DE4228795C2

DE4228795C2 - Drehratensensor und Verfahren zur Herstellung

Info

Publication number: DE4228795C2
Application number: DE19924228795
Authority: DE
Inventors: Frank Bantien
Original assignee: Robert Bosch GmbH
Current assignee: Robert Bosch GmbH
Priority date: 1992-08-29
Filing date: 1992-08-29
Publication date: 2003-07-31
Anticipated expiration: 2012-08-30
Also published as: DE4228795A1

Description

Stand der Technik

Die Erfindung geht aus von einem Drehratensensor nach der Gattung des Hauptanspruchs. Aus der DE-A1-40 32 559 ist bereits ein Dreh ratensensor mit einem Schwinger bekannt, der in einer Schwingungs achse zu Schwingungen angeregt wird und auf dem ein Beschleunigungs sensor angeordnet ist, der die sich auf Grund der Drehung ergebende Coriolisbeschleunigung mißt. Der Schwinger kann dabei aus einem Siliziumwafer herausstrukturiert werden. Weiterhin ist aus der WO 92/03740 ein besonders kleiner Beschleunigungssensor bekannt, der auf der Oberfläche eines Siliziumwafers hergestellt ist.

Vorteile der Erfindung

Der erfindungsgemäße Drehratensensor mit den kennzeichnenden Merk malen des Hauptanspruchs hat demgegenüber den Vorteil, daß der An trieb des Schwingers und der Beschleunigungssensor zur Detektion der Coriolisbeschleunigung mit mikromechanischen Fertigungsschritten be sonders einfach herzustellen ist. Durch die senkrechte Orientierung der Schwingungsachse zur Waferoberfläche, d. h. der Schwinger bewegt sich in einer Schwingungsachse, die senkrecht auf der Waferober fläche steht, kann der Schwinger besonders platzsparend ausgeführt werden und somit ist eine besonders kostengünstige Herstellung des Drehratensensors mög lich. Der Schwinger kann so besonders einfach ausgeführt werden, dies ermöglicht die Verwendung von gut bekannten und sehr präzisen Prozeßschritten für die Herstellung des Sensors.

Das Herstellungsverfahren nach Anspruch 11 zeichnet sich durch seinen einfachen Ablauf und die hohe Präzision der Herstellung der Drehratensensoren aus.

Durch die in den Unteransprüchen aufgeführten Maßnahmen sind vor teilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen des im Hauptanspruch angegebenen Drehratensensors möglich. Durch die Verwendung eines Wafers, der mehrere Schichten aufweist, können besonders einfache und klar definierte Herstellungsverfahren verwendet werden. Dabei können Siliziumschichten mit unterschiedlichen Dotierungen oder Schichtkombinationen von Silizium und dielektrischen Materialien verwendet werden. In einer besonders einfachen Ausführungsform be steht der Schwinger aus einem Schwingbalken und einer daran be festigten Platte. Die Schwingungen dieses Schwingers können besonders einfach angeregt werden, indem ein Antrieb auf dem Schwingbalken angeordnet wird. Zweckmäßigerweise wird dabei der Beschleunigungssensor auf der Platte angeordnet. Durch die Auslegung des Beschleunigungssensors als kapazitiver Beschleunigungssensor wird eine besonders hohe Meßempfindlichkeit und Temperatur unempfindlichkeit der Messungen der Coriolisbeschleunigung erreicht. Die bewegliche Elektrode kann dabei besonders einfach als Biege balken ausgebildet werden. Durch die Verwendung von mehreren Teil elektroden kann die Kapazität des Beschleunigungssensors und so die Genauigkeit der Signalmessungen verbessert werden.

Zeichnungen

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. Es zeigen Fig. 1 einen erfindungsgemäßen Drehratensensor, Fig. 2 und Fig. 3 einen Querschnitt durch den Drehratensensor nach Fig. 1, Fig. 4 ein weiteres Ausführungsbeispiel für einen Drehratensensor und die Fig. 5 bis 8 ein mögliches Herstellungsverfahren für den Drehratensensor.

Beschreibung der Ausführungsbeispiele

In der Fig. 1 wird ein erstes Ausführungsbeispiel für den erfindungsgemäßen Drehratensensor gezeigt. Der Drehratensensor weist einen Schwinger 4 auf, der aus einem Schwingbalken 5 und einer Platte 6 besteht. Der Schwingbalken 5 ist auf seiner einen Seite mit einem Siliziumwafer 1 und auf der anderen Seite mit der Platte 6 verbunden. Der Siliziumwafer 1 weist eine dünne obere Schicht 2 und eine dicke untere Schicht 3 auf. Die obere Schicht 2 wird im Folgenden auch als obere Waferschicht 2 bezeichnet und die untere Schicht 3 wird auch als untere Waferschicht 3 bezeichnet. Die Steifigkeit des Schwingbalkens 5 ist so ausgelegt, daß die Steifigkeit in der dargestellten Z-Richtung sehr gering und in der dazu senkrechten Y-Richtung vergleichsweise groß ist. Durch diese Auslegung der Steifigkeit des Schwingbalkens 5 wird erreicht, daß der Schwinger 4 besonders einfach zu Schwingungen in der Schwingungsachse 7, d. h. in Z- Richtung angeregt werden kann. Dies erfolgt durch einen Antrieb 8, der auf dem Schwingbalken 5 angeordnet ist. Weiterhin ist auf der Platte 6 ein Beschleunigungssensor, bestehend aus zwei feststehenden Elektroden 10, einer beweglichen Elektrode 11 und einem Lagerblock 12 gezeigt. Dabei ragt die zungenartige bewegliche Elektrode 11 vom Lagerblock 12 ausgehend zwischen die feststehenden Elektroden 10. Der hier gezeigte Beschleunigungssensor ist so angeordnet, daß er eine Beschleunigung in Y-Richtung mißt. Zur Kontaktierung der Elektroden 10, 11 sind Leiterbahnen 9 vorgesehen, die hier nur schematisch als einzelne Leiterbahnen 9 auf dem Wafer 1 und dem Schwingbalken 5 angedeutet sind. Ebenso sind elektrische Zuleitungen zum Antrieb 8 vorgesehen.

Der hier gezeigte Drehratensensor weist eine Drehung des Sensors aufgrund der Coriolisbeschleunigung nach. Dazu wird der Schwinger 4 zu Schwingungen in der Schwingungsachse 7 angeregt, d. h. die Bewegungen der Platte 6 erfolgen größtenteils in Z-Richtung. Durch die mit der Biegung eines Biegebalkens verbundene Schwenkbewegung wird die Platte 6, und damit der darauf angeordnete Beschleunigungs sensor, auch geringfügig in X-Richtung bewegt. Die Bewegung in X-Richtung ist jedoch vernachlässigbar klein gegenüber der Bewegung in Z-Richtung. Die Schwingung in der Schwingungsachse 7 ist daher so zu verstehen, daß der größte Teil der Bewegung in Z-Richtung erfolgt. Störende Bewegungen in X-Richtung lassen sich aber auch durch eine zweiseitige Befestigung der Platte eliminieren. Während dieser Schwingung weist die Platte 6 beim Nulldurchgang die größte Geschwindigkeit auf, während die Geschwindigkeit beim oberen und unteren Umkehrpunkt der Schwingung gleich Null ist. Bei einer Drehung des Sensors um die X-Achse kommt es aufgrund der Coriolis beschleunigung zu einer Beschleunigung in Y-Richtung. Durch diese Beschleunigung in Y-Richtung wird die bewegliche Elektrode 11 relativ zu den feststehenden Elektroden 10 bewegt. Da die bewegliche Elektrode 11 mit jeder der feststehenden Elektroden 10 einen Plattenkondensator bildet, und die Kapazität in einem Platten kondensator vom Abstand der Kondensatorplatten abhängt, wird durch die Coriolisbeschleunigung die Kapazität zwischen der beweglichen Elektrode 11 und den feststehenden Elektroden 10 verändert. Diese Veränderung der Kapazität ist ein Maß für die auftretendes Coriolis beschleunigung, die wiederum ein Maß für die Drehgeschwindigkeit um die X-Achse ist. Weiterhin ist die Coriolisbeschleunigung pro portional zur Geschwindigkeit der beweglichen Platte; da diese mit der Schwingungsfrequenz des Schwingers 4 oszilliert, ist auch das Drehratensignal mit der Frequenz der Schwingung moduliert.

In der Fig. 2 wird ein Querschnitt durch den Drehratensensor nach Fig. 1 entlang der Linie I-I gezeigt. Sie zeigt die Platte 6, auf der die feststehenden Elektroden 10 gelegen sind und die zwischen den festehenden Elektroden 10 angeordnete bewegliche Elektrode 11. Die bewegliche Elektrode 11 ist hier als Biegebalken ausgeführt. Dieser Biegebalken ist nicht direkt mit der Platte 6 verbunden und kann sich daher frei zwischen den beiden feststehenden Elektroden 11 bewegen. Die Steifigkeit der als Biegebalken ausgebildeten beweg lichen Elektrode 11 ist in der Y-Richtung gering, so daß die beweg liche Elektrode 11 auch bei geringen Beschleunigungen ihre Lage relativ zu den feststehenden Elektroden 10 ändert. Die Steifigkeit der beweglichen Elektrode 11 ist jedoch in Z-Richtung groß, so daß durch Beschleunigungen in Z-Richtungen nur eine minimale Bewegung der beweglichen Elektrode 11 erfolgt.

In der Fig. 3 ist ein Querschnitt durch den Drehratensensor nach Fig. 1 entlang der Linie II-II gezeigt. Auf dieser Linie II-II wird ein Querschnitt durch die Platte 6 und den darauf aufgebrachten Lagerblock 12 und der beweglichen Elektrode 11 und ein Querschnitt durch den Schwingbalken 5 mit dem darauf aufgebrachten Antrieb 8 gezeigt. Weiterhin wird auch ein Querschnitt durch den Siliziumwafer 1, bestehend aus der oberen Schicht 2 und der unteren Schicht 3 gezeigt. Die bewegliche Elektrode 11 ist mit einem Ende am Lager block 12 befestigt, so daß sie über den Lagerblock 12 fest auf der beweglichen Platte 6 verankert ist. Durch die Aufhängung am Lager block 12 wird die bewegliche Elektrode 11 in der Größenordnung von einem Mikrometer über der Platte 6 gehalten. Durch diesen Abstand zur beweglichen Platte 6 wird die bewegliche Elektrode 11 in ihrer Bewegung nicht durch Reibung mit der Platte 6 behindert.

Durch den Antrieb 8 wird der Schwinger 4, bestehend aus Schwing balken 5 und Platte 6, zu Schwingungen angeregt. Bei dem Antrieb 8 handelt es sich um eine dünne Schicht, die fest auf den Schwing balken 5 aufgebracht ist. Wenn der Antrieb 8 seine Länge in X-Richtung ändert, so wird der Schwingbalken 5 verbogen. Für den Antrieb 8, der seine Länge ändern kann, sind verschiedene Schicht materialien bzw. Wirkprinzipien geeignet. Beim thermomechanischen Antrieb wird - wie in Fig. 3 gestrichelt angedeutet - ein Wider standselement 30 verwendet, das durch einen durch das Wider standselement 30 hindurchfließenden Strom erwärmt wird. Dabei wird der gesamte Schwingbalken 5 incl. Antrieb erwärmt. Für den Antrieb 8 ist dazu beispielsweise eine Metallschicht auf dem Schwingbalken 5 aufgebracht und ein Widerstandselement 30 durch Diffusion von Dotierstoffen in den Schwingbalken 5 unterhalb des Antriebs 8 ein gebracht. Wenn der thermische Ausdehnungskoeffizient des thermo mechanischen Antriebs und des Schwingbalkens 5 nicht gleich sind, so kommt es durch die Erwärmung zu einer unterschiedlich starken Aus dehnung des Antriebs 8 und des Schwingbalkens 5. Um diesen Effekt zu realisieren sind beispielsweise Metallschichten geeignet, die einen um ca. 5-10fach größeren thermischen Ausdehnungskoeffizienten auf weisen als Silizium. Ein thermomechanischer Antrieb muß an seinen beiden Enden eine elektrische Zuleitung aufweisen, um von einem elektrischen Strom durchflossen zu werden.

Weiterhin kann als Antrieb eine piezoelektrische Schicht, beispielsweise aus Zinkoxid verwendet werden. Eine solche piezo elektrische Schicht ändert ihre Länge, wenn sie in einem elektrischen Feld gelegen ist. Das elektrische Feld kann besonders einfach durch Anlegen von elektrischen Spannungen an Elektroden erzeugt werden, die auf der Oberseite und Unterseite des piezo elektrischen Antriebs gelegen sind.

Weiterhin ist für den Antrieb die Verwendung einer magnetostriktiven Schicht möglich. Eine magnetostriktive Schicht ändert ihre Länge, wenn sich die Schicht in einem sich ändernden Magnetfeld befindet. In diesem Fall sind keine Zuleitungen zum Antrieb notwendig, eine Spule zur Erzeugung des Magnetfeldes kann sich auch in relativ weiter Entfernung des Antriebs 8 befinden. Derartige magneto striktive Antriebe werden beispielsweise in der deutschen Patent anmeldung 42 20 226 beschrieben.

In der Fig. 4 wird ein weiteres Ausführungsbeispiel für den erfindungsgemäßen Drehratensensor mit einer anderen Ausgestaltung des Beschleunigungssensors gezeigt. Auf der Platte 6 ist der Beschleunigungssensor, bestehend aus Lagerblöcken 13, an denen die bewegliche Elektrode 14 mittels Biegefedern 18 aufgehängt ist, sowie die feststehenden Gegenelektroden 20, die geeignet zu verschalten sind, angeordnet. Die bewegliche Elektrode 14 weist mehrere Teil elektroden 15 auf, die jeweils zwischen zwei feststehenden Elektroden 20 angeordnet sind. Zur Vereinfachung sind auch hier die Leiterbahnen zur Kontaktierung der Lagerblöcke 13 und der fest stehenden Elektroden 20 nicht gezeigt. Ebenso sind der Schwingbalken 5 und der Antrieb 8 nur angedeutet.

Der hier gezeigte Bechleunigungssensor entspricht im wesentlichen dem Beschleunigungssensor wie er bereits aus der WO 92/03740 bekannt ist. Die Detektionsrichtung, d. h. die Richtung, in der dieser Sensor Beschleunigungen mißt, ist die Y-Richtung. Der hier gezeigte Dreh ratensensor ist somit ausgelegt, Drehungen um die X-Achse nach zuweisen. Die Biegefedern 18 sind dabei so ausgelegt, daß bereits eine geringe Beschleunigung in Y-Richtung ausreicht, um die beweg liche Elektrode 14 auszulenken. Es versteht sich, daß sowohl der in der Fig. 1 wie auch der in der Fig. 4 gezeigte Beschleunigungs sensor mit seiner Meßrichtung auch in X-Richtung auf dem Paddel 6 angeordnet werden kann. Dadurch würden Drehungen um die Y-Achse nachgewiesen.

Durch die Aufteilung der beweglichen Elektrode 14 in mehrere Teil elektroden 15 wird eine Vergrößerung der Kapazität des Beschleunigungssensors bewirkt und somit die Meßbarkeit des Signals verbessert. Weiterhin kann bei diesem Beschleunigungssensor die Empfindlichkeit der Biegefedern 18 unabängig von der Länge der Teil elektroden 15 eingestellt werden. Weiterhin sind die Teilelektroden 15 immer parallel zu den feststehenden Elektroden 20, wodurch die Linearität des Meßsignals verbessert und die Auswertung vereinfacht wird.

In den Fig. 5 bis 8 wird ein Herstellungsverfahren für die erfindungsgemäßen Drehratensensoren beschrieben.

In einem ersten Schritt wird, wie in der Fig. 5 gezeigt, ein Siliziumwafer 1 mit einer oberen Schicht 2 und einer unteren Schicht 3 erzeugt. Wesentliches Merkmal dieser unterschiedlichen Schichten ist, daß die untere Schicht 3 selektiv gegen die obere Schicht 2 geätzt werden kann. Materialkombinationen für solche Schichten sind bekannt, beispielsweise kann die untere Schicht 3 aus einem Siliziumwafer und die obere Schicht 2 aus einer dielektrischen Schicht aus Siliziumoxid oder Silizimnitrid bestehen. Weiterhin ist es möglich, daß die Schichten 2, 3 aus Silizium unterschiedlicher Dotierung bestehen. Dabei kann zum einen die Dotierung der oberen Schicht 2 sehr groß sein (p⁺-Ätzstop) oder aber es kann ein pn-Übergang zwischen den beiden Schichten 2, 3 vorliegen. Für die weitere Beschreibung des Herstellungsverfahrens sei hier davon ausgegangen, daß es sich um einen pn-Übergang handelt. Auf der Oberfläche dieses Wafers werden nun Schichten 16 mittels Dünn schichtverfahren aufgebracht und strukturiert die aus der IC-Fertigung bekannt sind. Die Schicht 16 wird als Opferschicht bezeichnet, da sie im Herstellungsprozeß nur eine temporäre Funktion hat und in einem späteren Prozeßschritt wieder entfernt wird. Wesentliches Merkmal der Opferschicht 16 ist, daß sie geätzt werden kann, ohne die anderen Materialien des Drehratensensors zu ätzen.

Im nächsten Herstellungsschritt wird eine Polysiliziumschicht auf gebracht, aus der, wie in der Fig. 6 gezeigt, durch entsprechende Ätzprozesse die Strukturen für den Beschleunigungssensor heraus strukturiert werden. Beispielhaft sind hier der Lagerblock 12 und die bewegliche Elektrode 11 gezeigt, wobei die bewegliche Elektrode 11 vollständig auf der Opferschicht 16 liegt. Die feststehenden Elektroden werden ebenso wie der Lagerblock 12 direkt auf der Ober fläche des Siliziumwafers ggf. mittels einer zusätzlichen Iso lationsschicht, die hier nicht gezeigt ist, positioniert, wodurch eine feste Verankerung auf der Oberfläche sichergestellt wird.

Weiterhin wird eine Schicht 8 für den Antrieb aufgebracht. Die dafür möglichen Materialien wurden zur Fig. 3 beschrieben, für die weitere Beschreibung des Herstellungsprozesses sei hier an eine Metallschicht für einen thermomechanischen Antrieb gedacht. Unterhalb der Schicht 8 für den Antrieb wird durch Einbringen von Dotierstoffen ein Widerstandselement 30 in der oberen Schicht 2 erzeugt. Dieses Widerstandselement 30 für den thermomechanischen Antrieb S wird durch zwei Leiterbahnen 9 kontaktiert. Diese können aus Metall aber auch aus entsprechend dotiertem Polysilizium bestehen.

Im nächsten Schritt wird, wie in der Fig. 7 gezeigt, ausgehend von der Rückseite des Siliziumwafers eine Ausnehmung 17 in den Siliziumwafer eingebracht. Die Ausnehmung 17 umfaßt in ihrer Dicke die gesamte Dicke der unteren Schicht 3. Bei der Ätzung der Aus nehmung 17 wird dabei das unterschiedliche Ätzverhalten der oberen Schicht 2 und der unteren Schicht 3 genutzt. Es wird eine Ätze ver wendet, die nur die untere Schicht 3, nicht aber die obere Schicht 2 ätzt, wobei diese zusätzlich durch Anlegen einer elektrischen Spannung geschützt wird. Die Ausnehmung 17 ist dabei so positioniert, daß sie den Bereich unterhalb des Beschleunigungs sensors vollständig und den Bereich unterhalb des Antriebs 8 zumindest teilweise umfaßt. Der Antrieb 8 kann jedoch auch so positioniert werden, daß er vollständig auf dem Schwingbalken 5 angeordnet ist. In diesem Fall umfaßt die Ausnehmung 17 auch den Bereich unterhalb des Antriebs 8 vollständig.

Im letzten Prozeßschritt wird, wie in der Fig. 8 gezeigt, durch Strukturierung der oberen Schicht 2 über der Ausnehmung 17 der Schwinger 4, bestehend aus Schwingbalken 5 und Platte 6 heraus strukturiert. Dieser Ätzprozess kann entweder naßchemisch, beispielsweise mit Kalilauge aber auch mittels eines SF₆-Plasmas (reaktives Ionenätzen) erfolgen. Die Markierung erfolgt beispiels weise mittels Fotolack oder eines Niedertemperaturoxid, das bereits vor dem Rückseitenätzprozeß strukturiert wurde.

Weiterhin wird die Opferschicht 16 entfernt, so daß die Elektrode 11 nun frei beweglich wird. Dieser Prozeßschritt kann auch in einem früheren Stadium der Herstellung erfolgen, beispielsweise direkt nach der in Fig. 6 gezeigten Strukturierung der Polysilizium schicht. Derartige Strukturierungsprozesse von Polysilizium in Verbindung mit Opferschichten werden beispielsweise in der WO 92/03740 oder der US 5 090 254 beschrieben.

Claims

1. Drehratensensor mit einem Schwinger (4), der in einer Schwingungsachse zu Schwingungen angeregt wird, wobei die sich aufgrund einer Drehung ergebende Coriolisbeschleunigung in einer zweiten Achse, die senkrecht auf der Schwingungsachse steht, durch einen auf dem Schwinger (4) angeordneten Beschleunigungssensor nachgewiesen wird, wobei der Schwinger (4) aus einem Wafer (1) herausstrukturiert ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Schwingungsachse (7) des Schwingers (4) senkrecht auf der Oberfläche des Wafers (1) steht, und daß die Meßrichtung des auf dem Schwinger (4) angeordneten Beschleunigungssensors senkrecht zur Schwingungsachse ist.

2. Drehratensensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Wafer (1) mehrere Schichten (2, 3) aufweist.

3. Drehratensensor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Wafer (1) eine dicke untere Schicht (3) und eine dünne obere Schicht (2) aufweist, daß beide Schichten (2, 3) aus Silizium bestehen und daß die Schichten (2, 3) unterschiedlich dotiert sind.

4. Drehratensensor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Wafer eine dicke untere Schicht (3) aus Silizium und eine dünne obere Schicht (2) aus einem dielektrischen Material, insbesondere Siliziumoxid und/oder Siliziumnitrid, aufweist.

5. Drehratensensor nach Anspruch 3 oder Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Schwinger (4) eine an einem Schwingbalken (5) befestigte Platte (6) aufweist, daß Platte (6) und Schwingbalken (5) aus der oberen Schicht (2) des Wafers (1) herausstrukturiert sind, und daß die Steifigkeit des Schwingbalkens (5) in der Schwingungsachse (7) senkrecht zur Waferoberfläche am geringsten ist.

6. Drehratensensor nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß auf dem Schwingbalken (5) ein Antrieb (8) zur Anregung der Schwingung des Schwingers (4) in der Schwingachse angeordnet ist.

7. Drehratensensor nach Anspruch 5 oder Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Beschleunigungssensor auf der Platte 6 angeordnet ist.

8. Drehratensensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Beschleunigungssensor mindestens zwei Elektroden (10, 11, 14, 15, 20) aufweist, die einander in geringem Abstand gegenüberstehen, daß mindestens eine der Elektroden (10, 20) relativ zum Schwinger (4) unbeweglich und eine der Elektroden (11, 14, 15) senkrecht zur Schwingungsachse beweglich ist, wobei die Kapazität zwischen den Elektroden (10, 11, 14, 15, 20) ein Maß für die Coriolisbeschleunigung ist.

9. Drehratensensor nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die bewegliche Elektrode (11) als Biegebalken ausgebildet ist.

10. Drehratensensor nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die bewegliche Elektrode (14) mehrere Teilelektroden (15) aufweist, und daß die bewegliche Elektrode (14, 15) an Biegefedern (18) aufgehängt ist.

11. Verfahren zur Herstellung eines Drehratensensors nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
ein Siliziumwafer (1) mit einer unteren (3) und einer oberen (2) Waferschicht erzeugt wird, wobei die untere Waferschicht (3) selektiv gegen die obere Waferschicht (2) ätzbar ist, daß
eine Opferschicht (16) auf der Oberfläche der oberen Waferschicht (2) abgeschieden und strukturiert wird, daß
eine Polysiliziumschicht auf der Oberfläche der oberen Waferschicht (2) und auf der Opferschicht (16) abgeschieden wird, wobei die Polysiliziumschicht so strukturiert wird, daß feststehende (10, 20) und bewegliche (11, 14, 15) Elektroden entstehen, wobei die feststehenden Elektroden (10, 20) fest mit der Oberfläche der Waferschicht (2) verbunden sind und die beweglichen Elektroden (11, 14, 15) auf der Opferschicht (16) angeordnet sind und durch einen Lagerblock (12, 13) mit der Oberfläche der oberen Waferschicht (2) verbunden sind, daß
auf der Oberfläche der oberen Waferschicht (2) mindestens eine weitere Schicht für einen Antrieb (8) und elektrische Zuleitungen (9) abgeschieden und strukturiert werden, daß
ausgehend von der frei zugänglichen Seite der unteren Waferschicht (3) des Siliziumwafers (1) eine Ausnehmung bis zur oberen Waferschicht (2) geätzt wird, wobei die Ausnehmung (17) im Bereich unterhalb der Elektroden (10, 20, 11, 14, 15) und des Antriebs (8) gelegen ist, daß
die obere Waferschicht (2) strukturiert wird, um den Schwinger (4) zu erzeugen, so daß dieser senkrecht zur Oberfläche der oberen Waferschicht (2) schwingen kann, und daß
zu einem beliebigen Zeitpunkt nach der Strukturierung der Polysiliziumschicht die Opferschicht (16) entfernt wird, so daß die beweglichen Elektroden (11, 14, 15) in einer Richtung senkrecht zur Schwingungsachse des Schwingers (4) beweglich sind.