DE3907693C2 - - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von
durch die Formel W3C wiedergegebenem Wolframcarbid durch
eine chemische Reaktion in der Dampfphase zwischen Wol
framhexafluorid und einer Mischung aus Wasserstoff und
einem aromatischen Kohlenwasserstoff
bei einer nicht unter 250°C liegenden Temperatur. Insbesondere ist
das Verfahren zur Ablagerung eines Filmes aus W3C auf
einer Metalloberfläche geeignet.
Es ist bekannt, daß harte und zusammenhängende Überzüge
aus Wolframcarbid für die Verbesserung der Abnutzungsbe
ständigkeit und Dauerhaftigkeit für Schneidwerkzeuge und
Maschinenteile sehr wirksam sind. Es ist möglich, einen
Wolframcarbidfilm auf einer Metalloberfläche durch ein
Plasmasprühverfahren oder Flammensprühverfahren abzula
gern, jedoch ist es in jedem Fall schwierig, einen Film
mit ausreichend hoher Dichte und guter Haftfestigkeit
gegenüber der Metalloberfläche auszubilden.
Andererseits wurde gezeigt, daß es möglich ist, durch
Arbeitsweisen der chemischen Dampfabscheidung (CVD) Wol
framcarbidüberzüge mit weit besseren Eigenschaften so
wohl hinsichtlich Dichte als auch Haftung an den Metall
oberflächen herzustellen. Bei der Bildung von Wolfram
carbid durch CVD ist eine bevorzugte Wolframquelle Wol
framhexafluorid, und es wurden Untersuchungen der Dampf
phasenreaktionen zwischen Wolframhexafluorid und verschie
denen Arten von reduzierenden Gasmischungen, welche eine
Kohlenstoffquelle enthalten, durchgeführt.
Im allgemeinen müssen Dampfphasenreaktionen bei beträcht
lich hohen Temperaturen zur Ablagerung der gewünschten
Wolframcarbidfilme durchgeführt werden. Beispielsweise
zeigt die GB 13 26 769 die Ausbildung eines Überzugs aus
Wolframcarbid mit der chemischen Formel WC oder W2C durch
Dampfphasenreaktion zwischen Wolframhexafluorid und einem
Mischgas aus Wasserstoff und einem aromatischen Kohlen
wasserstoff wie Benzol bei Temperaturen zwischen 400°C
und 1000°C. Da solche hohen Temperaturen in abträglicher
Weise die Metallmaterialien der dem Beschichten unterwor
fenen Gegenstände beeinträchtigen, gibt es Einschränkungen
hinsichtlich der Anwendungen dieser Beschichtungsmethode
bei Präzisionsmetallteilen.
Die JP 62-15 484 zeigt, daß die Dampfphasenreaktion zwi
schen Wolframhexafluorid und einer Mischung aus Wasser
stoff und einem aromatischen Kohlenwasserstoff für die
Ablagerung von Wolframcarbid bei relativ niedrigen Reak
tionstemperaturen, nämlich bei 350-500°C, durchgeführt
werden kann, indem das Atomverhältnis von Wolfram zu Koh
lenstoff in dem Reaktionsgemisch innerhalb des Bereiches
von 3 bis 6 beschränkt wird. Durch Röntgenbeugungsanalyse
der nach dieser Methode erhaltenen Wolframcarbidfilme
wurde bewiesen, daß sie die chemische Formel W3C besitzen.
Ein Verdienst dieser Methode im Vergleich zu WC-Filmen
und W2C-Filmen ist, daß W3C-Filme einen besseren Oberflä
chenglanz und eine bessere Abriebbeständigkeit besitzen
und damit einen höheren Handelswert haben. Jedoch muß
selbst bei dieser Methode die Reaktionstemperatur auf
einen Wert von etwa 400°C für die praktische Durchführung
der Ablagerung von ausgezeichneten Wolframcarbidfilmen
liegen, und es gibt daher beträchtliche Beschränkungen
bei industriellen Anwendungen dieser Methode. Weiterhin
bedingt diese Methode kostspielige Ausrüstungen und kompli
zierte Arbeitsvorgänge, da die Dampfphasenreaktion unter
vermindertem Druck, üblicherweise bei oder unterhalb von
20 × 103 Pa durchgeführt wird. Darüber hinaus
sind die nach dieser Methode hergestellten Filme aus W3C
nicht voll zufriedenstellend hinsichtlich des Glanzes.
Aus der DE 21 49 914 B2 ist ebenfalls ein Verfahren zur
Herstellung von Wolframcarbidüberzügen auf der Oberfläche
eines Substrates bei Temperaturen zwischen 400 und 1000°C
unter Verwendung eines Gasgemisches aus Wolframhexafluorid,
einem Kohlenwasserstoff und Wasserstoff bekannt, wobei
die Reaktionsteilnehmer so abgestimmt werden, daß kein
freier Kohlenstoff abgeschieden wird, wozu das Verhältnis
Wolfram/Kohlenstoff in der Reaktionsmischung zwischen
1-2 Wolframatome pro Kohlenstoffatom beträgt. Weiterhin
ist aus der DE 24 46 813 B2 eine Dampfphasenreaktion zur
Herstellung von einem hauptsächlich Monowolframcarbid ent
haltendem Wolframcarbidprodukt bekannt, bei welchem im
Temperaturbereich von 300 bis 3000°C gearbeitet wird und
ein Verhältnis von Kohlenstoff/Wolfram von 1 angestrebt
wird.
Aufgabe der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung
von Wolframcarbid der Formel W3C durch chemische Dampfab
scheidung unter Verwendung einer gasförmigen Mischung aus
Wolframhexafluorid, einem aromatischen Kohlenwasserstoff
und Wasserstoff sowie ein Verfahren mit dem Beschichtungen
aus W3C mit ausgezeichneten Eigenschaften bei ziemlich nied
rigen Temperaturen, welche die der Beschichtung unterworfenen,
metallischen Materialien kaum beeinflussen, selbst
unter atmosphärischem Druck hergestellt werden können.
Zur Lösung dieser Aufgabe dient das erfindungsgemäße Ver
fahren zur Herstellung von Wolframcarbid der Formel W3C,
bei welchem eine Gasmischung aus Wolframhexafluorid, einem
aromatischen Kohlenwasserstoff und Wasserstoff der Dampf
phasenreaktion bei einer nicht unter 250°C liegenden Temperatur unterworfen
wird, wobei das Verfahren dadurch gekennzeichnet ist,
daß die drei Bestandteile der Gasmischung in einem
solchen Verhältnis vorliegen, daß in der Gasmischung das
Atomverhältnis von Kohlenstoff zu Wolfram im Bereich von
2 bis 10 liegt, und daß in der Gasmischung das Atomver
hältnis von Wasserstoff zu Kohlenstoff nicht niedriger
als 3 ist.
Durch dieses Verfahren ist die Ausbildung entweder eines
Pulvers oder eines Filmes aus W3C möglich. Die Dampfpha
senreaktion zur Herstellung von W3C kann bei Temperaturen
von nicht niedriger als 250°C durchgeführt werden. Der
obere Grenzwert der Reaktionstemperatur ist nicht streng
beschränkt. Im allgemeinen sind relativ hohe Temperaturen
zur Herstellung von Pulver aus W3C günstig, während rela
tiv niedrigere Temperaturen zur Herstellung von W3C-Fil
men auf Metalloberflächen oder anderen festen Oberflächen
vorteilhaft sind. Daher ist es im Fall der Herstellung
eines Films aus Wolframcarbid auf einem Substrat nach
dem erfindungsgemäßen Verfahren vorteilhaft, die zuvor
genannte Dampfphasenreaktion bei einer Temperatur im Be
reich von 250°C bis 500°C durchzuführen.
Ein wesentlicher Vorteil der Erfindung liegt darin, daß
ein ausgezeichneter Wolframcarbidfilm auf z. B. einer Metallober
fläche selbst bei einer niedrigeren Temperatur als 300°C
abgeschieden werden kann. Daher ist es für zahlreiche
Arten von Metallmaterialien möglich, die Beschichtung
mit Wolframcarbid bei nur geringer nachteiliger Beeinflus
sung der Metallmaterialien durchzuführen. Dies bedeutet,
daß das erfindungsgemäße Verfahren weit verbreitet bei
unterschiedlichen Maschinenelementen einschließlich Tei
len von Präzisionsinstrumenten anwendbar ist. Nach der
Erfindung hergestellte Wolframcarbidfilme besitzen eine
hohe Härte und Dichte, einen sehr guten Oberflächenglanz
und eine sehr gute Haftung auf den Substraten bzw. Unter
lagen.
Ein weiterer wesentlicher Vorteil der Erfindung ist, daß
die Ablagerung eines Wolframcarbidfilms auf einer Metallober
fläche unter atmosphärischem Druck durchgeführt werden
kann. In diesem Fall kann die Dampfphasenreaktion in ei
ner relativ einfachen und wenig kostspieligen Apparatur
durchgeführt werden, und die Arbeitsvorgänge sind eben
falls einfacher. Darüber hinaus wird die Produktivität
erhöht, da die Ablagerungsgeschwindigkeit des Wolfram
carbids hoch ist, wenn die Reaktion unter atmosphärischem
Druck durchgeführt wird. Jedoch ist es ohne weiteres mög
lich, den erfindungsgemäßen CVD-Vorgang unter verminder
tem Druck durchzuführen. Wenn das Aussehen des abgelager
ten Wolframcarbidfilms von großer Wichtigkeit ist, ist
eine Abscheidung unter vermindertem Druck wegen der Mög
lichkeit der Verbesserung der Gleichförmigkeit und des
Glanzes des abgelagerten Filmes vorteilhaft.
Die Erfindung wird im folgenden anhand bevorzugter Aus
führungsformen näher erläutert.
Bei der Erfindung ist die Quelle für Wolfram zur Bildung
des Wolframcarbids immer Wolframhexafluorid. Die Quelle
für Kohlenstoff ist ein aromatischer Kohlenwasserstoff,
der üblicherweise unter Arylkohlenwasserstoffen wie z. B.
Benzol, Toluol und Xylol ausgewählt wird. Die Verwendung
von Benzol, das einen relativ hohen Dampfdruck besitzt
und zur Verwendung als industrielles Ausgangsmaterial
bequem zur Verfügung steht, ist bevorzugt.
Der Anteil des aromatischen Kohlenwasserstoffs zum Wol
framhexafluorid ist unter der Bedingung variabel, daß
das Verhältnis von Kohlenstoff in dem Kohlenwasserstoff
zu Wolfram in dem Hexafluorid in dem Bereich von 2 bis 10,
ausgedrückt als Atomverhältnis C/W, fällt. Falls die Menge
des Kohlenwasserstoffs so gering ist, daß das Atomverhält
nis von Kohlenstoff zu Wolfram den Wert von 2 nicht er
reicht, ist die Herstellung eines Films aus reinem W3C
schwierig, und in den meisten Fällen wird ein Film aus
einer Mischung aus W3C und Wolfram (W) erhalten. Die ele
mentares W enthaltenden Filme sind schlechter als reine
W3C-Filme hinsichtlich der physikalischen Eigenschaften
einschließlich des Oberflächenglanzes und der Abriebbe
ständigkeit. Andererseits macht es wenig Probleme, die
Menge des aromatischen Kohlenwasserstoffes in einem sol
chen Ausmaß zu erhöhen, daß das Atomverhältnis von Koh
lenstoff zu Wolfram 10 überschreitet, obwohl dies die
Vergeudung einer beträchtlichen Menge des Kohlenwasser
stoffs bedeutet und daher nicht ökonomisch ist.
Bei der Erfindung gibt es eine Beschränkung hinsichtlich
der Menge des Wasserstoffgases, das zusammen mit den zu
vor beschriebenen Quellen für Wolfram und Kohlenstoff
verwendet werden muß. Das heißt, daß in der Gasmischung
eines aromatischen Kohlenwasserstoffs, von Wolframhexa
fluorid und Wasserstoff die Menge des Wasserstoffgases
derart sein muß, daß das Verhältnis von Wasserstoff (ein
schließlich des Wasserstoffes des Kohlenwasserstoffes)
zu Kohlenstoff wenigstens 3, ausgedrückt als Atomverhält
nis H/C, wird. Falls das Atomverhältnis von Wasserstoff
zu Kohlenstoff niedriger als 3 liegt, ergibt der CVD-Pro
zeß einen Film aus einer Mischung aus W3C und W.
Eine gasförmige Mischung der Ausgangsmaterialien wird
der Dampfphasenreaktion durch angemessenes Erhitzen unter
worfen. Wie zuvor beschrieben, ist die Reaktionstempera
tur in breitem Maße variabel, sofern sie nicht niedriger
als 250°C liegt, obwohl die Anwendung einer nicht höher
als 500°C liegenden Reaktionstemperatur bevorzugt ist,
wenn ein Film aus W3C auf einem Metall oder einer anderen
festen Oberfläche ausgebildet werden soll.
Obwohl das Material der festen Oberfläche zur Ablagerung
von W3C hierauf nicht beschränkt ist, werden die Vorteile
des erfindungsgemäßen Verfahrens voll erreicht, wenn Alu
minium das Substratmaterial ist. Aluminium besitzt ein
niedriges spezifisches Gewicht und hat zahlreiche günstige
Eigenschaften, jedoch besitzt es keine große Oberflächen
härte und weist damit eine niedrigere Abriebbeständigkeit
auf. Dieser Nachteil wird durch Beschichtung mit einem
guten Film aus Wolframcarbid vermieden. Insbesondere wenn
die Erfindung auf Aluminium mit einer Reinheit von 98%
oder höher angewandt wird, haftet der abgelagerte W3C-
Film sehr fest auf der Aluminiumoberfläche.
Die Dampfphasenreaktion kann bei normalem Druck durchge
führt werden, und wenn ein W3C-Film sehr hoher Qualität
ausgebildet werden soll, kann sie unter vermindertem Druck
durchgeführt werden.
Abgesehen von den zuvor beschriebenen Beschränkungen und
Bedingungen kann die Dampfphasenreaktion gemäß der Erfin
dung unter Anwendung konventioneller CVD-Techniken durch
geführt werden.
Die Erfindung wird anhand der folgenden Beispiele näher
erläutert:
Eine konventionelle CVD-Apparatur vom Typ mit horizontaler
Strömung wurde verwendet. Die Apparatur besaß ein zylin
drisches Reaktionsgefäß mit einem Innendurchmesser von
40 cm, einer Gesamtlänge von 100 cm und einer Länge der
Zone der homogenen Temperatur von 60 cm. Im Zentrum der
Zone homogener Temperatur war ein Streifen aus Nickel
blech mit einer Breite von 2 cm, einer Länge von 5 cm
und einer Dicke von 2 mm als mit Wolframcarbid zu beschich
tendes Substrat angeordnet, und das Innere des Reaktions
gefäßes wurde erhitzt gehalten. In diesem Zustand wurde
ein Mischgas der Ausgangsmaterialien kontinuierlich in
das Reaktionsgefäß über eine an einem Ende des Reaktions
gefäßes vorgesehene Düse eingeführt.
Die zuvor beschriebene Apparatur und die Bedingungen wur
den nicht nur in diesem Beispiel, sondern auch bei den
folgenden Beispielen und den Vergleichsversuchen ange
wandt.
In diesem Beispiel wurde ein Mischgas aus Wolframhexa
fluorid, Benzol und Wasserstoff, in den Anteilen von
2,2 : 1 : 33, angegeben in mol, angewandt. In dem Misch
gas betrug das Atomverhältnis C/W = 2,7 und das Atomver
hältnis H/C = 11. In dem Reaktor wurde die Zone der homo
genen Temperatur auf 400°C gehalten. Unter atmosphärischem
Druck wurde das Mischgas kontinuierlich in das Reaktions
gefäß während 30 min bei einer Strömungsrate von 7,8 l/min
eingeführt. Als Ergebnis wurde ein harter und glänzender
Film mit einer Dicke von 19 µm auf der Oberfläche des
Nickelstreifens ausgebildet. Aus dem Röntgenbeugungsmuster
wurde bestätigt, daß der Film ein Film aus reinem W3C
war.
Ein Mischgas aus Wolframhexafluorid, Benzol und Wasser
stoff in den Molverhältnissen von 1,4 : 1 : 10 wurde ver
wendet. In dem Mischgas betrug das Atomverhältnis C/W = 4,3
und das Atomverhältnis H/C = 3,3. Im Reaktionsgefäß wurde
die Zone der homogenen Temperatur auf 300°C gehalten.
Unter atmosphärischem Druck wurde das Mischgas kontinuier
lich in das Reaktionsgefäß während 60 min bei einer Strö
mungsrate von 2,1 l/min eingeführt. Als Ergebnis wurde
ein harter und glänzender Film mit einer Dicke von 12 µm
auf der Oberfläche des Nickelstreifens ausgebildet. Aus
dem Röntgenbeugungsmuster wurde bestätigt, daß dieser
Film ein Film aus reinem W3C war.
Ein Mischgas aus Wolframhexafluorid, Benzol und Wasser
stoff in den Molverhältnissen 2,7 : 1 : 42 wurde verwen
det. In dem Mischgas betrug das Atomverhältnis C/W = 2,2
und das Atomverhältnis H/C = 7,0. In dem Reaktionsgefäß
wurde die Zone der homogenen Temperatur auf 250°C gehal
ten. Unter atmosphärischem Druck wurde das Mischgas konti
nuierlich in das Reaktionsgefäß während 90 min bei einer
Strömungsrate von 7,6 l/min eingeführt. Als Ergebnis wurde
ein harter und glänzender Film mit einer Dicke von 9 µm
auf der Oberfläche des Nickelstreifens ausgebildet. Aus
dem Röntgenbeugungsmuster wurde bestätigt, daß dieser
Film ein Film aus reinem W3C war.
Ein Mischgas aus Wolframhexafluorid, Benzol und Wasser
stoff in den Molverhältnissen 16 : 1 : 233 wurde verwen
det. In dem Mischgas betrug das Atomverhältnis C/W ledig
lich 0,38 und das Atomverhältnis H/C = 78. In dem Reak
tionsgefäß wurde die Zone der homogenen Temperatur auf
400°C gehalten. Unter atmosphärischem Druck wurde das
Mischgas kontinuierlich in das Reaktionsgefäß während
30 min bei einer Strömungsrate von 7,5 l/min eingeführt.
Als Ergebnis wurde ein glanzloser Film mit einer Dicke
von 21 µm auf der Oberfläche des Nickelstreifens ausge
bildet. Aus dem Röntgenbeugungsmuster wurde bestätigt,
daß dieser Film aus einer Mischung von W und W3C bestand.
Ein Mischgas aus Wolframhexafluorid, Benzol und Wasser
stoff in den Molverhältnissen 2,9 : 1 : 8,1 wurde verwen
det. In dem Mischgas erreichte das Atomverhältnis C/W=
2,8 und das Atomverhältnis H/C war lediglich 2,7. In dem
Reaktionsgefäß wurde die Zone der homogenen Temperatur
auf 400°C gehalten. Unter atmosphärischem Druck wurde
das Mischgas kontinuierlich in das Reaktionsgefäß während
60 min bei einer Strömungsrate von 1,0 l/min eingeführt.
Als Ergebnis wurde ein Film mit einer Dicke von 30 µm
auf dem Nickelstreifen ausgebildet. Dieser Film war glän
zend, nahm jedoch eine schwach bläuliche Färbung an. Aus
dem Röntgenbeugungsmuster wurde bestätigt, daß dieser
Film aus einer Mischung von W und W3C gebildet war.
Ein Mischgas aus Wolframhexafluorid, Benzol und Wasser
stoff in den Molverhältnissen 1,7 : 1 : 31 wurde verwen
det. In dem Mischgas betrug das Atomverhältnis C/W = 3,5
und das Atomverhältnis H/C = 10. Im Reaktionsgefäß wurde
die Zone der homogenen Temperatur auf 400°C gehalten.
Unter vermindertem Druck (Gesamtgasdruck) von 12 × 103 Pa
(90 Torr) wurde das Mischgas kontinuierlich in das Reak
tionsgefäß während 60 min bei einer Strömungsrate von
2,4 l/min eingeführt. Als Ergebnis wurde ein harter und
glänzender Film mit einer Dicke von 9 µm auf der Ober
fläche des Nickelstreifens ausgebildet. Aus dem Röntgen
beugungsmuster wurde bestätigt, daß dieser Film ein Film
aus reinem W3C war. Verglichen mit den in den Beispielen
1 bis 3 hergestellten Filmen war dieser W3C-Film hinsicht
lich Gleichmäßigkeit, Oberflächenglätte und Glanz über
legen.
Der CVD-Vorgang von Beispiel 4 wurde mit der Ausnahme
wiederholt, daß die Reaktionstemperatur auf 300°C ernie
drigt wurde, und daß die Reaktion (Einspeisung des Misch
gases) während 120 min fortgeführt wurde. Als Ergebnis
wurde ein Film aus reinem W3C mit einer Dicke von 8 µm
auf dem Nickelstreifen ausgebildet. Im Aussehen unter
schied sich dieser Film nicht nennenswert von dem in Bei
spiel 4 hergestellten Film.
Ein Mischgas aus Wolframhexafluorid, Benzol und Wasser
stoff in den Molverhältnissen 20 : 1 : 367 wurde verwen
det. In dem Mischgas betrug das Atomverhältnis C/W ledig
lich 0,31 und das Atomverhältnis H/C war 121. Abgesehen
von dieser Änderung wurde der CVD-Vorgang des Beispiels 4
wiederholt. In diesem Fall betrug die Dicke des auf dem
Nickelstreifen ausgebildeten Films nur 4 µm. Aus dem
Röntgenbeugungsmuster wurde bestätigt, daß dieser Film
aus einer Mischung aus W und W3C gebildet war. Dieser
Film war hinsichtlich Oberflächenglanz und Oberflächenglätte
dem in Beispiel 4 hergestellten W3C-Film beträchtlich
unterlegen und örtlich war die Filmoberfläche rauh.
Der CVD-Vorgang von Vergleichsversuch C wurde mit der
Ausnahme wiederholt, daß die Reaktionstemperatur auf 300°C
erniedrigt wurde und daß die Reaktion (Einspeisung des
Mischgases) während 120 min fortgeführt wurde. Auch in
diesem Fall wurde ein Film aus einer Mischung von W und
W3C auf dem Nickelstreifen ausgebildet. Die Dicke des
Films betrug nur 3 µm.
Claims (11)
1. Verfahren zur Herstellung von Wolframcarbid der Formel
W₃C,bei welchem eine Gasmischung aus Wolframhexafluorid,
einem aromatischen Kohlenwasserstoff und Wasserstoff
einer Dampfphasenreaktion bei
einer nicht unter 250°C liegenden Temperatur
unterworfen wird, dadurch gekennzeichnet, daß
das Wolframhexafluorid, der aromatische Kohlenwasser
stoff und der Wasserstoff so proportioniert werden,
daß das Atomverhältnis von Kohlenstoff zu Wolfram in
der Gasmischung im Bereich von 2 bis 10 liegt und daß
das Atomverhältnis von Wasserstoff zu Kohlenstoff in
der Gasmischung nicht niedriger als 3 ist.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß als aromatischer Kohlenwasserstoff ein Aryl
kohlenwasserstoff verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß als Arylkohlenwasserstoff Benzol verwendet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Dampfphasenreaktion bei Normaldruck durchge
führt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Dampfphasenreaktion unter vermindertem Druck
durchgeführt wird.
6. Verfahren zur Ablagerung eines Filmes aus Wolframcar
bid der Formel W3C auf einem Substrat, wobei eine Gas
mischung aus Wolframhexafluorid, einem aromatischen
Kohlenwasserstoff und Wasserstoff bei einer
im Bereich von 250 bis 500°C liegenden
Temperatur in einer Kammer, in der dieses Substrat
angeordnet ist, einer Dampfphasenreaktion unterworfen
wird, dadurch gekennzeichnet, daß
das Wolframhexafluorid, der aromatische Kohlenwasser
stoff und der Wasserstoff so proportioniert werden,
daß das Atomverhältnis von Kohlenstoff zu Wolfram in
der Gasmischung im Bereich von 2 bis 10 liegt und daß
das Atomverhältnis von Wasserstoff zu Kohlenstoff in
der Gasmischung nicht niedriger als 3 ist.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
daß als aromatischer Kohlenwasserstoff ein Arylkohlen
wasserstoff verwendet wird.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet,
daß der Arylkohlenwasserstoff Benzol ist.
9. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
daß die Dampfphasenreaktion bei Normaldruck durchge
führt wird.
10. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
daß die Dampfphasenreaktion unter vermindertem Druck
durchgeführt wird.
11. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
daß das Substrat ein Metallteil ist.
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