DE4021997C2 - Hochtemperaturthermistor - Google Patents
HochtemperaturthermistorInfo
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- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 12
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011363 dried mixture Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical group FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/04—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient
- H01C7/042—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient mainly consisting of inorganic non-metallic substances
- H01C7/043—Oxides or oxidic compounds
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K13/00—Thermometers specially adapted for specific purposes
- G01K13/02—Thermometers specially adapted for specific purposes for measuring temperature of moving fluids or granular materials capable of flow
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
- G01K7/22—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
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Description
Die Erfindung betrifft einen Hochtemperaturthermistor, der
in einem hitzebeständigen Metallrohr angeordnet ist und
insbesondere dazu verwendbar ist, die Temperatur des Abgases
einer Brennkraftmaschine, die Temperatur eines elektrischen
Ofens usw. zu erfassen.
Ein herkömmlicher Hochtemperaturthermistor neigt dazu, sei
nen Widerstand zu ändern, wenn er auf hoher Temperatur über
eine lange Zeit benutzt wird. Es ist bekannt, den Widerstand
des Hochtemperaturthermistors herabzusetzen, wie es
beispielsweise in der JP-52-93995A beschrieben ist. Dabei
liegt das Maß an Änderung des geänderten Widerstandes gegen
über dem Anfangswiderstand des Thermistors bei Verwendung
einer festen Lösung mit Spinellstruktur für den Hochtempera
turthermistor innerhalb von ±40%. Bei einem derartigen be
kannten Thermistor ist jedoch ein Maß an Änderung des Wider
standes gegenüber dem Anfangswiderstand innerhalb von 15%,
das bei der Auslegung des Thermistors erwünscht ist, nicht
möglich.
Aus DE 26 03 542 B2 ist ein feuchteabhängiger keramischer
Widerstand auf Metalloxidbasis bekannt, der eine Keramikplatte
mit auf mindestens einer Oberfläche aufgebrachten, kammartig
ineinandergreifenden Elektroden aufweist, wobei die keramische
Platte als Festbestandteile mehr als 98 bis 99,95 Gew.-% einer
Hauptkomponente aus 99,99 bis 80 Mol-% Chromoxid aufweist und
0,01 bis 20 Mol-% mindestens eines Metalloxids aus einer
Gruppe, die auch Titanoxid, Manganoxid und Siliziumoxid
aufweist. Weiterhin ist ein Zusatz in Form mindestens eines
weiteren Metalloxids vorgesehen.
Aus DE 27 40 566 A1 ist ein Verfahren zur Herstellung eines
Varistor-Materials auf der Basis von Zinkoxid mit einem oder
mehreren Zusätzen aus einer Gruppe bekannt, die unter anderem
Chromoxid, Titanoxid, Manganoxid und Siliziumoxid aufweist,
wobei das Manganoxid mit mindestens 90% in der Oxidationsstufe
zugesetzt wird.
Aus US 3 958 209 ist schließlich ein Hochtemperaturthermistor
bekannt, dessen Widerstand eine negative
Widerstandstemperaturcharakteristik aufweist und ein Gemisch
aus Aluminiumoxid und Chromoxid umfaßt, die in einem
bestimmten Verhältnis vorliegen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen
Hochtemperaturthermistor vorzuschlagen, dessen Maß an Änderung
seines Widerstands gegenüber seinem Anfangswiderstand selbst
dann innerhalb von 15% liegt, wenn sich die
Sauerstoffkonzentration, beispielsweise eines hitzebeständigen
Metallrohrs, in dem der Thermistor angeordnet sein kann, bei
hohen Temperaturen ändert.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Merkmale im
Patentanspruch gelöst. Das Maß an Änderung des Widerstands
innerhalb eines sehr kleinen Bereichs kann selbst dann
eingehalten werden, wenn der Thermistor in einem
hitzebeständigen Metallrohr benutzt wird, dessen Atmosphäre
sich ändert.
Die Erfindung wird beispielsweise anhand der Zeichnung näher
erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine Vorderansicht eines ersten Ausführungsbeispiels
des Hoch
temperaturthermistors,
Fig. 2 eine Teilschnittansicht des ersten Ausfüh
rungsbeispiels des erfindungsgemäßen Hoch
temperaturthermistors in seiner Anwendung
bei einer Dauerprüfung,
Fig. 3 eine Querschnittsansicht eines Rohres bei
dem in Fig. 2 dargestellten Anwendungs
beispiel,
Fig. 4 ein Kennliniendiagramm, das die Beziehung
zwischen dem Widerstand und der Temperatur
vor der Durchführung der Dauerprüfung und
nach der Durchführung der Dauerprüfung
zeigt,
Fig. 5 ein Kennliniendiagramm, das den Anfangs
widerstand und das Maß an Änderung des
Widerstandes gegenüber dem Anfangswider
stand ohne Verwendung von Manganoxid und
Siliziumoxid zeigt,
Fig. 6 ein Kennliniendiagramm, das den Anfangs
widerstand und das Maß an Änderung des Wi
derstandes gegenüber dem Anfangswider
stand eines Ausführungsbeispiels des er
findungsgemäßen Hochtemperaturthermistors
zeigt,
Fig. 7 in einer Teilschnittansicht die Verwendung
des Hochtemperaturthermistors bei einem
geschlossenen Temperatursensor für das Ab
gas,
Fig. 8 eine Teilschnittansicht eines weiteren Ver
wendungsbeispiels des Hochtemperaturther
mistors bei einem offenen Temperatursensor
für Abgas, und
Fig. 9 eine Vorderansicht des in Fig. 8 darge
stellten Hochtemperaturthermistors.
Im folgenden wird anhand von Beispielen beschrieben, wie der
erfindungsgemäße Thermistor erhalten werden kann.
Chromoxid (Cr2O3), Manganoxid (MnO2), Titanoxid (TiO2) und
Siliziumoxid (SiO2) werden in geeigneten Mengen abgewogen
und als Gemisch in einen Tiegel gegeben und 50 Stunden lang
gemahlen. Das Gemisch wird nach der Zugabe von 1 Gew.-%
Polyvinylalkohol als Bindemittel getrocknet. Das getrocknete
Gemisch wird dann gepreßt, um einen Hochtemperatur
thermistor 101 zu erhalten, der einen zylindrisch geformten
Körper hat, wie es in Fig. 1 dargestellt ist. Der Hochtempe
raturthermistor 101 hat einen Durchmesser D1 von 5 mm und
eine Länge von 5 mm. Parallele Löcher mit einer Tiefe D2
von 2,5 mm werden in ein Ende des Hochtemperaturthermistors
101 gebohrt. Elektroden aus einem Platindraht 103 mit einem
Außendurchmesser von 0,3 mm und einer Länge D3 von 5 mm werden
in die parallelen Löcher eingesetzt. Der Abstand D4 zwischen
einem Paar von Platinelektroden 103 beträgt 2 mm. Die Strecke
D5 beträgt 7,5 mm. Der in Fig. 1 dargestellte Hochtemperatur
thermistor 101 wird eine Stunde lang in einer Atmosphäre auf
einer Temperatur von 1450°C bis 1650°C unter Verwendung ei
nes elektrischen Ofens gebrannt. Nach dem Brennen erfolgt
ein 50 Std. dauerndes Altern in einer Atmosphäre mit einer
Temperatur von 1100°C.
Es wurde der Anfangswiderstand bei einer Temperatur von
750°C und bei einer Temperatur von 900°C gemessen, um den
Koeffizienten des Wärmewiderstandes zu berechnen. Der Wert
B wird nach der folgenden Gleichung berechnet:
(wobei R1 der Widerstand bei der absoluten Temperatur T1K
und R2 der Widerstand bei T2K ist. Bei dem vorliegenden
Ausführungsbeispiel ist T1 = 1023 K und T2 = 1173 K).
Der Hochtemperaturthermistor 101 wird dann in den geschlosse
nen Temperatursensor für Abgas eingesetzt, wie es in Fig. 2
dargestellt ist. Der Hochtemperaturthermistor 101 im ge
schlossenen Temperatursensor für Abgas wird 100 Std. lang
einer Temperatur von 1000°C ausgesetzt. Nach dem Aussetzen
des Hochtemperaturthermistors 101 im geschlossenen Tempera
tursensor für Abgas wird der Widerstand erneut gemessen, um
das Maß an Änderung des Widerstandes gegenüber dem Anfangs
widerstand zu berechnen. Die Untersuchung des Maßes an Ände
rung des Widerstandes gegenüber dem Anfangswiderstand nach
diesen Arbeitsvorgängen wird geschlossene Dauerprüfung ge
nannt. Das Maß an Änderung des Widerstandes wird aus der
folgenden Gleichung berechnet:
Der geschlossene Temperatursensor für Abgas, der in Fig. 2
dargestellt ist, umfaßt eine zylindrisch geformte Kappe 105
und ein Rohr 107. Die Kappe 105 besteht aus SUS 310 und hat
einen Durchmesser D6 von 7,6 mm, eine Länge L1 von 32,5 mm
und eine Stärke am vorderen Teil von 1 mm. L2 beträgt 37 mm
und L3 beträgt 115 mm. Die Kappe 105 ist an der Verbindungs
stelle 109 an das Rohr 107 geschweißt. Das Rohr 107 besteht
aus SUS 310 und hat einen Durchmesser D7 von 3,7 mm und eine
Länge von 90 mm. Wie es in Fig. 3 dargestellt ist, ist ein
Magnesiafüllstoff 110 in das Rohr 107 gefüllt. In Fig. 3
beträgt D9 3,2 mm und D10 0,5 mm. Eine der beiden Platinelek
troden 103 ist mit einer positiven Elektrode Z verbunden,
während die andere Platinelektrode mit einer negativen Elek
trode Y verbunden ist, wie es in Fig. 2 dargestellt ist.
Die Meßergebnisse des Hochtemperaturthermistors im geschlos
senen Temperatursensor für Abgas nach einer Änderung des
Verhältnisses von Cr2O3, MnO2, TiO2 und SiO2 sind in den Ta
bellen 1 bis 5 dargestellt.
Bei dem ersten Ausführungsbeispiel änderte sich der Wider
stand von der positiven Seite zur negativen Seite, wenn die
Menge an TiO2 als N-leitendem Oxidhalbleiter zunimmt. Die
gewünschte Menge an TiO2 zur Erzielung eines Maßes an Ände
rung des Widerstandes innerhalb von ±15% liegt bei 3 bis
12 Mol-%. Der Widerstand ändert sich von der negativen Seite
zur positiven Seite, wenn die Menge an MnO2 als P-leitendem
Oxidhalbleiter zunimmt. Die gewünschte Menge an MnO2 zur
Erzielung des gewünschten Maßes an Änderung des Widerstandes
innerhalb von ±15% liegt bei 4 bis 20 Mol-%. Die gewünschte
Menge des Zusatz es an SiO2 liegt bei 5 bis 20 Mol-% auf der
Grundlage von 100 Mol-% des Gemisches aus Cr2O3, MnO2 und
TiO2. Das zugegebene SiO2 wirkt als Sinterbeschleunigungs
mittel zur Erzeugung einer flüssigen Phase zum Beschleunigen
des Sintervorganges.
In Fig. 4 ist die Beziehung zwischen dem Widerstand und der
Temperatur vor und nach der Dauerprüfung des Hochtempera
turthermistors dargestellt, der 84 Mol-% Cr2O3, 8 Mol-%
TiO2, 8 Mol-% MnO2 und 10 Mol-% des Zusatzes SiO2 enthält.
Aus Fig. 4 ist ersichtlich, daß die Widerstandsänderung
klein ist, so daß der Wert B konstant gehalten werden kann.
