DE3447669A1 - Verbundstruktur aus metall und kunstharz sowie verfahren zu deren herstellung - Google Patents
Verbundstruktur aus metall und kunstharz sowie verfahren zu deren herstellungInfo
- Publication number
- DE3447669A1 DE3447669A1 DE19843447669 DE3447669A DE3447669A1 DE 3447669 A1 DE3447669 A1 DE 3447669A1 DE 19843447669 DE19843447669 DE 19843447669 DE 3447669 A DE3447669 A DE 3447669A DE 3447669 A1 DE3447669 A1 DE 3447669A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- metal
- layer
- copper
- composite structure
- synthetic resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 88
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 title claims description 59
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 title claims description 59
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims description 51
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 166
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 158
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 158
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 151
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 124
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 claims description 104
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 72
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 37
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 22
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 17
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 17
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 claims description 16
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 16
- 239000010953 base metal Substances 0.000 claims description 16
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 10
- 240000007817 Olea europaea Species 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 4
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 2
- 239000002075 main ingredient Substances 0.000 claims 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 118
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 60
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 50
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 45
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 26
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 26
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 24
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 24
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 23
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 20
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 16
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 16
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 16
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 15
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 11
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 7
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 7
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 6
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 5
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 5
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 5
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 4
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002932 luster Substances 0.000 description 4
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 4
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 4
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 3
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- QIVUCLWGARAQIO-OLIXTKCUSA-N (3s)-n-[(3s,5s,6r)-6-methyl-2-oxo-1-(2,2,2-trifluoroethyl)-5-(2,3,6-trifluorophenyl)piperidin-3-yl]-2-oxospiro[1h-pyrrolo[2,3-b]pyridine-3,6'-5,7-dihydrocyclopenta[b]pyridine]-3'-carboxamide Chemical compound C1([C@H]2[C@H](N(C(=O)[C@@H](NC(=O)C=3C=C4C[C@]5(CC4=NC=3)C3=CC=CN=C3NC5=O)C2)CC(F)(F)F)C)=C(F)C=CC(F)=C1F QIVUCLWGARAQIO-OLIXTKCUSA-N 0.000 description 2
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 2
- KEEKMOIRJUWKNK-CABZTGNLSA-N (2S)-2-[[2-[(4R)-4-(difluoromethyl)-2-oxo-1,3-thiazolidin-3-yl]-5,6-dihydroimidazo[1,2-d][1,4]benzoxazepin-9-yl]amino]propanamide Chemical compound FC([C@H]1N(C(SC1)=O)C=1N=C2N(CCOC3=C2C=CC(=C3)N[C@H](C(=O)N)C)C=1)F KEEKMOIRJUWKNK-CABZTGNLSA-N 0.000 description 1
- KJUCPVIVNLPLEE-UHFFFAOYSA-N 2,6-difluoro-n-[2-fluoro-5-[5-[2-[(6-morpholin-4-ylpyridin-3-yl)amino]pyrimidin-4-yl]-2-propan-2-yl-1,3-thiazol-4-yl]phenyl]benzenesulfonamide Chemical compound S1C(C(C)C)=NC(C=2C=C(NS(=O)(=O)C=3C(=CC=CC=3F)F)C(F)=CC=2)=C1C(N=1)=CC=NC=1NC(C=N1)=CC=C1N1CCOCC1 KJUCPVIVNLPLEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLMPILAUKVWJRV-UHFFFAOYSA-N 2h-benzotriazole;phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O.C1=CC=CC2=NNN=C21 VLMPILAUKVWJRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVGDAZBTIVRTGO-UONOGXRCSA-N 3-[(1r)-1-(2,6-dichloro-3-fluorophenyl)ethoxy]-5-[4-methoxy-6-[(2s)-2-methylpiperazin-1-yl]pyridin-3-yl]pyridin-2-amine Chemical compound C1([C@@H](C)OC=2C(N)=NC=C(C=2)C2=CN=C(C=C2OC)N2[C@H](CNCC2)C)=C(Cl)C=CC(F)=C1Cl BVGDAZBTIVRTGO-UONOGXRCSA-N 0.000 description 1
- UXHQLGLGLZKHTC-CUNXSJBXSA-N 4-[(3s,3ar)-3-cyclopentyl-7-(4-hydroxypiperidine-1-carbonyl)-3,3a,4,5-tetrahydropyrazolo[3,4-f]quinolin-2-yl]-2-chlorobenzonitrile Chemical compound C1CC(O)CCN1C(=O)C1=CC=C(C=2[C@@H]([C@H](C3CCCC3)N(N=2)C=2C=C(Cl)C(C#N)=CC=2)CC2)C2=N1 UXHQLGLGLZKHTC-CUNXSJBXSA-N 0.000 description 1
- HFGHRUCCKVYFKL-UHFFFAOYSA-N 4-ethoxy-2-piperazin-1-yl-7-pyridin-4-yl-5h-pyrimido[5,4-b]indole Chemical compound C1=C2NC=3C(OCC)=NC(N4CCNCC4)=NC=3C2=CC=C1C1=CC=NC=C1 HFGHRUCCKVYFKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSIWALKZYXPAGW-NSHDSACASA-N 6-(3-fluorophenyl)-3-methyl-7-[(1s)-1-(7h-purin-6-ylamino)ethyl]-[1,3]thiazolo[3,2-a]pyrimidin-5-one Chemical compound C=1([C@@H](NC=2C=3N=CNC=3N=CN=2)C)N=C2SC=C(C)N2C(=O)C=1C1=CC=CC(F)=C1 RSIWALKZYXPAGW-NSHDSACASA-N 0.000 description 1
- ONPGOSVDVDPBCY-CQSZACIVSA-N 6-amino-5-[(1r)-1-(2,6-dichloro-3-fluorophenyl)ethoxy]-n-[4-(4-methylpiperazine-1-carbonyl)phenyl]pyridazine-3-carboxamide Chemical compound O([C@H](C)C=1C(=C(F)C=CC=1Cl)Cl)C(C(=NN=1)N)=CC=1C(=O)NC(C=C1)=CC=C1C(=O)N1CCN(C)CC1 ONPGOSVDVDPBCY-CQSZACIVSA-N 0.000 description 1
- BWJHJLINOYAPEG-HOTGVXAUSA-N 8-chloro-6-[(6-chloropyridin-3-yl)methyl]-3-[(1S,2S)-2-hydroxycyclopentyl]-7-methyl-2H-1,3-benzoxazin-4-one Chemical compound ClC1=C(C(=CC=2C(N(COC=21)[C@@H]1[C@H](CCC1)O)=O)CC=1C=NC(=CC=1)Cl)C BWJHJLINOYAPEG-HOTGVXAUSA-N 0.000 description 1
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical group N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRULVYSBRWUVGR-FCHUYYIVSA-N GSK2879552 Chemical compound C1=CC(C(=O)O)=CC=C1CN1CCC(CN[C@H]2[C@@H](C2)C=2C=CC=CC=2)CC1 LRULVYSBRWUVGR-FCHUYYIVSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- MCRWZBYTLVCCJJ-DKALBXGISA-N [(1s,3r)-3-[[(3s,4s)-3-methoxyoxan-4-yl]amino]-1-propan-2-ylcyclopentyl]-[(1s,4s)-5-[6-(trifluoromethyl)pyrimidin-4-yl]-2,5-diazabicyclo[2.2.1]heptan-2-yl]methanone Chemical compound C([C@]1(N(C[C@]2([H])C1)C(=O)[C@@]1(C[C@@H](CC1)N[C@@H]1[C@@H](COCC1)OC)C(C)C)[H])N2C1=CC(C(F)(F)F)=NC=N1 MCRWZBYTLVCCJJ-DKALBXGISA-N 0.000 description 1
- ODUIXUGXPFKQLG-QWRGUYRKSA-N [2-(4-chloro-2-fluoroanilino)-5-methyl-1,3-thiazol-4-yl]-[(2s,3s)-2,3-dimethylpiperidin-1-yl]methanone Chemical compound C[C@H]1[C@@H](C)CCCN1C(=O)C1=C(C)SC(NC=2C(=CC(Cl)=CC=2)F)=N1 ODUIXUGXPFKQLG-QWRGUYRKSA-N 0.000 description 1
- 230000010062 adhesion mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 carbon dioxide ions Chemical class 0.000 description 1
- DGQLVPJVXFOQEV-JNVSTXMASA-N carminic acid Chemical compound OC1=C2C(=O)C=3C(C)=C(C(O)=O)C(O)=CC=3C(=O)C2=C(O)C(O)=C1[C@@H]1O[C@H](CO)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H]1O DGQLVPJVXFOQEV-JNVSTXMASA-N 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-N chloric acid Chemical compound OCl(=O)=O XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940005991 chloric acid Drugs 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000805 composite resin Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- MPTQRFCYZCXJFQ-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride dihydrate Chemical compound O.O.[Cl-].[Cl-].[Cu+2] MPTQRFCYZCXJFQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000002524 electron diffraction data Methods 0.000 description 1
- 229910001651 emery Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 229910000398 iron phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- WBJZTOZJJYAKHQ-UHFFFAOYSA-K iron(3+) phosphate Chemical compound [Fe+3].[O-]P([O-])([O-])=O WBJZTOZJJYAKHQ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- AYOOGWWGECJQPI-NSHDSACASA-N n-[(1s)-1-(5-fluoropyrimidin-2-yl)ethyl]-3-(3-propan-2-yloxy-1h-pyrazol-5-yl)imidazo[4,5-b]pyridin-5-amine Chemical compound N1C(OC(C)C)=CC(N2C3=NC(N[C@@H](C)C=4N=CC(F)=CN=4)=CC=C3N=C2)=N1 AYOOGWWGECJQPI-NSHDSACASA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- XULSCZPZVQIMFM-IPZQJPLYSA-N odevixibat Chemical compound C12=CC(SC)=C(OCC(=O)N[C@@H](C(=O)N[C@@H](CC)C(O)=O)C=3C=CC(O)=CC=3)C=C2S(=O)(=O)NC(CCCC)(CCCC)CN1C1=CC=CC=C1 XULSCZPZVQIMFM-IPZQJPLYSA-N 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000002688 persistence Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 239000012286 potassium permanganate Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000011514 reflex Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000009864 tensile test Methods 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- YODZTKMDCQEPHD-UHFFFAOYSA-N thiodiglycol Chemical compound OCCSCCO YODZTKMDCQEPHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/382—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
- H05K3/385—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal by conversion of the surface of the metal, e.g. by oxidation, whether or not followed by reaction or removal of the converted layer
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/03—Metal processing
- H05K2203/0315—Oxidising metal
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/11—Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
- H05K2203/1157—Using means for chemical reduction
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12431—Foil or filament smaller than 6 mils
- Y10T428/12438—Composite
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12472—Microscopic interfacial wave or roughness
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12535—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.] with additional, spatially distinct nonmetal component
- Y10T428/12556—Organic component
- Y10T428/12569—Synthetic resin
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
- Y10T428/12903—Cu-base component
- Y10T428/1291—Next to Co-, Cu-, or Ni-base component
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
BESCHREIBUNG:
Die Erfindung bezieht sich auf eine Verbundstruktur aus Metall und Kunstharz, wie sie sich insbesondere zur
Verwendung als Substrat für eine Leiterplatte eignet, sowie auf ein Verfahren zur Herstellung einer derartigen Verbundstruktur.
Bezüglich der Haftung von Metallen an Kunststoffen sind bisher verschiedene Verfahren zur Oberflächenbehandlung von
Metallen untersucht worden, um die Haftfestigkeit zwischen Metallen und Kunststoffen zu erhöhen. Bekannt ist beispielsweise
ein Verfahren, bei dem die Oberfläche eines Metalls durch Ätzen mit mechanischen Mitteln oder durch ein Oxidationsmittel
in einer sauren Lösung aufgerauht, sodann auf der Metalloberfläche ein oxidierter Film aufgebracht, was häufig
in alkalischer Lösung oder - im Falle einer sauren Lösung unter Ausnutzung der pH-Werterhöhung an der Metalloberfläche
infolge der Reaktion der Metalloberfläche mit der Lösung geschieht, und schließlich das Metall durch Vermittlung des
oxidierten Films an einem Kunstharz zur Haftung gebracht wird. Im Falle von Kupfer wird beispielsweise die Oberfläche von
metallischem Kupfer durch ein Ätzmittel, das mit einer Kupferchlorid enthaltenden wässrigen Lösung und Salzsäure
als saurer Lösung arbeitet, aufgerauht, woraufhin auf der Kupferoberfläche ein oxidierter Kupferfilm unter Verwendung
einer Chlorsäure, Phosphorsäure und Natronlauge enthaltenden alkalischen Lösung ausgebildet und schließlich das Metall
bei Zimmertemperatur oder unter Erwärmung oder unter Erwärmung und Druck über den oxidierten Film an einem Kunstharz zur
Haftung gebracht wird. Als Verfahren zur Erzeugung eines oxidierten Films auf der Metalloberfläche sei ferner ein
Verfahren erwähnt, nach dem die Oxidationsbehandlung unter Verwendung einer Kaliumpermanganat und Natronlauge enthaltenden
Lösung erfolgt. Der oxidierte Film kann auch durch Ultraviolettbestrahlung oder Flammbehandlung erzeugt werden. Wird ferner
metallisches Eisen in Phosphorsäure getaucht, so wird es durch diese oxidiert, und der pH-Wert an der Eisenoberfläche
steigt infolge von Wasserstofferzeugung, wodurch auf der Eisenoberfläche stabiles Eisenphosphat gebildet wird. Infolgedessen
haften Kunststoffe durch diese Metalloxide oder Metallsalze mit hoher Haftfestigkeit an Metallen. Diese Metalloxide
bzw. -salze haben jedoch den Nachteil geringer Säurebeständigkeit. Metall-Kunstharz-Verbundstrukturen werden häufig in
einer Atmosphäre verwendet, in der sie mit Säuren in Berührung kommen können. Erwünscht ist es daher, daß die Haftung in
den Metall-Kunststoff-Verbundstrukturen nicht nur mechanisch fest,sondern auch chemisch stabil ist.
Verfahren zur Verbesserung der Haftfähigkeit von Kupferbeschichtungen
sind aus den japanischen Offenlegungschriften
35497/81 und 177593/82 bekannt. Beide Druckschriften offenbaren ein Verfahren, bei dem ein Kupferüberzug zunächst oxidiert
und anschließend das Kupferoxid in reduzierender Atmosphäre bei hoher Temperatur reduziert wird, bis der Glanz des
reinen Kupfers erscheint, wodurch eine reine Metalloberfläche erzielt wird. Insbesondere offenbart dabei die zweite Veröffentlichung
eine Lösung für das Problem der Sprödigkeit, die auf feinen polykristallinen Teilchen beruht, indem diese
Teilchen ausgeschlossen werden. Mit anderen Worten ist dort beschrieben, daß metallisches Kupfer dann, wenn es auf eine
glänzende Oberfläche ohne feine Teilchen gebracht wird, ein Laminat hoher Abschälfestigkeit zu bilden vermag. Gemäß den
Untersuchungen der Erfinder vermittelt jedoch keines der in
den obigen Druckschriften beschriebenen Verfahren eine ausreichend hohe Haftfestigkeit. Soweit den Erfindern ferner
bekannt, ist bisher kein brauchbares Verfahren vorgeschlagen worden, um die Metall-Kunstharz-Grenzfläche so zu behandeln,
daß sie säurefest wird.
Der Erfindung liegt die generelle Aufgabe zugrunde, Nachteile, wie sie bei vergleichbaren Verbundstrukturen nach
dem Stand der Technik auftreten, mindestens teilweise zu
beseitigen. Eine speziellere Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine Verbundstruktur aus Metall und Kunstharz sowie
ein Verfahren zu deren Herstellung anzugeben, wobei die Haftfestigkeit zwischen dem Kunstharz und dem Metall hoch
und die Grenzfläche Kunstharz-Metall (das heißt die Metallschicht)
hoch-säurebeständig ist.
Die vorliegende Erfindung vermittelt eine Verbundstruktur aus Metall und Kunstharz, umfassend eine Kunstharzschicht sowie
eine Metallschicht, die eine Oberflächenrauhigkeit in einem
ein glanzloses Aussehen verleihenden Grad sowie eine Farbe zwischen Olivbraun und Schwarz aufweist und die an der Oberfläche
der Kunstharzschicht dicht anhaftet.
Die Erfindung vermittelt ferner eine Verbundstruktur aus Metall und Kunstharz, umfassend einen auf der Oberfläche eines
unedlen Metalls ausgebildeten ersten zerklüfteten Teil, einen aus reduziertem Metall gebildeten zweiten zerklüfteten Teil,
wobei das reduzierte Metall die Oberfläche des ersten zerklüfteten
Teils längs der zerklüfteten Oberfläche, das heißt längs der winzigen Erhebungen und Vertiefungen der Oberfläche,
dünner und mit einer feiner zerklüfteten Oberfläche als der erste zerklüftete Teil bedeckt, sowie eine an der
Oberfläche des zweiten zerklüfteten Teils dicht anhaftende Kunstharzschicht.
Ferner vermittelt die Erfindung eine Verbundstruktur aus Metall und Kunstharz, die eine Kunstharzschicht und eine
an dieser dicht anhaftende, durch elektrolytische Reduktion erhaltene Metallschicht umfaßt.
