DE60044762D1 - Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Halbleiterbauelements - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines HalbleiterbauelementsInfo
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Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11139820A JP2000331981A (ja) | 1999-05-20 | 1999-05-20 | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
JP11228521A JP2001053309A (ja) | 1999-08-12 | 1999-08-12 | 薄膜太陽電池パネルの製造方法および薄膜太陽電池パネルの洗浄水の水切り装置 |
JP28026699A JP2001102606A (ja) | 1999-09-30 | 1999-09-30 | 太陽電池基板の洗浄装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE60044762D1 true DE60044762D1 (de) | 2010-09-16 |
Family
ID=27317953
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE60044762T Expired - Lifetime DE60044762D1 (de) | 1999-05-20 | 2000-03-16 | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Halbleiterbauelements |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6271149B1 (de) |
EP (1) | EP1054457B1 (de) |
AT (1) | ATE476754T1 (de) |
AU (1) | AU775032B2 (de) |
DE (1) | DE60044762D1 (de) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6372389B1 (en) | 1999-11-19 | 2002-04-16 | Oki Electric Industry Co, Ltd. | Method and apparatus for forming resist pattern |
AU2003209984A1 (en) * | 2002-02-15 | 2003-09-04 | Asm Nutool Inc | Integrated system for processing semiconductor wafers |
JP3862615B2 (ja) * | 2002-06-10 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | シリコン系薄膜形成装置およびシリコン系薄膜形成方法 |
AU2003250002A1 (en) * | 2003-07-09 | 2005-01-28 | Rena Sondermaschinen Gmbh | Device for cleaning wafers after a cmp process |
JP4647378B2 (ja) * | 2005-04-20 | 2011-03-09 | 協和化工株式会社 | 乾燥装置 |
DE102008055889A1 (de) * | 2008-11-05 | 2010-01-14 | Siltronic Ag | Verfahren und Vorrichtung zur nasschemischen Behandlung einer Halbleiterscheibe |
DE102008061521B4 (de) * | 2008-12-10 | 2011-12-08 | Siltronic Ag | Verfahren zur Behandlung einer Halbleiterscheibe |
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US8418418B2 (en) | 2009-04-29 | 2013-04-16 | 3Form, Inc. | Architectural panels with organic photovoltaic interlayers and methods of forming the same |
GB201018141D0 (en) | 2010-10-27 | 2010-12-08 | Pilkington Group Ltd | Polishing coated substrates |
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JP6455962B2 (ja) | 2013-03-18 | 2019-01-23 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP6302700B2 (ja) * | 2013-03-18 | 2018-03-28 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP6351993B2 (ja) | 2013-03-18 | 2018-07-04 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
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CN110892518B (zh) * | 2017-07-14 | 2023-12-05 | 雷纳技术有限责任公司 | 干燥基片的干燥装置和方法 |
CN110744208A (zh) * | 2018-07-23 | 2020-02-04 | 杭州纤纳光电科技有限公司 | 产线激光划线设备及其使用方法 |
US11373885B2 (en) * | 2019-05-16 | 2022-06-28 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Wet etching apparatus |
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US5501744A (en) * | 1992-01-13 | 1996-03-26 | Photon Energy, Inc. | Photovoltaic cell having a p-type polycrystalline layer with large crystals |
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-
2000
- 2000-03-16 EP EP00105316A patent/EP1054457B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-03-16 AT AT00105316T patent/ATE476754T1/de not_active IP Right Cessation
- 2000-03-16 DE DE60044762T patent/DE60044762D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-03-17 AU AU22338/00A patent/AU775032B2/en not_active Expired
- 2000-03-20 US US09/531,549 patent/US6271149B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-04-17 US US09/837,004 patent/US20010014542A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20010014542A1 (en) | 2001-08-16 |
AU775032B2 (en) | 2004-07-15 |
AU2233800A (en) | 2000-11-23 |
ATE476754T1 (de) | 2010-08-15 |
EP1054457A2 (de) | 2000-11-22 |
EP1054457A3 (de) | 2006-04-26 |
US6271149B1 (en) | 2001-08-07 |
EP1054457B1 (de) | 2010-08-04 |
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