Der Grund dafür, warum sich der Wert B nicht geändert hat,
dürfte der folgende sein. Es ist versucht worden, einen
Hochtemperaturthermistor zu bilden, der in der Atmosphäre
stabil ist, indem sich die Widerstände des P-leitenden Oxid
halbleiters und des N-leitenden Oxidhalbleiters gegenseitig
aufheben, was durch Mischen dieser Halbleitersubstanzen er
zielt werden kann. Der stabile Bereich ist jedoch sehr klein.
Das Mischen eines P-leitenden Oxidhalbleiters und eines
N-leitenden Oxidhalbleiters macht den stabilen Bereich so
schmal, daß ein Thermistor praktisch nicht erhalten werden
kann (Fig. 5). In Fig. 5 ist auf der Abszisse die Menge an
TiO2 (Mol-%) und auf der Ordinate der Anfangswiderstand
(Ω) sowie das Maß an Änderung des Widerstandes ΔR (%) für
den Fall aufgetragen, daß Cr2O3(P-leitender Oxidhalbleiter)
und TiO2 (N-leitender Oxidhalbleiter) gemischt sind. Aus
Fig. 5 ist ersichtlich, daß die Änderung des Widerstandes
durch das Vorhandensein von Cr2O3 positiv ist, wenn die Men
ge an TiO2 unter 0,3 Mol-% liegt, und daß die Änderung des
Widerstandes negativ infolge des Vorhandenseins von TiO2 ist,
wenn die Menge an TiO2 zunimmt. Wie es in Fig. 5 dargestellt
ist, kann der Null-Punkt der Änderung des Widerstandes ΔR
dann erhalten werden, wenn die Menge an TiO2 bei 0,3 Mol-%
liegt. Es ist sehr schwierig, einen stabilen Hochtemperatur
thermistor zu bilden, der ein Maß an Änderung des Widerstan
des innerhalb von ±15% hat, da das Maß an Änderung des
Widerstandes sich empfindlich in Abhängigkeit von der Menge
an TiO2 ändert. Diese Empfindlichkeit des Maßes an Wider
standsänderung um den Null-Punkt von 6ΔR beruht auf dem
TiO2-Weg an der Korngrenze von Cr2O3, der durch Abscheidung
oder Ausfällen von TiO2 gebildet wird.
Es wurde festgestellt, daß der Bereich des Gleichgewichtes
zwischen dem P-leitenden Oxidhalbleiter und dem N-leitenden
Oxidhalbleiter (ΔR liegt innerhalb ±15%) durch die Zugabe
von MnO2 und SiO2 zu Cr2O3 und TiO2 verbreitert werden kann.
Es ist möglich, daß das auf der Mischphase von Cr2O3-MnO2-
TiO2 an der Korngrenze beruht. Die Wirkung der Zugabe von
MnO2 und SiO2 ist in Fig. 6 dargestellt. In Fig. 6 ändert
sich das Verhältnis von TiO2 zu Cr2O3 in der gleichen Weise
wie in Fig. 5 und sind 8 Mol-% MnO2 und zusätzliche 10 Mol-%
SiO2 auf der Grundlage von 100 Mol-% des Gemisches aus
Cr2O3, TiO2 und MnO2 zugegeben. Aus Fig. 6 ist ersichtlich,
daß der stabile Bereich, in dem das Maß an Änderung des
Widerstandes innerhalb von ±15% liegt (der Bereich inner
halb der gestrichelten Linien), verglichen mit dem Gemisch
aus Cr2O3 und TiO2 verbreitert wird, wenn Cr2O3, TiO2,
MnO2 und SiO2 gemischt werden. Das heißt mit anderen Worten,
daß der P-leitende Oxidhalbleiter und der N-leitende Oxid
halbleiter in einem breiten Bereich in einem guten Gleichge
wicht stehen.
Fig. 7 zeigt ein Beispiel der Verwendung des ersten Ausfüh
rungsbeispiels des erfindungsgemäßen Hochtemperaturthermis
tors bei einem geschlossenen Temperatursensor für Abgas. In
diesem Fall wird der geschlossene Temperatursensor für Ab
gas in einem Temperaturbereich von 400°C bis 1100°C benutzt.
In Fig. 7 sind das erste Ausführungsbeispiel des erfin
dungsgemäßen Hochtemperaturthermistors 101, ein Schutzrohr
111, ein Magnesiafüllstoff 113, der in das Rohr gefüllt
ist, und ein zylindrisch geformter Steg 115 dargestellt,
der aus Edelstahl besteht und stabil auf die Außenseite
des Schutzrohres 111 geschweißt ist. Ein hohler Bolzen 119
ist auf einen Teil eines Katalysators 117 geschraubt, und
der Steg 115 liegt sandwichartig zwischen dem Katalysator
117 und dem hohlen Bolzen 119. Da der Steg 115 an das
Schutzrohr 111 geschweißt ist, wird der gesamte Teil des
geschlossenen Temperatursensors für Abgas starr im Kataly
sator 117 gehalten, wenn der Steg 115 festgelegt ist. Ein
Stahlrohr 121 schützt ein Leitungspaar 123, und eine luft
dichte Durchführung 125 aus Silizium hält den Bereich zwischen
dem Stahlrohr 121 und den Leitungen 123 luftdicht. Ein
lackiertes Rohr 127 schützt die Leitung 123. Der Thermistor
kann bei diesem Anwendungsbeispiel auch unter den Umständen
benutzt werden, daß das Innere des geschlossenen Temperatur
sensors für Abgas mit der Umgebungsatmosphäre verbunden ist,
da der Widerstand des Hochtemperaturthermistors 101 selbst
dann konstant gehalten werden kann, wenn sich der interne
Sauerstoffpartialdruck ändert.
Fig. 8 zeigt ein anderes Anwendungsbeispiel des Hochtempera
turthermistors 101 bei einem offenen Temperatursensor für
Abgas. Der Widerstand des Hochtemperaturthermistors 101 ist
selbst dann stabil, wenn er bei einem Sauerstoffpartial
druck von 0,2 Atm. (atmosphärischer Druck) benutzt wird. Bei
dem in Fig. 8 dargestellten Anwendungsbeispiel sind gleiche
Bezugszeichen für gleiche oder ähnliche Bauteile mit glei
cher Funktion wie bei dem in Fig. 7 dargestellten geschlos
senen Temperatursensor verwandt, so daß der Aufbau der Bau
teile mit gleichen Bezugszeichen nicht nochmals beschrie
ben wird. Das Schutzrohr 112 aus Edelstahl schützt den
Hochtemperaturthermistor 101 vor Schwingungen, indem der
Füllstoff 129 in den Hohlraum des Rohres 112 gefüllt ist.
Der Sauerstoff der Atmosphäre wird dem Hochtemperatur
thermistor 101 durch ein Lufteinlaßloch 130 geliefert,wobei ein po
röser Fluorkohlenstoffbereich 132 zwischen dem Stahlrohr
121 und dem Rohr 111 vorgesehen ist, und im Schutzrohr 112
ein Loch 134 ausgebildet ist. Bei diesem Anwendungsbeispiel
wurde ein Maß an Änderung des Widerstandes gegenüber dem
Anfangswiderstand nach einer Dauerprüfung über 1000 Std. bei
einer Temperatur von 1000°C innerhalb eines Bereiches von
±15% beobachtet.
Das atmosphärische Altern, das gewöhnlich nach dem Brennen
eines herkömmlichen Hochtemperaturthermistors durchgeführt
wird, kann bei dem erfindungsgemäßen Thermistor weggelas
sen werden, da die Änderung des Widerstandes in der Atmosphä
re des erfindungsgemäßen Thermistors sehr klein ist.