Die Erfindung vermittelt weiterhin eine Verbundstruktur aus Metall und Kunstharz, umfassend eine Schicht aus unedlem
Metall, eine Schicht aus reduziertem Metall, die auf der Schicht aus unedlem Metall vorgesehen und durch elektrolytische
Reduktion eines oxidierten Metallfilms erhalten worden ist, sowie eine an der Schicht aus reduziertem Metall dicht
anhaftende Kunstharzschicht.
Weiterhin vermittelt die Erfindung ein Verfahren zur
Herstellung einer Verbundstruktur aus Metall und Kunstharz, bei dem eine durch elektrolytische Reduktion eines oxidierten
Metallfilms gewonnene Schicht aus reduziertem Metall zur dichten Anhaftung an einer Kunstharzschicht gebracht wird.
Weiterhin vermittelt die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung einer Verbundstruktur aus Metall und Kunstharz,
bei der es sich um eine isolierte Leiterplatte handelt, wobei in einem ersten Verfahrensschritt die Oberfläche einer dünnen
Schicht aus metallischem Kupfer, die auf der Oberfläche einer isolierenden Platte aufgetragen ist, einer Oxidationsbehandlung
unterworfen wird, um auf der Oberfläche einen oxidierten Kupferfilm zu erzeugen, wobei in einem zweiten Schritt der
Kupferoxidfilm elektrolytisch soweit reduziert wird, daß die Haftung des Films an einem Resist (Abdeckmasse) nicht beeinträchtigt
wird, wobei in einem dritten Schritt der elektrolytisch reduzierte Kupferoxidfilm mit einem Resist alleine
in demjenigen Teil, in dem keine Schaltung erzeugt werden soll, abgedeckt wird, wobei ferner in einem vierten Verfahrensschritt
der für die Schaltung bestimmte, .nicht mit dem Resist bedeckte Teil des elektrolytisch reduzierten Kupferoxidfilms
in einer für einen Leiter der Schaltung erforderlichen Dicke chemisch verkupfert wird, und wobei in einem fünften Schritt
das Resist entfernt und anschließend die metallische Kupferschicht und der elektrolytisch reduzierte Kupferoxidfilm
von dem nicht-schaltungsteil weggeätzt werden.
Die Erfindung vermittelt weiterhin ein Verfahren zur Herstellung einer Verbundstruktur aus Metall und Kunstharz,
bei der es sich um eine mehrschichtige Leiterplatte handelt, wobei jeweils durch Isolierplatten, die auf beiden Seiten
mit einer metallischen Kupferschicht versehen sind, mehrere Löcher gebohrt und anschließend die Innenwände der Löcher
metallisiert werden, die Oberfläche der metallischen Kupferschicht oxidiert wird, um einen oxidierten Metallfilm
darauf auszubilden, sodann der oxidierte Metallfilm elektrolytisch reduziert wird, anschließend ein Resist auflaminiert
sowie ein Druck- und Entwicklungsverfahren zur
Herstellung eines Schaltungsmusters durchgeführt wird, die
einzelnen in dem vorhergehenden Verfahrensschritt mit dem Resist versehenen Platten geätzt werden, die Seitenfläche
des für die Schaltung dienenden zurückgebliebenen Teils der metallischen Kupferschicht oxidiert wird, um einen oxidierten
Metallfilm zu erzeugen, das Resist abgelöst und die übrige Struktur gewaschen wird, die so erhaltenen Platten mittels
der oben erwähnten aufeinanderfolgenden Verfahrensschritte über eine Prepreg-Platte laminiert und zur Haftung gebracht
werden, im Anschlußteil Durchgangslöcher ausgebildet-werden
und schließlich die Innenfläche der Durchgangslöcher metallisiert
wird.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachstehend anhand der Zeichnungen näher erläutert. In den
Zeichnungen zeigt
Fig. 1 einen schematischen Querschnitt durch eine Verbundstruktur aus Metall und Kunstharz gemäß einem
Ausführungsbeispiel der Erfindung;
Fig. 2 eine Darstellung zur Erläuterung des Prinzips einer elektrolytischen Redukt-ionsapparatur;
Fig. 3(A) und 3(B) Darstellungen zur Erläuterung des
durch elektrolytische. Reduktion bewirkten Metallniederschlags
;
Fig. 4 eine schematische Darstellung eines Farbanalysators;
Fig. 5 ein Diagramm zur Darstellung der Haftfähigkeit eines
elektrolytisch reduzierten Films;
Fig. 6 ein Diagramm zur Darstellung der Beständigkeit eines elektrolytisch reduzierten Films sowie
eines durch herkömmliche chemische Oxidation erzielten Films gegen Salzsäure;
Fig. 7 ein Diagramm zur Darstellung von Oberflächen-Reflex
ionseigenschaften; Fig. 8(A) bis 8(G) Darstellungen zur Erläuterung der
aufeinanderfolgenden Verfahrensschritte, bei der Herstellung einer Leiterplatte; und
Fig. 9(A) bis 9(H) Darstellungen zur Erläuterung der
aufeinanderfolgenden Verfahrensschritte bei der Herstellung einer mehrschichtigen Platte.
Die erfindungsgemäße Verbundstruktur aus Metall und Kunstharz kennzeichnet sich durch eine Herstellungsweise,
bei der ein oxidierter Film erzeugt und dieser anschließend einer elektrischen Reduktionsbehandlung unterworfen wird. Die
Folie aus unedlem Kupfer und das darauf durch Reduktion niedergeschlagene Kupfer sind hinsichtlich Kristallstrukturen
und Formen voneinander verschieden. Da ferner der sich ergebende Oberflächenteil dem oxidierten Film mit fein zerklüfteter
Oberfläche ähnlich gemacht wird, weist er eine hohe Abschälfestigkeit selbst dann auf, wenn der Grad der Zerklüftung
gering ist. Da der Oberflächenteil der Reduktionsbehandlung unterzogen worden ist, ist er ferner gegen Säure
stabil; dies steht in völligem Gegensatz zu der Oberfläche, wie sie nach dem herkömmlichen Verfahren zur Erzeugung eines
oxidierten Films auf der Metall (Kupfer)-Oberflache erzielt
wird, wonach die Oberfläche eine schlechte Beständigkeit gegen Salzsäure aufweist. Die erfindungsgemäße Verbundstruktur
aus Metall und Kunstharz ist ferner auch von denjenigen Materialien verschieden, wie sie erzielt werden, wenn die
Oberfläche durch mechanische Mittel oder durch Aufgalvanisieren einer Kupferfolie erhalten wird, indem nämlich das Maß
der Zerklüftung der Kupferoberfläche sehr klein ist und die Kupferschicht eine doppelte Struktur aufweist, während
das Verfahren nach dem Stand der Technik zu einer einfachen Struktur führt. Daß das Maß der Zerklüftung der Kupferoberfläche
bei dem Verfahren nach dem Stand der Technik groß ist, bedeutet, daß die Oberfläche zwar säurebeständig ist, sich jedoch nur
sehr schwer zur Ausbildung einer sehr feinen Kupferverdrahtung ätzen läßt.
Zustand der Grenzfläche zwischen Metall und Kunstharz:
Glanz und Farbe
Die Grenzfläche hat vorzugsweise ein glanzloses Aussehen
und eine olivbraune bis schwarze Färbung. Der Grad des Glanzes, ausgedrückt als direktes Reflexionsvermögen in
einem Wellenlängenbereich von 600 bis 700 nm, beträgt vorzugsweise 50% oder weniger, noch bevorzugter 20% oder
weniger. Nach der Definition des Munsell Farbenbuches liegt der Farbton vorzugsweise im Bereich von 7,5 RP bis 7,5 Y,
noch bevorzugter im Bereich von 10 RP bis 2,5 Y, der Farbwert bei vorzugsweise 7 oder weniger, noch bevorzugter 6 oder
weniger, und die Sättigung bei vorzugsweise 12 oder weniger, noch bevorzugter 8 oder weniger.
Handelt es sich bei dem Metall beispielsweise um Kupfer, so nimmt die Metalloberfläche also nicht den sogenannten
metallischen Glanz von Kupfer, das heißt die sogenannte Kupferfarbe, an. Die schwarze oder olivbraune Färbung der
Metalloberfläche beruht aber nicht auf Schmutz oder sonstigen Fremdstoffen, schon gar nicht auf Kupferoxid. Vielmehr beruht
die Farbe auf reinem Metall. Die Metalloberfläche weist nämlich eine beträchtlich feine, dichte oder poröse oder
schwammartige Struktur auf, die eine Lichtstreuung bewirkt, was zu einem in der Farbe olivbraunen bis schwarzen Aussehen
führt. Da die Metalloberfläche der erfindungsgemäßen Verbundstruktur
eine sehr feine und dichte Struktur in dem oben erwähnten Maß aufweist, gelangt beim Verpressen mit einem
Harz dieses in den mikroporösen Oberflächenteil, was in einer erhöhten Haftfestigkeit resultiert. Da es sich ferner
bei der Grenzfläche nicht um einen oxidierten Film sondern um einen Metallfilm handelt, weist diese auch eine gute
Säurebeständigkeit auf. Metalle mit einem derartigen Oberflächenzustand lassen sich nicht durch Reduktion eines
oxidierten Metallfilms unter Hochtemperatur-Gasatmosphäre erzielen.
pirektes Reflexionsvermögen:
pirektes Reflexionsvermögen:
Die oben erwähnte Auswertung in Form des direkten Reflexionsvermögens erfolgt unter Verwendung eines Farbanalysators
mit einer Halogenlampe als Lichtquelle und
Bariumsulfat als weißer Referenzplatte. Das Arbeitsprinzip
des Analysators ist bekannt, und die Arbeitsbedingungen sollen weiter unten näher beschrieben werden; nur einige davon seien hier kurz erwähnt. Eine Probe wird mit weißem diffusen Licht bestrahlt, und das senkrecht reflektierte Licht wird spektrophotometrisch gemessen, um das Reflexionsspektrum (den
spektralen Abstrahlungsfaktor) und das Transmissionsspektrum des farbigen Gegenstandes zu ermitteln. Wird als reflektierende Probe glänzendes Material verwendet, so hat der Glanz starken Einfluß auf das Ergebnis, was zu einem beträchtlichen Unterschied zwischen demjenigen photometrischen Wert, der
bei Beseitigung der gewöhnlichen Reflexion unter Verwendung einer Lichtfalle erhalten wird (diffuses Reflexionsvermögen), und dem Wert führt, der unter Einbeziehung der gewöhnlichen Reflexion unter Verwendung eines Streuelements erhalten
wird (totales oder direktes Reflexionsvermögen). Das
Reflexionsvermögen gibt das Verhältnis der Intensität des
von der Probe reflektierten Lichts zur Intensität des von
der weißen Referenzplatte unter gleichen Bedingungen reflektierten Lichts in Prozent an, das heißt die Proportionalität Intensität des von der Probe reflektierten Lichts zur
Intensität des von der weißen Referenzplatte reflektierten
Lichts wird als 100 genommen. Mit anderen Worten bedeutet
das direkte Reflexionsvermögen den photometrischen Wert
des Analysators ist bekannt, und die Arbeitsbedingungen sollen weiter unten näher beschrieben werden; nur einige davon seien hier kurz erwähnt. Eine Probe wird mit weißem diffusen Licht bestrahlt, und das senkrecht reflektierte Licht wird spektrophotometrisch gemessen, um das Reflexionsspektrum (den
spektralen Abstrahlungsfaktor) und das Transmissionsspektrum des farbigen Gegenstandes zu ermitteln. Wird als reflektierende Probe glänzendes Material verwendet, so hat der Glanz starken Einfluß auf das Ergebnis, was zu einem beträchtlichen Unterschied zwischen demjenigen photometrischen Wert, der
bei Beseitigung der gewöhnlichen Reflexion unter Verwendung einer Lichtfalle erhalten wird (diffuses Reflexionsvermögen), und dem Wert führt, der unter Einbeziehung der gewöhnlichen Reflexion unter Verwendung eines Streuelements erhalten
wird (totales oder direktes Reflexionsvermögen). Das
Reflexionsvermögen gibt das Verhältnis der Intensität des
von der Probe reflektierten Lichts zur Intensität des von
der weißen Referenzplatte unter gleichen Bedingungen reflektierten Lichts in Prozent an, das heißt die Proportionalität Intensität des von der Probe reflektierten Lichts zur
Intensität des von der weißen Referenzplatte reflektierten
Lichts wird als 100 genommen. Mit anderen Worten bedeutet
das direkte Reflexionsvermögen den photometrischen Wert
des Reflexionsvermögens einschließlich des auf gewöhnlicher
Reflexion beruhenden Wertes.
Munsell-Farbenbuch
Munsell-Farbenbuch
Bei dem in der vorliegenden Beschreibung herangezogenen Munsell-Farbenbuch handelt es sich um das gemäß der
japanischen Industrienorm (JIS). Bekanntlich ist das
Farbenbuch ( das auch als "color chips" bezeichnet wird)
nach Farbton (H), Farbwert (V) und Sättigung (C) angeordnet. Eine Farbe wird gewöhnlich beispielsweise in folgender Form: 10 RP 7/8 angegeben, was als "zehn, R, P, acht aus sieben"
nach Farbton (H), Farbwert (V) und Sättigung (C) angeordnet. Eine Farbe wird gewöhnlich beispielsweise in folgender Form: 10 RP 7/8 angegeben, was als "zehn, R, P, acht aus sieben"
gelesen wird. Schlägt man das Buch an der Seite für zehn RP
- 17 - 3U7669
auf (auch als Farbenkarte 10 RP bezeichnet, was sich auf einen Farbton bezieht), so finden sich auf dieser Seite
sämtliche Farben, deren Farbton zu zehn RP gehört. Am Schnittpunkt
zwischen der durch den Punkt 7 auf der Ordinate verlaufenden horizontalen Linie und der durch den Punkt 8 auf
der Abszisse verlaufenden vertikalen Linie findet man dann das Farbfeld (color chip) mit der angegebenen Farbe 10 RP 7/8.
Die Farbwerte V sind in Intervallen von 1 an der Ordinate, die Sättigungen C in Intervallen von 2 an der Abszisse
aufgetragen. Werden Farben mit der Bezeichnung "Braun" als ihrem gewöhnlichen Farbennamen anhand der repräsentativen
Werte der Farbfelder ausgedrückt, so hat Hellbraun die Bezeichnung 5 YR 3,5/4, Bräunlich-Karminrot 8,5 R 3/4,5,
Dunkelbraun 2 YR 2/1,5, Olivbraun 5 YR 3,2/2, Bräunlich-Grau
6,5 YR 6/1, und Grünlich-Braun 5 Y 4/3,5. Schwarz gehört nicht der Gruppe dieser bräunlichen Farbtöne an, sondern
wird als achromatische Farbe bezeichnet. Da Schwarz zwar einen ihm zugeordneten Farbwert V, aber keine Sättigung
aufweist, läßt sich das obige Verfahren der Bezeichnung anhand der Farbfelder auf Schwarz nicht anwenden.(Schwarz wird
gewöhnlich als N1 oder N1,5 ausgedrückt. Der Farbwert V der schwarzen Farbe beträgt gewöhnlich 2 oder weniger.
Zustand der Grenzfläche zwischen Metall und Kunstharz: Gestalt des zerklüfteten Teils.
Die Beziehung zwischen dem ersten zerklüfteten Teil, der auf der Oberfläche eines unedlen Metalls ausgebildet
ist, und dem zweiten zerklüfteten Teil, der aus einem reduzierten Metall gebildet ist, das die Oberfläche des ersten
zerklüfteten Teils längs der zerklüfteten Oberfläche, das heißt längs der winzigen Erhebungen und Vertiefungen der
Oberfläche, dünner und mit einer feiner zerklüfteten Oberfläche als der erste zerklüftete Teil bedeckt,ist vom
Standpunkt der Haftungseigenschaft wichtig; dies wird anhand der schematischen Darstellung nach Fig. 1 erläutert.' In
Fig. 1 bedeutet 1 eine Schicht aus unedlem Metall, 2 eine
Schicht aus elektrolytisch reduziertem Metall, und 3 eine Kunstharzschicht. Die Erhebungen und Vertiefungen der
Oberfläche der Schicht 1 entsprechen dem ersten zerklüfteten Teil 4, und die Erhebungen und Vertiefungen der Oberfläche
der Schicht 2 aus dem elektrolytisch reduzierten Metall entsprechen dem zweiten zerklüfteten Teil 5. Auf diese Weise
haftet das Metall an der Kunstharzschicht 3 über den zweiten zerklüfteten Teil 5 der Schicht 2 aus elektrolytisch reduziertem
Metall. Da der zweite zerklüftete Teil 5 eine feine Oberflächenstruktur
hat, ergibt sich an der Grenzfläche eine hohe Haftfestigkeit. Die Schicht 2 besteht zwar aus Metall,
weist aber aufgrund der Lichtstreuung, die durch die in Fig. angedeutete mikroporöse Struktur der Oberfläche verursacht
wird, die oben erwähnte, olivbraune bis schwarze Farbe auf. Die Oberflächenrauhigkeit des ersten zerklüfteten Teils
4 beträgt vorzugsweise 6 μπι oder weniger, noch bevorzugter
3 μπι oder weniger, ausgedrückt als R bei einer Standardlänge
L von 100 μπι gemäß der Definition der japanischen Industrienorm
JIS B 0601 . Eine noch rauhere Oberfläche ergibt zwar ein gutes Haftungsvermögen, führt aber zu Schwierigkeiten bei
der Erzeugung von Mustern durch Ätzung.
Die Filmdicke (maximale Höhe) I des zweiten zerklüfteten
Teils 5 beträgt vorzugsweise 7 nm oder darüber und ist kleiner als die Oberflächenrauhigkeit des ersten zerklüfteten Teils
Im allgemeinen läßt sich durch Reduzieren einer Metalloberfläche, die auf natürliche Weise dadurch, daß sie der Luft
ausgesetzt wird, oxidiert ist, kein so dicker Film erzeugen. Dagegen gelingt dies dadurch, daß man absichtlich einen
dicken oxidierten Metallfilm erzeugt und diesen gemäß dem Ausführungsbeispiel der Erfindung elektrolytisch reduziert.
Die Oberfläche hat vorzugsweise das oben erwähnte Aussehen bezüglich Farbe und ist vorzugsweise ferner glanzlos.
METALL
Typische Beispiele von Metallen, wie sie im Rahmen der
vorliegenden Erfindung verwendet werden, sind Kupfer oder Legierungen und Diffusionsprodukte, die Kupfer als Hauptbestandteil
enthalten. Daneben eignen sich auch Eisen, Nickel und dergleichen.
Vom Standpunkt der Arbeitsverfahrensschritte werden die Schicht 1 aus unedlem Metall und die Schicht 2 aus
elektrolytisch reduziertem Metall vorzugsweise aus Metallen der gleichen Art gebildet. Grundsätzlich sind die beiden
Schichten bezüglich Kristallstruktur und Gestalt verschieden voneinander, da die zu ihrer Herstellung angewendeten
Verfahren unterschiedlich sind.
In der Schicht 2 aus elektrolytisch reduziertem Metall
kann eine gewisse Menge an oxidiertem Metall zurückbleiben.
Auch in diesem Fall ist eine dem oxidierten Metall innewohnende gute Haftungseigenschaft zu erwarten. Die Menge an oxidiertem
Metall sollte jedoch sorgfältig gesteuert werden, da eine zu große Menge Probleme hinsichtlich der Säurefestigkeit
schafft. Im übrigen ist das Vorliegen von restlichem Oxid harmlos.
KUNSTHARZ
Typische Beispiele von Kunstharzen, wie sie im Rahmen der vorliegenden Erfindung verwendet werden, sind solche
des Polyimid-Typs. Geeignet sind jedoch auch andere Harze,
etwa Epoxyharze. Ein Substrat aus einem Polyimid-Kunstharz weist zwar höhere Formstabilität auf als ein solches aus
einem Epoxyharz, haftet aber schlechter an Kupfer. Wird zur Erhöhung der Haftfestigkeit Kupferoxid verwendet, so sinkt
die Säurebeständigkeit. Da sich diese Probleme durch Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens lösen lassen, wird
als Ausführungsbeispiel zur Erläuterung der Erfindung eine Kombination von Kupfer mit Polyimid-Harzen beschrieben. Bei
einer mehrschichtigen Leiterplatte wird als Prepreg-Folie oder -Platte Polyimid verwendet.
5
5
ANWENDUNGEN
Zu typischen Beispielen für die Verwendung der erfindungsgemäßen Verbundstruktur gehören sogenannte Leiterplatten
(gedruckte Schaltungsplatten) und mehrschichtige Leiterplatten. Neben der Herstellung derartiger Leiterplatten
eignet sich das erfindungsgemäße Verfahren jedoch auch zur
Erzeugung einer Verbindung von Metall und Kunstharz, die hohe Haftfestigkeit und Säurebeständigkeit aufweist, und
kann beispielsweise als Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Metall, das als Träger für eine Beschichtung eingesetzt
wird, verwendet werden. Weist ein Überzug Nadellöcher auf, so kann durch diese eine Säure eindringen. Wird nun ein
oxidierter Metallfilm verwendet, um die Haftfestigkeit zwischen einem Metall und dem überzug zu erhöhen, so löst sich
.der oxidierte Metallfilm auf, und der Überzugsfilm neigt zum Abschälen. Derartige saure Lösungen bilden sich leicht, wenn
Wasser einfach mit Luft in Berührung kommt, wobei sich das in der Luft vorhandene Kohlendioxid im Wasser lösty und dabei
Kohlendioxidionen entstehen. Dagegen ist, wie oben erwähnt, der elektrolytisch.reduzierte Film säurebeständig und vermittelt
außerdem eine sehr wirksame Erhöhung der Haftung zwischen Metall und Kunstharz. Das erfindungsgemäße Verfahren
eignet sich daher gut zur Oberflächenbehandlung von als Träger für einen überzug verwendetem Metall.
VERFAHREN_DER_ANHAFTÜNG
Die Schicht aus elektrolytisch reduziertem Metall und das Kunstharz werden zur dichten Anhaftung aneinander vor-
zugsweise bei einer Temperatur von 100 C oder darüber und einem Druck von 5 bar oder mehr gebracht.
ELEKTRQLYTISCHE_REDÜKTION
Ein Verfahren zur Durchführung der elektrolytischen Reduktion wird anhand von Fig. 2 beschrieben. In Fig. 2 bedeutet
6 eine elektrolytisch zu reduzierende Probe und 7 eine Gegenelektrode. Als Gegenelektrode wird im vorliegenden
Ausführungsbeispiel eine Platte aus nicht-rostendem Stahl verwendet; geeignet sind jedoch auch sonstige Materialien
wie Platin, Kupfer, Kohlenstoff, Blei und Silber insofern, als jedes Material den Zweck erfüllt, solange es
einen unlöslichen elektrischen Leiter darstellt. Mit 8 ist eine Elektrolytlösung bezeichnet, die vorzugsweise einen
pH-Wert von 6 oder mehr aufweist. Die in Fig. 2 gezeigten Pfeile bezeichnen die Strömungsrichtung der Elektronen (e).
Die an der Oberfläche der Probe 6 stattfindende Reaktion
läßt sich durch folgende Gleichungen ausdrücken:
CuO + H2O -»■ Cu2+ + 20H~ (1)
und
Cu2+ + 2e -»■ Cu (2)
2+
Angenommen Cu -Ionen sind in der Umgebung der Probe
Angenommen Cu -Ionen sind in der Umgebung der Probe
aufgrund der Lösung von CuO in relativ großer Anzahl vorhanden, so bestimmt sich die Reaktionsgeschwindigkeit in
Gleichung (2) nach der Anzahl der von einer äußeren Strom quelle nachgelieferten Elektronen.
OXIDATION DER METALLOBERFLÄCHE
Beginnend mit dem Oxidationsschritt finden die unten
nacheinander beschriebenen Reaktionen statt. Dabei wird an
2+ genommen, daß Cu durch NaCJlO2 zu Cu oxidiert wird, das
dann mit OH in alkalischer Lösung zu Cu(OH)5 reagiert,
2+ 3—
während ein Teil der Cu -Ionen mit PO4 unter Bildung
von Niederschlägen wie etwa Cu3(PO4J2 reagiert. Dabei sind
folgende Reaktionen anzunehmen:
9 9
Cu ^-» Oi + 2e (3)
Cu ^-» Oi + 2e (3)
9, NaOH
Oi > Cu(OH)2 (4)
Oi > Cu(OH)2 (4)
Na-.P0.-1 2H9O
2Cu(OH)2 ^-> Cu3(PO4J2 +
2Cu(OH)2 ^-> Cu3(PO4J2 +
(5)
NaCAO2 ■*" Na+ + CiIO9" '. (6)
CK)2~ ·*■ CA~ + 2(0) (7)
H2O + 2(0) ■*■ H3O2 (8)
H2O2 + 2e -s- 20H~ (9)
Da die Reaktion insgesamt als Summe der Gleichungen (3) und (9) abläuft, läßt sich die gesamte Reaktion durch
die folgende Gleichung (10) ausdrucken:
Cu + H2O2 ·*■ Cu2+ + 20H~ -»■ Cu(OH)2 +... (10)
Wie aus der obigen Darlegung hervorgeht, schlägt sich das Metalloxid
(Cu(OH)2++ CuO + H2O) auf der Kupferoberfläche (Oberfläche
der Probe 6) nieder. Da das entstehende Cu(OH)2 als
feiner pulverförmiger Feststoff mit sehr kleinem Teilchendurchmesser
(mehrere zehn nm) auftritt, läßt sich abschätzen, daß der zweite zerklüftete Teil 5 mit beträchtlich
feiner Zerklüftung gebildet wird.
BEZIEHUNG_ZWISCHEN_DER_ABSCHEIDÜNGSGESCHWINDIGKEIT
VON_METALL_UND_DER_HAFTPESTIGKEIT
Wird der so gebildete Metalloxidfilm elektrolytisch reduziert, so wird er in metallisches Kupfer umgewandelt
und als solches niedergeschlagen. Erfolgt der Niederschlag des Films langsam, so ist die Dichte der sich bildenden
Kristallkerne gering und das Metall wird selektiv an Fehlern (etwa Sprüngen und Stufen) abgeschieden, wo der Niederschlag
besonders leicht erfolgt. Infolgedessen können die Kristalle ihre ursprüngliche fein zerklüftete Gestalt
verlieren und zu großen Kristallkörnern anwachsen, was zu einer Verringerung der Haftfestigkeit an Kunstharz führt.
Wird andererseits die Äbscheidungsgeschwindigkeit erhöht, so tritt der Niederschlag in Form von reinem Metall auf,
wobei die ursprüngliche fein zerklüftete Gestalt beibehalten wird, was zu einer Erhöhung der Haftfestigkeit an
Kunstharz und der Beständigkeit gegen Salzsäure führt.
BEZIEHUNG_ZWISCHEN_FLÜSSIGKEITSTEMPERATyR_yND
RÜHRBEWEGÜNG_BEIM_ABSCHEIDEN_DES_METALLS
Bei konstanter Stromdichte findet dann, wenn die Flüssigkeitstemperatur
niedrig ist, nur schwierig eine Diffusion
2+
der Metallionen (z.B. Cu ) statt, was zu einer Verkleinerung der Kristallkorndurchmesser führt. Ist andererseits
die Flüssigkeitstemperatur hoch, so diffundieren die Metall-
2+
ionen (Cu ) leicht, wodurch der Kristallkorndurchmesser zunimmt. Dieses Phänomen ist in Fig. 3(A) und 3(B) darge-
ionen (Cu ) leicht, wodurch der Kristallkorndurchmesser zunimmt. Dieses Phänomen ist in Fig. 3(A) und 3(B) darge-
stellt. Fig. 3(A) zeigt dabei den Fall bei niedriger, Fig. 3(B) den Fall bei hoher Flüssigkeitstemperatur. In
beiden Figuren ist ferner mit A eine Stelle bezeichnet, an der der Niederschlag leicht erfolgt, und mit B eine Stelle,
wo der Niederschlag schwierig ist. Auch das Ausmaß der Rührbewegung der Flüssigkeit hat einen Effekt auf die Beweglich-
2+
keit von Cu , was zu einer Änderung der Kristallkorngrößen
keit von Cu , was zu einer Änderung der Kristallkorngrößen
führt.
STROMDICHTE
STROMDICHTE
Unmittelbar nach dem Start der elektrolytischen Reduktion beginnt das reduzierte Metall sich zunächst an zahlreichen
an der Oberfläche des unedlen Metalls vorhandenen Fehlern anzulagern. Bei niedriger Stromdichte wachsen große
Metallkristalle, wobei die erwähnten ursprünglichen Fehler als Zentren wirken. Dieses Phänomen ist ähnlich dem in Fig.3(B)
gezeigten. Bei hoher Stromdichte lagern sich andererseits feine Kristallkörner auch an von den Fehlern verschiedenen
Stellen an, nämlich auf dem flachen Teil ("Terrasse") des unedlen Metalls. Da die angelagerten Kristallkörner neuen
Fehlern entsprechen, wachsen Kristalle in winziger Größe, jedoch an zahlreichen Stellen. Dieses Phänomen ist ähnlich
dem in Fig. 3 (A) gezeigten. Im Rahmen der vorliegenden Erfindung wird daher eine elektrolytische Reduktion mit hoher
Stromdichte besonders bevorzugt, da sie leichter zu einer fein zerklüfteten Metalloberfläche führt.
Hi?TERSCHIED_GEGENÜBER_WASSERSTOFFREDUKTION
Da im Gegensatz zur elektrolytischen Reduktion bei einer Reduktion mit Wasserstoff eine hohe Temperatur (650 bis
800°C) erforderlich ist, werden selbst dann, wenn ursprünglieh eine zerklüftete Oberfläche vorhanden ist, die Unregel-
mäßigkeiten aufgrund der hohen Temperatur ausgeglichen, so
daß die Oberfläche mehr eben wird. Dieses Verfahren führt daher zu einer Oberfläche mit metallischem Glanz. Eine auf
diese Weise ,hergestellte Grenzfläche gegenüber dem Metall ist zwar erheblich säurebeständig und weniger anfällig gegen
Abschälung aufgrund einer Auflösung des Metalloxidfilms durch Säuren, läßt aber das Problem unzureichender Haftfähigkeit
ungelöst.
Bei der elektrolytischen Reduktion wird jedes der Metalloxidkörner
an der betreffenden Stelle reduziert. Bei hohen Temperaturen schreitet das Kristallwachstum fort.
Selbst bei niedrigen Temperaturen diffundiert der größte Teil des Metalls und lagert sich an. Die Formen der Körner
bleiben zwar scheinbar erhalten, doch treten bei näherer Betrachtung Änderungen auf. Das Metall lagert sich an den
Kristallisationskernen an und wächst zu Kristallen. Daher lassen sich Metallfilme mit einer beträchtlich feinen Oberflächenstruktur
erzielen.
Andererseits ist es bei Reduktion mit Wasserstoff, obwohl dort prinzipiell ein poröser Körper erzeugt wird, nachdem
Sauerstoff durch Wärmebehandlung eliminiert worden ist, erforderlich, den porösen Zustand aufrecht zu erhalten. Es
wird aber angenommen, daß bei Temperaturen von 500 C oder darüber das örtliche Kristallwachstum fortschreitet und der
oben erwähnte Ausgleich von Unregelmäßigkeiten auftritt, wodurch der poröse Zustand örtlich verschwindet und die Oberfläche
fortschreitend eingeebnet wird.
VERFAHREN_ZÜR_HERSTELLyNG_DES_METALI,SyBSTRATS
Als Beispiel soll ein Verfahren beschrieben werden. Auf einer Platte aus nicht-rostendem Stahl wird ein Metall
elektrolytisch niedergeschlagen. Zwischen den aufgetragenen Metalloberflächen von zwei derartigen, nach dem. obigen
Verfahren hergestellten Platten wird eine Prepreg-Platte
oder -Folie angeordnet und das ganze wird heiß gepreßt. Die niedergeschlagene Metallschicht haftet an der Prepreg-Folie
an und läßt sich leicht von der Platte aus nicht-rostendem Stahl abziehen. Dabei kann die auf der Platte aus nichtrostendem
Stahl aufgetragene Metallschicht auch als das unedle Metall verwendet werden, das nacheinander einer Oxidation
und einer elektrolytischen Reduktion unterworfen und anschließend mit einer Prepreg-Folie zur Haftung gebracht
wird.
ZUSAMMENFASSUNG
Um eine Haftung zwischen Metall und Kunstharz mit hoher Haftfestigkeit zu erzielen, ist bisher herkömmlicherweise
ein Verfahren angewandt worden, nach dem die Metalloberfläche aufgerauht, die aufgerauhte Metalloberfläche zum Auftragen
eines Metalloxidfilms oxidiert und sodann das Metall über die oxidierte Metalloberfläche an dem Kunstharz zur Anhaftung
gebracht wird. Eine nach diesem Verfahren hergestellte Verbundstruktur aus Metall und Kunstharz weist zwar eine extrem
hohe Haftfestigkeit auf, hat jedoch den Nachteil, daß wegen der Verwendung eines oxidierten Films an der Haftungs-Grenzfläche
der Verbundstruktur die Grenzfläche durch Säuren leicht gelöst wird und chemisch instabil ist.
Die Erfinder haben daher nach einem Verfahren zur Oberflächenbehandlung
gesucht, das einen behandelten Film ergibt, der gegen Säuren stabil ist und hohe Haftung gegenüber Kunstharzen
gestattet. Dabei wurde der Haftungsmechanismus über den oxidierten Metallfilm untersucht, der für die erhöhte
Haftfestigkeit zwischen dem Metall und dem Kunstharz verantwortlich ist. Dabei hat sich herausgestellt, daß die Oberfläche
des oxidierten Films zu einer komplizierten Gestalt aufgerauht wird, die der Hauptfaktor bei der Ausbildung
starker Haftung zwischen Kunstharz und Metall ist. Ferner
kann angenommen werden, daß oxidierte Filme die Ausbildung
von Wasserstoffbindungen gegenüber dem Kunstharz im Vergleich
zum Metall erleichtern und diese Wasserstoffbindungen einen weiteren Faktor für die feste Haftung zwischen
dem Metall und dem Kunststoff über den oxidierten Film darstellen.
Die Erfinder sind dabei zu einem Verfahren gelangt, gemäß dem zur Erzielung eines behandelten Films, der hinsichtlich
Gestalt und hinsichtlich der Leichtigkeit der Ausbildung von Wasserstoffbindungen einem oxidierten Metallfilm
ähnlich ist, ein oxidierter Metallfilm elektrolytisch reduziert wird, um auf der Metalloberfläche einen eine unvermeidbare
Menge von Oxid enthaltenden Film aus reduziertem Metall auszubilden, woraufhin das Metall über den Film
an dem Kunstharz zur Anhaftung gebracht wird. Bei Verwendung dieses Verfahrens ist die Oxidmenge in dem Film aus
reduziertem Metall bei weitem kleiner als die des den oxidier^-
ten Metallfilm nach dem Stand der Technik darstellenden Oxids. Aufgrund dessen ist eine verbesserte Säurebeständigkeit zu
erwarten.
Wie aus der obigen Beschreibung ersichtlich, ist es bei Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung
einer Leiterplatte zweckmäßig, blankes reduziertes Metall mindestens an solchen Teilen freizulegen, die an Durchgangslöcher
angrenzen. Hinsichtlich der Haftungseigenschaften sind Wasserstoffbindungen und durch die Oberflächenrauhigkeit
bewirkte Verankerungseffekte zu erwarten.
Im folgenden sollen die im Rahmen der Erfindung verwendeten Testverfahren und die dabei erhaltenen Ergebnisse
beschrieben werden.
VERPAHREN_DER_ELEKTROLYTISCHEN_REDUKTigN
Das bei der elektrolytischen Reduktion verwendete Substrat wurde folgendermaßen hergestellt. Auf die Kupferfolie
einer beidseitig mit Kupfer beschichteten glasfaserverstärkten Epoxyplatte (Dicke der Kupferfolie: 35 ym, Dicke der
glasfaserverstärkten Epoxyschicht 0,2 mm) wurde unter Verwendung einer chemischen Metallxsierungsflüssigkeit eine
Kupferbeschichtung von 35 ym Dicke aufgetragen. Sodann wurde
die Platte einer Wärmebehandlung an der Luft bei 180°C
eine Stunde lang und weiterhin einer Behandlung zur Erzeugung eines chemisch oxidierten Films ausgesetzt. Die Bedingungen
der Behandlung zur Herstellung des oxidierten Films wurden oben beschrieben. Das Substrat wurde dann in
eineElektrolysezelle 10 gemäß Fig. 2 eingesetzt, und der oxidierte Film auf der Kupferfolie wurde unter Anwendung
eines Verfahrens mit konstantem Strom elektrolytisch reduziert. Die Bedingungen der elektrolytischen Reduktion wurden
hinsichtlich Plüssigkeitstemperatur, Rührzustand und
Stromdichte variiert. Die Elektrolysezelle 10 war mit einer Temperatursteuerung 11 und einer Rohrleitung 9 versehen,
durch die zum Umrühren der Elektrolytlösung Argon in die Lösung eingeblasen werden konnte. Das Reduktionspotential
wurde über die Reduktionszeit bestimmt, und der Endpunkt der Reduktion wurde nach demjenigen Potential bestimmt, bei
dem die Reduktionswelle scharf anstieg.
Y^RFAHREN_ZUR_AUSWERTU^G_VON_HAFTU^GSEIGENSCHAFTEN
yND_SÄUREFESTIGKEIT
Die Haftungseigenschaften wurden durch Ermittlung der
Abschälfestigkeit ausgewertet. Die Probe wurde dadurch hergestellt, daß Substrate, die elektrolytisch reduziert worden
waren, mit Prepreg-Folien laminiert und zur Anhaftung
£447669
gebracht wurden. Dabei wurden vier Prepreg-Folien mit jeweils
einer Dicke von 0,05 mm aufeinander gestapelt. Die Verbindung wurde 90 Minuten lang bei 170 C unter einem
Druck von 14 bar durchgeführt.
Die Festigkeit gegen Salzsäure wurde folgendermaßen ausgewertet. Mittels eines mit niedriger Geschwindigkeit
arbeitenden Schneiders wurde eine Probe mit einer Größe
von etwa 10 mm ausgeschnitten, und der Schnitt wurde zunächst mit Schmirgelpapier (Nr. 1000) und anschließend
durch Schwabbeln unter Verwendung von AÄ203~Poliermittel
(Nr. 2000) poliert. Sodann wurde die Probe in wässrige Salzsäure (17,5 %) bei Zimmertemperatur eine vorgegebene
Zeit lang eingetaucht. Die Festigkeit gegenüber der Salzsäure wurde dadurch ausgewertet, daß die Länge des durch
Aufweichen in der Säure verursachten verfärbten Teils vom Schnitt her gemessen wurde.
BEgBACHTUNG_DER_OBERFLACHENGESTALT
yND_ANALYSE_DER_KRISTALLSTRUKTyR
Die Oberflächengestalt des chemisch aufgetragenen Kupferfilms, des oxydations-behandelten Films und des elektrolytisch
reduzierten Films wurde mit Hilfe eines Rasterelektronenmikroskops (SEM) , die Kristallstrukturen mittels
Reflexionselektronenbeugung geprüft. Da die Zerklüftung der
reduzierten Kupferoberfläche sehr fein war und das Auftreten von Lichtstreuung zu erwarten war, wurde außerdem das Reflexionsvermögen
der Oberfläche bestimmt.
BESTIMMyNG_DES_REFLEXIONSyjRMÖGENS_DER_OBERFLÄCHE
Das Reflexionsvermögen der Oberfläche wurde unter Verwendung
eines nach dem oben beschriebenen Prinzip arbeitenden
Analysators bestimmt. Zur Messung wurde dabei eine Apparatur
des Typs "Color Analyzer, Typ 607" (hergestellt von
der Firma Hitachi, Ltd.) verwendet. Ein schematisches Schaltbild des Strahlenverlaufs dieser Apparatur ist in Fig. 4 gezeigt.
Bei der Lichtquelle 12 handelt es sich um eine Halogenlampe (120 W). Das von der Lampe emittierte weiße Licht wird
in einer Integrierkugel 13 mit einem Innendurchmesser von 200 mm diffus reflektiert und beleuchtet die Probe 14 und
eine weiße Referenzplatte 15. Das von der Probe 14 und von
der Referenzplatte 15 reflektierte Licht durchsetzt eine
Transmissionsprobenkammer 16, tritt in eine mit einem Spiegel
17 versehene Sektorkammer ein und beleuchtet abwechselnd,
unter Selektion, durch einen Drehspiegel 18 den Eintrittsspalt 19 eines Spektroskops. Das in das Spektroskop gelangende
Licht erzeugt ein Bild der Probe auf einem Beugungsgitter, wird zerstreut und beleuchtet einen Austrittsspalt
20. Ausschließlich monochromatisches Licht einer Wellenlänge von 5 mm gelangt über den Austrittsspalt 20 und ein Filter
21 an einen Fotovervielfacher 27. In Fig. 4 ist mit 22 eine Eintrittslinse, mit 23 ein Sektormotor, mit 24 eine
Strichplatte, mit 25 ein dreiseitiges Prisma und mit 26 ein Streuelement bezeichnet.
HAFTÜNGSEIGENSCHAFTENDES_ELEKTROLYTISCH
Hinsichtlich der Reaktion, bei der Kupferionen in dem
oxidierten Metallfilm reduziert und niedergeschlagen werden, ist ein Verfahren denkbar, bei dem Kupferionen hydratisiert,
sodann in der Lösung dissoziiert und anschließend reduziert und niedergeschlagen werden. Um die Haftungseigenschaften des
reduzierten Metallfilms zu verbessern ist es erforderlich, die Oberflächengestalt der oxidierten Metalloberfläche auch
nach der Reduktion beizubehalten. Zu diesem Zweck müssen die dissoziierten Kupferionen unmittelbar an Ort und Stelle niedergeschlagen
werden, ohne daß sie in die Lösung oder längs
der Oberfläche des reduzierten Metallfilms diffundieren. Um die Diffusion der Kupferionen zu dem die Geschwindigkeit
bestimmenden Schritt zu machen, wird bei der Reduktion vorzugsweise mit hoher Stromdichte und niedriger Badtemperatur
und ohne Umrühren gearbeitet. Wird dagegen die Reduktion bei niedriger Stromdichte und hoher Badtemperatur
sowie unter Umrühren der Lösung durchgeführt, so werden die sich an Kristallkernen anlagernden Ionen leicht
aufgefüllt. Daher werden die Kristalle groß, die Oberflächengestalt
ändert sich gegenüber der ursprünglichen Gestalt des oxidierten Metallfilms, und der reduzierte Metallfilm
neigt dazu, ebener zu werden.
Zur Untersuchung der Auswahl bezüglich Oberflächengestalt
des elektrolytisch reduzierten Films und Haftfestigkeit wurden Versuche unter zwei ausgewählten Bedingungen
bei 25°C ohne Rühren und bei 50°C mit Rühren durchgeführt. Die Ergebnisse sind in Fig. 5 dargestellt, wo die
Kurven i und ii die Haftfestigkeit des reduzierten Metallfilms
unmittelbar nach der elektrolytischen Reduktion angeben. Bei verringerter Stromdichte ohne Rühren (Kurve i)
steigt die Abschälfestigkeit, während mit Rühren (Kurve ii) bei erhöhter Flüssigkeitstemperatur und verringerter STromdichte
die Haftfestigkeit abnimmt.
SALZSÄÜREBESTÄNDIGKEIT_DES_ELEKTROLyTISCH
REDUZIERTEN_FILMS
Es wurde die Beziehung zwischen der Salzsäure-Aufweichstrecke und der Eintauchzeit ermittelt, um die Beständigkeit
des elektrolytisch reduzierten Films gegenüber Salzsäure (17,5 % HCi,) zu prüfen. Die dabei erhaltenen Ergebnisse sind
in Fig. 6 gezeigt. Die elektrolytische Reduktion wurde dabei unter folgenden Bedingungen durchgeführt:
25°C, ohne Rühren, 0,025, 0,0625, 0,125
ο
und 1,25 mA/cm ;
und 1,25 mA/cm ;
50°C, mit Rühren, 0,025, 0,0625, 0,125
2
und 1,25 mA/cm .
und 1,25 mA/cm .
Je nach den Bedingungen der elektrolytischen Reduktion traten gelegentlich Fälle auf, in denen trotz des Einziehens
der Salzsäure in die Platte der getränkte oder aufgeweichte Teil nur geringe Verfärbung aufwies, was die Ermittlung der
Aufweichstrecke schwierig macht. Aus diesem Grund wurden diese Platten sorgfältig mit einem Mikroskop beobachtet.
Zum Vergleich sind in Fig. 6 auch die Ergebnisse einer Prüfung der Salzsäurebeständigkeit von Proben gezeigt, die nur
der Oxidationsbehandlung, nicht auch der elektrolytischen Reduktion unterzogen worden sind. Im Falle der lediglich
oxidierten Proben (Kurve iii) wurde nach nur einer Stunde eine Salzsäure-Aufweichstrecke von etwa 200 μπι beobachtet,
woraufhin diese Strecke mit zunehmender Eintauchzeit monoton zunahm. Im Falle der elektrolytisch reduzierten Proben
(Kurve iv) trat andererseits selbst nach Ablauf von 6 Stunden für nach der einen oder anderen Gruppe von Bedingungen
hergestellte .Filme kein Einziehen von Salzsäure auf. In Fig. 6 sind auch die Ergebnisse nach 15-stündigem Eintauchen
gezeigt. Diese Ergebnisse zeigen, daß zwar dann, wenn
2 die elektrolytische Reduktion ungenügend war (O,o25 mA/cm )
ein gewisses Einziehen der Salzsäure zu beobachten war, dies aber bei den sonstigen elektrolytisch reduzierten Proben
nicht der Fall war. Jedenfalls wird offenkundig, daß elektrolytisch reduzierte Filme im Vergleich zu lediglich oxidierten
Metallfilmen zu einer erheblich verbesserten SaIzsäurebeständigkeit
führen.
Unter den Proben, bei denen die Reduktion und der Niederschlag bei einer Flüssigkeitstemperatur von 25°C ohne
Rühren durchgeführt worden waren, hatte der bei einer Strom-
dichte von 1,25 mA/cm reduzierte Metallfilm ein dunkelbraunes
(olivbraunes) Aussehen. Wurde die Reduktion bei
2
0/125 mA/cm durchgeführt, so hatte der sich ergebende Film ein hellbraunes Aussehen und ähnelte einer Probe, die lediglich oxidiert war. Erfolgte' die Reduktion bei
0/125 mA/cm durchgeführt, so hatte der sich ergebende Film ein hellbraunes Aussehen und ähnelte einer Probe, die lediglich oxidiert war. Erfolgte' die Reduktion bei
2
0,0625 mA/cm , so näherte sich das Aussehen des Films dem eines durch vorherige Oxidation behandelten Films. Wurde
0,0625 mA/cm , so näherte sich das Aussehen des Films dem eines durch vorherige Oxidation behandelten Films. Wurde
bei einer Stromdichte von 0,025 mA/cm reduziert, so ergab sich ein olivbraunes (dunkelbraunes) Aussehen. Dies
kommt daher, daß die Reduktion abgebrochen wurde, da sie selbst nach 10 Stunden Stromeinwirkung nicht den Endpunkt
erreicht hatte.
Der reduzierte Metallfilm wurde jeweils mittels eines
Rasterelektronenmikroskops untersucht. Die bei einer Strom-
2
dichte von 1,25 mA/cm reduzierte Probe ähnelte in ihrer Oberflächengestalt einer Probe vor der elektrolytischen Re-
dichte von 1,25 mA/cm reduzierte Probe ähnelte in ihrer Oberflächengestalt einer Probe vor der elektrolytischen Re-
2 duktion, die nur oxidiert war. Gegenüber der bei 0,125 mA/cm
reduzierten Probe wies sie ein Wachstum feiner Körner auf
2 etwas höhere Größe auf. Die Oberfläche der bei O,o625 mA/cm
reduzierten Probe näherte sich der eines Films, wie er durch vorherige Oxidation erhalten wird. Bei einer Reduktion mit
2
O,o25 mA/cm war die Oberflächengestalt der Probe näher an
O,o25 mA/cm war die Oberflächengestalt der Probe näher an
2 derjenigen von Proben, die bei 0,125 bis 1,25 mA/cm herge-
2 stellt wurden, als an der der mit O,o625 mA/cm reduzierten Probe.
Dies kommt daher, daß die elektrolytische Reduktion im Falle
2
der bei O,o25 mA/cm hergestellten Probe abgebrochen wurde.
der bei O,o25 mA/cm hergestellten Probe abgebrochen wurde.
Unter den Proben, bei denen die Reduktion und der Niederschlag bei einer Flüssigkeitstemperatur von 50 C unter
Rühren durchgeführt wurden, hatte die bei einer Stromdichte von 1,25 mA/cm reduzierte Probe ein Aussehen mit verteilten
olivbraunen und braunen Flecken. Wurde die Reduktion bei
2
0,125 mA/cm durchgeführt, so erschien die Probe hellbraun.
0,125 mA/cm durchgeführt, so erschien die Probe hellbraun.
Bei einer Reduktion mit 0,0625 mA/cm wurde die Probe rötlichbraun und damit ähnlich der Farbe eines durch vorherige
Oxidation erhaltenen Films. Bei einer Reduktion mit 0,025
mA/cm wurde die Farbe der sich ergebenden Probe, die näher an der Kupferfarbe zu erwarten wäre, tatsächlich gelblich-rot,
da die elektrolytische Reduktion ähnlich wie bei
2
der bei 0,025 mA/cm ohne Umrühren reduzierten Probe nicht ausreichte.
der bei 0,025 mA/cm ohne Umrühren reduzierten Probe nicht ausreichte.
Die so hergestellten Proben wurden hinsichtlich ihrer Oberflächengestalt unter Verwendung eines Rasterelektronenmikroskop
untersucht. Die bei einer Stromdichte von 1,25
mA/cm reduzierte Probe ähnelte in ihrer Oberflächengestalt
einer lediglich oxidierten Probe. Bei der mit 0,125 mA/cm'' reduzierten Probe wurden feine Kristallkörner von reduziertem
Kupfer mit einer Größe von 0,1 ym oder weniger beobachtet,
aber die Anzahl der Körner war geringer und die Ober-
fläche ebener als bei der mit 1,25 mA/cm reduzierten Probe.
2 Bei der mit einer Stromdichte von O,o625 mA/cm reduzierten
Probe wurden die Kristallkörner von reduziertem Kupfer größer, wobei unter Kristallkörnern mit einer Größe von
0,1 bis 0,5 um auch große Körner von etwa 1 pm beobachtet
wurden. Die bei O,o25 mA/cm reduzierte Probe wies etwa die
gleiche Oberflächengestalt auf wie die bei O,o625 mA/cm reduzierte
Probe. Ferner wiesen diejenigen Proben, deren Oberfläche mit feinen Kristallen bedeckt war, eine hohe Abschälfestigkeit
auf, wobei sich eine starke Abhängigkeit der Haftungseigenschaft von der Oberflächengestalt des reduzierten
Films zeigte.
Sodann wurden Reflexionselektronen-Beugungsmuster untersucht
und zwar für reduzierte Filme, die bei den jeweiligen Stromdichten sowie bei einer Flüssigkeitstemperatur von 25°C
ohne Umrühren bei einer Flüssigkeitstemperatur von 50°C mit Umrühren und mittels chemischer Oxidation hergestellt worden
waren. Zur Analyse der Beugungsmuster wurden zunächst die Durchmesser der jeweiligen Beugungslinien von Cu, Cu^O,
Cu3(PO4), auf der Grundlage von ASTM-Karten anhand einer
Standardprobe aus Au bestimmt. Im Ergebnis wurde in sämtlichen
Proben von oxidationsbehandelten und reduzierten Filmen Cu~O, wenn auch in geringen Mengen, beobachtet.
Zwar war es ursprünglich beabsichtigt, daß die Reduktion zu einem vollständig aus metallischem Kupfer bestehenden
reduzierten Film führt; in Wirklichkeit blieb aber eine unvermeidbare Oxidmenge zurück.
Es wird darauf hingewiesen, daß die oben beschriebenen Bedingungen der elektrolytischen Reduktion lediglich
einige Ausführungsbeispiele der Erfindung darstellen, auf die die Erfindung nicht beschränkt ist.
ERGEBNISSEDERBESTIMMÜNG
Das Oberflächenreflexionsvermögen wurde an einer Probe
2 bestimmt, die in der oben beschriebenen Weise bei 1,25 mA/cm ,
einer Flüssigkeitstemperatur von 25°C ohne Rühren elektrisch
reduziert wurde. Diese Probe hatte ein olivbraunes, glanzloses Aussehen. Als Vergleichsbeispiel 1 wurde ein unedles Metallstück
aus Kupfer (das einige auf natürliche Weise oxidierte
Teile enthielt und kupferfarben war) verwendet, als Vergleichsbeispiel 2 ein Kupferstück, das durch Reduktion mittels Wasserstoff bei hoher Temperatur hergestellt worden
war und kupferfarben und glänzend war. Die Ergebnisse der Messung sind in Fig. 7 gezeigt, in der die Kurve iv das
direkte Reflexionsvermögen und die Kurve ν das diffuse Reflexionsvermögen
der erfindungsgemäßen Probe angibt. In der Kurve vi ist das direkte Reflexionsvermögen und in der Kurve
vii das diffuse Reflexionsvermögen der Probe nach dem Vergleichsbeispiel
1 gezeigt. Die Kurve viii zeigt ferner das direkte Reflexionsvermögen, die Kurve ix das diffuse Reflexionsvermögen
der Probe nach dem Vergleichsbeispiel 2. Das diffuse Reflexionsvermögen wurde in gleicher Weise wie das
direkte Reflexionsvermögen ermittelt, wobei jedoch in
Fig. 4 das Streuelement 26 durch eine Lichtfalle ersetzt wurde.
Wie aus Fig. 7 hervorgeht, weist die erfindungsgemäße
Probe kein hohes direktes Reflexionsvermögen auf, was normalerweise bei Oberflächen aus sogenanntem metallischen
Kupfer zu erwarten wäre.
Die Erfindung soll nun anhand von Beispielen erläutert werden.
AySFÜHRUNGSBEISPIEL_l
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird im folgenden
unter Bezugnahme auf die Figuren 8(A) bis 8(G) dargestellt.
Die Oberfläche einer glasfaserverstärkten Epoxydharz-Platte
28, auf deren beide Seiten mit einem Thermokompressions-Verfahren eine Kupferfolie 29 aufgebracht ist (Fig.8(A)),
wird zur Bildung eines oxidierten Kupferfilms 3O auf der Oberfläche der Kupferfolie 29 (Fig. 8(B)) mit einer wässrigen
Phosphorsäure-Lösung mit folgender Zusammensetzung behandelt:
NaOH 5 g/Ä
Na3PO4·2Η2Ο 10 g/A
NaCi-O2 30 g/Ä
Um eine elektrolytisch reduzierte Metallschicht 2 (Fig. 8(C)) zu erhalten, wird der oxidierte Kupferfilm 30
nach einer Spülung mit Wasser einer elektrolytischen Reduktion in einem Ausmaß ausgesetzt, das für die Haftung
eines später erwähnten Resists nicht schädlich ist.
Die elektrolytische Reduktion wird unter Verwendung einer auf den pH-Wert 12,0 eingestellten Lösung durchgeführt,
wobei NaOH als die Lösung für die elektrolytische Reduktion dient, die Flüssigkeitstemperatur 25 C und die
Reduktionsstromdichte 1,25 mA/cm beträgt. Weiterhin findet
als die Gegenelektrode eine Platte aus rostfreiem Stahl Verwendung, um den obengenannten, auf der Kupferoberfläche
gebildeten Film zu reduzieren.
Der reduktionsbehandelte Film wird anschließend durch eine Wasserspülung von der anhaftenden elektrolytischen Lösung
befreit und sorgfältig getrocknet. Unter Verwendung eines trockenen Films 31 wird darauf ein Resistmuster ausgebildet
(Fig. 8(D)).
Anschließend wird auf die Schaltungsteile durch chemische Plattierung galvanisch Kupfer 32 in einer für einen
Leiter der Schaltung notwendigen Dicke aufgebracht, wobei eine Plattierflüssigkeit Verwendung findet, die durch Lösung
der im folgenden angegebenen Anteile folgender Bestandteile zubereitet wird:
CuSO4 · 5H2O 7 g
Ethylendiamintetraessigsäure 30 g
37 % HCHO 3 m£
NaOH (Zugabe zur Einstellung des pH-Wertes auf 12,5)
Polyethylenglycol 2O mS.
(durchschnittliches
Molekulargewicht: 450)
Molekulargewicht: 450)
2,2'-Dipyridyl 30mg
(Wasser 11 )
Daraus ergibt sich keine Abscheidung von Kupfer auf dem Nicht-Schaltungsteil aufgrund des Aufnehmens der chemischen
Plattierflüssigkeit (Fig. 8(E)).
Anschließend wird das Trockenfilm - Resistmuster 31 entfernt (Fig. 8(F)), und daraufhin die Kupferfolie auf dem
Nicht-Schaltungsteil durch Ätzen abgenommen, wobei eine Ätzlösung mit folgender Zusammensetzung Anwendung findet:
3 400 g/l
konz. HCJl 20 ml/SL
Dabei wird auf dem glasfaserverstärkten Epoxyharz-Substrat 28 Kupfer 32 belassen, um die Kupferleiterbahnen aufzubauen
(Fig. 8(G)).
Das damit erhaltene Muster der Kupferleiterbahnen zeigt ein Verhältnis^ Breite des Kupferleiters (ym)/Abstand
zwischen den Leitern (pm) von 49/51, das nahe am Wert des entsprechenden Verhältnisses des verwendeten Resistmusters
von 50/50 liegt. Daraus ergibt sich, daß die gewünschte hohe Mustergenauigkeit erreicht wird.
AUSFÜHRUNGSBEISPIEL_2
Bis auf die Verwendung einer Polyimidplatte anstatt der
im Ausführungsbeispiel 1 verwendeten glasfaserverstärkten
Epoxidharz-Platte 28 wird das Verfahren nach Ausführungsbeispiel 1 wiederholt. Für das damit erzielte Muster der Kupferleiterbahn
ergibt sich für das obengenannte Verhältnis ein Wert von 49/(51, der nahe am entsprechenden Wert von 50/50
des verwendeten Resistmusters liegt, womit die Kupferleiterbahn die gewünschte hohe Mustergenauigkeit aufweist.
Ay§FÜHRUNGSBEISPIEL_3
Bis auf die Verwendung eines flüssigen Resists statt des in Ausführungsbeispiel 1 verwendeten Trockenfilm-Resists
und die Veränderung des pH-Wertes der elektrolytisehen Lösung auf 6,0 wird das Verfahren nach Ausführungsbeispiel 1 wiederholt. Damit ergibt sich für das Kupferleiterbahnmuster
ein Wert von 48/52 für das obengenannte Verhältnis, der nahe an dem entsprechenden Wert von 5O/5O
für das verwendete Resistmuster liegt. Die Kupferleiterbahn weist damit eine hohe Mustergenauigkeit auf.
AUSFÜHRUNGSBEISPIEL_4
Das Verfahren nach Ausführungsbeispiel 1 wird wiederholt. Für die Behandlung der Oberfläche der Kupferfolie
wird statt der im Ausführungsbeispiel 1 verwendeten wässrigen Phosphorsäurelösung jedoch eine wässrige Lösung mit
folgender Zusammensetzung verwendet:
KMnO4 10 g/S,
NaOH 10 g/Jl
Daraus ergibt sich für das Muster der Kupferleiterbahn für
das obengenannte Verhältnis ein Wert von 49/51, der nahe am entsprechenden Verhältnis von 50/50 des verwendeten
Resistmusters liegt, so daß die Kupferleiterbahn die gewünschte
hohe Mustergenauigkeit aufweist.
Bei der elektrolytischen Reduktion des oxidierten Kupferfilms wird der Ablauf der im folgenden beschriebenen Reaktion
angenommen. Als Grundreaktion kann von folgendem Mechanismus ausgegangen werden:
+H2O 2
CuO =-» Cu(OH)2 >
Cu + 2OH
-> Cu (Metall) Reduktion
Der pH-Wert der elektrolytischen Reduktionsflüssigkeit
liegt vorzugsweise bei 6 oder höher. Liegt nämlich der pH-Wert bei 5,5 oder darunter, laufen die folgenden Reaktionen:
+H2° 2+
CuO *-> Cu(OH)2 >
Cu + 2OH:
schnell ab und ein elektrolytisch reduzierter Film mit einer gewünschten Form kann kaum erzielt werden, wenn ein Substrat,
bei dem auf einer Kupferfolie ein oxidierter Kupferfilm ge-
bildet ist, in die elektrolytische Lösung eingetaucht wird.
Die nach jedem der obigen Ausführungsbeispiele erhaltenen Kupfer-Leiterplatten enthalten in dem der elektrolytischen
Reduktion ausgesetzten Film Phosphor, Mangan oder Chlor oder Sauerstoff in Abhängigkeit von der Art der für
die Oxidationsbehandlung bei der Bildung des Films verwendeten Lösung.
Nach jedem der oben beschriebenen Beispiele wurde die Schaltung auf beiden Seiten des isolierenden Substrats 28
gebildet. Die Erfindung läßt sich jedoch selbsverständlich
auch auf Fälle anwenden, in denen die Schaltung nur auf einer Seite gebildet wird. Neben dem dargestellten Substrat
28, auf das durch Thermokompression eine Kupferfolie 29 aufgebracht wurde, kann auch ein isolierendes Substrat verwendet
werden, auf dessen Oberfläche mittels eines chemischen Plattierverfahrens eine dünne Kupferschicht aufgebracht
ist.
VERGLEICHSBEISPIEL_3
Auf einer glasfaserverstärkten Epoxidharz-Platte wurde
unter denselben Bedingungen und auf dieselbe Art wie im Ausführungsbeispiel 1 eine Kupferleiterbahn gebildet. Der
Verfahrensschritt der elektrolytischen Reduktion (Fig. 8(C)) im Ausführungsbeispiel 1 wurde jedoch ausgelassen. Es stellte
sich heraus, daß ein Teil der Kupferionen des auf der Kupferfolie gebildeten oxidierten Films reduziert wurde. Als Folge
davon wurden auch Kupferionen in der Plattierlösung einer Reduktion unterzogen und auf dem Nicht-Schaltungsteil abgeschieden.
Damit ergab sich für das Kupfer-Leiterbahnmuster ein Wert des obengenannten Verhältnisses von 43/57, der sich
deutlich vom entsprechenden Wert von 50/50 des verwendeten Resistmusters unterscheidet, womit sich eine schlechte
Mustergenauigkeit ergibt.
3447S69
AUSFOHRUNGSBEISPIEl-S
Ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung wird im folgenden unter Bezugnahme auf die Figuren 9(A) bis
9(F) erläutert.
Auf einer auf beide Seiten einer glasfaserverstärkten Epoxidharz-Platte 28 durch Thermokompression aufgebrachten
Kupferfolie 29 wird durch chemisches Plattieren Kupfer 32 in einer für eine Leiterbahn erforderlichen Dicke abgeschieden.
Anschließend wird die Oberfläche des Kupfers 32 mit einer wässrigen Phosphorsäure-Lösung in folgender Zusammensetzung
; behandelt:
NaOH 5 g/u
Na3PO4.2H2O 10 g/£
NaCAO2 30 g/ü/
um auf der Oberfläche des Kupfers 32 einen oxidierten Kupferfilm 30 zu bilden (Fig. 9(A)). Nach einer Spülung mit Wasser
wird der oxidierte Kupferfilm 30 einer elektrolytischen Reduktion in einem Maß unterzogen, das für die Haftung einer
später beschriebenen Prepreg-Schicht nicht schädlich ist (Fig. 9(B)). Die elektrolytische Reduktion wird unter Verwendung
einer wässrigen NaOH-Lösung (5 g/ü, pH 12) bei einer
2
Stromdichte von 2 mA/cm und mit einer Platte aus rostfreiem Stahl als Gegenelektrode durchgeführt.
Stromdichte von 2 mA/cm und mit einer Platte aus rostfreiem Stahl als Gegenelektrode durchgeführt.
Anschließend wird auf der genannten elektrolytisch reduzierten Metallschicht 2 mittels eines Trockenfilms 31 ein
Resistmuster gebildet (Fig. 9(C)).
Das Kupfer (29 und 32) auf den Nicht-Schaltungsteilen wird danach durch Ätzen entfernt (Fig. 9(D)), wobei eine
wässrige Eisenchlorid-Lösung mit folgender Zusammensetzung Anwendung findet:
FeCJl3 400 g/Ä
konz. HCi, 20
Anschließend wird das System wieder mit der obengenannten wässrigen Phosphorsäure-Lösung behandelt, während
der Trockenfilm 31 auf der Stelle gehalten wird, um auf der Seitenfläche der Kupferleiterbahn einen oxidierten
Kupferfilm 33 zu bilden (Fig. 9(E)). Anschließend wird
der Trockenfilm beispielsweise unter Verwendung von Methylenchlorid entfernt (Fig. 9(F)).
Die einzelnen Platten mit den nach obigem Verfahren aufgebrachten Kupfer-Leiterbahnen werden übereinander gestapelt,
wobei zwischen ihnen eine Prepreg-Schicht 34 aus glasfaserverstärktem Epoxidharz angeordnet wird. Die ganze
Anordnung wird erhitzt und unter Verwendung einer heißen Presse unter Druck gebondet (Als die äußerste Schicht in
der obigen Anordnung wird jedoch eine Platte verwendet, auf deren äußerer Oberfläche keine Kupferleiterbahn, sondern
die ursprüngliche Kupferfolie 29 aufgebracht ist). Anschließend wird ein Durchgangsloch H gebohrt, das einen vorgegebenen
Teil der Leiterbahnen durchdringt (Fig. 9(G)). In diesem Zustand ist der oxidierte Kupferfilm 33, der auf
der Seitenfläche der Kupfer-Leiterbahn 32 gebildet ist, nicht zur inneren Oberfläche des Durchgangsloches hin freigelegt,
sondern befindet sich an einer davon getrennten Position. Anschließend wird auf die innere Oberfläche des
Durchgangsloches ein Katalysator für die chemische Plattierung
aufgebracht, und die innere Oberfläche des Durchgangsloches sowie die gesamte Oberfläche der äußersten Schicht
werden daraufhin durch chemisches Plattieren mit Kupfer 3 2 in einer Dicke beschichtet, wie sie für eine Leiterbahn erforderlich
ist. Anschließend wird auf der äußersten Schicht mittels eines Trockenfilms ein Resistmuster gebildet, durch
Ätzen das Kupfer des Nicht-Schaltungsteils entfernt, und anschließend der Trockenfilm abgenommen. Damit ist eine
Vielschicht-Leiterplatte fertiggestellt (Fig. 9(H)).
In der in Fig. 9(H) gezeigten Struktur der damit fertiggestellten
Vielschicht-Leiterplatte ist nur der Seitenteil des Kupferleiters, nicht jedoch sein ebener Teil mit Kupferoxid
bedeckt.
In dem oben beschriebenen Verfahren zur Herstellung einer Vielschicht-Leiterplatte gibt es keine Gelegenheit,
daß die oxidierte Kupferschicht während des auf das Durchgangsloch und die äußerste Schicht angewandten Vorbehandlungsschrittes
zur chemischen Plattierung in direkten Kontakt mit der Säurelösung im Durchgangsloch kommt. Die
nach dem oben beschriebenen Verfahren hergestellte Vielschicht-Leiterplatte hat daher eine hohe Beständigkeit gegen
Salzsäure und zeigt eine hohe Haftkraft zwischen der Prepreg-Schicht und der Kupferleiterbahn. Als Folge davon
läßt sich eine hohe Leiterdichte erzielen. Tatsächliche Messungen ergaben, daß die Beständigkeit gegen Salzsäure
48 mal so hoch wie bei einer Probe ist, die nicht der elektrolytischen Reduktion unterzogen wurde, und daß die
2
Abschälfestigkeit 1,1kg/cm beträgt.
Abschälfestigkeit 1,1kg/cm beträgt.
AüSFUHRUNGSBEISPIEL_6
Bis auf die Verwendung von Polyimid anstatt des im Ausführungsbeispiel 5 verwendeten Epoxidharzes als organischem
Harz für das Substrat und die Prepreg-Schicht und einem pH-Wert der elektrolytischen Lösung von 6,0 wird das
Verfahren nach Ausführungsbeispiel 5 wiederholt. Die sich ergebende Schaltungsplatte zeigt eine 50 mal höhere Beständigkeit
gegen Salzsäure als eine nicht der elektrolytischen Reduktion unterzogene Probe und eine Abschälfestigkeit
zwischen der Kupfer-Leiterbahn und dem organischen
Harz von 1,2 kg/cm . Damit erhält man eine Vielschicht-Leiterplatte
mit hervorragenden Charakteristika und mit einer hohen Dichte des Leiterbahnmusters.
AySFÜHRUNGSBEISPIEL_7
Bis auf die Verwendung eines flüssigen Resists anstatt des in Ausführungsbeispiel 5 verwendeten Trockenfilms
und eines pH-Wertes der elektrolytischen Lösung von 6,0 wird das Verfahren nach Ausführungsbeispiel 5 wiederholt. Man erhält
damit eine Vielschicht-Leiterplatte mit einer hohen
Dichte des Leiterbahnmusters und hervorragenden Werten der Salzsäure-Beständigkeit und der Hafteigenschaften. Die Beständigkeit gegen Salzsäure ist 45 mal höher als die einer nicht der elektrolytischen Reduktion unterzogenen Probe,
die Abschälfestigkeit beträgt 1,2 kg/cm .
Dichte des Leiterbahnmusters und hervorragenden Werten der Salzsäure-Beständigkeit und der Hafteigenschaften. Die Beständigkeit gegen Salzsäure ist 45 mal höher als die einer nicht der elektrolytischen Reduktion unterzogenen Probe,
die Abschälfestigkeit beträgt 1,2 kg/cm .
Das Verfahren nach Ausführungsbeispiel 5 wird im wesentlichen wiederholt. Als Lösung für die Oxidationsbehandlung
der Oberfläche der Kupferfolie 29 wird statt der im
Ausführungsbeispiel 5 verwendeten wässrigen Phosphorsäure-Lösung jedoch eine wässrige Lösung mit folgender Zusammensetzung verwendet:
Ausführungsbeispiel 5 verwendeten wässrigen Phosphorsäure-Lösung jedoch eine wässrige Lösung mit folgender Zusammensetzung verwendet:
KMnO4 10 g/Ä
NaOH 10 g/£
Es ergibt sich eine Vielschicht-Leiterplatte mit einem Leiterbahnmuster hoher Dichte und hervorragenden Werten der
Salzsäure-Beständigkeit und der Hafteigenschaften. Die Beständigkeit gegen Salzsäure ist 47 mal höher als die einer
nicht der elektrolytischen Reduktion unterzogenen Probe,
die Abschälfestigkeit beträgt 1,1 kg/cm .
die Abschälfestigkeit beträgt 1,1 kg/cm .
Bei den obigen Ausführungsbeispielen wurden die Salzsäure-Beständigkeit
und die Abschälfestigkeit nach folgenden Verfahren ermittelt:
Be st and ig_keit _g_eg_§n _Sa1 z_s äure:
Die Probe wurde für eine Stunde in eine wässrige 17,5 %-ige Salzsäurelösung eingetaucht, und die Tiefe
des durch die Salzsäure aufgelösten oxidierten Kupferfilms wurde bestimmt. Eine Probe mit einer schlechteren
Beständigkeit zeigte eine höhere Auflösetiefe.
Es wurde ein herkömmliches bekanntes Verfahren angewandt. Danach wurde der Kupferfilm auf eine Breite von
10 mm geätzt und ein Teil des Kupferfilms abgeschält. Der abgeschälte Teil und der Kunstharzteil des Substrats wurden
jeweils in einer entsprechenden Einspannvorrichtung einer Zugprüfmaschine befestigt, und der Kupferfilm wurde
mit einer Geschwindigkeit von 10 cm/Min, in vertikaler Richtung von der Kunstharzplatte abgezogen. Die Abschälfestigkeit
ergab sich als der Zug P (kg) zu dem Zeitpunkt, zu dem der Film abgeschält wurde, pro Breiteneinheit (cm),
d.h. als P kg/cm.
Im in Fig. 9(A) gezeigten Verfahrensschritt nach jedem
der obigen Ausführungsbeispiele kann die als Schaltung auszubildende Kupferschicht 32 statt durch chemisches Plattieren
auch durch Elektroplattieren auf die Kupferfolie 29 aufgebracht werden. Weiterhin kann statt des beispielhaft
beschriebenen isolierenden Substrats 28, auf das durch ein Thermokompressionsverfahren die Kupferfolie 29 aufgebracht
wurde, auch ein isolierendes Substrat verwendet werden, auf das statt der Kupferfolie 29 durch chemisches Plattieren
eine dünne Kupferschicht aufgebracht ist.
Weiterhin wurde in allen obigen Ausführungsbeispielen die Ausbildung einer Schaltung auf beiden Seiten der aufeinander
zuschichtenden Einzelplatten beschrieben. Die Schaltung kann jedoch erforderlichenfalls auch nur auf einer
Seite der Leiterplatten oder eines Teils der Leiterplatten ausgebildet werden.
Weiterhin muß auf der äußersten Fläche keine Kupfer-Leiterbahn gebildet werden, falls dies unter dem Gesichtspunkt
des Schaltungsentwurfs notwendig ist.
AySF0HRUNGSBEISPIEL_9
Auf einer beidseitig kupfer-plattierten Glas-Epoxidharz-Platte
28 wird durch chemisches Plattieren dick Kupfer 32 abgeschieden. Anschließend wird die Oberfläche des
Kupfers 32 mit einer wässrigen Benzotriazol-Phosphorsäure-Lösung
mit folgender Zusammensetzung behandelt:
Benzotriazol 100 ppm
NaOH 5 g/%
Na3PO4- 2H2O 10 g/£
NaCJlO2 30 g/%,
um dadurch auf der Kupferoberfläche einen oxidierten Film
und einen Metall-Schutzfilm zu bilden. Nach einer Spülung mit Wasser wird der oxidierte Film der elektrolytischen Reduktion
unterzogen.
Anschließend wird unter Verwendung eines trockenen Films 31 ein Resistmuster gebildet. Das Muster des Nicht-Schaltungsteils
wird durch Ätzen entfernt, wobei eine wässrige Eisenchlorid-Lösung mit folgender Zusammensetzung Anwendung
findet:
FeCA3 350 g/%
konz. HC A 20 niA/A
Das System wird anschließend wieder mit der wässrigen Phosphorsäure-Lösung behandelt, während der Trockenfilm 31
auf der Stelle gehalten wird, um auf der Seitenfläche der Kupfer-Leiterbahn einen oxidierten Film zu bilden. Danach
wird der Trockenfilm abgeschält. Während die eine Seite
der beidseitig mit Kupfer plattierten Platte im ursprünglichen
Zustand der Kupferfolie belassen wird, d.h. die gesamte Fläche der einen Seite mit einem Trockenfilm
maskiert wird, wird die andere Seite chemisch plattiert. Damit wird durch die Abfolge der in den Fig. 9(B) bis 9(F)
gezeigten Verfahrensschritte ein Substrat hergestellt.
Die elektrolytische Reduktion wird unter Verwendung
einer wässrigen NaOH-Lösung (5 g/ü) bei einer Stromdichte
ο
von 0,2 mA/cm durchgeführt.
von 0,2 mA/cm durchgeführt.
AÜSFÜHRUNGSBEISPIEL_ig
Bis auf die Verwendung von Polyimid als organischem Harz für ein Substrat und für eine Prepreg-Schicht statt
des in Ausführungsbeispiel 9 verwendeten Epoxidharzes wird das Verfahren nach Ausführungsbeispiel 9 wiederholt. Es ergibt
sich eine Vielschicht-Leiterplatte mit einem Leiterbahnmuster hoher Dichte, die eine sehr gute Beständigkeit
gegen Salzsäure und hervorragende Haftungseigenschaften aufweist.
AUSFUHRUNGSBEISPIEl-II1
Bis auf die Verwendung einer einseitig mit Kupfer plattierten Kunstharzplatte als äußerster Schicht wird das
Verfahren nach Ausführungsbeispiel 9 wiederholt. Man erhält eine Vielschicht-Leiterplatte mit einem Leiterbahnmuster
hoher Dichte und hervorragenden Werten der SaIzsäure-Beständigkeit
sowie der Haftungseigenschaften.
AUSFÜHRUNGSBEISPIEL_12
Im Verfahren nach Ausführungsbeispiel 9 wird anstatt des trockenen Films ein flüssiges Resist verwendet. Auch
mit diesem Verfahren erhält man eine Vielschicht-Leiterplatte mit einem Leiterbahnmuster hoher Dichte und sehr
guter Salzsäure-Beständigkeit sowie hervorragenden Haftungseigenschaften.
£ySFÜHRUNGSBEISPIEL_13
Das Verfahren nach Ausführungsbeispiel 9 wird im wesentliehen
wiederholt, wobei für die Oxidationsbehandlung der Oberfläche der Kupferfolie anstatt der im Ausführungsbeispiel 9 verwendeten Phosphorsäure-Lösung eine Lösung
mit folgender Zusammensetzung verwendet wird:
KMnO4 15 g/5.
■ NaOH 15 g/5.
Auch nach diesem Verfahren erhält man eine Vielschicht-Leiterplatte
mit einem Leiterbahnmuster hoher Dichte und hervorragenden Werten der Salzsäure-Beständigkeit und der
Haftungseigenschaften.
AUSFÜHRÜNGSBEISPIEL_24
Das Verfahren nach Ausführungsbeispiel 9 wird wiederholt,
bis auf die Tatsache, daß bei der Bildung eines oxidierten Films auf der Kupferoberfläche der wässrigen Phosphorsäure-Lösung
1000 ppm Benzotriazol zugegeben werden. Es ergibt sich eine Vielschicht-Leiterplatte mit einem Leiterbahnmuster
hoher Dichte und einer sehr guten Beständigkeit gegen Salzsäure sowie hervorragenden Haftungseigenschaften.
AUSFÜHRyNGSBEISPIEL_15
Das Verfahren nach Ausführungsbeispiel 9 wird wiederholt, bis auf die Tatsache, daß statt des im Ausführungsbeispiel 9 verwendeten Benzotriazols der wässrigen Phosphorsäure-Lösung
1000 ppm Thiodiethylenglycol zugegeben werden. Man erhält damit gute Charakteristika sowohl der Beständig-
keit gegen Salzsäure als auch der Haftungseigenschaften.
AÜSFÜHRUNGSBEISPIEL_1.6
Auf einer beidseitig mit Kupfer plattierten Glas-Epoxidharz-Platte
wird durch ein chemisches Plattierverfah ren dick Kupfer 32 abgeschieden. Anschließend wird die
Kupferoberfläche mit einer wässrigen Phosphorsäure-Lösung
folgender Zusammensetzung behandelt:
NaOH 5 g/%
Na3PO4-2H2O 10 g/A
NaCAO2 30 g/£,
um dadurch auf der Kupferoberfläche einen oxidierten Film
zu bilden. Nach einer Spülung mit Wasser wird der oxidierte Film einer elektrolytischen Reduktion unterzogen. Die
elektrolytische Reduktion wird bei einer Stromdichte von
2
0/2 mA/cm unter Verwendung einer wässrigen NaOH-Lösung (5 g/A) durchgeführt. Anschließend wird die Oberfläche des reduzierten Films mit einer wässrigen Phosphorsäure-Lösung folgender Zusammensetzung behandelt:
0/2 mA/cm unter Verwendung einer wässrigen NaOH-Lösung (5 g/A) durchgeführt. Anschließend wird die Oberfläche des reduzierten Films mit einer wässrigen Phosphorsäure-Lösung folgender Zusammensetzung behandelt:
NaOH 0,5 g/A
Na3PO4 1,0 g/£
3,0 g/%,
um darauf einen oxidierten Film mit einer Schichtdicke von 10 im zu bilden.
Anschließend wird unter Verwendung eines trockenen Films 31 ein Resistmuster gebildet. Das Kupfer 32 auf den
Nicht-Schaltungsteilen wird durch Ätzen unter Verwendung einer wässrigen Eisenchlorid-Lösung entfernt, die folgende
Zusammensetzung aufweist:
3 40 g/S,
konz. HCA 20 mi/IL
Anschließend wird das System wieder mit der wässrigen Phosphorsäure-Lösung behandelt, während der Trockenfilm
31 auf der Stelle gehalten wird, um dadurch auf der Seitenfläche der Kupferleiterbahn einen oxidierten Film
zu bilden. Der Trockenfilm wird danach abgeschält. Anschließend wird die Anordnung erhitzt und mit einer Heizpresse
zusammen mit einer Prepreg-Schicht gepreßt, um die Prepreg-Schicht auszuhärten.
Nach diesem Ausführungsbeispiel wird eine Seite der beidseitig mit Kupfer plattierten Platte im ursprünglichen
Zustand der Kupferfolie belassen, d.h. die gesamte Oberfläche dieser einen Seite wird mit einem trockenen Film maskiert,
während die andere Seite mit einem chemischen Plattierverfahren beschichtet wird. Anschließend werden die in
Fig. 9 (B) bis 9(F) gezeigten, aufeinanderfolgenden Verfahrensschritte
durchgeführt, um das Substrat zuzubereiten.
Bis auf die Verwendung eines Polyimidharzes als organischem
Harz für das Substrat und die Prepreg-Schicht statt des im Ausführungsbeispiel 16 verwendeten Epoxidharzes
wird das Verfahren nach Ausführungsbeispiel 16 wiederholt.
Es ergibt sich eine Vielschicht-Leiterplatte mit einem Leiterbahnmuster hoher Dichte und hervorragenden Wer
ten der Salzsäure-Beständigkeit und der Haftungseigenschaften.
AUSFÜHRUNGSBEISPIEL_18
Bis auf die Verwendung einer einseitig mit Kupfer plattierten Platte als äußerster Schicht wird das Verfahren
nach Ausführungsbeispiel 16 wiederholt. Man erhält
eine Vielschicht-Leiterplatte mit einem Leiterbahnmuster hoher Dichte und sehr guter Beständigkeit gegen Salzsäure
sowie hervorragenden Haftungseigenschaften.
AUSFÜHRUNGSBEISPIEL_19
Das Verfahren nach Ausführungsbeispiel 16 wird bis auf die Verwendung eines flüssigen Resists statt des in
Ausführungsbeispiel 16 verwendeten trockenen Films wiederholt. Auch mit diesem Verfahren erhält man eine Vielschicht-Leiterplatte
mit einem Leiterbahnmuster hoher Dichte und hervorragenden Werten der Salzsäure-Beständigkeit und der
Haftungseigenschaften.
AUSFÜHRUNGSBEISPIEL_2g
Im Verfahren nach Ausführungsbeispiel 16 wird für die
Oxidationsbehandlung der Oberfläche der Kupferfolie anstel-Ie der in Ausführungsbeispiel· 16 verwendeten wässrigen Phosphorsäure-Lösung
eine Lösung mit folgender Zusammensetzung verwendet:
KMnO4 15 g/A
NaOH 15 g/l
Es ergibt sich eine Vielschicht-Leiterplatte mit einem Leiterbahnmuster
hoher Dichte und einer sehr guten Salzsäure-Beständigkeit sowie hervorragenden Haftungseigenschaften.
AUSFÜHRUNGSBEISPIEL_21
Eine Seite einer 50 ym dicken, metallischen Kupferfolie
wird aufgerauht, indem man sie für 50 Sek. bei 30°C
in eine Lösung eintaucht, die pro Liter destillierten Wassers
2 40 g
HCS, (35%) 300 mi,
enthält. Anschließend wird sie bei 70°C für 120 Sek. in
eine Lösung eingetaucht, die pro Liter destillierten Wassers
Na3PO4-UH2O 15 g
NaCAO2 25 g
NaOH 10g
enthält, um auf der Oberfläche der Kupferfolie eine Kupfer-Verbundschicht
zu bilden. Die sich ergebende Schicht wird danach unter Verwendung einer Lösung, die in einem Liter
destillierten Wassers 10 g NaOH enthält, bei einer Flüssig-
keitstemperatur von 25°C und einer Stromdichte von 0,5 mA/cm
elektrisch reduziert. Die Kupferfolie, deren Kupfer-Verbundschicht
der Reduktionsbehandlung unterzogen wurde, wird anschließend mit einer Prepreg-Schicht aus mit Glasgewebe
verstärktem Polyimid verbunden, wobei die der Reduktion unterzogene Seite zur Prepreg-Schicht zeigt. Die Verbindung
wird durchgeführt, indem das System auf 170°C erhitzt,
und für 60 Minuten ein Druck von 25 bar aufgebracht wird. Nach Beendigung des Verbindungsvorgangs beträgt die Haftfestigkeit
der Kupferfolie auf dem Polyimidharz bei Raumtemperatur 1,1 kg/cm, d.h. es ergibt sich eine gute Haftung.
Für die Ermittlung der Salzsäure-Beständigkeit der damit erhaltenen Platte wird ein Teil der verbundenen Platte
ausgeschnitten. Der Schnitt wird mit Schleifpapier (#1000) poliert, und die Platte anschließend bei Raumtemperatur in
eine 17,5 %-ige Salzsäure-Lösung eingetaucht. Nach Ablauf von 3 Stunden wird die Kupferfolie abgelöst, um die Verfärbung
aufgrund des Eindringens von Salzsäure zu untersuchen. Beim beschriebenen Ausführungsbeispiel wurde keine Verfärbung
beobachtet, d.h. es zeigte eine gute Salzsäure-Beständigkeit. Wenn die der Reduktionsbehandlung unterzogene Folie
in 1 Liter 17,5 %-iger Salzsäure eingetaucht wird, in
die für 1 Stunde mit einer Rate von 1 Ä/Min. Argongas ge-
blasen wurde, verschwindet der der Reduktion ausgesetzte Film auch nach Ablauf von 30 Sek. nicht vollständig.
Das nach dem Reflexions-Elektronenbeugungsverfahren erhaltene Beugungsbild zeigte, daß die Hauptebene der
5 Orientierung der metallischen Kupferfolie und des reduzierten Films die (100)-Ebene ist. Weiterhin wurde das
Vorhandensein von Kupferoxid-Spuren in der metallischen Kupferfolie und im reduzierten Film bestätigt.
Eine Untersuchung der Oberflächenrauhigkeit des reduzierten
Films ergab einen Wert R„ von 2 ym bei einer
Standardlänge L^ des Schnitts von 100 um entsprechend der
Definition "Oberflächenrauhigkeit" nach der japanischen Industrienorm JIS B 0601.
AySFÜHRUNGSBEISPIEL_22
Das Verfahren nach Ausführungsbeispiel 21 wird im wesentlichen wiederholt, bis auf die Tatsache, daß anstelle
der Prepreg-Schicht aus mit Glasgewebe verstärktem PoIyimid eine mit Glasgewebe verstärkte Epoxid-Prepreg-Schicht
verwendet wird, und daß die Verbindung bei einer Heiztemperatur von 170°C, einer Last von 20 bar und einer Heizzeit
von 80 Minuten durchgeführt wird. Die derart verbundene kupferplattierte Epoxidharz-Platte zeigt eine Abschälfestigkeit
zwischen dem Epoxidharz und der Kupferfolie von 1,3 kg/cm und kein Aufsaugen von Salzsäure bei
einem Eintauchen in die Säure.
Die Oberflächenrauhigkeit des reduzierten Films stimmt mit der nach Ausführungsbeispiel 21 überein. Die auf
die gleiche Art wie im Ausführungsbeispiel 21 untersuchte Salzsäure-Löslichkeit ist der nach dem Ausführungsbeispiel
21 ähnlich.
AUSFtJHRUNGSBEISPIEL_23
Bis auf das Durchführen der Reduktion der Kupferver-
2 bindung bei einer Stromdichte von 2,5 WnA/cm statt bei
2
0/5 mA/cm wird das Verfahren nach Ausführungsbeispiel 21 wiederholt. Die sich ergebende, verbundene kupferplattierte Epoxidharz-Platte zeigt eine Abschälfestigkeit zwischen dem Epoxidharz und der Kupferfolie von 1,2 kg/cm und keine Salzsäureaufnahme. Damit ergeben sich gute.Werte sowohl der Abschälfestigkeit als auch der Beständigkeit gegen Salzsäure. Die Oberflächenrauhigkeit des reduzierten Films liegt in Einheiten von R„ bei einer Standardlänge L des Schnitts von 100 ym nach der Definition "Oberflächenrauhigkeit" entsprechend der japanischen Industrienorm JIS B 0601 bei 1,5 ym. Das Untersuchungsergebnis für die Salzsäure-Löslichkeit ist ähnlich dem nach Ausführungsbeispiel 21.
0/5 mA/cm wird das Verfahren nach Ausführungsbeispiel 21 wiederholt. Die sich ergebende, verbundene kupferplattierte Epoxidharz-Platte zeigt eine Abschälfestigkeit zwischen dem Epoxidharz und der Kupferfolie von 1,2 kg/cm und keine Salzsäureaufnahme. Damit ergeben sich gute.Werte sowohl der Abschälfestigkeit als auch der Beständigkeit gegen Salzsäure. Die Oberflächenrauhigkeit des reduzierten Films liegt in Einheiten von R„ bei einer Standardlänge L des Schnitts von 100 ym nach der Definition "Oberflächenrauhigkeit" entsprechend der japanischen Industrienorm JIS B 0601 bei 1,5 ym. Das Untersuchungsergebnis für die Salzsäure-Löslichkeit ist ähnlich dem nach Ausführungsbeispiel 21.
AÖSFÜHRUNGSBEISPIEL_24
Das Verfahren nach Ausführungsbeispiel 21 wird mit Ausnahme der Tatsache wiederholt, daß anstelle der in Beispiel
20 zur Aufrauhung der Oberfläche der Kupferfolie verwendeten CuCJl^-HCÄ-Ätzlösung eine Ätzlösung verwendet wird,
die in 1 Liter destilliertem Wasser
350 g
HCÄ (35 %) 2Om£
enthält. Die damit erhaltene, verbundene kupferplattierte
Epoxidharz-Platte zeigt eine Abschälfestigkeit zwischen
dem Epoxidharz und der Kupfer folie von 1,0 kg/cm und keine
Salzsäure-Aufnahme. Damit ergeben sich gute Werte sowohl der Abschälfestigkeit als auch der Salzsäure-Beständigkeit.
Die Oberflächenrauhigkeit des reduzierten Films beträgt in Einheiten von Rz bei einer Standardlänge L von
100 ym nach der obengenannten japanischen Industrienorm
2,5 μΐη. Die Salzsäure-Beständigkeit des Films ist der in
Ausführungsbeispiel 21 ähnlich.
AUSFÜHRÜNGSBEISPIEL_25
Das Verfahren nach Ausführungsbeispiel 22 wird mit der Ausnahme wiederholt, daß die Kupfer-Verbundschicht
auf der Oberfläche der Kupferfolie anstatt des Eintauchens
in eine Na3PO4-NaC£O2-NaOH-Lösung durch Eintauchen der
Oberfläche bei 95°C für 50 Sekunden in eine Lösung geb det wird, die in 1 Liter destilliertem Wasser
Cu (CH3COO)2·H2O 50 g
CH3COONH4 100 g
NH4CA 50 g
CuSO4 5 g
NH4OH (28%) 10 ml
enthält. Die damit erhaltene, verbundene kupferplattierte Epoxidharz-Platte zeigt eine Abschälfestigkeit zwischen
2 dem Epoxidharz und der Kupferfolie von 1,2 kg/cm und
keine Salzsäure-Aufnähme. Damit ergeben sich gute Werte
der Abschälfestigkeit und der Salzsäure-Beständigkeit. Die Oberflächenrauhigkeit des reduzierten Films beträgt
entsprechend der obigen Definition 1,5 ym. Die Beständigkeit
des Films gegen Salzsäure ist ähnlich der in Ausführungsbeispiel 21.
AUSFÜHRUNGSBEISPIEL_26
Das Verfahren nach Ausführungsbeispiel 22 wird mit der Ausnahme wiederholt, daß die Kupfer-Verbundschicht auf
der Oberfläche der Kupferfolie statt durch Verwendung der Na_P0.-NaCi,09-Na0H-Lösung durch eine Ultraviolett-Bestrah-
lung mit einer Energie von 5000 mJ/cm gebildet wird. Die damit erhaltene, verbundene kupferplattierte Epoxidharz-
Platte zeigt eine Abschälfestigkeit zwischen dem Epoxidharz und der Kupferfolie von 1,1 kg/cm und keine SaIzsäureaufnahme.
Damit ergeben sich gute Werte sowohl der Abschälbeständigkeit als auch der Beständigkeit gegen
Salzsäure. Die Oberflächenrauhigkeit des reduzierten Films beträgt nach obiger Definition 1,8 ym. Die Beständigkeit
des Films gegen Salzsäure ist ähnlich der nach Ausführungsbeispiel 21.
VERGLEICHSBEISPIEL_4
Das Verfahren nach Ausführungsbeispiel 21 wird mit der Ausnahme wiederholt, daß nach Bildung der Kupfer-Verbundschicht
auf der Oberfläche der Kupferfolie die Kupferfolie mit einer mit Glasgewebe verstärkten Polyimid-Prepreg-Schicht
verbunden wird, wobei die Kupfer-Verbundschicht
zur Prepreg-Schicht zeigt. Die damit erhaltene, verbundene
kupferplattierte Polyimid-Platte weist eine Abschälfestigkeit zwischen dem Polyimidharz und der Kupferfolie von
1,3 kg/cm auf und zeigt damit hervorragende Charakteristika
der Abschälfestigkeit. Es tritt jedoch von der Seitenfläehe aus eine Salzsäure-Aufweichstrecke von 12O ym. auf, womit
sich eine schlechte Salzsäure-Beständigkeit ergibt. Die Oberflächenrauhigkeit des reduzierten Films beträgt 1,5 ym
entsprechend der Definition nach der japanischen Industrienorm JIS B 0601.
Die Untersuchung der Salzsäure-Löslichkeit wird auf die selbe Art wie im Ausführungsbeispiel 21 durchgeführt und
zeigt, daß die Kupfer-Verbundschicht in 5 Sekunden vollständig aufgelöst ist.
YERGLEICHSBEISPIEL_5
Das Verfahren nach Ausführungsbeispiel 21 wird mit der Ausnahme wiederholt, daß die Kupfer-Verbundschicht
nicht wie im Ausführungsbeispiel 21 elektrochemisch, sondern chemisch unter Verwendung einer Lösung reduziert
wird, die pro Liter 200 mJl 37 %-ige HCHO-Lösung enthält.
Die Oberfläche der reduzierten Kupferfolie hat Kupferfarbe ohne Glanz. Die erhaltene, verbundene und kupferplattierte
Polyimidplatte zeigt eine Abschälfestigkeit zwischen dem Polyimidharz und der Kupferfolie von weniger
als 0,1 kg/cm und damit schlechte Charakteristika der Abschälfestigkeit.
Es wird jedoch keine Aufweichung durch Salzsäure von der Seitenfläche aus beobachtet. Die Oberflächenrauhigkeit
des reduzierten Films beträgt nach obiger Definition 0,5 pm.
Die Salzsäure-Löslichkeit wurde auf die selbe Art wie im Ausführungsbeispiel 21 untersucht und war der in diesem
Ausführungsbeispiel ähnlich.
Wie vorhergehend beschrieben, lassen sich nach vorliegender Erfindung eine Haftfähigkeit der Kupferfolie am
Kunstharz mit einer Abschälfestigkeit von 0,3 kg/cm oder mehr sowie eine hervorragende Salzsäure-Beständigkeit erzielen,
selbst wenn die Zerklüftung der Oberfläche der Kupferfolie auf einem niedrigen Wert gehalten wird (bei einer
Standardlänge L eines Schnittes von 100 ym entsprechend der japanischen Industrienorm JIS B 0601 beträgt R17 6 ym
oder weniger).
AUSFÜHRUNGSBEISPIEL_27
Das Verfahren nach Ausführungsbeispiel 21 wird mit den Ausnahmen wiederholt, daß für die mit Glasgewebe verstärkte
Polyimid-Prepreg-Platte eine mit Glasgewebe verstärkte Epoxid-Prepreg-Platte verwendet wird, und daß die
Verbindung bei einer Heiztemperatur von 160°C, einer Belastung von 18 bar und einer Heizzeit von 80 Minuten durchgeführt
wird. Die so verbundene kupferplattierte Epoxidharzplatte zeigt eine Abschälfestigkeit zwischen dem
Epoxidharz und der Kupferfolie von 1,5 kg/cm und keine
Salzsäure-Aufweichung, wenn sie in die Säure getaucht
wird.
AUSFt)HRÜNGSBEISPIEL_28
Das Verfahren nach Ausführungsbeispiel 21 wird mit den Ausnahmen wiederholt, daß für die mit Glasgewebe verstärkte
Polyimid-Prepreg-Platte eine mit Glasgewebe verstärkte Polyester-Prepreg-Platte verwendet wird, und daß
die Verbindung bei einer Heiztemperatur von 170 C, einer Belastung von 20 bar und einer Heizzeit von 50 Minuten
durchgeführt wird. Die so verbundene kupferplattierte Polyesterharzplatte zeigt eine Abschälfestigkeit zwischen
2 dem Polyesterharz und der Kupferfolie von 1,2 kg/cm und
keine Salzsäure-Aufweichung, wenn sie in die Säure getaucht wird.
ι $9\
- Leerseite -
Claims (27)
- PATENTANWÄLTE' - '- ."":';-:'STREHL SCHÜBEL-HOPF SCHULZ e//1,,rnWIDENMAYERSTRASSE 17, D-8000 MÜNCHEN 22HITACHI, LTD.
DEA-26 97328. Dezember 1984Verbundstruktur aus Metall und Kunstharz sowie Verfahren zu deren HerstellungPATENTANSPRÜCHE[1 .; Verbundstruktur aus einer Metallschicht und einer Kunstharzschicht, dadurch gekennzeichnet , daß die dicht an der Oberfläche der Kunstharzschicht (3) anhaftende Metallschicht (1) eine Oberflächenrauhigkeit in einem Maß aufweist, das ihr ein glanzloses Aussehen und eine Farbe von Olivbraun bis Schwarz verleiht. - 2. Verbundstruktur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß das Maß der Glanzlosigkeit und Farbe 50% oder weniger, vorzugsweise 20% oder weniger beträgt, ausgedrückt als das in einem Wellenlängenbereich von 600 bis 700 nm ermittelte direkte Reflexionsvermögen.
- 3. Verbundstruktur nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , daß die Farbe einen Farbton im Bereich von 7,5 RP bis 7,5 Y, vorzugsweise von 10 RP bis 2,5 Y, einen Farbwert von 7 oder weniger, vorzugsweise 6 oder weniger, und eine Sättigung von 12 oder weniger, vorzugsweise 8 oder weniger, bestimmt nach dem Munsell Farbenbuch, aufweist.
- 4. Verbundstruktur aus Metall und Kunstharz, gekennzeichnet durch einen auf der Oberfläche eines unedlen Metalls (1) ausgebildeten ersten zerklüfteten Teil (5), einen aus reduziertem Metall gebildeten zweiten zerklüfteten Teil (5), der die Oberfläche des ersten zerklüfteten Teils (4) längs der zerklüfteten Oberfläche dünner und mit einer feiner zerklüfteten Oberfläche als der erste zerklüftete Teil (5) bedeckt, und eine an der Oberfläche des zweiten zerklüfteten Teils (5) dicht anhaftende Kunstharzschicht (3).
- 5. Verbundstruktur nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberflächenrauhigkeit des ersten zerklüfteten Teils (4) 6 μπι oder weniger beträgt, ausgedrückt als R bei einer Standardlänge L von 100 μπι gemäß der Definition nach der japanischen Industrienorm JIS B 0601 .
- 6. Verbundstruktur nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Filmdicke (maximale Höhe) des zweiten zerklüfteten Teils (5) 7 nm oder mehr beträgt und gleich oder geringer ist als die Oberflächen-rauhigkeit des ersten zerklüfteten Teils (4).
- 7. Verbundstruktur nach einem der Ansprüche 4 bis 6, dadurch gekennzeichnet , daß die Oberfläche des zweiten zerklüfteten Teils (5) ein glanzloses und olivbraunes bis schwarzes Aussehen hat.
- 8. Verbundstruktur aus einer Kunstharzschicht und einer Metallschicht, dadurch gekennzeichnet , daß die dicht an der Kunstharzschicht (3) haftende Metallschicht (1) durch elektrolytische Reduktion erhalten ist.
- 9. Verbundstruktur nach Anspruch 8, dadurch g e k e η η zeichnet, daß die Metallschicht (1) eine Schicht aus Metalloxid enthaltendem reduzierten Metall ist.
- 10. Verbundstruktur nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet , daß die Metallschicht (1) einen Schaltungsteil und die Kunstharzschicht (3) ein Substrat für eine Leiterplatte bildet, auf der der Schaltungsteil verdrahtet ist und die den Schaltungsteil trägt und isoliert.
- 11. Verbundstruktur aus Metall und Kunstharz, gekennzeichnet durch eine Schicht (1) aus unedlem Metall, eine darauf vorgesehene Schicht (2) aus reduziertem Metall, die durch elektrolytische Reduktion eines oxidierten Metallfilms gewonnen ist, und eine auf der Schicht (2) aus reduziertem Metall dicht anhaftende Kunstharzschicht (3).
- 12. Verbundstruktur nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet , daß die Schicht (1) aus dem unedlen Metall und die Schicht (2) aus dem reduzierten Metall aus der gleichen Metallart gebildet sind.
- 13. Verbundstruktur nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet , daß die Schicht (1) aus dem unedlen Metall und die Schicht (2) aus dem reduzierten Metall hinsichtlich Kristallstruktur und Gestalt voneinander verschieden sind.
- 14. Verbundstruktur nach einem der Ansprüche 11 bis 13, dadurch gekennzeichnet , daß die Schicht (2) aus dem reduzierten Metall darin zurückgebliebenes Metalloxid enthält.
- 15. Verbundstruktur nach einem der Ansprüche 11 bis 14, dadurch gekennzeichnet , daß die Schicht (1)aus dem unedlen Metall und die Schicht (2) aus dem reduzierten Metall zur Herstellung einer Verdrahtung einstückig ausgebildet und mit dem Kunstharz laminiert sind und an diesem haften.
- 16. Verbundstruktur nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch g e k e η η zeichnet, daß das Metall Kupfer ist oder als Hauptbestandteil enthält
- 17. Verbundstruktur nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß das Metall eine Kupfer als Hauptbestandteil enthaltende Legierung oder ein durch Diffusion einer oder mehrerer Elemente im Kupfer gebildeter Werkstoff ist.
- 1ü 18. Verbundstruktur nach einem der Ansprüche 1 bis 17, dadurch gekennzeichnet , daß das Kunstharz ein Polyimid ist.
- 19. Verfahren zur Herstellung einer Verbundstruktur aus einer Metallschicht und einer Kunstharzschicht, dadurch g e kennzeichnet, daß an der Kunstharzschicht eine Schicht aus reduziertem Metall, die durch elektrolytische Reduktion eines oxidierten Metallfilms gewonnen wurde, zur dichten Haftung gebracht wird.
- 20. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch g e k e η η -zeichnet, daß die Schicht aus reduziertem Metall dadurch gewonnen wird, daß die Oberfläche einer Metallschichtoxidiert und die Oberfläche des dadurch gewonnenen oxidierten Metallfilms elektrolytisch reduziert wird.
- 21. Verfahren nach Anspruch 19 oder 20, dadurch gekennzeichnet , daß die Haftung zwischen der Schicht aus reduziertem Metall und der Kunstharzschicht bei einer Temperatur von 100° C oder darüber und einem Druck von 5 bar oder mehr bewirkt wird.
- 22. Verfahren nach einem der Ansprüche 19 bis 21, dadurch gekennzeichnet , daß das die reduzierte Metallschicht bildende Metall Kupfer ist. oder als Hauptbestandteil enthält und das Kunstharz Polyimid ist.
- 23. Verfahren zur Herstellung einer Verbundstruktur aus Metall und Kunstharz , dadurch g'ekennze ichnet ,daß die Oberfläche einer dünnen metallischen Kupferschicht, die auf der Oberfläche einer Isolierplatte angeordnet ist, zum Auftragen eines Kupferoxidfilms oxidiert wird,daß der Kupferoxidfilm bis zu einem Maß elektrolytisch reduziert wird, das die Haftung des Films an einem Resist nicht beeinträchtigt,daß der elektrolytisch reduzierte Kupferoxidfilm in einem nicht für Schaltungen vorgesehenen Teil allein mit einem Resist überzogen wird,daß der nicht mit dem Resist bedeckte Schaltungs.teil des elektrolytisch reduzierten Kupferoxidfilms in einer fürSchaltungsleiter ausreichenden Dicke chemisch verkupfert wird, unddaß von dem nicht für Schaltungen bestimmten Teil das Resist entfernt wird sowie die metallische Kupferschicht und der elektrolytisch reduzierte Kupferoxidfilm weggeätzt werden.
- 24. Verfahren nach Anspruch 23, dadurch gekennzeich net, daß die zur elektrolytischen Reduktion des Kupferoxidfilms verwendete elektrolytische Reduktionslösung einen pH-Wert von 6 oder darüber aufweist.
- 25. Verfahren zur Herstellung einer Verbundstruktur aus Metall und Kunstharz, dadurch gekennzeichnet ,daß jeweils durch Isolierplatten, die auf beiden Seiten mit einer metallischen Kupferschicht versehen sind, mehrere Löcher gebohrt werden, woraufhin die Innenwände der Löcher metallisiert werden,daß die Oberfläche der metallischen Kupferschicht zum Auftragen eines Metalloxidfilms oxidiert wird, daß der oxidierte Metallfilm elektrolytisch reduziert wird,daß ein Resist auflaminiert und zur Erzeugung eines Schaltungsmusters Druck- und Entwicklungsvorgänge durchgeführt werden,daß die in dem vorhergehenden Verfahrensschritt mit demResist versehenen einzelnen Platten geätzt werden,daß die Seitenfläche des als Schaltung dienenden verbliebenen Teils der metallischen Kupferschicht zur Erzeugung eines Metalloxidfilms oxidiert wird,
daß das Resist abgeschält und die verbleibende Struktur gewaschen wird,daß die in den obigen aufeinanderfolgenden Verfahrensschrittenerhaltenen Platten über einer Prepregplatte aufeinandergeschichtet und zur Haftung gebracht werden, daß in einem Anschlußteil Durchgangslöcher ausgebildet werden, unddaß die Innenflächen der Durchgangslöcher metallisiertwerden. - 26. Verfahren nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, daß die Prepregplatte aus Polyimid hergestellt wird.
- 27. Verfahren zur Herstellung einer Verbundstruktur aus Metall und Kunstharz, dadurch gekennzeichnet , daß mindestens eine Seite von Oberflächen flacher Kupferabschnitte einer inneren Schaltung, die Durchgangslöcher einer mehrschichtigen Platte rechtwinklig kontaktieren, durch Reduktion eines Kupferoxidfilms in einen fein zerklüfteten Zustand gebracht wird.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24798183A JPS60143693A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | 多層配線板の形成法 |
JP24798083A JPS60143689A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | 絶縁板上の回路形成法 |
JP21621184A JPS6194756A (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | 金属と樹脂の複合体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3447669A1 true DE3447669A1 (de) | 1985-07-18 |
DE3447669C2 DE3447669C2 (de) | 1990-07-12 |
Family
ID=27329852
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19843447669 Granted DE3447669A1 (de) | 1983-12-29 | 1984-12-28 | Verbundstruktur aus metall und kunstharz sowie verfahren zu deren herstellung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4661417A (de) |
KR (1) | KR920003400B1 (de) |
DE (1) | DE3447669A1 (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0223716A2 (de) * | 1985-11-21 | 1987-05-27 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Mit Kupferfolie laminierte Platte für biegsame gedruckte Leiterplatte |
EP0337465A2 (de) * | 1988-04-13 | 1989-10-18 | Hitachi, Ltd. | Verfahren für die Herstellung von Leiterplatten |
EP0352973A2 (de) * | 1988-07-25 | 1990-01-31 | Hitachi, Ltd. | Verfahren zur Herstellung eines ein Kupferelement enthaltenden Verbundgegenstandes |
EP0382944A2 (de) * | 1989-02-13 | 1990-08-22 | International Business Machines Corporation | Verfahren und Laminat zum Verhindern des Eindringens einer Ätzflüssigkeit in die Grenzfläche zwischen einer Schutzmaske und einer unterliegenden Metallschicht |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4767049A (en) * | 1986-05-19 | 1988-08-30 | Olin Corporation | Special surfaces for wire bonding |
DE3883638T2 (de) * | 1987-06-27 | 1994-04-21 | Shimadzu Corp | Flexibles Replika-Gitter und optischer Multiplexer/Demultiplexer mit Anwendung eines solchen Gitters. |
US5262247A (en) * | 1989-05-17 | 1993-11-16 | Fukuda Kinzoku Hakufun Kogyo Kabushiki Kaisha | Thin copper foil for printed wiring board |
DE4113730A1 (de) * | 1990-04-27 | 1991-11-07 | Mitsubishi Gas Chemical Co | Verfahren zur herstellung eines substrates fuer eine gedruckte schaltung zur hochfrequenzverwendung |
US5206463A (en) * | 1990-07-24 | 1993-04-27 | Miraco, Inc. | Combined rigid and flexible printed circuits and method of manufacture |
US5413838A (en) * | 1991-06-18 | 1995-05-09 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Both-side roughened copper foil with protection film |
US5861076A (en) * | 1991-07-19 | 1999-01-19 | Park Electrochemical Corporation | Method for making multi-layer circuit boards |
US5482784A (en) * | 1993-12-24 | 1996-01-09 | Mitsui Mining And Smelting Co., Ltd. | Printed circuit inner-layer copper foil and process for producing the same |
US6548858B2 (en) * | 2001-03-06 | 2003-04-15 | Mitac International Corp. | Multi-layer circuit board |
US20040231141A1 (en) * | 2001-07-06 | 2004-11-25 | Masaru Nishinaka | Laminate and its producing method |
JP4006618B2 (ja) * | 2001-09-26 | 2007-11-14 | 日鉱金属株式会社 | キャリア付銅箔の製法及びキャリア付銅箔を使用したプリント基板 |
TW573327B (en) * | 2002-12-27 | 2004-01-21 | Ultratera Corp | Plasma etching method |
TW200507131A (en) * | 2003-07-02 | 2005-02-16 | North Corp | Multi-layer circuit board for electronic device |
TW200535259A (en) * | 2004-02-06 | 2005-11-01 | Furukawa Circuit Foil | Treated copper foil and circuit board |
JP2005333028A (ja) * | 2004-05-20 | 2005-12-02 | Nitto Denko Corp | 配線回路基板 |
JP2006103189A (ja) * | 2004-10-06 | 2006-04-20 | Furukawa Circuit Foil Kk | 表面処理銅箔並びに回路基板 |
JP5240198B2 (ja) * | 2007-09-05 | 2013-07-17 | 株式会社ニコン | 光学式エンコーダ用反射板およびその製造方法、ならびに光学式エンコーダ |
GB2460915B (en) * | 2008-06-16 | 2011-05-25 | Biovascular Inc | Controlled release compositions of agents that reduce circulating levels of platelets and methods therefor |
US20100075110A1 (en) * | 2008-09-23 | 2010-03-25 | Ming-Chung Pan | Electrocast Sticker |
TWI501865B (zh) * | 2009-07-24 | 2015-10-01 | Mitsubishi Gas Chemical Co | 樹脂複合電解銅箔、銅箔積層板以及印刷配線板 |
CN102452197B (zh) * | 2010-10-21 | 2014-08-20 | 财团法人工业技术研究院 | 附载箔铜箔及其制造方法 |
KR101216864B1 (ko) * | 2010-12-29 | 2012-12-28 | 한국이엔에쓰 주식회사 | 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
JP5829139B2 (ja) * | 2012-02-03 | 2015-12-09 | 日東電工株式会社 | 配線回路基板およびその製造方法ならびに接続端子 |
US9057461B2 (en) * | 2012-03-13 | 2015-06-16 | Contech Engineered Solutions LLC | Helically wound metal pipe with sealing arrangement |
KR20140086523A (ko) * | 2012-12-28 | 2014-07-08 | 삼성전기주식회사 | 조도가 형성된 동도금층을 구비한 인쇄회로기판 및 이의 제조방법 |
JP6039540B2 (ja) * | 2013-12-13 | 2016-12-07 | 三井金属鉱業株式会社 | 電解銅箔及びその製造方法 |
TWI616120B (zh) * | 2014-06-09 | 2018-02-21 | 結合載板的可撓性電路板結構及其製造方法 | |
JP7456578B2 (ja) * | 2019-05-09 | 2024-03-27 | ナミックス株式会社 | 銅表面の加工装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5635497A (en) * | 1979-08-30 | 1981-04-08 | Murata Manufacturing Co | Method of improving adherence of copper film |
EP0048221A2 (de) * | 1980-09-15 | 1982-03-24 | Ciba-Geigy Ag | Verwendung von flexiblem Basismaterial zur Herstellung von gedruckten Schaltungen |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US30180A (en) * | 1860-09-25 | Apparatus fob molding candles | ||
US3220897A (en) * | 1961-02-13 | 1965-11-30 | Esther S Conley | Conducting element and method |
US3293109A (en) * | 1961-09-18 | 1966-12-20 | Clevite Corp | Conducting element having improved bonding characteristics and method |
BE789715A (fr) * | 1971-10-08 | 1973-02-01 | Yates Industries | Traitement de feuilles de cuivre en plusieurs couches |
USRE30180E (en) | 1971-10-08 | 1979-12-25 | Yates Industries, Inc. | Plural copper-layer treatment of copper foil and article made thereby |
DE2754248C2 (de) * | 1977-12-06 | 1982-07-01 | Califoil Inc., San Diego, Calif. | Verbundwerkstoff für die Herstellung von gedruckten Schaltungen |
US4311768A (en) * | 1977-12-22 | 1982-01-19 | Gould Inc. | Printed circuit board having mutually etchable copper and nickel layers |
DE3149919A1 (de) * | 1981-12-11 | 1983-06-23 | Schering Ag, 1000 Berlin Und 4619 Bergkamen | Verfahren zum haftfesten metallisieren von polyimid |
-
1984
- 1984-12-28 DE DE19843447669 patent/DE3447669A1/de active Granted
- 1984-12-28 KR KR1019840008470A patent/KR920003400B1/ko not_active Expired
- 1984-12-31 US US06/687,754 patent/US4661417A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5635497A (en) * | 1979-08-30 | 1981-04-08 | Murata Manufacturing Co | Method of improving adherence of copper film |
EP0048221A2 (de) * | 1980-09-15 | 1982-03-24 | Ciba-Geigy Ag | Verwendung von flexiblem Basismaterial zur Herstellung von gedruckten Schaltungen |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0223716A2 (de) * | 1985-11-21 | 1987-05-27 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Mit Kupferfolie laminierte Platte für biegsame gedruckte Leiterplatte |
EP0223716A3 (en) * | 1985-11-21 | 1987-08-05 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | A copper-foiled laminated sheet for flexible printed circuit board |
EP0337465A2 (de) * | 1988-04-13 | 1989-10-18 | Hitachi, Ltd. | Verfahren für die Herstellung von Leiterplatten |
EP0337465A3 (de) * | 1988-04-13 | 1991-07-31 | Hitachi, Ltd. | Verfahren für die Herstellung von Leiterplatten |
EP0352973A2 (de) * | 1988-07-25 | 1990-01-31 | Hitachi, Ltd. | Verfahren zur Herstellung eines ein Kupferelement enthaltenden Verbundgegenstandes |
EP0352973A3 (de) * | 1988-07-25 | 1991-04-24 | Hitachi, Ltd. | Verfahren zur Herstellung eines ein Kupferelement enthaltenden Verbundgegenstandes |
EP0382944A2 (de) * | 1989-02-13 | 1990-08-22 | International Business Machines Corporation | Verfahren und Laminat zum Verhindern des Eindringens einer Ätzflüssigkeit in die Grenzfläche zwischen einer Schutzmaske und einer unterliegenden Metallschicht |
EP0382944A3 (de) * | 1989-02-13 | 1991-11-27 | International Business Machines Corporation | Verfahren und Laminat zum Verhindern des Eindringens einer Ätzflüssigkeit in die Grenzfläche zwischen einer Schutzmaske und einer unterliegenden Metallschicht |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4661417A (en) | 1987-04-28 |
DE3447669C2 (de) | 1990-07-12 |
KR920003400B1 (ko) | 1992-04-30 |
KR850005223A (ko) | 1985-08-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3447669A1 (de) | Verbundstruktur aus metall und kunstharz sowie verfahren zu deren herstellung | |
DE60026280T2 (de) | Elektrolytische kupferfolie mit trägerfolie und kupferkaschiertes laminat die elektrolytische kupferfolie benutzend | |
DE69301941T2 (de) | Kupferfolie für Leiterplatten und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE602004012910T2 (de) | Kupferfolie für gedruckte Leiterplatten mit feinen Strukturen und Herstellungsverfahren | |
DE3341431C2 (de) | ||
DE69408189T2 (de) | Kupferfolie für Leiterplatten und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE69022775T2 (de) | Dünne Kupferfolie für eine gedruckte Schaltungsplatte sowie Verfahren zu ihrer Herstellung. | |
DE2238002C3 (de) | Verfahren zur additiven Herstellung von aus Metallabscheidungen bestehenden Mustern | |
DE2630151C2 (de) | ||
DE2610470C3 (de) | Verfahren zur stromlosen Abscheidung von Kupferschichten | |
DE2928942C2 (de) | Kupferfolie für gedruckte Schaltungen und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE69025500T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines kupferkaschierten Laminats | |
DE3112217C2 (de) | ||
DE2554691C2 (de) | Verfahren zum Herstellen elektrischer Leiter auf einem isolierenden Substrat und danach hergestellte Dünnschichtschaltung | |
DE102009005691A1 (de) | Elektrisch leitfähige Schicht, Laminat, welches diese verwendet und Herstellungsverfahren dafür | |
DE69121143T2 (de) | Kupferfolie für Innenlageschaltung einer mehrlagigen Leiterplatte, Verfahren zu ihrer Herstellung und diese enthaltende mehrlagige Leiterplatte | |
DE3047287A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer gedruckten schaltung | |
DE19740431C1 (de) | Verfahren zum Metallisieren eines elektrisch nichtleitende Oberflächenbereiche aufweisenden Substrats | |
DE19822075A1 (de) | Verfahren zur metallischen Beschichtung von Substraten | |
DE69627254T2 (de) | Kupferfolie für innenschichtschaltungen von mehrschichtigen leiterplatten hoher dichte | |
DE2847821C2 (de) | Substrat für eine gedruckte Schaltung mit einer Widerstandsbeschichtung und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE2747955C2 (de) | ||
DE69218468T2 (de) | Verfahren zur Herstellung behandelter Kupfer-Folien, daraus hergestellte Produkte sowie Elektrolyt zur Verwendung in einem solchen Verfahren | |
EP1245697A2 (de) | Verfahren zum aussenstromlosen Abscheiden von Silber | |
DE1800049A1 (de) | Nickel- oder Kupferfolie mit elektrolytisch aufgebrachter nickelhaltiger Haftschicht,insbesondere fuer duroplastische Traeger von gedruckten Schaltungen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: STREHL, P., DIPL.-ING. DIPL.-WIRTSCH.-ING. SCHUEBE |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |