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DE2941653A1 - Verfahren zur herstellung von mos-transistoren - Google Patents

Verfahren zur herstellung von mos-transistoren

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Publication number
DE2941653A1
DE2941653A1 DE19792941653 DE2941653A DE2941653A1 DE 2941653 A1 DE2941653 A1 DE 2941653A1 DE 19792941653 DE19792941653 DE 19792941653 DE 2941653 A DE2941653 A DE 2941653A DE 2941653 A1 DE2941653 A1 DE 2941653A1
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DE
Germany
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field oxide
oxide
high dose
gate
oxide growth
Prior art date
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Withdrawn
Application number
DE19792941653
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English (en)
Inventor
Dipl.-Phys. Dr. Egon 8000 München Bußmann
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens AG
Siemens Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG, Siemens Corp filed Critical Siemens AG
Priority to DE19792941653 priority Critical patent/DE2941653A1/de
Publication of DE2941653A1 publication Critical patent/DE2941653A1/de
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    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/76202—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using a local oxidation of silicon, e.g. LOCOS, SWAMI, SILO
    • H01L21/76213—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using a local oxidation of silicon, e.g. LOCOS, SWAMI, SILO introducing electrical inactive or active impurities in the local oxidation region, e.g. to alter LOCOS oxide growth characteristics or for additional isolation purpose

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Description

  • Verfahren zur Herstellung von MOS-Transstoren.
  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von MOS-Transistoren, bei denen eine dünne Oxidschicht auf die Gatefläche aufgebracht wird und eine dicke Oxidschicht auf dem Feldbereich erforderlich ist.
  • Es hat sich gezeigt, daß man mit dem Isoplanarverfahren - auch LOCOS-Verfahren (local oxidation of silicon) genannt - in Verbindung mit einer besonderen Technologie zum Anbringen von P-dotierten Bereichen eine drastische Reduktion der erforderlichen Oberfläche erzielen kann.
  • In der LOCOS-Technologie wird der Gatebereich mit einer Siliziumnitridschicht auf Siliziumdioxid und Silizium während des Feldoxidaufbaus abgedeckt. Nach Abätzen dieser Schichtkombination wird das Gateoxid gesondert aufgebaut.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, gleichzeitig Feldoxid und Gateoxid eines MOS-Transistors herzustellen.
  • Dies geschieht nach der Erfindung dadurch, daß der Feldoxidbereich mit Ionen hoher Dosis implantiert und an- schließend in einem Temperaturbereich zwischen 55000 und 70000 gleichzeitig Gateoxid und Feldoxid aufgebaut werden. Auf diese Weise werden Gateoxid und Feldoxid in einem Schritt erzeugt. Es werden damit fehleranfällige Prozeßschritte, wie z. B. Oxidation, Nitridabscheidung, Dreistufenätzung und Reinigungen eingespart. Bei dem Verfahren nach der Erfindung dient die Implantation gleichzeitig als Channel-stop. Bei der angegebenen niederen Temperatur entstehen keine Kristallfehler. Ein weiterer Vorteil der Erfindung liegt darin begründet, daß bei Verwendung der Hochdruck-H20-Oxidation sich eine Zeitersparnis ergibt.
  • Nach einer Weiterbildung der Erfindung kann bei einem zweiten Arbeitsvorgang neues Gate- und weiteres Feldoxid aufgebaut werden. Auf diese Weise ist ein dickeres Feldoxid zu erreichen. Der wesentliche Vorteil besteht darin, daß fzr diesen zweiten Arbeitsgang keine zusätzliche Maskierung erforderlich ist.
  • Die Erfindung wird anhand der Figuren erläutert. Es zeigen im Schnitt: Figur 1 ein Substrat mit einer Fotolackabdeckung, Figur 2 die Implantation und Figur 3 die Oxidation.
  • Die Figur 1 zeigt lediglich ein Siliziumsubstrat 1, das mit einer Maske 2 aus Fotolack abgedeckt ist. Anschließend wird, wie in der Figur 2 dargestellt ist, der Feldoxidbereich mit Ionen hoher Dosis implantiert.
  • Dabei bilden sich in dem Siliziumsubstrat, das N+ dotiert ist, Bereiche 3. Nach dem Entlacken erfolgt eine Oxidationsbehandlung im Temperaturbereich zwischen 55000 und 700 0C - bevorzugt 620 0c - wobei gleichzeitig Gateoxid 4 und Feldoxid 5 aufgebaut werden. Bei einem ersten Oxidationsgang lassen sich z. B. Unterschiede im Oxidwachstum im Verhältnis 6:1 erreichen. Ein Uberätzen des Gateoxids und nochmalige Oxidation erhöhen das Verhältnis weiter.
  • Die Erfindung ist nicht auf das beschriebene Ausführungs beispiel und nicht ausschließlich auf die Herstellung von MOS-Transistoren beschränkt. Dieses Verfahren kann z. B. für jede selektive Oxidation von Halbleiterbereichen genutzt werden, in denen die Nachteile der Nitridabscheidung, Spannungsstress und "White Ribbon-Effekt", vermieden werden sollen.
  • 2 Patent ansprüche 3 Figuren

Claims (2)

  1. Patentansprüche. ~ 1. Verfahren zur Herstellung von MOS-Transistoren, bei denen eine dünne Oxidschicht auf die Gatefläche aufgebracht wird und eine dicke Oxidschicht auf dem Feldbereich erforderlich ist, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t , daß der Feldoxidbereich mit Ionen hoher Dosis implantiert (Figur 2) und im Temperaturbereich zwischen 5500C und 7000C gleichzeitig Gateoxid (4) und Feldoxid (5) aufgebaut werden (Figur 3).
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t , daß nach einem Uroeratzen des Gateoxids bei einem zweiten Oxidationsvorgang nochmals Gateoxid und Feldoxid aufgebaut werden.
DE19792941653 1979-10-15 1979-10-15 Verfahren zur herstellung von mos-transistoren Withdrawn DE2941653A1 (de)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5571736A (en) * 1987-12-03 1996-11-05 Texas Instruments Incorporated Fabricating a high density EPROM cell by removing a portion of the field insulator regions
US5733813A (en) * 1996-05-09 1998-03-31 National Semiconductor Corporation Method for forming planarized field isolation regions
US5918116A (en) * 1994-11-30 1999-06-29 Lucent Technologies Inc. Process for forming gate oxides possessing different thicknesses on a semiconductor substrate

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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