Die Form des Hochtemperaturthermistors ist nicht auf die
oben beschriebene zylindrische Form beschränkt, es können
auch andere Formen, wie beispielsweise Scheibenformen oder
ähnliche Formen verwandt werden. Da die Arbeit des erfin
dungsgemäßen Hochtemperaturthermistors nicht von seiner Form
abhängt, kann auch die in Fig. 9 dargestellte Form eines
Hochtemperaturthermistors benutzt werden. Wie es in Fig. 9
dargestellt ist, sind zwei Elektroden aus Platindraht 202
mit einer Länge L4 von 3,2 mm und einem Außendurchmesser von
0,3 mm in den Hochtemperaturthermistor 200 eingesetzt, der
eine Zylinderform mit einem Außendurchmesser D8 von 2,5 mm
und einer Länge L5 von 6,4 mm hat. Die Abmessungen jedes
Teils des oben beschriebenen Ausführungsbeispiels können ge
ändert werden.
Claims (1)
- Hochtemperaturthermistor, der im Inneren eines hitzebeständigen Metallrohrs angeordnet ist, wobei der Thermistor umfaßt:
- a) 68 bis 92 Mol-% Chromoxid,
- b) 3 bis 12 Mol-% Titanoxid
- c) 4 bis 20 Mol-% Manganoxid und
- d) zusätzlich 5 bis 20 Mol-% Siliziumoxid auf der Grundlage von 100 Mol-% des Gemisches aus a), b) und c).
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1178441A JP2621488B2 (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 高温用サーミスタ素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4021997A1 DE4021997A1 (de) | 1991-01-17 |
DE4021997C2 true DE4021997C2 (de) | 1999-03-18 |
Family
ID=16048577
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19904021997 Expired - Lifetime DE4021997C2 (de) | 1989-07-11 | 1990-07-11 | Hochtemperaturthermistor |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2621488B2 (de) |
DE (1) | DE4021997C2 (de) |
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DE202011001280U1 (de) | 2011-01-10 | 2012-04-18 | Klaus Irrgang | Universelles Hochtemperaturelement |
DE102011083437A1 (de) | 2011-01-10 | 2012-07-12 | Klaus Irrgang | Universelles Hochtemperaturelement |
DE202012104929U1 (de) | 2012-12-18 | 2013-02-12 | Klaus Irrgang | Thermoelektrischer Hochtemperaturfühler mit einer Mantelleitung |
DE202013100708U1 (de) | 2013-02-18 | 2013-04-05 | Klaus Irrgang | Temperaturfühler für schnelle Temperaturwechsel |
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DE202015008966U1 (de) | 2015-03-31 | 2016-05-02 | Temperaturmeßtechnik Geraberg GmbH | Modular strukturierter Hochtemperaturfühler |
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JP3555492B2 (ja) * | 1998-09-22 | 2004-08-18 | 株式会社デンソー | 温度センサ |
US6305841B1 (en) | 1998-09-29 | 2001-10-23 | Denso Corporation | Temperature sensor with thermistor housed in blocked space having ventilation |
JP2002122486A (ja) | 2000-08-11 | 2002-04-26 | Denso Corp | 温度センサの取付構造 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1989
- 1989-07-11 JP JP1178441A patent/JP2621488B2/ja not_active Expired - Lifetime
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1990
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DE202013100708U1 (de) | 2013-02-18 | 2013-04-05 | Klaus Irrgang | Temperaturfühler für schnelle Temperaturwechsel |
WO2014125078A1 (de) | 2013-02-18 | 2014-08-21 | Klaus Irrgang | Temperaturfühler für schnelle temperaturwechsel |
DE202015008966U1 (de) | 2015-03-31 | 2016-05-02 | Temperaturmeßtechnik Geraberg GmbH | Modular strukturierter Hochtemperaturfühler |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0342801A (ja) | 1991-02-25 |
JP2621488B2 (ja) | 1997-06-18 |
DE4021997A1 (de) | 1991-01-17 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
8120 | Willingness to grant licenses paragraph 23 | ||
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: DENSO CORP., KARIYA, AICHI, JP |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition |