DE2719800B2 - Korpuskularstrahloptisches Gerät zur Projektion einer Maske auf ein Präparat mit einer Einrichtung zur Justierung der Maske relativ zum Präparat und Verfahren zur Justierung - Google Patents
Korpuskularstrahloptisches Gerät zur Projektion einer Maske auf ein Präparat mit einer Einrichtung zur Justierung der Maske relativ zum Präparat und Verfahren zur JustierungInfo
- Publication number
- DE2719800B2 DE2719800B2 DE19772719800 DE2719800A DE2719800B2 DE 2719800 B2 DE2719800 B2 DE 2719800B2 DE 19772719800 DE19772719800 DE 19772719800 DE 2719800 A DE2719800 A DE 2719800A DE 2719800 B2 DE2719800 B2 DE 2719800B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- mask
- area
- specimen
- fine adjustment
- corpuscular beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
- H01J37/3007—Electron or ion-optical systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
- H01J37/3045—Object or beam position registration
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein korpuskularstrahloptisches Gerät zur Projektion einer durch ein Kondensorlinsensystem
gleichmäßig mit einem Korpuskularstrahl beleuchteten Maske auf ein zu bestrahlendes Präparat,
bei dem ein eine Justierrrarke enthaltender Bereich des Präparates mit einer Korpuskularstrahlsonde abgetastet
wird, die als punktförmige Sonde eine Justieröffnung in der Maske durchsetzt und durch ein in
Strahlrichtung oberhalb der Maske angeordnetes Ablenksystem rasterförmig ausgelenkt wird, und bei
dem das dabei vom Präparat ausgehende Signal zur Bilderzeugung einem Monitor zugeführt wird. Ein
derartiges Gerät, wie es z. B. aus einer Arbeit von Heritage. J. Vac. Sei. TechnoL, Vol. 12, No. 6, 1975,
i bis 1 !40 bekannt ist. dient insbesondere zur
Erzeugung von Mustern auf Halbleiterplättchen (Wafern) bei der Herstellung von integrierten Schaltungen.
Bei dem bekannten Gerät wird zur relativen Justierung von Maske und Präparat die Erregung des
Kondensorlinsensystems derart erhöht, daß die Strahlquelle
— ideale Linsen vorausgesetzt — punktförmig in die Maskenebene und damit durch das anschließende
Projektionslinsensystem ebenfalls punktförmig in die Präparatebene abgebildet wird. Oberhalb der Maske
ίο Hegt ein Ablenksystem; es wird so erregt, daß die durch
den Strahl gebildete punktförmige Sonde die Prüföffnung in der Maskenebene abrastert In der Nähe des
Präparates befindet sich ein Detektor, der am Wafer ausgelöste Sekundärelektronen registriert; das Detektorsignal
wird einem Monitor zugeführt Auf dem Bildschirm des Monitors erscheint dann als Bild die
Überlagerung zweier Abbildungen, von denen die eine die scharfe Abbildung der Oberfläche des Präparates
mit der Justiermarke und den anderen Einzelheiten dieser Oberfläche ist Die andere Abbildung ist ein
Schattenbild der Prüföffnung in der Maske. Zur Justierung wird die Maske oder das Präparat so lange
verschoben, bis sich das Bild der Prüföffnung und das der Justiermarke decken. Der Rasterbereich braucht
dabei nicht größer als die Prüföffnung zu sein; die Vergrößerung sollte so gewählt sein, daß das Bild der
Prüföffnung den Bildschirm des Monitors ausfüllt
Bereits beim Einsetzen der Maske und des Präparates in das korpuskularstrahloptische Gerät wird ohne
Bildbetrachtung auf dem Monitor eine mechanische Vorjustierung vorgenommen. Dabei kann die relative
Lage von Maske und Präparat zueinander etwa auf 100 μΐη genau an sich außerhalb des Gerätes befindenden
Verstellelementen abgelesen werden. Bei dem aus dem Aufsatz von Heritage bekannten Justierverfahren
müßten die Justiermarke und die Prüföffnung mindestens so groß gewählt werden, daß sich ihre Bilder auf
dem Monitor nach der beschriebenen Vorjustierung zumindest teilweise überlappen. Wäre das nicht der Fall,
so würae auf dem Bildschirm des Monitors nur das Bild der Prüföffnung erscheinen; das der Justiermarke müßte
erst gesucht werden. Bei dieser Größe von Prüföffnung und Justiermarke läßt sich jedoch die relative Lage der
beiden Monitorbilder zueinander nicht mehr mit genügender Genauigkeit bestimmen. Diese Genauigkeit,
die mindestens dem kleinsten Abstand zwischen den einzelnen Elementen auf dem Wafer, wie Kondensator,
Transistor, Widerstand usw., entsprechen muß, beträgt etwa 0,1 μηι.
so Die Erfindung befaßt sich daher mit der Aufgabe, bei einem korpuskularstrahloptischen Gerät der eingangs
genannten Art bei geringem Meßaufwand die Meßgenauigkeit zu erhöhen.
Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß die Justieröffnung aus einem Einfangbereich und einem innerhalb dieses Bereiches liegenden Feinjustierbereich besteht, daß sowohl der Einfang- als auch der Feinjustierbereich von einem für den Korpuskularstrahl undurchlässigen Rand umgeben sind und daß das korpuskularstrahloptische Bild des Einfangbereiches in der Präparatebene so groß ist, daß die Justiermarke bei mechanisch ohne Beobachtung des Bildes auf dem Monitor erreichbarer Vorjustierung innerhalb dieses korpuskularstrahloptischen Bildes des Einfangsbereichs liegt.
Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß die Justieröffnung aus einem Einfangbereich und einem innerhalb dieses Bereiches liegenden Feinjustierbereich besteht, daß sowohl der Einfang- als auch der Feinjustierbereich von einem für den Korpuskularstrahl undurchlässigen Rand umgeben sind und daß das korpuskularstrahloptische Bild des Einfangbereiches in der Präparatebene so groß ist, daß die Justiermarke bei mechanisch ohne Beobachtung des Bildes auf dem Monitor erreichbarer Vorjustierung innerhalb dieses korpuskularstrahloptischen Bildes des Einfangsbereichs liegt.
Im Gegensatz zu dem aus der Arbeit von Heritage bekannten Gerät ist es bei dem Gerät nach der
Erfindung nicht notwcndi" daS das Bild der lustieröff-
nung und das der Justiermarke etwa die gleiche Größe
haben oder darüber hinaus auch noch die gleiche Form.
Die Form der Justieröffnung kann bei dem erfindungsgemäßen Gerät völlig beliebig gewählt werden ohne
Rücksicht auf die Form der Justiermarke. Wesentlich ist nur, daß das korpuskularstrahk<ptische Bild der
Justieröffnung in der Präparatebene so groß ist, daß die
Justiermarke bei der mechanischen Vorjustierung innerhalb dieses Bildes zu liegen kommt Erst die Form
des Feinjüstierbereiches muß, zumindest bei einem
Justierverfahren, bei dem zwei Bilder zur Deckung gebracht werden, mit der Form der Justiermarke
insoweit übereinstimmen, daß die relative Lage der beiden Bilder atf dem Monitor zueinander bestimmbar
ist
Abweichend von dem bisher beschriebenen Positionierverfahren wird bei einem anderen bekannten
Verfahren in einem Elektronenstrahlschreiber kein vollständiges Bild der Präparatoberfläche, sondern
lediglich ein Intensitätsprofi! entlang einzelner Rasterzeilen (line scan) quer durch eine Justiermarke aufgenommen
(IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.ED-17, Nor. 6, Juni 1970, Seiten 450 bis 457).
Anhand der Lage des Markensignals relativ zum Rasterfeld kann dort die Abweichung der Marke von
einer Sollage, z. B. der Rasterfeldmitte, bestimmt werden. Wie dazu bereits in einer früheren Patentanmeldung
(DE-OS 27 02 448 vorgeschlagen wurde, kann dieses Verfahren auch zum Justieren einer Maske relativ
zu einem Präparat eingesetzt werden. Dabei ist e_; zur Steigerung der Meßgenauigkeit vorteilhaft, den nur
entlang einer Zeile über den Bildschirm des Monitors geführten Schreibstrahl in dazu senkrechter Richtung
proportional zu dem erzeugten Signal auszulenken. Auch für dieses Positionierverfahren ist das Gerät nach
der Erfindung besonders vorteilhaft insbesondere wenn als Justiermarken auf dem Präparat schmale Gräben
oder entsprechende Erhöhungen vorgesehen sind. Zur Bilderzeugung können dabei sämtliche durch den
Korpuskularstrahl in dem Präparat erzeugten Signale verwendet werden, also entweder die rückgestreuten
Korpuskeln, die Sekundärkorpuskehi oder aber auch der Probenstrom. Die höhere Meßgenauigkeit ergibt
sich bei dem korpuskularstrahloptischen Gerät nach der Erfindung nicht nur, wenn, wie es aus dem Aufsatz von
Heritage bekannt ist, die Maske verkleinert auf das Präparat abgebildet wird, sie ergibt sich ebenfalls bei
einer korpuskularstrahloptischen Schattenprojektion, bei der sich die Maske unmittelbar über dem Präparat
befindet; die Maske wird 1 :1 auf das Präparat abgebildet. Gerade bei der korpuskularstrahloptischen
Schattenprojektion wird man vorteilhafterweise den Probenstrom als Signal verwenden, da eine einwandfreie
Registrierung der vom Präparat ausgehenden Sekundär- oder Rückstreukorpuskeln wegen der dicht
darüberliegenden Maske Schwierigkeiten bereitet.
Ein vorteilhaftes Verfahren zur Justierung einer Maske relativ zu einem Präparat mit dem erfindungsgemäßen
Gerät besteht darin, daß durch eine Grobjustierung die Marke auf dem Präparat in den Feinjustierbereich
der Maske geschoben wird, in dem nach einer Erhöhung der Vergrößerung die Feinjustierung vorgenommen
wird. Wie bereits ausgeführt, soll sich die Justiermarke nach der mechanischen Vorjustierung
bereits innerhalb des korpuskularstrahloptischen Bildes des Einfangsbereiches der Maske befinden. Zur
Grobjustierung wird dann der Rasterbereich und die Einfangbereich etwa den Bildschirm dieses Monitors
ausfüllt Bei dieser Einstellung wird das Präparat oder die Maske mechanisch derart verschoben, daß die
Justiermarke innerhalb des Feinjustierbereiches der Maske zu liegen kommt Anstelle der mechanischen
Verschiebung, z.B. mit PiezokristaUen, ist auch eine
Verschiebung des Korpuskularstrahls durch ein magnetisches oder elektrisches Gleichfeld denkbar. Zur
anschließenden Feinjustierung wird die Vergrößerung des Monitors so gesteigert und gegebenenfalls auch der
Rasterbereich so geändert, daß nun das Bild dieses Feinbereiches die gesamte Fläche des Bildschirmes des
Monitors ausfüllt — im line scan-Betrieb soll die Breite
des Feinjustierbereiches entlang der abgetasteten Zeile etwa auf die Breite einer Bildschirmzeile vergrößert
werden. Bei dieser Einstellung wird dann die Feinjustierung
vorgenommen, d. h. die Maske so lange verschoben, bis Justiermarke und Feinjustierbereich die
geforderte relative Lage zueinander zeigen.
Ein besonders einfacher Aufbau des Feinjustierbereiches ergibt sich dadurch, daß dieser aus einer oder
mehreren Maschen eines innerhalb des Einfangbereiches aufgespannten Gitters besteht Sollen auch andere
Formen des Feinjustierbereiches als die einer Gittermasche zugelassen sein, so empfiehlt es sich, daß der Rand
des Feinjnstierbereiches über ein Stützgitter mit dem
Rand des Einfangbereiches verbunden ist Hierbei können sowohl der Einfangbereich als auch der
Feinjustierbereich völlig beliebige Formen annehmen. Eine vorteilhafte Weiterbildung besteht darin, daß der
Rand des Feinjustierbereiches breiter als die Stegbreite des Stützgitters ist Dadurch unterscheidet sich der
Feinjustierbereich deutlicher von den ihn umgebenden Bereichen, so daß er bereits während der Grobjustierung
leichter zu erkennen ist Insbesondere im line scan-Betrieb bekommt man dadurch einen deutlicheren
Intensitätssprung an diesem Rand, der wiederum
das sichere Auffinden des Feinjustierbereiches erleichtert
Anhand der F i g. 1 bis 4 werden im folgenden Ausführungsbespiele nach der Erfindung beschrieben.
Dabei zeigt
F i g. 1 ein elektronenstrahloptisches Gerät als Ausführungsbeispiel
der Erfindung,
Fig.2a und 2b unterschiedliche Ausführungen von
Masken, wie sie bei dem Gerät nach F i g. 1 vorteilhaft eingesetzt werden können, und
F i g. 3b den Probenstrom für verschiedene in F i g. 3a dargestellte Justiermarken.
Mit Hilfe der F i g. 4a bis 4c soll das Justierverfahren schrittweise erläutert werden.
Fig. 1 zeigt ein elektronenstrahloptisches Gerät 1,
bestehend aus einer Elektronenquelle 2, einem dreistufigen Kondensorlinsensystem 3 mit den Linsen a, b und c
und einem Projektionslinsensystem 6, das aus einer langbrennweitigen Zwischenlinse 7 und einer kurzbrennweitigen
Abbildungslinse 8 zusammengesetzt ist. Die Linsen 7 und 8 sind als magnetische Linsen
ausgebildet Sie sind vorzugsweise entgegengesetzt gleich erregt; das bedeutet, daß sie dieselbe Amperewindungszahl
besitzen und daß die Richtungen ihrer Magnetfelder zueinander entgegengesetzt sind. Durch
diese Art der Erregung in Verbindung mit einem telezentrischen Strahlengang (der gegenseitige Abstand
der beiden Linsen 7 und 8 ist gleich der Summe ihrer Brennweiten) wird erreicht, daß im Projektionslinsensystem
der Verdrehungsfarbfehler, der Vergrößerungsf
furbfehler und die
trope
werden und die verbleibenden Fehler zumindest teilweise aufgehoben sind
Mit 4 ist eine Maske bezeichnet, die verkleinert auf ein Präparat U, z. B. ein Halbleiterplättchen, abgebildet
wird Der Strahlengang des Projektionsiinsensystems 6 ist telezentrisch; die hintere Brennebene der Zwischenlinse
7 und die vordere Brennebene der Abbildungslinse 8 fallen zusammen, die Maske 4 liegt in der vorderen
Brennebene der Zwischenlinse 7 und das Präparat 11 in
der hinteren Brennebene der Abbildungslinse 8. Der Verkleinerungsmaßstab, unter dem die Maske auf das
Präparat abgebildet wird entspricht dem Verhältnis der Brennweiten beider Linsen.
Zur integralen Abbildung der Maske 4 auf das Präparat Il sind die Linsen des Kondensorlinsensystems
3 derart erregt daß die Maske 4 gleichmäßig mit einem Elektronenstrahl beleuchtet wird Dieser Fall ist
hier nicht dargestellt Zum Justieren wird die Erregung der Linse c des Kondensorlinsensystems 3 derart
gesteigert daß der Elektronenstrahl auf die Maske 4 fokussiert wird Zwischen den Linsen b und c des
Kondensorlinsensystems 3 berindet sich ein Ablenksystem 9, durch welches der Elektronenstrahl um einen
Punkt gekippt wird der am vorderen Brennpunkt der Linse c liegt Dadurch wird die Maske 4 von dem
Elektronenstrahl in senkrechter Richtung durchstrahlt
Der auf die Maske 4 fokussierte Elektronenstrahl bildet die Sonde, die mit Hilfe des Ablenksystems 9
rasterförmig über die Maske 4 geführt werden kann. Die Maske 4 weist eine Prüföffnung Aa auf, das Präparat 11
eine Justiermarke 11a. In dem Ausführungsbeispiel nach
F i g. 1 wird als durch den einfallenden Elektronenstrahl im Präparat 11 erzeugtes Signal der Probenstrom
verwendet der über einen Verstärker 12 auf die K-Platten 13 eines Monitors 14 gegeben wird Die
Platten 15 für die X-Ablenkung werden synchron mit
der entsprechenden ^-Ablenkung des Ablenksystems 9 angesteuert Diese Signalverarbeitung eignet sich
speziell für den line scan-Betrieb, bei dem die Intensität des Probenstromes über dem Ort auf dem Bildschirm
des Monitors t4 aufgezeichnet wird Ebenso wäre es
möglich, durch Registrierung der Sekundär- bzw. Rückstreuelektronen die zwei überlagerten Bilder von
Prüföffnung Aa und Justiermarke 11 a zu erhalten.
