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DE3776805D1 - Verfahren fuer die ausrichtung einer maske gegenueber einem substrat sowie vorrichtung fuer die benutzung dieses verfahrens. - Google Patents

Verfahren fuer die ausrichtung einer maske gegenueber einem substrat sowie vorrichtung fuer die benutzung dieses verfahrens.

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DE3776805D1
DE3776805D1 DE8787200341T DE3776805T DE3776805D1 DE 3776805 D1 DE3776805 D1 DE 3776805D1 DE 8787200341 T DE8787200341 T DE 8787200341T DE 3776805 T DE3776805 T DE 3776805T DE 3776805 D1 DE3776805 D1 DE 3776805D1
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DE
Germany
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aligning
mask
substrate
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Application number
DE8787200341T
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English (en)
Inventor
Den Brink Marinus Aart Van
Eijk Jan Van
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ASML Netherlands BV
Original Assignee
ASML Netherlands BV
Philips Gloeilampenfabrieken NV
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Publication date
Family has litigation
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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric

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DE8787200341T 1986-03-12 1987-02-26 Verfahren fuer die ausrichtung einer maske gegenueber einem substrat sowie vorrichtung fuer die benutzung dieses verfahrens. Expired - Lifetime DE3776805D1 (de)

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NL8600639A NL8600639A (nl) 1986-03-12 1986-03-12 Werkwijze voor het ten opzichte van elkaar uitrichten van een masker en een substraat en inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze.

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Families Citing this family (67)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5137363A (en) * 1986-06-04 1992-08-11 Canon Kabushiki Kaisha Projection exposure apparatus
JPH0797545B2 (ja) * 1986-07-04 1995-10-18 株式会社トプコン 投影露光装置用の光学的位置合わせ装置
JPS63229305A (ja) * 1987-03-18 1988-09-26 Nikon Corp パタ−ン検出装置
NL8900991A (nl) * 1989-04-20 1990-11-16 Asm Lithography Bv Apparaat voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat.
NL9000503A (nl) * 1990-03-05 1991-10-01 Asm Lithography Bv Apparaat en werkwijze voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat.
NL9001611A (nl) * 1990-07-16 1992-02-17 Asm Lithography Bv Apparaat voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat.
US5638211A (en) 1990-08-21 1997-06-10 Nikon Corporation Method and apparatus for increasing the resolution power of projection lithography exposure system
US7656504B1 (en) 1990-08-21 2010-02-02 Nikon Corporation Projection exposure apparatus with luminous flux distribution
US6710855B2 (en) * 1990-11-15 2004-03-23 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method
US5719704A (en) 1991-09-11 1998-02-17 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US6885433B2 (en) * 1990-11-15 2005-04-26 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method
US6967710B2 (en) 1990-11-15 2005-11-22 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method
US6252647B1 (en) 1990-11-15 2001-06-26 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US6897942B2 (en) * 1990-11-15 2005-05-24 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method
NL9100215A (nl) * 1991-02-07 1992-09-01 Asm Lithography Bv Inrichting voor het repeterend afbeelden van een maskerpatroon op een substraat.
DE69508228T2 (de) * 1994-06-02 1999-09-23 Koninklijke Philips Electronics N.V., Eindhoven Verfahren zur wiederholten abbildung eines maskenmusters auf einem substrat und vorrichtung zur durchführung des verfahrens
EP0721608B1 (de) * 1994-08-02 2003-10-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Verfahren zur wiederholten abbildung eines maskenmusters auf einem substrat
US5483345A (en) * 1994-09-06 1996-01-09 Mrs Technology, Inc. Alignment system for use in lithography utilizing a spherical reflector having a centered etched-on projection object
JPH08167559A (ja) * 1994-12-15 1996-06-25 Nikon Corp アライメント方法及び装置
US6034378A (en) * 1995-02-01 2000-03-07 Nikon Corporation Method of detecting position of mark on substrate, position detection apparatus using this method, and exposure apparatus using this position detection apparatus
DE69701934T2 (de) * 1996-02-15 2000-11-30 Koninklijke Philips Electronics N.V., Eindhoven Methode zur bestimmung der strahlungsmenge in einem lithographischen gerät; test-maske und gerät ihrer durchführung
EP0823977B1 (de) * 1996-03-04 2002-01-16 ASM Lithography B.V. Lithographisches gerät zur step-und-scan übertragung eines maskenmusters
JP4023695B2 (ja) * 1996-03-15 2007-12-19 エーエスエムエル ネザーランズ ビー． ブイ． アラインメント装置及びこの装置が設けられているリソグラフィ装置
JP3570728B2 (ja) 1997-03-07 2004-09-29 アーエスエム リソグラフィ ベスローテン フェンノートシャップ 離軸整列ユニットを持つリトグラフ投射装置
TW367407B (en) * 1997-12-22 1999-08-21 Asml Netherlands Bv Interferometer system with two wavelengths, and lithographic apparatus provided with such a system
US6160622A (en) * 1997-12-29 2000-12-12 Asm Lithography, B.V. Alignment device and lithographic apparatus comprising such a device
US6417922B1 (en) 1997-12-29 2002-07-09 Asml Netherlands B.V. Alignment device and lithographic apparatus comprising such a device
US6243203B1 (en) 1998-04-24 2001-06-05 U.S. Philips Corporation Optical system with anti-reflection coating
US6197481B1 (en) 1998-09-17 2001-03-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Wafer alignment marks protected by photoresist
US6368763B2 (en) 1998-11-23 2002-04-09 U.S. Philips Corporation Method of detecting aberrations of an optical imaging system
DE19949009A1 (de) 1999-10-11 2001-04-12 Zeiss Carl Fa Verfahren und Vorrichtung zum gegenseitigen Ausrichten eines in einer Maske gebildeten Maskenmusters und eines Substrates
TWI231405B (en) * 1999-12-22 2005-04-21 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus, position detection device, and method of manufacturing a device using a lithographic projection apparatus
TWI282909B (en) * 1999-12-23 2007-06-21 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and a method for manufacturing a device
TWI240849B (en) * 2000-02-10 2005-10-01 Asml Netherlands Bv Object positioning method for a lithographic projection apparatus
US6544694B2 (en) 2000-03-03 2003-04-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of manufacturing a device by means of a mask phase-shifting mask for use in said method
US6462818B1 (en) 2000-06-22 2002-10-08 Kla-Tencor Corporation Overlay alignment mark design
US7541201B2 (en) 2000-08-30 2009-06-02 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for determining overlay of structures having rotational or mirror symmetry
US7068833B1 (en) * 2000-08-30 2006-06-27 Kla-Tencor Corporation Overlay marks, methods of overlay mark design and methods of overlay measurements
US6486954B1 (en) 2000-09-01 2002-11-26 Kla-Tencor Technologies Corporation Overlay alignment measurement mark
TW526573B (en) * 2000-12-27 2003-04-01 Koninkl Philips Electronics Nv Method of measuring overlay
TW556296B (en) * 2000-12-27 2003-10-01 Koninkl Philips Electronics Nv Method of measuring alignment of a substrate with respect to a reference alignment mark
EP1395877B1 (de) * 2001-05-18 2011-03-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lithographische methode zur erzeugung eines elements
TW536659B (en) 2001-05-23 2003-06-11 Asml Netherlands Bv Substrate provided with an alignment mark in a substantially transmissive process layer, mask for exposing said mark, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US7804994B2 (en) * 2002-02-15 2010-09-28 Kla-Tencor Technologies Corporation Overlay metrology and control method
US7046361B1 (en) * 2002-04-04 2006-05-16 Nanometrics Incorporated Positioning two elements using an alignment target with a designed offset
US20040066517A1 (en) * 2002-09-05 2004-04-08 Hsu-Ting Huang Interferometry-based method and apparatus for overlay metrology
KR100632889B1 (ko) * 2002-09-20 2006-10-13 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 2개이상의 파장을 사용하는 리소그래피시스템용정렬시스템 및 정렬방법
JP2004259790A (ja) * 2003-02-25 2004-09-16 Canon Inc マークを付与した基板の製造方法及びマークの読み取りプログラム及びマークの読み取り装置
US7075639B2 (en) 2003-04-25 2006-07-11 Kla-Tencor Technologies Corporation Method and mark for metrology of phase errors on phase shift masks
EP1482373A1 (de) * 2003-05-30 2004-12-01 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
US7346878B1 (en) 2003-07-02 2008-03-18 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for providing in-chip microtargets for metrology or inspection
US7608468B1 (en) * 2003-07-02 2009-10-27 Kla-Tencor Technologies, Corp. Apparatus and methods for determining overlay and uses of same
US7256865B2 (en) * 2003-10-24 2007-08-14 Asml Holding N.V. Methods and apparatuses for applying wafer-alignment marks
US7259828B2 (en) * 2004-05-14 2007-08-21 Asml Netherlands B.V. Alignment system and method and device manufactured thereby
US7355675B2 (en) * 2004-12-29 2008-04-08 Asml Netherlands B.V. Method for measuring information about a substrate, and a substrate for use in a lithographic apparatus
US7557921B1 (en) 2005-01-14 2009-07-07 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for optically monitoring the fidelity of patterns produced by photolitographic tools
TW200746259A (en) * 2006-04-27 2007-12-16 Nikon Corp Measuring and/or inspecting method, measuring and/or inspecting apparatus, exposure method, device manufacturing method, and device manufacturing apparatus
US20090018693A1 (en) * 2007-07-13 2009-01-15 Z-Laser Optoelektronik Gmbh Apparatus for Projecting an Optical Marking on the Surface of an Article
US7837907B2 (en) * 2007-07-20 2010-11-23 Molecular Imprints, Inc. Alignment system and method for a substrate in a nano-imprint process
DE102008017645A1 (de) 2008-04-04 2009-10-08 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur mikrolithographischen Projektionsbelichtung sowie Vorrichtung zur Inspektion einer Oberfläche eines Substrats
NL2003084A1 (nl) * 2008-06-27 2009-12-29 Asml Netherlands Bv Correction method for non-uniform reticle heating in a lithographic apparatus.
CN101487992B (zh) * 2009-03-04 2010-10-20 上海微电子装备有限公司 一种硅片标记捕获系统与方法
US9927718B2 (en) 2010-08-03 2018-03-27 Kla-Tencor Corporation Multi-layer overlay metrology target and complimentary overlay metrology measurement systems
US10890436B2 (en) 2011-07-19 2021-01-12 Kla Corporation Overlay targets with orthogonal underlayer dummyfill
US10451412B2 (en) 2016-04-22 2019-10-22 Kla-Tencor Corporation Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry
US11982521B2 (en) * 2017-02-23 2024-05-14 Nikon Corporation Measurement of a change in a geometrical characteristic and/or position of a workpiece
CN117080119B (zh) * 2023-08-17 2024-09-13 泓浒(苏州)半导体科技有限公司 一种用于半导体晶圆位置检测校准的方法及系统

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS593791B2 (ja) * 1975-04-07 1984-01-26 キヤノン株式会社 物体の像認識方法
NL7606548A (nl) * 1976-06-17 1977-12-20 Philips Nv Werkwijze en inrichting voor het uitrichten van een i.c.-patroon ten opzichte van een halfgelei- dend substraat.
JPS54157478A (en) * 1978-06-01 1979-12-12 Canon Inc Alignment method
EP0111660A3 (de) * 1979-04-03 1984-10-03 Eaton-Optimetrix Inc. Photometrische Druckvorrichtung
US4573791A (en) * 1979-04-03 1986-03-04 Optimetrix Corporation Step-and-repeat projection alignment and exposure system
JPS55135831A (en) * 1979-04-03 1980-10-23 Optimetrix Corp Improved stepprepetion projectionnmatching exposer
JPS57183033A (en) * 1981-05-06 1982-11-11 Toshiba Corp Method for wafer exposure and device thereof
JPS59161025A (ja) * 1983-03-04 1984-09-11 Hitachi Ltd 縮小投影露光装置
JPS6021051A (ja) * 1983-07-14 1985-02-02 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> レンズ投影露光方法及び装置
JPS60179745A (ja) * 1984-02-28 1985-09-13 Nippon Kogaku Kk <Nikon> パターン転写方法、及び転写装置
JPS61256634A (ja) * 1985-05-10 1986-11-14 Hitachi Ltd 縮小投影式アライメント方法
JPS62154263A (ja) * 1985-12-25 1987-07-09 Toshiba Corp 信号処理回路

Also Published As

Publication number Publication date
EP0237109A1 (de) 1987-09-16
JPS62224026A (ja) 1987-10-02
US4778275A (en) 1988-10-18
NL8600639A (nl) 1987-10-01
EP0237109B1 (de) 1992-02-26
JP2677558B2 (ja) 1997-11-17

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