DE3822348A1 - Reinigungsverfahren fuer wasserstoffperoxid - Google Patents
Reinigungsverfahren fuer wasserstoffperoxidInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Reinigen von in der
Halbleitertechnik verwendbarem Wasserstoffperoxid.
Bei der Herstellung von hochintegrierten elektrischen Schaltun
gen muß der Reinheitsgrad des zum Beispiel bei Reinigungspro
zessen verwendeten Wasserstoffperoxids sehr hoch sein, um bei
spielsweise hochqualifizierte Isolationsschichten (Gateoxide)
zu erhalten.
Es ist bekannt, Wasserperoxid (H2O2) durch Destillation zu rei
nigen.
Desweiteren ist auch bekannt, Kationenaustauscher für die Rei
nigung einzusetzen (siehe japanische Patentanmeldung Nr.
62-187 103).
Aufgabe der Erfindung ist es, die im Handel erhältlichen Wasser
stoffperoxidlösungen bezüglich ihrer Reinheit so zu maximieren,
daß auch geringste Mengen von Übergangsmetallen, wie zum Bei
spiel Eisen, Kupfer, Aluminium und auch von Säuren bzw. deren
Anionen, wie zum Beispiel Acetat, Chlorid, Phosphat entfernt
werden. Dabei soll ein Reinheitsgrad im Bereich von µg/l sicher
erreicht werden.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren der ein
gangs genannten Art gelöst, welches dadurch gekennzeichnet ist,
daß
- a) zunächst die in der Wasserstoffperoxidlösung vorhandenen Me tallionen in anionische Komplexe mit mehrzähligen Liganden überführt werden,
- b) dann die Wasserstoffperoxidlösung mittels Anionenaustau scher behandelt wird.
Dabei liegt es im Rahmen des Erfindungsgedankens, daß zur Kom
plexbildung Ethylendiamintetraacetat und als Anionenaustauscher
stark basische Austauscher auf Polystyrol-Polyvinylbenzol-Basis
verwendet werden. Als Komplexbildner kann beispielsweise auch
Diethylentriaminpentaacetat verwendet werden.
Durch Überführen der Metallionen in zum Beispiel anionische
Ehtylendiamintetraacetatkomplexe (EDTA-Komplexe) und der Nach
reinigung der so behandelten Wasserstoffperoxidlösung mittels
Anionenaustauschern werden sowohl die Säuren als auch die Me
tallkomplexe dem Wasserstoffperoxid entzogen. Der Reinigungs
effekt liegt zum Beispiel bei Acetat beim Faktor 1000; bei den
Metallen liegt der Faktor zwischen 50 und 1000. Die geringeren
Mengen Ethylendiamintetraacetat (EDTA), die im Wasserstoffper
oxid verbleiben, komplexieren zusätzlich nachträglich einge
schleppte Metallspuren und verhindern dadurch deren Abscheidung
auf den Siliziumkristallscheiben bei der Halbleiterbauelemente-
Herstellung. Dies ist ein zusätzlicher, sehr vorteilhafter
Effekt.
Claims (3)
1. Verfahren zum Reinigen von in der Halbleitertechnik verwend
barem Wasserstoffperoxid, dadurch gekenn
zeichnet, daß
- a) zunächst die in der Wasserstoffperoxidlösung vorhandenen Me tallionen in anionische Komplexe mit mehrzähligen Liganden überführt werden,
- b) dann die Wasserstoffperoxidlösung mittels Anionenaustauscher behandelt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß zur Komplexbildung Ethylendiamintetra
acetat (EDTA) verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge
kennzeichnet, daß als Anionenaustauscher stark
basische Austauscher auf Polystyrol-Polyvinyl-Benzol-Basis ver
wendet werden.
Priority Applications (1)
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DE3822348A1 true DE3822348A1 (de) | 1990-01-04 |
DE3822348C2 DE3822348C2 (de) | 1990-06-28 |
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DE19883822348 Granted DE3822348A1 (de) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | Reinigungsverfahren fuer wasserstoffperoxid |
Country Status (1)
Country | Link |
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DE (1) | DE3822348A1 (de) |
Cited By (3)
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DE2906952C2 (de) * | 1978-03-30 | 1985-11-07 | Allergan Pharmaceuticals, Inc., Irvine, Calif. | Stabilisierte, wäßrige Wasserstoffperoxid- oder Harnstoffperoxidlösung |
-
1988
- 1988-07-01 DE DE19883822348 patent/DE3822348A1/de active Granted
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3822348C2 (de) | 1990-06-28 |
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