DE543136C - Verfahren zur Herstellung von Platten fuer Kupferoxydgleichrichter - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von Platten fuer KupferoxydgleichrichterInfo
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Description
DEUTSCHES REICH
AUSGEGEBEN AM
1. FEBRUAR 1932
1. FEBRUAR 1932
REICHSPATENTAMT
PATENTSCHRIFT
KLASSE 21 g GRUPPE
Patentiert im Deutschen Reiche vom 11. Dezember 1927 ab
Die Güte der durch Erhitzen in sauerstoffhaltiger Atmosphäre und nachfolgendes Abschrecken
erhaltenen Platten für Kupferoxydgleichrichter hängt von ganz verschiedenen S .Faktoren ab. Sehr wichtig ist dabei die Einhaltung
der richtigen Oxydationstemperatur. An und für sich ist es zweckmäßig, bei einer
Temperatur zu oxydieren, die nicht allzu weit unter dem Schmelzpunkt des Kupfers liegt,
weil sich bei hohen Temperaturen eine Oxydulschicht von der gewünschten Stärke natürlich
leichter und schneller als bei niedrigen bildet. Geht man jedoch mit der Oxydationstemperatur
allzusehr in die Höhe, so entsteht die Gefahr einer Herabsetzung des Schmelzpunktes des
Grundmetalls infolge leichterer Löslichkeit des Kupferoxyduls im Kupfer. Andererseits ist
es unzweckmäßig, die Oxydationstemperatur niedriger als etwa 1025 ° zu halten, da sich
herausgestellt hat, daß bei Temperaturen von der ungefähren Größenordnung 1015° das unerwünschte
schwarze Kupferoxyd (CuO) noch nicht restlos beseitigt, d. h. in rotes Kupferoxyd
(Cu2O) und Sauerstoff dissoziiert ist. Unter Berücksichtigung aller dieser Umstände gelangt
man zu einem praktisch sehr brauchbaren Ergebnis, wenn man die Kupferplatten innerhalb
des Temperaturbereichs 1025 bis 1040 ° C oxydiert, sie dann zur Vermeidung einer Rückbildung
von rotem Kupferoxyd (Cu2O) zu schwarzem Kupferoxyd (CuO) in erwärmtem
Wasser (etwa 40 bis 60 °) abschreckt und sie schließlich einer längere Zeit andauernden Erhitzung
auf etwa 300 bis 500 ° unterwirft. Durch die nachträgliche Erhitzung wird vor allem der
elektrische Leitwert der gleichrichtenden Schicht in der Richtung des gleichgerichteten Stromes
bedeutend erhöht, während gleichzeitig der elektrische Leitwert in der entgegengesetzten
Richtung bis auf einen verschwindend kleinen Betrag her abgeht.
Da sich die Kupferplatten bei den hohen Oxydationstemperaturen etwas verziehen, ist es notwendig,
sie durch Anwendung eines mäßigen Druckes wieder gerade zu richten. Es ist zweckmäßig,
dieses Geraderichten nach dem Abschrecken der Platten und vor dem erneuten Erhitzen vorzunehmen. Bei der verhältnismäßig
niedrigen Temperatur, auf die die Platten nachher erwärmt werden (300 bis 500 ° C), findet
dann kein neues Verziehen statt.
Claims (2)
- Patentansprüche:i. Verfahren zur Herstellung von Platten für Kupferoxydgleichrichter, dadurch gekennzeichnet, daß Kupferplatten in sauerstoffhaltiger Atmosphäre auf eine Tempe-*/ Von dem Patentsucher ist als der Erfinder angegeben worden:Dr. Emil Duhme in Berlin-Siemensstadt.ratur zwischen 1025 und 1040 ° C erhitzt, sodann in angewärmtem Wasser abgeschreckt und schließlich während längerer Zeit auf eine Temperatur von 300 bis 500° C erhitzt werden.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die infolge der Erhitzung auf die Oxydationstemperatur verzogenen Platten vor der zweiten Wärmenachbehandlung geradegerichtet werden.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES83094D DE543136C (de) | 1927-12-11 | 1927-12-11 | Verfahren zur Herstellung von Platten fuer Kupferoxydgleichrichter |
Applications Claiming Priority (1)
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| DE543136C true DE543136C (de) | 1932-02-01 |
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| DES83094D Expired DE543136C (de) | 1927-12-11 | 1927-12-11 | Verfahren zur Herstellung von Platten fuer Kupferoxydgleichrichter |
Country Status (1)
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| DE (1) | DE543136C (de) |
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1927
- 1927-12-11 DE DES83094D patent/DE543136C/de not_active Expired
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