DE4223295C1 - Schaltungsanordnung zur Referenzspannungserhöhung - Google Patents
Schaltungsanordnung zur ReferenzspannungserhöhungInfo
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- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is DC
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/22—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only
- G05F3/222—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only with compensation for device parameters, e.g. Early effect, gain, manufacturing process, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage
- G05F3/225—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only with compensation for device parameters, e.g. Early effect, gain, manufacturing process, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage producing a current or voltage as a predetermined function of the temperature
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Description
Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur
Referenzspannungserhöhung.
Vor allem für Fensterkomparatorschaltungen werden zwei oder
mehr Referenzspannungen benötigt. Bei der Erzeugung dieser
Referenzspannungen wird häufig eine bereits vorhandene
Referenzspannungsquelle mehrfach genutzt, um insgesamt den
Schaltungsaufwand möglichst gering zu halten. Wie allgemein
bekannt ist, lassen sich mittels eines aus Widerständen
bestehenden Spannungsteilers auf einfache Weise aus einer
einzigen Referenzspannungsquelle mehrere Referenzspannungen
ableiten. Jedoch sind diese abgeleiteten Referenzspannungen
stets kleiner oder gleich der von der Referenzspannungs
quelle abgegebenen Spannung.
Zur Erhöhung einer gegebenen Referenzspannung schlägt bei
spielsweise Robert C. Dobkin in "References for A/D Con
verters", Application Note 184, National Semiconductor
Corporation, Juni 1977 vor, der jeweiligen Referenzspan
nungsquelle einen Gleichspannungsverstärker nachzuschalten.
Insbesondere wenn mehrere abgeleitete Referenzspannungen
zueinander und zu der gegebenen Referenzspannung mit hoher
Genauigkeit in einer festen, möglichst temperaturunab
hängigen Beziehung stehen sollen, ist jedoch bei der
bekannten Schaltungsanordnung ein erheblicher Abgleich
aufwand erforderlich.
Eine integrierte Schaltungsanordnung zur Erzeugung einer
beliebigen, geregelten, temperaturunabhängigen Referenz
spannung aus einer ungeregelten Eingangsspannung ist aus der
US-PS 36 17 859 bekannt. Dort wird durch die Eingangsspan
nung einerseits eine Referenzspannungsquelle und anderer
seits ein Versorgungsanschluß eines als Spannungsfolger
geschalteten Operationsverstärkers angesteuert. Der nicht
invertierende Eingang des Operationsverstärkers ist mit dem
Mittelabgriff eines von dem positiven Pol der Referenz
spannung angesteuerten Spannungsteilers und der inver
tierende Eingang mit dem negativen Pol der Referenz
spannungsquelle verbunden.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine Schaltungsanordnung zur
Erzeugung einer beliebigen, temperaturunabhängigen Referenz
spannung anzugeben.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand des in der einzigen
Figur der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels
näher erläutert.
Die in der Zeichnung gezeigte Ausführungsform einer er
findungsgemäßen Schaltungsanordnung weist einen zwei Strom
quellen steuernden Operationsverstärker auf. Der Opera
tionsverstärker besteht aus zwei npn-Transistoren 9 und
10, deren miteinander gekoppelte Emitter über eine Kon
stantstromquelle 13 an ein Bezugspotential 1 angeschlossen
sind. Der Kollektor des npn-Transistors 9 ist mit dem Kol
lektor eines pnp-Transistors 6 und der Kollektor des npn-
Transistors 10 ist mit Basis und Kollektor eines pnp-Tran
sistors 7 sowie mit der Basis des pnp-Transistors 6 ver
bunden. Die Emitter der beiden pnp-Transistoren 6 und 7
liegen an einem positiven Versorgungspotential 2. Außerdem
ist ein als Diode betriebener npn-Transistor 8 vorgesehen,
bei dem Basis und Kollektor an ein positives Eingangsrefe
renzpotential 4 angeschlossen sind und dessen Emitter zum
einen mit der Basis des npn-Transistors 9 und unter Zwi
schenschaltung einer Konstantstromquelle 12 mit dem Be
zugspotential 1 gekoppelt ist.
Die Basis des npn-Transistors 10 ist zum einen über eine
Konstantstromquelle 14 an das Bezugspotential angeschlos
sen und zum anderen mit dem Emitter eines npn-Transistors
11 verbunden, dessen Kollektor an das Eingangsreferenzpo
tential 4 gelegt ist. Die Basis des npn-Transistors 11
bildet den invertierenden Eingang und Basis und Kollektor
des npn-Transistors 8 sowie der Kollektor des npn-Tran
sistors 11 bilden den nichtinvertierenden Eingang des
Operationsverstärkers.
An den Kollektor des npn-Transistors 9 sind zudem die
Basen zweier pnp-Transistoren 17 und 19 angeschlossen,
deren Emitter jeweils über einen Widerstand 16 bzw. 18 mit
dem Versorgungspotential 2 gekoppelt sind. Der Kollektor
des pnp-Transistors 17 ist zum einen mit der Basis des npn-
Transistors 11 und zum anderen über einen Widerstand 15
mit dem Bezugspotential 1 gekoppelt. Der Kollektor des
pnp-Transistors 19, an dem ein Ausgangsreferenzpotential 3
abnehmbar ist, ist über einen Widerstand 22 an das Ein
gangsreferenzpotential 4 angeschlossen. Die pnp-Transisto
ren 17 und 19 in Verbindung mit den Widerständen 16 bzw.
18 bilden die zwei, durch den Operationsverstärker gesteu
erten Stromquellen. Schließlich ist zwischen das Eingangs
referenzpotential 4 und das Bezugspotential 1 ein aus zwei
Widerständen 20 und 21 bestehender Spannungsteiler ge
schaltet, an dessen Abgriff ein Ausgangsreferenzpotential
5 abnehmbar ist.
Für die weiteren Betrachtungen wird von einem Anwendungs
fall ausgegangen, bei dem neben einer gegebenen Referenz
spannung U41 zwei dazu symmetrische und daraus abgeleitete
Referenzspannungen U31 und U41 benötigt werden. Aus der
Symmetriebedingung ergibt sich, daß die Differenz zwischen
der abgeleiteten Spannung U31 und der gegebenen Referenz
spannung U41 gleich der Differenz zwischen der gegebenen
Differenzspannung U41 und der abgeleiteten Referenzspan
nung U51 ist. Bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel ist
die gegebene Referenzspannung U41 gleich der Differenz zwi
schen dem Eingangsreferenzpotential 4 und dem Bezugspoten
tial 1, die abgeleitete Referenzspannung U31 gleich der
Differenz zwischen dem Ausgangsreferenzpotential 3 und dem
Bezugspotential 1 und die abgeleitete Referenzspannung U51
gleich der Differenz zwischen dem Ausgangsreferenzpoten
tial 5 und dem Bezugspotential 1. Die Erzeugung der nied
rigeren abgeleiteten Referenzspannung U51 erfolgt in ge
wohnter Weise mittels eines Spannungsteilers mit den Wi
derständen 20 und 21. Der Widerstandswert R21 des Wider
stands 21 verhält sich dabei zum Widerstandswert R20 des
Widerstands 20 wie die Differenz der gegebenen Referenz
spannung U41 und der abgeleiteten Referenzspannung U51 zur
abgeleiteten Referenzspannung U51. Also wie eine gegebene
Spannungsdifferenz dU zur abgeleiteten Referenzspannung
U51.
R21/R20 = (U41-U51)/U51 = dU/U51 (1)
Zur Erzeugung der höheren abgeleiteten Referenzspannung
U31 regelt der Operationsverstärker die beiden Stromquel
len derart, daß der Spannungsabfall über dem Widerstand 15
gleich der gegebenen Referenzspannung U41 ist. Der Span
nungsabfall über dem Widerstand 22, der gleich der Span
nungsdifferenz dU sein soll, ist gleich dem Produkt aus
gegebener Referenzspannung U41, den Widerstandswert R22
des Widerstandes 22 und dem Kollektorstrom 119 des Tran
sistors 19 geteilt durch das Produkt aus dem Wert R15 des
Widerstands 15 und des Kollektorstroms 119 des pnp-Tran
sistors 19. Die Kollektorströme 117 und 119 stellen die
Ausgangsströme der beiden Stromquellen dar. Die Diffe
renzspannung dU hängt demnach von der gegebenen Refe
renzspannung U41, von dem Verhältnis der Ströme 119 und
117 der beiden Stromquellen und von dem Verhältnis der
Widerstandswerte R22 und R15 ab.
dU = U41 (R22/R15) (I19/I17) (2)
Da sich Strom- und Widerstandsverhältnisse im Gegensatz zu
Absolutwerten in integrierter Schaltungstechnik sehr genau
herstellen lassen, kann mit einer erfindungsgemäßen Schal
tungsanordnung die Spannungsdifferenz dU mit einem ledig
lich sehr geringen Fehler (≦ 0,5%) erzeugt und auf die
gegebene Referenzspannung U41 aufgestockt werden, woraus
sich die abgeleitete Referenzspannung U31 ergibt. Ein Ab
gleich ist daher vorteilhafterweise nicht mehr notwendig.
Neben der gezeigten Ausführungsform sind verschiedene
Ausgestaltungen des Operationsverstärkers und der Strom
quellen ohne weiteres möglich. Außerdem sind weitere
abgeleitete Referenzspannungen dadurch zu erzeugen, daß der
Widerstand 22 durch einen Spannungsteiler mit einem oder
mehreren Abgriffen ersetzt wird und/oder daß bei dem
Spannungsteiler zwischen Eingangsreferenzpotential 4 und
Bezugspotential 1 weitere Abgriffe vorgesehen werden.
Claims (4)
1. Schaltungsanordnung zur Referenzspannungserhöhung mit
einem Operationsverstärker (6 bis 14), dessen Ausgang zwei
Stromquellen (16 bis 19) ansteuert, dessen invertierender
Eingang aus einer der beiden Stromquellen (16, 17) ge
speist wird und über einen Widerstand (15) an ein Bezugs
potential (1) angeschlossen ist und dessen nicht invertie
render Eingang zum einen an ein Eingangsreferenzpotential
(4) angeschlossen ist und zum anderen über einen weiteren
Widerstand (22) aus der anderen Stromquelle (18, 19) ge
speist wird, wobei am Abgriff zwischen dem weiteren Wider
stand (22) und der anderen Stromquelle (18, 19) ein Aus
gangsreferenzpotential (3) abnehmbar ist.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß beim Operationsverstärker ein erster und zweiter Transistor (9, 10) des einen Lei tungstyps, deren miteinander gekoppelte Emitter über eine erste Konstantstromquelle (13) an das Bezugspotential (1) angeschlossen sind,
ein dritter Transistor (6) des anderen Leitungstyps, des sen Emitter mit einem Versorgungspotential (2) und dessen Kollektor mit dem Kollektor des ersten Transistors (9) verbunden ist,
ein vierter Transistor (7) des anderen Leitungstyps, des sen Emitter mit dem Versorgungspotential (2) und dessen Kollektor mit seiner Basis, mit der Basis des dritten Transistors (6) sowie mit dem Kollektor des zweiten Tran sistors (10) verbunden ist,
ein fünfter Transistor (8) des einen Leitungstyps, dessen mit seinem Kollektor gekoppelte Basis den nicht invertie renden Eingang des Operationsverstärkers bildet und des sen Emitter mit der Basis des ersten Transistors (9) sowie über eine zweite Konstantstromquelle (12) mit dem Bezugs potential (1) verbunden ist, und
ein sechster Transistor (11) des einen Leitungstyps, des sen Basis den invertierenden Eingang des Operationsverstär kers bildet, dessen Kollektor mit Basis und Kollektor des fünften Transistors (8) verbunden ist und dessen Emitter über eine dritte Konstantstromquelle (14) an das Bezugs potential angeschlossen ist, vorgesehen sind, und
daß als gesteuerte Stromquellen ein siebter und achter Transistor (17, 19) des anderen Leitungstyps vorgesehen sind, deren Basen miteinander und mit dem Kollektor des ersten Transistors (9) verbunden sind, deren Emitter an das Versorgungspotential (2) angeschlossen sind und deren Kollektoren die Ausgänge der gesteuerten Stromquellen bilden.
daß beim Operationsverstärker ein erster und zweiter Transistor (9, 10) des einen Lei tungstyps, deren miteinander gekoppelte Emitter über eine erste Konstantstromquelle (13) an das Bezugspotential (1) angeschlossen sind,
ein dritter Transistor (6) des anderen Leitungstyps, des sen Emitter mit einem Versorgungspotential (2) und dessen Kollektor mit dem Kollektor des ersten Transistors (9) verbunden ist,
ein vierter Transistor (7) des anderen Leitungstyps, des sen Emitter mit dem Versorgungspotential (2) und dessen Kollektor mit seiner Basis, mit der Basis des dritten Transistors (6) sowie mit dem Kollektor des zweiten Tran sistors (10) verbunden ist,
ein fünfter Transistor (8) des einen Leitungstyps, dessen mit seinem Kollektor gekoppelte Basis den nicht invertie renden Eingang des Operationsverstärkers bildet und des sen Emitter mit der Basis des ersten Transistors (9) sowie über eine zweite Konstantstromquelle (12) mit dem Bezugs potential (1) verbunden ist, und
ein sechster Transistor (11) des einen Leitungstyps, des sen Basis den invertierenden Eingang des Operationsverstär kers bildet, dessen Kollektor mit Basis und Kollektor des fünften Transistors (8) verbunden ist und dessen Emitter über eine dritte Konstantstromquelle (14) an das Bezugs potential angeschlossen ist, vorgesehen sind, und
daß als gesteuerte Stromquellen ein siebter und achter Transistor (17, 19) des anderen Leitungstyps vorgesehen sind, deren Basen miteinander und mit dem Kollektor des ersten Transistors (9) verbunden sind, deren Emitter an das Versorgungspotential (2) angeschlossen sind und deren Kollektoren die Ausgänge der gesteuerten Stromquellen bilden.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß zwischen das Eingangsreferenzpotential (4) und das
Bezugspotential (1) ein Spannungsteiler (20, 21) mit
mindestens einem Abgriff geschaltet ist, an dem mindestens
ein weiteres Ausgangsreferenzpotential (5) abnehmbar ist.
4. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß der weitere Widerstand (22) durch einen weiteren
Spannungsteiler mit mindestens einem Abgriff ersetzt wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19924223295 DE4223295C1 (de) | 1992-07-15 | 1992-07-15 | Schaltungsanordnung zur Referenzspannungserhöhung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19924223295 DE4223295C1 (de) | 1992-07-15 | 1992-07-15 | Schaltungsanordnung zur Referenzspannungserhöhung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4223295C1 true DE4223295C1 (de) | 1994-01-13 |
Family
ID=6463280
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19924223295 Expired - Lifetime DE4223295C1 (de) | 1992-07-15 | 1992-07-15 | Schaltungsanordnung zur Referenzspannungserhöhung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE4223295C1 (de) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3617859A (en) * | 1970-03-23 | 1971-11-02 | Nat Semiconductor Corp | Electrical regulator apparatus including a zero temperature coefficient voltage reference circuit |
US4098849A (en) * | 1975-05-05 | 1978-07-04 | Petrolite Corporation | Alpha-amino phosphonic acids |
DE2938849A1 (de) * | 1978-09-27 | 1980-04-17 | Analog Devices Inc | Temperaturkompensierte ic-bezugsspannung |
US4282477A (en) * | 1980-02-11 | 1981-08-04 | Rca Corporation | Series voltage regulators for developing temperature-compensated voltages |
-
1992
- 1992-07-15 DE DE19924223295 patent/DE4223295C1/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3617859A (en) * | 1970-03-23 | 1971-11-02 | Nat Semiconductor Corp | Electrical regulator apparatus including a zero temperature coefficient voltage reference circuit |
US4098849A (en) * | 1975-05-05 | 1978-07-04 | Petrolite Corporation | Alpha-amino phosphonic acids |
DE2938849A1 (de) * | 1978-09-27 | 1980-04-17 | Analog Devices Inc | Temperaturkompensierte ic-bezugsspannung |
US4282477A (en) * | 1980-02-11 | 1981-08-04 | Rca Corporation | Series voltage regulators for developing temperature-compensated voltages |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Robert C. DOBKIN in "References for A/D Con- verters", Application Note 184, National Semiconductor Corporation, Juni 1977 * |
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R071 | Expiry of right |