DE3406838C2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE3406838C2 DE3406838C2 DE3406838A DE3406838A DE3406838C2 DE 3406838 C2 DE3406838 C2 DE 3406838C2 DE 3406838 A DE3406838 A DE 3406838A DE 3406838 A DE3406838 A DE 3406838A DE 3406838 C2 DE3406838 C2 DE 3406838C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- laser
- cavity
- short
- length
- semiconductor laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/081—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors
- H01S3/082—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors defining a plurality of resonators, e.g. for mode selection or suppression
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
Die Erfindung bezieht sich auf Halbleiterlaser nach dem
Oberbegriff des Anspruches 1.
In Lichtfaser-Nachrichtensystemen sind die Betriebskennlinien
von Injektionslasern bei Hochgeschwindigkeitsmodulation von
Interesse. Von besonderem Interesse bei der breitbandigen
Einzel-Längsmodenübertragung mittels Fasern sind dynamische
Spektral-Verhaltensmerkmale, wie z. B. das Frequenzzwitschern (frequency chirping)
und die Einschwing-Verstärkungsspitzenverschiebung im Ein
schwingbereich sowie die Verbreiterung der Spektral-Hüllkurve
beim Auftreten von mehreren Längsmoden. Die Beherrschung
dieser dynamischen Spektralkennlinien sowie weiterer Eigen
arten sind wichtig, um eine ausreichende Modenselektion für
den Einzel-Längsmodenbetrieb bei hoher Arbeitsgeschwindigkeit
zu erzielen.
Es sind verschiedene Vorgehensweisen zum Erzielen der Längs
moden-Selektion bei Lasern bekannt. Abgesehen von der Ver
wendung eingebauter Gitter zur Rückkopplung sind dies: Kurz
hohlraumlaser, Laser mit externem Hohlraum und Doppelab
schnitt-Laser (Laser mit gekoppeltem Hohlraum). Diese Maß
nahmen sollen unten näher erläutert werden.
Kurzhohlraumlaser machen Gebrauch von einem optischen Hohl
raum, dessen Hohlraumlänge etwa 30 bis 80 Mikrometer beträgt.
Diese Hohlraumlänge ist mindestens fünf- oder sechsmal so
kurz wie Längen herkömmlicher optischer Hohlräume. Die Moden
selektivität der Kurzhohlraumlaser resultiert aus einer
viel größeren Längsmoden-Separierung und einer größeren Ver
stärkungsdifferenz zwischen benachbarten Moden als in her
kömmlichen Lasern. Kurzhohlraumlaser sind beschrieben in den
Artikeln von T. P. Lee u. a., IEEE J. Quantum Electron., Yol.
QE-18, S. 1101 (1982) und C. A. Burrus u. a., Electron, Lett.,
Vol. 17, S. 954 (1981).
Laser mit externem Hohlraum bestehen aus einer Kombination
eines langen optischen Hohlraums, einem Laser mit Spaltflächen
und einem externen Reflektor. Der Reflektor und eine
Spalt-Facette des Lasers bilden einen externen Hohlraumreso
nator, der im allgemeinen annähernd so lang ist wie der opti
sche Hohlraum des Lasers. In dem externen Hohlraumresonator
treten Beugungsverluste auf, da das Fortpflanzungsmedium
Luft ist. Die Modenselektivität dieser Kombination resul
tiert aus der Modulation der Dämpfung in dem den Laser und
den externen Hohlraumresonator einschließenden gekoppelten
Resonator als Funktion der Frequenz. Laser mit externem
Hohlraum sind beschrieben in den Artikeln von K. R. Preston
u. a., Electron. Lett., Vol. 17, S. 931 (1981); D. Renner
u. a., Electron. Lett., Vol. 15, S. 73 (1979); C. Voumard
u. a., Opt. Commun., Vol. 13, S. 130 (1975); D. A. Klein
mann u. a., BSTJ, Vol. 41, S. 453 (1962); und T. Kanada u. a.,
Optics Communications, Vol. 31, 1979, No. 1, S. 81-84.
Aus dem DE-Buch: Röss, D.: Laser, Lichtverstärker und Oszilla
toren, Akademische Verlagsgesellschaft, Frankfurt 1966,
S. 244-253 ist es bekannt, einen Resonator großer Länge
zu koppeln mit einem Resonator geringer Länge, wobei der
lange Resonator das aktive Material enthält.
Doppelabschnitt- und andere Mehrfachabschnitt-Laser verwen
den eine entsprechende Anzahl von monolithischen Laserhohl
räumen, die aneinander angrenzen. Bei dieser Art von Laser
sind die Hohlräume Wellenleiterzonen, die über einen Vorstrom
steuerbar sind. Bei Doppelabschnitt-Lasern beste
hen die Abschnitte im allgemeinen aus einem langen und einem
kurzen Abschnitt. Die Modenselektivität ergibt sich aus
der Modulation der Dämpfung der Laserhohlräume als Funktion
der Frequenz. Mehrfachabschnitt-Laser sind beschrieben in
der US-PS 33 03 431 und in Artikeln von L. A. Coldren u. a.,
App. Phys. Lett., Vol. 38, S. 315 (1981); K. J. Ebeling
u. a., Electron. Lett., Vol. 18, S. 901 (1982); und L. A. Coldren
u. a., IEEE J. Quantum Elect. Vol. QE-18, S. 1679 (1982).
In sämtlichen der oben klassifizierten Laser ergibt sich
aufgrund der dynamischen Spektralkennlinien des Lasers das
Problem, einen wirksamen Einzel-Längsmoden-Betrieb unter
Hochgeschwindigkeits-Modulationsbedingungen zu erzielen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen gekoppelten
Kurzhohlraumlaser der eingangs genannten Art anzugeben, der
einen wirksamen Einzel-Längsmoden-Betrieb unter Hochgeschwin
digkeits-Modulationsbedingungen gewährleistet.
Diese Aufgabe wird durch die im Anspruch 1 angegebene Er
findung gelöst.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus
den Unteransprüchen.
In einer Ausführungsform der Erfindung ist ein III-V-Hetero
struktur-Injektionslaser mit einer Hohlraumlänge zwischen
50 und 80 Mikrometer gekoppelt mit einem kurzen exter
nen Hohlraumresonator, der eine Länge zwischen 30 und 80
Mikrometern besitzt. Der kurze externe Hohlraumresonator
wird gebildet durch eine Spalt-Facette des Injektionslasers sowie eine
reflektierende Fläche, die von der Spalt-Facette mit Ab
stand angeordnet ist und dieser gegenüber liegt. Allgemein
steht die Länge des Laserhohlraums in Beziehung zu der Län
ge des externen Hohlraumresonators nach Maßgabe der Gleichung
nL = md, wobei nL die effektive optische Länge des Injek
tionslasers, n der Brechungsindex der Leitungszone des In
jektionslasers bei der interessierenden Wellenlänge, L die physi
kalische Länge des Injektionslasers, d die Länge des exter
nen Hohlraumresonators und m eine positive Zahl, vorzugs
weise zwischen 2 und 10, ist.
Im folgenden wird ein Ausführungsbeispiel der Erfindung an
hand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigt
Fig. 1 ein vereinfachtes Blockdiagramm eines kurzen gekoppel
ten Hohlraumlasers gemäß der Erfindung,
Fig. 2 eine graphische Darstellung des Beitrags der Kompo
nenten eines herkömmlichen Langhohlraumlasers, zum
Ausgangsmodenspektrum beim Schwellen
wert,
Fig. 3 eine graphische Darstellung des Beitrags der Kompo
nenten eines Kurzhohlraumlasers, zum Aus
gangsmodenspektrum beim Schwellenwert,
Fig. 4 eine graphische Darstellung des Beitrags der Kompo
nenten eines herkömmlichen Lasers mit externem Hohl
raum zum Ausgangsmodenspektrum beim
Schwellenwert, und
Fig. 5 eine graphische Darstellung des Beitrags der Kompo
nenten des kurzen gekoppelten Hohlraumlasers gemäß
der Erfindung zum Ausgangsmodenspektrum
beim Schwellenwert.
Wie in den Fig. 1 und 5 dargestellt ist, handelt es sich bei
der Erfindung um einen gekoppelten Kurzhohlraumlaser zur
Erreichung und Aufrechterhaltung eines Einzel-Längsmodenbe
triebs sowohl unter Dauerstrich- als auch unter Hochgeschwin
digkeits-Modulations-Bedingungen. Während die nachfolgende
Beschreibung den bevorzugten Einsatz von Strominjektion zum
Anregen des Lasers darstellt, so ist dem Fachmann klar, daß
auch optische Quellen beim Pumpbetrieb des Lasers verwendet
werden können.
Der kurze gekoppelte Hohlraumlaser ist in Blockdiagrammform
in Fig. 1 gezeigt. Erfindungsgemäß enthält der kurze ge
koppelte Hohlraumlaser eine Stromquelle 10, einen Kurzhohl
raumlaser 20 und eine reflektierende Fläche 30. Die Strom
quelle 10 liefert einen Strom, um die aktive Zone des Kurz
hohlraumlasers 20 zu pumpen. Bei dem Kurzhohlraumlaser 20
handelt es sich typischerweise um einen Kurzhohlraum-Halb
leiterlaser mit einer effektiven optischen Länge nL, wobei
n der Brechungsindex der Leitungszone des Kurzhohlraumlasers
20 bei der interessierenden Wellenlänge und L die physikali
sche Länge des Kurzhohlraumlasers 20 ist. Durch den Kurzhohl
raumlaser 20 werden Lichtquanten 25 erzeugt, die durch eine
von zwei parallelen Spiegelfacetten 21, 22 des Kurzhohlraum
lasers 20 in Richtung auf die reflektierende Fläche 30 austre
ten. Die reflektierende Fläche 30 ist von der einen Spiegel
facette 22 des Kurzhohlraumlasers 20 mit Abstand positioniert,
so daß mindestens ein Teil
der Lichtquanten 25 in Richtung des Kurzhohlraumlasers 20
zurückreflektiert wird. Die eine Facette 22 des Kurzhohlraum
lasers 20 und die reflektierende Fläche 30 bilden einen
externen Hohlraumresonator der Länge d. Die Länge d des ex
ternen Hohlraumresonators steht zu der effektiven optischen
Länge des Kurzhohlraumlasers 20 gemäß der Gleichung nL = md
in Beziehung, wobei m eine positive Zahl ist. Die Optimie
rung eines Wertes und eines Wertebereichs für m wird unten
näher beschrieben. Es sollte dem Fachmann jedoch klar sein,
daß die reflektierende Fläche 30 und beide Facetten des
Kurzhohlraumlasers 20 einen gekoppelten Resonator bilden.
InGaAsP/InP-Doppelheterostruktur-Injektionslaser mit
Spaltfacetten und Streifengeometrie lassen sich zur Ver
wendung als Kurzhohlraumlaser 20 anpassen. Es eignen sich
auch andere III-V-Halbleiterlaser mit gespaltenen oder ge
ätzten Facetten für den Kurzhohlraumlaser 20. Als Beispiele,
die keinerlei beschränkenden Charakter haben, seien folgende
Typen für Kurzhohlraumlaser angegeben: Streifengeometrie-V-
Nt-(vergrabene Sichelform), Steg- und vergrabene
Heterostrukturlaser aus den InP- oder GaAs-Legierungen und
ihren Derivaten. Ungeachtet des für den Kurzhohlraumlaser 20
ausgewählten Lasertyps sollte beachtet werden, daß die
Laserhohlraumlänge L kleiner als 100 Mikrometer ist, vor
zugsweise zwischen 50 und 80 Mikrometer liegt.
Die reflektierende Fläche 30 wird hergestellt, indem ein
stark reflektierendes Material in eine ebene oder gekrümmte
Form gebracht wird. In einem Beispiel sind auf eine
Spalt-Facette eines Halbleitermaterials zur Bildung einer fla
chen (ebenen) reflektierenden Fläche 30 Gold aufgedampft. In
einem anderen Beispiel werden reflektierende Flächen gebil
det, indem ein Ende einer optischen Faser mit einem reflek
tierenden Material überzogen wird oder kugelförmige, para
bolische oder andere konkave Oberflächen mit hohem Reflexions
vermögen hergestellt werden. Die reflektierende Fläche 30
ist im Fall einer flachen reflektierenden Fläche senkrecht
zur Laserlängsachse angeordnet. Das heißt,
die flache reflektierende Fläche liegt im wesentlichen pa
rallel zur externen Spiegelfacette des Kurzhohlraumlasers 20.
Es ist wünschenswert, die reflektierende Fläche 30 permanent
auf derselben Unterlage oder demselben Substrat wie den
Kurzhohlraumlaser 20 zu montieren.
Bei dem kurzen gekoppelten Hohlraumlaser wird eine gute
Längsmoden-Selektion erzielt, indem die größte und steilste
Modulation der Resonatordämpfung als Funktion der Fre
quenz verwendet wird, da dies dazu beiträgt, die Dämpfungs
differenz zwischen benachbarten Moden zu maximieren. Wenn
die Verstärkungsspitze des Kurzhohlraumlasers 20 in der Nähe
eines Dämpfungsminimums liegt, schwingt der entsprechende
Mode sehr stark, während die benachbarten Moden unterdrückt
werden. Im allgemeinen läßt sich dieses Verhalten steuern,
indem ein geeigneter Wert für m gewählt wird oder - alterna
tiv - die Länge d des externen Hohlraumresonators in entspre
chender Weise ausgelegt wird.
Ein kleiner Wert für m, z. B. 2 oder 3, führt zu einer
Dämpfungsmodulationsperiode von jeweils zwei oder drei Moden
mit einer beträchtlich großen Modulationsneigung. Es sollte
jedoch beachtet werden, daß es zahlreiche Modulationsperioden
unter der Verstärkungskurve für den Kurzhohlraumresonator 20
gibt, die ein Schwingen mehrerer beabstandeter Moden verur
sachen. Auf der anderen Seite garantiert ein großer Wert von
m, z. B. 10 oder 12, daß unter der Verstärkungskurve des
Kurzhohlraumlasers 20 nur eine Modulationsperiode liegt. In
diesem Fall ist die sich ergebende Modulationsneigung klein,
wodurch die Schwingneigung benachbarter Moden gemeinsam mit
dem dominierenden, eine minimale Dämpfung aufweisenden Moden
erhöht wird. Angesichts der obigen Betrachtungen liegt der
Wert von m zwischen 2 und 10, vorzugsweise zwischen 3 und 8,
abhängig von den Betriebsbedingungen und der Einhüllenden
der Verstärkungskurve des Kurzhohlraumlasers 20. Demzufolge
beträgt die gewünschte Länge des externen Hohlraumresonators
weniger als 100 Mikrometer, vorzugsweise liegt sie zwischen
30 und 80 Mikrometer. Während Änderungen entweder der Länge
d des externen Hohlraumresonators oder der Länge L des Kurz
hohlraumlasers angesichts unterschiedlicher Anwendungsfälle
notwendig sein können, sollte die kombinierte Länge von
externem Hohlraumresonator und Kurzhohlraumlaser, d. h. der
Wert d + L, weniger als 200 Mikrometer betragen.
Fig. 2 bis 5 veranschaulichen fortschreitende Verbesserungen
beim Einzel-Längsmodenbetrieb. Diese Verbesserungen werden
erreicht, indem von einem herkömmlichen Langhohlraumlaser
(einige hundert Mikrometer lang) gemäß Fig. 2 ausgehend über
gegangen wird zu einem Kurzhohlraumlaser gemäß Fig. 3, und
dann zu einem herkömmlichen Laser mit externem Hohlraum (her
kömmlicher Langhohlraumlaser, der an einen externen Hohlraum
resonator gekoppelt ist) gemäß Fig. 4, wobei schließlich ge
mäß Fig. 5 der erfindungsgemäße kurze gekoppelte Hohlraum
laser anschließt. Wie in diesen Figuren dargestellt ist, sind
die Verläufe der Laserverstärkung ungeachtet des Lasertyps,
d. h. langer oder kurzer Hohlraum, im wesentlichen identisch.
Außerdem wurden in den Fig. 4 und 5 die Dämpfungskurven für
den gekoppelten Resonator in bezug auf eine feste Bezugs
linie (gestrichelte Linie in den Fig. 2 bis 5) gezeichnet,
und die Periode der Dämpfungskurve jedes gekoppelten Resona
tors bestimmt sich durch Auswahl von beispielsweise m = 6.
Δ g repräsentiert die Nettoverstärkung oder Amplitudendiffe
renz zwischen dem Mittelmode und der benachbarten Mode. Die
in den Fig. 2 bis 5 dargestellten Längsmoden-Spektren zeigen
die über unterschiedlichen optischen Frequenzen aufgetragenen
Ausgangsamplituden für jeden speziellen Laser, der in der
Nähe des Schwellenwerts arbeitet.
Die effektive Modenunterdrückung hängt ab von Δ g. Für den
kurzen gekoppelten Hohlraumlaser ist Δ g groß und ermöglicht
dadurch ein starkes Schwingen der dominierenden Mittelmoden,
während sämtliche andere Moden während des Betriebs ober
halb des Schwellenwerts unterdrückt werden. Aus praktischer
Erfahrung hat sich gezeigt, daß im Dauerstrichbetrieb des
kurzen gekoppelten Hohlraumlasers bei etwa dem 1,4fachen des
Schwellenwerts eine Modenunterdrückung von mehr als 20 dB,
d. h. Einzel-Längsmodenbetrieb, eintrat.
Claims (6)
1. Halbleiterlaser mit einem externen Hohlraumresonator, bei
dem der Halbleiterlaser (20) eine erste (22) und eine dazu im
Abstand (L) parallel angeordnete zweite Facette (21) aufweist,
und mit einer mit Abstand von der ersten Facette (22) des Halb
leiterlasers (20) und in vorbestimmtem Abstand (d) von der
Facette angeordneten reflektierenden Fläche (30), wobei die
reflektierende Fläche (30) und die erste Facette (22) zwischen
sich den externen Hohlraumresonator bilden,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Halbleiterlaser (20) ein Kurzhohlraum-Halbleiterlaser ist,
und daß die gemeinsame Länge (L + d) von Halbleiterlaser (20)
und externem Hohlraumresonator weniger als 200 Mikrometer be
trägt, wobei die Länge (L) des Halbleiterlasers (20) mindestens
50 Mikrometer und die Länge (d) des externen Hohlraumresonators
mindestens 30 Mikrometer betragen und die optische Länge des
Halbleiterlasers (20) größer ist als diejenige des externen
Hohlraumresonators.
2. Laser nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Länge (d) des externen Hohlraumresonators weniger als
100 Mikrometer beträgt.
3. Laser nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Länge (d) des externen Hohlraumresonators weniger als
80 Mikrometer beträgt.
4. Laser nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Länge (L) des Kurzhohlraum-Halbleiterlasers (20) weniger
als 100 Mikrometer beträgt.
5. Laser nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Länge (L) des Kurzhohlraum-Halbleiterlasers (20) weniger
als 80 Mikrometer beträgt.
6. Laser nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Kurzhohlraum-Halbleiterlaser (20) eine wirksame optische
Länge nL und der externe Hohlraumresonator eine Länge d auf
weist und daß nL etwa so groß ist wie md, wobei m eine posi
tive Zahl zwischen 2 und 10 ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/469,813 US4528670A (en) | 1983-02-25 | 1983-02-25 | Short coupled cavity laser |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3406838A1 DE3406838A1 (de) | 1984-08-30 |
DE3406838C2 true DE3406838C2 (de) | 1990-06-13 |
Family
ID=23865151
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19843406838 Granted DE3406838A1 (de) | 1983-02-25 | 1984-02-24 | Gekoppelter kurzhohlraumlaser |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4528670A (de) |
JP (1) | JPS59163886A (de) |
DE (1) | DE3406838A1 (de) |
FR (1) | FR2541830B1 (de) |
GB (1) | GB2135823B (de) |
NL (1) | NL8400585A (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19822616A1 (de) * | 1998-05-20 | 1999-11-25 | Sel Alcatel Ag | Lichtquelle sowie Verfahren für die Übertragung von spektralkodierten Daten |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4583226A (en) * | 1983-07-28 | 1986-04-15 | At&T Bell Laboratories | Coupled cavity injection laser |
US4747107A (en) * | 1985-09-06 | 1988-05-24 | Bell Communications Research, Inc. | Single mode injection laser |
US4817109A (en) * | 1985-12-10 | 1989-03-28 | 501 Sharp Kabushiki Kaisha | External resonator type semiconductor laser apparatus |
US4839308A (en) * | 1986-07-21 | 1989-06-13 | Gte Laboratories Incorporated | Method of making an external-coupled-cavity diode laser |
US4726030A (en) * | 1986-07-21 | 1988-02-16 | Gte Laboratories Incorporated | External-coupled-cavity diode laser |
JPH1116188A (ja) * | 1997-06-26 | 1999-01-22 | Victor Co Of Japan Ltd | 半導体レーザ及び光ピックアップ |
US5993999A (en) * | 1998-05-15 | 1999-11-30 | Aer Energy Resources, Inc. | Multi-layer current collector |
JP4444213B2 (ja) * | 2003-09-26 | 2010-03-31 | 古河電気工業株式会社 | 半導体レーザ装置 |
US8908481B1 (en) * | 2014-01-27 | 2014-12-09 | HGST Netherlands B.V. | Thermally-assisted magnetic recording head that suppresses effects of mode hopping |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3303431A (en) * | 1964-02-10 | 1967-02-07 | Ibm | Coupled semiconductor injection laser devices |
US4079339A (en) * | 1975-05-17 | 1978-03-14 | Nippon Electric Company, Ltd. | Light self-injecting semiconductor laser device |
JPS5821436B2 (ja) * | 1979-01-16 | 1983-04-30 | 日本電信電話株式会社 | 半導体レ−ザ装置 |
-
1983
- 1983-02-25 US US06/469,813 patent/US4528670A/en not_active Expired - Lifetime
-
1984
- 1984-02-20 GB GB08404436A patent/GB2135823B/en not_active Expired
- 1984-02-22 FR FR8402675A patent/FR2541830B1/fr not_active Expired
- 1984-02-24 JP JP59034140A patent/JPS59163886A/ja active Pending
- 1984-02-24 DE DE19843406838 patent/DE3406838A1/de active Granted
- 1984-02-24 NL NL8400585A patent/NL8400585A/nl not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19822616A1 (de) * | 1998-05-20 | 1999-11-25 | Sel Alcatel Ag | Lichtquelle sowie Verfahren für die Übertragung von spektralkodierten Daten |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS59163886A (ja) | 1984-09-14 |
GB2135823A (en) | 1984-09-05 |
FR2541830B1 (fr) | 1987-11-27 |
FR2541830A1 (fr) | 1984-08-31 |
NL8400585A (nl) | 1984-09-17 |
GB8404436D0 (en) | 1984-03-28 |
DE3406838A1 (de) | 1984-08-30 |
US4528670A (en) | 1985-07-09 |
GB2135823B (en) | 1986-07-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3851874T2 (de) | Über ein Gitter gekoppelter, aus seiner Oberfläche strahlender Laser und Verfahren zu seiner Modulation. | |
EP0890204B1 (de) | Gütegesteuerter halbleiterlaser | |
DE4328777B4 (de) | Optische Filtervorrichtung | |
DE69607493T2 (de) | Polarisationsmodenselektiver Halbleiterlaser, Modulationsverfahren und optisches Kommunikationssystem unter Verwendung dieses Lasers | |
DE69904850T2 (de) | Aktiv modengekoppelter multiwellenlängen-halbleiterlaser mit externem resonator | |
DE69121491T2 (de) | Kontinuierlich abgestimmter optischer Resonator | |
DE60026071T2 (de) | Abstimmbare laserquelle mit integriertem optischen verstärker | |
DE3131232C2 (de) | ||
DE3445725C2 (de) | ||
EP0418705B1 (de) | Interferometrischer Halbleiterlaser | |
DE69614602T2 (de) | Optische Halbleitervorrichtung, Verfahren zu ihrer Ansteuerung, Verwendung der Vorrichtung als Lichtquelle und optisches Kommunikationssystemes mit einer derartigen Lichtquelle | |
DE69603015T2 (de) | Laser | |
DE3884503T2 (de) | Halbleiterlaser. | |
DE4332633C2 (de) | Durch einen externen Resonator gesteuerter Halbleiterlaser | |
DE3406838C2 (de) | ||
EP0262439B1 (de) | Lasersender mit einem Halbleiterlaser und einem externen Resonator | |
DE69203784T2 (de) | Gewinngekoppelter Halbleiterlaser mit verteilter Rückkoppelung. | |
DE69114282T2 (de) | Optischer signalregenerator und optisches übertragungssystem, das diesen benutzt. | |
DE69110605T2 (de) | Halbleiterlaser mit verteilter Rückkoppelung. | |
DE69309011T2 (de) | Halbleiterlaser mit optimiertem Resonator | |
DE69306617T2 (de) | Monolithisches und kohärentes 2-D Halbleiterlaser-Array | |
EP0883919B1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum betrieb einer laserdiode | |
DE3621198C2 (de) | ||
DE69217466T2 (de) | Halbleiterlaser mit reduzierter Temperaturabhängigkeit | |
DE19642409A1 (de) | Passiv verriegelter externer optischer Hohlraum |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Free format text: BLUMBACH, KRAMER & PARTNER, 65193 WIESBADEN |
|
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |