DE60024972T2

DE60024972T2 - Wiederbeschreibbare cd und deren herstellungsverfahren

Info

Publication number: DE60024972T2
Application number: DE60024972T
Authority: DE
Inventors: Joji Aoba-ku KONDO; Masae Aoba-ku Kubo; Hideyuki Aoba-ku KUBO
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Current assignee: Mitsubishi Chemical Media Co Ltd
Priority date: 1999-09-08
Filing date: 2000-09-08
Publication date: 2006-08-17
Anticipated expiration: 2020-09-09
Also published as: US6580678B2; DE60024972D1; EP1158504A4; EP1158504B1; WO2001018802A1; TW476957B; EP1158504A1; US20010038603A1

Description

TECHNISCHES GEBIET
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine optische Scheibe für das Aufzeichnen/Wiedergeben von Information durch Laserlicht und insbesondere auf eine wiederbeschreibbare CD, die ein ROM-Gebiet, das nur für eine Wiedergabe verfügbar ist, und ein wiederbeschreibbares RAM-Gebiet aufweist.
STAND DER TECHNIK
In den letzten Jahren wurden zusätzlich zur Audio-CD oder CD-ROM, eine CD-R (beschreibbare CD) oder CD-RW (wiederbeschreibbare CD) als beschreibbares Medium, das mit diesen austauschbar ist, auf den Markt gebracht und hat weitverbreitete Verwendung gefunden.
Diese Gruppe wird als eine CD-Familie bezeichnet, und unter den Medien, die nur für eine Wiedergabe verfügbar sind, gibt es CDDA, CD-ROM, CD-ROMXA, CDV, CD-I, CD-MIDI und andere. Die CDDA ist eine sogenannte Musik-CD. In der folgenden Beschreibung werden diese manchmal allgemein als CD, die nur für eine Wiedergabe verfügbar ist, bezeichnet.
In diesen CDs, die nur für eine Wiedergabe verfügbar sind, werden geprägte Pit-Folgen (Folgen von Vertiefungen), die Information einschließen, vorher auf einem Substrat, das aus einem lichtdurchlässigen Polycarbonat oder dergleichen hergestellt ist, mittels einer Presse oder dergleichen ausgebildet, und es wird eine reflektierende Schicht, die einen Metallfilm, der aus einem Edelmetall, Al oder dergleichen hergestellt ist, umfasst, auf der mit Vertiefungen versehenen Oberfläche ausgebildet, und es wird ferner eine Schutzschicht, die aus einem photochemisch härtbaren Harz hergestellt ist, darauf ausgebildet. Diese nur für die Wiedergabe geeignete CDs haben weitverbreitete Verwendung für das Speichern und Wiedergeben von Musik, Bildern, Daten, Programmen und anderen Dingen gefunden. Die Spezifikation für das Aufzeichnen auf diese CD und für die wiedergegebenen Signale ist als die CD-Norm vorgeschrieben, und ein Wiedergabegerät gemäß dieser Norm hat in Form von CD-Abspielgeräten breite Verwendung gefunden.
Im Gegensatz dazu ist die CD-R oder die CD-RW ein durch einen Nutzer beschreibbares Medium. Daten auf der CD-R können durch ein CD-ROM-Laufwerk, das in einem Personalcomputer oder einem CD-Abspielgerät montiert ist, wiedergegeben werden, aber die Daten können darauf nur einmal geschrieben werden, was bedeutet, dass die Daten, die einmal aufgezeichnet wurden, nicht löschbar sind.
Andererseits können Daten auf der CD-RW wegen einem niedrigeren Reflexionsvermögen als bei einer CD, die nur für eine Wiedergabe verwendbar ist, nur durch eine CD-RW-Laufwerk wiedergegeben werden, wobei sie aber im Gegensatz zur CD-R mehr als 1000-Mal wieder beschreibbar ist.
Diese CD-RW ist eine Art optischer Phasenänderungsscheibe und eine anorganische Schutzschicht, eine Phasenänderungsaufzeichnungsschicht, eine anorganische Schutzschicht und eine Reflexionsschicht sind in dieser Reihenfolge auf einem durchsichtigen Harzsubstrat aufgestapelt, auf dem eine Führungsrille im Vorhinein ausgebildet wird, und es ist weiter eine Schutzschicht, die aus einem photochemisch härtbaren Harz hergestellt ist, darauf ausgebildet.
Die gesamte Oberfläche der Aufzeichnungsschicht wird einmal in eine kristalline Form gebracht, um einen gelöschten Zustand herzustellen. Für das Aufzeichnen wird eine Aufzeichnungsschicht in einer Führungsrille mit Laserlicht hoher Leistung bestrahlt, um die kristalline Form der Aufzeichnungsschicht so zu ändern, dass eine amorphe Markierung gebildet wird, um eine Variation im Reflexionsvermögen in Bezug auf einen nicht vom Laser bestrahlten Teil zu erzeugen. Der ausgebildete Markierungsabschnitt wird mit Laserlicht geringer Leistung bestrahlt, um eine Variation im Reflexionsvermögen zu detektieren, um somit die aufgezeichnete Infor mation wiederzugeben. Das heißt, die aufgezeichnete Markierung ist in ihrer Funktion im wesentlichen äquivalent zu einer Vertiefung (einem Pit) in der vorher erwähnten, nur für die Wiedergabe geeigneten CD.
Die nur für die Wiedergabe geeignete CD besitzt den Vorteil, dass sie ein großes Volumen von Anwendungssoftware oder ähnlichem mit geringen Kosten liefern kann, wobei sie aber ein Schreiben verhindert. Andererseits akzeptiert die CD-RW, wie das oben erwähnt wurde, das Schreiben und fungiert als Aufzeichnungsmedium großer Kapazität, wobei der Formatinhalt normiert ist, was eine ausgezeichnete Austauschbarkeit mit der nur für die Wiedergabe geeignete CD und eine sehr leichte Handhabbarkeit ergibt, wobei sie aber ungeeignet ist, ein großes Softwarevolumen mit geringen Kosten zu liefern.
Mittlerweile ist im allgemeinen in einem Fall, bei dem ein CD-RW-Brenner in einem Personalcomputer montiert ist, nicht gleichzeitig eine CD-ROM oder dergleichen darin montiert, sondern es ist nur der CD-RW-Brenner darin montiert. Somit kann in den meisten Fällen, die nur für die Wiedergabe geeignete CD und die CD-RW nicht zur selben Zeit betrieben werden. In diesem Fall ist es für das Aufzeichnen der Daten, die unter Verwendung der Anwendungssoftware, die durch die nur für die Wiedergabe geeignete CD verteilt wird, erzeugt/verarbeitet werden, notwendig, die nur für die Wiedergabe geeignete CD vom Laufwerk zu nehmen, um sie durch eine CD-RW zu ersetzen.
Somit existiert das Problem, dass das Aufzeichnen von Daten auf einer CD-RW durch eine Anwendungssoftware, die über eine CD-ROM verteilt wird, komplizierte Prozeduren erfordert.
Als eine Vorrichtung zur Lösung dieses Problems, ist ein Lösungsweg bekannt, bei dem die Anwendungssoftware oder dergleichen vorher durch die Verwendung einer Aufzeichnungsvorrichtung eins zu eins auf eine CD-RW aufgezeichnet und dann verteilt wird. Dieser Lösungsweg schafft jedoch das Problem der Schwierigkeit einer Massenproduktion eines Mediums und die Möglichkeit, dass einmal aufgezeichnete Anwendungssoftware irrtümlich gelöscht wird, und so hat er keine praktische Bedeutung erlangt.
Das geprüfte japanische Patent mit der Veröffentlichungsnummer 7-122935 beschreibt eine Technik auf einem optischen Aufzeichnungsmedium, das ein ROM-Gebiet und ein RAM-Gebiet auf derselben Ebene aufweist.
Die in dieser Veröffentlichung beschriebene Technik bedingt jedoch das Ausbilden eines Aufzeichnungsfilms aus organischem Material, der eine Aufzeichnungsschicht erzeugt, nur auf dem RAM-Gebiet, das als ein Aufzeichnungsgebiet dient. In einem Fall, bei dem sich die Filmanordnung zwischen dem RAM-Gebiet und dem ROM-Gebiet ändert, besteht, obwohl es leicht ist, Signalwerte, die aus beiden Gebieten ausgelesen werden, getrennt zu steuern, die Notwendigkeit, einen Film in einem Zustand auszubilden, bei dem ein Maskierungswerkzeug auf jedes Substrat gesetzt wird, um das ROM-Gebiet abzudecken, was für die Herstellung eine nachteilige Wirkung hat. Darüber hinaus besteht, wenn sich die Position oder die Größe des ROM-Gebiets ändert, die Notwendigkeit, die Maske entsprechend zu ändern. Die Technik ist daher auch in dieser Beziehung nicht wünschenswert.
Zusätzlich besagt die Spalte „Problems to be Solved by the Invention (Durch die Erfindung zu lösende Probleme)" in dieser Veröffentlichung „eine Anwendung auf eine optische Scheibe, in der eine Aufzeichnungsschicht, die aus einem organischen Material hergestellt ist, über einem Gebiet ausgebildet ist, das ein ROM-Gebiet umfasst, das nur für die Wiedergabe verfügbar ist, und ein für die Aufzeichnung verwendbares RAM-Gebiet und die mit einer CD austauschbar ist, wurde in der japanischen Patentanmeldung Nr. 2-36190 beschrieben." Da jedoch die Aufzeichnungsschicht aus einem organischen Material hergestellt ist, und eine Farbschicht sogar auf dem ROM-Gebiet ausgeformt ist, was für die Information wichtig ist, wie es in der Spalte „Problems to be Solved by the Invention" der Veröffentlichung erwähnt ist, neigt das ROM-Gebiet, unter den Einfluss einer optischen Verfärbung des Farbstoffs zu kommen, so dass dies unerwünscht ist.
Weiterhin beschreibt das geprüfte japanische Patent mit der Veröffentlichungsnummer 7-70089 eine Technik auf einer optische Information tragenden Scheibe, bei der eine Aufzeichnungsschicht, bei der die Informationsaufzeichnung von einer Variation der kristallinen Stauung (stemming) von der Lichtstrahlung abhängt, auf einer Oberfläche eines Substrats vorgesehen ist, das Information hält, die in Form von geprägten Punkten aufgezeichnet ist.
Diese Technik bedingt jedoch eine so genannte Phasenänderungsaufzeichnungsschicht, die statt einer Reflexionsschicht verwendet wird, um eine teilweise Korrektur, Aktualisierung und Hinzufügung von Information zu erzielen, und fern der Ausbildung eines ROM-Gebietes und eines RAM-Gebietes auf derselben Oberfläche ist.
BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
Die vorliegende Erfindung wurde unter Berücksichtigung der oben erwähnten Probleme entwickelt, und somit besteht eine Aufgabe der Erfindung darin, eine wiederbeschreibbare CD, die ein ROM-Gebiet und ein RAM-Gebiet aufweist, die sowohl die Verwendung von Anwendungssoftware oder dergleichen und das Aufzeichnen von Daten durch die Verwendung eines einzigen CD-RW-Brenners verwirklicht, während sie eine Austauschbarkeit mit einer CD-RW aufrecht hält, zu liefern.
Gemäß der vorliegende Erfindung wird eine wiederbeschreibbare CD, die mindestens eine Phasenänderungsaufzeichnungsschicht auf einem Substrat aufweist, bereit gestellt, die dadurch gekennzeichnet ist, dass
ein für die Aufzeichnung verwendbares, löschbares und für die Wiedergabe verwendbares RAM-Gebiet und ein nur für die Wiedergabe verwendbares ROM-Gebiet auf derselben Scheibenoberfläche vorgesehen sind,
die Phasenänderungsaufzeichnungsschicht sowahl im RAM-Gebiet als auch im ROM-Gebiet ausgebildet ist, und eine Kurvenformrille (wobble groove) im RAM- Gebiet ausgebildet ist, und weiter ein kristalliner Abschnitt der Phasenänderungsaufzeichnungsschicht als ein nicht aufgezeichneter Zustand/gelöschter Zustand ausgebildet ist, während ein amorpher Abschnitt davon als ein aufgezeichneter Zustand ausgebildet ist, wobei die Bestrahlung mit Aufzeichnungslicht ausgeführt wird, so dass eine amorphe Markierung in der Rille ausgebildet wird, um EFM-Information aufzuzeichnen,
im ROM-Gebiet EFM-Information in Form einer Pre-Pit-Folge aufgezeichnet wird, und
wenn ein Verhältnis unter Verwendung einer Wellenlänge von 770 bis 790 nm und einer optischen Abtastvorrichtung, deren Objektivlinse eine numerische Apertur von 0,49 bis 0,51 aufweist, von |I₁– I₂|_a/|I₁ – I₂|_ROM eines Wertes eines Push-Pull-Signals nach dem Aufzeichnen im RAM-Gebiet zu einem Wert eines Push-Pull-Signals im ROM-Gebiet gemessen wird, dies im Bereich von 0,78 bis 1,3 liegt, wobei I₁ ein Ausgangssignal von einem ersten Lichtempfangselement eines optischen Detektors ist, der zwei Lichtempfangselemente aufweist, die durch das Aufteilen des optischen Detektors in zwei Abschnitte entlang einer Radialrichtung der optischen Scheibe konstruiert sind, I₂ ein Ausgangssignal von einem zweiten Lichtempfangselement eines optischen Detektors ist, der zwei Lichtempfangselemente aufweist, die durch das Aufteilen des optischen Detektors in zwei Abschnitte entlang einer Radialrichtung der optischen Scheibe konstruiert sind, |I₁ – I₂|_a ein Wert eines Push-Pull-Signals nach dem Aufzeichnen eines EFM-Signals im RAM-Gebiet ist, und |I₁– I₂|_ROM ein Wert eines Push-Pull-Signals im ROM-Gebiet (104) ist.
Insbesondere ist es vorteilhaft, wenn eine Modulationsamplitude eines 11T-Signals des EFM-Signals im ROM-Gebiet von 0,55 bis 0,95 reicht.
Zusätzlich ist vorteilhafterweise ein Verhältnis (m₃/m₁₁)_ROM einer Modulationsamplitude eines 3T-Signals des EFM-Signals zu einer Modulationsamplitude eines 11T-Signals im ROM-Gebiet gleich oder größer als 0,45.
Weiterhin ist es zusätzlich vorteilhaft, wenn eine Modulationsamplitude eines 11T-Signals des EFM-Signals im RAM-Gebiet von 0,60 bis 0,90 reicht.
Vorteilhafterweise ist ein Verhältnis (m₃/m₁₁)_RAM einer Modulationsamplitude eines 3T-Signals des EFM-Signals zu einer Modulationsamplitude eines zugehörigen 11T-Signals im RAM-Gebiet gleich oder größer als 0,45.
Darüber hinaus liegt vorteilhafterweise ein Verhältnis R_topROM/R_topRAM maximaler Reflexionswerte des ROM-Gebiets und des RAM-Gebiets im Bereich von 0,7 bis 1,45 Weiter liegt vorteilhafterweise ein radialer Kontrastwert im ROM-Gebiet in einem Bereich von 0,30 bis 0,60.
Vorzugsweise weist eine Pre-Pit-Folge im ROM-Gebiet eine Kurvenform (wobble) auf.
Zusätzlich liegt vorzugsweise ein normiertes Kurvenformsignal (Wobble-Signal) NWS_ROM, das aus der Kurvenform im ROM-Gebiet erhalten wird, in einem Bereich von 0,035 bis 0,060.
Weiterhin weist vorteilhafterweise die Pre-Pit-Folge im ROM-Gebiet eine Vertiefungstiefe von 60 bis 100 nm und eine Vertiefungsbreite von 0,45 bis 0,70 μm auf.
Darüber hinaus weist vorteilhafterweise die Kurvenformrille im RAM-Gebiet eine Rillentiefe von 30 bis 50 nm und eine Rillenbreite von 0,40 bis 0,60 μm auf.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform, die sich nicht auf die vorliegende Erfindung bezieht, ist eine wiederbeschreibbare CD vorgesehen, die mindestens eine Phasenänderungsaufzeichnungsschicht auf einem Substrat besitzt und dadurch gekennzeichnet ist, dass
ein für die Aufzeichnung verwendbares, löschbares und für die Wiedergabe verwendbares RAM-Gebiet und ein nur für die Wiedergabe verwendbares ROM-Gebiet auf derselben Scheibenoberfläche vorgesehen sind,
die Phasenänderungsaufzeichnungsschicht sowohl im RAM-Gebiet als auch im ROM-Gebiet ausgebildet ist, und eine Rille (eine Rille, die eine Kurvenform aufweist) im RAM-Gebiet ausgebildet ist, und weiter ein kristalliner Abschnitt der Phasenänderungsaufzeichnungsschicht als ein nicht aufgezeichneter Zustand/gelöschter Zustand ausgebildet ist, während ein amorpher Abschnitt davon als ein aufgezeichneter Zustand ausgebildet ist, wobei die Bestrahlung mit Aufzeichnungslicht so ausgeführt wird, dass eine amorphe Markierung in der Rille ausgebildet wird, um EFM-Information aufzuzeichnen,
im ROM-Gebiet EFM-Information in Form einer Pre-Pit-Folge aufgezeichnet wird,
die Pre-Pit-Folge im ROM-Gebiet eine Vertiefungstiefe von 60 bis 100 nm und eine Vertiefungsbreite von 0,45 bis 0,70 μm aufweist, und
die Rille (Kurvenformrille) im RAM-Gebiet eine Rillentiefe von 30 bis 50 nm und eine Rillenbreite von 0,40 bis 0,60 μm aufweist.
Weiter wird ein bevorzugtes Verfahren zur Herstellung dieser wiederbeschreibbare CD geliefert, wobei das Verfahren kein Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist, und es das Ausführen der Belichtung mit Laserlicht für eine Belichtung gemäß einer Pre-Pit-Folge und einer Rille, die in einem Photoresistfilm, der auf einem Substrat ausgebildet ist, und das Entwickeln des Photoresistfilms für das Herstellen eines Masters, der die geformte Pre-Pit-Folge und die Rille aufweist, das Herstellen einer Matrize auf der Basis des Masters, das Ausbilden eines Substrats, das die Pre-Pit-Folge und die Rille aufweist, auf der Basis der Matrize, und das Ausbilden einer Phasenänderungsaufzeichnungsschicht darauf umfasst,
wobei bei der Bestrahlung des Photoresistfilms mit dem Laserlicht gemäß der Rille, die Bestrahlung für die Belichtung ausgeführt wird, während Oszillationen 2,5 × 10⁶ Mal/m oder mehr, aber 25 × 10⁶ Mal/m oder weniger in Richtungen rechtwinklig zur Bewegungsrichtung des Laserlichts ausgeführt werden.
Gemäß einem weiteren Merkmal, das sich nicht auf die vorliegende Erfindung bezieht, wird ein anderes bevorzugtes Verfahren zur Herstellung dieser wiederbeschreibbaren CD geliefert,
umfassend das Ausführen der Bestrahlung mit Laserlicht für die Belichtung gemäß einer Pre-Pit-Folge und einer Rille, die in einem Photoresistfilm, der auf einem Substrat ausgebildet ist, hergestellt werden sollen, und das Entwickeln des Photoresistfilms für das Erzeugen eines Masters, der die geformte Pre-Pit-Folge und die Rille aufweist, das Erzeugen einer Matrize auf der Basis des Masters, das Ausbilden eines Substrats, das die Pre-Pit-Folge und die Rille aufweist, auf der Basis der Matrize und das Ausbilden einer Phasenänderungsaufzeichnungsschicht darauf,
wobei bei der Bestrahlung des Photoresistfilms mit dem Laserlicht gemäß der Rille die Bestrahlung mit einer Vielzahl von Laserstrahlen für die Belichtung ausgeführt wird, so dass die benachbarten Laserstrahlen sich in einer Richtung rechtwinklig zur Bewegungsrichtung des Laserlichts teilweise überlappen.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
1 ist eine Darstellung eines Beispiels einer Anordnung eines Nicht-Daten-Gebietes und eines Daten-Gebietes in einer CD-RW, die eine wiederbeschreibbare CD gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung bildet.
2 ist eine erläuternde Querschnittsansicht, die die wiederbeschreibbare CD gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
3 ist eine Darstellung für das Erläutern eines Push-Pull-Signals auf der wiederbeschreibbaren CD gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
4 ist eine Darstellung für das Erläutern eines wiedergegebenen Signals von der wiederbeschreibbaren CD gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
5 ist eine anschauliche perspektivische Ansicht für das Erläutern eines Falls, bei dem eine Rille in einem ROM-Gebiet ausgeführt ist, um Vertiefungen (Pits) zu verbinden, bei der wiederbeschreibbaren CD gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
6(a) ist eine anschauliche Aufsicht für das Erläutern eines Falls, bei dem eine Rille in einem ROM-Gebiet einer wiederbeschreibbaren CD gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ausgebildet wurde, um Vertiefungen zu verbinden.
6(b) ist eine anschauliche Ansicht für das Erläutern des Falles, in welchem die Rille im ROM-Gebiet in der wiederbeschreibbaren CD gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ausgebildet ist, um die Vertiefungen zu verbinden, wobei sie eine Querschnittsansicht entlang den Pfeilen A-A der 6(a) darstellt.
7 ist eine anschauliche perspektivische Ansicht für das Erläutern eines Falles, bei dem eine Rille zwischen Vertiefungsfolgen in einem ROM-Gebiet in der wiederbeschreibbaren CD gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ausgebildet ist.
8(a) ist eine anschauliche Ansicht für das Erläutern eines Falles, in welchem eine Rille zwischen Vertiefungsfolgen in einem ROM-Gebiet in der wiederbeschreibbaren CD gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ausgebildet ist.
8(b) ist eine anschauliche Ansicht für das Erläutern des Falles, in welchem die Rille zwischen den Vertiefungsfolgen im ROM-Gebiet in der wiederbeschreibbaren CD gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ausgebildet wurde, und sie stellt eine Querschnittsansicht entlang den Pfeilen B-B der 8(a) dar.
9(a) ist eine Darstellung für das Erläutern der Vertiefungsfolge, die eine Kurvenform aufweist, in der wiederbeschreibbaren CD gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, und sie ist eine Darstellung für das Erläutern eins I₂ – I₂-Signals, das man aus dieser Vertiefungsfolge erhält.
9(b) ist eine Darstellung für das Erläutern der Vertiefungsfolge, die die Kurvenform aufweist, in der wiederbeschreibbaren CD gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, und sie ist eine anschauliche Aufsicht für das Erläutern einer Konfiguration dieser Vertiefungsfolge.
10 ist eine anschauliche Aufsicht für das Erläutern einer Rille und einer Vertiefung, die in einem Substrat der wiederbeschreibbaren CD gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ausgebildet sind.
11(a) ist eine anschauliche Aufsicht für das Erläutern einer Rille und einer Vertiefung, die in einem Substrat der wiederbeschreibbaren CD gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ausgebildet sind.
11(b) ist eine anschauliche Ansicht für das Erläutern der Rille und der Vertiefung, die im Substrat der wiederbeschreibbaren CD gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ausgebildet sind, und sie stellt eine Querschnittsansicht entlang den Pfeilen C-C der 11(a) dar.
12 ist eine anschauliche Ansicht für das Beschreiben eines optischen Rillengeometriemessverfahrens zur optischen Messung einer Rillengeometrie in der wiederbeschreibbaren CD gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, wobei es eine Lichtbeugung (diffraction light) verwendet.
13 ist eine schematische Darstellung einer Struktur eines Beispiels eines laseroptischen Systems für die Verwendung in der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
14 ist eine anschauliche perspektivische Ansicht für das Erläutern eines Belichtungsverfahrens eines Herstellungsverfahrens der wiederbeschreibbaren CD, das sich nicht auf die vorliegende Erfindung bezieht.
15 ist eine anschauliche perspektivische Ansicht für das Erläutern eines anderen Belichtungsverfahrens eines Herstellungsverfahrens der wiederbeschreibbaren CD, das sich nicht auf die vorliegende Erfindung bezieht.
Beste Art für das Ausführen der Erfindung
Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird hier nachfolgend unter Bezug auf die Zeichnungen beschrieben.
1 ist eine Darstellung eines Beispiels einer Anordnung eines Nicht-Daten-Gebietes und eines Daten-Gebietes in einer CD-RW, die eine wiederbeschreibbare CD gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung bilden.
Eine CD-RW (die gleichermaßen einfach als eine Scheibe bezeichnet wird) 100, die in 1 gezeigt ist, ist ein für die optische Wiedergabe oder Aufnahme geeignetes Aufzeichnungsmedium und besteht aus einem Verwaltungsgebiet 101 und einem Nutzergebiet 102.
Von diesen Gebieten ist das Verwaltungsgebiet 101 ein Gebiet, das eine (nicht gezeigte) Laufwerkseinheit wiedergeben kann, auf das der Nutzer aber keinen Zugriff hat, und es besteht aus einem PCA (Power Calibration Area = Leistungskalibriergebiet) und einem PMA (Program Memory Area = Programmspeichergebiet). Das PCA ist ein Gebiet für das Aufzeichnen von Information, um die Intensität eines Lasers einzustellen, wenn Daten geschrieben werden. Im PMA wird beispielsweise eine Aufzeichnungsstartadresse bei einem zusätzlichen Schreiben temporär aufgezeichnet.
Weiterhin ist das Nutzergebiet 102 ein Gebiet, aus dem die Laufwerkseinheit lesen kann, und der Nutzer kann beliebig Zugang zu ihm erhalten. Das Nutzergebiet 102 umfasst ein Vorspanngebiet 103 für das Unterbringen eines Vorspanns, ein ROM-Gebiet 104 nur für die Wiedergabe, von dem Daten durch die (nicht gezeigte) Laufwerkseinheit ausgelesen werden können, ein RAM-Gebiet 105, wo Daten durch die (nicht gezeigte) Laufwerkseinheit aufgezeichnet, gelöscht und wiedergegeben werden können, und ein Nachspanngebiet 106 für das Unterbringen eines Nachspanns. Übrigens werden das ROM-Gebiet 104 und das RAM-Gebiet 105 manchmal allgemein als ein Datengebiet (Programmgebiet) bezeichnet.
Zusätzlich wird im ROM-Gebiet 104 EFM-Information in Form einer Pre-Pit-Folge aufgezeichnet. Beispielsweise werden Anwendungssoftware, Treibersoftware oder dergleichen als Information, die in diesem ROM-Gebiet 104 aufzuzeichnen ist, betrachtet, wobei aber keine Begrenzung auf den Typ der Information vorliegen soll.
Beispielsweise kann es sich auch um Medieninformation auf einer Spezial-CD-RW, Authentisierungsinformation oder dergleichen handeln. Durch die CD-RW kann ein Nutzer persönlich und einfach Arbeitsdaten, wie Musik, einen Film oder ein Computerprogramm, duplizieren, was somit das Problem ergibt, dass es schwierig ist, eine solche Arbeit perfekt zu schützen. Als ein Lösungsansatz, um Daten mit einem solchen Urheberrecht zu schützen, hat man in Betracht gezogen, dass eine Mietgebühr im Vorhinein zur CD-RW hinzugefügt wird, und eine Authentisierungsinformation oder dergleichen wird im ROM-Gebiet 104 aufgezeichnet, um eine CD-RW mit einer Authentisierung zu versehen, so dass die urheberrechtlich geschützten Daten nur in Bezug auf eine solche CD-RW dupliziert werden können.
Andererseits weist das RAM-Gebiet 105 eine Phasenänderungsaufzeichnungsschicht auf, und ein kristalliner Teil der Phasenänderungsaufzeichnungsschicht wird als ein Nicht-Aufzeichnungs-Zustand/gelöschter Zustand ausgelegt, während sein amorpher Teil als Aufzeichnungszustand ausgelegt ist. In diesem RAM-Gebiet 105 wird eine Führungsrille (Wobble-Rille, Rille mit Kurvenform), die eine Kurvenform aufweist, so ausgebildet, dass Aufzeichnungslicht auf die Phasenänderungsaufzeichnungsschicht aufgebracht wird, während es entlang der Kurvenformrille geführt wird, um eine amorphe Markierung (Aufzeichnungsmarkierung) zu bilden, um somit EFM-Information aufzuzeichnen.
Übrigens ist es in 1, obwohl das ROM-Gebiet 104 am innersten Umfangsteil des Datengebietes angeordnet ist, nicht immer erforderlich, dass sich das ROM-Gebiet 104 am innersten Umfang befindet. Wenn man jedoch einen leichten Zugang oder eine einfache Herstellung in Betracht zieht, ist es vorteilhaft, dass das ROM-Gebiet 104 am innersten oder äußersten Umfang des Datengebiets angeordnet ist. Zusätzlich ist es, wenn man auf eine Austauschbarkeit mit einer CD-RW, die nur ein RAM-Gebiet besitzt, Wert liegt, vorteilhaft, wenn der innerste Umfang des Datengebietes als RAM-Gebiet festgelegt wird.
Zusätzlich ist vorteilhafterweise ein Puffergebiet, das nicht für eine Aufzeichnung/Wiedergabe von Daten verwendet wird, am Grenzabschnitt zwischen dem ROM-Gebiet 104 und dem RAM-Gebiet 105 vorgesehen. Dies kann die logische Verbindung der Daten unterbrechen, und es kann verhindern, dass die Spurverfolgung oder das Aufzeichnen/Wiedergeben durch die Differenz zwischen den Rillen/Vertiefungs-Signaleigenschaften beider Gebiete unbrauchbar wird.
Als ein bevorzugtes Beispiel gibt es eine Art, die ein Multi-Session-Verfahren, das in der ISO9660 beschrieben ist, verwendet, so dass das ROM-Gebiet und das RAM-Gebiet als getrennte Sessions festgelegt sind. In diesem Beispiel sind beispielsweise ein Vorspanngebiet, ein ROM-Gebiet, ein Nachspanngebiet, ein Vorspanngebiet, ein RAM-Gebiet, ein Nachspanngebiet in einer Reihenfolge angeordnet, die vom innersten Umfang startet, so dass das Nachspanngebiet und das Vorspanngebiet immer zwischen dem ROM-Gebiet und dem RAM-Gebiet existieren. Somit sind das Nachspanngebiet und das Vorspanngebiet als ein Puffergebiet verfügbar. Im allgemeinen fungieren das Nachspanngebiet und das Vorspanngebiet, wenn diese eine Länge aufweisen, die einer Minute entspricht (eine Länge, die ungefähr eine Minute für die Wiedergabe betragen muss), wenn die Wiedergabe mit einer linearen Geschwindigkeit von 1,2 m/s erfolgt, als Puffergebiet ausreichend.
Alternativ ist es auch möglich, dass ein UDF-Format (Universal Disk Format) verwendet und eine spezifizierte Paketgruppe dem ROM-Gebiet zugeordnet wird.
Mittlerweile ist in der CD-RW 100 gemäß dieser Ausführungsform eine Phasenänderungsaufzeichnungsschicht nicht nur auf dem RAM-Gebiet 105 sondern auch auf dem ROM-Gebiet 104 vorgesehen.
Konkret ist, wie 2 zeigt, mindestens eine Phasenänderungsaufzeichnungsschicht 52 auf einem Substrat 50 ausgebildet, um das gesamte Gebiet des Verwaltungsgebiets 101 und des Nutzergebiets 102 zu bedecken. Vorzugsweise sind eine Schutzschicht 51, die Phasenänderungsaufzeichnungsschicht 52, eine Schutzschicht 53 und eine Reflexionsschicht 54 in dieser Reihenfolge auf dem Substrat 50 platziert, und weiter ist eine Schutzhüllenschicht 55, wie aus einem im ultravioletten Licht aushärtenden oder mit Hitze aushärtenden Harz, die eine Dicke von ungefähr 1 μm bis ungefähr mehrere Hundert Mikrometer aufweist, auf der obersten Schicht vorgesehen, um einen direkten Kontakt mit der Luft zu verhindern, oder um Beschädigungen, die sich aus dem Kontakt mit fremden Gegenständen ergeben, zu verhindern.
Wie oben angegeben wurde, ist gemäß dieser Ausführungsform das ROM-Gebiet 104 auch so ausgebildet, dass es dieselbe Schichtstruktur wie die des RAM-Gebiets 105 aufweist.
Zusätzlich ist, wie 2 zeigt, eine Pit-Folge (Pre-Pit-Folge), die eine Vielzahl von Pits (Pre-Pits) 60 umfasst, im ROM-Gebiet 104 des Substrats 50 ausgebildet, und es ist eine Führungsrille 61 in seinem RAM-Gebiet 105 ausgebildet.
Für das durch Durchführen der Aufzeichnung/Wiedergabe auf einer optischen Scheibe, die das ROM-Gebiet 104 und das RAM-Gebiet 105 aufweist, unter Verwendung einer Laufwerkseinheit, besteht die Notwendigkeit, die Rillensignaleigenschaft (beispielsweise die Nachführsignaleigenschaft) und die Eigenschaft des wiedergegebenen Signals in jedem ROM-Gebiet 104 und dem RAM-Gebiet 105 zu optimieren. Zusätzlich ist es im Umschaltabschnitt (change-over portion) zwischen dem ROM-Gebiet 104 und dem RAM-Gebiet 105 auch wichtig, eine ausreichende Kontinuität des Rillensignals und des Wiedergabesignals zu sichern und die Rillensignaleigenschaft (beispielsweise die Nachführsignaleigenschaft) und die Eigenschaft des wiedergegebenen Signals zu optimieren.
In der folgenden Beschreibung sei in dieser Ausführungsform angenommen, dass die verschiedenen Typen von Signalen unter Verwendung einer Wellenlänge von 770 nm bis 790 nm und einer optischen Abtastvorrichtung, deren Objektivlinse eine numerische Apertur NA von 0,49 bis 0,51 aufweist, gemessen werden. Diese Messbedingungen sind grundsätzlich in der CD-RW-Norm gemäß dem Orange Book bestimmt. Die verwendete numerische Apertur NA der Objektivlinse beträgt jedoch nicht 0,44 bis 0,46 (ungefähr 0,45) sondern 0,49 bis 0,51 (ungefähr 0,50).
Als Ergebnis einer Vielzahl von Studien durch die hier maßgeblichen Erfinder und anderer Personen über die verschiedenen Eigenschaften wurde herausgefunden, dass die Rillensignaleigenschaft (Spurverfolgungssignaleigenschaft) hauptsächlich vom Wert eines Push-Pull-Signals abhängt.
Das heißt, das Verhältnis |I₁ – I₂|/|I₁ – I₂|_a eines Werts des Push-Pull-Signals vor dem Aufzeichnen eines EFM-Signals im RAM-Gebiet 105 zu einem Wert des Push-Pull-Signals nach dem Aufzeichnen eines EFM-Signals im RAM-Gebiet 105 sollte vorzugsweise im Bereich von 1,05 bis 2,0 liegen.
Wenn es in diesen Bereich gebracht wird, so ist es möglich, die Rillensignaleigenschaft (Spurverfolgungssignaleigenschaft) im RAM-Gebiet 105 zu optimieren. Zusätzlich optimiert dies die Eigenschaft des wiedergegebenen Signals.
Weiterhin liegt das Verhältnis |I₁ – I₂|_a/|I₁ – I₂|_ROM eines Werts eines Push-Pull-Signals nach der Aufzeichnung des EFM-Signals im RAM-Gebiet 105 zu einem Wert eines Push-Pull-Signals im ROM-Gebiet 104 im Bereich von 0,78 bis 1,3.
Wenn es in diesen Bereich gebracht wird, kann, da es möglich ist, eine ausreichende Kontinuität der Signale (Rillensignal oder wiedergegebenes Signal) am Umschaltabschnitt zwischen dem ROM-Gebiet 104 und dem RAM-Gebiet 105 zu liefern, die Operation im dynamischen Bereich des Spurverfolgungsservos eines Laufwerks (Laufwerkseinheit) durchgeführt werden, was ein kontinuierliches Aufzeichnen/eine kontinuierliche Wiedergabe im ROM-Gebiet 104 und dem RAM-Gebiet 105 in einer Laufwerkseinheit ermöglicht. Somit ist es möglich, die Rillensignaleigenschaft (Spurverfolgungssignaleigenschaft) und die Eigenschaft des wiedergegebenen Signals am Umschaltabschnitt zwischen dem ROM-Gebiet 104 und dem RAM-Gebiet 105 zu optimieren.
In Verbindung damit befindet sich, wenn die Einstellung vorgenommen wird, um beide der oben erwähnten Bereiche zu befriedigen, obwohl das Verhältnis |I₁ – I₂|/|I₁ – I₂|_ROM eines Wertes eines Push-Pull-Signals vor dem Aufzeichnen eines EFM-Signals im RAM-Gebiet 105 zu einem Wert eines Push-Pull-Signals im ROM-Gebiet 104 vorzugsweise zwischen 0,82 (1,05 × 0,78) bis 2,6 (2,0 × 1,3) liegt, am bevorzugtesten in diesem Bereich das Verhältnis in einem Bereich von 1,05 bis 2,0.
Da übrigens die numerische Apertur NA der Objektivlinse von 0,45 auf 0,50 geändert wird, wie das oben erwähnt wurde, neigt sogar das identische Laserlicht dazu, weiter fokussiert zu werden, um den Durchmesser eines Laserstrahls, mit dem die Scheibe 100 bestrahlt wird, zu reduzieren. Obwohl die Werte der Push-Pull-Signale aus diesem Grunde dazu neigen, etwas zuzunehmen, gibt es in diesem Fall, da eine Aufteilung in Bezug auf diese Werte vorgenommen wird, um das Verhältnis dieser Werte zu berechnen, kein Problem, sogar wenn die Änderung der numerischen Apertur NA der Objektivlinse die Variation jedes Werts der Push-Pull-Signale verursacht.
Unter Bezug auf 3 erfolgt hier nun nachfolgend eine Beschreibung der hier zu verwendenden Werte der Push-Pull-Signale. In diesem Fall erfolgt die Wiedergabe von der optischen Scheibe gewöhnlicherweise durch das Empfangen reflektierten Lichts eines Lichtpunktes, der sich zusammen mit einem Kopf oder einem Abtaster bewegt, und das Spurverfolgungsfehlersignal kann durch eine arithmetische Verar beitung eines Ausgangssignals I₁ eines ersten Lichtempfangselements eines optischen Detektors, der zwei Lichtempfangselemente (zwei Photodioden; 2D-PD) umfasst, die durch das Aufteilen des optischen Detektors in zwei Abschnitte entlang einer Radiorichtung der optischen Scheibe konstruiert sind, und eines Ausgangssignals I₂ von seinem zweiten Lichtempfangselement in einer Signalverarbeitungsschaltung erhalten werden. 3 zeigt ein I₂ – I₃ Signal, das durch die arithmetische Verarbeitung eines wiedergegebenen Signals (das heißt ein wiedergegebenes Signal ohne Spurverfolgungsfehler), das ohne Verwendung der Spurverfolgung wiedergegeben wird, erhalten wird.
Zusätzlich wird der absolute Wert der Differenz zwischen den Signalwerten, die man erhält, wenn eine Menge des Lichts, das von der Scheibe 100 reflektiert wird, durch die zwei aufgeteilten Lichtempfangselemente gemessen wird, als |I₁– I₂| ausgedrückt.
Weiterhin wird zusätzlich nach der Aufzeichnung im RAM-Gebiet 105 der Absolutwert der Differenz zwischen den Signalwerten, die man durch das Messen der Menge des Lichts, die von der Scheibe 100 reflektiert wird, unter Verwendung der vorher erwähnten zwei aufgeteilten Lichtempfangselemente erhält, als |I₁ – I₂|_a ausgedrückt.
Im ROM-Gebiet 104 wird der Absolutwert der Differenz zwischen den Signalwerten, die man durch das Messen der Menge des Lichts, die von der Scheibe 100 reflektiert wird, unter Verwendung der vorher erwähnten zwei aufgeteilten Lichtempfangselemente erhält, als |I₁ – I₂|_ROM ausgedrückt.
In diesem Fall wird, da |I₁– I₂|_a und |I₁ – I₂|_ROM in Abhängigkeit vom aufgezeichneten Signal sehr stark variieren, ein Signal, das man erhält, indem das ausgegebene Signal durch einen Tiefpassfilter von 5 kHz hindurchgeführt wird, zur Anwendung gebracht.
Da diese jeweils den Werten der Push-Pull-Signale vor der Normierung entsprechen, kann beispielsweise das Verhältnis eines Werts eines Push-Pull-Signals vor der Aufzeichnung eines EFM-Signals im RAM-Gebiet 105 zu einem Wert eines Push-Pull-Signals nach dessen Aufzeichnung als |I₁ – I₂|/|I₁ – I₂|_a ausgedrückt werden. Zusätzlich kann das Verhältnis eines Werts eines Push-Pull-Signals nach der Aufzeichnung eines EFM-Signals im RAM-Gebiet 105 zu einem Wert eines Push-Pull-Signals im ROM-Gebiet 104 als |I₁ – I₂|_a/|I₁ – I₂|_ROM ausgedrückt werden.
Da der Wert eines Push-Pull-Signals einen Wert bezeichnet, der gemäß einer Position in einer radialen Richtung vom Zentrum einer Rille (oder einer Vertiefung) variiert, wird der vorangehende Vergleich unter Verwendung der Maximalwerte der Signalwerte vorgenommen.
Übrigens ist es möglich, obwohl der Wert eines Push-Pull-Signals gemäß der Mehrschichtstruktur, wie beispielsweise einer Aufzeichnungsschicht oder der äußeren Umgebung variiert, eine solche Variation durch die Normierung, die das Teilen durch ein anderes Signal bedingt, zu eliminieren und den Signalwert selbst auszuwerten.
Als zweites erfolgt hier nachfolgend eine Beschreibung eines Wertes eines Push-Pull-Signals nach der Normierung.
Zuerst wird ein Wert |I₁– I₂|/I_g, den man durch das Teilen von |I₁– I₂| (das PP_raw in 3 entspricht) im Falle der Verschiebung um 0,1 μm in einer Radialrichtung vom Zentrum einer Rille durch einen Rillensignalpegel I_g erhält, vor der Aufzeichnung im RAM-Gebiet 105 als ein Wert eines Push-Pull-Signals vor der Aufzeichnung unter der Normierung, die mit dem Rillensignalpegel I_g durchgeführt wurde, bezeichnet. Der Rillensignalpegel I_g ist äquivalent einem unteren Pegel eines I₁ – I₂ Signals.
Weiterhin wird ein Wert |I₁– I₂|_a/I_ga, den man durch das Teilen von |I₁ – I₂|_a (der PP_raw in 3 entspricht) im Fall der Verschiebung um 0,1 μm in einer Radialrichtung vom Zentrum einer Rille durch einen mittleren Rillensignalpegel I_ga erhält, nach dem Aufzeichnen im RAM-Gebiet 105 als ein Wert eines Push-Pull-Signals nach der Aufzeichnung unter der Normierung, die mit dem mittleren Rillensignalpegel I_ga durchgeführt wurde, bezeichnet.
Zu dieser Zeit wird, da der Rillensignalpegel in Abhängigkeit vom aufgezeichneten Signal in Bezug auf den mittleren Rillensignalpegel I_ga nach der Aufzeichnung stark variiert, der untere Pegel eines Signals, das man erhält, indem man das (I₁– I₂)_a Signal einmal durch einen Tiefpassfilter von 5 kHz hindurch führt, verwendet.
In dieser Verbindung ist es auch möglich als Verhältnis des Wertes eines Push-Pull-Signals vor dem Aufzeichnen des EFM-Signals im RAM-Gebiet 105 und des Wertes eines Push-Pull-Signals nach dessen Aufzeichnung, ein Verhältnis (|I₁ – I₂|/I_g)/(I₁– I₂|_a/I_ga) der vorangehenden normierten Werte zu verwenden. In diesem Fall ist es vorteilhaft, wenn (|I₁– I₂|/I_g)/(|I₁– I₂|_a/I_ga) 0,5 bis 1,3 beträgt.
Ein Wert |I₁ – I₂|_a/I_topRAM, den man durch das Teilen von |I₁ – I₂|_a (was PP_raw in 3 entspricht) im Falle der Verschiebung um 0,1 μm in einer Radialrichtung vom Zentrum einer Rille, durch einen Maximalpegel I_topRAM eines wiedergegebenen Signals, das einen 11T-Signal eines EFM-Signals nach der Aufzeichnung im RAM-Gebiet 105 entspricht, erhält, wird als eine Wert eines Push-Pull-Signals nach der Aufzeichnung, normiert mit einem Maximumsignalpegel I_topRAM, bezeichnet.
Der Wert |I₁– I₂|_a/I_topRAM eines Push-Pull-Signals nach der Aufzeichnung, normiert mit dem Maximumsignalpegel I_topRAM im RAM-Gebiet 105 liegt normalerweise in einem Bereich von 0,07 bis 0,12, noch besser in einem Bereich von 0,080 bis 0,100.
Im ROM-Gebiet 104 wird ein Wert |I₁– I₂|_ROM/I_topRAM, den man erhält durch das Teilen von |I₁ – I₂|_ROM (was PP_raw in 3 entspricht) im Fall der Verschiebung um 0,1 μm in einer radialen Richtung vom Zentrum einer Vertiefungsfolge 60, durch einen Maximumpegel I_topROM eines wiedergegebenen Signals, das einem 11T-Signal eines EFM-Signals im ROM-Gebiet 104 entspricht, als ein Wert eines Push-Pull- Signals im ROM-Gebiet 104, normiert mit einem Maximumsignalpegel I_topROM, bezeichnet.
Der Wert |I₁ – I₂|_ROM/I_topRAM, eines Push-Pull-Signals im ROM-Gebiet 104, normiert mit einem Maximumsignalpegel I_topROM liegt normalerweise im Bereich von 0,020 (noch besser 0,04 und darüber) bis 0,070.
Der Grund dafür, dass der Bereich des Werts eines Push-Pull-Signals, der mit dem Maximumsignalpegel normiert ist, in oben erwähnter Weise festgelegt wird, ist der, dass wenn der Wert eines Push-Pull-Signals übertrieben klein ist, dann die Spurverfolgung nicht normal arbeitet. Andererseits schafft ein übermäßig großer Wert auch ein Problem. Das heißt, da das Laufwerk so ausgelegt ist, dass es einen optischen Kopf zu einer normalen Spurverfolgungsposition zurückführt mit einer Kraft, die proportional einem Wert eines Push-Pull-Signals ist, so nimmt, wenn der Wert des Push-Pull-Signals zu groß ist, das Überschießen zu, was bewirkt dass die Spurverfolgung zur normalen Position schwierig wird.
Unterdessen ist bei der Rillensignaleigenschaft (beispielsweise der Spurverfolgungssignaleigenschaft) ein Wert des radialen Kontrasts ebenfalls wichtig.
Vorzugsweise liegt dieser radiale Kontrastwert im Bereich von 0,30 bis 0,60 im ROM-Gebiet 104. Wenn der Wert außerhalb dieses Bereichs liegt, so tauchen Schwierigkeiten bei der genauen Durchführung einer Spurzählung bei der Suche auf. Zusätzlich besteht im Falle des übermäßigen radialen Kontrastwertes in Abhängigkeit vom Laufwerk die Möglichkeit, dass die Spur irrtümlicherweise als defekt erkannt wird.
Vorzugsweise wird der radiale Kontrastwert RC_b an einer Führungsrille vor dem Aufzeichnen im RAM-Gebiet 105 auf einen Wert von 0,05 und größer festgelegt, während der radiale Kontrastwert RC_a an einer Führungsrille nach der Aufzeichnung eines EFM-Signals auf einen Wert von 0,30 bis 0,60 (noch besser auf 0,55 und weniger) festgelegt wird. Dies kann die Kontinuität zum radialen Kontrastwert im ROM-Gebiet 104 aufrecht halten.
Die radialen Kontrastwerte im ROM-Gebiet 104 vor der Aufzeichnung im RAM-Gebiet 105 und nach der Aufzeichnung im RAM-Gebiet 105 werden durch die folgenden Gleichungen (1), (2) beziehungsweise (3) definiert.
Der Pegel eines Landes (ebene Fläche) und eines Pits (Vertiefung) eines wiedergegebenen Signals werden als I_LAND beziehungsweise I_PIT bezeichnet, und ein Landpegel und ein Gruppenpegel eines Rillensignals vor der Aufzeichnung im RAM-Gebiet 105 werden als I₁ beziehungsweise I_g bezeichnet, und weiter werden ein Landpegel und ein Gruppenpegel eines Rillensignals nach der Aufzeichnung im RAM-Gebiet 105 als I_1a beziehungsweise I_ga bezeichnet. Ein wiedergegebenes Signal des ROM-Gebiets 104 und ein Rillensignal des RAM-Gebiets 105 sind mittlere Signale, die man erhält durch das Hindurchführen eines wiedergegebenen Signals und eines Rillensignals durch einen Tiefpassfilter von 5 kHz. Beide werden ohne Durchführung der Spurnachführung gemessen.
Weiterhin ist in Bezug auf die Eigenschaft eines wiedergegebenen Signals die Modulationsamplitude eines 11T-Signals eines EFM-Signals am wichtigsten, und es ist vorteilhaft, dass die Modulationsamplitude eines 11T-Signals eines EFM-Signals im ROM-Gebiet 104 im Bereich von 0,55 bis 0,95 (noch besser bei 0,60 und darüber) liegt, und dass die Modulationsamplitude eines 11T-Signals eines EFM-Signals im RAM-Gebiet 105 im Bereich von 0,60 bis 0,90 (noch besser bei 0,80 und darunter) liegt. Dies ermöglicht es, dass die Information sicher sowohl aus dem ROM-Gebiet 104 als auch aus dem RAM-Gebiet 105 ausgelesen werden kann, was die notwendige Fähigkeit zur Informationsregeneration sicher stellt.
Unter Bezug auf 4 erfolgt hier eine Beschreibung einer Modulationsamplitude m₁₁ eines 11T-Signals.
4 zeigt die Summe I₁ + I₂ von Signalen, die man durch das Messen einer Menge von Licht, das von der Scheibe 100 reflektiert wird, durch die Verwendung der vorher erwähnten zwei aufgeteilten Lichtempfangselemente erhält, wenn die Wiedergabe von der Scheibe 100 unter einer Spurnachführung erfolgt.
In diesem Fall wird, wenn eine Amplitude eines wiedergegebenen Signals, das einem 11T-Signal entspricht, als I₁₁ angenommen wird, und ein Maximumpegel des wiedergegeben Signals, das dem 11T-Signal entspricht als I_top (= I_11,LAND) angenommen wird, I₁₁/I_top eine Modulationsamplitude m₁₁ eines 11T-Signals.
Die Modulationsamplitude m₁₁ eines 11T-Signals im ROM-Gebiet 104 beträgt I_11ROM/I_topROM während die Modulationsamplitude m₁₁ eines 11T-Signals im RAM-Gebiet 105 I_11RAM/I_topRAM beträgt.
Sowohl im ROM-Gebiet 104 als auch im RAM-Gebiet 105 wird die Modulationsamplitude m₁₁ eines 11T-Signals vorteilhafterweise auf einen Wert von 0,55 oder größer festgelegt. Das kommt daher, dass eine übertrieben kleine Modulationsamplitude m₁₁ eines 11T-Signals es schwierig macht, ein Muster präzise auszulesen. Zusätzlich ist es nicht vorteilhaft, die Modulationsamplitude m₁₁ des 11T-Signals im ROM-Gebiet 104 auf einen Wert festzulegen, der 0,95 übersteigt. Das ergibt sich daraus, dass eine übermäßig große Modulationsamplitude m₁₁ eines 11T-Signals eine Sättigung der Signalstärke verursacht, wenn das Laufwerk ein Signal verstärkt, was es schwierig macht, ein Muster präzise auszulesen.
Andererseits ist es nicht vorteilhaft, wenn die Modulationsamplitude m₁₁ eines 11T-Signals im RAM-Gebiet 105 auf einen Wert festgelegt wird, der 0,90 übersteigt. Das heißt, wenn die Amplitude des wiedergegebenen Signals im RAM-Gebiet 105 erhöht wird, obwohl die Amplitude eines wiedergegebenen Signals einer langen Markierung, wie beispielsweise 11T oder 10T größer wird, eine Tendenz besteht, dass der Pegel eines wiedergegebenen Signals einer kurzen Markierung, wie beispielsweise 3T oder 4T, sich als ganzes erniedrigt, und die Amplituden I₃ und I₄ der wiedergegebenen Signale nur schwer zu vergrößern sind. Wenn ein wiedergegebenes Signal einer langen Markierung (long-mark retrieved signal) in einem Zustand vergrößert wird, bei dem ein wiedergegebenes Signal einer kurzen Markierung (short-mark retrieved signal) niedrig ist, wird ein Scheibenpegel (slice level) I_slice für das Detektieren eines Signals aus einer wiedergegebenen Wellenform übermäßig niedrig, so dass die Möglichkeit besteht, dass keine Markierung widergegeben werden kann, was es somit schwierig macht, ein Muster genau auszulesen.
Diese Bedingung ist wesentlich dafür dass die Kontinuität der Eigenschaften des wiedergegebenen Signals sowohl im ROM-Gebiet 104 als auch im RAM-Gebiet 105 aufrecht gehalten wird.
Noch besser ist es, wenn das Verhältnis (m₃/m₁₁)_ROM einer Modulationsamplitude eines 3T-Signals und einer Modulationsamplitude eines 11T-Signals eines EFM-Signals des ROM-Gebiets 104 gleich oder größer als 0,45 ist.
Zusätzlich ist das Verhältnis (m₃/m₁₁)_RAM einer Modulationsamplitude eines 3T-Signals und einer Modulationsamplitude eines 11T-Signals eines EFM-Signals des RAM-Gebiets 105 gleich oder größer als 0,45.
Wie oben angegeben wurde, wird, da die Modulationsamplitude m₁₁ eines 11T-Signals als m₁₁ = I₁₁/I_top ausgedrückt wird, während die Modulationsamplitude m₃ eines 3T- Signals als m₃ = I₃/I_top ausgedrückt wird, das Verhältnis (m₃/m₁₁) der Modulationsamplitude m₃ eines 3T-Signals und der Modulationsamplitude m₁₁ eines 11T-Signals gleich dem Verhältnis (I₃/I₁₁) der Amplitude I₃ des wiedergegebenen Signals, das dem 3T-Signal entspricht, und der Amplitude I₁₁ des wiedergegebenen Signals, das dem 11T-Signal entspricht, und kann deswegen stattdessen verwendet werden.
In dieser Verbindung bezeichnet das Verhältnis (m₃/m₁₁) der Modulationsamplitude m₃ eines 3T-Signals und der Modulationsamplitude m₁₁ eines 11T-Signals oder das Verhältnis (I₃/I₁₁) der Amplitude I₃ des wiedergegebenen Signals, das dem 3T-Signal entspricht, und der Amplitude I₁₁ des wiedergegebenen Signals, das dem 11T-Signal entspricht, das Verhältnis eines wiedergegebenen Signals, das Signal mit der kleinsten Amplitude und das größte Signal und wirkt als ein Index, der eine Auflösung des wiedergegebenen Signals darstellt.
In diesem Fall wird vorzugsweise das Verhältnis (m₃/m₁₁) der Modulationsamplitude m₃ eines 3T-Signals und der Modulationsamplitude m₁₁ eines 11T-Signals, oder das Verhältnis (I₃/I₁₁) der Amplitude I₃ des wiedergegebenen Signals, das dem 3T-Signal entspricht, und der Amplitude I₁₁ des wiedergegebenen Signals, das dem 11T-Signal entspricht, so eingestellt, dass es 0,45 oder mehr (noch besser 0,50 oder mehr) sowohl im ROM-Gebiet 104 als auch im RAM-Gebiet 105 beträgt. Das ergibt sich daraus, dass, wenn die Auflösung zu niedrig ist, man auf Schwierigkeiten beim genauen Auslesen eines Musters stößt.
Übrigens gibt es keine obere Grenze des Verhältnisses (m₃/m₁₁) der Modulationsamplitude m₃ eines 3T-Signals und der Modulationsamplitude m₁₁ eines 11T-Signals, oder des Verhältnisses (I₃/I₁₁) der Amplitude I₃ des wiedergegebenen Signals, das dem 3T-Signal entspricht, und der Amplitude I₁₁ des wiedergegebenen Signals, das dem 11T-Signal entspricht, und es ist besser, wenn das Verhältnis größer wird. Tatsächlich ist jedoch, da I₃ I₁₁ nicht übersteigt, das Verhältnis auf einen Wert unterhalb von 1 begrenzt.
Noch besser ist es, wenn ein Asymmetriewert, wie er durch die folgende Gleichung definiert wird, als ein spezifischer Bereich festgelegt wird.
Das heißt, im ROM-Gebiet 104 liegt der Asymmetriewert bei –20% bis 20%, und der Asymmetriewert nach dem Aufzeichnen eines EFM-Signals des RAM-Gebietes 105 liegt bei –15% bis 5%.
Darüber hinaus ist es vorteilhaft, wenn das Verhältnis R_topROM/R_topRAM der maximalen Reflexionswerte im ROM-Gebiet 104 und im RAM-Gebiet 105 so eingestellt wird, dass es im Bereich von 0,7 bis 1,45 liegt. Noch besser ist es, wenn das Verhältnis R_topROM/R_topRAM im Bereich von 0,85 bis 1,20 liegt. In diesem Fall liegt vorzugsweise jeder der maximalen Reflexionswerte R_topROM, R_topRAM sowohl im ROM-Gebiet 104 als auch im RAM-Gebiet 105 bei 15% bis 25%.
Somit kann, wenn das Verhältnis R_topROM/R_topRAM der maximalen Reflexionswerte im ROM-Gebiet 104 und dem RAM-Gebiet 105 im Bereich zwischen 0,7 und 1,45 liegt, sogar wenn das Laufwerk einen kontinuierlichen Zugang zum ROM-Gebiet 104 und dem RAM-Gebiet 105 aufweist, ein präzises Muster durch eine kurze Verstärkungseinstellung bei der Signalverarbeitung eines wiedergegebenen Signals vom ROM-Gebiet 104 und eines wiedergegebenen Signals vom RAM-Gebiet 105 ausgelesen werden.
In diesem Fall besteht die Notwendigkeit, einen Spaltabschnitt (enge Spur (close track), die beispielsweise 2 × 75 × 2 Kilobyte entspricht) am Grenzabschnitt zwischen dem ROM-Gebiet 104 und dem RAM-Gebiet 105 zu platzieren, oder ein Leadin-Gebiet dazwischen auszubilden, so dass die Zeit, die vom Laufwerk für die Wiedergabe benötigt wird, länger wird als die Zeit, die für die Verstärkungseinstellung verwendet wird. Somit erreicht sogar im Falle eines kontinuierlichen Zugriffs vom ROM-Gebiet 104 zum RAM-Gebiet 105 die Verstärkungseinstellung eine Vollendung innerhalb der Bewegungszeit vom ROM-Gebiet 104 zum RAM-Gebiet 105, das heißt innerhalb der Zeit, die verwendet werden muss, damit der optische Abtaster des Laufwerks durch den Spaltabschnitt oder das Leadin-Gebiet hindurch geht.
Der maximale Reflexionswert R_top stellt einen Reflexionswert dar, wenn ein wiedergegebenes Signal, das dem 11T-Signal eines EFM-Signales entspricht, den Maximumpegel annimmt, und er wird durch die folgende Gleichung ausgedrückt. Rtop = R0 × Itop/I0 (5)wobei R₀ einen Reflexionswert an einem spiegelblanken Oberflächenabschnitt der Scheibe bezeichnet, I₀ einen Pegel eines wiedergegebenen Signals am spiegelblanken Oberflächenabschnitt darstellt, und I_top den maximalen Pegel eines wiedergegebenen Signals, das dem 11T-Signal des EFM-Signals entspricht, angibt.
Übrigens wird, da die numerische Apertur NA der Objektivlinse von 0,45 auf 0,50 geändert wird, wie das oben erwähnt wurde, selbst im Fall desselben Laserlichts, das Laserlicht weiter fokussiert, so dass der Durchmesser des Laserstrahls, mit dem die Scheibe 100 bestrahlt wird, dazu neigt, abzunehmen, und die Modulationsamplitude eines 11T-Signals dazu neigt, etwas zuzunehmen. Konkret wird sie um ungefähr 0,05 in zunehmender Richtung verschoben. Dies schafft jedoch kein Problem. In diesem Fall variieren die maximalen Reflexionswerte R_topROM, R_topRAM kaum. Zusätzlich variieren der radiale Kontrast oder der Wert des normierten Kurvenformsignals NWS kaum.
Mittlerweile gibt es unter den CD-RW-Aufzeichnungsverfahren ein Verfahren, bei dem die Aufzeichnung kontinuierlich vom inneren Umfang zum äußeren Umfang durchgeführt wird, und ein Paketschreibverfahren, in welchem die Aufzeichnung diskret wie bei einer Diskette erfolgt.
Im allgemeinen ist für die Verwendung als externe Speichereinheit für einen Computer das Paketschreibverfahren besser. Da jedoch der vorher erwähnte Spaltabschnitt oder das Leadin-Gebiet im Fall des Paketschreibverfahrens nicht ausgebildet wird, ist die Verstärkungseinstellung schwierig, wenn das Laufwerk einen kontinuierlichen Zugriff zum ROM-Gebiet 104 und zum RAM-Gebiet 105 aufweist.
In diesem Fall ist es, wie das später beschrieben wird, wenn eine Rille oder Rillen im ROM-Gebiet 104 ausgebildet wird oder werden, um den Reflexionswert des ROM-Gebietes 104 zu erniedrigen, so dass das Verhältnis R_topROM/R_topRAM des maximalen Reflexionswertes R_topROM des ROM-Gebietes 104 und des maximalen Reflexionswertes R_topRAM des RAM-Gebietes 105 in einen bevorzugteren Bereich (0,9 und größer, aber 1,10 und kleiner) eingeschlossen wird, ohne die oben erwähnte Verstärkungseinstellung durchzuführen, möglich, ein Muster genau auszulesen, sogar dann, wenn das Laufwerk einen kontinuierlichen Zugang zum ROM-Gebiet 104 und dem RAM-Gebiet 105 hat.
Da dies den vorher erwähnten Spaltabschnitt oder das Leadin-Gebiet für die Verstärkungseinstellung nicht notwendig macht, wenn das ROM-Gebiet 104 und das RAM-Gebiet 105 auf einer CD-RW ausgebildet sind und als eine externe Speichervorrichtung für einen Computer verwendet werden, wird das Paketschreibverfahren verwendbar.
Wie oben angegeben ist, wird im Fall, dass die Rille im ROM-Gebiet 104 ausgebildet wird, um den Reflexionswert des ROM-Gebiets 104 zu erniedrigen, so dass das Verhältnis R_topROM/R_topRAM des maximalen Reflexionswertes R_topROM des ROM-Gebiets 104 und des maximalen Reflexionswertes R_topRAM des RAM-Gebiets 105 in einem bevorzugteren Bereich (0,9 bis 1,10) eingeschlossen wird, wie das beispielsweise in den 5 und 6(a), (b) gezeigt ist, ein Abschnitt zwischen Pre-Pits 60, 60 einer Pre-Pit-Folge im ROM-Gebiet 104 nicht in einem flachen Zustand ausgebildet, sondern die Pre-Pits werden so ausgebildet, dass sie durch eine Rille (beispielsweise eine flache Rille) 70 miteinander verbunden sind. Das heißt, eine Rille 70 wird, wie das in den 5 und 6(a), (b) gezeigt ist, so ausgebildet, dass sie sich in einem überlappenden Zustand mit jeder Pit-Folge 60 des ROM-Gebietes 104 befindet.
Vorzugsweise ist es, wenn das ROM-Gebiet 104 so konstruiert ist, dass eine Pit-Folge 60 in einer breiten Rille 70 aufgezeichnet wird, um eine Rillengeometrie auszubilden, die ähnlich der des RAM-Gebiets 105 ist, leicht möglich, die Signalwerte (insbesondere die maximalen Reflexionswerte R_top) des RAM-Gebiets 105 und des ROM-Gebiets 104 so auszubilden, dass sie zueinander passen. In diesem Fall ist es vorteilhaft, wenn die Rille 70 so ausgebildet ist, dass sie eine Rillentiefe von 30 bis 50 nm und eine Rillenbreite von 0,40 bis 60 μm aufweist, um eine Rillengeometrie zu liefern, die ähnlich einer Führungsrille ist, die im RAM-Gebiet 105 auszubilden ist, wie das später beschrieben wird. Insbesondere ist die Rille 70 so ausgebildet, dass sie flacher als der Pre-Pit 60 (in diesem Fall 60 bis 100 nm tief) ist. Übrigens kann die Rille 70 so ausgebildet werden, dass sie eine Breite aufweist, die breiter oder schmäler als die des Pre-Pits 60 ist.
Zusätzlich ist es, wie das in den 7 und 8(a), (b) gezeigt ist, auch passend, wenn eine Rille oder Rillen 71 zwischen Pre-Pit-Folgen 60 ausgebildet wird. Das heißt, die Rille 71 wird, wie das in den 7 und 8(a), (b) gezeigt ist, zwischen den Pre-Pit-Folgen 60 entlang den Pre-Pit-Folen 60 ausgebildet. Übrigens ist es in den 7 und 8(a), (b), obwohl die Rille 71 eine dreieckige Konfiguration im Querschnitt aufweist, auch akzeptabel, dass sie beispielsweise eine rechteckige Konfiguration im Querschnitt aufweist. Zusätzlich ist es, obwohl die Tiefe der Rille 71 so ausgebildet ist, dass sie flacher als die Tiefe (in diesem Fall 60 bis 100 nm) des Pre-Pits 60 ist, auch möglich, dass die Rille 71 so ausgebildet ist, dass sie tiefer als der Pre-Pit 60 ist. Weiterhin ist es, obwohl die Breite der Rille 71 so ausgebildet ist, dass sie schmäler als die Breite des Pre-Pits 60 ist, auch möglich, dass die Rille 71 so ausgebildet wird, das sie eine breitere Breite als der Pre-Pit 60 aufweist.
Wenn die Rille 70, 71 im ROM-Gebiet 104 zusätzlich auf diese Weise ausgebildet ist, ist es möglich, den Signalwert (insbesondere den maximalen Reflexionswert R_topRAM) des RAM-Gebiets 105, der eine Führungsrille 61 aufweist, und den Signalwert (insbesondere den maximalen Reflexionswert R_topROM) des ROM-Gebiets 104 so auszubilden, dass sie einander entsprechen, was es einfacher macht, eine gegenseitige Austauschbarkeit zwischen dem Signalwert (insbesondere dem maximalen Reflexionswert R_topROM des ROM-Gebiets 104 und dem Signalwert (insbesondere dem maximalen Reflexionswert R_topRAM) des RAM-Gebiets 105 zu liefern.
In diesem Fall, insbesondere wenn es eine große Differenz im maximalen Reflexionswert R_top zwischen dem ROM-Gebiet 104 und dem RAM-Gebiet 105 gibt, im Fall der schnellen Bewegung vom ROM-Gebiet 104 zum RAM-Gebiet 105 oder vom RAM-Gebiet 105 zum ROM-Gebiet 104, verschiebt sich der Scheibenpegel, was eine präzise Wiedergabe schwierig macht. Aus diesem Grund wird die Rille 70, 71 auch im ROM-Gebiet 104 so ausgebildet, dass sie den maximalen Reflexionswert R_topROM des ROM-Gebiets 104 erniedrigt, so dass sie die Differenz zwischen den Reflexionswerten des ROM-Gebiets 104 und des RAM-Gebiets 105 reduziert, was es möglich macht den maximalen Reflexionswert R_topRAM des ROM-Gebiets 104 und den maximalen Reflexionswert R_topRAM des RAM-Gebiets 105 gleich zu machen.
In Verbindung damit erfordert, obwohl es auch erwogen wird, dass der maximale Reflexionswert R_topRAM des RAM-Gebiets 105 erhöht wird, um die Differenz bei der Reflexion zwischen dem ROM-Gebiet 104 und dem RAM-Gebiet 105 zu reduzieren, eine Erhöhung des maximalen Reflexionswertes R_topRAM des RAM-Gebiets 105 eine Änderung der Rillengeometrie im RAM-Gebiet 105, und in diesem Fall wird ein anderes Rillensignal außerhalb eines passenden Bereichs oder einer Rillengeometrie nicht passend für das Ändern eines nicht-aufgezeichneten Zustands in einen aufgezeichneten Zustand. Somit ist die Änderung des RAM-Gebiets 105 unerwünscht.
In einem Fall, bei dem die Rille 70, 71 im ROM-Gebiet 104 auf diese Weise ausgebildet wird, ist es vorteilhaft, dass die Pit-Breite Pw auf 0,40 bis 0,70 μm und die Pit-Tiefe Pd auf 90 bis 150 nm festgesetzt wird.
In dem Fall der Ausbildung der Rille 70, 71 im ROM-Gebiet 104 existiert die Erwartung, dass beispielsweise die Modulationsamplitude m₁₁ eines 11T-Signals beträchtlich abnimmt und der Wert eines Push-Pull-Signals ansteigt.
Das heißt, wenn die Rille 70, 71 im ROM-Gebiet 104 ausgebildet wird, obwohl der maximale Reflexionswert R_topROM des ROM-Gebiets 104 auf einen Wert abfällt, der ungefähr gleich dem maximalen Reflexionswert R_topRAM des RAM-Gebiets 105 ist, wie das beispielsweise in den 5 und 6(a), (b) gezeigt ist, wird die scheinbare Pit-Tiefe Pd des Pre-Pits des ROM-Gebiets 104 niedriger durch das Vorhandensein der Rille 70 mit einem erhöhten R_bottom. Somit wird betrachtet, dass die Modulationsamplitude m₁₁ eines 11T-Signals gemäß der folgenden Gleichung abnimmt, um somit den Wert eines Push-Pull-Signals zu erhöhen. m11 = (Rtop – Rbottom)/Rtop
Um dies zu vermeiden und die Modulationsamplitude m₁₁ eines 11T-Signals zu erhöhen, muss die Pit-Tiefe Pd tiefer als vorher ausgebildet werden. Im allgemeinen wird, obwohl der Wert eines Push-Pull-Signals abnimmt, wenn die Pit-Tiefe Pd zunimmt, wenn die Rille so ausgebildet ist, wie das oben erwähnt ist, beobachtet, dass der Wert eines Push-Pull-Signals etwas zunimmt, was eine Kompensation bewirkt.
Übrigens ist in diesem Fall, obwohl eine oder mehrere Rillen im ROM-Gebiet 104 ausgebildet sind, um die Signalwerte (insbesondere die maximalen Reflexionswerte R_top) des RAM-Gebiets 105 und des ROM-Gebiets 104 zueinander passend zu machen, die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt, sondern es ist auch passend, dass beispielsweise vor dem tatsächlichen Gebrauch das ROM-Gebiet 104 mit Gleichstrom-Licht (DC light, DC-Licht) bestrahlt wird. Das heißt, es ist auch passend, dass ein Gleichstromlichtstrahl, der auf eine spezifizierte Leistung eingestellt wird, kontinuierlich auf eine Spur mit einer spezifizierten linearen Geschwindigkeit angewandt wird.
Im Initialisierungszustand befindet sich ein Aufzeichnungsfilm gewöhnlicherweise in einem kristallinen Zustand mit einem hohen Reflexionsvermögen. Zwischen dem kristallinen Zustand mit einem hohen Reflexionsvermögen und einem amorphen Zustand existiert ein Zustand, in dem beide gemischt sind, und somit wird, wenn die Leistung des Gleichstromlichts oder lineare Geschwindigkeit geändert wird, um den kristallinen Zustand des Aufzeichnungsfilms zu steuern, es möglich, den zwischen diesen liegenden Zwischenreflexionswert in gewissem Umfang beliebig festzulegen. Somit ist es, wenn das ROM-Gebiet 104 mit Gleichstromlicht bestrahlt wird, um ein relativ geringeres Reflexionsvermögen als das des kristallinen Zustands im Initialisierungszustand zu liefern, möglich, die Signalwerte (insbesondere die maximalen Reflexionswerte R_top) des RAM-Gebiets 105 und des ROM-Gebiets 104 so auszubilden, dass sie zueinander passen.
Mittlerweile ist es vorteilhaft, wenn die Pre-Pit-Folge 60 im ROM-Gebiet 104 so ausgebildet wird, dass sie eine Kurvenform (wobble) aufweist. Dies ermöglicht das Erhalten eines Synchronisiersignals, eine Adresssignals oder dergleichen aus der Kurvenform der Führungsrille 61 im RAM-Gebiet 105 und erlaubt weiter das Erhalten eines Synchronisiersignals, eine Adresssignals oder dergleichen aus der Kurvenform im ROM-Gebiet 104; somit muss das Laufwerk das Verfahren zur Detektion des Synchronisiersignals, des Adresssignals oder dergleichen zwischen dem ROM-Gebiet 104 und dem RAM-Gebiet 105 nicht umschalten, was die Schaltung des Laufwerks vereinfacht und extreme Vorteile liefert.
Für die sichere Wiedergabe des Synchronsignals oder des Adresssignals der Kurvenform ist es vorteilhaft, wenn der Wert NWS_ROM des normierten Kurvensignals dieser Pit-Folge 60 in einem Bereich von 0,035 bis 0,060 liegt. Dies ergibt sich daraus, dass wenn der Wert NWS_ROM des normierten Kurvensignals dieser Pit-Folge 60 übermäßig niedrig ist, man Schwierigkeiten hat, die Adressinformation oder dergleichen genau zu detektieren, und wenn er zu hoch ist, so weicht die Pit-Folge vom mittleren Zentrum einer Spur ab.
Unter Bezug auf die 9(a), (b) wird eine Beschreibung des Werts NWS_ROM des normierten Kurvensignals gegeben.
9(b) ist eine Darstellung einer Pit-Folge 60, die eine Kurvenform 90 im ROM-Gebiet 104 aufweist, und 9(a) ist eine Darstellung eines I₁– I₂ Signalwerts, den man aus der Pit-Folge 60, die die Kurvenform 90 aufweist, erhält.
Wenn die Amplitude der Kurvenform 90 als a genommen wird, so beträgt der I₁– I₂ Signalwert zu dieser Zeit I_w, was dem Signalwert (Kurvensignalwert) entspricht, der aus der Kurvenform 90 erhalten wird. In 9(a) stellt ein Buchstabe A einen Spitzenwert des |I₁ – I₂| Signals dar, das ohne eine Spurverfolgung wiedergegeben und durch einen 5 kHz Tiefpassfilter geführt wurde.
Bei der tatsächlichen Messung wird ein Spitzenwert eines |I₁– I₂| Signals, das durch ein Bandpassfilter von 10 kHz bis 30 kHz geführt wurde und gemessen wurde, während die Spurverfolgung angewandt wird, als ein Wert I_w eines Kurvensignals einer Pit-Folge genommen.
Somit wird der Wert NWS_ROM eines normierten Kurvensignals der Pit-Folge 60 durch folgende Gleichung (6) definiert:
Vorzugsweise ist der CNR-Wert eines Kurvensignals der Pit-Folge 60 gleich oder größer als 26 dB.
Zusätzlich wird der Wert eines normierten Kurvensignals im RAM-Gebiet 105 gemäß der oben erwähnten Gleichung (6) definiert und liegt vorzugsweise in einem Bereich von 0,035 bis 0,060, und der CNR-Wert eines Kurvensignals vor der Aufzeichnung eines EFM-Signals ist gleich oder größer als 35 dB, während der CNR-Wert des Kurvensignals nach der Aufzeichnung des EFM-Signals gleich oder größer als 26 dB ist.
Mittlerweile wird betrachtet, dass eine große Differenz natürlich bei der Konfiguration zwischen der Pre-Pit-Folge 60 des ROM-Gebiets 104, dessen Hauptaufgabe es ist, Information unter Verwendung der Beugung reflektierten Lichts wiederzugeben, und der Rille (Führungsrille) 61 des RAM-Gebiets 105, deren Hauptaufgabe es ist, eine Spurnachführungssteuerung für das Aufzeichnen/Wiedergeben zu implementieren, auftritt. Insbesondere ergibt sich eine Differenz total beim optimalen Tiefenwert zwischen dem Zweck der Informationswiedergabe und dem Zweck der Spurnachführungssteuerung.
Aus diesem Grund wird für das Erwerben einer passenden Rillensignaleigenschaft oder eines wiedergegebenen Signals betrachtet, dass es eine große Differenz im Querschnittsprofil zwischen der Pit-Geometrie des ROM-Gebiets 104 und der Führungsrillengeometrie des RAM-Gebiets 105 gibt.
In dieser Ausführungsform sind, wie das 10 zeigt, die Pre-Pits 60 im ROM-Gebiet 104 ausgebildet, während die Führungsrillen 61 im RAM-Gebiet 105 ausgebildet sind. In 10 bezeichnet die Zahl 62 ein Land, und die Zahl 63 bezeichnet eine Aufzeichnungsmarkierung. Zusätzlich wird ein Abschnitt, der mit der Zahl 64 bezeichnet ist, das heißt, ein Teil, bei dem es sich nicht um die Aufzeichnungsmarkierung 63 in der Rille 61 handelt, auch als ein Land bezeichnet.
Vorzugsweise wird jedes Pit 60, das eine Pre-Pit-Folge des ROM-Gebiets 104 bildet, wie das in den 11(a), (b) gezeigt ist, auf eine Pit-Tiefe Pd von 60 bis 100 nm und eine Pit-Breite Pw von 0,45 bis 0,70 μm festgelegt. Insbesondere ist es noch besser, wenn die Pit-Tiefe Pd auf 70 nm oder mehr festgelegt wird. Dies ermöglicht es, eine ausreichende Modulationsamplitude m₁₁ eines 11T-Signals zu erhalten. Zusätzlich ist es noch besser, wenn die Pit-Breite Pw 0,50 μm oder mehr beträgt. Somit ist ein ausreichender Wert eines Push-Pull-Signals leichter erzielbar.
In diesem Fall werden, da die Modulationsamplitude m₁₁ eines 11T-Signals und der Wert eines Push-Pull-Signals einen Kompromiss bilden müssen, die Pit-Tiefe Pd oder die Pit-Breite Pw so festgelegt, dass sowohl die Modulationsamplitude m₁₁ eines 11-T-Signals als auch der Wert eines Push-Pull-Signals einen gewünschten Wert annehmen.
Darüber hinaus ist in Anbetracht eines Wertes eines Push-PullSignals, das vom RAM-Gebiet 105 erhalten wird, eines Reflexionsvermögens oder dergleichen, vorteilhaft, dass die Rille 61 des RAM-Gebiets 105 so ausgebildet wird, dass ihre Rillentiefe Gd auf 30 bis 50 nm und ihre Rillenbreite Gw auf 0,40 bis 0,60 μm festgelegt wird. Wenn die Rillentiefe Gd oder die Rillenbreite Gw in dieser Weise festgelegt wird, so kann die Spurverfolgung genau durchgeführt werden, so dass ein gewünschter Wert als ein Wert eines Push-Pull-Signals erhalten werden kann, und verhindert wird, dass die Rillengeometrie bei einem wiederholten Neubeschreiben beschädigt wird.
Zu dieser Zeit ist eine wiederbeschreibbare Compact-Disk, die die vorher erwähnte Rillensignalcharakteristik und die Wiedergabesignalcharakteristik ausreichend erfüllen kann, erzielbar.
Die Geometrie der Rille 61, die hier zu definieren ist, basiert auf einem Wert, der während der optischen Messung der Rillengeometrie gemessen wurde. Eine detaillierte Beschreibung der Definition und des Messverfahrens wird nachfolgend angegeben.
In diesem Fall sei, da es vorteilhaft ist, dass die Führungsrille 61 des RAM-Gebiets 105 eine im allgemeinen rechteckige Konfiguration aufweist, angenommen, dass die Rillengeometrie eine rechteckige Rille bildet. Eine Beschreibung eines Verfahrens zur Messung der Intensität des gebeugten Lichts zu dieser Zeit für das Berechnen einer Rillenbreite w und einer Rillentiefe d auf der Basis des gemessenen Werts wird hier nachfolgend gegeben.
Wie 12 zeigt, wird ein Polycarbonatsubstrat 3, dessen eine Oberfläche eine ausgebildete Rille aufweist, rechtwinklig in Bezug auf einen Laserstrahl 2 von einem He-Cd-Laser 1 angeordnet, und der Laserstrahl 2 wird auf die Oberfläche ohne Rille angewandt. Die Intensitäten des jeweiligen gebeugten Lichts, das ist die Intensität I₀ des Lichts nullter Ordnung, die Intensitäten I₁, I_–1 des Lichts erster Ordnung und die Intensitäten I₂, I_–2 des Lichts zweiter Ordnung werden durch einen optischen Detektor gemessen.
Zu dieser Zeit wird die Beziehung, die durch die folgenden Gleichungen (7) und (8) ausgedrückt wird, befriedigt. Die Breite w und die Tiefe d werden durch das gleichzeitige Lösen der Gleichung (7) und der Gleichung (8) erhalten.
Obwohl die tatsächliche Geometrie der Rille 61 nicht notwendigerweise eine genau rechteckige Konfiguration aufweisen muss, verwendet diese Ausführungsform die Werte der Breite w und der Tiefe d, die eindeutig durch das vorher angegebene Messverfahren bestimmt werden.
Zusätzlich werden die Breite und die Tiefe des Pits 60 durch ein Rasterkraftmikroskop (AFM) durch die Verwendung eines Messfühlers, dessen Spitzenabschnitt einen Krümmungsradius von 10 nm aufweist, gemessen.
Nachfolgend wird eine Beschreibung eines bevorzugten Beispiels eines Verfahrens zur Ausbildung der Rille 61 und des Pits 60, die die oben erwähnten Konfigurationen aufweisen, gegeben.
Gewöhnlicherweise werden die folgenden Verfahren bei der Herstellung einer optischen Scheibe durchgeführt. Das heißt, es wird ein lichtempfindliches Harz auf eine polierte reine und flache Glasplatte aufgebracht, um eine lichtempfindliche Schicht auszubilden, und in einem Zustand, bei dem die Glasplatte gedreht wird und eine ursprüngliche Form oder ein optisches System so bewegt wird, dass ein mikroskopischer Laserstrahl, der durch eine Objektivlinse fokussiert wird, sich in einer radialen Richtung der ursprünglichen Form bewegt, wird die lichtempfindliche Schicht bestrahlt, um die Belichtung eines gewünschten Musters zu erzielen. Dies wird unter Verwendung eines alkalischen Entwicklers entwickelt, um den empfindlichen Abschnitt zu entfernen, um somit einen Master auszubilden, der ein Vorformat mit einem eingeprägten Muster aufweist.
Gemäß dem oben erwähnten Herstellungsverfahren gibt es im Hinblick auf die Profile der Querschnittkonfigurationen des Pits 60 oder der Führungsrille 61 zwei Kon figurationen, die grob klassifiziert werden können: eine rechteckige Konfiguration, die durch das Ausbilden der Belichtung mit großer Leistung ausgebildet wird, so dass ein belichteter Abschnitt die ursprüngliche Glasform erreicht, und eine Rille mit einer dreieckigen oder Gauß-Konfiguration, die durch das Ausführen der Belichtung mit einer Leistung erzielt wird, so dass der belichtete Abschnitt in der Mitte des Photoresist-Films endet.
Wenn das Querschnittsprofil eines Laserstrahls, mit dem der Photoresistfilm belichtet wird, die Gauß-Konfiguration bildet, und das optische System und der zu verwendende Photoresist-Film fest sind, wenn die Rillentiefe bestimmt wird, so wird auch die Rillenbreite eindeutig bestimmt. Das heißt, die Beziehung wird so aufgebaut, dass wenn die Rille flacher wird, die Rille schmaler wird, und dass wenn die Rille tiefer wird, die Rille breiter wird.
Die Führungsrille 61 jedoch, die im RAM-Gebiet 105 der optischen Scheibe 100 gemäß dieser Ausführungsform ausgebildet wird, ist eine Führungsrille, die eine allgemein rechteckige Konfiguration aufweist, und bei ihrer Rillengeometrie ist es vorteilhaft, dass die Rillentiefe Gd nur 30 bis 50 nm und die Rillenbreite Gw 0,40 bis 0,60 μm beträgt. Bei einem normalen Herstellungsverfahren stößt man auf Schwierigkeiten bei der Herstellung einer Führungsrille 61 mit der oben erwähnten Rillengeometrie.
Wenn beispielsweise die Laserwellenlänge verlängert wird, oder wenn eine Objektivlinse, die eine kleine numerische Apertur aufweist, in Verwendung gebracht wird, obwohl die Führungsrille 61 mit der vorausgehenden Rillengeometrie produzierbar ist, ist es nicht leicht, einen belichteten Abschnitt mit zufriedenstellendem Kontrast auszubilden.
Somit ist es vorteilhaft, das folgende Herstellungsverfahren, das kein Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist, für das Herstellen einer wiederbeschreibbaren Compact-Disk, in welcher eine Führungsrille so ausgebildet wird, dass sie die vorangehende Rillengeometrie aufweist, zu verwenden.
Das heißt, in einem Herstellungsverfahren, in welchem eine Bestrahlung für eine Belichtung mit dem Laserlicht L ausgeführt wird, gemäß einer Pre-Pit-Folge und einer Rille, die in einem Photoresist-Film 81, der auf einer Glasbasisplatte 80 ausgebildet ist, und bei dem ein Master mit der Pre-Pit-Folge und der Rille durch die Entwicklung für das Erzeugen einer Matrize auf der Basis des Masters erzeugt wird, so dass ein Substrat 50, das eine Pre-Pit-Folge 60 und eine Rille 61 aufweist, auf der Basis der Matrize erzeugt wird, und eine Phasenänderungsaufzeichnungsschicht 52 dann darauf ausgebildet wird,
sind, wenn der Photoresist-Film 81 mit dem Laserlicht L gemäß der Rille bestrahlt wird, wie das in 14 gezeigt ist, eine Vielzahl von Laserlichtern L1 und L2 so angeordnet, dass die Laserlichter, die nebeneinander liegen, sich teilweise gegenseitig überlappen in einer Richtung rechtwinklig zur Ausbreitungsrichtung der Laserlichter L1 und L2, die und Bestrahlung für die Belichtung ausgeführt wird (Belichtungsverfahren 1).
Alternativ wird in einem Herstellungsverfahren, das sich nicht auf die vorliegende Erfindung bezieht, in welchem eine Bestrahlung für eine Belichtung mit dem Laserlicht L ausgeführt wird, gemäß einer Pre-Pit-Folge und einer Rille, die in einem Photoresist-Film 81, der auf einer Glasbasisplatte 80 ausgebildet ist, und bei dem ein Master mit der Pre-Pit-Folge und der Rille durch die Entwicklung für das Erzeugen einer Matrize auf der Basis des Masters erzeugt wird, so dass ein Substrat 50, das eine Pre-Pit-Folge 60 und eine Rille 61 aufweist, auf der Basis der Matrize erzeugt wird, und eine Phasenänderungsaufzeichnungsschicht 52 dann darauf ausgebildet wird,
wenn der Photoresist-Film 81 mit dem Laserlicht L gemäß der Rille 61 bestrahlt wird, wie das in 15 gezeigt ist, die Bestrahlung für die Belichtung ausgeführt, während Oszillationen zwischen 2,5 × 10⁶ Mal/m oder 25 × 10⁶ Mal/m in Richtungen rechtwinklig zur Bewegungsrichtung des Laserlichts L3 ausgeführt werden (Belichtungsverfahren 2).
Nachfolgend wird eine detaillierte Beschreibung der Belichtungsverfahren 1 und 2 angegeben.
Belichtungsverfahren 1
13 ist eine Darstellung eines Belichtungssystems für eine Verwendung bei diesem Belichtungsverfahren.
In 13 stellt die Zahl 19 einen Lasererzeugungsvorrichtung dar, die Zahlen 11, 18, 23 und 24 stellen Strahlaufteilungsvorrichtungen dar, die Zahlen 15, 20 und 21 stellen reflektierende Spiegel dar, die Zahlen 14 und 17 stellen optische Modulatoren dar, die Zahl 18 bezeichnet eine Ablenkeinheit, die Zahl 25 bezeichnet eine Objektivlinse, und die Zahl 26 bezeichnet ein Glassubstrat, auf das ein Photoresistfilm aufgebracht ist. Als Laserlicht werden Ar, das eine Wellenlänge von 488 nm aufweist, Kr, das eine Wellenlänge von 413 nm aufweist, oder dergleichen verwendet.
Ein Laserstrahl 10, der von der Lasererzeugungsvorrichtung ausgestrahlt wird, wird in zwei Laserstrahlen 12 und 13 mittels der Strahlaufteilungsvorrichtung 11 aufgeteilt. Die Laserstrahlen 12 und 13 werden in ihrer Intensität durch optische Modulatoren 14 beziehungsweise 17 moduliert, und der Laserstrahl 12 wird dann durch die Ablenkeinheit 16 in einem Winkel abgelenkt, um eine Kurvenform (wobble) zu liefern, so dass eine Führungsrille eine Adressinformation mit einer FM-Modulation und einer Mittenfrequenz von 22,05 kHz darstellt.
Der Laserstrahl 12 wird durch die Strahlaufteilungsvorrichtung 18 in zwei Laserstrahlen 19 und 22 aufgeteilt. Danach werden die drei Laserstrahlen 13, 19 und 22 durch den reflektierenden Spiegel 20 und die Strahlaufteilungsvorrichtungen 23 und 24 gehandhabt, um in einer geraden Linie auf einem Glassubstrat in einer radialen Richtung des Substrats angeordnet zu werden, und die Laserstrahlen 19 und 22 werden so angeordnet, dass Teile von ihnen sich überlappen, und weiter wird der Laserstrahl 13 so angeordnet, dass er in der Mitte zwischen den Laserstrahlen 19 und 22 positioniert ist, um auf die Objektivlinse 25 zu fallen.
Das Glassubstrat 26, auf dem ein Photoresist-Film, der eine Dicke von 900 Å aufweist, aufgetragen ist, wird mit einer linearen Geschwindigkeit von 1,2 m/s gedreht und wird mit den Laserstrahlen 13, 19 und 22 von der Objektivlinse 25 bestrahlt, um somit diesen Photoresist-Film zu belichten. Dieser wird mit einem alkalischen Entwickler entwickelt, um ein Pit 60 oder eine Rille 61 auszubilden.
Beim Belichten einer normalen Pit-Folge wird, wenn die Bestrahlung mit dem Laserstrahl 13 ausgeführt wird, der eine Laserleistung aufweist, die bewirkt, dass ein belichteter Abschnitt das Glassubstrat erreicht, der Photoresist-Film belichtet, um einen rechteckigen belichteten Teil zu bilden.
Andererseits wird bei der Belichtung des RAM-Gebiets 105, wenn die Strahlen 19 und 22 für die Bestrahlung verwendet werden, der Photoresist-Film belichtet, um einen belichteten Abschnitt zu bilden. Zu dieser Zeit wird, obwohl die Menge des Laserlichts, das auf die Objektivlinse nicht so groß ist wie bei der Belichtung des Photoresist-Films, der das Glassubstrat erreicht, wie das in 14 gezeigt ist, die Einstellungen der Positionen und das Intensitätsverhältnis der zwei Strahlpunkte BS vorgenommen, während die Vielzahl der Laserlichter L1 und L2 so angeordnet sind, dass sich nebeneinander liegende Laserstrahlen teilweise gegenseitig in einer Richtung rechtwinklig zur Bewegungsrichtung der Laserlichter L1 und L2 überlappen, um somit eine Rillengeometrie zu liefern, die eine Konfiguration aufweist, die ähnlicher einer rechteckigen Konfiguration ist, verglichen mit einem Fall, in dem die Belichtung mit einem einzelnen Strahl ausgeführt wird.
Beim Belichten einer Pit-Folge 60, die eine Kurvenform 90 aufweist, ist eine nicht gezeigte Ablenkeinheit zusätzlich hinter dem optischen Modulator 17 vorgesehen, um zu bewirken, dass der Laserstrahl 13 in einem Winkel abgelenkt wird, um eine Kurvenform 90 zu liefern, so dass eine Pit-Folge 60, die ausgebildet werden soll, eine Adressinformation darstellt, die FM-moduliert ist mit einer Mittenfrequenz von 22,05 kHz.
In einem Fall, bei dem Pit-Folgen 60, die eine Kurvenform 90 aufweisen, durch eine flache Rille verbunden sind, ist es auch passend, dass die Strahlen 19 und 22 in einem Winkel zur Kurvenform 90 abgelenkt werden und für die Bestrahlung verwendet werden, um eine Rille auszubilden, wobei zur selben Zeit der Strahl 13 in seiner Intensität gemäß einem Pit-Signal moduliert wird und für die Bestrahlung verwendet wird, um einen Pit-Abschnitt auszubilden.
Alternativ ist es auch passend, wenn die Strahlen 19 und 22 gemäß einem Pit-Signal in ihrer Intensität moduliert werden, während sie in einem Winkel zur Kurvenform 90 abgelenkt werden, und sie für die Bestrahlung verwendet werden, um nur den Pit-Abschnitt 60 tief zu belichten.
Belichtungsverfahren 2
Unter Bezug auf 13, die für das Erläutern des vorherigen Belichtungsverfahrens 1 verwendet wurde, wird eine Beschreibung dieses Belichtungsverfahrens 2 gegeben.
Zuerst wird ein Laserstrahl 10, der von der Lasererzeugungsvorrichtung 9 ausgestrahlt wird, in zwei Laserstrahlen 12 und 13 mittels der Strahlaufteilungsvorrichtung 11 aufgeteilt. Als Laserlicht wird Ar-Licht, das eine Wellenlänge von 488 nm aufweist, Kr-Licht, das eine Wellenlänge von 413 nm aufweist, oder dergleichen verwendet. Die Laserstrahlen 12 und 13 werden in der Intensität durch die optischen Modulatoren 14 beziehungsweise 17 moduliert, und nur der Laserstrahl 12 wird dann in einem Winkel von 10 mrad bei einer Radiofrequenz (Hochfrequenz) von 5 MHz durch die Ablenkeinheit 16 abgelenkt, und zur selben Zeit wird er im Winkel abgelenkt, um eine Kurvenform zu liefern, so dass die Führungsrille, die auf diese Weise ausgebildet wird, eine Adressinformation darstellt, die FM-moduliert mit einer Mittenfrequenz von 22,05 kHz ist.
Der Laserstrahl 12 wird in zwei Laserstrahlen 19 und 22 durch die Strahlaufteilungsvorrichtung 18 aufgeteilt, und von diesen wird der Laserstrahl 19 durch eine nicht gezeigte Abfangplatte abgefangen, und nur der Laserstrahl 22 geht durch die Strahlaufteilungsvorrichtung 23 hindurch.
Danach werden der Laserstrahl 13 und der Laserstrahl 22 durch die Strahlaufteilungsvorrichtung 24 so angeordnet, dass sie sich an derselben Position auf dem Glassubstrat überlappen und auf die Objektivlinse 25 fallen.
Das Glassubstrat 26, auf dem ein Photoresist-Film, der eine Dicke von 900 Å aufweist, aufgebracht ist, wird mit einer linearen Geschwindigkeit von 1,2 m/s gedreht und mit den Laserstrahlen 13 und 22 von der Objektivlinse bestrahlt, um somit diesen Photoresist-Film zu belichten. Dieser wird mit einem alkalischen Entwickler entwickelt, um einen Pit 60 oder eine Rille 61 auszubilden.
Beim Belichten einer normalen Pit-Folge wird, wenn die Bestrahlung mit dem Laserstrahl 13 ausgeführt wird, der eine Laserleistung aufweist, die bewirkt, dass ein belichteter Abschnitt das Glassubstrat erreicht, der Photoresist-Film belichtet, um einen rechteckigen belichteten Abschnitt auszubilden.
Andererseits wird beim Belichten des RAM-Gebiets 105, wenn der Laserstrahl 22, der in einem Winkel abgelenkt ist, für die Bestrahlung verwendet wird, der Photoresist-Film belichtet, um einen belichteten Abschnitt zu bilden. Zu dieser Zeit ist es, obwohl die Menge des Laserlichts, das auf die Objektivlinse fällt, nicht so groß ist wie bei der Belichtung des Photoresist-Films, der das Glassubstrat erreicht, und die Belichtung nur die Mitte des Photoresist-Films erreicht, wenn der Laserstrahl in einem Winkel bei einer Radiofrequenz von 5 MHz abgelenkt wird, verglichen mit der Belichtung, die mit einem Strahl durchgeführt wurde, der keiner Winkelablenkung unterworfen wird, möglich, eine Rillengeometrie zu liefern, die eine Konfiguration aufweist, die ähnlicher einer rechteckigen Konfiguration ist.
Wie die 15 zeigt, ist es vorteilhaft, dass der Photoresist-Film 81 für die Belichtung bestrahlt wird, während Schwingungen 2,5 × 10⁶ bis 25 × 10⁶ Mal/m in Richtungen rechtwinklig zu einer Bewegungsrichtung des Laserlichts L3 ausgeführt werden. Wenn das Substrat beispielsweise mit eine linearen Geschwindigkeit von 1,2 m/s gedreht wird, so wird die Winkelablenkung bei einer hohen Frequenz von 3 bis 30 MHz ausgeführt. Wenn die lineare Geschwindigkeit auf 2,4 m/s festgesetzt wird, wird die Winkelablenkung bei einer hohen Frequenz von 6 bis 60 MHz ausgeführt.
Bei der Belichtung einer Pit-Folge 60, die eine Kurvenform 90 aufweist, wird eine nicht gezeigte Ablenkeinheit zusätzlich nach dem optischen Modulator 17 vorgesehen, um zu bewirken, dass der Laserstrahl 13 im Winkel abgelenkt wird, um eine Kurvenform 90 zu liefern, so dass eine auszubildende Pit-Folge 60 Adressinformation darstellt, die bei einer Mittenfrequenz von 22,05 kHz FM-moduliert ist.
In einem Fall, bei dem die Pit-Folgen 60, die eine Kurvenform 90 aufweisen, durch eine flache Rille verbunden sind, ist es auch passend, dass die Strahlen 19 und 22 zur Kurvenform 90 im Winkel abgelenkt und für die Bestrahlung verwendet werden, um eine Rille auszubilden, wobei zur selben Zeit der Strahl 13 gemäß einem Pit-Signal in seiner Intensität moduliert und für die Bestrahlung verwendet wird, um ein Pit 60 zu bilden.
Alternativ ist es auch passend, wenn die Strahlen 19 und 22 gemäß einem Pit-Signal in ihrer Intensität moduliert werden, während sie zur Kurvenform 90 im Winkel abgelenkt werden, und sie für die Bestrahlung verwendet werden, um nur den Pit-Abschnitt 60 tief zu belichten.
Die belichteten Glassubstrate, die durch das vorher erwähnte Belichtungsverfahren 1 und das vorher erwähnte Belichtungsverfahren 2 erhalten werden, werden unter Verwendung eines alkalischen Entwicklers entwickelt, um den belichteten Abschnitt zu entfernen, um einen Master zu erzeugen, der ein Vorformat eines geprägten Musters aufweist. Ein dünner Nickelfilm wird auf einer Oberfläche des Masters mittels Sputtern oder dergleichen ausgebildet, und es wird beispielsweise weiter ein Nasskollodiumverfahren (wet plating) in einem Elektrolyt ausgeführt, das Nickelionen enthält, um eine Matrize auf der Oberfläche des Masters für eine optische Scheibe zu bilden, und die Nickelmatrize wird vom Master abgeschält, um somit eine Matrize zu erhalten, auf die die Vor-Format-Information des Masters in umgekehrter Form übertragen wurde.
Auf der Basis dieser Matrize wird das Substrat 50, das die Pre-Pit-Folge 60 und die Rille 61 aufweist, ausgebildet, und eine Schicht, die die Phasenänderungsaufzeichnungsschicht 52 einschließt, wird darauf vorgesehen, um somit die wiederbeschreibbare Compact Disk 100 gemäß der vorliegenden Erfindung zu liefern.
Als zweites wird eine Beschreibung der physikalischen Struktur der wiederbeschreibbaren Compact Disk gemäß der vorliegenden Erfindung gegeben. Wie 2 zeigt, so existiert zumindest die Phasenänderungsaufzeichnungsschicht 52 auf dem Substrat 50, und vorzugsweise sind Schutzschichten 51 und 53 oberhalb und unter der Aufzeichnungsschicht 52 platziert, und eine reflektierende Schicht 54 ist darauf vorgesehen.
Als Scheibensubstrat 50 wird ein Substrat verwendet, wie ein Harz, das Polycarbonat, Acryl, Polyolefin oder dergleichen einschließt, oder ein Glas, das transparent gegenüber dem Aufzeichnungs-/Wiedergabe-Licht ist.
Wenn die Schutzschichten 51 und 53 oberhalb und unterhalb der Aufzeichnungsschicht 52 vorgesehen werden, ist es vorteilhaft, wenn die Dicke der Schutzschicht ungefähr 10 nm bis 500 nm beträgt.
Das Material für die Schutzschichten 51 und 53 wird unter Berücksichtigung des Brechungsindex, der Wärmeleitfähigkeit, der chemischen Stabilität, der mechanischen Festigkeit, der Haftung und anderer Faktoren bestimmt, während es möglich ist Oxide, Sulfide oder Nitride eines Metalls oder eines Halbleiters zu verwenden, die eine hohe Transparenz und einen hohen Schmelzpunkt aufweisen, oder Fluoride von Ca, Mg, Li oder dergleichen. Diese Oxide, Sulfide, Nitride und Fluoride müssen nicht immer eine stöchiometrische Zusammensetzung aufweisen, und es ist auch nützlich, die Zusammensetzung zu steuern, um den Brechungsindex oder dergleichen zu steuern, oder eine Mischung dieser zu verwenden. Wenn man insbesondere die Eigenschaft der wiederholten Aufzeichnung betrachtet, ist eine Mischung eines Dielektrikums vorteilhaft. Aus diesem Grund werden alle Schutzschichten 51 und 53 gleichermaßen als dielektrische Schicht bezeichnet.
Konkreter gesagt, gibt es ZnS, TaS₂ und Mischungen von Sulfide seltener Erden und wärmeresistente Verbindungen, wie Oxide, Nitride, Carbide und Fluoride. Beispielsweise ist es vorteilhaft, eine Mischung, wie ZnS und SiO₂, Zns und Oxide seltener Erden, ZnS und ZnO, ZnS-SiO₂-TaO_x, ZnS-ZnO-SiO₂ oder dergleichen, zu verwenden.
Wenn man die wiederholten Aufzeichnungseigenschaften in Betracht zieht, ist es im Hinblick auf eine mechanische Festigkeit vorteilhaft, wenn die Filmdichte dieser Schutzschichten 80% der in einem Volumenzustand übersteigt. Im Falle einer Verwendung einer Mischung für den dielektrischen Dünnfilm wird die theoretische Dichte, die durch die folgende Gleichung ausgedrückt wird, als Rohdichte (bulk density) verwendet. ⎕ = ⎕mi ⎕i (9)

mi:: Molkonzentration jeder Komponente i
⎕i:: einfache Rohdichte

Wenn die Dicke der Schutzschichten (dielektrischen Schichten) 51 und 53 kleiner als 10 nm ist, wird die eine Verformung verhindernde Wirkung des Substrats 50 und der Aufzeichnungsschicht 52 ungenügend, und es besteht die Möglichkeit, dass sie nicht als schützende Schichten wirken können. Andererseits erscheint, wenn die Dicke der Schutzschichten (dielektrische Schichten) 51 und 53 500 nm überschreitet, die interne Belastung der dielektrischen Substanz oder der Unterschied in den elastischen Eigenschaften in Bezug auf das Substrat beachtlich, was leicht zur Entwicklung von Sprüngen führt.
Insbesondere die Schutzschicht (untere Schutzschicht) 51, die zwischen dem Substrat 50 und der Aufzeichnungsschicht 52 angeordnet werden soll, soll eine Verformung durch Wärme unterdrücken, und somit beträgt ihre Dicke vorzugsweise 50 nm oder mehr. Wenn sie weniger als 50 nm beträgt, summiert sich die mikroskopische Substratverformung während den wiederholten Überschreiboperationen, so dass das wiedergegebene Licht streut, um das Rauschen signifikant zu erhöhen. Für die untere Schutzschicht 51 beträgt die obere Grenze im wesentlichen ungefähr 200 nm in Anbetracht der Abscheidungszeit, und eine Dicke, die die 200 nm übersteigt, bewirkt, dass die Rillengeometrie der Aufzeichnungsschicht 52 sich stark von der Rillengeometrie auf dem Substrat 50 unterscheidet; somit ist dies nicht wünschenswert. Das heißt, die Rille wird auf der Substratoberfläche flacher als gewünscht, und die Rille wird in der Breite auf der Substratoberfläche schmäler als beabsichtigt, was unerwünscht ist. Am besten ist es, wenn sie 150 nm oder weniger beträgt.
Andererseits muss die Schutzschicht (obere Schutzschicht) 53, die zwischen der Aufzeichnungsschicht 52 und der reflektierenden Schicht 54 anzuordnen ist, mindestens 10 nm oder mehr als Dicke aufweisen, um die Verformung der Aufzeichnungsschicht 54 zu unterdrücken. Zusätzlich summieren sich, wenn die Dicke mehr als 50 nm beträgt, die mikroskopischen Kunststoffverformungen im Inneren der oberen Schutzschicht 53 bei einer wiederholten Überschreiboperation, so dass das wiedergegebene Licht streut, um das Rauschen unerwünschterweise zu erhöhen. Wie experimentell festgestellt werden konnte, reduziert sich, wenn die Filmdicke der oberen Schutzschicht 53 in einem Bereich von 10 bis 50 nm liegt, wenn sie dünner wird, die Zerstörung beim wiederholten Überschreiben.
Für das Aufzeichnen mit einer relativ niedrigen linearen Geschwindigkeit, wenn man die Wichtigkeit der Dauerhaftigkeit gegenüber einem wiederholten Überschreiten berücksichtigt, ist es vorteilhaft, wenn die Filmdicke der oberen Schutzschicht 53 kleiner als 30 nm ist.
Darüber hinaus ist es für das Aufzeichnen mit einer höheren linearen Geschwindigkeit, da es notwendig ist, die Aufzeichnung durch eine Laserbestrahlung während nur kurzer Zeit auszuführen, wirksam, um die Filmdicke der Schutzschicht relativ zu erhöhen, da eine höhere Aufzeichnungsempfindlichkeit vorteilhaft ist. Wenn beispielsweise das Aufzeichnen mit einer linearen Geschwindigkeit von 9 m/s oder mehr ausgeführt wird, so beträgt die Filmdicke der oberen Schutzschicht vorzugsweise ungefähr 25 bis 50 nm.
Darüber hinaus ist es, sogar wenn die lineare Geschwindigkeit der Aufzeichnung niedrig ist, für das Vergrößern des verfügbaren linearen Geschwindigkeitsbereichs wirksam, die Filmdicke der reflektierenden Schicht 54 zu erhöhen. In diesem Fall wird, da sich die Aufzeichnungsempfindlichkeit erniedrigt, das Erhöhen der Dicke der oberen Schutzschicht 53 manchmal ein verfügbares Mittel, wie im Falle der hohen linearen Geschwindigkeit. Zu dieser Zeit beträgt die Filmdicke der oberen Schutzschicht 53 vorteilhafterweise ungefähr 25 bis 50 nm.
Als Material für die Phasenänderungsaufzeichnungsschicht 52 sind verschiedene, wohl bekannte Materialien, verwendbar, wie beispielsweise GeSbTe, InSbTe, AgSbTe, AgInSbTe, AgGeSbTe oder InGeSbTe, wobei das bevorzugteste Material eine Legierung ist, dessen Hauptkomponente eine SbTe-Legierung in der Nähe eines Sb₇₀Te₃₀ eutektischen Punktes ist, die sowohl in den kristallinen als auch amorphen Zuständen stabil ist und die einen schnellen Phasenübergang zwischen beiden Zuständen gestattet, weswegen es das praktikabelste Material ist, da die Segregation im Zustand des wiederholten Überschreibens kaum zu erreichen ist.
Die speziell bevorzugte Zusammensetzung der Phasenänderungsaufzeichnungsschicht 52 enthält eine Ma_w (Sb_ZTe_1.z)_1-w Legierung (wobei 0 ⎕w ⎕0,3; 0,5 ⎕z ⎕0,9, Ma stellt mindestens eine Art dar, die aus In, Ga, Zn, Ge, Sn, Si, Cu, Au, Ag, Pd, Pt, Pb, Cr, Co, O, N, S, Se, Ta, Nb, V, Bi, Zr, Ti, Mn, Mo, Rh und Elemente seltener Erden ausgewählt ist). Noch besser ist es, wenn 0 ⎕w ⎕0,2; 0,6 ⎕z ⎕0,8.
Gemäß den Studien der Erfinder und anderer Leute wird die Abhängigkeit von der linearen Geschwindigkeit durch Sb und Te bestimmt, die die Hauptkomponente bilden, und in der Nähe eines Sb₇₀Te₃₀ eutektischen Punktes besteht eine Tendenz, dass, wenn das Verhältnis Sb/Te zunimmt, die Kristallisationsgeschwindigkeit höher wird.
Für das wiederholte Überschreiben in einem spezifizierten Pulsmuster zeigt ein ternäres Systemmaterial, das mit Ge oder In in der Nähe dieser eutektischen Zusammensetzung dotiert ist, eine geringere Zerstörung als ein Material in der Nähe von GeTe-Sb₂Te₃, InTe-Sb₂Te₃ pseudo-binärer Legierung, die allgemein bekannt ist, und sie stellt ein zufriedenstellendes Material dar, da die Instabilität beim Markierungsrand bei der Lang-Markierungs-Aufzeichnung (long-mark recording) niedrig ist. Zusätzlich weist es eine hohe Kristallisationstemperatur und eine ausgezeichnete Archivierungsstabilität auf.
Übrigens wird, da sich die Aufzeichnungsschicht 52 direkt nach der Abscheidung gemeinhin in einem amorphen Zustand befindet, die gesamte Oberfläche der Aufzeichnungsschicht in einen initialisierten Zustand (Nicht-Aufzeichnungs-Zustand) kristallisiert, wie das später beschrieben wird.
Mit dieser Zusammensetzung wird ein ausgezeichnetes Überschreiben in einem breiten linearen Geschwindigkeitsbereich von mindestens der einfachen Geschwindigkeit (1,2 bis 1,4 m/s) der linearen CD-Geschwindigkeit bis zur 24-fachen Geschwindigkeit (28,8 m/s bis 33,6 m/s) dieser erzielt.
Als mehr bevorzugtes Beispiel gibt es eine Zusammensetzung aus Mb⎕₁In⎕₁Sn⎕₁Te⎕₁ (wobei 0,03 ⎕ ⎕1 ⎕0,1; 0,03 ⎕ ⎕1 ⎕0,08; 0,55 ⎕ ⎕1 ⎕0,65; 0,25 ⎕ ⎕1 ⎕0,35; 0,06 ⎕ ⎕1 + ⎕1 ⎕0,13; ⎕1 + ⎕1 + ⎕1 + ⎕1 = 1, Mb ist mindestens eine Art von Ag oder Zn).
Noch besser erfüllt die vorher angegebene Zusammensetzung 0,03 ⎕ ⎕1 ⎕0,1; 0,05 ⎕ ⎕1 ⎕0,08; 0,6 ⎕ ⎕1 ⎕0,65; 0,25 ⎕ ⎕1 ⎕0,30; 0,06 ⎕ ⎕1 + ⎕1 ⎕0,13; ⎕1 + ⎕1 + ⎕1 + ⎕1 = 1.
In diesem Zusammensetzungsbereich ist ein ausreichendes Löschverhältnis bei der Überschreiboperation dicht bei 10 m/s erhältlich. Zusätzlich kann sie als eine Zusammensetzung verwendet werden, die eine ausgezeichnete Archivierungsstabilität aufweist.
Obwohl In eine Wirkung zeigt, bei der die Kristallisationstemperatur steigt, um die Zylinderstabilität (can-stability) zu verbessern und das Dotieren von 3 at% oder mehr vorteilhaft ist, um die Archivierungsstabilität bei Raumtemperatur sicher zu stellen, so verursacht, wenn die Dotierung 8 at% übersteigt, dies leicht eine Phasentrennung, und die Segregation neigt dazu, während der wiederholten Überschreiboperationen aufzutreten. Noch besser liegt es in einem Bereich von 5 at% bis 8 at%.
Ag oder Zn erleichtert die Initialisierung eines amorphen Films direkt nach der Abscheidung. In Abhängigkeit vom Initialisierungsverfahren arbeitet eine Dotierung unterhalb von 10 at% ausreichend, und die übermäßige Dotierung beeinträchtigt die Archivierungsstabilität und ist somit nicht wünschenswert.
Zusätzlich neigt, wenn Ag oder Zn plus In insgesamt 13 at% übersteigt, eine Segregation bei wiederholten Überschreiben aufzutreten, was nicht erwünscht ist.
Als ein anderes passendes Beispiel der Aufzeichnungsschicht 52 gibt es eine Zusammensetzung aus Mc_vGe_y(Sb_xTe_1-x)_1-y-x (wobei 0,6 ⎕x ⎕0,8; 0,01 ⎕y ⎕0,15; 0 ⎕v ⎕0,15, 0,02 ⎕y + v ⎕0,2, Mc ist mindestens eine Art von Ag oder Zn).
Mit dieser Zusammensetzung ist es möglich, die Herstellung einer Ablagerung eines Metalls In und einer In-Legierung mit niedrigem Schmelzpunkt in der vorher erwähnten MbInSbTe-Legierung zu verbessern.
Das Initialisierungsverfahren benötigt jedoch plötzlich Zeit in Verbindung mit dem Dotieren des Ge.
Um sowohl die Erleichterung der Ablagerung von In und die Schwierigkeit der Initialisierung durch Ge zu überwinden, ist es auch möglich, eine Zusammensetzung aus Mb⎕₂In⎕₂Ge⎕₂Sb⎕₂Te⎕₁ zu verwenden (wobei 0 ⎕ ⎕2 ⎕0,1; 0,01 ⎕ ⎕2 ⎕0,1; 0,01 ⎕ ⎕2 ⎕0,1; 0,5 ⎕ ⎕2 ⎕0,8; 0,15 ⎕ ⎕2 ⎕0,4; 0,03 ⎕ ⎕2 + ⎕2 ⎕0,15; ⎕2 + ⎕2 + ⎕2 + ⎕2 + ⎕2 = 1, Mb ist mindestens eine Art von Ag oder Zn).
Es ist vorteilhaft, wenn die Dicke der Aufzeichnungsschicht 52 in einem Bereich von 10 nm bis 30 nm liegt. Wenn die Dicke der Aufzeichnungsschicht 52 kleiner als 10 nm ist, stößt man auf Schwierigkeiten, einen ausreichenden Kontrast zwischen den Reflexionswerten des kristallinen und des amorphen Zustands zu liefern, und die Kristallisationsgeschwindigkeit neigt dazu, sich zu reduzieren, was es schwierig macht, die Aufzeichnung in kurzer Zeit zu löschen. Andererseits wird es, wenn die Dicke 30 nm übersteigt, ebenso schwierig, den optischen Kontrast zu liefern, und es besteht eine Neigung für das Auftreten von Sprüngen, was also nicht bevorzugt wird.
Zusätzlich nimmt im Fall von weniger als 10 nm das Reflexionsvermögen übermäßig ab, und im Fall von mehr als 30 nm nimmt die Wärmekapazität zu, um somit die Aufzeichnungsempfindlichkeit zu stören. Weiterhin tritt zusätzlich, wenn die Filmdicke der Aufzeichnungsschicht 52 höher als 30 nm ist, eine Änderung des Volumens signifikant in Verbindung mit einer Änderung der Phase auf, so dass die wiederholte Änderung des Volumens durch die wiederholte Überschreiboperation eine große Wirkung auf die Aufzeichnungsschicht 52 selbst und die oberen und unteren Schutzschichten 51 und 53 hat, um zu bewirken, dass eine mikroskopische und irreversible Verformung sich aufsummiert, um Rauschen zu erzeugen. Somit fällt die Dauerhaftigkeit gegenüber einem wiederholten Überschreiben. In einem Aufzeichnungsmedium hoher Dichte, wie einer wiederbeschreibbaren DVD (wiederbeschreibbaren Compact Disc), werden starke Anforderungen in Bezug auf das Rauschen gestellt, und somit liegt sie am besten unterhalb 25 nm.
In vielen Fällen wird für die Aufzeichnungsschicht 52 das Legierungsziel durch das DC (Gleichstrom) oder RF (Radiofrequenz) Sputtern in einem inaktiven Gas, insbesondere ein Ar-Gas erzielt.
Darüber hinaus ist es wünschenswert, wenn die Dichte der Aufzeichnungsschicht 52 gleich oder mehr als 80% der Rohdichte, und noch besser 90% oder mehr der Rohdichte beträgt. In diesem Fall kann natürlich die Rohdichte tatsächlich durch das Erzeugen eines Legierungsblocks gemessen werden, wobei es auch möglich ist, den Näherungswert zu verwenden, der in der Art erhalten wird, dass in der oben erwähnten Gleichung (9) die at% jedes Elements durch die Molkonzentration jeder Komponente ersetzt wird, und dass die Rohdichte gegen das Molekulargewicht jedes Elements ersetzt wird.
Im Sputter-Abscheideverfahren besteht für die Dichte der Aufzeichnungsschicht 52 eine Notwendigkeit, die hoch energetische Ar-Menge, die auf die Aufzeichnungsschicht 52 aufgebracht werden soll, zu erhöhen, beispielsweise durch das Anordnen eines Substrats in der Nähe der Front des Ziels, um den Druck des Sputtergases (ein Edelgas, wie Ar) zu erniedrigen. Im Falle des hoch energetischen Ar wird entweder ein Teil des Ar-Ions, das auf das Ziel für das Sputtern aufgebracht wird, zurückgestoßen, um die Substratseite zu erreichen, oder das Ar-Ion im Plasma wird durch eine Schichtspannung der gesamten Oberfläche des Substrats beschleunigt, um das Substrat zu erreichen. Eine solche Strahlungswirkung eines hochenergetischen Edelgases wird atomare Hammerwirkung (atomic peening effect) genannt.
Im Falle des Sputtern in Ar-Gas, das gewöhnlich verwendet wird, wird das Ar in den Sputterfilm durch die atomare Hammerwirkung gemischt. Auf der Basis der Ar-Menge im Film ist es möglich, die atomare Hammerwirkung zu schätzen. Das heißt, wenn die Ar-Menge relativ klein ist, zeigt dies, dass die Strahlungswirkung des hoch energetischen Ar gering ist, und es eine Tendenz zur Ausbildung eines nicht dichten Films gibt. Wenn andererseits die Ar-Menge groß ist, so wird die Strahlung des hoch energetischen Ar intensiv, und die Dichte wird hoch, wohingegen Ar, das in den Film eingeführt wird, Hohlräume bildet, um die Abscheidung bei der wiederholten Überschreiboperation zu entwickeln, um somit die Wiederholungsdauerhaftigkeit zu beeinträchtigen.
Eine passende Ar-Menge im Aufzeichnungsschichtfilm beträgt 0,1 at% oder mehr, aber weniger als 1,5 at%. Im Fall der Verwendung des Radiofrequenzsputterns statt des Gleichstromsputterns reduziert dies wünschenswerterweise die Ar-Menge im Film und liefert einen Film hoher Dichte.
Für den reflektierenden Film 54 ist eine Substanz, die ein hohes Reflexionsvermögen aufweist, vorteilhaft, und die vorliegende Erfindung verwendet ein stark reflektierendes Metall, wie Au, Ag oder Al, oder eine Legierung, die dieses Metall als Hauptkomponente enthält, das speziell eine hohe Wärmeleitfähigkeit aufweist, durch die eine Wärmestrahlungswirkung sogar durch die obere dielektrische Schicht erwartet werden kann. Für das Verbessern der Wärmeleitung und der Korrosionsbeständigkeit der reflektierenden Schicht selbst, ist eine Legierung vorteilhaft, die mit einem kleinen Menge von Ta, Ti, Cr, Mo, Mg, V, Nb, Zur, Mn, Si oder dergleichen fertig gestellt ist, beispielsweise 15 at% und weniger. Insbesondere eine Legierung All-zTaz (0 < z ⎕ 0,15) zeigt eine ausgezeichnete Korrosionsbeständigkeit und ist für das Verbessern der Zuverlässigkeit dieses optischen Aufzeichnungsmediums wirksam.
Es ist im Hinblick auf die vollständige Reflexion des einfallenden Lichts, ohne das Übertragungslicht (transmission light) zu erzeugen, vorteilhaft, wenn die Filmdicke der reflektierenden Schicht 54 gleich 50 nm oder mehr beträgt. Wenn die Filmdicke 500 nm übersteigt, hat dies nicht die Wärmestrahlungswirkung, und verschlechtert die Produktivität vergeblich und verursacht weiter das leichte Auftreten von Rissen, und somit ist es vorteilhaft, wenn die Filmdicke unterhalb 500 nm festgesetzt wird. Insbesondere in einem Fall, bei dem die Filmdicke der oberen Schutzschicht 53 sich in einem Bereich von 40 nm bis 50 nm befindet, ist die Menge der enthaltenden Unreinheiten auf weniger als 2 at% festgelegt, um eine hohe Wärmeleitfähigkeit für die reflektierende Schicht 54 zu liefern.
Die Aufzeichnungsschicht 52, die Schutzschichten 51, 53 und die reflektierende Schicht 54, die oben beschrieben wurden, können durch Sputtern ausgebildet werden.
Im Hinblick auf die Verhinderung der Oxidation oder Kontamination zwischen den Schichten, ist es in Bezug auf ein Aufzeichnungsschichtziel, ein Schutzschichtziel und, wenn benötigt ein Materialziel einer reflektierenden Schicht vorteilhaft, wenn die Filmausbildung in einem In-Line-Gerät, das in derselben Vakuumkammer installiert ist, vorgenommen wird. Dies ergibt zusätzlich eine überragende Produktivität.
Es wird weiterhin eine Beschreibung eines Verfahrens der Initialisierung des optischen Aufzeichnungsmediums gemäß der vorliegenden Erfindung gegeben.
Im optischen Aufzeichnungsmedium gemäß der vorliegenden Erfindung besteht, da die Aufzeichnungsschicht 52 einen amorphen Zustand als den Abscheidungszustand (Zustand direkt nach der Abscheidung) zeigt, die Notwendigkeit, die gesamte Oberfläche der Scheibe zu kristallisieren, damit der kristalline Zustand als Initialisierungszustand festgelegt wird. Dieses Verfahren wird eine anfängliche Kristallisation genannt. Gewöhnlicherweise wird diese anfängliche Kristallisation in einer Art erhalten, bei der die Scheibe, die sich in einem rotierenden Zustand befindet, mit einem Laserstrahl bestrahlt wird, der in eine Abmessung von ungefähr mehreren zehn bis hundert Mikrometer fokussiert wird.
Insbesondere ist für das Verkürzen der Zeit, die für die Initialisierung benötigt wird, und für das sichere Erzielen der Initialisierung durch eine einmalige Bestrahlung mit dem optischen Strahl, eine Schmelzinitialisierung ein passendes Mittel. Übrigens beschädigt, so lange wie die Sandwichstruktur mit dem Schutzschichten 51 und 53 aufrecht gehalten wird, das Schmelzen die Aufzeichnungssicht nicht sofort.
Wenn sie beispielsweise unter Verwendung eines optischen Strahls (Licht eines Gas- oder Halbleiterlasers), der fokussiert ist, um einen Durchmesser von ungefähr 10 bis mehreren Hundert Mikrometern aufzuweisen, oder einen optischen Strahl, der in eine elliptische Konfiguration fokussiert wird, um eine Hauptachse von ungefähr 50 bis mehrere Hundert Mikrometer und eine Nebenachse von ungefähr 1 bis 10 Mikrometer aufzuweisen, lokal erhitzt wird, um nur den Abschnitt zu schmelzen, der dem zentralen Abschnitt des Strahls entspricht, dann ist die Beschädigung des Aufzeichnungsmediums vermeidbar. Zusätzlich wird der geschmolzene Abschnitt zusätzlich durch die Wärme des peripheren Abschnitt des Strahls erhitzt, um somit die Kühlungsrate zu vermindern, um eine ausgezeichnete Kristallisation zu erzielen. Die Verwendung dieses Verfahrens ermöglicht das Verkürzen der Initialisierungszeit auf 1/10 der einer konventionellen Feststoffkristallisation und ein beträchtliches Verkürzen der Produktivität, und eine Verhinderung der Variation des Kristalls bei einem Löschen nach der Überschreibungsoperation.
Ausführungsformen
Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend unter Verwendung von Ausführungsformen beschrieben. Die Erfindung ist jedoch nicht auf die Ausführungsformen beschränkt, unter der Voraussetzung dass sie keine Abweichungen vom Wesen und dem Umfang der Erfindung bildet.
Ausführungsform 1
Ein Master einer optischen Scheibe wurde unter Verwendung der oben beschriebenen Belichtungsverfahren 1 und 2 erzeugt. Das heißt, ein Bereich, der einen Durchmesser von 46 bis 54 mm hat, wurde als ROM-Gebiet festgelegt, und Pre-Pits, deren Tiefe auf 80 nm und deren Breite auf 0,60 μm festgelegt wurde, wurden hergestellt, wobei diese Adressinformation auf der Basis einer Kurvenform 90 gemäß der Norm des Orange Book speichern, und weiter wurde ein Bereich, der einen Durchmesser von 54 bis 116 mm aufweist, als ein RAM-Gebiet festgelegt, und sogar eine Führungsrille, deren Tiefe 40 nm und deren Breite 0,550 μm beträgt, wurde hergestellt, wobei sie eine Adressinformation auf der Basis einer Kurvenform gemäß der Norm des Orange Book speichert. Die Pre-Pit-Folge und die Führungsrille wurden in einer Spiralkonfiguration miteinander verbunden, und der Spurabstand wurde auf 1,6 μm festgelegt.
Gemäß dem Belichtungsverfahren 1 im Belichtungssystem, das in 13 gezeigt ist, wurde Kr mit einer Wellenlänge von 413 nm für das Laserlicht verwendet, und das Laserlicht wurde durch eine Objektivlinse, deren numerische Apertur NA 0,90 beträgt, auf das Substrat, das sich mit einer linearen Geschwindigkeit von 1,2 m/s in Rotation befindet, aufgebracht. Ein Pitausbildungsstrahl 13 wurde so festgelegt, dass er einen Durchmesser von ungefähr 0,26 μm aufweist, während Rillenausbildungsstrahlen 19 und 22 festgelegt wurden, so dass sie einen Durchmesser von ungefähr 0,3 μm aufweisen, und die Distanz zwischen den Strahlen 19 und 22 wurde auf 0,2 μm festgelegt.
Gemäß dem Belichtungsverfahren 2 im Belichtungssystem, das in 13 gezeigt ist, wurde Kr mit einer Wellenlänge von 413 nm für das Laserlicht verwendet, und das Laserlicht wurde durch eine Objektivlinse, deren numerische Apertur NA 0,90 beträgt, auf das Substrat, das sich mit einer linearen Geschwindigkeit von 1,2 m/s in Rotation befindet, aufgebracht. Ein Pitausbildungsstrahl 13 wurde so festgelegt, dass er einen Durchmesser von ungefähr 0,26 μm aufweist, während ein Rillenausbildungsstrahl 22 festgelegt wurde, so dass er einen Durchmesser von ungefähr 0,3 μm aufweist, und der Strahl 22 wurde in einem Winkel von 10 mrad bei 5 MHz im Winkel abgelenkt.
Eine Matrize wurde durch die Verwendung des Masters der optischen Scheibe, der unter den oben erwähnten Verfahren hergestellt wurde, produziert, und ein Scheibensubstrat mit einem Durchmesser von 120 mm wurde mittels Spritzgießens von Polycarbonat hergestellt.
Die Ausbildung wurde unter den folgenden Bedingungen vorgenommen unter Verwendung der Scheibenherstellungsmaschine MO40DH, die von Nissei Resin Industry Co., Ltd. hergestellt wird. Das heißt, die Harztemperatur wurde auf 350°C festgelegt, die Formtemperatur der Matrizenseite (feste Seite) betrug 112°C, die Formtemperatur der beweglichen Seite betrug 107°C, die Spulentemperatur betrug 100°C, während die Schneide-Stanz-Temperatur (cut punch temperature) 105°C betrug, und weiter die Füllungsgeschwindigkeit auf 80 mm/sec festgelegt wurde, die Klemmkraft bei 36 Tonnen lag und die Kühlungszeit bei 6,8 Sekunden lag.
Eine Schutzschicht, die eine Dicke von 110 nm aufweist und aus (ZnS)₈₀(SiO₂)₂₀ hergestellt ist, eine Aufzeichnungsschicht, die eine Dicke von 16 nm aufweist, und die aus Ag₅In₅Sb_60,5Te_29,5 hergestellt ist, eine Schutzschicht, die eine Dicke von 44 nm aufweist, und die aus (ZnS)₈₅(SiO₂)₁₅ hergestellt ist, und eine reflektierende Schicht, die eine Dicke von 222 nm aufweist, und die aus Al_99,5Ta_0,5 hergestellt ist, wurden sukzessive als Film auf dem Substrat in einer Reinvakuumskammer, die auf einen Hochvakuumzustand gebracht wurde, ausgebildet. Zuletzt wurde, um die Verformung des vorangehenden Aufzeichnungsmediums zu verhindern, ein bei Ultraviolett aushärtender Harzfilm so ausgeformt, dass er eine Dicke von mehreren Mikrometern aufweist.
In Bezug auf dieses optische Aufzeichnungsmedium wurden unter Verwendung eines Objektivlinse deren NA 0,50 beträgt, und eines Lasers, dessen Wellenlänge 780 nm beträgt, die Rillensignaleigenschaften im ROM-Gebiet und vor und nach dem Aufzeichnen im RAM-Gebiet und weiter die Eigenschaften des wiedergegebenen Signals im ROM-Gebiet und nach dem Aufzeichnen im RAM-Gebiet unter den Bedingungen ausgewertet, dass die Wiedergabeleistung 0,8 mW betrug und die lineare Geschwindigkeit einen Wert von 1,2 m/s aufwies.
Im RAM-Gebiet wurde ein zufälliges Muster eines EFM-Signals unter Verwendung einer Objektivlinse, deren NA 0,50 beträgt, und eines Lasers, dessen Wellenlänge 780 nm beträgt, aufgezeichnet unter den Bedingungen, dass die Aufzeichnungsleistung 13 mW betragen hat, und die lineare Geschwindigkeit einen Wert von 2,4 m/s aufwies, wobei dies als das RAM-Gebiet nach dem Aufzeichnen genommen wurde, und die Auswertung dort stattfand.
Tabelle 1 zeigt im ROM-Gebiet und im RAM-Gebiet vor und nach dem Aufzeichnen Werte (PP) eines Push-Pull-Signals, Werte (RC) eines radialen Kontrasts, CNR-Werte von Kurvensignalen (WCNR), Werte (NWS) normierter Kurvensignale, maximale Reflexionswerte R_top(%), Modulationsamplituden m₁₁(m) von 11T-Signalen der EFM-Signale und asymmetrische Werte (Asym).
In diesem Fall bezeichnen die Werte PP der Push-Pull-Signale im ROM-Gebiet vor und nach dem Aufzeichnen einen Wert |I₁ – I₂|_ROM/I_topROM eines Push-Pull-Signals des ROM-Gebiets, das mit dem maximalen Signalpegel normiert wurde, einen Wert |I₁– I₂|/I_g eines Push-Pull-Signals vor dem Aufzeichnen, normiert mit einem Rillensignalpegel im RAM-Gebiet und einen Wert |I₁ – I₂|_a/I_topRAM eines Push-Pull- Signals nach dem Aufzeichnen, normiert mit dem maximalen Signalpegel im RAM-Gebiet.
Tabelle 2 zeigt die Verhältnisse der Push-Pull-Signale des ROM-Gebiets und des RAM-Gebiets vor dem Aufzeichnen und die Verhältnisse der maximalen Reflexionswerte.
Diese zeigen die Auswertungsergebnisse einer optischen Scheibe, die durch die Verwendung einer optischen Scheibenoriginalform hergestellt wurde, die gemäß den Belichtungsverfahren 1 und 2 hergestellt wurde.
Tabelle 1
Tabelle 2
Zusätzlich war das Verhältnis (m₃/m₁₁)_ROM der Modulationsamplitude m₃ eines 3T-Signals zur Modulationsamplitude m₁₁ eines 11T-Signals im ROM-Gebiet 104 0,56. Zusätzlich war das Verhältnis (m₃/m₁₁)_RAM der Modulationsamplitude m₃ eines 3T-Signals zur Modulationsamplitude m₁₁ eines 11T-Signals im RAM-Gebiet 105 nach der Aufzeichnung gemäß dem Belichtungsverfahren 1 0,55. Darüber hinaus war das Verhältnis (m₃/m₁₁)_RAM der Modulationsamplitude m₃ eines 3T-Signals zur Modulationsamplitude m₁₁ eines 11T-Signals im RAM-Gebiet 105 nach der Aufzeichnung gemäß dem Belichtungsverfahren 2 0,55.
Vergleichsbeispiel 1
In diesem Vergleichsbeispiel wurde die Pit-Tiefe Pd des ROM-Gebiets 104 auf 129 nm festgelegt, und die Breite wurde auf 0,52 μm festgelegt, wobei der Pit 60 tiefer als der in der oben beschriebenen Ausführungsform 1 gemacht wurde. Das RAM-Gebiet 105 wurde so ausgebildet, dass es dieselbe Konfiguration wie in der vorher angegebenen Ausführungsform 1 hat.
Zu dieser Zeit war das Verhältnis |I₁ – I₂|_a/|I₁ – I₂|_ROM eines Werts des Push-Pull-Signals nach der Aufzeichnung im RAM-Gebiet 105 zu einem Wert eines Push-Pull-Signals im ROM-Gebiet 104 175/39 = 4,49. Somit wich das Verhältnis stark vom Bereich von 0,78 bis 1,3 ab, der als ein bevorzugter Bereich des Verhältnisses |I₁ – I₂|_a/|I₁ – I₂|_ROM eines Werts des Push-Pull-Signals nach der Aufzeichnung im RAM-Gebiet 105 zu einem Wert eines Push-Pull-Signals im ROM-Gebiet 104 in der oben beschriebenen Ausführungsform betrachtet wird. Zusätzlich war die Modulationsamplitude m₁₁ eines 11T-Signals im ROM-Gebiet 104 0,84 (m₁₁ = 0,84). Weiterhin war der radiale Kontrastwert RC im ROM-Gebiet 104 0,48 (RC = 0,48).
Somit hat die Spurverfolgung keine nützliche Funktion im Umschaltabschnitt zwischen dem RAM-Gebiet 105 und dem ROM-Gebiet 104.
Vergleichsbeispiel 2
In diesem Vergleichsbeispiel 2 wurde die Pit-Tiefe Pd des ROM-Gebiets 104 auf 107 nm festgelegt, und die Pit-Breite wurde auf 0,42 μm festgelegt, wobei das Pit 60 tiefer als der in der oben beschriebenen Ausführungsform 1 gemacht wurde, und die Pit-Breite Pw schmaler gemacht wurde. Das RAM-Gebiet 105 wurde so ausgebildet, dass es dieselbe Konfiguration wie in der vorher angegebenen Ausführungsform 1 hat. In diesem Fall wurde, da der Wert eines Push-Pull-Signals im ROM-Gebiet 104 im oben erwähnten Vergleichsbeispiel 1 niedrig war, die Pit-Breite Pw schmaler gemacht, um diesen Wert zu erhöhen.
Zu dieser Zeit war das Verhältnis |I₁ – I₂|_a/|I₁ – I₂|_ROM eines Werts des Push-Pull-Signals nach der Aufzeichnung im RAM-Gebiet 105 zu einem Wert eines Push-Pull-Signals im ROM-Gebiet 104 175/79 = 2,22. Somit wich das Verhältnis weiterhin stark vom Bereich von 0,78 bis 1,3 ab, der als ein bevorzugter Bereich des Verhältnisses |I₁ – I₂|_a/|I₁ – I₂|_ROM eines Werts des Push-Pull-Signals nach der Aufzeichnung im RAM-Gebiet 105 zu einem Wert eines Push-Pull-Signals im ROM-Gebiet 104 in der oben beschriebenen Ausführungsform betrachtet wird. Zusätzlich war die Modulationsamplitude m₁₁ eines 11T-Signals im ROM-Gebiet 104 0,81 (m₁₁ = 0,81). Weiterhin war der radiale Kontrastwert RC im ROM-Gebiet 104 0,43 (RC = 0,43).
Somit hat die Spurverfolgung keine Funktion im Umschaltabschnitt zwischen dem RAM-Gebiet 105 und dem ROM-Gebiet 104.
Ausführungsform 2
In dieser Ausführungsform 2 wurde die Pit-Tiefe Pd im ROM-Gebiet 104 auf 57 nm festgelegt, und die Pit-Breite wurde auf 0,56 μm festgelegt, wobei das Pit 60 flacher als der in der oben beschriebenen Ausführungsform 1 gemacht wurde. Das RAM-Gebiet 105 wurde so ausgebildet wie in der vorher angegebenen Ausführungsform 1.
Zu dieser Zeit war das Verhältnis |I₁ – I₂|_a/|I₁ – I₂|_ROM eines Werts eines Push-Pull-Signals nach der Aufzeichnung im RAM-Gebiet 105 zu einem Wert eines Push-Pull-Signals im ROM-Gebiet 104 175/181 = 0,97. Somit passte das Verhältnis in den Bereich von 0,78 bis 1,3 ab, der als ein bevorzugter Bereich des Verhältnisses |I₁ – I₂|_a/|I₁ – I₂|_ROM eines Werts eines Push-Pull-Signals nach der Aufzeichnung im RAM-Gebiet 105 zu einem Wert eines Push-Pull-Signals im ROM-Gebiet 104 in der oben beschriebenen Ausführungsform betrachtet wird. Somit kam die Spurverfolgung im Umschaltabschnitt zwischen dem RAM-Gebiet 105 und dem ROM-Gebiet 104 nicht außer Aktion.
Jedoch war die Modulationsamplitude m₁₁ eines 11T-Signals im ROM-Gebiet 104 0,40(m₁₁ = 0,40). Da die Modulationsamplitude m₁₁ eines 11T-Signals so niedrig war, gab es Schwierigkeiten beim Auslesen eines präzisen Musters jedes Signals, was Schwierigkeiten bei der Vornahme einer zufriedenstellenden Wiedergabe ergab.
Zusätzlich war der radiale Kontrastwert RC im ROM-Gebiet 104 0,17 (RC = 0,17). Da der radiale Kontrastwert RC so niedrig war, kann die Spurzählung kaum durchgeführt werden, und die normale Suche wird schwierig.
Vergleichsbeispiel 3
In diesem Vergleichsbeispiel 3 wurde die Rillentiefe Gd des RAM-Gebiets 105 auf 24 nm festgelegt, und die Rillenbreite Gw wurde auf 0,38 μm festgelegt, wobei die Rille 61 flacher als der in der oben beschriebenen Ausführungsform 1 gemacht wurde, und wobei die Rillenbreite Gw schmaler gemacht wurde. Das ROM-Gebiet 104 wurde so ausgebildet, dass es dieselbe Konfiguration wie in der vorher angegebenen Ausführungsform 1 hat. Die Aufzeichnungsleistung wurde auf 10,3 mW festgelegt.
Zu dieser Zeit war das Verhältnis |I₁ – I₂|/|I₁ – I₂|_a eines Werts des Push-Pull-Signals vor der Aufzeichnung im RAM-Gebiet 105 zu einem Wert eines Push-Pull-Signals nach der Aufzeichnung im RAM-Gebiet 1,56. Zusätzlich war das Verhältnis |I₁ – I₂|_a/|I₁ – I₂|_ROM eines Werts eines Push-Pull-Signals nach der Aufzeichnung im RAM-Gebiet 105 zu einem Wert eines Push-Pull-Signals im ROM-Gebiet 488/177 = 2,76. Somit wich das Verhältnis stark vom Bereich von 0,78 bis 1,3 ab, der als ein bevorzugter Bereich des Verhältnisses |I₁ – I₂|_a/|I₁ – I₂|_ROM eines Werts eines Push-Pull-Signals nach der Aufzeichnung im RAM-Gebiet 105 zu einem Wert eines Push-Pull-Signals im ROM-Gebiet 104 in der oben beschriebenen Ausführungsform betrachtet wird. Aus diesem Grund erfüllt die Spurverfolgung keine Funktion im Umschaltabschnitt zwischen dem RAM-Gebiet 105 und dem ROM-Gebiet 104.
Zusätzlich war die Modulationsamplitude m₁₁ eines 11T-Signals im RAM-Gebiet 105 0,54 (m₁₁ = 0,54). Da die Modulationsamplitude m₁₁ eines 11T-Signals so niedrig war, so war, sogar wenn die Wiedergabe nur in Bezug auf das RAM-Gebiet 105 vorgenommen wurde, es schwierig, ein präzises Muster jedes Signals auszulesen, was zu Schwierigkeiten bei der Ausbildung einer zufriedenstellenden Wiedergabe führte.
Weiterhin betrug der radiale Kontrastwert RC im RAM-Gebiet 105 0,37 (RC = 0,37). Darüber hinaus betrug der maximale Reflexionswert R_topRAM im RAM-Gebiet 105 20,8% (R_top = 20,8%), und der maximale Reflexionswert R_topROM im ROM-Gebiet 104 betrug 22,9% (R_topRAM = 22,9%). Somit ist R_topROM/R_topRAM = 22,9/20,8 = 1,10.
Vergleichsbeispiel 4
In diesem Vergleichsbeispiel 4 wurde die Rillentiefe Gd des RAM-Gebiets 105 auf 74 nm festgelegt, und die Rillenbreite Gw wurde auf 0,48 μm festgelegt, wobei die Rille 61 tiefer als der in der oben beschriebenen Ausführungsform 1 gemacht wurde. Das ROM-Gebiet 104 wurde so ausgebildet, dass es dieselbe Konfiguration wie in der vorher angegebenen Ausführungsform 1 hat. Die Aufzeichnungsleistung wurde auf 12 mW festgelegt.
Zu dieser Zeit war das Verhältnis |I₁ – I₂|/|I₁ – I₂|_a eines Werts eines Push-Pull-Signals vor der Aufzeichnung im RAM-Gebiet 105 zu einem Wert eines Push-Pull-Signals nach der Aufzeichnung im RAM-Gebiet 2,41. Zusätzlich war das Verhältnis |I₁ – I₂|_a/|I₁ – I₂|_ROM eines Werts eines Push-Pull-Signals nach der Aufzeichnung im RAM-Gebiet 105 zu einem Wert eines Push-Pull-Signals im ROM-Gebiet 693/177 = 3,92. Somit wich das Verhältnis stark vom Bereich von 0,78 bis 1,3 ab, der als ein bevorzugter Bereich des Verhältnisses |I₁ – I₂|_a/|I₁ – I₂|_ROM eines Werts eines Push-Pull-Signals nach der Aufzeichnung im RAM-Gebiet 105 zu einem Wert eines Push-Pull-Signals im ROM-Gebiet 104 in der oben beschriebenen Ausführungsform betrachtet wird. Aus diesem Grund erfüllt die Spurverfolgung keine Funktion im Umschaltabschnitt zwischen dem RAM-Gebiet 105 und dem ROM-Gebiet 104.
Zusätzlich war die Modulationsamplitude m₁₁ eines 11T-Signals im RAM-Gebiet 105 0,67 (m₁₁ = 0,67). Darüber hinaus betrug der maximale Reflexionswert R_topRAM im RAM-Gebiet 105 13,3% (R_top = 13,3%), und der maximale Reflexionswert R_topROM im ROM-Gebiet 104 betrug 22,9% (R_topRAM = 22,9%). Somit ist R_topROM/R_topRAM = 22,9/13,3 = 1,72.
Da somit die beiden Gebiete bei R_topRAM, R_topRAM stark voneinander abweichen, braucht die Verstärkungseinstellung eine lange Zeit, was es schwierig macht, eine kontinuierliche Wiedergabe in Bezug auf die beiden Gebiete zu erhalten.
Industrielle Anwendbarkeit
Wie oben beschrieben wurde, ist es mit der wiederbeschreibbaren Compact Disk gemäß der vorliegenden Erfindung möglich, eine wiederbeschreibbare optische Scheibe mit einer hohen gegenseitigen Austauschbarkeit, in der ein RAM-Gebiet und ein ROM-Gebiet auf einer Mediumsoberfläche existieren, bereit zu stellen. Somit ist es möglich, Anwendungssoftware oder dergleichen und Aufzeichnungsdaten gleichzeitig durch die Verwendung einer CD-RW-Geräts zu verwenden. Dies ergibt einen sehr hohen Nützlichkeitswert.

Claims

Wiederbeschreibbare CD, die mindestens eine Phasenänderungsaufzeichnungsschicht (52) auf einem Substrat (50) aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass ein für die Aufzeichnung verwendbares, löschbares und für die Wiedergabe verwendbares RAM-Gebiet (105) und ein ROM-Gebiet (104), das nur für die Wiedergabe verfügbar ist, auf derselben Scheibenoberfläche vorgesehen sind, die Phasenänderungsaufzeichnungsschicht sowohl im RAM-Gebiet (105) als auch im ROM-Gebiet (104) ausgebildet ist; eine Rille (61), die eine Kurvenform (wobble) aufweist, im RAM-Gebiet ausgebildet ist, und ein kristalliner Abschnitt der Phasenänderungsaufzeichnungsschicht als ein nicht-aufgezeichneter Zustand/gelöschter Zustand ausgebildet ist, während sein amorpher Abschnitt als ein Aufzeichnungszustand ausgebildet ist, wobei die Bestrahlung mit einem Aufzeichnungslicht so ausgebildet wird, dass eine amorphe Markierung in der Rille ausgebildet wird, um EFM-Information aufzuzeichnen, im ROM-Gebiet (104) EFM-Information in Form einer Pre-Pit-Folge aufgezeichnet wird, und wenn ein Verhältnis unter Verwendung einer Wellenlänge von 770 bis 790 nm und einer optischen Abtastvorrichtung, deren Objektivlinse eine numerische Apertur von 0,49 bis 0,51 aufweist, von |I₁ – I₂|_a/|I₁ – I₂|_ROM eines Wertes eines Push-Pull-Signals nach dem Aufzeichnen im RAM-Gebiet (105) zu einem Wert eines Push-Pull-Signals im ROM-Gebiet (104) im Bereich von 0,78 bis 1,3 liegt, wobei I₁ ein Ausgangssignal von einem ersten Lichtempfangselement eines optischen Detektors ist, der zwei Lichtempfangselemente aufweist, die durch das Aufteilen des optischen Detektors in zwei Abschnitte entlang einer Radialrichtung der optischen Scheibe konstruiert sind, I₂ ein Ausgangssignal von einem zweiten Lichtempfangselement eines optischen Detektors ist, der zwei Lichtempfangselemente aufweist, die durch das Aufteilen des optischen Detektors in zwei Abschnitte entlang einer Radialrichtung der optischen Scheibe konstruiert sind, |I₁ – I₂|_a ein Wert eines Push-Pull-Signals nach dem Aufzeichnen eines EFM-Signals im RAM-Gebiet (105) ist, und |I₁ – I₂|_ROM ein Wert eines Push-Pull-Signals im ROM-Gebiet (104) ist.
Wiederbeschreibbare CD nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ein Verhältnis |I₁ – I₂|/|I₁ – I₂|_a von Werten von Push-Pull-Signalen vor und nach der Aufzeichnung eines EFM-Signals im RAM-Gebiet (105) im Bereich von 1,05 bis 2,0 liegt, wobei |I₁ – I₂| einen Wert eines Push-Pull-Signals vor dem Aufzeichnen eines EFM-Signals im RAM-Gebiet (105) darstellt.
Wiederbeschreibbare CD nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass eine Modulationsamplitude eine 11T-Signals eines EFM-Signals im ROM-Gebiet (104) in einem Bereich von 0,55 bis 0,95 liegt.
Wiederbeschreibbare CD nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass ein Verhältnis (m₃/m₁₁)_ROM einer Modulationsamplitude eines 3T Signals eines EFM-Signals zu einer Modulationsamplitude eines zugehörigen 11T-Signals im ROM-Gebiet (104) gleich 0,45 oder größer ist.
Wiederbeschreibbare CD nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass eine Modulationsamplitude eines 11T-Signals des EFM-Signals im RAM-Gebiet (105) in einem Bereich von 0,60 bis 0,90 liegt.
Wiederbeschreibbare CD nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass ein Verhältnis (m₃/m₁₁)_RAM einer Modulationsamplitude eines 3T Signals eines EFM-Signals zu einer Modulationsamplitude eines zugehörigen 11T-Signals im RAM-Gebiet (105) gleich 0,45 oder größer ist.
Wiederbeschreibbare CD nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass ein Verhältnis R_topROM/R_topRAM maximaler Reflexionswerte des ROM-Gebiets (104) und des RAM-Gebiets (105) im Bereich von 0,7 bis 1,45 liegt.
Wiederbeschreibbare CD nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass ein radialer Kontrastwert im ROM-Gebiet (104) in einem Bereich von 0,30 bis 0,60 liegt.
Wiederbeschreibbare CD nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass eine Pre-Pit-Folge (60) im ROM-Gebiet (104) eine Kurvenform (wobble) (90) aufweist.
Wiederbeschreibbare CD nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass ein normiertes Kurvenformsignal (Wobble-Signal) NWS_ROM das aus der Kurvenform (90) im ROM-Gebiet (104) erhalten wird, in einem Bereich von 0,035 bis 0,060 liegt.
Wiederbeschreibbare CD nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass eine Pre-Pit-Folge (60) im ROM-Gebiet (104) eine Vertiefungstiefe von 60 bis 100 nm und eine Vertiefungsbreite von 0,45 bis 0,70 μm aufweist.
Wiederbeschreibbare CD nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass eine Kurvenformrille (61) im RAM-Gebiet (105) eine Rillentiefe von 30 bis 50 nm und eine Rillenbreite von 0,40 bis 0,60 μm aufweist.