[go: up one dir, main page]

DE3035125C2 - Integrierter Schaltkreis - Google Patents

Integrierter Schaltkreis

Info

Publication number
DE3035125C2
DE3035125C2 DE3035125A DE3035125A DE3035125C2 DE 3035125 C2 DE3035125 C2 DE 3035125C2 DE 3035125 A DE3035125 A DE 3035125A DE 3035125 A DE3035125 A DE 3035125A DE 3035125 C2 DE3035125 C2 DE 3035125C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
short
conductor track
conductor
circuit point
conductive surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE3035125A
Other languages
English (en)
Other versions
DE3035125A1 (de
Inventor
Otmar Dipl.-Ing. 8011 Neukeferloh Fritz
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE3035125A priority Critical patent/DE3035125C2/de
Publication of DE3035125A1 publication Critical patent/DE3035125A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3035125C2 publication Critical patent/DE3035125C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/60—Protection against electrostatic charges or discharges, e.g. Faraday shields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01058—Cerium [Ce]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01068—Erbium [Er]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01075—Rhenium [Re]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Elimination Of Static Electricity (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

35
Die Erfindung betrifft einen auf einem Filmträger mit geätzten Leiterbahnstrukturen montierten integrierten Schaltkreis, gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Ein solcher auf einem Filmträger montierter integrierter Schaltkreis wird auch als Mikropack bezeichnet.
Ein gattungsgemäßer auf einem Filmträger mit geätzten Leiterbahnstrukturen montierter integrierter Schaltkreis ist aus der US- PS 41 32 856 bekannt.
Bei dem bekannten filmmontierten integrierten Schaltkreis wird die Erdung des Kurzschlußpunktes durch Ausstanzen der Leiterbahnstruktur am Kurzschlußpunkt beseitigt, bevor die Schaltkreise auf einwandfreie Funktion getestet werden. Bei der weiteren Verarbeitung sind die Schaltkreise jedoch gegen elektrostatische Entladungen ungeschützt.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist deshalb, bei einem gattungsgemäßen filmmontierten integrierten Schaltkreis, bei welchem die Leiterbahnstruktur am Kurzschlußpunkt zu Testzwecken ausgestanzt wird, Maßnahmen vorzusehen, die auf einfache Weise eine elektrische Verbindung der Anschlüsse der integrierten Schaltung mit der Erdungsschiene herzustellen gestatten.
Die Lösung dieser Aufgabe ist im Kennzeichen des Anspruchs 1 angegeben.
Zweckmäßige Weiterbildungen der Erfindung sind den Unteransprüchen 2 und 3 zu entnehmen.
Durch die erfindungsgemäße Ausbildung einer leitenden Fläche erhält man ein einfaches Mittel, um nach dem Prüfen der Funktionsfähigkeit des integrierten Schaltkreises die einzelnen im Außenbereich liegenden Leiterbahnen wieder miteinander kurzzuschließen, wodurch die Gefahr der Zerstörung der durch elektrostatische Aufladung während des Transports und der Verarbeitung verhindert wird.
Anhand des Ausführungsbeispiels, welches mit den F i g. 1 bis 4 illustriert ist, wird die Erfindung näher erläutert
F i g. 1 zeigt in einem Ausschnitt die Leiterbahnen und die am Kurzschlußpunkt zusammengeführten Leiterbahnenden eines filmmontierten integrierten Schaltkreises, sowie den sogenannten Kurzschlußrahmen zum Kurzschließen der einzelnen außerhalb des äußeren Kontaktierungsbereiches liegenden Anschlüsse,
F i g. 2 zeigt die Bahnenden bei bereits ausgestanztem Kurzschlußpunkt und bei noch nicht aufgeschnittener leitender Fläche,
F i g. 3 zeigt den gleichen Ausschnitt bei aufgeschnittener und umgeklappter leitender Fläche,
F i g. 4 zeigt einen Querschnitt nach F i g. 3.
In F i g. 1 wird eine Anordnung eines Kurzschlußrahmens (Kurzschlußpunkt und Erdungsschiene) gezeigt, bei dem das Teil, das zum Verschließen des geöffneten Kurzschlußpunktes nach dem Prüfen dient, in die geätzte Leiterbahnstruktur mit einbezogen ist Die geätzte Leiterbahnstruktur besteht aus Cu und ist mit einer Sn-Oberfläche versehen. Die Leiterbahnen (1) sind an Prüfflecken (2) herangeführt und dahinter zu einem Kurzschlußpunkt (3) zusammengeschlossen, der wiederum an eine durchlaufende Erdungsschiene (4) angeschlossen ist. In die Erdungsschiene eingelassen ist eine leitende Fläche (5), die an zwei Seiten von dieser getrennt ist und über einem Ausschnitt im Film (6) angeordnet ist.
Zum Prüfen der filmmontierten integrierten Schaltkreise wird der Kurzschlußpunkt (3) ausgeschnitten (7) (Fig.2) und damit alle Schaltungsanschlüsse aufgetrennt. Nach dem Prüfen wird nun die leitende Fläche (5) aus Kupfer an der dritten Kante (8) durchgeschnitten und um die vierte Kante (9) so geklappt, daß sie auf den offenen Anschlüssen der Leiterbahnen aufliegt (F i g. 3). Die leitende Fläche muß in ihrer Größe so ausgelegt sein, daß sie alle Anschlußenden sicher überdeckt. Das Sn auf der leitenden Fläche und auf den Leiterbahnenden wird durch Wiederaufschmelz-Löten verschmolzen, so daß eine Lötverbindung zwischen den Strukturen entsteht und der Kurzschlußrahmen wieder geschlossen ist.
Für den Fall, daß die Leiterbahnstruktur eine andere Oberfläche als Sn hat (z. B. Au), ist vorstellbar, die leitende Fläche 5 und die Leiterbannenden mit einem Leitkleber zu verbinden.
Fig.4 zeigt einen Querschnitt durch den Ausschnitt nach F i g. 3. Die strichlierte Linie stellt den Kupferlappen der leitenden Fläche 5 vor und die durchgezogene Linie nach dem Aufkleben bzw. Auflöten auf die Leiterbahnstruktur dar. Es ist erkennbar, wie nach dem Umklappen der Kupferlappen der leitenden Fläche 5 auf die verlängerten gedruckten Leiterbahnenden, die zu den Anschlüssen des integrierten Schaltkreises führen, aufgelegt ist.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (3)

Patentansprüche:
1. Auf einen Filmträger mit geätzten Leiterbahnstrukturen montierter integrierter Schaltkreis, dessen Anschlüsse zum Schutz vor elektrostatischen Aufladungen während des Transports und dgl. über die Leiterbahnen an einen Kurzschlußpunkt geführt und mit einer Erdungsschiene verbunden sind, wobei die Leiterbahnen am Kurzschlußpunkt so ausgebildet sind, daß sie durch Ausstanzen des Materials der Leiterbahnen am Kurzschlußpunkt elektrisch voneinander getrennt werden, dadurch gekennzeichnet, daß in der Leiterbahnstruktur zwischen dem Kurzschlußpunkt (3) und der Erdungsschiene (4) eine beide miteinander verbindende leitende Fläche (5) vorgesehen ist, die an zwei Seiten von der Leiterbahnstruktur getrennt und über einen Ausschnitt (6) im Film angeordnet und so dimensioniert ist, daß sie nach dem Aufschneiden der dritten Seite über die vierte Seite so umklappbar ist, daß sie alle zu dem Kurzschlußpunkt (3) führenden Leiterbahnenden (1,2) überdeckt und elektrisch miteinander verbindet.
2. Integrierter Schaltkreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Leiterbahnstruktur einschließlich der leitenden Fläche (5) verzinnt ist
3. Integrierter Schaltkreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Leiterbahnstruktur einschließlich der leitenden Fläche (5) vergoldet ist und daß die leitende Fläche (5) und die Enden der zu dem Kurzschlußpunkt (3) führenden Leiter (2) mit einem Leitkleber versehen sind.
DE3035125A 1980-09-17 1980-09-17 Integrierter Schaltkreis Expired DE3035125C2 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3035125A DE3035125C2 (de) 1980-09-17 1980-09-17 Integrierter Schaltkreis

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3035125A DE3035125C2 (de) 1980-09-17 1980-09-17 Integrierter Schaltkreis

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3035125A1 DE3035125A1 (de) 1982-03-25
DE3035125C2 true DE3035125C2 (de) 1986-07-31

Family

ID=6112221

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE3035125A Expired DE3035125C2 (de) 1980-09-17 1980-09-17 Integrierter Schaltkreis

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE3035125C2 (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3234745C2 (de) * 1982-09-20 1986-03-06 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur Handhabung von filmmontierten integrierten Schaltkreisen und Vorrichtung zu seiner Durchführung

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4132856A (en) * 1977-11-28 1979-01-02 Burroughs Corporation Process of forming a plastic encapsulated molded film carrier CML package and the package formed thereby

Also Published As

Publication number Publication date
DE3035125A1 (de) 1982-03-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3123198C2 (de) Trägerelemente für einen IC-Baustein
DE2732529C2 (de) Gedruckte Schaltungsplatine
DE69724932T2 (de) Passives bauelement
EP0961531B1 (de) Hochintegrierte elektronische Schaltung, insbesondere zum Einsatz in Herzschrittmachern
DE4317125C2 (de) Monolithische Mehrschicht-Chip-Induktivität
DE2800006A1 (de) Universell programmierbarer kurzschliesstecker fuer eine steckfassung einer integrierten schaltung
DE3128409A1 (de) Gedruckte schaltungsplatte
DE3535923C2 (de)
DE3234745C2 (de) Verfahren zur Handhabung von filmmontierten integrierten Schaltkreisen und Vorrichtung zu seiner Durchführung
DE60128537T2 (de) Zusammenbau zur verbindung von mindestens zwei gedruckten schaltungen
DE4415387A1 (de) Elektrischer Koaxialverbinder
DE3809999A1 (de) Kartenleser-anschlusseinheit fuer ic-karten
DE4111049A1 (de) Steckverbindung fuer eine schichtfoermige elektrode zur ionenkonzentrationsmessung
DE2837318C2 (de) Anordnung zur Herstellung einer elektrischen Verbindung
DE3035125C2 (de) Integrierter Schaltkreis
EP0026839B1 (de) Flexible gedruckte Schaltung
EP0384022B1 (de) Hochspannungselektrodenanordnung
DE4036079A1 (de) Elektronisches bauteil und elektronische vorrichtung mit einem derartigen bauteil
EP2367202B1 (de) Verfahren zur Herstellung einer elektrisch leitenden Verbindung eines Kontaktes mit einem Gegenkontakt
WO1998028956A1 (de) Leiterfolie zur leitenden verbindung von elektrischen und/oder elektronischen baukomponenten
DE3336273A1 (de) Sensoreinheit
DE4038460C2 (de) SMD-Bauteilverbindung zu einer Leiterplatte
DE4236822A1 (de)
DE3220044C2 (de)
DE3036439C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Rückseitenkontaktes bei filmmontierten integrierten Schaltkreisen

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee