Korrektur von nur 1 Bit ihrer Datenwörter begrenzt. Aus diesem Grund ist es notwendig, jegliche Bitkorrektur hei der Erkennung eines Mehrfachfehlers zu verhindern. Bei einer gesperrten Datenkorrektur können Mehrfachfehler nicht bewirken, daß das SEC/DED-System fälschlicherweise ein fehlerloses Datenbit ändert. Die Mehrfachfehlerbedingung wird anschließend während des "Zurückschreibens" (d.h. der Vorgang der Rückübertragung des chipintegrierten ECC- Wortes mit seinen geeigneten Prüfbits in die DPAM-Zeilen) durch das chipintegrierte ECC-System gelöscht, da gültige Prüfbits von dem unveränderten Datenwort erzeugt werden. In diesem System ist eine Beschädigung der Datenwortintegrität auf die ursprünglichen Mehrfachfehler begrenzt. Obwohl diese Fehler nicht mehr erkannt werden können, kann das ECC-System während nachfolgender Zugriffe keine Beschädigung von Datenwörtern verursachen.
  • Das Ergebnis der Anwendung dieses Verfahrens ist, daß alle Fehler auf der Chip-Ebene weich erscheinen. Die Erkennung von fehlerhaften Speicherzellen wird bei der Herstellungsprüfung mit Musterprüfungen wirkungsvoll durchgeführt, indem die erwarteten Daten mit dem ganzen ECC-Wort verglichen werden. Die fehlerhaften Bits werden leicht bemerkt, und die Qualität der geprüften Hardware wird leicht ausgewertet. Bei tatsächlichen Speichersystemoperationen wird jedoch nicht das gesamte ECC-Wort aus dem Speicherchip gelesen. Außerdem ist die Anzahl der im typischen Fall ausgelesenen Bits gering. Dies erhöht in hohem Maße die Wahrscheinlichkeit des Fehlens der fehlerhaften Bits, nachdem ein Mehrfachfehler im Chip-Datenwort aufgetreten ist. Solche nicht korrigierbaren Fehler auf Systemebene verursachen häufig größere Systemfehler. Beim Auftreten eines solchen Fehlers fallen nachfolgende Speicheroperationen im allgemeinen aus. Gleichzeitig ist außerdem zu erkennen, daß es wünschenswert ist, zur Erhöhung der Speicherzuverlässigkeit eine Schaltung zur Fehlererkennung- und korrektur auf Systemebene zu verwenden. Genau diese Situation schafft das Problem, das durch die vorliegende Erfindung gelöst wird. Insbesondere auf der Systemebene ist es wünschenswert, den Komplement/Rekomplement-Algorithmus verwenden zu können, um die Zuverlässigkeit des gesamten Speichersystems insbesondere durch eine Korrektur von Doppelfehlern, die ansonsten nicht korrigiert würden, zu erhöhen. Der Komplement/Rekomplement-Algorithmus hängt jedoch von der Fähigkeit zur Reproduzierbarkeit von permanenten Fehlern ab. Es sei jedoch darauf hingewiesen, daß die Möglichkeit zur chipintegrierten Fehlerkorrektur das Vorhandensein von permanenten, mit einem gegebenen Chip verbundenen Fehlern tatsächlich maskieren kann. Ein ausführlicheres Beispiel dieses Phänomens wird unten beschrieben.
  • Dementsprechend ist es die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein fehlertolerantes Halbleiter-Speichersystem bereitzustellen, das die Reproduzierbarkeit von bestimmten Fehlern auf Chip-Ebene erleichtert und das die Unvereinbarkeit, die zwischen Fehlerkorrektursystemen der Chip-Ebene und der Systemebene bestehen kann, auflöst.
  • Es ist außerdem eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die Korrektur und Erkennung voii permanent-permanenten und permanentweichen Speichersystemfehlern zu erleichtern, Speichersystemen zu ermöglichen, das Doppelkomplement-Verfahren zur Wiederherstellung von Daten anzuwenden, wenn ein nicht korrigierbarer Fehler in der Fehlerkorrekturcode-Schaltung auf Systemebene vorliegt, und Speicherbelegungsschemas zu ermöglichen, die Position von "Haft"-Fehlern, die neimalerweise durch die Fehlerkorrektur auf der Einheitenebene maskiert würden, zu bestimmen.
  • Die Lösung wird in Anspruch 1 beschrieben.
  • Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfaßt ein fehlertolerantes Computerspeichersystem eine Vielzahl von einzelnen Speichereinheiten. Jede Speichereinheit enthält eine Vielzahl von Speicherzellen und Mittel zur Fehlererkennung und -korrektur auf Einheitenebene. Außerdem sind eine Vielzahl von Mitteln auf Einheitenebene zum Anzeigen des Vorhandenseins von nicht korrigferbaren Fehlern vorhanden, wobei diese Mittel verschiedenen der Speichereinheiten zugeordnet werden. Die Arbeitsweise des Mittels zur Anzeige von nicht korrigierbaren Fehlern besteht darin, beim Auftreten eines nicht korrigierbaren Fehlers mindestens ein Ausgangsbit von seiner zugeordneten Speichereinheit auf einen feststehenden Wert zu setzen. Die Speichereinheiten sind bevorzugterweise durch ein Systemregister, das Daten aus einzelnen Speichereinheiten empfängt, miteinander verbunden. Das Speichersystem umfaßt außerdem meist Erkennungs- und Korrekturmittel auf Systemebene, die Daten aus dem Register auf Systemebene empfangen. In bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden die Speichereinheiten am besten als einzelne Halbleiter-Speicherchips mit einem chipintegrierten Mittel zur Fehlererkennung und -korrektur betrachtet. Außerdem wird jeder Chip am besten so betrachtet, als ob er ein einzelnes Informationsbit (zu einem Zeitpunkt) zu einem Wortgrößenregister auf Systemebene liefert, das ebenfalls mit der Fähigkeit zur Fehlererkennung und -korrektur auf Systemebene versehen ist.
  • Eine der Auswirkungen des Betriebs der vorliegenden Erfindung ist die Ausführung eines effektiven zeitweiligen "Chipausfalls" beim Auftreten eines nicht korrigierbaren Fehlers, der mit einem gegebenen Chip verbunden ist. Tatsächlich zwingt das Auftreten eines solchen Fehlers auf einem Chip den Ausgang des Chips auf einen feststehenden Wert. Obwohl dadurch meistens nachfolgende Fehlermeldungen auf der Systemebene erzeugt werden, macht die Reproduzierbarkeit des erzwungenen Chipfehlers es immer noch möglich, daß Fehlererkennungs- und -korrekturschaltungen auf Systemebene eine Komplement/Rekomplement-Korrektur durchführen können. Obwohl die vorliegende Erfindung den Ausgang von einer der Speichereinheiten auf einen feststehenden Wert zwingt, wird die Zuverlässigkeit des gesamten Speichersystems aufgrund der Reproduzierbarkeit der resultierenden erzwungenen Fehler dennoch erhöht. Dementsprechend ist das höchst entgegengesetzt-intuitive Ergebnis, daß die Zuverlässigkeit des gesamten Speichers erhöht wird, obwohl eine Fehlerkorrektur-Komponente tatsächlich inaktiviert wird.
  • Der als Erfindung betrachtete Gegenstand ist insbesondere im abschließenden Teil der Patentbeschreibung dargelegt und eindeutig beansprucht. Die Erfindung kann jedoch sowohl hinsichtlich der Organisation als auch des praktischen Verfahrens, zusammen mit weiteren Aufgaben und Vorteilen davon, am besten mit Bezugnahme auf die folgende Beschreibung in Verbindung mit den begleitenden Zeichnungen verstanden werden, in denen:
  • Fig. 1 ein teilweise schematisches Blockdiagramm ist, das eine Speicherorganisation darstellt, die zur Realisierung einer Fehlerkorrektur auf doppelter Ebene besonders geeignet ist;
  • Fig. 2 ein Teil-Blockdiagramm ist, das ähnlich wie dasjenige in Fig.1 ist, das Vorhandensein von Ausgangs-Sperrmitteln, die auf den einzelnen Speichereinheiten (Chips) angeordnet sind, jedoch ausführlicher darstellt.
  • Fig. 1 stellt eine Speicherorganisation dar, die für die Anwendung der vorliegenden Erfindung besonders geeignet ist. Insbesondere stellt Fig. 1 eine Computerspeicherorganisation dar, die eine Vielzahl von 72 einzelnen Speicherchips 10 umfaßt. Es muß jedoch als vorteilhaft hervorgehoben werden, daß die vorliegende Erfindung nicht auf Halbleiterspeicher begrenzt ist, sondern allgemein auf jedes Computerspeichersystem angewendet werden kann, in dem eine Vielzahl von Speichereinheiten Einzel- oder Mehrfachausgangsbits zu einem Register sendet und in dem sowohl Fehlerkorrekturschaltungen auf Einheitenebene als auch auf Systemebene verwendet werden. In dem in Fig. 1 gezeigten System liefert jede der 72 Speichereinheiten 10 ein einzelnes Bit zum System- oder W-Register 25. Das Register 25 liefert außerdem Ausgangsdaten durch die Fehlerkorrektur-Schaltungsanordnung 30 auf Systemebene. Desweiteren ist zu erkennen, daß die Fehlerkorrektur-Schaltungsanordnung 20 auf Chip- oder Einheitenebene in jeder der Speichereinheiten oder Chips 10 bereitgestellt wird.
  • In der in Fig. 1 gezeigten besonderen Ausführungsform ist zu erkennen, daß die Zellenmatrix 12 in Worten von 137 Bit, die in der angesteuerten Wortleitung 14 vorkommen, organisiert ist. Von diesen 137 Bit enthalten 128 Bit Datenbits, wobei die restlichen 9 Bit Paritätsprüfbits sind. Dies ist ausreichend, um eine chipintegrierte Einzelfehlerkorrektur und Doppelfehlererkennung bereitzustellen. Die 137 Bit der Zellenmatrixinformationen 16 werden aus der Wortleitung 14 ausgewählt und zur Fehlerkorrektur-Schaltungsanordnung 20 auf Chipebene weitergeleitet, die 128 Bit von korrigierten Daten zum statischen Register 18 sendet. Die Speichereinheit 10 erhält außerdem Adreßfeldinformationen (nicht gezeigt), die vom Deochierer 22 zur Auswahl eines einzelnen Ausgangsbits aus dem statischen Register 18 verwendet werden. Die Ausgänge der Deccdierer 22 in den Chips 1 bis 72 werden entsprechenden Zellen im Register 25 zugeführt. Diese Zellen enthalten im typischen Fall Flip-Flop-Schaltelemente. Insbesondere ist zu erkennen, daß das Systemregister 25 72 Informationsbits umfaßt, von denen 64 Bits Daten enthalten, wobei 8 Bits Paritätsprüfinformationen enthalten. Wiederum sind eine Einzelfehlerkorrektur und eine Doppelfehlereukennung bei diesem Grad an Redundanz möglich. Die Art des Codes oder dei Erkennungs- und Korrekturschaltungsanordnung, die entweder auf Einheitenebene oder auf Systemebene verwendet werden, ist für die Praxis der Erfindung im wesentlichen ohne Bedeutung. Jeder geeignete Code kann zu diesem Zweck verwendet werden.
  • Der Nachteil des in Fig. 1 gezeigten Systems ist, daß permanente Fehler wie "Haft"-Fehler, die in einer bestimmten Zellenmatrix 12 auftreten, es unmöglich machen, daß Fehlerkorrekturcode-Verfahren auf Systemebene das Komplement/Rekomplement-Verfahren zur Wiederherstellung aus permanent-permanenten Fehlern und permanent-weichen Fehlern (das heißt, permanente Doppelfehler) verwenden. Desweiteren sei darauf hingewiesen, daß die besondere Struktur des in Fig. 1 gezeigten Speichersystems nicht als Begrenzung der vorliegenden Erfindung gedeutet werden darf. Insbesondere ist, wie oben angezeigt wird, die Wahl der Codes sowie die Anzahl der verwendeten Chips und die besondere Wortorganisation der Zellenmatrizen 12 relativ zufällig. Die relevanten Aspekte von Fig. 1 umfassen die Korrekturmöglichkeiten auf doppelter Ebene und die unabhängige Organisation der Speichereinheiten, insbesondere in bezuq auf ihre Lieferung unabhängiger Informationsbits zum Register 25.
  • Zum umfassenderen Verständnis des mit dem Speichersystem von Fig. 1 verbundenen Problems wird nun ein vereinfachtes Beispiel der Probleme, die bestimmte permanente Fehler, zum Beispiel "Haft"-Fehler, verursachen können. Insbesondere wird eine Speicherstruktur betrachtet, in der jedes Wort 8 Bit enthält, wobei die ersten 4 Bit Datenbits und die letzten 4 Bit Paritätssummen- Prüfbits sind. Insbesondexe und lediglich zum Zwecke der Erläuterung wird vorausgesetzt, daß die Fehlerkorrekturcode-Matrix die in der Tabelle unten nargestellte ist: TABELLE I
  • Außerdem wird vorausgesetzt, daß zwei "Haft"-Fehler vorhanden sind, die in den ersten beiden Ausgangsbitpositionen der beschriebenen Speichermatrix auftreten. Falls vier Datenbits 0000 in den Speicher geschrieben werden, ist das in die Matrix geschriebene Wort gemäß der oben bereitgestellten Matrix 00000000. Die aus dem Speicher ausgelesenen Daten sind jedoch 1100, was aufgrund der beiden "Haft"-Fehler ein Fehlermuster von 1100 anzeigt. Falls jedoch die Dauen 0100 in der Speichermatrix gespeichert werden sollen, ist das in die Matrix geschriebene Wort gemäß der durch die oben gegebene Matrix implizierten Paritätsprüfmatrix 01000111. Das aus der Matrix ausgelesene Wort ist jedoch aufgrund der beiden "Haft"-Fehler in den ersten beiden Ausgangsbitpositionen wiederum 11000111. Aufgrund der Fehlerkorrekturmöglichkeiten auf Einheitenebene werden die aus dem Speicher ausgelesenen Daten jedoch als 0100 angezeigt, was deutlich auf ein Fehlermuster von 0000 schließen läßt, da dies dasselbe in den Speicher geschriebene Muster ist. Folglich ist zu erkennen, daß das Vorhandensein von "Haft"-Fehlern in Anhängigkeit von den in den Speicher geschriebenen Daten maskiert werden kann. In der Tat würde das Maskieren dieser Fehler normalerweise die Anwendung des Komplement/Rekomplement-Algorithmus zur Korrektur von permanent-permanenten Fehlern verbieten. Die obige Situation wird in der Tabelle unten zusammengefaßt: TABELLE II HAFTFEHLER DATEN SCHREIBEN WORT SCHREIBEN DATEN LESEN FEHLER
  • Nun wird die Aufmerksamkeit insbesondere auf Fig. 2 gerichtet, in der die Speichereinheiten 10 durch die Speichereinheiten 10' ersetzt wurden. Insbesondere ist zu erkennen, daß die Fehlerkorrektur-Schaltungsanordnung 20 auf Einheiten- oder Chipebene in Fig. 2 außerdem verwendet wird, um ein Signal zur Anzeige eines nicht korrigierbaren Fehlers durch das UND-Gatter 53 zur Verriegelung 50 zu senden. Der Chip wird zuerst initialisiert, so daß er korrekte Daten- und Paritätsprüfbits in allen der ECC-Wörter "hinter" dem Chip-ECC hat. Bei Beendigung der Initialisierung wird die Signalleitung MODUS SETZEN verwendet, um die Verriegelung 52 zu setzen, so daß das Signal zur Erkennung eines nicht korrigierbaren Fehlers die Verriegelung 50 zur Ausgangsverriegelung und für permanente Fehler durch das UND-Gatter 53 setzen kann. Das Signal MODUS SETZEN wird unter Verwendung von bekannten Standardverfahren wie einer Überspannung für einen bestehenden Eingang oder Eingänge oder durch den neu definierten JEDEC- Standard, in dem CE und W vor RE aktiv sind und in dem Adressen zur Bereitstellung des Eingangssignals MODUS SETZEN bei RE decodiert werden, erzeugt.
  • Das Vorhandensein eines nicht korrigierbaren Fehlers kann leicht angezeigt werden, indem die Anzahl von Eins-Bits, die in einen von der Schaltungsanordnung 20 zur Fehlererkennung/-korrektur erzeugten Fehleradreßvektor eingeschaltet werden, gezählt werden. Falls der gewählte Code ein Einzelfehlerkorrektur-/Doppelfehlererkennungs-Code ist und falls der Ausgang des funktionellen Blocks 20 zum Anzeigen von Positionen, in denen Fehler aufgetreten sind, eingestellt ist, kann folglich durch Zählen der Bits leicht festgestellt werden, ob mehr als ein Fehler aufgetreten ist oder nicht. Falls mehr als ein Fehler aufgetreten ist, kann das Auftreten eines nicht korriglerbaren Fehlers bereitgestellt werden und wird über das UND-Gatter 53 zum Eingang "S" SETZEN der Verriegelung 50 gesendet. Der Eingang "R" ZURÜCKSETZEN der Verriegelung 50 wird durch dieselben Verfahren, wie sie zuvor für den Eingang MODUS SETZEN erläutert wurden, zugeführt. RÜCKSETZMODUS A setzt nur die Verriegelung 50 zurück, wodurch der normale Betrieb wiederaufgenomen werden kann, nachdem die Systemfehlerbehebung erreicht ist, und die Daten können bis zum Auftreten eines anderen Mehrfachfehlers aus der Matrix gelesen werden. RÜCKSETZMODUS B, der wiederum durch die oben angezeigten Verfahren bereitgestellt wird, kann verwendet werden, um das ganze Sperrelement zu inaktivieren, wodurch es gestattet wird, daß ohne Sperren auf Daten aus der Matrix zugegriffen wird, wenn ein Mehrfachfehler auftritt. Die Verwendung von RÜCKSETZMODUS A oder B kann in Verbindung mit einer Systemfehlerbehebung verwendet werden, um zu ermöglichen, daß die Daten aus dem fehlerhaften Bereich "hinter" dein Chip-ECC abgebildet und korrigiert und unter Verwendung von normalen Chip-Redundanzverfahren in eine andere Matrix gestellt werden. Der Ausgang der Verriegelung 50 steuert durch den Schalter 51 die Auswahl des Ausgangs aus der Speichereinheit 10'. Insbesondere ist der normale Betrieb des Schalters 51 so, daß das einzelne Bitausgangssignal direkt vom Decodierer 22 geliefert wird. Beim Auftreten eines nicht korrigierbaren Fehlers wird der Ausgang durch den Schalter 51 auf einen feststehenden Wert gesetzt. Im typischen Fall ist der feststehende Wert eine binäre 1, wie durch das gezeigte +V-Symbol angedeutet wird, könnte jedoch der feststehende Wert einer binären 0 sein, indem die +V-Signalleitung auf Masse gezogen wird. Auf diese Weise führt das Vorhandensein von nicht korrigierbaren Fehlern dazu, daß der Ausgang der Speichereinheit 10' auf einen feststehenden Wert gezwungen wird. Dies stellt die Fähigkeit zum Reproduzieren von permanenten Fehlern bereit, wobei diese Eigenschaft zum ordnungsgemäßen Betrieb des Komplement/Rekomplement-Verfahrens, das zur Fehlerkorrektur von permanent-permanenten Fehlern oder weich-permanenten Fehlern auf der Systemebene verwendet wird, notwendig ist. Wenn die Speichereinheit 10' aus Fig. 2 in einem fehlertoleranten Speichersystem verwendet wird, kann auf diese Weise eine größere Zuverlässigkeit erreicht werden. Ohne die Anderung der Speichereinheit bei jedem Auftreten eines Doppelfehlers auf Systemebene können die Daten nicht wiederhergestellt werden. Mit der Änderung der Speichereinheit sind alle permanent-permanenten und permanent-weichen Fehler auf Systemebene korrigierbar.
  • Aus der obigen Beschreibung sollte als vorteilhaft hervorgehen, daß die vorliegende Erfindung einen Mechanismus zur Verbesserung der Fehlertoleranzmöglichkeiten von Speichersystemen, insbesondere von hochintegrierten Halbleiter-Speichern mit einer Vielzahl von Chips mit Integriertem Schaltkreis, bereitstellt. Insbesondere ist zu erkennen, daß die vorliegenden Anmelder einen entgegengesetzt-intuitiven Lösungsweg bereitgestellt haben, bei dem der Speichersystemausgang auf Chipebene auf einen feststehenden Pegel gezwungen wird, um die gesamten Fehlerkorrekturmöglichkeiten auf Systemebene zu verbessern. Folglich haben die Anmelder den scheinbar paradoxen Lösungsweg des Erzwingens von Fehlern zur Verbesserung der Fehlerkorrekturmöglichkeiten verwendet. Es ist daher zu erkennen, daß die Anmelder zu deutlichen Vorteilen in den Bereichen der Speicherarchitektur und der Fehlerkorrektur beigetragen haben. Desweiteren ist zu erkennen, daß die Anmelder dies mit geringsten Kosten und mit einer Gestaltung, die auf jeden Speicherchip mit chipintegrierten Fehlerkorrekturmöglichkeiten angeweudet werden kann, erreicht haben.
  • Die oben mit Bezug auf einen kompletten Chip beschriebenen chipintegrierten Fehlerkorrekturmöglichkeiten können je nach Vorgabe der Chiparchitektur auch auf Unterbereichen, wie halben Chips, Viertelchips, Achtelchips, usw. verwendet werden.
  • Obwohl die Erfindung hierbei gemäß bestimmter bevorzugter Ausführungsformen davon ausführlich beschrieben wurde, können von Fachleuten viele Änderungen darin vorgenommen werden. Dementsprechend sollen die beigefügten Ansprüche alle solchen Anderungen einschließen, die in den Anwendungsbereich der Erfindung, wie er durch die beigefügten Ansprüche definiert wird, fallen.

Claims (2)

1. Fehlertolerantes Speichersystem, das Adreßinformationen empfängt und das Dateninformationen als Antwort daraufliefert, die zur Fehlerkorrektur auf Systemebene durch ein Mittel (30) zur Fehlererkennung und -korrektur auf Systemebene, das Daten vom Speichersystem empfängt, verwendet werden, wobei das Speichersystem folgendes aufweist:
eine Vielzahl von digitalen Speichereinheiten (10);
eine Vielzahl von Mitteln (20) zur Fehlererkennung und -korrektur auf Einheitenebene, wobei die Mittel verschiedenen der Speichereinheiten zugeordnet sind, um Fehler in aus Speicherzellen innerhalb der Speichereinheiten gelesenen Daten zu erkennen und zu korrigieren und um ein Fehlersignal als Antwort auf Fehler, die von den Mitteln (20) zur Fehlererkennung und -korrektur auf Einheitenebene nicht korrigiert werden können, zu erzeugen;
eine Vielzahl von Sperrmitteln (51) auf Einheitenebene, die verschiedenen der Speichereinheiten (10) zugeordnet sind und die betrieben werelen, um beim Empfang des Fehlersignals von ihren zugeordneten Mitteln (20) zur Fehlererkennung und -korrektur auf Einheitenebene mindestens ein Ausgangsbit aus ihren zugeordneten Speichereinheiten auf einen feststehenden Wert zu setzen;
und wobei das Mittel 30) zur Fehlererkennung und -korrektur auf Systemebene betrieben werden kann, um permanente Fehler durch den Betrieb des Sperrmittels (51) zu korrigieren.
2. Speichersystem gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, die Mittel (20) zur Fehlererkennung und -korrektur auf Einheitenebene die Korrektur von Einzel- und Doppelfehlern ausführen.
DE69026743T 1989-03-10 1990-02-02 Fehlertolerantes Speichersystem Expired - Lifetime DE69026743T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/322,255 US5058115A (en) 1989-03-10 1989-03-10 Fault tolerant computer memory systems and components employing dual level error correction and detection with lock-up feature

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69026743D1 DE69026743D1 (de) 1996-06-05
DE69026743T2 true DE69026743T2 (de) 1996-11-07

Family

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Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69026743T Expired - Lifetime DE69026743T2 (de) 1989-03-10 1990-02-02 Fehlertolerantes Speichersystem

Country Status (13)

Country Link
US (1) US5058115A (de)
EP (1) EP0386462B1 (de)
JP (1) JPH0743678B2 (de)
KR (1) KR920005297B1 (de)
CN (1) CN1016009B (de)
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AU (1) AU623490B2 (de)
BR (1) BR9001125A (de)
CA (1) CA2002362C (de)
DE (1) DE69026743T2 (de)
MY (1) MY105251A (de)
NZ (1) NZ232458A (de)
SG (1) SG44390A1 (de)

Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100202716B1 (ko) * 1996-12-17 1999-06-15 이종수 엘리베이터의 신호 전송장치
US5228046A (en) * 1989-03-10 1993-07-13 International Business Machines Fault tolerant computer memory systems and components employing dual level error correction and detection with disablement feature
US5210831A (en) * 1989-10-30 1993-05-11 International Business Machines Corporation Methods and apparatus for insulating a branch prediction mechanism from data dependent branch table updates that result from variable test operand locations
US5418796A (en) * 1991-03-26 1995-05-23 International Business Machines Corporation Synergistic multiple bit error correction for memory of array chips
US5274646A (en) * 1991-04-17 1993-12-28 International Business Machines Corporation Excessive error correction control
JPH05225798A (ja) * 1991-08-14 1993-09-03 Internatl Business Mach Corp <Ibm> メモリシステム
US5502728A (en) * 1992-02-14 1996-03-26 International Business Machines Corporation Large, fault-tolerant, non-volatile, multiported memory
US5455939A (en) * 1992-06-17 1995-10-03 Intel Corporation Method and apparatus for error detection and correction of data transferred between a CPU and system memory
US5463644A (en) * 1992-11-13 1995-10-31 Unisys Corporation Resilient storage system
US5465262A (en) * 1994-01-28 1995-11-07 International Business Machines Corporation Method and structure for providing error correction code and automatic parity sensing
US5541941A (en) * 1994-01-28 1996-07-30 International Business Machines Corporation Method and structure for providing automatic parity sensing
US5379304A (en) * 1994-01-28 1995-01-03 International Business Machines Corporation Method and structure for providing error correction code and parity for each byte on SIMM's
US5450422A (en) * 1994-01-28 1995-09-12 International Business Machines Corporation Method and structure for providing error correction code for each byte on SIMM'S
US5623506A (en) * 1994-01-28 1997-04-22 International Business Machines Corporation Method and structure for providing error correction code within a system having SIMMs
US5535226A (en) * 1994-05-31 1996-07-09 International Business Machines Corporation On-chip ECC status
US5467361A (en) * 1994-06-20 1995-11-14 International Business Machines Corporation Method and system for separate data and media maintenance within direct access storage devices
US5691996A (en) * 1995-12-11 1997-11-25 International Business Machines Corporation Memory implemented error detection and correction code with address parity bits
US5761221A (en) * 1995-12-11 1998-06-02 International Business Machines Corporation Memory implemented error detection and correction code using memory modules
US5768294A (en) * 1995-12-11 1998-06-16 International Business Machines Corporation Memory implemented error detection and correction code capable of detecting errors in fetching data from a wrong address
US5881072A (en) * 1996-06-28 1999-03-09 International Business Machines Corporation Method of detecting error correction devices on plug-compatible memory modules
US6785837B1 (en) 2000-11-20 2004-08-31 International Business Machines Corporation Fault tolerant memory system utilizing memory arrays with hard error detection
US6691276B2 (en) * 2001-06-25 2004-02-10 Intel Corporation Method for detecting and correcting failures in a memory system
US6941493B2 (en) * 2002-02-27 2005-09-06 Sun Microsystems, Inc. Memory subsystem including an error detection mechanism for address and control signals
US20030163769A1 (en) * 2002-02-27 2003-08-28 Sun Microsystems, Inc. Memory module including an error detection mechanism for address and control signals
US7093188B2 (en) * 2002-04-05 2006-08-15 Alion Science And Technology Corp. Decoding method and apparatus
EP1376358A1 (de) * 2002-06-20 2004-01-02 STMicroelectronics S.r.l. Fehlerprüfungsverfahren für ein Speichergerät und Speichergerät zur Anwendung des Verfahrens
US6976194B2 (en) * 2002-06-28 2005-12-13 Sun Microsystems, Inc. Memory/Transmission medium failure handling controller and method
US6996766B2 (en) * 2002-06-28 2006-02-07 Sun Microsystems, Inc. Error detection/correction code which detects and corrects a first failing component and optionally a second failing component
US6973613B2 (en) * 2002-06-28 2005-12-06 Sun Microsystems, Inc. Error detection/correction code which detects and corrects component failure and which provides single bit error correction subsequent to component failure
US6996686B2 (en) * 2002-12-23 2006-02-07 Sun Microsystems, Inc. Memory subsystem including memory modules having multiple banks
US7779285B2 (en) * 2003-02-18 2010-08-17 Oracle America, Inc. Memory system including independent isolated power for each memory module
US7530008B2 (en) 2003-08-08 2009-05-05 Sun Microsystems, Inc. Scalable-chip-correct ECC scheme
US7188296B1 (en) 2003-10-30 2007-03-06 Sun Microsystems, Inc. ECC for component failures using Galois fields
US7116600B2 (en) * 2004-02-19 2006-10-03 Micron Technology, Inc. Memory device having terminals for transferring multiple types of data
US8464093B1 (en) * 2004-09-03 2013-06-11 Extreme Networks, Inc. Memory array error correction
US7451380B2 (en) * 2005-03-03 2008-11-11 International Business Machines Corporation Method for implementing enhanced vertical ECC storage in a dynamic random access memory
US7533303B2 (en) * 2005-04-15 2009-05-12 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method and system for performing system-level correction of memory errors
US7843927B1 (en) 2006-12-22 2010-11-30 Extreme Networks, Inc. Methods, systems, and computer program products for routing packets at a multi-mode layer 3 packet forwarding device
JP4918824B2 (ja) * 2006-08-18 2012-04-18 富士通株式会社 メモリコントローラおよびメモリ制御方法
US8327225B2 (en) * 2010-01-04 2012-12-04 Micron Technology, Inc. Error correction in a stacked memory
US8331373B2 (en) * 2010-03-15 2012-12-11 Extreme Networks, Inc. Methods, systems, and computer readable media for automatically selecting between internet protocol switching modes on a per-module basis in a packet forwarding device
TW201212035A (en) * 2010-09-10 2012-03-16 Jmicron Technology Corp Access method of volatile memory and access apparatus of volatile memory
US9946658B2 (en) * 2013-11-22 2018-04-17 Nvidia Corporation Memory interface design having controllable internal and external interfaces for bypassing defective memory
US9772900B2 (en) * 2014-07-10 2017-09-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Tiered ECC single-chip and double-chip Chipkill scheme
US9529672B2 (en) * 2014-09-25 2016-12-27 Everspin Technologies Inc. ECC word configuration for system-level ECC compatibility
JP2016081341A (ja) * 2014-10-17 2016-05-16 株式会社デンソー 電子制御装置
US9928138B2 (en) * 2015-02-17 2018-03-27 Toshiba Memory Corporation Memory system
US10180875B2 (en) * 2016-07-08 2019-01-15 Toshiba Memory Corporation Pool-level solid state drive error correction

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3697949A (en) * 1970-12-31 1972-10-10 Ibm Error correction system for use with a rotational single-error correction, double-error detection hamming code
JPS5294041A (en) * 1976-02-04 1977-08-08 Hitachi Ltd Error correction system
JPS5381036A (en) * 1976-12-27 1978-07-18 Hitachi Ltd Error correction-detection system
US4506362A (en) * 1978-12-22 1985-03-19 Gould Inc. Systematic memory error detection and correction apparatus and method
JPS592057B2 (ja) * 1979-02-07 1984-01-17 株式会社日立製作所 エラ−訂正・検出方式
JPS56111197A (en) * 1980-02-01 1981-09-02 Fujitsu Ltd Two-bit error correction system
US4371930A (en) * 1980-06-03 1983-02-01 Burroughs Corporation Apparatus for detecting, correcting and logging single bit memory read errors
JPS5843044A (ja) * 1981-09-07 1983-03-12 Fujitsu Ltd デ−タエラ−発生回路
US4464753A (en) * 1981-12-30 1984-08-07 International Business Machines Corporation Two bit symbol SEC/DED code
JPS58139399A (ja) * 1982-02-15 1983-08-18 Hitachi Ltd 半導体記憶装置
JPS58215796A (ja) * 1982-06-07 1983-12-15 Nec Corp エラ−制御方式
US4458349A (en) * 1982-06-16 1984-07-03 International Business Machines Corporation Method for storing data words in fault tolerant memory to recover uncorrectable errors
JPS59132500A (ja) * 1983-01-19 1984-07-30 Nec Corp 2ビツト誤り訂正方式
US4608687A (en) * 1983-09-13 1986-08-26 International Business Machines Corporation Bit steering apparatus and method for correcting errors in stored data, storing the address of the corrected data and using the address to maintain a correct data condition
DE3482509D1 (de) * 1984-12-28 1990-07-19 Ibm Geraet zum korrigieren von fehlern in speichern.
US4661955A (en) * 1985-01-18 1987-04-28 Ibm Corporation Extended error correction for package error correction codes
JPS6273500A (ja) * 1985-09-26 1987-04-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
US4726021A (en) * 1985-04-17 1988-02-16 Hitachi, Ltd. Semiconductor memory having error correcting means
JPS629442A (ja) * 1985-07-05 1987-01-17 Nec Corp 誤り検出回路
US4689792A (en) * 1985-09-03 1987-08-25 Texas Instruments Incorporated Self test semiconductor memory with error correction capability
JPS6266354A (ja) * 1985-09-18 1987-03-25 Nec Corp 記憶装置
JPH071640B2 (ja) * 1987-06-03 1995-01-11 三菱電機株式会社 半導体記憶装置の欠陥救済装置
JP2946528B2 (ja) * 1989-05-15 1999-09-06 日本電気株式会社 音声符号化復号化方法及びその装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR900014997A (ko) 1990-10-25
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SG44390A1 (en) 1997-12-19
CN1045472A (zh) 1990-09-19
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US5058115A (en) 1991-10-15

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