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DE3021456A1 - Anschluss-schaltung zur verbindung einer elektronischen tastatur mit der zugehoerigen leitung - Google Patents

Anschluss-schaltung zur verbindung einer elektronischen tastatur mit der zugehoerigen leitung

Info

Publication number
DE3021456A1
DE3021456A1 DE19803021456 DE3021456A DE3021456A1 DE 3021456 A1 DE3021456 A1 DE 3021456A1 DE 19803021456 DE19803021456 DE 19803021456 DE 3021456 A DE3021456 A DE 3021456A DE 3021456 A1 DE3021456 A1 DE 3021456A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistor
connection circuit
resistor
circuit according
emitter
Prior art date
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Withdrawn
Application number
DE19803021456
Other languages
English (en)
Inventor
Mario Dipl Ing Besi
Vittorio Dipl Ing Montesi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Italtel SpA
Original Assignee
Societa Italiana Telecomunicazioni Siemens SpA
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Filing date
Publication date
Application filed by Societa Italiana Telecomunicazioni Siemens SpA filed Critical Societa Italiana Telecomunicazioni Siemens SpA
Publication of DE3021456A1 publication Critical patent/DE3021456A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04M—TELEPHONIC COMMUNICATION
    • H04M1/00—Substation equipment, e.g. for use by subscribers
    • H04M1/26—Devices for calling a subscriber
    • H04M1/30—Devices which can set up and transmit only one digit at a time
    • H04M1/31—Devices which can set up and transmit only one digit at a time by interrupting current to generate trains of pulses; by periodically opening and closing contacts to generate trains of pulses
    • H04M1/312—Devices which can set up and transmit only one digit at a time by interrupting current to generate trains of pulses; by periodically opening and closing contacts to generate trains of pulses pulses produced by electronic circuits

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  • Signal Processing (AREA)
  • Interface Circuits In Exchanges (AREA)
  • Devices For Supply Of Signal Current (AREA)

Description

302H58
(DB 429) 10800/H/Ro.
Ital.Anm. Nr. 23279 A/79
vom 5. Juni 1979
Societä Italiana Telecomunicazioni
Siemens s.p.a.
Piazzale Zavattari, 12, Mailand/Italien
Anschluß-Schaltung zur Verbindung einer elektronischen Tastatur mit der zugehörigen Leitung.
Die Erfindung bezieht sich auf eine Anschluß-Schaltung (Interface-Schaltung) gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Diese Schaltung eignet sich vor allem für eine elektronische Tastatur mit (selbsttätiger) Wahlwiederholung, d.h. mit dekadischer Erzeugung der Wählimpulse zum Ersatz der Wählscheibe in Fernsprechapparaten, welche an öffentliche oder private Vermittlungszentralen traditioneller Art angeschlossen sind. Seit langem bekannte Wahltastaturen für Fernsprechapparate sind mit einem Codierer für die gewählten Ziffern, einem Speicher für diese Wählziffern und einem Taktgeber zum Umsetzen der gespeicherten Ziffern in Impulsfolgen für dekadische Wahl versehen. Ferner haben sie Hilfsschaltungen wie Lösch- oder Rücksetz-, Speise- und zur Verbindung mit der Fernsprechleitung dienende Anschluß-Schaltungen. Die fortschreitende Minxaturisxerungs- und Integrationstechnik erlaubt die Realisierung elektronischer Tastaturen, deren Abmessungen einer Wählscheibe entsprechen, und die mit letzterer austauschbar sind* Insbesondere stehen seit langem
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integrierte Schaltungen zur Verfügung, welche den Codierer, den Speicher und den Taktgeber in einem einzigen Chip (der sogenannten CMR-Einheit) vereinen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Anschluß-Schaltung der genannten Art anzugeben, die einfacher ist als bekannte Schaltungen, insbesondere hinsichtlich des Speisens der Tastatur-Schaltungen und namentlich des Speichers für die Wählinformation.
Diese Aufgabe wird durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1 gelöst.
Die hier beschriebene Anschluß-Schaltung wird zwischen der Leitung und der integrierten Schaltung (CMR-Einheit) der Tastatur eingesetzt, welcher sie die Spexsespannungen auch bei Ruhestellung, d.h. aufgelegtem Handapparat sowie ein Kriterium über den Kontaktzustand des Gabelumschalters liefert. Sie wird vom Taktgeber gesteuert und übt somit die zweifache Funktion des Speisens und der Taktsteuerung der Impulse der dekadischen Wahl aus. Ein weiterer Vorteil ergibt sich aus der Tatsache, daß sich bei geschlossenem Gabelumschalter eine niedrige und bei offenem Gabelumschalter eine hohe Impedanz einstellt. Außerdem schützt die Anschluß-Schaltung die gesamte elektronische Anordnung vor überspannung und überstrom.
Nachstehend wird die Erfindung anhand eines in der Zeichnung dargestellten nicht einschränkenden Ausführungsbeispiels näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 ein Blockschaltbild eines Fernsprechapparates mit der hier beschriebenen Anschluß-Schaltung; und
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Fig. 2 eine bevorzugte Ausführungsform der Anschluß-Schaltung.
Das Blockschaltbild stellt einen Tasten-Fernsprechapparat mit der zwischen den Klemmen 1 und 2 befindlichen Anschluß-Schaltvng INT dar. An die Klemmen 1 und 2 sind - in Apparaten mit Wählscheibe - die Kontakte der Wählscheibe und die Sprech-Schaltung CC angeschlossen, a und b sind die Adern der Fernsprech-Schleife. Parallel zu dem Gabelumschalter ("Hakenkontakt") G ist ein hochohmiger Widerstand R.. geschaltet.
Die Anschluß-Schaltung INT liefert der den Codierer, Speicher und Taktgeber enthaltenden integrierten Schaltung CMR die Speisespannung an den Klemmen VD und VS und das Gabelumschalter-Kriterium an der Klemme SG und erhält von ihr die Wählimpulse an der Klemme SC, welche von der Tastatur T erzeugt und von der integrierten Schaltung CMR in dekadische Form umgesetzt werden.
Der Fig. 2 sind die wesentlichen Schaltungseinzelheiten der Anschluß-Schaltung INT zu entnehmen.
Der zu dem Gabelumschalter G parallelgeschaltete hochohmige Widerstand R.. ermöglicht bei offenem Gabelumschalter G einen Stromdurchfluß in der Leitungsschleife, der zu gering ist, um in der zentralen Vermittlungsstelle das Belegungskriterium zu erzeugen, jedoch ausreicht, um über die Anschluß-Schaltung die Speisung der integrierten Schaltung und demzufolge die Erhaltung des Speicherinhaltes zu gewährleisten. Bei Ausfall der Speisung könnte sonst die im Speicher der integrierten Schaltung enthaltene letzte Wählinformation verloren gehen oder geändert werden. Eine darauffolgende Anforderung, den Anruf zu wiederholen, z.B. mittels Betätigung einer der
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Tasten außerhalb der Ziffern-Tastatur, wäre dann unmöglich oder würde zu einer Fehlverbindung führen.
Die Diodenbrücke P gewährleistet, daß die Anschluß-Schaltung stets die dargestellte richtige Eingangspolung hat, unabhängig von der Polung der Klemmen der Adern a und b.
Ein wichtiges Erfindungsmerkmal besteht darin, daß während der Belegungs-Phase, d.h. bei geschlossenem Gabelumschalter G eine niedere Impedanz und während der Freigabe-Phase, wenn der wenige vorhandene Strom durch die integrierte Schaltung fließt, eine hohe Impedanz vorherrscht. Während in bekannten Anordnungen zum Speisen des Speichers während der Belegungsbzw, während der Freigabe-Phase zwei getrennte Anschluß-Schaltungen vorgesehen sind, die jeweils mittels Diodenbrücken oder Brückenteilen, die voneinander entkoppelt sind, an die Leitung angeschlossen sind, übt die hier beschriebene einzige Schaltung beide Funktionen aus.
Nachstehend werden getrennt die verschiedenen Funktionsphasen erläutert, wobei nur die direkt betroffenen Bestandteile behandelt werden.
Wenn in der Belegungs-Phase der Gabelumschalter G offen ist, sind die Transistoren Q^ und Q2 gesperrt. Bei Schließen des Gabelumschalters G nimmt sofort die Spannung an den Enden des durch die Z-Diode Z. und den Widerstand R4 gebildeten Basiskreis des Transistors Q- zu. Der Widerstand R4 wird darum von einem Strom durchflossen, der den Transistor Q-in den Durchlaßzustand versetzt. Mittels des aus den Widerständen R2 und R, bestehenden Spannungsteilers spannt der Kollektorstrom des Transistors Q1 den Basiskreis des Transistors Q2 in den Durchlaßzustand vor. über den Widerstand R5
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ändert der Kollektorkreis des Transistors Q„ die Basisvorspannung des Transistors Q.. und erhöht dessen Durchfluß. Durch diese Mitkopplung werden beide Transistoren Q1 und Q2 in Sättigung versetzt.
Zwischen den Speisungsklemmen VD und VS liegt die Speisespannung für die intergrierte Schaltung CMR (Fig. 1), die vor der Z-Diode Z„ festgesetzt wird. Der Widerstand Rfi ist nicht unbedingt notwendig, kann jedoch vorteilhaft während der Freigabe oder während der Erzeugung der Wählziffern durch Tastenbetätigung die Basis des Transistors Q1 auf ein solches Potential festlegen, daß dieser nicht leiten und somit wegen des geringen möglichen Basis-Stromes, welcher durch die Z-Diode Z1 und den Widerstand R. fließen kann, keine Kopplung bewirkt werden kann, wie weiter unten noch erläutert wird.
Während der Belegungs-Phase sind die Transistoren Q1 und Q2 gesättigt, und die Impedanz der Anschluß-Schaltung ist praktisch jene der in Durchflußrichtung leitenden Dioden der Brücke P, der niederohmigen Widerstände R10 und Rq und der Z-Diode Z2. Da der Transistor Q2 gesättigt ist, leiten die Dioden D2 und D^, so daß für die Spannungen an den Klemmen SG bzw. VS VSG β Vs gibt.
Die dargestellte Anordnung für die miteinander in Mitkopplung verbundenen Transistoren Q1 und Q2 erscheint besonders vorteilhaft, da die Anschluß-Schaltung dadurch mit lediglich zwei Transistoren (und dem weiteren Transistor Qg zur Abgabe der Wählimpulse und zum Schutz der Schaltung) auskommt und während der Belegung eine sehr niedere Impedanz und während der Freigabe und den Wähl impulsen eine hohe Impedanz aufweist.
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Denn wie noch genauer erläutert wird, schließt das Sperren der Transistoren Q1 und Q2 die notwendigerweise niederohmigen Vorspann-Widerstände R2, R^ und R5 aus dem Schaltkreis aus, während die hochohmigen Widerstände Rg und eventuell R. eingeschaltet bleiben. Eine andersartige Schaltungsanordnung würde bei derselben Leistungsfähigkeit eine größere Anzahl an Transistoren benötigen.
Während der nun zu erläuternden Phase der Freigabe ist die Anschluß-Schaltung über den hochohmigen, zu dem offenen Gabelumschalter G parallel liegenden Widerstand R. an die Schleife angeschlossen. Der Strom durch den Widerstand R-ist unzureichend, um den Transistor Q- leiten zu lassen, da die Spannung an den Brückenenden niedriger ist als der Schwellenwert der Z-Diode Z... Beide Transistoren Q1 und Q2 sind also gesperrt.
Die mit dem Widerstand R1 in Reihe geschaltete Zentralbatterie entspricht einem idealen Stromgenerator. Die Anschluß-Schaltung weist eine hohe Impedanz auf, welche durch den (hochohmigen) Widerstand Rg gebildet ist, der dem Eingangswiderstand R3. der integrierten Schaltung CMR in Reihe geschaltet ist. Der Wert von R- kann sich in einem Bereich bekannter Werte entsprechend dem Streubereich der Eigenschaften, d.h. der Stromaufnahme der integrierten Schaltung im Ruhezustand ändern. Da der Transistor Q2 gesperrt ist, fließt im Widerstand R- kein Strom. Es ist also VgG = VD. Die Speisespannung VD - V„ (Spannungen an den Klemmen VD bzw. VS) ist durch die Z-Diode Z3 begrenzt.
Während der Belegungs-Phase wird der Spannungsfall zwischen den Klemmen 1 und 2 vornehmlich vom Spannungsabfall an den Armen der Brücke P und an der Z-Diode Z2 bewirkt. Damit
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dieser Spannungsabfall möglichst niedrig gehalten werden kann, soll eine Z-Diode Z2 mit der kleinstmöglichen Schwellenspannung für Mindest-Schleifenstrom verwendet werden, soweit mit der Betriebsspannung der zu speisenden integrierten Schaltung vereinbar ist. Wenn auch während der Freigabe-Phase der in diesem Fall sehr kleine (viel niedrigere) Strom noch durch die Z-Diode Z2 fließen würde, könnte die dadurch bewirkte Spannung die Erhaltung des Speicherinhaltes nicht mehr gewährleisten. Läßt man dagegen diesen, wenn auch kleinen Strom, durch den Schaltungszweig mit der intergrierten Schaltung CMR fließen, wird man lediglich die erreichbare Speisespannung auf einen zulässigen Höchstwert beschränken müssen. Hierzu dient die Z-Diode Z3, welche zu der Z-Diode Z» parallelgeschaltet ist und eine höhere Schwellenspannung hat.
Die Werte der Widerstände R- und Rg sowie die Schwellenwerte der Z-Dioden Z.. und Z3 werden so gewählt, daß innerhalb der normalen Toleranzbereiche der Bauelemente die Spannung an den Enden der Brücke P niedriger ist als die Schwellenspannung der Z-Diode Z^ und der gesamte Strom, der durch die Anschluß-Schaltung INT fließt, zur integrierten Schaltung gelangt. Nur wenn in irgendwelchen Toleranz-Grenzfällen die Spannung an den Brückenenden den Schwellenwert von Z.. übertrifft, fließt der überschüssige Strom über Q- und den Widerstand R. zurück. Der schon erwähnte Widerstand Rg verhindert hierbei, daß dieser Strom am Transistor Q- die Mitkopplung bewirken kann.
Nun soll die Impulsabgabe erläutert werden. Die Wählimpulse werden erzeugt, indem unter Steuerung durch den in der integrierten Schaltung CMR vorhandenen Taktgeber die sonst von den Kontakten der Wählscheibe hervorgerufenen Leitungs-
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Unterbrechungen simuliert werden. Die Anschluß-Schaltung muß also eine hohe Impedanz aufweisen, was - wie bereits hinsichtlich der Freigabe bemerkt - für die zentrale Vermittlungsstelle einer Öffnung der Leitung entspricht. Zu diesem Zweck versetzen die vom Taktgeber erzeugten Wählimpulse an der Klemme SC den Transistor Q3 in den Durchlaß-Zustand. Der Transistor Q3 sperrt Q1, wodurch die Mitkopplung unterbrochen und der Transistor Q2 gesperrt wird. Durch Sperren der Transistoren Q- und Q2 wird verhindert, daß die an den Klemmen 1 und 2 der Anschluß-Schaltung vorhandene Impedanz durch die nicht hochohmigen Vorspannwiderstände R2, Ro/ R5 beeinflußt wird. Für die Leitung existieren nur die Widerstände R. und R„ hohen Wertes, mit denen die zwei festen Spannungen der Z-Dioden Z1 und Z3 in Reihe liegen.
Von Interesse ist schließlich noch der Schutz vor vorübergehendem Überstrom und Überspannung. Wenn während der Belegungs-Phase der von der Leitung kommende Strom einen festgelegten Wert überschreitet, versetzt die über dem Widerstand Rg liegende Spannung den Transistor Q3 in den Durchlaßzustand, auch wenn die Wählimpulse der Klemme SC fehlen. Wenn Q3 leitet, entzieht er dem Transistor Q1 Strom und verlagert dessen Arbeitspunkt in Sperr-Richtung. Die Kopplung der Transistoren Q1 und Q2 neigt zum öffnen. Bei zunehmendem Leitungsstrom leitet Q3 immer mehr, wodurch dem Schaltkreis der Transistoren Q1 und Q2 entsprechend mehr Strom entzogen und das Ansteigen des Stromes auf die Z-Diode Z2 beschränkt wird.
Die Schutzeinrichtung wirkt bereits bei vorübergehenden überstrom mit Überspannungen, welche niedriger als die Schwellenspannung der Z-Diode Z. sind. Wenn die Überspannung
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den Schwellenwert von Z4 überschreitet, wird der Transistor Q3 gesättigt, wodurch die Transistoren Q.. und Q2 vollkommen gesperrt werden. Die leitende Z-Diode Z4 absorbiert den Stromüberschuß und verhindert, daß die Transistoren Q- und Q2 für zu lange Zeit in Durchlaß-Bereichen arbeiten, in denen sie beschädigt oder zerstört würden.
Die in Reihe geschalteten Dioden D4 und Dr dienen zur Begrenzung der Spannung über dem Widerstand R„, so daß dann, wenn die überspannung den Schwellenwert der Z-Diode Z4 überschreitet und die Transistoren Q^ und Q2 vollständig sperren, keine gefährlich hohe Sperrspannung zwischen Basis und Emitter des Transistors Q1 entsteht. Man kann die Dioden D4 und D5 durch andere Bauelemente ersetzen (z.B. eine niederwertige Z-Diode oder eine Spezialdiode) mit der Bedingung, daß ihre Schwellenspannung niedriger als die Sperrdurchbruchspannung des Basis-Emitter-Übergangs des Transistors Q1 und höher als die Emitter-Basis-Schwellenspannung des Transistors Q3 ist. Der niederohmige Widerstand R10 dient zur Begrenzung des Stromes, welcher im letztbeschriebenem Zustand die zwei Dioden der Brücke P, die Dioden D4 D5 und die Z-Diode Z4 durchfließt.
Im Rahmen der Erfindung kann man die der Fig. 2 zu entnehmende Ausführungsform zur Anpassung an besondere Anforderungen abwandeln. Beispielsweise hat bei der beschriebenen Schaltung das Haken- oder Gabelumschaltkriterium an der Klemme SG den "hohen" Binärwert bei aufgelegtem Handapparat und den 'niedrigen" Binärwert bei abgehobenem Handapparat (Belegung, geschlossener Gabelumschalter G). Wenn die Klemme SG aber an eine intergrierte Schaltung CMR angeschlossen werden muß, die den "hohen" Binärwerc bei abgehobenem Handapparat erfordert, kann das Kriterium (SG) z.B. mittels einer Diode
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vom Kollektor des Transistors Q- hergeleitet werden. Ebenso einfache Änderungen der Schaltung sind möglich, wenn Transistoren Q3 und/oder Q^ und Q2 vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp (pnp anstatt npn oder umgekehrt verwendet werden sollen. Schließlich besteht auch die Möglichkeit, einen Spannungsvervielfacher an Stelle der Diode D2 zwischen die Z-Dioden Z2 und Z3 zu schalten, um die Spannung V"D - Vg der integrierten Schaltung zu erzeugen. Dabei geht man von einer sehr niedrigen Spannung an den Enden von Z2 aus und erhält somit einen kleineren Abfall der Lextungsspannung in der Belegungs-Phase.
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Claims (13)

  1. PATENTANWÄLTE 3 O 2 1 A 5
    DR. DIETER V. BEZOLD
    DIPL. ING. PETER SCHÜTZ
    DIPL. ING. WOLFGANG HEUSLER
    MARIA-THERESIA-STRASSE 22 POSTFACH 86 04-*« 2*>O
    D-8OOO MUENCHEN 86
    TELEFON 0897*7 69 4768
    AB SEPT. I98O: 4 7O6OO6 TELEX 522 638 TELEGRAMM SOMBEZ
    (DB 429) 10800/H/Ro.
    Ital.Anm.Nr. 23279A/79
    vom 5. Juni 1979
    Societä Italiana Telecomunxcazioni
    Siemens s.p.a.
    Piazzale Zavattari, 12, Mailand/Italien
    Anschluß-Schaltung zur Verbindung einer elektronischen Tastatur mit der zugehörigen Leitung.
    Patentansprüche
    Anschluß-Schaltung zur Verbindung einer elektronischen, mit einer integrierten Schaltung aus einem Codierer, einem Speicher und einem Taktgeber versehenen Tastatur eines Fernmelde-, insbesondere Fernsprechapparates mit der zugehörigen Leitung, in der sich ein Gabelumschalter befindet, gekennzeichnet durch zwei miteinander in Mitkopplung verbundene komplementäre Transistoren (Q-, Q2), einen Anlaß-Schaltkreis für die Mitkopplung, einen
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    ZUGELASSEN BEIM EUROPÄISCHEN PATENTAMT · PROFESSIONAL REPRESENTATIVES BEFORE THE EUROPEAN PATENT OFFICE POSTSCHECK MÜNCHEN NR. 6 9148-800 · BANKKONTO,HYPOBANK MÜNCHEN (BLZ 700 2OO4O) KTO. 60 60 25 7378 SWIFT HYPO DE MM
    ORIGINAL INSPECTED
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    dritten Transistor (Q3), welcher unter Steuerung durch ein von dem Taktgeber erzeugtes Wählkriterium (Klemme SC) in der Lage ist, durch Unterbrechung der Mitkopplung den ersten Transistor (Q^) zu sperren, zum Schutz gegen Überstrom und Überspannung dienende Anordnungen, eine den Zustand des Gabelumschalters (G) feststellende Anordnung, welche ein entsprechendes Kriterium (Klemme SG) für die Schaltung (CMR) der Tastatur erzeugt, und einen zum Gabelumschalter (G) parallelgeschalteten hochohmigen Widerstand (R.).
  2. 2.) Anschluß-Schaltung gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß sie mittels einer einzigen Dioden-Brücke (P) an die Fernsprech-Schleife angeschlossen ist.
  3. 3.) Anschluß-Schaltung gemäß Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet , daß der Emitter des ersten Transistors (Q1) mittels eines niederohmigen Widerstandes (Rg) an einen Pol der Brücke (P), sein Kollektor über einen Widerstands-Spannungsteiler (R3, R3) an den zweiten Pol der Brücke (P) und seine Basis über einen weiteren Widerstand (Rg) an den Kollektor des zweiten Transistors (Q2) angeschlossen ist, dessen Basis an den Mittelabgriff dieses Widerstands-Spannungsteilers (R,, R3) und dessen Emitter an den zweiten Pol der Brücke (P) geschaltet ist, und daß die Speisespannung für die integrierte Schaltung (CMR) der Tastatur aus der zwischen dem Emitter des ersten Transistors (Q-) und dem Kollektor des zweiten Transistors (Q3) liegenden Spannung gewonnen wird, zu deren Stabilisierung eine erste/Diode (Z3) vorgesehen ist.
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  4. 4.) Anschluß-Schaltung gemäß Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet , daß zwischen die erste Z-Diode (Z„) und wenigstens eine der Speisungsklemmen (VD, VS) der integrierten Schaltung (CMR) ein Spannungsvervielfacher geschaltet ist, und daß die Spannung zwischen diesen Klemmen (VD, VS) mittels einer zweiten Z-Diode (Z-) , deren Schwellenspannung größer ist als jene der ersten Z-Diode (Z2) , stabilisiert wird.
  5. 5.) Anschluß-Schaltung gemäß einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Emitter des dritten Transistors (Qo) an den ersten Pol der Brücke (P) und sein Kollektor bzw. seine Basis an die Basis bzw. an den Emitter des ersten Transistors (Q..) angeschlossen sind, und daß die Basis des dritten Transistors (Qo) von dem Wählkriterium (Klemme SC) gesteuert wird.
  6. 6.) Anschluß-Schaltung gemäß einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen die Basis des ersten Transistors (Q1) und den zweiten Pol der Brücke (P) eine dritte Z-Diode (Z1) und ein zweiter hochohmiger Widerstand (R^) in Reihe geschaltet sind, und daß zwischen dem Emitter und dem Kollektor des zweiten Transistors (Q2) ein dritter hochohmiger Widerstand (Rg) liegt.
  7. 7.) Anschluß-Schaltung gemäß Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet , daß der Anlaß-Schaltkreis der Mitkopplung durch die dritte Z-Diode (Z1) und den zweiten hochohmigen Widerstand (R.) gebildet ist.
  8. 8.) Anschluß-Schaltung gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
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    das Gabelumschaltkriterium (Klemme SG), das bei geschlossenem Gabelumschalter (G) niedrigen Binärwert hat, dem Verbindungspunkt zwischen einem Widerstand (R-) und einer Diode (Dg) entnommen wird, welche in Reihe zwischen den Emitter des ersten und den Kollektor des zweiten Transistors (Q- bzw. Q2) geschaltet ist.
  9. 9.) Anschluß-Schaltung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Gabelumschaltkriterium (Klemme SG), das bei geschlossenem Gabelumschalter (G) hohen Binärwert hat, mittels einer Diode vom Kollektor des ersten Transistors (Q1) entnommen wird.
  10. 10.) Anschluß-Schaltung gemäß einem der Ansprüche 5 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die zum Schutz gegen überspannung dienende Anordnung durch den dritten Transistor (Q3) und eine vierte Z-Diode (Z4) , die hohe Überspannungen aushält und zwischen dem Emitter des ersten Transistors (Q-) und dem zweiten Pol der Diodenbrücke (P) liegt, gebildet ist, und daß der dritte Transistor (Q3) von der Spannung über dem Widerstand (Rg) zwischen dem ersten Pol der Brücke (P) und dem Emitter des ersten Transistors £)..) sättigbar ist.
  11. 11.) Anschluß-Schaltung gemäß Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet , daß die Schutzanordnung gegen Überspannung wenigstens eine Diode (D., Dj-) parallel zu dem genannten Widerstand (Rg) enthält.
  12. 12.) Anschluß-Schaltung gemäß einem der Ansprüche 5 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die zum Schutz gegen Überstrom dienende Anordnung durch den dritten
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    Transistor (Q^) gebildet ist, welcher von der Spannung über dem Widerstand (Rg) zwischen dem ersten Pol der Brücke (P) und dem Emitter des ersten Transistors (Q1) in den Durchlaßzustand versetzt wird.
  13. 13.) Anschluß-Schaltung gemäß Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet , daß die Schutzanordnung gegen überstrom einen niederohmigen Widerstand (R10) enthält, welcher in Reihe mit der Fernsprech-Schleife geschaltet ist.
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DE19803021456 1979-06-05 1980-06-06 Anschluss-schaltung zur verbindung einer elektronischen tastatur mit der zugehoerigen leitung Withdrawn DE3021456A1 (de)

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