Direkt unterhalb der Maske 4 ist gestrichelt ein Präparat U' eingezeichnet Bei dieser Stellung des
Präparates handelt es sich um eine Schattenprojektion; das Projektionslinsensystem 6 kommt dabei nicht zum
Einsatz. Die Maske 4 wird im Verhältnis 1 :1 auf das
Präparat U' abgebildet Ansonsten bleibt alles unverändert. Auch hier ist wiederum gestrichelt der Probenstrom
auf den Verstärker 12 und von dort auf dem Monitor 14 gegeben. Gerade bei der Schattenprojektion
eignet sich der Probenstrom besonders zur Erkennung der Justiermarke, da wegen der direkt
oberhalb des Präparates 11' angeordneten Maske 4 die
Sekundär- bzw. Rückstreuelektronen nur schwer vollständig zu registrieren sind
Die Fig.2a und 2b zeigen die Ausschnitte aus der
Maske 4, die die Prüföffnung Ast enthalten. F i g. 2a zeigt
als Beispiel eine runde Prüföffnung, in der sich ein Gitter
16 befindet Der breite Rand 17 der Prüföffnung ist Teil
der Maske 4 und nur in dieser Darstellung der Form der
Prüföffnung angepaßt Jede Masche dieses Gitters 16 kann der Feinjustierbereich darstellen. Vorzugsweise
wird nun jedoch die mittlere Masche 16« dazu
verwenden.
um von einem Rand 17 umgeben. Innerhalb diese Prüföffnung befindet sich als Feinjustierbereich ein Rinj
18, der von einem Stützgitter 19 getragen wird. In Gegensatz zur F i g. 2a ist in dem Beispiel nach F i g. 21
auch der Feinjustierbereich von einem breiten, fü Elektronen durchlässigen Rand umgeben.
Für den Elektronenstrom im Präparat kann mal folgende Bilanzgleichung aufstellen:
= Ike + Ise + Ipr,
wobei Ie den Strom der auftreffenden Elektronen, Ir1
den der rückgestreuten, /Äfden der Sekundärelektronei
und Ipr den Probenstrom darstellt Um ein charakteristi sches Signal von der Justiermarke zu erhalten, mul
is diese — konstantes /*· vorausgesetzt — einen ode
mehrere dieser Tefatröme typisch verändern. Üblich«
Justiermarken sind deshalb z. B. aufgedampfte anden Substanzen mit unterschiedlichem Rückstreuvermögei
oder Gräben, in deren Bereich die Sekundärelektronen ausbeute verändert wird Aus der obigen Bilanzglei
chung ergibt sich, daß dann auch der Probenstrom, um
zwar gegenläufig, verändert wird
In F i g. 3 ist der Verlauf des Probenstromes für einei
Einfachgraben und für einen Doppelgraben aufgezeigt Im mittleren Abschnitt dieser Figur ist zur Verdeutli
chung des Entstehens des Probenstromsignals an einen Doppelgraben der Fall aufgezeichnet in dem zwe
Einzelgräben ohne gegenseitige Beeinflussung neben einanderliegen. Wie man an diesem Teil der Fig.:
ersehen kann, überlagern sich die Signale der beidei
Einzelgräben in einem mittleren Bereich und führen zi einem schärferen größeren Signalpik an dieser Stelle
Der Doppelgraben verbessert dadurch wesentlich dii Genauigkeit mit der man seine Lage relativ zu
Anhand der Fig.4 soll nun das Justierverfahren ii
drei Schritten näher erläutert werden. Im oberen Tei der F i g. 4 sind die jeweiligen Sekundärelektronenbilde
dargestellt im unteren Teil die entsprechende) Probenstromsignale. Der obere Teil der F i g. 4a zeig
dabei die Justieröffnung, in der sich der von einen
Stützgitter getragene Feinjustierbereich 20 befindet Dieser besteht aus fünf ein Kreuz bildenden Quadrater
die von einem Rand umgeben sind dessen Breit« wesentlich größer als die Stegbreite des Stützgitters 1!
ist Außerdem zeigt dieses Bild die zufällige Lage dei Justiermarke 21 nach der mechanischen Vorjustierung
Dabei handelt es sich wiederum um einen Doppelgra ben entsprechend dem rechten TeD der F i g. 3, der siel
so durch eine erhöhte Sekundärelektronenausbeute an dei
beiden äußeren Rändern des Doppelgrabens und ii dessen Mitte bemerkbar macht (gegenläufig zun
Probenstromsignal entsprechend Fig.3b, rechte Bild
seite). Durch die Pfeile 22 ist angedeutet entlanj welcher Linie im line scan-Betriebabgerastert wird
Im unteren Teil der Fig.4a ist der entsprechend«
Probenstrom über dem Ort aufgetragen. Außerhalb dei
Prüföffnung ist der Probenstrom NuH innerhalb dei Prüföffnung springt er auf einen bestimmten Wert Bein
Oberfahren jedes Steges des Stützgitters wird dei einfallende Elektronenstrahl abgeschirmt dh. dei
Probenstrom sänkt ab. Wegen der Zeitkonstante dei Verstärker und wegen der geringen Breite dei
Stützgitterstibe sinkt er jedoch nicht ganz auf NuI
herunter. Beim Oberqueren des Doppelgrabens ander sich der Probenstrom entsprechend Fig.3b, wegen dei
geringen Vergrößerung ist jedoch die Auflösung füi eine genaue Lagebestimmung noch zu schlecht
Im mittleren Bild 4b ist die Grobjustierung bereits durchgeführt. Der Doppelgraben wurde in die Mitte des
Einfangbereiches geschoben. Durch den Aufbau der Justieröffnung erscheint der Doppelgraben 21 nun im
Feinjustierbereich. Bei dieser Einstellung wird die Vergrößerung so weit erhöht, daß nur noch ein Quadrat
des Feinjustierbereiches 20 den Bildschirm des Monitors ausfüllt. Auch der Rasterbereich kann dabei derart
geändert werden, daß nur noch über dieses eine Quadrat des Feinjustierbereiches gerastert wird. Der breite Rand ι ο
der einzelnen Quadrate des Feinjustierbereiches bietet dabei den Vorteil, daß das Probenstromsignal in diesem
Bereich auf Null zurückgeht. Dadurch ist auch am Probenstromsignal eindeutig feststellbar, daß wirklich
über den Feinjiistierbereich gerastert wird und nicht !5
über eine andere Masche des Stützgitters. Wie in F i g. 4c dargestellt, kann nach dieser Vergrößerungserhöhung
die Feinjustierung vorgenommen werden.
Wie Versuche am Schattenprojekt ergeben haben, ist bei Verwendung einer Sondengröße von 0,5 μπι und
eines Sondenstromes von 5 · 10-'0A die geforderte
Genauigkeit der Lageerkennung möglich.
Im Beispiel nach der Fig.4 ist im line scan-Betrieb
die Justierung in einer Richtung vorgenommen worden. In der dazu senkrechten Richtung muß das Verfahren
entsprechend wiederholt werden.
Die spezielle Form des Feinjustierbereiches 20 entsprechend Fig.4 bietet dabei einen wesentlichen
Vorteil. Im Prinzip könnte der Feinjustierbereich allein aus dem mittleren Quadrat bestehen. Zur Justierung in
beiden Richtungen müßten jedoch sich kreuzende Gräben verwendet werden, wodurch im Kreuzungspunkt eine unerwünschte Störung der Grabenstruktur
auftreten würde. Daher ist es vorteilhaft, außerhalb dieses Kreuzungsbereiches die Gräben zu überfahren
und dazu beispielsweise, wie in Fig.4 dargestellt, in
einer Richtung das untere Quadrat des Feinjustierbereiches zu benutzen, in der dazu senkrechten Richtung das
rechte oder linke Quadrat.
Neben den hier in den Ausführungsbeispielen gezeigten Justieröffnungen in einer Maske sind andere,
beliebig geformte öffnungen sowohl für den Einfangbereich als auch für den Feinjustierbereich möglich.
Die Erfindung ist nicht nur bei Elektronenstrahlgeräten, sondern auch bei Ionenstrahlgeräten dieser Art
anwendbar.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (5)
1. Korpuskularstrahloptisches Gerät zur Projektion einer durch ein Kondensoriinssensystem gleichmäßig
mit einem Korpuskularstrahl beleuchteten Maske auf ein zu bestrahlendes Präparat, bei dem
ein eine Justiermarke enthaltender Bereich des Präparates mit einer Korpuskularstrahlsonde bestrahlt
wird, die als punktförmige Sonde eine Justieröffnung in der Maske durchsetzt und durch
ein in Strahlrichtung oberhalb der Maske angeordnetes Ablenksystem rasterförmig ausgelenkt wird,
und bei dem das dabei vom Präparat ausgehende Signal zur Bilderzeugung einem Monitor zugeführt
wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Justieröffnung (4a) aus einem Einfangbereich und
einem innerhalb dieses Bereiches liegenden Feinjustierbereich (16a, 18, 20) besteht, daß sowohl der
Einfang- als auch der Feinjustierbereich (16a, 18,20)
von einem für den Korpuskularstrahl undurchlässigen Rand umgeben sind und daß das korpuskularstrahloptische
Bild des Einfangbereiches in der Präparatebene so groß ist, daß die Justiermarke (Ha,
21) bei mechanisch ohne Beobachtung des Bildes auf dem Monitor (14) erreichbarer Vorjustierung innerhalb
dieses korpuskularstrahloptischen Bildes des
Einfangbereiches liegt
2. Korpuskularstrahloptisches Gerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Feinjustierbereich
(16ajaus einer oder mehreren Maschen eines innerhalb des Einfangbereiches aufgespannten
Gitters (16) besteht (F i g. 2a).
3. Korpuskularstrahloptisches Gerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Rand des
Feinjustierbereiches (18) über ein Stützgitter (19) mit dem Rand (17) des Einfangbereiches verbunden ist
(Fig. 2b).
4. Korpuskularstrahloptisches Gerät nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Rand des
Feinjustierbereiches (18) breiter als die Stegbreite des Stützgitters (19) ist.
5. Verfahren zur Justierung einer Maske relativ zu einem Präparat mit einem Gerät nach einem der
Ansprache 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß durch eine Grobjustierung die Marke (UaJ auf dem
Präparat (11) in den Feinjustierbereich (16a, 18, 20) der Maske (4) geschoben wird, in dem nach einer
Erhöhung der Vergrößerung die Feinjustierung vorgenommen wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19772719800 DE2719800C3 (de) | 1977-04-28 | 1977-04-28 | Korpuskularstrahloptisches Gerät zur Projektion einer Maske auf ein Präparat mit einer Einrichtung zur Justierung der Maske relativ zum Präparat und Verfahren zur Justierung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19772719800 DE2719800C3 (de) | 1977-04-28 | 1977-04-28 | Korpuskularstrahloptisches Gerät zur Projektion einer Maske auf ein Präparat mit einer Einrichtung zur Justierung der Maske relativ zum Präparat und Verfahren zur Justierung |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2719800A1 DE2719800A1 (de) | 1978-11-02 |
DE2719800B2 true DE2719800B2 (de) | 1980-02-14 |
DE2719800C3 DE2719800C3 (de) | 1980-10-23 |
Family
ID=6007928
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19772719800 Expired DE2719800C3 (de) | 1977-04-28 | 1977-04-28 | Korpuskularstrahloptisches Gerät zur Projektion einer Maske auf ein Präparat mit einer Einrichtung zur Justierung der Maske relativ zum Präparat und Verfahren zur Justierung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2719800C3 (de) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4263514A (en) * | 1979-09-13 | 1981-04-21 | Hughes Aircraft Company | Electron beam system |
DE2939044A1 (de) * | 1979-09-27 | 1981-04-09 | Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart | Einrichtung fuer elektronenstrahllithographie |
DE2942990A1 (de) * | 1979-10-24 | 1981-05-07 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur automatischen justierung von strukturen in zwei parallelen ebenen, insbesondere bei der herstellung von integrierten halbleiterschaltungen |
-
1977
- 1977-04-28 DE DE19772719800 patent/DE2719800C3/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2719800C3 (de) | 1980-10-23 |
DE2719800A1 (de) | 1978-11-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2332091C2 (de) | Verfahren zum Betrieb einer fokussierbaren und ausrichtbaren Elektronenstrahlprojektionsvorrichtung und dafür bestimmte Elektronenstrahlprojektionsvorrichtung | |
DE69432098T2 (de) | Elektronenstrahl-Lithographie-System | |
DE19848070B4 (de) | Niedrigenergie-Elektronenstrahllithographie | |
DE2702445C3 (de) | Korpuskularstrahloptisches Gerät zur verkleinernden Abbildung einer Maske auf ein zu bestrahlendes Präparat | |
EP0191439B1 (de) | Aperturblende mit zeilenförmiger Mehrlochstruktur und Austastelektroden zur Erzeugung einer Mehrzahl von individuell austastbaren Korpuskularstrahlsonden für ein Lithografiegerät | |
DE2222665A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Ausrichten von Elektronenprojektionssystemen | |
DE2436160A1 (de) | Rasterelektronenmikroskop | |
DE2322459C3 (de) | Meßverfahren für ein photogrammetrisches Gerät und Gerat zur Durchfuhrung des Verfahrens | |
DE2260229C3 (de) | ||
DE2939044A1 (de) | Einrichtung fuer elektronenstrahllithographie | |
DE4327944A1 (de) | Zweidimensionaler Bilddetektor | |
DE2726173C2 (de) | Verfahren und Schaltung zur automatischen Positionierung eines Werkstückes relativ zu einem Abtastfeld bzw. zu einer Maske, sowie Verwendung des Verfahrens | |
DE3206374A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum eichen der ablenkung eines aus geladenen teilchen bestehenden strahls | |
DE2850991A1 (de) | Elektronenstrahl-lithographieverfahren | |
DE19544753C2 (de) | Elektronenstrahl-Schreibverfahren | |
EP0135673B1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Festlegung einer Koordinate auf einer Oberfläche eines Festkörpers | |
DE3003125A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur elektronenstrahllithographie | |
DE2702444B2 (de) | Korpuskularstrahloptisches Gerät zur Abbildung einer Maske auf ein Präparat | |
DE2834391C2 (de) | Einrichtung zur Erzeugung von Zeichenmustern auf einer Objektfläche mittels Elektronenstrahlen | |
DE2731142C3 (de) | Verfahren zur Feststellung der Lage eines Elektronenstrahls in bezug auf auf einem Objekt angeordnete Ausrichtmarkierungen und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens | |
DE2529735C3 (de) | Korpuskularstrahlmikroskop, insbe- · sondere Elektronenmikroskop, mit Verstelleinrichtungen zur Änderung der Lage des abzubildenden Objekts und Verfahren zum Betrieb | |
DE2719800C3 (de) | Korpuskularstrahloptisches Gerät zur Projektion einer Maske auf ein Präparat mit einer Einrichtung zur Justierung der Maske relativ zum Präparat und Verfahren zur Justierung | |
DE2446789A1 (de) | Korpuskularstrahloptisches geraet zur korpuskelbestrahlung eines praeparats | |
DE2652273C2 (de) | Verfahren zur bildlichen Darstellung eines Beugungsbildes bei einem Durchstrahlungs-Raster-Korpuskularstrahlmikroskop | |
DE2460715C3 (de) | Korpuskularstrahloptisches Gerät zur Korpuskelbestrahlung eines Präparats in Form eines Flächenmusters mit mehreren untereinander gleichen Flächenelementen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OAP | Request for examination filed | ||
OD | Request for examination | ||
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |