[go: up one dir, main page]

DE3587223T2 - Unabhängige Matrixtaktierung. - Google Patents

Unabhängige Matrixtaktierung.

Info

Publication number
DE3587223T2
DE3587223T2 DE85105715T DE3587223T DE3587223T2 DE 3587223 T2 DE3587223 T2 DE 3587223T2 DE 85105715 T DE85105715 T DE 85105715T DE 3587223 T DE3587223 T DE 3587223T DE 3587223 T2 DE3587223 T2 DE 3587223T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
control network
input
circuit
output
clock control
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE85105715T
Other languages
English (en)
Other versions
DE3587223D1 (de
Inventor
Walter S Klara
Theodore W Kwap
Victor Marcello
Robert A Rasmussen
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of DE3587223D1 publication Critical patent/DE3587223D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3587223T2 publication Critical patent/DE3587223T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/50Marginal testing, e.g. race, voltage or current testing
    • G11C29/50012Marginal testing, e.g. race, voltage or current testing of timing
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C29/14Implementation of control logic, e.g. test mode decoders
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/50Marginal testing, e.g. race, voltage or current testing
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/22Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management 

Landscapes

  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft einen Chip mit einer integrierten Schaltung, der eine Speichermatrix gemäß dem Oberbegriff in Anspruch 1 enthält, sowie Verfahren zu deren Prüfung. Sie ist wirksam, unabhängig davon, ob die Speichermatrix in eine logische Schaltung eingebaut ist oder nicht.
  • Für Diskussionszwecke wird der Begriff "eingebaut" definiert als derjenige Zustand einer Speichermatrix, eines Schaltungselements oder auch einer Schaltungsfunktion in einem (hochintegrierten) LSI-Chip, in dem sie von anderen Schaltungsanordnungen auf dem Chip umgeben ist, so daß die Speichermatrix, das Schaltungselement bzw. die Schaltungsfunktion von den Eingangs- oder Ausgangsanschlüssen oder von den Kontaktierungsflecken des Chip her weder ganz noch teilweise direkt zugänglich ist.
  • Ein mit der Fertigung von Speichermatrizen verbundenes Hauptproblem ist die Sicherstellung, daß die Vorrichtung der Leistungsspezifikation entspricht. Ein Hauptproblem bei der Anwendung der Speichermatrizen ist die Sicherstellung, daß die an die Vorrichtung gesendeten Steuersignale in diese gleiche Leistungsspezifikation fallen. Mit der ständigen Leistungsverbesserung dieser Vorrichtungen wird es immer schwieriger, sicherzustellen, daß diese Probleme auf wirtschaftliche Weise gelöst werden.
  • Mit der steigenden Integrationshöhe sind die Schaltkreiskonstrukteure und Komponentenhersteller in der Lage, dem Logikkonstrukteur und Systemhersteller immer komplexere Speichermatrizen anzubieten, die einem immer höheren Leistungsniveau entsprechen. Das erfordert andererseits immer höher entwickelte Schaltungen außerhalb der Speichervorrichtung, um diese auf ordnungsgemäße Weise zu testen und zu betreiben. Ohne ein preisgünstiges Mittel, das die letztendliche Leistung garantiert, sind die potentiellen Verbesserungen der Vorrichtungskonstruktion verloren wegen der Ungenauigkeit der Fertigungsprüfgeräte und der Fertigungstoleranzen der unterstützenden Schaltungsanordnungen.
  • Querverweis auf ein verwandtes Patent
  • US-Patent 4,441,075 mit dem Titel "Electronic Chip In-Place Test (ECIPT) Structure and Method".
  • Hintergrund der Erfindung und Stand der Technik
  • Seit es Speichermatrizen gibt und diese allgemein eingesetzt werden, ist es offensichtlich, daß das Problem, diese zu prüfen, weitgehend angesprochen wird. Es ist in der Industrie allgemein üblich, besondere Spezialprüfgeräte zu benutzen, die hochgenaue logische und getaktete Signale an die zu prüfende Vorrichtung senden. Geräte dieser Art sind bei einer Reihe Lieferanten im Handel erhältlich. Jedoch kann den Leistungsverbesserungen dieser Speichervorrichtungen nur schwer ohne beträchtliche Steigerung der Kosten für diese Spezialprüfgeräte Rechnung getragen werden.
  • Im Laufe der Jahre wurde auf dem Gebiet der Speichermatrixprüfung viel Arbeit geleistet, um die Kosten dieser Spezialprüfgeräte zu reduzieren. Viele Anstrengungen wurden unternommen auf dem Gebiet der Generierung der logischen Signale, die an die zu prüfende Vorrichtung gesendet werden. Benton (US-Patent 4,195,770) und Shimizu (US-Patent 4,293,950) beschreiben jeweils einen Apparat zum Entwickeln solcher logischen Signale. Chesley (US-Patent 4,038,648 und US-Patent 4,055,754) schließt ein Gerät dieser Art in die Speichermatrix selbst ein.
  • Bemühungen waren ferner auf die Generierung eines Taktsteuersignals gerichtet, das in das zu prüfende Gerät einzuspeisen war. Staiger (US-Patent 4,263,669) und Hilker (US-Patent 4,290,137) haben jeweils einen Apparat beschrieben, der zur Lösung besonderer Probleme konstruiert wurde, die mit der Generierung dieser spezialisierten Taktsignale für besondere Bedürfnisse bestimmter Speichermatrizen verbunden waren. So stark hängt der Stand der Technik von dieser von außen erfolgenden Einspeisung eines Taktsignals ab, daß Hurley (US- Patent 3,961,251), Eichelberger (US-Patent 3,961,252) und Cavaliere (US-Patent 3,961,254) verschiedene Methoden beschrieben haben, bei denen von einem äußeren Prüfgerät aus auf in eine Halbleitervorrichtung eingebettete Speichermatrizen zugegriffen werden kann, um diese Taktsignale während des Prüflauf s zu liefern.
  • Verschiedene Arbeiten waren darauf ausgerichtet, die Taktsignal-erzeugende Schaltung in die gleiche Halbleitervorrichtung mitaufzunehmen wie die Speichermatrix selbst. Eine entsprechende Diskussion kann bei Hnatek (A User's Handbook of Semiconductor Memories - Anwenderhandbuch über Halbleiterspeicher), John Wiley and Sons, Inc., 1977, Seiten 444-450 gefunden werden. In allen bisherigen Arbeiten, einschließlich der obigen, war bei den Prüfläufen im Rahmen der Fertigung bestimmtes, spezialisiertes, äußeres Prüfgerät für den Taktsteuerbetrieb erforderlich.
  • JP-A-58 159293 (Fujitsu) (Zusammenfassung in englischer Sprache veröffentlicht in Patent Abstracts of Japan, Bd. 7, Nr. 286 (P-244) [1431], 21. Dez. 1983) lehrt die Herstellung eines Chips sowohl mit einer Speichermatrix als auch mit einer Schaltung zum Generieren eines Taktsignals. Ein Steuersignal mit unterschiedlichen Längen wird der Taktsignalgenerierenden Schaltung zugeführt und in Abhängigkeit von der Impulsbreite des Steuersignals werden Auffrisch-, Lese- oder Schreib-Operationen an der Speichermatrix ausgeführt. Die Taktgenerierungsschaltung umfaßt eine Abtastimpuls-Generatorschaltung und eine Taktgeberschaltung. Der Abtastimpulsgeneratorschaltung generiert erste, zweite und dritte Verzögerungsimpulse, die mit dem Steuersignal in UND-Verbindung gekoppelt werden, um die Wiederauffrisch-, Lese- und Schreiboperationen zusammen mit den Identifizierungs- und Steueroperationen durchzuführen-. Der Ausgang der Taktgeber- Generatorschaltung aktiviert einen Adressenpuffer, eine Gatterschaltung, einen Zeilen-Decoder, einen Spalten-Decoder, einen Dateneingabepuffer und einen Datenausgabepuffer zu den jeweils erforderlichen Zeiten.
  • Mit Hilfe dieser Schaltung wird es möglich, den Betrieb einer Speichermatrix zu steuern. Das Prüfen der Taktsignale setzt jedoch das obengenannte, spezialisierte, äußere Gerät voraus. Dieser Prüfgerätetyp hat eine Genauigkeit von ungefähr 200ps, was für den erforderlichen Messungstyp nicht genau genug ist. Messungen der Vorbereitungszeit für die Matrix, die für einen Durchschreibbetrieb in der Speichermatrix erforderliche Zeit, Impulsbreite und Zyklus zeit für kritische Pfade durch die Logik und die Speichermatrix ist unter Verwendung der in diesem Unterlage gelehrten Schaltung nicht ohne weiteres möglich.
  • JP-A-58-201149 (Toshiba) (Zusammenfassung in englischer Sprache veröffentlicht in Patent Abstracts of Japan, Bd. 8 Nr. 51, (P-259) [1488], 8. März 1984) offenbart eine integrierte Schaltung, in der die Ausgangspuffer der integrierten Schaltung miteinander verbunden sind, um eine Registerspur zu bilden. Durch Setzen eines Signals an einen Prüfpunkt tritt die Schleife in einen eigenschwingenden Zustand ein und die Verzögerungszeit des Ausgangspuffers läßt sich durch Messen der Frequenz dieser Eigenschwingung berechnen.
  • In dieser zweiten japanischen Patentanmeldung ist jedoch kein Taktregelnetz geoffenbart, das die im Inneren des integrierten Schaltkreises vorhandene Logik steuert. Es gibt also demzufolge keinen Hinweis darauf, daß die eigenschwingende Registerspur dazu benutzt werden kann, die Verzögerungszeit des Taktregelnetzes zu messen. Insbesondere, weil der in dieser Unterlage gelehrte integrierte Schaltkreis nicht notwendigerweise eine Speichermatrix ist, gibt es keine Diskussion darüber, warum Messungen der Verzögerungszeit des Taktregelnetzes kritisch für den korrekten Betrieb des integrierten Schaltkreises sind.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung eines verbesserten integrierten Schaltkreis-Chips hoher Schaltkreisdichte, der eine Speichermatrix enthält, die leicht geprüft werden kann.
  • Diese Aufgabe wird gelöst durch Einrichten eines Taktregelnetzes auf dem Chip, das eine auf ein Triggersignal ansprechende, rückgeführte Verzögerungsstrecke mit Abgriff beinhaltet, mit Mitteln zum Anlassen eines Prüfmodus für diese Verzögerungsstrecke, sowie einen Ausgangsanschluß, um ein Prüfsignal zu liefern.
  • Die Erfindung beinhaltet ferner ein Verfahren zum Prüfen des Taktregelnetzes des integrierten Schaltkreis-Chips, das die folgenden Schritte aufweist: Triggern dieses Taktregelnetzes, Aufzeichnen des am Prüfausgangsmittel erzeugten Signals und Messen der Schwingungsfrequenz dieses erzeugten Signals unter Verwendung eines Zählers und einer Zeitquelle.
  • Zum Prüfen des integrierten Schaltkreis-Chips muß die Speichermatrix gegen äußere Taktierung isoliert sein. Das geschieht durch Legen der Zwischenspeicher in Reihe mit den Adressen- und Dateneingängen und den Datenausgängen. Der Platzaufwand zum Einbau dieser Zwischenspeicher kann minimiert werden durch Integrierung derselben in die Schaltungsanordnung für Empfänger und Treiber außerhalb des Chips oder der Speichermatrix-Treiberschaltungen oder Leseverstärker. Taktsignale zum Steuern dieser Zwischenspeicher sowie der Taktgeber zum Schreiben in die Matrix werden zur Integrierung auf dem Chip entwickelt unter Verwendung des Taktregelnetzes. Diese Steuersignale werden von der Vorderflanke eines äußeren Taktgebers ausgelöst, wobei alle entsprechenden Taktierungen einschließlich Impulsbreite intern gesteuert werden. Zum Beispiel wird für einen Schreibzyklus das Taktgebersingal an die Adressenzwischenspeicher zuerst eingeschaltet, dann, nach eben noch ausreichender Zeit für den Betrieb der Adressendecodierung, wird der Speichermatrix-Schreibtaktgeber eingeschaltet. Getaktete Beziehungen zwischen äußeren Signalen sind nicht erforderlich und nur eine einzige Flanke (anstatt der Breite) des externen auslösenden Taktsignals ist wichtig. Taktgeber für die Dateneingangszwischenspeicher und für die Datenausgangszwischenspeicher im Lesemodus werden für ähnliche geeignete Taktierung entwickelt.
  • Alle diese Taktgeber werden entwickelt durch geeignete Kombination der verzögerten Übergänge, die vom äußeren Taktgeber getriggert werden. Das NOR zwischen einem abfallenden Signal und einem später aufsteigenden Signal liefert einen positiven Taktimpuls, dessen Versatz und Dauer durch die Verzögerung der zwei Signale bestimmt wird. In der bevorzugten Ausführungsform der Erfindung kann das Taktregelnetz, das für den Zwischenspeicher und die Speichermatrixschaltung benötigt wird, aus einer in Reihe geschalteten Kette von Phasenumkehrschaltungen abgeleitet werden.
  • Der Betrieb dieser Matrix hängt kritisch ab vom Taktregelnetz. Seine Taktierung kann in der Fertigung getestet werden durch die Methode gemäß Anspruch 6, auch mit verhältnismäßig billigen und nicht hochentwickelten Prüfgeräten, durch Einfügen eines Rückkopplungssteuerkreises, um es in eine Registerspur umzuwandeln. Die Schleifenfrequenzmessung ist äußerst genau, verglichen mit der auch mit aufwendigem Gerät vorgenommenen Verzögerungsmessung. Falls die natürliche Schleifenfrequenz zu hoch für die Prüfumgebung ist, sollte vor dem Ausgangstreiber ein Frequenzteiler eingesetzt werden anstatt zusätzliche Stufen in die Schleife einzubauen, um den Meßfehler der signifikanten Schaltungsanordnung möglichst klein zu halten.
  • Da der Chip durch Durchlaufen eines Pfads (durch die Speichermatrix selbst) gegen einen anderen (durch das Taktsteuernetz) funktioniert, werden Verzögerungsfehler im langsameren Pfad den Betrieb infolge eines sich einstellenden groben DC-Funktionsfehlers stören. Verzögerungsfehler einer allgemeinen Prozeßverschiebung im Taktsteuernetz werden von der RLF-Messung (Recirculating Loop Frequency - Registerspurfrequenz) gefunden. Zwar gibt es eine Möglichkeit, daß einige kleine Fehler im Taktsteuernetz diesem Test entgehen, jedoch ist die Wahrscheinlichkeit relativ klein.
  • Zum Ausgleichen dieses Nachlauffehlers muß die Pfadverzögerung des Taktsteuernetzes konstruktiv etwas länger sein, als die durch die Speichermatrix. Damit die Ausbeute nicht verschlechtert wird, muß die schnellste Verzögerung durch das Taktsteuernetzwerk langsamer sein als die langsamste Verzögerung durch die Speichermatrix, da ja die Takte infolge der Fertigungstoleranzen variieren. Da beide Pfade auf dem gleichen Chip sind, viele Stufen enthalten, und beide Übertragungsrichtungen umfassen, müßte dieser Nachlauffehler minimal sein. Derzeit wird geschätzt, daß dieser Fehler auf absehbare Zeit kleiner sein wird als die Prüfgenauigkeitsfehler der Fertigungsprüfgeräte.
  • Das Taktsteuernetz hat keinen Einfluß auf die Anwendung von Prüfmustern auf die Speichermatrix; alle notwendigen herkömmlichen Sequenzen können benutzt werden. Während es für das Prüfgerät immer noch erforderlich sein kann, diese Muster mit einer hohen Wiederholungsrate anzuwenden, um Störfehler zu finden, muß das Prüfgerät die genaue relative Taktsteuerung liefern. Das kann die Prüfgerätkosten um etwa ein Drittel senken. Zusätzlich können einige Montageprüfgeräte mit sehr hohen Pinzählungen, die derzeit nicht in der Lage sind, eine Verzögerungsprüfung zu machen, wenigstens einige Leistungsprüfungen durchführen.
  • Beim Betrieb des Systems kann das Legen der Zwischenspeicher in die Adressen- und Dateneingabepfade eine signifikante Reduktion der Zykluszeit für Pfade durch die Speichermatrix bewirken. Da die Logikwerte an den Chipeingängen am Anfang der Speichermatrix-Betriebszyklen abgetastet werden und dann während des Zyklusablaufs intern festgehalten werden, können Adressen- und Datenänderungen für den nächsten Zyklus noch während der Abarbeitung des ersten Zyklus eingeleitet werden. Beispielsweise ist es allgemein üblich, zwischen dem Taktgeber und den Daten am Eingang zu einem Zwischenspeicher eine Bitversatztoleranz zu haben. Wenn es einen 4nS Bitversatz gibt, ist ein Überschneiden von 3nS für die nächsten Zyklusdaten mit dem augenblicklichen Zyklusbetrieb nicht unvernünftig. Für eine Matrix, die in einem 10nS-Pfad arbeitet, bedeutet diese Reduktion auf 7nS eine 30%ige Zykluszeitreduktion. Überlappen eines Lesezyklus erfordert, daß der Systemdatenfluß die Adressenzwischenspeicher benutzt.
  • Dieses Entwicklungsprinzip hat Vorteile beim Chip-Prüfen (Prüfgenauigkeit und Kosten), bei der Zusammenbauprüfung (Genauigkeit und Kosten, Fähigkeit der Durchführung eines Verzögerungstests ohne Hochgeschwindigkeitspuffer und Störanalyse) und beim Systembetrieb (schnellere Zykluszeit, einfachere Taktgenerierung und statistische Verzögerungskonstruktion) gebracht. Es läßt sich weiterhin auch auf eingebettete Speichermatrizen anwenden.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Die obigen und weitere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der Erfindung werden aus der nachstehenden, mehr ins Einzelne gehenden Beschreibung einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung anhand der begleitenden Zeichnungen ersichtlich; in diesen sind:
  • Fig. 1 ein Blockschaltbild eines erfindungsgemäßen LSI (hochintegrierten) Speichermatrixchips bzw. einer Halbleitervorrichtung.
  • Fig. 2 zeigt idealisierte Wellenformen, auf die nachstehend bei der Erklärung des Betriebs des erfindungsgemäßen Speichermatrixchips Bezug genommen wird.
  • Fig. 3, 4 und 5 zeigen jeweils ein Blockschaltbild, auf die nachstehend bei der Erklärung des Steuernetzwerks des erfindungsgemäßen Speichermatrixchips Bezug genommen wird.
  • Fig. 6 ist ein Blockschaltbild der Schaltung eines Steuernetzwerks, das im erfindungsgemäßen Speichermatrixchip (Fig. 1) angewandt werden kann.
  • Die Fig. 7A, 7B und 7C offenbaren eine Anzahl idealisierter Wellenformen, auf die bei der Erklärung des Betriebs der Erfindung (Fig. 1) mit dem Steuernetzwerk der Fig. 6 Bezug genommen wird. Fig. 7A, 7B und 7C offenbaren im Detail die entsprechende Taktierung und Wellenformen für eine "Schreiboperation", eine "Leseoperation" und eine "Testoperation".
  • Beschreibung der bevorzugten Ausführungsform
  • Nehmen wir jetzt Bezug auf Fig. 1; in dieser wird in Form eines Blockschaltbilds ein LSI (hochintegrierter) Chip bzw.
  • eine Halbleitervorrichtung 11 gemäß der Lehre der vorliegenden Erfindung gezeigt.
  • Der Chip 11 beinhaltet beispielhaft eine Speichermatrix 12, ein Steuernetzwerk 19, Dateneingangs-Zwischenspeicher 20, Adressen-Zwischenspeicher 21 und Datenausgangs-Zwischenspeicher 22. Die Speichermatrix 12 kann typisch eine Größe von 64·8, d.i. 64 adressierbare Speicherplätze oder Wörter mit jeweils 8 Bits haben. Die Erfindung ist jedoch nicht nach Größe beschränkt, sondern ist auch auf größere und kleinere Matrizen anwendbar. Die Speichermatrix 12 soll als komplette Basismatrix angenommen werden, die die normalen Adressen- Decoder, Wort- und Bit-Treiber und Leseverstärker zusätzlich zu den Speicherzellen aufweist.
  • Die Dateneingangs-Zwischenspeicher 20, die Adressen-Zwischenspeicher 21 und die Datenausgangs-Zwischenspeicher 22 können in jeder beliebigen Form gebaut sein, die im allgemeinen in Lehrbüchern über logische Konstruktionen gefunden werden, und können ferner auf Wunsch auch die Level Sensitive Scan Design (LSSD)-Technik von Eichelberger, US-Patent 3,761,695 enthalten. Die Dateneingänge 15, die Adresseneingänge 14 und die Datenausgänge 13 können unmittelbar an die Haupteingänge und -ausgänge des Chips angeschlossen werden und können ganz allgemein auch an logische oder sonstige Speichermatrizen auf dem Chip angeschlossen sein, die für die Systemfunktionen erforderlich sind. Die Eingänge 16, 17 und 18 zum Steuernetzwerk 19 müssen unmittelbar an die Haupteingänge des Chips angeschlossen werden.
  • Ohne diese funktionellen Blöcke auf dem Chip (Steuernetzwerk 19 und Zwischenspeicher 20, 21 und 22) würde ein Fertigungsprüflauf die Generierung einer Anzahl Signale mit komplexen Taktierungszusammenhängen erforderlich machen. Mit diesen Funktionsblöcken ist jedoch ein sehr einfacher Betrieb möglich, bei dem nur die Schaltfolge und nicht die wahren Taktzeiten gesteuert werden müssen. Das erlaubt den Einsatz eines viel einfacheren Prüfgeräts und spart Kosten im Fertigungsprozeß.
  • Schlüssel zu diesem Apparat ist das Steuernetzwerk 19, das die folgenden Funktionen ausübt:
  • - Das Steuernetzwerk liefert während der Prüfvorgänge alle Taktsignale an die Anordnung. Es kann auch dazu benutzt werden, auch während des Systembetriebs alle Taktsignale an die Anordnung zu liefern.
  • - Das Steuernetzwerk signalisiert der Matrix auch die Betriebsart (Lesen oder Schreiben).
  • - Das Steuernetzwerk leitet die richtige Taktfolge an die Vorrichtung ein, sobald es vom externen Triggersignal 16 dazu angewiesen wird.
  • Durch die Folge der nachstehenden Ereignisse kann im Schreibmodus ein Leistungstest durchgeführt werden:
  • - Schreibmodus für die Matrix einschalten durch Anlegen der richtigen Signale an die Haupteingänge READ/WRITE (Lesen/Schreiben) 17 und Steuerung 18.
  • - Anlegen der gewünschten Adresse an die Adresseneingangs- Signalleitungen 14.
  • - Gewünschte Daten-Bits an die Dateneingänge 15 schicken. Triggersignal an den Trigger-Haupteingang 16 legen. Die Schreibtaktfolge wird vom Steuernetzwerk 19 automatisch generiert und schreibt die gewählten Daten in die gewählte Adresse. Die gespeicherten Daten können dann wieder aus der Speichermatrix ausgelesen werden zwecks Überprüfung, ob innerhalb der generierten Periode die Daten auch eingeschrieben wurden.
  • Durch die Folge der nachstehenden Ereignisse kann im Lesemodus ein Leistungstest durchgeführt werden:
  • - Die entsprechenden Daten in die geeigneten Wörter in der Matrix einspeichern.
  • - Eine andere Adresse als die gewünschte in die Adressen- Zwischenspeicher 21 laden.
  • - Lesemodus für die Matrix einschalten durch Eingeben der geeigneten Signale in die Haupteingänge READ/WRITE (Lesen/Schreiben) 17 und Steuerung 18.
  • - Gewünschte Adressenstelle in die Adresseneingangs-Signalleitungen 14 eingeben.
  • - Triggersignal in den Triggerhaupteingang 16 eingeben. Die Lesetaktsequenz wird automatisch von Steuernetzwerk 19 generiert und bewirkt die Adressenänderung am Eingang zur Matrix 12. Nach gegebener Zeit werden die Ausgangszwischenspeicher 22 ausgeblendet und verhindern auf diese Weise, daß die Daten gespeichert werden, wenn die Matrix innerhalb der garantierten Zeitspanne nicht gelesen wird.
  • Wie beschrieben wurde, werden sowohl im Lesemodus als auch im Schreibmodus alle Taktierungen für die Matrix 12 und die sie umgebenden Zwischenspeicher 20, 21 und 22 vom Steuernetzwerk generiert. Alle beliebigen, gewünschten Takte, die den Spezifikationen für die Matrix entsprechen, lassen sich generieren, wie später noch beschrieben wird. Alle Takte beziehen sich auf ein beliebiges Triggersignal, das eine feste Betriebsablauffolge einleitet. Externe Signale, wie solche von einem Prüfgerät im Fertigungsbereich, können angewandt werden ohne Rücksicht auf ihre Taktierungsgenauigkeit.
  • Ferner muß noch gezeigt werden, wie die Taktierung vom Steuernetzwerk 19 generiert wird. Im allgemeinen umfaßt das Steuernetzwerk 19 eine Verzögerungsleitung mit Abgriff. In einer Ausführungsform, die in Fig. 3 gezeigt wird, werden alle Taktsignale von einer Umkehrerkette erzeugt. Das schließt die Sperre und Freigabe von Daten oder Adressen aus den Eingangs- und Ausgangszwischenspeichern ein. In diesem sehr vereinfachten Beispiel werden nur zwei Taktimpulse entwickelt; die generierten Wellenformen sind in Fig. 2 dargestellt. Die I (Inverter - Umkehrstufe) und A (AND - UND) Gatter-Verzögerungen steuern die Impulsbreiten und die Taktierung. Die in Fig. 3 gezeigten Gatter liefern Impulsbreiten, die gleich sind der Verzögerung, durch eine ungerade Anzahl Stufen. Wie in Fig. 4 gezeigt wird, lassen sich Verzögerungen für eine gerade Anzahl Stufen leicht entwickeln. Ferner kann das Laden z. B. durch zusätzliche Kapazität und Widerstand zur Feinabstimmung der Verzögerungen und damit der Impulsbreiten und der Taktierung benutzt werden.
  • Da die Umkehrerkette benutzt wird, um die gesamte Matrixtaktierung zu liefern, kann sie als Erweiterung des Prüfgeräts betrachtet werden. Diese Schaltung muß daher geprüft werden, um sicherzustellen, daß sie mit ihrer Sollgeschwindigkeit arbeitet, bevor sie zum Prüfen der Matrix eingesetzt werden darf. Schließlich muß diese Prüfung innerhalb der Fähigkeiten eines nicht aufwendigen Prüfgeräts liegen oder die oben erwähnten Vorteile der vorliegenden Erfindung gehen verloren.
  • Fig. 5 zeigt einen einfachen Zusatz zur Umkehrerkette. Dieser liefert einen besonderen Prüfmodus, wobei die Umkehrerkette in eine Registerspur umgewandelt wird. DC Logikprüfgeräte, die nicht brauchbar sind für Hochpräzisions-Taktprüfungen, können häufig Frequenzmessungen mit einem hohen Genauigkeitsgrad durchführen. Durch Messen der natürlichen Schwingungsfrequenz der Registerspur kann die wahre Leistungsfähigkeit des Steuernetzwerks bestimmt werden. Wenn die Eigenfrequenz der Schleife so ausgelegt ist, daß sie über der Meßgrenze des Prüfgeräts liegt, kann ein Frequenzteiler in den Pufferverstärker der Fig. 5 ohne Verlust der Genauigkeit eingebaut werden. (Hier wird Bezug genommen auf US-Patent 4,332,028).
  • Da das Steuernetzwerk auf dem gleichen hochintegrierten Chip ist wie die Speichermatrix, wird eine "schnelle" Kette zu einer "schnellen" Matrix passen. Veränderungen im Prozeßablauf dürften nur wenig Leistungsverluste nach sich ziehen.
  • Ein "schneller" Chip mit einem Verzögerungsdefekt in der Matrix kann möglicherweise noch innerhalb der Produktspezifikation liegen, wird jedoch eine Störung zeigen, wenn er mit seinem zugeordneten "schnellen" Steuernetzwerk geprüft wird. Es läßt sich darüber streiten, ob das als Leistungsverlust bezeichnet werden muß; wahrscheinlich reduziert es Langzeitprobleme.
  • Die Einrichtung dieser Schaltung schließt weder die Anwendung der Zwischenspeicher im Systemmodus noch einen Durchlaufbetrieb im Systemmodus aus. Jedoch würde ein Betrieb im Durchlaufmodus die Wahrscheinlichkeit reduzieren, daß eine Speichermatrix, die beim Fertigungsprüfgerät ordnungsgemäß arbeitet, auch im System ordnungsgemäß funktioniert, weil in einigen Fällen ein Verzögerungsfehler im Steuernetzwerk einen Fehler in der Matrix verdecken könnte und doch die Prüfung passieren würde. Diese Schaltung kann gleichzeitig mit anderen Schaltungen existieren, die die Eingabe- und Ausgabe- Zwischenspeicher zur Beschleunigung oder Vereinfachung der Prüfung benutzen.
  • Obwohl die vorliegende Erfindung die Notwendigkeit für ein Fertigungsprüfgerät mit engen Takttoleranzen ausschließt, können doch bestimmte Fehlertypen oder der Fertigungsdurchlauf den Einsatz eines Prüfgeräts mit extrem hoher Prüfrate diktieren. Nichts in der vorliegenden Erfindung schließt diese Art Prüfgerät aus; in der Tat, die Konstruktion eines solchen Prüfgeräts würde sich erheblich vereinfachen durch Zulassen höherer Takttoleranzen an den Chip- Eingängen.
  • Eine mögliche Ausführungsform des Steuernetzwerks 19 der Fig. 1 wird in Fig. 6 in Einzelheiten beschrieben. Die drei Betriebsmodi dieses Steuernetzwerks 19 werden weiter beschrieben unter Darstellung der Generierung der Ausgangswellenformen der Fig. 7A, 7B und 7C. Nichtspezifische Zeiteinheiten, gleich den individuellen Schaltungselementblockverzögerungen, werden in diesen Beschreibungen verwendet, wer 1 sich die genaue Taktierung je nach den Erfordernissen der genauen Leistung der in die integrierte Schaltung einzubauenden Speichermatrix verändern könnte.
  • Schreibmodus (Fig. 6 und 7A)
  • Unter Bezugnahme auf die Fig. 6 und Fig. 7A soll jetzt der Betrieb des Steuernetzwerks 19 der Fig. 1 erläutert werden. Zunächst muß der READ/WRITE-Eingang 41 auf einen logischen Wert 0 gesetzt werden, und der Steuereingang 43 muß auf logisch 0 voreingestellt werden. Ein positiver Übergang (von 0 auf 1) am Triggereingang 42 leitet die Operation ein. Das verursacht einen negativen Übergang am Ausgang des Blocks 1 der Umkehrerkette zum Zeitpunkt 1, und einen positiven Übergang am Ausgang des Blocks 6 zum Zeitpunkt 6. Die Ausgänge der Blöcke 1 und 6 werden von den Blöcken 25 und 26 kombiniert, um ab dem Zeitpunkt 2 fünf Takteinheiten breite Impulse an den Ausgängen des Steuernetzwerks sowohl zum Adresseneingang 45 als auch zum Dateneingang 46 zu erzeugen. In Fig. 1 wird gezeigt, wie diese Signale die Taktgeber der Zwischenspeicher der Adressen- 21 und Dateneingänge 20 aktivieren.
  • Kehren wir jetzt zurück zu Fig. 6 und 7A; hier sehen wir daß ähnliche Übergänge am Ausgang des Blocks 3 und 10, kombiniert vom Block 23, benutzt werden, um einen Impuls der Breite von 7 Zeiteinheiten zu generieren, beginnend mit der Zeit 4 am Schreibtaktgeberausgang 47. Dieses Signal wird dazu benützt, den Schreibtaktgeber der Speichervorrichtung 12 der Fig. 1 zu aktivieren.
  • Das sind jetzt alle Steuersignale, die zur Durchführung der Schreibabfolge benötigt werden. Jederzeit nach dem Zeitpunkt 7 kann der Triggereingang 42 auflogisch 0 rückgestellt werden, um die nächste Operation vorzubereiten, entweder einen weiteren Schreibzyklus oder aber einen Lesezyklus.
  • Lesemodus (Fig. 6 und 7B)
  • Die Operation des Steuernetzwerks im Lesemodus ist ähnlich der, wie sie oben für den Schreibmodus beschrieben wurde. In diesem Fall muß der READ/WRITE-Eingang 41 auf einen logischen Wert 1 gesetzt werden, zusammen mit dem Setzen des Steuereingangs 43 auflogisch 0. Wenn jetzt der positive Übergang am Triggereingang 42 den Betrieb anstößt, liegt kein Impuls an den Dateneingangs- 46 und Schreibtaktgeber- 47 -Ausgängen vom Steuernetzwerk her. Jetzt werden jedoch die Ausgänge der Blöcke 11 und 16 der Umkehrerkette von Block 24 kombiniert, um einem fünf Zeiteinheiten breiten Impuls zu generieren, der zum Zeitpunkt 12 auf dem Datenausgang 48 vom Steuernetzwerk beginnt. Dieser Impuls wird dazu benutzt, die Taktgeber der Zwischenspeicher des Datenausgangs 22 der Fig. 1 zu aktivieren.
  • Wie schon bei der obigen Schreibsequenz sind das alle benötigten Steuersignale, um die Lesesequenz abzuschließen. Jederzeit nach Zeitpunkt 5 kann der Triggereingang 42 auf logisch 0 zurückkehren um den nächsten Ablauf, entweder einen weiteren Lesezyklus oder einen Schreibzyklus, vorzubereiten.
  • Prüfmodus (Fig. 6 und 7C)
  • Der Prüfmodus ist viel einfacher als die beiden obigen Betriebsmodi. Voreingestellte Werte 1 am READ/WRITE-Eingang 41, 1 am Triggereingang 42 und 1 am Steuereingang 43 werden vom Prüfgerät angelegt. Damit bildet sich eine schwingende Schleife von den Blöcken 1 bis 16 und 31 aus, weil sie eine ungerade Anzahl Signalumwandlungen bei jeder Rekursion eines Signalzustands durch die gesamte Schleife verursachen. Das Signal wird vom Pufferverstärker 32 erfaßt und auf den Prüfausgang 44 zum Messen durch das Prüfgerät gelegt. Ein einfacher Zähler, gesteuert von einer genauen Zeitquelle, kann benutzt werden, um die Schwingungsfrequenz festzustellen, und Verzögerungsfehler in der schwingenden Schleife werden leicht erkannt.
  • Zusätzlich zu den bereits genannten Vorteilen werden noch die folgenden Vorteile aufgelistet:
  • - Während der Zeit, in der zwei Adressen in einem System angewählt werden, können die Adressen zufällig verändert werden. Das kann dazu führen, daß herkömmliche Speichermatrizen überbeansprucht werden mit nachfolgendem Datenverlust (Störprobleme). Da bei dem Verfahren der vorliegenden Erfindung die Adressenänderungen die Matrix nur dann beeinflussen, wenn das Triggersignal ankommt, wird die Speichermatrix gegen dieses Situation isoliert.
  • - Die komplexen Taktbeziehungen, die von der Systemkonstruktion bisher gefordert wurden, wurden vereinfacht durch die in den Matrixchip integrierte Schaltung.
  • - Die Prüfung von eingebetteten Matrizen wird weitgehend vereinfacht.
  • Hier muß darauf hingewiesen werden, daß in Beziehung zur Konstruktion des Steuernetzwerks 19 zwar spezifische Mittel gezeigt wurden, jedoch auch andere Mittel eingesetzt werden können. Während die besondere Konstruktion für das Steuernetzwerk 19 für eine Einkanalanordnung beschrieben wurde, versteht und anerkennt der Fachmann ohne weiteres, daß durch Anwendung der Lehre aus der Erfindung eine für eine Mehrkanalmatrix geeignete Konstruktion vorgesehen werden kann. Unter Bezugnahme auf Fig. 1 und deren Beschreibung muß anerkannt werden, daß die "Adressen-Zwischenspeicher", "Dateneingabe-Zwischenspeicher" und "Datenausgabe-Zwischenspeicher" auch in die Matrixschaltung eingebaut werden können. Unter weiterer Bezugnahme auf Fig. 1 können auch die "Lesesteuerung 17" und die "Schreibsteuerung 18" in Wirklichkeit ein einfacher READ/WRITE-Steuereingang zum Empfangen einer Mehrebeneneingabe sein.

Claims (7)

1. Integrierter Schaltkreis-Chip, enthaltend eine Speichermatrix (12), wobei die Speichermatrix beinhaltet:
Eine Vielzahl von Speicherelementen zum Abspeichern binärer Daten, wobei die abgespeicherten binären Daten innerhalb der Matrix an einer Mehrzahl adressierbarer Stellen angeordnet ist;
steuerbare Schreibschaltkreismittel zum Schreiben von Daten, die an einer vorgegebenen Adresse innerhalb der Matrix abgespeichert werden;
steuerbare Leseschaltkreismittel zum Lesen von Daten, die an einer vorgegebenen Adresse innerhalb der Matrix abgespeichert sind;
logisch angesteuerte Zwischenspeicher-Schaltkreismittel (21), die mit den steuerbaren Schreibschaltkreismitteln und den steuerbaren Leseschaltkreismitteln gekoppelt sind, wobei die logisch angesteuerten Adreßzwischenspeicher- Schaltkreismittel (21) die vorbestimmte Adresse an die Schreibschaltkreismittel bzw. an die Leseschaltkreismittel liefern;
logisch angesteuerte Dateneingabe-Zwischenspeicher-Schaltkreismittel (20), die mit den steuerbaren Schreibschaltkreismitteln gekoppelt sind, wobei die logisch angesteuerten Eingangs-Zwischenspeicher-Schaltkreismittel Daten liefern, die in einen Speicher an der angegebenen Adresse zu speichern sind, die von den logisch angesteuerten Adressen-Zwischenspeicher-Schaltkreismitteln (21) geliefert werden;
logisch angesteuerte Datenausgabe-Zwischenspeicher-Schaltkreismittel (22), die mit den steuerbaren Leseschaltkreismitteln gekoppelt sind, wobei die logisch angesteuerten Ausgangs-Zwischenspeicherschaltkreismittel die Binärdaten aufnehmen, die von der vorgegebenen Adresse durch die steuerbaren Leseschaltkreismittel gelesen werden; und
Taktsteuernetzwerkmittel (19), die mit den steuerbaren Schreibschaltkreismitteln und den steuerbaren Leseschaltkreismitteln gekoppelt sind und diese steuern, wobei das Taktsteuernetzwerk ebenfalls an die logisch angesteuerten Adressen-Zwischenspeicher-Schaltkreismittel, die logisch angesteuerten Dateneingangs-Zwischenspeicher-Schaltkreismittel und an die logisch angesteuerten Datenausgangs- Zwischenspeicher-Schaltkreismittel gekoppelt sind, wobei das Taktsteuernetzwerk auf dem integrierten Schaltkreis- Chip bei Eingang eines Triggersignals (16) alle Taktsteuersignale (45-48) zum Betrieb der auf dem integrierten Schaltkreis-Chip untergebrachten Speichermatrix liefert;
dadurch gekennzeichnet, daß das Taktsteuernetzwerk (19) eine auf ein Triggersignal ansprechende Rückführverzögerungsleitung mit Abgriff mit Mitteln zum Beginnen eines Prüfmodus für die Verzögerungsleitung sowie einen Prüfausgangsanschluß (44) zum Liefern eines Prüfsignals beinhaltet.
2. Integrierter Schaltkreis, beinhaltend eine Speichermatrix wie in Anspruch 1 ausgeführt, dadurch gekennzeichnet, daß die auf ein Triggersignal ansprechende Verzögerungsleitung mit Abgriff im wesentlichen aus einer in Reihe geschalteten Kette Umkehrer-Schaltungen besteht.
3. Integrierter Schaltkreis, beinhaltend eine Speichermatrix wie in Anspruch 2 ausgeführt, dadurch gekennzeichnet, daß die Verzögerungsleitung mit Abgriff aus n in Reihe geschaltete UMKEHRER-Schaltungen (2-16) besteht, wobei n eine ungerade Zahl ist, und einen Eingang, einen Ausgang und wenigstens einen ersten, zweiten, dritten und (zeitlich versetzten) vierten beabstandet angeordneten Abgriff aufweist.
4. Integrierten Schaltkreis, enthaltend eine Speichermatrix gemäß Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Taktsteuernetzwerk (19) ferner aufweist:
eine einzige UNKEHRER-Schaltung (27) mit einem Eingang, der mit dem Lese/Schreib-Eingangsanschluß (41) des Taktsteuernetzwerks (19) verbunden ist, sowie einen Ausgang;
eine erste UND-UMKEHRER-Schaltung (28) mit einem ersten Eingang, der an dem Triggereingangsanschluß (42) des Taktsteuernetzwerks (19) liegt, mit einem zweiten Eingang und einem Ausgang, die an dem Eingang der Verzögerungsschaltung liegen, die aus den n in Reihe geschalteten UMKEHRER-Schaltungen besteht;
eine zweite UND-UMKEHRER-Schaltung (31) mit einem ersten Eingang, der an dem Steuereingangsanschluß (43) des Taktsteuernetzwerks (19) liegt, einem zweiten Eingang, der an dem Ausgang der aus den n in Reihe geschalteten UMKEHRER- Schaltungen bestehenden Verzögerungsschaltung liegt, und einem Ausgang, der an dem zweiten Eingang der ersten UND- UMKEHRER-Schaltung (28) liegt;
eine erste ODER-UMKEHRER-Schaltung (26) mit einem ersten Eingang, der an dem Lese/Schreibeingangsanschluß (41) des Taktsteuernetzwerks (19) liegt, einem zweiten Eingang, der an dem Ausgang der ersten UND-UMKEHRER-Schaltung (28) liegt, einem dritten Eingang, der an dem zweiten Abgriff der Verzögerungsschaltung liegt, die aus den n in Reihe geschalteten UMKEHRER-Schaltungen besteht, und einem Ausgang, der an dem in den Chip integrierten Dateneingangsanschluß (46) des Taktsteuernetzes (19) liegt;
eine zweite ODER-UMKEHRER-Schaltung (25) mit einem ersten Eingang, der an dem ersten Ausgang der ersten UND- UMKEHRER-Schaltung (28) liegt, einem zweiten Eingang, der an dem zweiten Abgriff der Verzögerungsschaltung liegt, die aus den n in Reihe geschalteten UMKEHRER-Schaltungen besteht, und einem Ausgang, der an dem in den Chip integrierten Adressenanschluß (45) des Taktsteuernetzwerks (19) liegt;
eine dritte ODER-UMKEHRER-Schaltung (23) mit einem ersten Eingang, der an dem Lese/Schreibeingangsanschluß (41) des Taktsteuernetzwerks (19) liegt, einem zweiten Eingang, der an dem ersten Abgriff der Verzögerungsschaltung liegt, die aus den n in Reif geschalteten UMKEHRER-Schaltungen besteht, einem dritten Eingang, der an dem dritten Abgriff der Verzögerungsschaltung liegt, die aus den n in Reihe geschalteten UMKEHRER-Schaltungen besteht, und einem Ausgang, der an dem in den Chip integrierten Schreibtaktgeberanschluß (47) des Taktsteuernetzwerks (19) liegt; und
eine vierte ODER-UMKEHRER-Schaltung (24) mit einem ersten Eingang, der an dem Ausgang der einzigen UMKEHRER- Schaltung (27) liegt, einem zweiten Eingang, der an dem vierten Abgriff der Verzögerungsschaltung liegt, die aus den n in Reihe geschalteten UMKEHRER-Schaltungen besteht, einem dritten Eingang, der an dem Ausgang der Verzögerungsschaltung liegt, die aus den n in Reihe geschalteten UMKEHRER-Schaltungen besteht, und einem Ausgang, der an dem in den Chip integrierten Datenausgangsanschluß (48) des Taktsteuernetzwerks (19) liegt.
5. Eine integrierte Schaltungsvorrichtung enthaltend eine Speichermatrix gemäß Anspruch 4, wobei das Taktsteuernetzwerk (19) ferner beinhaltet:
Pufferverstärker-Schaltkreismittel (32) mit einem Eingang, der an dem Ausgang der Verzögerungsschaltung liegt, die aus den n in Reihe geschalteten UMKEHRER-Schaltungen besteht, und mit einem Ausgang, der an dem Prüfausgangsanschluß (44) der Taktsteuerung liegt.
6. Verfahren zum Prüfen des Taktsteuernetzwerks (19) des integrierten Schaltungs-Chips gemäß einem beliebigen der obigen Ansprüche, das die folgenden Schritte umfaßt:
a) Triggern das Taktsteuernetzwerks (19);
b) Aufzeichnen des Signals, das an den Prüfausgangsmitteln (32, 44) erzeugt wird;
c) Messen der Schwingungsfrequenz des erzeugten Signals unter Verwendung eines Zählers und einer Zeitquelle.
7. Verfahren zum Prüfen des Taktsteuernetzwerks (19) gemäß Anspruch 6, in dem die Verzögerung des Taktsteuernetzwerks aus der Schwingungsfrequenz des erzeugten Signals berechnet wird.
DE85105715T 1984-05-18 1985-05-10 Unabhängige Matrixtaktierung. Expired - Fee Related DE3587223T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/611,817 US4608669A (en) 1984-05-18 1984-05-18 Self contained array timing

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3587223D1 DE3587223D1 (de) 1993-05-06
DE3587223T2 true DE3587223T2 (de) 1993-10-07

Family

ID=24450522

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE85105715T Expired - Fee Related DE3587223T2 (de) 1984-05-18 1985-05-10 Unabhängige Matrixtaktierung.

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4608669A (de)
EP (1) EP0161639B1 (de)
JP (1) JPS60245275A (de)
DE (1) DE3587223T2 (de)

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4730320A (en) * 1985-02-07 1988-03-08 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor memory device
DE3572244D1 (en) * 1985-03-29 1989-09-14 Ibm Deutschland Stability testing of semiconductor memories
JPS61292755A (ja) * 1985-06-20 1986-12-23 Fujitsu Ltd 半導体集積回路
JPS6214398A (ja) * 1985-07-12 1987-01-22 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置
US4763303A (en) * 1986-02-24 1988-08-09 Motorola, Inc. Write-drive data controller
US4825416A (en) * 1986-05-07 1989-04-25 Advanced Micro Devices, Inc. Integrated electronic memory circuit with internal timing and operable in both latch-based and register-based systems
US4726023A (en) * 1986-05-14 1988-02-16 International Business Machines Corporation Determination of testability of combined logic end memory by ignoring memory
JPS6446300A (en) * 1987-08-17 1989-02-20 Nippon Telegraph & Telephone Semiconductor memory
JPS63146298A (ja) * 1986-12-10 1988-06-18 Mitsubishi Electric Corp 可変語長シフトレジスタ
JPS63155340A (ja) * 1986-12-19 1988-06-28 Fujitsu Ltd 記憶装置の読出し方式
US4789960A (en) * 1987-01-30 1988-12-06 Rca Licensing Corporation Dual port video memory system having semi-synchronous data input and data output
JPH0612632B2 (ja) * 1987-02-27 1994-02-16 日本電気株式会社 メモリ回路
JP2684365B2 (ja) * 1987-04-24 1997-12-03 株式会社日立製作所 半導体記憶装置
JP2659095B2 (ja) * 1987-06-30 1997-09-30 富士通株式会社 ゲートアレイ及びメモリを有する半導体集積回路装置
US5587962A (en) * 1987-12-23 1996-12-24 Texas Instruments Incorporated Memory circuit accommodating both serial and random access including an alternate address buffer register
US5093807A (en) 1987-12-23 1992-03-03 Texas Instruments Incorporated Video frame storage system
US4878209A (en) * 1988-03-17 1989-10-31 International Business Machines Corporation Macro performance test
USRE35680E (en) * 1988-11-29 1997-12-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dynamic video RAM incorporating on chip vector/image mode line modification
US5142637A (en) * 1988-11-29 1992-08-25 Solbourne Computer, Inc. Dynamic video RAM incorporating single clock random port control
US5077690A (en) * 1989-08-09 1991-12-31 Atmel Corporation Memory input data test arrangement
US5235566A (en) * 1989-09-07 1993-08-10 Amdahl Corporation Clock skew measurement technique
JP2936616B2 (ja) * 1990-02-01 1999-08-23 日本電気株式会社 テスト回路
JP2519580B2 (ja) * 1990-06-19 1996-07-31 三菱電機株式会社 半導体集積回路
JP3007475B2 (ja) * 1992-06-05 2000-02-07 三菱電機株式会社 メモリ装置
US5309037A (en) * 1992-07-08 1994-05-03 International Business Machines Corporation Power-on reset circuit with arbitrary output prevention
JPH0677827A (ja) * 1992-07-17 1994-03-18 Asama Erekurafuto Kk A/d変換器評価装置
JPH0643220A (ja) * 1992-07-23 1994-02-18 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
US5442640A (en) * 1993-01-19 1995-08-15 International Business Machines Corporation Test and diagnosis of associated output logic for products having embedded arrays
US5572717A (en) * 1994-04-06 1996-11-05 Altera Corporation Method and apparatus for assigning and analyzing timing specifications in a computer aided engineering program
JP3180883B2 (ja) * 1995-04-24 2001-06-25 日本電気株式会社 半導体記憶装置
US5692165A (en) * 1995-09-12 1997-11-25 Micron Electronics Inc. Memory controller with low skew control signal
US5663965A (en) * 1995-10-06 1997-09-02 International Business Machines Corp. Apparatus and method for testing a memory array
US5995570A (en) * 1997-06-27 1999-11-30 International Business Machines Corporation Recovering a clock signal in a multimedia network using time stamps
US5877976A (en) * 1997-10-28 1999-03-02 International Business Machines Corporation Memory system having a vertical bitline topology and method therefor
US5956286A (en) * 1997-10-28 1999-09-21 International Business Machines Corporation Data processing system and method for implementing a multi-port memory cell
US5870349A (en) * 1997-10-28 1999-02-09 International Business Machines Corporation Data processing system and method for generating memory control signals with clock skew tolerance
US5907508A (en) * 1997-10-28 1999-05-25 International Business Machines Corporation Method and apparatus for single clocked, non-overlapping access in a multi-port memory cell
US6061285A (en) * 1999-11-10 2000-05-09 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor memory device capable of executing earlier command operation in test mode
US6760261B2 (en) * 2002-09-25 2004-07-06 Infineon Technologies Ag DQS postamble noise suppression by forcing a minimum pulse length
DE602006015236D1 (de) * 2006-02-28 2010-08-12 Fujitsu Ltd Ram-makro und timing-erzeugungsschaltung dafür
JP2008097699A (ja) * 2006-10-11 2008-04-24 Nec Electronics Corp 半導体記憶装置

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3311890A (en) * 1963-08-20 1967-03-28 Bell Telephone Labor Inc Apparatus for testing a storage system
US3420991A (en) * 1965-04-29 1969-01-07 Rca Corp Error detection system
US3474421A (en) * 1965-06-16 1969-10-21 Burroughs Corp Memory core testing apparatus
US3439343A (en) * 1966-07-12 1969-04-15 Singer General Precision Computer memory testing system
US3633174A (en) * 1970-04-14 1972-01-04 Us Navy Memory system having self-adjusting strobe timing
US3751649A (en) * 1971-05-17 1973-08-07 Marcrodata Co Memory system exerciser
FR2330014A1 (fr) * 1973-05-11 1977-05-27 Ibm France Procede de test de bloc de circuits logiques integres et blocs en faisant application
FR2246023B1 (de) * 1973-09-05 1976-10-01 Honeywell Bull Soc Ind
US3921142A (en) * 1973-09-24 1975-11-18 Texas Instruments Inc Electronic calculator chip having test input and output
US4038648A (en) * 1974-06-03 1977-07-26 Chesley Gilman D Self-configurable circuit structure for achieving wafer scale integration
US3961254A (en) * 1974-12-20 1976-06-01 International Business Machines Corporation Testing embedded arrays
US3961251A (en) * 1974-12-20 1976-06-01 International Business Machines Corporation Testing embedded arrays
US3961252A (en) * 1974-12-20 1976-06-01 International Business Machines Corporation Testing embedded arrays
US3944800A (en) * 1975-08-04 1976-03-16 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Memory diagnostic arrangement
IT1047437B (it) * 1975-10-08 1980-09-10 Cselt Centro Studi Lab Telecom Procedimento e dispositivo per il controllo in linea di memorie logiche sequenziali operanti a divisione di tempo
US4001818A (en) * 1975-10-22 1977-01-04 Storage Technology Corporation Digital circuit failure detector
US4055754A (en) * 1975-12-22 1977-10-25 Chesley Gilman D Memory device and method of testing the same
US4066880A (en) * 1976-03-30 1978-01-03 Engineered Systems, Inc. System for pretesting electronic memory locations and automatically identifying faulty memory sections
JPS53117342A (en) * 1977-03-23 1978-10-13 Nec Corp Memory unit
JPS5435052A (en) * 1977-08-19 1979-03-14 Yasunori Nara Conveying device for fine piece by strong wind
US4171765A (en) * 1977-08-29 1979-10-23 Data General Corporation Error detection system
DE2829709C2 (de) * 1978-07-06 1984-02-23 Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart Verfahren und Anordnung zur Erzeugung zeitlich unmittelbar aufeinanderfolgender Impulszyklen
US4293950A (en) * 1978-04-03 1981-10-06 Nippon Telegraph And Telephone Public Corporation Test pattern generating apparatus
JPS5538603A (en) * 1978-09-04 1980-03-18 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Semiconductor memory device
DE2842750A1 (de) * 1978-09-30 1980-04-10 Ibm Deutschland Verfahren und anordnung zur pruefung von durch monolithisch integrierten halbleiterschaltungen dargestellten sequentiellen schaltungen
US4195770A (en) * 1978-10-24 1980-04-01 Burroughs Corporation Test generator for random access memories
US4227244A (en) * 1978-11-30 1980-10-07 Sperry Corporation Closed loop address
US4290137A (en) * 1979-12-26 1981-09-15 Honeywell Information Systems Inc. Apparatus and method of testing CML circuits
US4363124A (en) * 1980-06-26 1982-12-07 International Business Machines Corp. Recirculating loop memory array tester
JPS5755598A (en) * 1980-09-18 1982-04-02 Nec Corp Memory integrated circuit
US4404519A (en) * 1980-12-10 1983-09-13 International Business Machine Company Testing embedded arrays in large scale integrated circuits
US4481627A (en) * 1981-10-30 1984-11-06 Honeywell Information Systems Inc. Embedded memory testing method and apparatus
JPS58159293A (ja) * 1982-03-17 1983-09-21 Fujitsu Ltd メモリ素子制御方式
US4507761A (en) * 1982-04-20 1985-03-26 Mostek Corporation Functional command for semiconductor memory
JPS58201149A (ja) * 1982-05-20 1983-11-22 Toshiba Corp 集積回路

Also Published As

Publication number Publication date
DE3587223D1 (de) 1993-05-06
JPS60245275A (ja) 1985-12-05
JPH0411960B2 (de) 1992-03-03
EP0161639B1 (de) 1993-03-31
EP0161639A3 (en) 1988-10-05
US4608669A (en) 1986-08-26
EP0161639A2 (de) 1985-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3587223T2 (de) Unabhängige Matrixtaktierung.
DE69904320T2 (de) On-chip schaltung und verfahren zur speicherschaltungs-prüfung
DE68924995T2 (de) Zugriffszeitprüfung eingegrabener Anordnungen.
DE2555435C2 (de) Monolithische hochintegrierte Halbleiterschaltung
DE4140846C2 (de) Halbleiterspeichereinrichtung und Betriebsverfahren
DE3788586T2 (de) Schaltung zur Prüfung des Eingangsspannungssignals für eine halbleiterintegrierte Schaltung.
DE3882266T2 (de) Abfrageprüfgerät für digitale Systeme mit dynamischem Direktzugriffspeicher.
DE4017616C2 (de)
DE4322994C2 (de) Halbleiterspeichervorrichtung und Verfahren zum Setzen des Test-Modus einer Halbleiterspeichervorrichtung
DE3700251C2 (de)
DE19549532B4 (de) Synchrone Halbleiterspeichervorrichtung mit Selbstvorladefunktion
DE69115741T2 (de) Kurzschlussdetektor für Speichermatrix
DE3782775T2 (de) Integrierte halbleiterschaltung.
DE4226070C2 (de) Halbleiterspeichereinrichtung und Verfahren zum Bestimmen der Benutzung eines Ersatzspeicherzellenfeldes
DE4333765C2 (de) Halbleiterspeichervorrichtung
DE4243592C2 (de) Paralleltestschaltung für einen Halbleiter-Speicherchip
DE3942656C2 (de)
DE4003673A1 (de) Erweiterte schnellschreibschaltung fuer den dram-test
DE19954564B4 (de) Steuerungsschaltung für die CAS-Verzögerung
EP0628832B1 (de) Integrierte Schaltung mit Registerstufen
DE19849560C2 (de) Ausgangspufferschaltung zum Steuern einer Anstiegsrate
DE69421753T2 (de) Halbleiter Speicheranordnung mit einem Prüfmodus zur Ausführung einer automatischen Auffrischungsfunktion
DE4205578C2 (de) Adressübergangsdetektorschaltkreis zur Verwendung in einer Halbleiterspeichervorrichtung
EP1176606A2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Einlesen und zur Überprüfung der zeitlichen Lage von aus einem zu testenden Speicherbaustein ausgelesenen Datenantwortsignalen
DE69612728T2 (de) Struktur und verfahren zur steuerung von internen arbeitsgängen eines dram speicher

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee