DE4406849C2 - Verfahren zur Herstellung eines MOS-Transistors mit einem einen flachen Übergang aufweisenden Source/Drain-Bereich und einer Silicidschicht - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines MOS-Transistors gemäß dem Oberbegriff des Patentan­ spruchs 1.

Die Integrationstechnologie für Halbleiter hat in den letzten Jahren erheb­ liche Fortschritte gemacht, so daß es möglich wurde, MOS-Transistoren mit Abmessungen im Micrometerbereich zu integrieren. Bei diesen sehr kleinen MOS-Transistoren verringert sich auch die Übergangstiefe (Tiefe des Halbleiterübergangs) des Source/Drain-Bereichs, so daß der Über­ gang flacher und flacher wird.

Da allerdings der Flächenwiderstand eines Übergangs umgekehrt propor­ tional zur Tiefe des Übergangs ist, vergrößert sich jedoch dieser Flächen­ widerstand des Übergangs mit geringer werdender Tiefe des Sour­ ce/Drain-Bereichs, was zu einer Vergrößerung der parasitären Wider­ stände der Einrichtung führt.

Um bei einer sehr hoch integrierten Schaltung den parasitären Wider­ stand zu verringern und die Eigenschaften der Einrichtung zu verbessern, wurde bereits vorgeschlagen, einen Silicidfilm auf dem Source/Drain- Bereich vorzusehen.

Der Flächenwiderstand eines Halbleiterübergangs ist proportional zum spezifischen Widerstand und umgekehrt proportional zur Tiefe des Über­ gangs, wie bereits erwähnt. Während der spezifische Widerstand von Sili­ cium bei etwa 200 µΩ·cm liegt, beträgt derjenige eines Silicidfilms etwa nur 50 µΩ·cm, auch wenn sich manchmal kleinere Unterschiede bzw. Ab­ weichungen hiervon aufgrund verschiedener Materialzusammensetzun­ gen ergeben. Nutzt man den Vorteil des geringen spezifischen Widerstands von Silicid aus, so läßt sich der Flächenwiderstand eines flachen Über­ gangs bzw. Halbleiterleiterübergangs verringern, was dann auch zur Ver­ ringerung des parasitären Widerstands führt.

Als Silicidfilm für den genannten Zweck kann z. B. ein Titansilicidfilm ver­ wendet werden, wie allgemein bekannt ist. Die Bildung des Titansilicid­ films in einem Source/Drain-Bereich erfolgt über die Reaktion von Titan mit einem Siliciumsubstrat zur Bildung des Halbleiterübergangs, und zwar gemäß nachfolgender Reaktionsgleichung, wobei durch die Bildung des Silicidfilms das Silicium des Source/Drain-Bereichs verbraucht wird und zwar entsprechend der Dicke des gebildeten Silicidfilms:

Ti + 2Si → TiSi₂.

Da die Dicke des gebildeten Silicidfilms dem verbrauchten Teil des Sour­ ce/Drain-Bereichs entspricht und dieser Silicidfilm bzw. verbrauchte Teil des Source/Drain-Bereichs zur Tiefe des Halbleiterübergangs zählt, also ein Teil davon ist, ist es erforderlich eine Technologie zu entwickeln, mit der sich ein dünner, stabiler Silicidfilm herstellen läßt. Darüber hinaus muß sichergestellt werden, daß sich in der Grenzfläche zwischen dem Sili­ cium und dem Silicidfilm innerhalb des Source/Drain-Bereichs mit fla­ chem Übergang gleichmäßige elektrische Eigenschaften einstellen.

Unterschieden werden bei Siliciden die Polysilicide, die durch Reaktion von Polysilicium mit einem einen hohen Schmelzpunkt aufweisenden Me­ tall erhalten werden, und die sich selbst ausrichtenden Silicide (nachfol­ gend als Salicide bezeichnet), die sich durch Reaktion von Silicium mit Me­ tallen ergeben, die einen hohen Schmelzpunkt besitzen.

Nachfolgend werden konventionelle Herstellungsverfahren für MOS-Tran­ sistoren unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher beschrieben.

Die Fig. 1A bis 1E zeigen dabei zunächst ein konventionelles Herstellungs­ verfahren für einen MOS-Transistor mit einem einen flachen Übergang aufweisenden Source/Drain-Bereich, auf dem ein Silicidfilm gebildet wird.

Zunächst wird gemäß Fig. 1A ein konventioneller Zweifach-Diffusionspro­ zeß ausgeführt, um in einem Halbleitersubstrat 11 einen Source/Drain- Bereich 15 mit niedriger Dichte und einen Source/Drain-Bereich 17 mit hoher Dichte herzustellen. Dies erfolgt unter Anwendung eines LOCOS- Prozesses zwecks Bildung eines Feldoxidfilms 12, der das Substrat 11 in einen aktiven Kanalbereich und in einen Einrichtungstrennbereich unter­ teilt. Danach werden ein Gateisolationsfilm 13 und anschließend ein Gate aus einem Polysiliciumfilm 14 auf dem Gateisolationsfilm 13 gebildet, und zwar in einem vorbestimmten Teil des Kanalbereichs. Der Source/Drain- Bereich 15 mit niedriger Dichte wird durch Implantation von Verunreini­ gungen erzeugt, deren Leitungstyp entgegengesetzt zu demjenigen des Substrats 11 ist. Hierbei wird das Gate 14 als Ionenimplantationsmaske verwendet. Der Source/Drain-Bereich 17 mit hoher Dichte wird benach­ bart zum Source/Drain-Bereich 15 mit niedriger Dichte gebildet, und zwar durch Implantation von Ionen in das Substrat 11 hinein, die gegenüber dem Substrat 11 vom entgegensetzten Leitungstyp sind. Dabei werden das Gate 14 und an beiden Seitenwänden des Gates 14 liegende Abstands­ stücke 16 als Ionenimplantationsmaske verwendet.

Die Fig. 1B und 1C illustrieren die Bildung eines Titansilicidfilms (TiSi- Film). Als ein Film mit hohem Schmelzpunkt wird zunächst ein Titanfilm 18 auf der gesamten Oberfläche der sich gemäß Fig. 1A ergebenden Struk­ tur gebildet, und zwar mit relativ geringer Dicke bzw. dünn. Dieser Titan­ film 18 wird dann einem ersten Wärmebehandlungs- bzw. temperungs­ prozeß unterzogen, und zwar bei einer Temperatur von etwa 700°C. Wäh­ rend dieses ersten Wärmebehandlungs- bzw. -temperungsprozesses wan­ dern Siliciumatome in den dünnen Titanfilm 18 hinein. Dabei reagieren die Siliciumatome mit dem Titan, und zwar an der Grenzfläche zwischen dem Siliciumsubstrat 11 und dem dünnen Titanfilm 18 sowie an der Grenzfläche zwischen dem Gate 14 aus Polysilicium und dem dünnen Ti­ tanfilm 18, so daß Titansilicidfilme 19 und 20 entstehen, die eine C₄₉- Phase aufweisen.

Sodann werden gemäß Fig. 1D alle nichtreagierten, verbliebenen Teile des Titanfilms 18 entfernt, und zwar mit einer NH₄OH/H₂O₂-Lösung. Wie bereits oben erwähnt, gehört der Titansilicidfilm 19, der sich auf dem Source/Drain-Bereich 17 gebildet hat, zu den Saliciden, während der Ti­ tansilicidfilm 20 auf dem Gate 14 die Eigenschaften eines Polycids auf­ weist.

Schließlich wird ein zweiter Wärmebehandlungs- bzw. -temperungspro­ zeß durchgeführt, und zwar bei einer Temperatur von nicht weniger als et­ wa 800°C, um Titansilicidfilme 19′ und 20′ zu erhalten, die eine C₅₄-Phase besitzen, wie in Fig. 1E angedeutet ist. Im Ergebnis wird somit ein MOS- Transistor erhalten, bei dem ein dünner Titansilicidfilm 19′ auf einem Source/Drain-Bereich 17 mit flachem Halbleiterübergang liegt.

Der Grund, warum zwei Wärmebehandlungs- bzw. -temperungsprozesse separat durchgeführt werden, ist in Folgendem zu sehen: Wird der dünne Titanfilm einem Metallwärmebehandlungs- bzw. -temperungsprozeß bei hoher Temperatur unterzogen, so wandern die Siliciumatome in den dün­ nen Titanfilm 18 und durchlaufen auch die Abstandsstücke 16, so daß sich ein Titansilicidfilm 19′ mit der C₅₄-Phase nicht nur auf dem Sour­ ce/Drain-Bereich und dem Gate 14 bildet, sondern auch auf den Ab­ standsstücken 16, was zu schädlichen Metallbrücken 21 führt, wie die Fig. 2 erkennen läßt. Da die Metallbrücken 21 leitend sind, wird durch sie ein Kurzschluß erzeugt.

Aus diesem Grunde wird der erste bzw. primäre Wärmebehandlungs- bzw. -temperungsprozeß bei niedriger Temperatur ausgeführt, um einen Titan­ silicidfilm 19 mit C₄₉-Phase nur auf dem Source/Drain-Bereich 17 zu er­ halten. Nichtreagierte Teile des Titanfilms werden anschließend so voll­ ständig entfernt, daß keine Metallbrücken mehr vorhanden sind, wenn der zweite Wärmebehandlungs- bzw. -temperungsprozeß bei hoher Tempera­ tur ausgeführt wird, um zum Titansilicidfilm 19′ mit C₅₄-Phase zu kom­ men.

Beim Titansilicidfilm existieren 2 Polymorphien. Zum einen gibt es Titan­ silicid mit C₄₉-Struktur (also mit orthorhombischer Struktur), wobei die Gitterkonstanten a = 0,362 nm, b = 1,376 nm und c = 0,3605 nm betragen. Darüber hinaus gibt es Titansilicid mit C₅₄-Struktur (ebenfalls orthorhombisch), wobei die Gitterkonstanten a = 0,8236 nm, b = 0,4773 nm und c = 0,8532 nm sind.

Bei der Herstellung einer Halbleitereinrichtung wird TiSi mit C₅₄-Struk­ tur verwendet und zwar aufgrund der besseren Stabilität und des niedrige­ ren spezifischen Widerstandes.

Um den Titansilicidfilm auf dem Source/Drain-Bereich zu erhalten, wie oben erwähnt, wird vom Source/Drain-Bereich ein wenig verbraucht, da sich der Silicidfilm mit einer endlichen Dicke einstellt. Dieser verbrauchte Teil des Source/Drain-Bereichs liegt dabei innerhalb der Übergangstiefe des Source/Drain-Bereichs.

Da sich der Kontaktwiderstand im allgemeinen mit größer werdender Dicke des Silicidfilms ebenfalls vergrößert, wird vorzugsweise der Silicid­ film mit einer Dicke hergestellt, die nicht mehr als 30 Nanometer beträgt.

Um den dünnen Silicidfilm zu erhalten, wird, wie bereits erwähnt, ein Titanfilm dünn niedergeschlagen. Allerdings weisen der dünne Titanfilm und der dünne Silicidfilm nur eine schlechte Wärmestabilität auf. Wäh­ rend des zweiten Wärmebehandlungsprozesses können Agglomerationen bzw. Zusammenballungen auftreten, durch die die Eigenschaften der Ein­ richtung bzw. des Transistors verschlechtert werden.

Zusätzlich ergeben sich infolge der geringen Dicke des Titansilicidfilms und seiner damit verbundenen thermischen Instabilität beim konventio­ nellen Herstellungsverfahren Knoten, Bögen und Abkrümmungen an der Grenzfläche zwischen dem Titansilicidfilm 19′ und dem Source/Drain- Bereich 17 aus Silicium. Es wird daher keine gleichmäßige Material­ schicht an dieser Grenzfläche erhalten, wodurch sich die Eigenschaften des Transistors ebenfalls verschlechtern.

Unter den Methoden zur Bildung eines dünnen Silicidfilm auf einem Source/Drain-Bereich mit flachem Halbleiterübergang gibt es eine solche, bei der Silicid als Diffusionsquelle zum Einsatz kommt. Es handelt sich hier um das bekannte SADS-Verfahren.

Das SADS-Verfahren wurde unter anderem in J. Electrochemical Soc., Vol. 139, Nr. 1, 196-206, 1992 beschrieben. Gemäß diesem SADS-Verfahren wird zu­ nächst ein Silicidfilm auf einem Siliciumsubstrat hergestellt. Sodann wer­ den Dotierungsionen in den Silicidfilm implantiert, der anschließend wär­ mebehandelt wird, so daß durch Diffusion die Dotierungsverunreinigung aus dem Silicid in das Siliciumsubstrat gelangt. Auf diese Weise wird ein Source/Drain-Bereich mit flachem Halbleiterübergang erhalten. Dieses Verfahren unterscheidet sich wesentlich von dem in Fig. 1 beschriebenen Verfahren, bei dem ein Source/Drain-Bereich vor dem Erzeugen des Sili­ cidfilms gebildet wird.

Nachfolgend wird unter Bezugnahme auf die Fig. 3A bis 3G ein bekanntes Herstellungsverfahren für einen MOS-Transistor unter Anwendung des SADS-Prozesses beschrieben.

Gemäß Fig. 3A wird zunächst ein sogenannter LOCOS-Prozeß ausgeführt, um einen Feldoxidfilm 32 zu erhalten, der ein Substrat 31 in einen aktiven Kanalbereich und in einen Einrichtungstrennbereich unterteilt. Sodann werden ein Gateisolationsfilm 33 und anschließend auf diesem Film 33 ein Gate aus einem Polysiliciumfilm 34 in einem vorbestimmten Teil des Ka­ nalbereichs gebildet. In einem weiteren Verfahrensschritt werden zwei Abstandsstücke 35 hergestellt, die aus einem Isolationsfilm bestehen, der sich an den beiden Seitenwänden des Gates 34 und des Gateisolations­ films 33 befindet.

Die Fig. 3B bis 3E dienen zur Erläuterung der Herstellung eines Silicid­ films. Das Silicid wird dabei in ähnlicher Weise wie durch das in den Fig. 1B bis 1E beschriebene Verfahren gebildet. Zunächst wird auf die gemäß Fig. 3A erhaltene Struktur ein dünner Titanfilm 36 aufgebracht. Sodann erfolgt ein erster Wärmebehandlungsprozeß bei einer Temperatur von etwa 700°C, um einen Titansilicidfilm 37 mit C₄₉-Phase an der Grenzflä­ che zwischen dem Titanfilm 36 und dem Siliciumsubstrat 31 sowie einen anderen Titansilicidfilm 38 an der Grenzfläche zwischen dem Gate 34 und dem Titanfilm 36 zu erhalten.

Danach werden die nichtreagierten Teile des Titanfilms vollständig ent­ fernt, und zwar mit einer NH₄OH/H₂O₂-Lösung. Sodann erfolgt ein zwei­ ter Wärmebehandlungs- bzw. -temperungsprozeß bei höheren Temperatu­ ren, die nicht unterhalb von 800°C liegen. Hierdurch werden die Titansili­ cidfilme 37 und 38 mit C₄₉-Phase in Titansilicidfilme 37′ und 38′ mit C₅₄- Phase transformiert.

Gemäß Fig. 3F werden dann bei niedriger Beschleunigungsenergie von etwa 10 KeV Dotierungsionen mit einem gegenüber dem Substrat umge­ kehrten Leitungstyp in die Titansilicidfilme 37′ und 38′ implantiert. Bei­ spielsweise werden bei einem p-Typ-Substrat (NMOS) As⁺-Ionen implan­ tiert. Dagegen werden BF⁺-Ionen implantiert, wenn das Substrat vom n- Typ ist (PMOS).

Schließlich erfolgt gemäß Fig. 3G ein Wärmebehandlungs- bzw. -tempe­ rungsprozeß bei einer Temperatur von etwa 1000°C, so daß die in den Ti­ tansilicidfilm 37′ implantierten Dotierstoffe in das Substrat 31 diffundie­ ren können.

Im Ergebnis wird ein Source/Drain-Bereich 39 mit flachem Übergang ent­ lang des Silicidfilms erhalten, wodurch die Herstellung des MOS-Transis­ tors im wesentlichen abgeschlossen ist.

Bei diesem SADS-Verfahren ist es erforderlich, daß unmittelbar nach der Ionenimplantation der Dotierstoff nur im Titansilicidfilm verteilt wird. Beim herkömmlichen Ionenimplantationsprozeß werden aber nur Be­ schleunigungsenergien verwendet, die nicht kleiner als 30 KeV sind. Ist Jedoch die Ionenimplantationsenergie zu groß, so gelangt Dotierstoff bei der Ionenimplantation auch schon in das Siliciumsubstrat. Dies führt zu einer Vergrößerung des Leckstromes infolge des bei der Ionenimplantation auftretenden Auftreffeffekts (Knock-on-Effect).

Um den Leckstrom zu verhindern, ist ein Ionenimplantationsgerät erfor­ derlich, bei dem eine niedrige Beschleunigungsenergie von etwa 10 KeV eingestellt werden kann. Allerdings ist die Anwendung einer niedrigen Be­ schleunigungsenergie nachteilig im Hinblick auf Durchsatz und Sicher­ heit. Soll z. B. bei einer niedrigen Beschleunigungsenergie von etwa 10 KeV Dotierstoff nur im Titansilicidfilm verteilt werden, so muß das Substrat zunächst in einen amorphen Zustand überführt werden, wozu zuerst Dotierstoff, z. B. Ge⁺, in das Substrat implantiert wird.

Darüberhinaus ist es erforderlich, den Wärmebehandlungs- bzw. -tempe­ rungsprozeß zweimal durchzuführen, um unter Anwendung des SADS- Verfahrens zu einem Titansilicidfilm zu kommen, wodurch weitere Proble­ me entstehen.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der zuletzt genannten Art zur Herstellung eines MOS-Transistors mit einem dünnen Silicidfilm und einem einen fla­ chen Übergang aufweisenden Source/Drain-Bereich zu schaffen, das ein­ facher durchführbar ist und zu besseren Eigenschaften des hergestellten Transistors führt.

Die Lösung der gestellten Aufgabe ist im kennzeichnenden Teil des Patent­ anspruchs 1 angegeben. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind den Unteransprüchen zu entnehmen.

Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Zeichnung nä­ her beschrieben. Es zeigen:

Fig. 1A bis 1E Querschnittsdarstellungen zur Erläuterung eines konven­ tionellen MOS-Transistor mit dünnem Silicidfilm sowie einem Source/Drain-Bereich mit flachem Übergang;

Fig. 2 eine Querschnittsdarstellung zur Erläuterung der Bildung einer Metallbrücke, die beim konventionellen Herstellungsverfahren gemaß Fig. 1 entsteht:

Fig. 3A bis 3G Querschnittsdarstellungen zur Erläuterung eines bekannten Herstellungsprozesses für einen MOS-Transistor, bei dem ein Prozeß zum Einsatz kommt (SADS-Prozeß), bei dem Silicid als Diffusions­ quelle verwendet wird; und

Fig. 4A bis 4E Querschnittsdarstellungen zur Erläuterung eines erfin­ dungsgemäßen Herstellungsprozesses für einen MOS-Transistor, bei dem ein SADS-Prozeß zum Einsatz kommt.

Das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren wird nachfolgend unter Be­ zugnahme auf die Fig. 4A bis 4E näher beschrieben. Diese Figuren zei­ gen ein Verfahren mit SADS-Prozeß zur Herstellung eines MOS-Transis­ tors mit dünnem Silicidfilm sowie einem Source/Drain-Bereich mit fla­ chem Übergang bzw. Halbleiterübergang.

Zunächst wird gemäß Fig. 4A ein Siliciumsubstrat 41 in einen Kanalbe­ reich und in einen Einrichtungstrennbereich unterteilt, und zwar durch einen Feldoxidfilm 42, der mit Hilfe eines LOCOS-Prozesses hergestellt wird. Sodann wird im Zentralbereich des Kanalbereichs ein Gateisola­ tionsfilm 43 gebildet. In einem weiteren Schritt wird ein Gate 44 herge­ stellt, das auf dem Gateisolationsfilm 43 zu liegen kommt. Das Gate 44 be­ steht aus einem Polysiliciumfilm. Zwei Abstandsstücke 45, hergestellt durch Aufbringen eines Oxidfilms, befinden sich an den beiden Seiten­ wänden sowohl des Gateisolationsfilms 43 als auch des Gates 44.

Wie in Fig. 4B zu erkennen ist, wird auf die gesamte Oberfläche der ge­ mäß Fig. 4A erhaltenen Struktur ein dünner Titannitridfilm 46 nie­ dergeschlagen bzw. aufgebracht, der einen Ti-Überschuß aufweist (TiN_x mit 0 < x < 1). Dieser Titannitridfilm 46 wird durch einen reaktiven Sput­ terprozeß erzeugt.

Die Fig. 4C zeigt die Bildung von zwei Arten von Titansilicidfilmen 47 und 49. Zu diesem Zweck wird ein schneller Wärmetemperungsprozeß (nach­ folgend als RTA-Prozeß bezeichnet (rapid thermal annealing process)) aus­ geführt, und zwar bei Temperaturen von etwa 800°C sowie unter einer Stickstoff(N₂)- oder einer Ammoniak(NH₃)-Umgebung. Während des schnellen Wärmetemperungsprozesses tritt ein Phasentrennphänomen auf, das dazu führt, daß ein Titansilicidfilm 47 mit C₅₄-Phase, also ein Sa­ licidfilm in der Grenzfläche zwischen dem Substrat 41 und dem Titan­ nitridfilm 46 erhalten wird, während ein Titansilicidfilm 49 mit C₅₄-Pha­ se, also ein Polycidfilm in der Grenzfläche zwischen dem Gate 44 und dem Titannitridfilm 46 erhalten wird.

Während sich die Filme mit C₅₄-Phase bilden, bildet sich darüber hinaus auch ein Ti_xO_yN_z-Film 48 in der Grenzfläche zwischen dem Feldoxidfilm 42 und dem Titannitridfilm 46 sowie im Bereich zwischen den aus ei­ nem Oxidfilm bestehenden Seitenwandstücken 45 und dem Titanni­ tridfilm 46 infolge der größeren Oxidationsenergie des Titans. Genauer ge­ sagt ist die Oxidationsenergie des Titans größer als die des Siliciumoxids (SiO₂).

Der sich infolge der Phasentrennung ergebende Titansilicidfilm 47 be­ stimmt sich durch den x-Wert des dünnen Titannitridfilms (TiN_x) 46. Nimmt der Wert von x zu, wird er also größer, so steigt auch die Dicke des TiSi-Films. Beträgt beispielsweise der Wert x = 0,3, so liegt das Dickenver­ hältnis zwischen dem TiN-Film und dem TiSi₂-Film bei etwa 1 : 1. Aus die­ sem Grunde verbleibt der gesamte Dotierstoff innerhalb des dünnen Titan­ silicidfilms 47, auch wenn der Ionenimplantationsprozeß bei einer Be­ schleunigungsenergie erfolgt, die nicht kleiner als 30 KeV ist. Das hat zur Folge, daß nach Durchführung der Ionenimplantation die Diffusion des Dotierstoffes in das Substrat hinein bei entsprechender thermischer Wär­ mebehandlung bzw. Temperung nicht die elektrischen Eigenschaften der gebildeten Einrichtung beeinflußt.

Im Gegensatz zum bekannten Verfahren werden bei dem erfindungs­ gemäßen Verfahren auch keine Metallbrücken erhalten, obwohl der RTA- Prozeß bei hoher Temperatur von etwa 800°C ausgeführt wird. Wie bereits erwähnt, bildet sich während der Phasentrennung auch der Oxidfilm 48 an der Grenzfläche zwischen dem Titannitridfilm 46 und den Seitenwand­ stücken 45 während der thermischen Wärmebehandlung bei hoher Tem­ peratur, so daß sich der Titansilicidfilm 47 nur auf dem Siliciumsubstrat 41 ausbilden kann. Die Bildung einer Metallbrücke auf den Seitenwand­ stücken 45 wird verhindert.

Die Fig. 4D zeigt, wie ein Source/Drain-Bereich 50 mit flachem Übergang hergestellt wird. Zu diesem Zweck wird Dotierstoff mit einem Leitungstyp, der entgegengesetzt zum Leitungstyp des Siliciumsubstrats 41 ist, in die gesamte Oberfläche der so erhaltenen Struktur implantiert, wie die Pfeile erkennen lassen. Anschließend erfolgt eine thermische Behandlung bzw. Temperung, so daß der implantierte Dotierstoff in das Substrat 41 hinein­ diffundiert. Dadurch bildet sich der Source/Drain-Bereich 50 mit flachem Übergang.

Anschließend werden gemäß Fig. 4E der verbleibende Titannitridfilm 46 und der Ti_xO_yN_z-Film 48, nicht aber die Titansilicidfilme 47 und 49, entfernt, und zwar mit Hilfe einer NH₄OH/H₂O₂-Lösung oder einer ande­ ren sauren Lösung, um einen MOS-Transistor mit einem dünnen Silicid­ film und einem einen flachen Übergang aufweisenden Source/Drain- Bereich zu erhalten. In Übereinstimmung mit der Erfindung wird vorteil­ haft von der Phasentrennung des Ti-überschüssigen Titannitridfilms Gebrauch gemacht, um den dünnen Silicidfilm bei Durchführung nur ei­ nes einzigen Metallwärmebehandlungsprozesses zu erhalten. Dies verein­ facht das Herstellungsverfahren nach der Erfindung gegenüber dem kon­ ventionellen Verfahren erheblich, da dort zweimal ein Wärmebehandlung­ sprozeß durchgeführt werden muß.

Zusätzlich wird bei der Erfindung der Verbrauch an Source/Drain-Be­ reich minimiert. Der Titansilicidfilm eignet sich zur Bildung eines flachen Übergangs und ferner dazu, ein Ansteigen des Kontaktwiderstandes zu verhindern.

Bessere Eigenschaften der Einrichtung werden auch dadurch erhalten, daß sich keine Metallbrücken mehr ausbilden können. Dies liegt an der Ausnutzung des Phasentrennphänomens, durch das die Bildung von Me­ tallbrücken auch dann verhindert wird, wenn ein thermischer Wärmebe­ handlungs- bzw. -temperungsprozeß bei hoher Temperatur durchgeführt wird.

Andererseits erfolgt die Bildung des Source/Drain-Bereichs bzw. die da­ mit zusammenhängende Ionenimplantation bei einer nicht unterhalb von 30 KeV liegenden Beschleunigungsenergie sowie unter Einsatz eines her­ kömmlichen Ionenimplantationsgerätes, so daß sich weitere Vorteile ge­ genüber dem konventionellen Verfahren ergeben, insbesondere hinsicht­ lich des parasitären Widerstandes, z. B. des Flächenwiderstandes des Halbleiterüberganges, sowie hinsichtlich der elektrischen bzw. Einrich­ tungseigenschaften.

Claims (7)

1. Verfahren zur Herstellung eines MOS-Transistors mit einem einen flachen Übergang aufweisenden Source/Drain-Bereich sowie einem dün­ nen Silicidfilm, mit folgenden Schritten:

• - Durchführung eines Feldoxidationsprozesses zur Bildung eines als Einrichtungstrennung dienenden Feldoxidfilms (42) auf einem vorbe­ stimmten Teil eines Siliciumsubstrats (41)
• - auf das Siliciumsubstrat (41) werden der Reihe nach ein Isolations­ film und darauf ein Polysiliciumfilm aufgebracht, die anschließend struk­ turiert werden, um einen Gateisolationsfilm (43) und ein Gate (44) in ei­ nem vorbestimmten Bereich auf dem Siliciumsubstrat (41) zu erhalten, wobei die anderen Bereiche des Siliciumsubstrats (41) freiliegen; und
• - Bildung von Abstandsstücken (45) aus einem Oxidfilm an den jeweili­ gen Seitenwänden des Gates (44); gekennzeichnet durch folgende Schritte:
• - auf die so erhaltene Struktur wird ein dünner Titannitridfilm (46) aufgebracht;
• - Durchführung eines schnellen Wärmebehandlungs- bzw. -tempe­ rungsprozesses zur Bildung von Titansilicidfilmen (47, 49) an der Grenz­ fläche zwischen dem freiliegenden Substrat (41) und dem Titannitrid­ film (46) sowie an der Grenzfläche zwischen dem Gate (44) und dem Titan­ nitridfilm (46), sowie zur weiteren Bildung eines Ti_xO_yN_z-Films (48) an der Grenzfläche zwischen dem Feldoxidfilm (42) und dem Titannitrid­ film (46) sowie an der Grenzfläche zwischen den Seitenwandstücken (45) und dem Titannitridfilm (46);
• - Dotierungsionen eines gegenüber dem Substrat (41) entgegengesetz­ ten Leitungstyp werden in den Titannitridfilm (46) und den Titansili­ cidfilm (47, 49) implantiert;
• - der Titannitridfilm (46) und der Titansilicidfilm (47, 49), die den Dotierstoff enthalten, werden einem Wärmebehandlungs- bzw. -tempe­ rungsprozeß unterzogen, um im Siliziumsubstrat (41) einen Source/Drain-Bereich mit flachem Übergang zu bilden, wobei der Dotier­ stoff in das Siliziumsubstrat (41) hineindiffundiert und
• - es werden der verbleibende Titannitridfilm (46) und der Ti_xO_yN_z- Film (48), nicht jedoch die Titansilicidfilme (47, 49), entfernt.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Titan­ nitridfilm (46) einen Überschuß an Ti aufweist und folgender Formel genügt TiN_x mit x zwischen 0 und 1.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Titan­ nitridfilm (46) durch einen reaktiven Sputterprozeß aufgebracht wird.

4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der schnelle Wärmebehandlungs- bzw. -temperungsprozeß bei einer Tempe­ ratur von etwa 800°C ausgeführt wird.

5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der schnelle Wärmebehandlungs- bzw. -temperungsprozeß in einer Ammoni­ akumgebung oder einer Stickstoffumgebung ausgeführt wird.

6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Do­ tierungsionen mit einem gewöhnlichen bzw. gemeinsamen Ionenimplan­ tationsgerät bei einer Beschleunigungsenergie von nicht weniger als 30 KeV implantiert werden.

7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der ver­ bleibende Titannitridfilm (46) und der Ti_xO_yN_z-Film (48) entfernt wer­ den, und zwar durch Auswahl eines Lösungsmittels, das zu einer eine NH₄OH/H₂O₂-Lösung enthaltenden Gruppe gehört, oder durch Auswahl anderer saurer Lösungen.