DE689257C - Verfahren zur Herstellung eines sauerstofffreien Kupfers hoher Leitfaehigkeit - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines sauerstofffreien Kupfers hoher LeitfaehigkeitInfo
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
- C22B15/00—Obtaining copper
- C22B15/0026—Pyrometallurgy
- C22B15/006—Pyrometallurgy working up of molten copper, e.g. refining
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
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Description
- Verfahren zur Herstellung eines sauerstofffreien Kupfers hoher Leitfähigkeit Es ist bereits vorgeschlagen, Sauerstofffreies Kupfer hoher Leitfähigkeit herzustellen. Die hierbei befolgte Arbeitsweise bestand darin, in einem normalen Raffinierofen Kupfer einzuschmelzen, dieses zunächst wie gewöhnlich zu oxydieren und zu polen, dann jedoch eine absichtliche Überpolung vorzunehmen, bis der. Sauerstoffgehalt auf 0,03 bis 0.01 °/o gesunken ist, und diesem Kupfer schließlich zur Bindung der beim Polen aufgenommenen Gase geringe Mengen Lithiurn -zuzusetzen.
- Es ist bekannt, daß die Löslichkeit des Kupfers an Gasen schwankt und vermutlich abh:ingig ist von der Anwesenheit sonstiger V erunreinigungcn, selbst wenn diese nur in Spuren nachweisbar sind. Demzufolge ist es bei dieseiil bekannten Verfahren erwünscht, eine solche 11eiige T.itliiuin zuzusetzen, daß auf jeden Fall alle Gase gebunden bzw. entfernt werden. Es kann hierbei vermieden werden, daß gelegentlich auch ein gewisser Lithiuiniiberschuß vorhanden ist, der jedoch die Leitfähigkeit des Fertigkupfers ungünstig beeinflußt.
- Vorliegende Erfindung betrifft nun ein Verfahren zur Verbesserung der bekannten Verfahren in der Herstellung sauerstofffreien Kupfers. Diese Verbesserung besteht darin, durch einen zusätzlichen Verfahrensschritt einfacher Art dafür zu sorgen, daß die durch das überpolen vom Kupfer aufgenommenen Gase in ihrer Menge möglichst herabgesetzt. auf jedenFall aber immer in möglichst gleichmäßig niedriger Menge vorhanden sind. Zu diesem Zweck soll nach dein überpolen und vor 11er Einführung des Lithiuins eine teilweise 1"iltgasiliig de. Kupfers durch 1neclianisches Rühren, Schütteln oder Einleiten anderer neutraler Gase, wie z. B. Stickstoff oder Kohlendioxid, die gleichzeitig im Kupfer nicht löslich sind, erfolgen.
- Es ist azi sich bekannt, Metalle vor dem Gießen in öfen, Kübeln oder in der Form selbst durch Rütteln zu entgasen. Dieses an sich bekannteVerfahren wird im vorliegenden Fall in ein ganz bestimmtes Gesamtverfahren eingegliedert, ohne daß der Gedanke für sich allein genommen in Anspruch genommen wird. Gerade bei Kupfer wäre es nicht möglich, alle die durch Überpolen in das Kupfer hineingebrachten Gase durch ein solches Rütteln zu entfernen, wie es vielleicht bei Gußeisen oder Leichtmetallen der Fall ist. Im Rahmen des Gesamtverfahrens ist aber auch hier gar keine völlige Entgasung erforderlich, da diese durch einen weiteren Zusatz von Lithium erfolgt. Es ist vielmehr beabsichtigt, ein weitgehend sauerstofffreies Kupfer auf einen gleichmäßigen Gasgehalt herabzudrücken, weil man nunmehr nicht nur eine geringere, sondern eine immer gleichmäßige Menge Lithium anwenden kann, um auch die letzten Reste Gas zu entfernen. Im Gegensatz zu den bekannten Verfahren ist dabei durch das Überpolen erst bewußt Gas in Kupfer eingeführt. Mit diesem Überpolen und Rütteln allein würde man nun nie zu einem gesunden Guß kommen; erst durch die weiterhin erfolgende Lithiumbehandlung wird das Verfahren vollständig. Während man es besonders bei kleineren Beschickungsmengen sonst nicht immer in der Hand hat, das Endmaß der Überpolung, wie es gemäß Hauptpatent vorgesehen ist, völlig einheitlich einzustellen, gelingt es jetzt, mit Sicherheit einen annähernd gleichen Gasgehalt einzustellen, also gewissermaßen die überschüssigen Spitzen zu beseitigen, um nunmehr mit geringen gleichmäßigen Lithiumzusätzen durchzukommen. Nach dem Verfahren der Erfindung genügen hierbei Zusätze von etwa o,ooa °/o Lithium, so cia,ß ein die Leitfähigkeit herabsetzender Lithiumüberschuß im Enderzeugnis überhaupt nicht mehr zurückbleiben kann. Das so behandelte Kupfer wird dann in bekannter Weise in neutraler Atmosphäre vergossen.
Claims (1)
- PATLNTANSPRUCH Verfahren zur Herstellung eines sauerstofffreien Kupfers hoher Leitfähigkeit, bei dem das Kupfer nach der normal durchgeführten Oxydation überpolt und anschließend durch geringen Zusatz von Lithium völlig gasfrei gemacht wird, dadurch gekennzeichnet, daß vor der Einführung von Lithium eine teilweise Entgasung des Kupfers durch mechanisches Rühren, Schütteln oder Einleiten anderer neutraler Gase erfolgt.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1938V0035010 DE689257C (de) | 1938-07-05 | 1938-07-05 | Verfahren zur Herstellung eines sauerstofffreien Kupfers hoher Leitfaehigkeit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE1938V0035010 DE689257C (de) | 1938-07-05 | 1938-07-05 | Verfahren zur Herstellung eines sauerstofffreien Kupfers hoher Leitfaehigkeit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE689257C true DE689257C (de) | 1940-03-15 |
Family
ID=7589377
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1938V0035010 Expired DE689257C (de) | 1938-07-05 | 1938-07-05 | Verfahren zur Herstellung eines sauerstofffreien Kupfers hoher Leitfaehigkeit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE689257C (de) |
-
1938
- 1938-07-05 DE DE1938V0035010 patent/DE689257C/de not_active Expired
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