DE4008376A1 - Halbleiterrelaisschaltung - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft Halbleiterrelaisschaltungen und insbesondere eine Halbleiterrelaisschaltung, mit der ei­ ne Entkopplung von einer Schaltungsanordnung zum Umwan­ deln eines Lichtsignals in ein elektrische Signal mit­ tels eines mit lichtemittierenden Mitteln wie etwa einer Leuchtdiode, die ein Eingangssignal in ein Lichtsignal umwandelt, optisch gekoppelten Sperrschichtfotodioden­ feldes und zum Treiben eines Ausgabefeldeffekttransi­ stors (der im folgenden einfach mit "FET" bezeichnet wird) mittels des elektrischen Signals, in das das Lichtsignal umgewandelt wird, bewerkstelligt wird.

Eine Halbleiterrelaisschaltung der betreffenden Art kann beispielsweise in einem System zum Übertragen und Steu­ ern elektrischer Signale in Zähl- und Meßvorrichtungen und -ausrüstungen effektiv genutzt werden.

Für Halbleiterschaltungen der betreffenden Art ist bei­ spielsweise in US 43 90 790-A (E. T. Rodriguez) eine Schal­ tung vorgeschlagen worden, in der ein MOSFET mit einem Sperrschichtfotodiodenfeld, das mit einer Lichtemitter­ diode optisch gekoppelt ist, in Reihe geschaltet ist, in der ein im Normalzustand leitender Sperrschicht-FET, zwischen das Gate und die Source dieses MOSFETs geschal­ tet ist und in der ferner ein Sperrschichtfotodiodenfeld über einen Widerstand über das Gate und die Source des Sperrschicht-FETs geschaltet ist. In diesem US-Patent wird ein Verbleiben des MOSFETs in einem Zwischenzustand dadurch verhindert, daß der im Normalzustand leitende Sperrschicht-FET so angeordnet ist, daß er von einem weiteren Diodenfeld getrieben wird, um so in gewissem Ausmaß eine Hochgeschwindigkeitsoperation zu erzielen. Da in der Schaltungsanordnung der Sperrschicht-FET mit einem weiteren Diodenfeld kombiniert wird, entsteht an­ dererseits das Problem, daß die Diodenfelder im allge­ meinen eine größere Chipgröße erfordern und eine ver­ schlechterte optische Übertragungseffizienz ergeben und daß die Operationsgeschwindigkeit nicht unerheblich ge­ senkt wird. Wenn der Ausgabe-FET vollständig in den EIN- Zustand übergeht und die Spannung über dem Drain und der Source im wesentlichen Null wird, fließt der Strom vom Sperrschichtfotodiodenfeld mit großer Wahrscheinlichkeit über den Drain und die Source des Ausgabe-FETs, so daß der Hochgeschwindigkeitsbetrieb nur in einem solch sel­ tenen Fall erreicht werden kann, in dem der Ausgabe-FET einen sehr hohen EIN-Widerstand besitzt und dessen Drainspannung auf einem höheren Pegel als die Gatespan­ nung, die normalerweise ungefähr 5V oder mehr beträgt, liegt, was insofern Schwierigkeiten bereitet, als der normale Setriebsbereich dadurch eingeschränkt wird.

In JP 64-33 228-A (Y. Nozaki u. a.) ist eine Maßnahme offenbart, mit der die Operation des MOSFETs dadurch be­ schleunigt wird, daß ein Fototransistor über eine gere­ gelte Leistungsquelle zwischen den Drain und das Gate des MOSFETs geschaltet ist und von dieser Leistungsquel­ le über den leitenden Fototransistor an das Gate des MOSFETs ein Strom geliefert wird. Bei dieser Maßnahme kann zwar beim Einschalten eine hohe Operationsgeschwin­ digkeit erreicht werden, während die Beschleunigung der Ausschaltoperation wegen des Fehlens jeglicher Entla­ dungssteuerungsschaltungen zwischen dem Gate und der Source des MOSFETs immer noch mangelhaft ist, so daß das Problem, daß der umgekehrte Fluß des Fotostroms zwischen dem Gate und dem Drain des MOSFETs nicht begrenzt werden kann, ungelöst geblieben ist und dadurch aus dem gleichen Grund wie in dem vorherigen bekannten Aufbau der normale Betriebsbereich eingeschränkt ist.

Gemäß einer früheren Erfindung derselben Erfinder wie im vorliegenden Fall, die in US 48 01 822-A offenbart worden ist, wird eine Halbleiterschaltung vorgeschlagen, in der ein MOSFET mit einem mit einem lichtemittierenden Ele­ ment optisch gekoppelten Sperrschichtfotodiodenfeld ver­ bunden ist, in der ein Verarmungs-Treiber-FET über das Gate und die Source dieses MOSFETs geschaltet ist und in der ein mit einem Widerstand parallel geschaltetes Kon­ stantspannungsleitungselement über das Gate und die Source des Treiber-FETs geschaltet ist, so daß das Kon­ stantspannungsleitungselement aufgrund des Anliegens ei­ ner Spannung, die höher als ein Schwellenpegel des Ver­ armungs-Treiber-FETs ist, leitend gemacht wird und ein Ausgabe-FET mittels eines durch die Leitfähigkeit des Elementes bewirkten Leitungsstroms über dessen Gate und Source geladen und über dessen Drain und Gate entladen wird. Während mit diesem Schaltungsaufbau eine hinrei­ chend zufriedenstellende höhere Ausschaltgeschwindigkeit erreicht werden kann, ist sie immer noch in bezug auf die Erzielung einer höheren Operationsgeschwindigkeit beim Einschalten mangelhaft.

Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ei­ ne Halbleiterrelaisschaltung zu schaffen, in der durch Abkürzung der Zeit, die zum Anheben der Spannung zwi­ schen Gate und Source des Ausgabe-FETs erforderlich ist, ein Hochgeschwindigkeitsschaltungsbetrieb erreicht wird und in der der normale Betriebsbereich der Schaltung vergleichsweise erweitert werden kann.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch eine Halbleiterrelaisschaltung mit einem lichtemittierenden Element, das ein Lichtsignal erzeugt, mit einem mit dem lichtemittierenden Element optisch gekoppelten Dioden­ feld zur Erzeugung einer Sperrschichtfotoausgabe auf­ grund des Empfangs des Lichtsignals, mit einem mit dem Sperrschichtfotodiodenfeld verbundenen Ausgabe-FET, der durch die über das Gate und die Source des FETs angeleg­ te fotovoltaische Ausgabe dazu veranlaßt wird, von einem ersten Impedanzzustand zu einem zweiten Impedanzzustand zu wechseln, und mit Mitteln, die zwischen das Gate und die Source des FETs geschaltet sind, um dessen Betrieb zu steuern, wobei zwischen den Drain und das Gate des Ausgabe-FETs eine aus einer Halbleitereinrichtung und einer Gleichrichtereinrichtung bestehende Reihenschal­ tung geschaltet ist, wobei die Halbleitereinrichtung in einen Zustand mit niedriger Impedanz gebracht wird, um zwischen dem Gate und der Source des Ausgabe-FETs für die akkumulierte Ladung einen Ladepfad auszubilden, wenn das Diodenfeld das Lichtsignal empfängt, und wobei die Gleichrichtereinrichtung verhindert, daß zwischen dem Gate und dem Drain des Ausgabe-FETs ein Fotostrom zu­ rückfließt, wenn die Spannung über dem Drain und der Source des FETs im wesentlichen Null wird.

In der erfindungsgemäßen Halbleiterschaltung, die wie oben erwähnt aufgebaut ist, wird zusätzlich zur Be­ schleunigung des Ausschaltvorgangs des Ausgabe-FETs durch den in bezug auf das Gate und die Source ausgebil­ deten Ladepfad beim Einschaltvorgang die Ladegeschwin­ digkeit merklich erhöht, um so die Geschwindigkeitszu­ nahme wirksam zu machen; weiterhin verhindert die Gleichrichtereinrichtung, daß der in den Sperrschicht­ dioden erzeugte Fotostrom über das Gate und den Drain des Ausgabe-FETs zurückfließt, selbst wenn die Spannung zwischen dem Drain und der Source des Ausgabe-FETs im wesentlichen Null wird, wodurch die Schaltung von jeg­ lichen einen solchen Rückfluß in Betracht ziehenden Schaltungsbeschränkungen frei ist und ein ausgezeichne­ ter normaler Betriebsbereich gewährleistet ist.

Die Erfindung wird im folgenden anhand von bevorzugten Ausführungsbeispielen mit Bezug auf die Zeichnungen nä­ her erläutert; es zeigen:

Fig. 1 ein Schaltbild, in dem eine Ausführungsform der erfindungsgemäßen Halbleiterrelaisschaltung dar­ gestellt ist;

Fig. 2 ein Schaltbild, in dem eine weitere Ausführungs­ form dargestellt ist, in der ein Widerstandsmit­ tel mit dem Gleichrichtermittel der in Fig. 1 ge­ zeigten Schaltung in Reihe geschaltet ist;

Fig. 3 eine Darstellung der Beziehung zwischen dem Wi­ derstandswert des Widerstandsmittels und der An­ sprechzeit der in Fig. 2 gezeigten Ausführungs­ form;

Fig. 4 ein Schaltbild einer weiteren Ausführungsform der erfindungsgemäßen Halbleiterrelaisschaltung; und

Fig. 5 eine Darstellung einer weiteren Ausführungsform, in der ein Widerstandsmittel mit dem Gleichrich­ termittel der in Fig. 4 gezeigten Schaltung in Reihe geschaltet ist.

Wenn die vorliegende Erfindung nun mit Bezug auf die in den beigefügten Zeichnungen dargestellten Ausführungs­ formen beschrieben wird, ist zu beachten, daß die Erfin­ dung nicht auf diese Ausführungsformen beschränkt ist, sondern sämtliche Abwandlungen, Änderungen und äquiva­ lente Anordnungen, die innerhalb des Umfangs der Patent­ ansprüche möglich sind, enthält.

Wie in Fig. 1, die eine Ausführungsform der erfindungs­ gemäßen Halbleiterrelaisschaltung darstellt, gezeigt ist, umfaßt die Schaltung im allgemeinen eine Relaisein­ gabeschaltung 10 und eine Relaisausgabeschaltung 11, die unter Aufrechterhaltung eines elektrisch entkoppelten Zustandes von der Relaiseingangsschaltung 10 mit dieser optisch gekoppelt ist. Die Relaiseingangsschaltung 10 enthält eine elektrische Leistungsquelle 12, einen mit der Quelle 12 verbundenen Relaisschalter 13 zum Übertra­ gen eines Eingabesignals und eine über einen Widerstand 15 mit dem Relaisschalter 13 verbundene Leuchtdiode 14 zum Erzeugen eines Lichtsignals aufgrund des Eingabesi­ gnals.

In der Relaisausgangsschaltung 11 ist ein Diodenfeld 16 enthalten, das mit der Lichtemitterdiode 14 in der Ein­ gangsschaltung 10 optisch gekoppelt ist, um aufgrund des von der Lichtemitterdiode 14 empfangenen Lichtsignals eine fotovoltaische Ausgabe zu erzeugen. Dieses Sperr­ schichtfotodiodenfeld 16 ist mit dem Gate und der Source vorzugsweise eines Ausgabe-MOSFETs 17 verbunden, der vorzugsweise ein N-Kanal-Anreichungstyp ist und so ar­ beitet, daß er bei Anlegung der fotovoltaischen Ausgabe vom Diodenfeld 16 über das Gate und die Source von einem ersten Impedanzzustand zu einem zweiten Impedanzzustand wechselt, während er mit seinem Drain und seiner Source über ein Paar von Ausgabeanschlüssen 18 und 18 a mit ei­ ner aus einer Leistungsquelle 19 und einer Last 20 ge­ bildeten Reihenschaltung verbunden ist, so daß er in be­ zug auf die Source-Seite an seiner Drain-Seite auf posi­ tivem Potential liegt, um die Last 20 gemäß seinem Impe­ danzzustand zu steuern.

Über das Gate und die Source des Ausgabe-FETs 17 ist ferner eine den Entladungspfad bildende Steuerungsschal­ tung 21 geschaltet, wobei diese Schaltung 21 beispiels­ weise ein FET vom Verarmungstyp oder ähnliches sein kann, dessen Zustand aufgrund der Anwesenheit oder Abwe­ senheit der Fotosperrschichtausgabe des Diodenfeldes 16 zwischen einem Zustand hoher Impedanz und einem Zustand niedriger Impedanz wechselt. Weiterhin ist über den Drain und das Gate des Ausgabe-FETs 17 eine aus einem Fototransistor 22 und einer Diode 23 gebildete Reihen­ schaltung geschaltet. Hierbei ist der Fototransistor 22 auf die gleiche Weise wie das Diodenfeld 16 ebenfalls mit der Leuchtdiode 14 der Relaiseingabeschaltung 10 op­ tisch gekoppelt, so daß auch der Fototransistor 22 kon­ kurrent das Lichtsignal von der Leuchtdiode 14 empfängt und dadurch in den Zustand mit niedriger Impedanz ge­ schaltet wird. Aufgrund dieses Schaltvorgangs des Foto­ transistors 22 in den Zustand mit niedriger Impedanz wird für eine akkumulierte Ladung über dem Gate und der Source des Ausgabe-FETs 17 ein Ladepfad ausgebildet, so daß die zum Anheben der Spannung zwischen dem Gate und der Source des Ausgabe-FETs 17 erforderliche Zeit merk­ lich abgekürzt wird und der Hochgeschwindigkeitsbetrieb insbesondere beim Einschaltvorgang des Ausgabe-FETs 17 und eventuell der Relaisausgabeschaltung 11 beschleunigt werden kann. In diesem Fall kann der Ausschaltvorgang durch die Steuerungsschaltung 21 beschleunigt und ein Hochgeschwindigkeitsbetrieb der gesamten Schaltung ver­ wirklich werden. Gleichzeitig besitzt die Diode 23 die Wirkung, den vom Diodenfeld 16 abfließenden Strom daran zu hindern, über das Gate und den Drain des Ausgabe-FETs 17 zu fließen, wenn die Spannung über dem Drain und der Source des Ausgabe-FETs 17 im wesentlichen Null wird, d.h. wenn dieser FET in seinen im wesentlichen vollstän­ dig leitenden Zustand geschaltet wird, wodurch ein Ab­ senken der Gatespannung des Ausgabe-FETs vermieden und ein Normalbetrieb als Relais der gesamten Schaltung ge­ währleistet wird.

Nun wird auf Fig. 2 Bezug genommen, in der das Betriebs­ verhalten der in Fig. 1 gezeigten Halbleiterrelaisschal­ tung unter einem Aspekt weiter verbessert ist. Dieser Aspekt betrifft einen zwischen den Fototransistor 22 und die Diode 23 der Schaltung von Fig. 1 eingesetzten Be­ grenzungswiderstand 30. Die Ansprechzeit des Ausgabe- FETs 17 in diesem Aufbau ist bei verschiedenen Werten dieses Begrenzungswiderstandes 30 gemessen worden, wobei die in Fig. 3 gezeigten Ergebnisse erzielt worden sind. Obwohl die Werte des Begrenzungswiderstandes 30 entspre­ chend den Eigenschaften der anderen Schaltungselemente geeignet gewählt werden können, sollte positiv festge­ stellt werden, daß in dem Beispiel von Fig. 3, in dem der Wert des Begrenzungswiderstandes 30 in einem Bereich zwischen 0.5 und 1.0 MΩ gelegen hat, eine stabile An­ sprechzeit insofern erzielt werden kann, als die An­ sprechzeit aufgrund des Einschaltens, die durch die Kur­ ve T.EIN dargestellt ist, bei ungefähr 48 µs gelegen hat und die Ansprechzeit aufgrund des Ausschaltens, die durch die Kurve T.AUS dargestellt ist, bei ungefähr 36 µs gelegen hat. Der Grund hierfür ist, daß selbst dann, wenn die Ausschaltzeit des Beschleunigungshalbleitermit­ tel 22 länger geworden ist als die Einschaltzeit der Steuerungsschaltung 21, der Begrenzungswiderstand so an­ geordnet ist, daß er den aufgrund des Ausschaltens vom Drain des Ausgabe-FETs in das Gate desselben fließenden Strom begrenzt und so ein Abfallen des Gatepotentials des Ausgabe-FETs nicht behindert wird. In der in Fig. 2 gezeigten Ausführungsform sind die anderen Schaltungs­ elemente im wesentlichen dieselben wie die in Fig. 1 ge­ zeigten, so daß auch die gleichen Bezugszeichen wie in Fig. 1 in Fig. 2 verwendet werden.

Während in den Halbleiterrelaisschaltungen von Fig. 1 und Fig. 2 der Fototransistor 23 als ein einen positiven Ladepfad für die Ladung zwischen dem Gate und der Source des Ausgabe-FETs 17 bildendes Element verwendet worden ist, können einige andere fotoempfindliche Elemente wie etwa ein Fotothyristor, eine Fotodiode oder ähnliches, die aufgrund des von der Leuchtdiode 14 empfangenen Lichtsignals einen Stromfluß hervorrufen, gemeinsam ein­ gesetzt werden.

In Fig. 4 ist eine weitere Ausführungsform der erfin­ dungsgemäßen Halbleiterrelaisschaltung gezeigt. Diese Schaltung umfaßt im allgemeinen eine Relaiseingabeschal­ tung 50 und eine Relaisausgabeschaltung 51, die unter Aufrechterhaltung des elektrisch entkoppelten Zustandes von der Eingabeschaltung 50 mit dieser optisch gekoppelt ist. Die Relaiseingabeschaltung 50 umfaßt eine Lei­ stungsquelle 52, die über Relaisanschlüsse 53 und 53 a mit einer Lichtemitterdiode 54 verbunden ist, außerdem ist zwischen die Leistungsquelle 52 und einen der An­ schlüsse 53 und 53 a ein Widerstand 55 eingesetzt, so daß ein Lichtsignal aufgrund eines Eingabesignals an die An­ schlüsse 53 und 53 a von der Leuchtdiode 54 ausgesendet wird.

Die Relaisausgabeschaltung 51 umfaßt ein Diodenfeld 56, das mit der Leuchtdiode 54 in der Relaiseingabeschaltung 50 optisch gekoppelt ist, so daß vom Diodenfeld 56 auf­ grund eines Lichtsignals von der Leuchtdiode 54 eine fo­ tovoltaische Ausgabe erzeugt wird. Ein Ausgabetransi­ stor, vorzugsweise ein MOSFET 57, ist mit seinem Gate und seiner Source mit dem Sperrschichtfotodiodenfeld 56 verbunden, wobei dieser Ausgabe-FET 57 vorzugsweise vom N-Kanal-Anreicherungstyp ist, der so arbeitet, daß er bei Anliegen der vom Diodenfeld 56 ausgegebenen fotovol­ taischen Ausgabe über seinem Gate und seiner Source von einem ersten Impedanzzustand zu einem zweiten Impedanz­ zustand wechselt. Zwischen den Drain und die Source des Ausgabe-FETs 57 ist ferner über ein Paar von Ausgabean­ schlüssen 58 und 58 a eine aus einer Leistungsquelle 59 und einer Last 60 gebildete Reihenschaltung geschaltet, so daß die Drain-Seite in bezug auf die Source-Seite auf positivem Potential liegt und die Last 60 gemäß dem Im­ pedanzzustand des Ausgabe-FETs 57 gesteuert wird.

Andererseits ist zwischen das Gate und die Source des Ausgabe-FETs 57 ein einen Entladepfad bildender Steuer- FET 61 geschaltet, wobei dieser FET vorzugsweise vom Verarmungstyp sein sollte, so daß sein Zustand in Ab­ hängigkeit von der Anwesenheit oder der Abwesenheit der vom Diodenfeld 56 ausgegebenen fotovoltaischen Ausgabe zwischen einem Zustand mit hoher Impedanz und einem Zu­ stand mit niedriger Impedanz wechselt. Zwischen dem Drain und dem Gate des Ausgabe-FETs 57 ist ferner eine aus einem NPN-Transistor 62 und einer Diode 63 gebildete Reihenschaltung geschaltet, wobei der NPN-Transistor 62 mit seiner Basis mit dem positiven Pol des Diodenfeldes 56 verbunden ist und zwischen das Gate des Ausgabe-FETs 57 und den positiven Pol des Diodenfeldes 56 ein Wider­ stand 64 eingesetzt ist.

In der Ausführungsform von Fig. 4 wird die durch das Eingangslichtsignal im Diodenfeld 56 erzeugte Sperr­ schichtfotoausgabe insbesondere über die Source und den Drain des Steuer-FETs 61 am Widerstand 64 bereitge­ stellt, wo, falls die über dem Widerstand 64 anliegende Spannung einen Schwellenpegel übersteigt, der Steuer-FET 61 in den Zustand mit hoher Impedanz wechselt, so daß Ladung über das Gate und die Source des Ausgabe-FETs 57 herausgeführt wird. Bei diesem Aufladevorgang wird eine am Widerstand 64 erzeugte Spannung über die Basis und den Emitter des NPN-Transistors 62 angelegt, so daß die­ ser normal vorgespannt wird und zwischen dem Kollektor und dem Ermitter des NPN-Transistors 62 ein leitender Zustand erreicht wird. Daher wird auf die gleiche Weise wie in der in Fig. 1 gezeigten Ausführungsform ein Lade­ pfad für die akkumulierte Ladung über dem Gate und der Source des Ausgabe-FETs 57 über dem NPN-Transistor 62 ausgebildet, wobei der Spannungsanstieg zwischen Gate und Source des Ausgabe-FETs 57 so steil gemacht wird, daß der Einschaltvorgang der Relaisausgabeschaltung 51 beschleunigt werden kann. Wenn die Spannung zwischen dem Drain und der Source des Ausgabe-FETs 57 im wesentlich den Wert Null erreicht, würde der vom Diodenfeld 56 ab­ fließende Fotostrom wahrscheinlich zwischen dem Gate und dem Drain des Ausgabe-FETs 57 in die Gegenrichtung fließen; dieser Fluß in die Gegenrichtung wird jedoch durch die Diode 63 verhindert. Wenn andererseits das Lichtsignal an das Diodenfeld 56 endet und das Dioden­ feld 56 die Erzeugung der fotovoltaischen Ausgabe unter­ bricht, wird der NPN-Transistor 62 durch die Spannung über dem Gate und der Source des Ausgabe-FETs 57 über seine Basis und seinen Emitter entgegengesetzt vorge­ spannt, so daß er in einen nichtleitenden Zustand ge­ schaltet wird. Gleichzeitig fällt die Spannung über dem Gate und der Source des Steuer-FETs 61 ab, so daß dieser FET 61 wieder in den Zustand mit niedriger Impedanz ge­ schaltet wird, die über dem Ausgabe-FET akkumulierte La­ dung über den als Entladepfad fungierenden Steuer-FET 61 schnell entladen wird und dadurch ein Hochgeschwindig­ keitsausschaltvorgang der Relaisausgabeschaltung 51 ver­ wirklicht werden kann. Folglich hat die vorliegende Er­ findung auch die Wirkung, den Betrieb der Halbleiter­ relaisschaltung zu beschleunigen. Im vorliegenden Bei­ spiel kann der NPN-Transistor durch einen N-Kanal-MOSFET ersetzt und der gleiche Wirkungsgrad erwartet werden.

Wie in Fig. 5 gezeigt, ist in der Halbleiterrelaisschal­ tung von Fig. 4 zwischen den NPN-Transistor 62 und die Diode 63 zusätzlich ein Begrenzungswiderstand 70 einge­ setzt; hierbei kann ebenfalls sowohl der im wesentlichen gleiche Stabilitätsgrad der Ansprechzeit wie in der Aus­ führungsform von Fig. 2 als auch die Beibehaltung des normalen Betriebsbereichs bewerkstelligt werden.

Claims (9)

1. Halbleiterrelaisschaltung mit einem lichtemittieren­ den Element, das ein Lichtsignal erzeugt, mit einem mit dem lichtemittierenden Element optisch gekoppel­ ten Diodenfeld, das aufgrund des Lichtsignals eine fotovoltaische Ausgabe erzeugt, mit einem mit dem Diodenfeld verbundenen Ausgabe-FET, der durch die über seinem Gate und seiner Source angeleg­ te fotovoltaische Ausgabe veranlaßt wird, von einem ersten Impedanzzustand zu einem zweiten Impedanzzu­ stand zu wechseln, und mit Mitteln, die zwischen das Gate und die Source des FETs geschaltet sind, um des­ sen Funktion zu steuern, dadurch gekennzeichnet, daß eine Halbleitermittel und Gleichrichtermittel aufwei­ sende Reihenschaltung zwischen den Drain und das Gate des Ausgabe-FETs geschaltet ist, die Halbleitermittel in einen Zustand mit niedriger Impedanz geschaltet werden, um so einen Ladepfad für eine akkumulierte Ladung über dem Gate und der Source des Ausgabe-FETs zu bilden, wenn das Diodenfeld das Lichtsignal em­ pfängt, und die Gleichrichtermittel verhindern, daß zwischen dem Gate und dem Drain des Ausgabe-FETs ein entgegengesetzter Fotostromfluß auftritt, wenn die Spannung zwischen dem Drain und der Source des FETs im wesentlichen Null wird.

2. Schaltung gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitermittel in der Reihenschaltung ein Fototransistor und das Gleichrichtermittel in der Reihenschaltung eine Diode ist.

3. Schaltung gemäß Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Funktionssteuerungsmittel einen Steuer-FET vom Verarmungstyp enthält.

4. Schaltung gemäß Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein Widerstand mit dem Fototransistor und der Diode der Reihenschaltung in Reihe geschaltet ist.

5. Schaltung gemäß Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Funktionssteuerungsmittel einen Steuer-FET vom Verarmungstyp enthält.

6. Schaltung gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitermittel in der Reihenschaltung ein Schalttransistor und das Gleichrichtermittel der Rei­ henschaltung eine Diode ist.

7. Schaltung gemäß Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Funktionssteuerungsmittel einen Steuer-FET vom Verarmungstyp enthält.

8. Schaltung gemäß Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Widerstand mit dem Schalttransistor und der Diode der Reihenschaltung in Reihe geschaltet ist.

9. Schaltung gemäß Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Funktionssteuerungsmittel einen Steuer-FET vom Verarmungstyp enthält.