DE2946235C3 - Verfahren zur Erzeugung einer Belichtungsmaske zur Herstellung von mattstreuenden Strukturen neben opaken und/oder transparenten Strukturen - Google Patents

Description

a.) Auf die Belichtungsmaske (1) wird eine Photoresistschicht (6) aufgetragen und mit einer Mattscheibe (7) belichtet, wodurch entsprechend den Streuelementen der Mattscheibe (7) statistisch verteilte unterschiedlich große belichtete und unbelichtete Mikrobereiche in der Photoresistschicht (6) entstehen;

b.) nach dem Entwickeln und Auswaschen dieser Photoresistschicht (6) werden eine opake Schicht (8) aufgebracht und anschließend daran die restlichen Teile der Photoresistschicht (6) mit den daran haftenden Teilen der opaken Schicht (8) entfernt;

c.) auf einem transparenten Scnichtträger (10) werden eine zu strukturierende Schicht (11) und darauf eine Photoresistschicht (12) aufgebracht die unter Verwendung der gemäß a.) und b.) vorstrukturierten Belichtungsmaske Q) strukturmäßig belichtet wird;

d.) nach dem Entwickeln und Auswaschen der Photoresistschicht (12) werden die freiliegenden Stellen der zu strukturierenden Schicht (11) und die restlichen Teile der Photoresistschicht (12) entfernt;

e.) anschließend daran wird die an diesen Stellen freiliegende Oberfläche des transparenten Schichtträgers (10) tiefgeätzt.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die opake Schicht (C) aus Metall oder Metalloxyd besteht.

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung einer Belichtungsmaske zur Herstellung von mattstreuenden Strukturen neben opaken und/oder transparenten Strukturen gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.

Derartige mattstreuende Strukturen finden beispielsweise bei Sucherscheiben für Kameras und Strichplatten für Theodolite Verwendung.

Bislang konnten mattstreuende Strukturen dadurch hergestellt werden, daß die zu strukturierende Schicht auf eine mechanisch hergestellte Mattscheibe aufgebracht wurde. Dieses Verfahren hat aber den Nachteil, daß die zu strukturierende Schicht dabei zu Fehlstellen infolge Löcherbildung neigt. Zudem können bei diesem Verfahren nur mattstreuendp und opake Strukturen erzielt werden.

Aus der DE-PS 22 61780 ist ein Verfahren zur Herstellung eines Phasenrings für die Phasenkontrastmikroskopie in Form von unmittelbar nebeneinander liegenden, aus zwei verschiedenen Materialien bestehenden Strukturen bekannt, die Phase und/oder Intensität des hindurchgehenden Lichts vorgebbar beeinflussen. Auf einer transparenten, gegen alkalische Lösungsmittel resistenten Trägerschicht werden eine alkalisch lösbare Absorberschicht aus Aluminium und darauf eine Photolackschicht aufgebracht die mit einer Belichtungsmaske für den Absorberring belichtet und danach entwickelt wird. Anschließend werden die freiliegenden Stellen der Absorberschicht entfernt. In einem weiteren Schritt wird eine Phasenschieberschicht aufgebracht und die restliche Photolackschicht mitsamt der anhaftenden Phasenschieberschicht entfernt.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung von mattstreuenden Strukturen auf einem transparenten Schichtträger neben opaken und/oder transparenten Strukturen auf rein photolithographischem Weg anzugeben.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1 gelöst.

Die mit der Erfindung erzielten Vorteile bestehen

insbesondere darin, daß das vorgeschlagene Verfahren

die Herstellung von mattstreuenden Strukturen neben transparenten und opaken Strukturen unter Verwendung nur einer Belichtungsmaske erlaubt.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt und wird im folgenden näher erläutert. Es zeigen

Fig. la —e die Herstellung einer Belichtungsmaske nach der Erfindung und

Fig. 2a—d die Herstellung von mattstreuenden Strukturen.

Zur Hersteilung einer Belichtungsmaske i nach der Erfindung werden auf einem transparenten polierten Schichtträger 2 eine Chromschicht 3 und darauf eine Photolackschicht 4 aufgebracht (Fig. la). Diese Photolackschicht 4 wird mittels einer die herzustellende Struktur aufweisenden Hilfsmaske 5 belichtet; nach Entfernen der belichteten Strukturteile der Photolackschicht 4 werden die freiliegenden Teile der Chromschicht 3 weggeätzt und die verbliebene Photolackschicht 4 entfernt. Die Belichtungsmaske i weist nun die herzustellende Struktur auf (Fig. Ib).

Auf die die zu erzeugende Struktur aufweisende Belichtungsmaske !wird eine weitere Photolackschicht 6 aufgebracht und unter Verwendung einer mechanisch hergestellten Mattscheibe 7 belichtet (F i g. Ic), wodurch entsprechend den Streuelementen der Mattscheibe 7 statistisch verteilte unterschiedlich große belichtete und unbelichtete Mikrobereiche in der Photoresistschicht 6 entstehen. Nach Entfernen der belichteten Teile der Photolackschicht 6 wird eine weitere Chromschicht 8 aufgebracht (Fig. Id) und anschließend die restliche Photolackschicht 6 mitsamt der anhaftenden Chromschicht 8 entfernt. Die Belichtungsmaske 1 weist nun über die gesamte Oberfläche statistisch verteilte unterschiedlich große Chrompartikel 9 als Restbestandteile der Chromschicht 8 auf.

Zur Herstellung von mattstreuenden Strukturen werden auf einem transparenten Schichtträger 10 eine Chromschicht 11 und darauf eine Photolackschicht 12 aufgebracht (F i g. 2a). Diese Photolackschicht 12 wird unter Verwendung der oben beschriebenen Belichtungsmaske i belichtet; nach Entfernen der belichteten Teile der Photolackschicht 12 werden die freiliegenden Teile der Chromschicht 1 weggeätzt (F i g. 2b) und die restliche Photolackschicht 12 entfernt. Anschließend wird die freiliegende Oberfläche des transparenten Schichtträgers 10 tiefgeätzt (F i g. 2c), bis die Chrompartikel 13 durch Unterätzung entfernt sind. Die opaken Strukturen 11 können anschließend ganz oder teilweise entfernt werden, so daß sich neben mattstreuenden Strukturen opake und transparente Strukturen ergeben.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

Patentansprüche:

1. Verfahren zur Herstellung von mattstrenenden Strukturen neben opaken und/oder transparenten Strukturen unter Verwendung einer Belichtungsmaske, gekennzeichnet durch die Kombination folgender Verfahrensschritte: