DE3448429C2 - Verfahren zum Aufbringen eines Schutzüberzugs auf einen Kohlenstoff-Kohlenstoff-Verbundgegenstand - Google Patents
Verfahren zum Aufbringen eines Schutzüberzugs auf einen Kohlenstoff-Kohlenstoff-VerbundgegenstandInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Aufbringen eines
Schutzüberzugs gegen einen thermischen Abbau in einer oxidierenden
Atmosphäre auf einen Kohlenstoff-Kohlenstoff-Verbundgegenstand.
Kohlenstoff-Kohlenstoff-Verbundmaterialien bilden eine
Klasse von einzigartigen Materialien, deren Eigenschaften,
insbesondere bei erhöhten Temperaturen, sie für verschiedene
Anwendungen auf dem Gebiet der Luft- und Raum-
Fahrt attraktiv machen. Die Materialien sind Verbundmaterialien,
obwohl alle Verbund-Elemente im wesentlichen
aus Kohlenstoff bestehen, und zwar in seinen verschiedenen
allotropen Formen. Kohlenstoff-Kohlenstoff-Materialien
werden dadurch hergestellt, daß man mit organischen Faser-
Vorläufern wie beispielsweise aus Polyacrylnitril,
Viskose oder Pech beginnt. Derartige Fasern werden üblicherweise
in Form von Bündeln (als Garn) produziert,
häufig nach Extrusionsverfahren. Die Vorläufer-Fasern
werden in einer Intert-Atmosphäre erhitzt, um sie zu
pyrolysieren oder zu verkohlen, wonach sie auf höhere
Temperaturen erhitzt werden können (z. B. 2204°C),
um Graphitfasern zu bilden. Diese Kohlenstoff- oder
Graphit-Materialien werden dann abgelegt, verwebt oder in
Lagen angeordnet, um Strukturen auszubilden, die als
1D, 2D, 3D usw. -Strukturen bezeichnet werden, in denen
D für die Richtung steht (d. h. in einer 2D-Struktur sind
die Fasern in zwei üblicherweise zueinander senkrechten)
Richtungen abgelegt).
Diese gewebten Strukturen können dann mit einem Pech
oder Harzmaterial imprägniert werden, das in Kohlenstoff
und anschließend Graphit umgewandelt wird. Bei diesem Verfahren
wird zur Erzeugung einer dichten Struktur auch
ein Warmpressen verwendet. Es können wiederholte Imprägnierstufen
angewandt werden, um die Dichte zu erhöhen.
Bei einer alternativen Verarbeitung wird eine chemische
Gasphasenabscheidung (CVD) angewandt, um eine pyrolytische
Graphitmatrix abzuscheiden.
Das fertige Produkt besteht zu 90 und mehr % aus Kohlenstoff,
hat jedoch infolge der Faserausrichtung sowie
anderer Verarbeitungsdetails wie der Verdichtung
außergewöhnliche mechanische Eigenschaften, wenn es mit
anderen Materialien vom Kohlenstofftyp verglichen wird.
Die mechanischen Eigenschaften sind bei Temperaturen bis
zu etwa 2204°C konstant oder nehmen sogar leicht
zu. Diese Temperatur-Fähigkeiten machen Kohlenstoff-Kohlenstoff-
Materialien außerordentlich attraktiv für verschiedene
Anwendungen auf dem Gebiet der Luft- und Raumfahrt,
darunter auch für Gasturbinentriebwerke. Der offensichtliche
Nachteil ist die Empfindlichkeit von Kohlenstoff-
Kohlenstoff-Materialien gegenüber einer Oxidation.
Die vorliegende Erfindung betrifft das Aufbringen eines Überzugs,
mit dem Kohlenstoff-Kohlenstoff-Materialien gegen eine
katastrophale Oxidation bei Temperaturen bis zu wenigstens
1371°C geschützt werden.
Es ist aus dem Stand der Technik bekannt, SiC-Konversions-
Überzüge dazu zu verwenden, Materialien auf Kohlenstoffbasis
zu schützen, darunter auch Kohlenstoff-Kohlenstoff-
Verbundmaterialien. Derartige Überzüge werden Konversions-
Überzüge genannt, da die Oberfläche des zu überziehenden
Gegenstandes durch ihre Umsetzung mit Silicium
in SiC umgewandelt wurde. Einbettungs-Überzugsverfahren
oder "Pack coating"-Verfahren sind gut bekannt. Ein Kohlenstoffgegenstand
kann in ein Packmaterial, das beim Erhitzen
Si- oder Si-Verbindungs-Dämpfe erzeugt, eingebettet
und in diesem erhitzt werden. Die US-PSen 2 972 556 und
2 992 127 schlagen ferner das Aufbringen von Si₃N₄ auf
SiC-Überzüge vor, die nicht nach einem derartigen Einbettungsverfahren
erzeugt wurden.
In der DE 27 39 258 C2 wird das Aufbringen einer zusätzlichen
Si₃N₄-Beschichtung auf Kohlenstofformkörper aus Graphit, die
eine erste, durch Gasphasenabscheidung gebildete SiC-Schicht
aufweisen, für den Fall beschrieben, daß diese Kohlenstofformkörper
im Kontakt mit schmelzflüssigem bzw. sehr heißem
Silicium unter einer Inertgasatmosphäre verwendet werden
sollen.
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zu
schaffen, mit dem verbesserte mehrschichtige Überzüge gegen
einen thermischen Abbau in einer oxidierenden Atmosphäre auf
Kohlenstoff-Kohlenstoff-Verbundgegenständen erzeugt werden
können.
Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren der angegebenen Art
durch die im Kennzeichen des Patentanspruchs 1 wiedergegebenen
Verfahrensschritte gelöst.
Vorteilhafte Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Verfahrens
sind den Unteransprüchen zu entnehmen.
Nachfolgend wird das erfindungsgemäße Verfahren anhand bevorzugter
Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die Figur noch
näher erläutert.
Es zeigt
Fig. 1 ein Fließdiagramm, in dem verschiedene Überzugs-
Kombinationen, die auf einen Kohlenstoff-
Kohlenstoff-Verbundgegenstand aufgebracht sind,
im Hinblick auf ihre Herstellung und das anschließende
Oxidationsverhalten miteinander
verglichen werden.
Kohlenstoff-Kohlenstoff-Verbundmaterialien werden geschaffen,
die eine außerordentliche Oxidationsbeständigkeit
bei erhöhten Temperaturen aufweisen, indem sie einen
zusammengesetzten oder mehrschichtigen Schutzüberzug auf
ihren freiliegenden Oberflächen aufweisen. Der erfindungsgemäße
zusammengesetzte Überzug umfaßt zwei wesentliche
Bestandteile, und zwar einen durch Einbettungs-Behandlung aufgebrachten ersten SiC-Konversionsüberzug,
sowie außerdem einen durch chemische
Gasphasenabscheidung erzeugten Si₃N₄-Überzug
über dem SiC-Einbettungs-Überzug.
Kohlenstoff-Kohlenstoff-Materialien mit derartigen Überzügen
haben sich als praktisch völlig unempfindlich gegen
eine Oxidation bei Temperaturen bis zu 1371°C
erwiesen, und zwar selbst nach mehr als 500 h Belastung.
Der erste SiC-Konversionsüberzug weist eine Dicke von
12,7 bis 762 µm und vorzugsweiuse von
25,4 bis 254 µm auf. Ein derartiger Überzug
kann dadurch geschaffen werden, daß man den zu überziehenden
Gegenständen mit einer Einbettungs-Pulvermischung
umgibt, die (nominell) 10% Al₂O₃, 60% SiC und 30% Si enthält,
und daß man die erhaltene Packung (mit dem Gegenstand)
bei etwa 1600°C 2 bis 10 h erhitzt. Es wird ein
verbesserter SiC-Konversionsüberzug erhalten, wenn man
der Einbettungsmischung 0,1% bis 3% (vorzugsweise 0,3%
bis 1,5%) Bor zusetzt. Ein solches Verfahren ist in
der US-PS 4 425 407 erwähnt.
Es wird jedoch angenommen, daß
auch andere Einbettungsmischungen formuliert werden können,
die einen äquivalenten SiC-Überzug erzeugen.
Nach dem Aufbringen des SiC-Konversionsüberzug wird durch
chemische Gasphasenabscheidung (CVD) ein äußerer Überzug
aus Si₃N₄ aufgebracht. Ein Beispiel für ein solches Verfahren
ist in der US-PS 3 226 194, deren Inhalt durch
ausdrückliche Bezugnahme der Offenbarung der vorliegenden
Anmeldung zuzurechnen ist, beschrieben. In kurzen Worten
beschreibt dieses Patent ein Verfahren zum Abscheiden
von pyrolytischem Siliciumnitrid auf einem Substrat dadurch,
daß man das Substrat auf einer erhöhten Temperatur,
z. B. 1500°C, hält und dann eine gasförmige Mischung
über das Substrat leitet, die SiF₄ enthält. Vorzugsweise
enthält das Gas etwa 75% Ammoniak, und der Partialdruck
der gasförmigen Reaktanten wird auf einem Wert von weniger
als etwa 100 mm Hg gehalten.
Das SiF₄ oder andere Siliciumhalogenide oder Silane können
an den heißen Substratoberflächen mit NH₃ oder N₂ reagieren,
wobei ein amorpher oder α-Si₃N₄-Überzug erzeugt
wird. Während die SiF₄-NH₃-Reaktion am besten bei 1400°C
bis 1600°C durchgeführt wird, kann die Reaktion von Silan
mit stickstoffhaltigen Gasen bei niedrigeren Temperaturen
ablaufen. Diese Verfahren können direkt dazu verwendet
werden, Siliciumnitrid auf Kohlenstoff-Kohlenstoff-
Materialien abzuscheiden, auf denen vorher ein SiC-Konversionsüberzug
erzeugt wurde. Für die Zwecke der vorliegenden
Erfindung wird eine Überzugsdicke von etwa 76,2
bis 762 µm insbesondere 254 bis
508 µm angewandt. Der auf diese Weise erzeugte
überzogene Gegenstand ist in der Lage, eine Oxidation
unter drastischen Bedingungen zu widerstehen.
Vor dem Aufbringen des SiC-Konversionsüberzug kann unter
bestimmten Umständen ein zusätzlicher Überzugs-Bestandteil
auf den Kohlenstoff-Kohlenstoff-Verbundgegenstand
aufgebracht werden, und zwar eine Vorschicht aus SiC.
Die Anwendung einer CVD-SiC-Vorschicht ist beschrieben in der
US-PS 4 425 407 der gleichen Erfinder. Bei dem dort beschriebenen
Verfahren wird jedoch auf den darüberliegenden SiC-
Konversionsüberzug als weitere Schicht keine Si₃N₄-Schicht
aufgebracht, sondern eine durch Gasphasenabscheidung (CVD)
erzeugte weitere SiC-Schicht.
Auch im Rahmen des erfindungsgemäßen Verfahrens wird die Sic-
Vorschicht durch chemische Gasphasenabscheidung als eine dünne
erste SiC-Schicht vor dem Aufbringen des SiC-Konversionsüberzugs
nach dem oben beschriebenen Einbettungsverfahren aufgebracht.
Eine solche Schicht bringt insbesondere dann wesentliche
Vorteile mit sich, wenn Substrate überzogen werden, die
einen negativen thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufweisen.
Bevorzugte Bedingungen zum CVD-Abscheiden von SiC auf der
Oberfläche des Kohlenstoff-Kohlenstoff-Materials sind das
Erhitzen des Substrats auf eine Temperatur von zwischen
1000°C und 1200°C, während das Substrat in einer Kammer
mit vermindertem Druck von 0,266 kPa bis 2,66 kPa
gehalten wird, während man eine Mischung aus
Methan, Wasserstoff und Methyldichlorsilan über die Oberfläche
der Probe strömen läßt. Das bevorzugte Verhältnis
von Methan zu Wasserstoff zu Methyxldichlorsilan beträgt
etwa 100 : 100 : 14 (obwohl Verhältnisse von etwea 60 bis
140 : 60 bis 140 : 10 bis 20 anwendbar erscheinen). Im Falle
einer kleinen Kammer mit einem Innendurchmesser von 5,08 cm
und einer Länge von 10,2 cm wurden
100 cm³/min CH₄ und H₂ und 13,6 cm³/min Methyldichlorsilan
durch die Kammer geleitet, um den erwünschten Überzug zu
erzeugen. Ein Überzug einer Dicke von etwa 2,54 bis 127 µm
vorzugsweise 12,7 bis 76,2 µm
kann unter den angegebenen Bedingungen innerhalb
von 1 bis 4 h erzeugt werden.
Die Dicke der
anschließend abgeschiedenen SiC-Konversionsschicht übersteigt vorzugsweise
die Dicke der CVD-SiC-Schicht.
Fig. 1 beschreibt die anwendungstechnischen Vorteile, die
sich aus den verschiedenen Überzügen ergeben. Ein einfacher
CVD Si₃N₄-Überzug war im Hinblick auf die Verminderung
der Oxidation bei 1093°C relativ unwirksam,
indem der Gewichtsverlust in 1 h 5,8% betrug. Wenn man vor
dem CVD Si₃N₄-Überzug zusätzlich einen durch Einbettungs-
Behandlung erzeugten SiC-Überzug aufbrachte, wurde der
Schutz beträchtlich verbessert; so wurde in 47 h nur
ein Gewichtsverlust von etwa 5,3% erhalten.
Claims (7)
1. Verfahren zum Aufbringen eines Schutzüberzugs gegen einen
thermischen Abbau in einer oxidierenden Atmosphäre auf einen
Kohlenstoff-Kohlenstoff-Verbundgegenstand,
gekennzeichnet durch die Schritte
- a) Aufbringen einer SiC-Schicht mit einer Dicke im Bereich von 12,7 bis 762 µm unter Diffusion von Si in die Oberfläche eines Kohlenstoff-Kohlenstoff-Verbundgegenstands durch Einbettungsbehandlung, und
- b) Aufbringen einer Überzugsschicht von Si₃N₄ mit einer Dicke von 76,2 bis 762 µm durch chemische Gasphasenabscheidung auf die Außenoberfläche des SiC-Überzugs.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
als Kohlenstoff-Kohlenstoff-Verbundgegenstand ein durch chemische
Zusätze inhibierter Kohlenstoff-Kohlenstoff-Verbundgegenstand
verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß auf die Oberfläche des Kohlenstoff-Kohlenstoff-Verbundgegenstandes
vor der Durchführung des Schritts a) eine SiC-
Schicht einer Dicke von 12,7 bis 127 µm durch chemische Gasphasenabscheidung
aufgebracht wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, daß in Schritt a) eine SiC-Schicht mit einem
Gehalt einer geringen Menge Bor erzeugt wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß in Schritt a) eine SiC-Schicht mit einer
Dicke im Bereich von 25,4 bis 254 µm erzeugt wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch
gekennzeichnet, daß in Schritt b) eine Si₃N₄-Überzugsschicht
mit einer Dicke von 127 bis 508 µm erzeugt wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch
gekennzeichnet, daß die Einbettungsbehandlung in Schritt a)
bei Temperaturen von etwa 1600°C in einem Zeitraum von 2 bis
10 h durchgeführt wird.
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- 1984-07-20 DE DE19843448429 patent/DE3448429C2/de not_active Expired - Fee Related
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