DE2642554A1 - Verfahren zur herstellung von alpha- silizium-nitrid-pulver (alpha-si tief 3 n tief 4 -pulver) - Google Patents
Verfahren zur herstellung von alpha- silizium-nitrid-pulver (alpha-si tief 3 n tief 4 -pulver)Info
- Publication number
- DE2642554A1 DE2642554A1 DE19762642554 DE2642554A DE2642554A1 DE 2642554 A1 DE2642554 A1 DE 2642554A1 DE 19762642554 DE19762642554 DE 19762642554 DE 2642554 A DE2642554 A DE 2642554A DE 2642554 A1 DE2642554 A1 DE 2642554A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- powder
- weight
- silicon
- carbon
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/584—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
- C01B21/068—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with silicon
- C01B21/0685—Preparation by carboreductive nitridation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
- C01P2004/03—Particle morphology depicted by an image obtained by SEM
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/61—Micrometer sized, i.e. from 1-100 micrometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/62—Submicrometer sized, i.e. from 0.1-1 micrometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/80—Compositional purity
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Description
PATENTANWÄLTE F.W. HEIVMER1Ch · GEIO VüLLEH · Ü. GROSSE · F. POLLMEIER 72 572
Verfahren zur Herstellung vonX-Silizium-Nitrid-Pulver,
( öL-Si N. -Pulver)
Gegenstand dieser Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung von oC -Silizium-Nitrid-Pulver, (oC-Si„N^-
Pulver)o
Sinterwerkstoffe aus Silizium-Nitrid - Yttrium-Oxid
(Si„Nr - Yp^T) sowie aus Silizium-Nitrid - Magnesium-Oxid
(SiN, - MgO) haben eine außerordentlich gute mechanische Festigkeit und eine außerordentlich gute
Hitzebeständigkeit ο Aus diesem Grunde wird die Verwendung
solcher ¥erkstoffe für hochtemperaturfeste Gasturbinenmotoren empfohlen,, Sollen diese vorerwähnten
Si N. -Metalloxidprodukte jedoch in der Praxis als Ferkstoffe eingesetzt und dabei hohen Temperaturen
und hohen Belastungen ausgesetzt werden, dann ist es sehr wichtig, daß sie bei hohen Temperaturen
eine hohe physikalische Stabilität, eine hohe chemische Stabilität und eine große Zuverlässigkeit zeigen.
Die thermischen und mechanischen Eigenschaften dieser Sinterwerkstoffe, welche besonders wichtige Faktoren
sind,werden von der Art der Ausgangsstoffe und den
in diesen Stoffen enthaltenen Verunreinigungsanteilen stark beeinflußt; und was das Silizum-Nitrid betrifft,
so sollte ein möglich großer Anteil an oC -Si-Ni -Pulver
darin enthalten seino Für eine Verwendung als Sinterwerkstoff
ist es erforderlich, daß ein fGinverteiltes
<^-Si„Nr-Pulver Verwendung findet.
Nachstehend sind nun die bisher für die Gewinnung des Si„N.-Pulvers verwendete Verfahren angeführt:-
(l) Direktnitrierung von Silizum:
7098U/0698
PATENTANWÄLTE F.W. HEN'.MERICH · GERC MÖLLER · D. GROSSE · F. POLLMEIER 72 572
3Si + 2N2 ^ Si3N4
(2) Dampfphasenreaktion von Silizum-Tetrachlorid
oder Silane mit Ammoniak:
3SiCl^ + 4NH3 >
Si3N4 + 12HC1 lind
dergleichen mehr.
(3) Nitrierung von SiO, welches durch die Reduzierung von Siliziumdioxid (SiO2) mit Kohlenstoff
im stöchiometrischen Verhältnis hergestellt
worden ist:
+ 6g + 2N2 >
Si3N4 +
dergleichen mehr
Bei dem unter (l) angeführten Verfahren verläuft
das Aufnitrieren des Silizium als eine exotherme Reaktion, so daß während des Herstellungsverfahrens
die Wärmeentwicklung kontrolliert und überwacht werden muß«, Darüber hinaus handelt es sich bei dem handelsüblichen
Silizium um ein relativ grobkörniges Pulver, so daß nach dem Aufnitrieren im allgemeinen
ein Feinmahlvorgang erforderlich ist. Als Folge
des Feinmahlvorganges ist das Hereinschleppen von Verunreinigungen nicht zu vermeiden0 Das Sintermaterial
kann deshalb zur Herstellung feuerfester Werkstoffe allgemein Verwendung finden, beispielsweise
zur Herstellung von feuerfesten Ziegeln, wäre aber für Hochtemperatur-Gasturbinen ungeeignet.
Was den Werkstoff betrifft, der mit dem unter (2) angeführten Verfahren hergestellt wird, so kann
dieser für die Oberflächenbeschichtung von Halbleiterelementen
oder ähnlichen Dingen verwendet werden« Dieser Werkstoff ist jedoch für die Massenfertigung
von anorganischen feuerfesten Werkstoffen nicht ge-
7098U/0698
PATENTANWÄLTE F.W. HEMMERICH · GERD MÖLLER · D. GROSSE · F. POLLMEIER 72 572
OC/OCC/, -bh-
L·. *>-J H- L, \J sJ ^e
ί r\ Q ι c\*y £
^ 10#o#197o
t - 3 7
Für das unter (3) angeführte Verfahren müssen als Ausgangswerkstoffe sorgfältig gereinigtes SiO2-PuI-ver
und Kohlenstoffpulver eingesetzt werden. Von
Nachteil ist auch, daß es sich bei dem Reaktionsprodukt, das aus der Reaktion des in stöchiometrischen
Verhältnis vorliegenden Gemenges aus SiOp und C um
ein Meltfxstoffsystem handelt, das sich zusammensetzt
aus-x-Si N,, P-Si N., Silizum-Oxyninitird (SiON )
sowie SiC und dergleichen mehr,, V. wobei der
Anteil anaC-Si„Nn, der entsteht, gering ist. Hierzu
kann gesagt werden, daß mit diesem Verfahren der
Vorteil darin besteht, daß die Reaktion keine Schwierigkeiten bereitet; weil andererseits aber - dies
ist bereits zuvor beschrieben worden - der Anteil an «i--Si-N^ gering ist, ist auch die Aus br ingungs leistung
schlecht, so daß dieses Verfahren in der Praxis nicht bevorzugt wirdo
Nunmehr hat man festgestellt, daß dann, wenn bei dem
unter (3) angeführten Verfahren, das die Reduktion und das Auf nitrieren -von Siliziumdioxid (SiO_) in
sich einschließt, der Anteil an Kohlenstoff (c) über eine bestimmte Menge erhöht wird, wenn eine vorgegebene
und bestimmte Menge an metallischen Silizum (Si) vorhanden ist, wenn die Aufnitrierungsreaktion und
eine nachfolgende Wärmebehandlung in einer oxidierenden Atmosphäre durchgeführt werden, 5!—Silizium-Nitrid,
(<-Si Ji, ), hoher Qualität erzeugt wird, und zwar in
außergewählich guter feinkörniger Form und in ausreichender
Menge.
7098U/0698
PATENTANWÄLTE F.W. HEWMERICH · GERD VÖLLER · D. GROSSE · F. POLLMEIER 72 572
Die Erfindung geht daher von der Aufgabe aus, ein Herstellungsverfahren
zu schaffen, mit dem ein für die Herstellung von feuerfesten Si„N. -Metalloxidwerkstoffen
für den Einsatz unter Hochtemperaturbedingungen und für hohe Beanspruchung geeignetes oC -Si„N. -Pulver
in großen Mengen gewonnen werden kann, ohne daß dazu komplizierte Verfahren oder komplizierte Apparate
erforderlich sind»
In Übereinstimmung mit dieser Erfindung ist die Herstellung vonoC-Silizium-Nitrid-Pulver dadurch gekennzeichnet,
daß ein Gemenge aus Siliziumdioxidpulver, aus Kohlenstoffpulver und aus metallischem Siliziumpulver
in einer nichtoxydierenden Atmosphäre, die Stickstoff oder Ammoniak enthält, bis auf die Aufnitrierungstemperatur
derart erwärmt wird, daß ein Produkt entsteht, welches Silizium-Nitirid enthält,
daß schließlich das derart entstandene und Silizium-Nitrid enthaltende Produkt dann in einer oxydierenden
Atmosphäre auf höhere Temperaturen gebracht wird, um den in diesen Produkt enthaltenen Kohlenstoff zu entfernen«
Das vorzugsweise verwendete Pulvergemenge setzt sich zusammen aus 1 Gewichtsanteil Siliziumdioxydpulver
(SiO_-Pulver), aus ungefähr O.k Gewichtsanteilen bis
ungefähr h Gewichtsanteilen Kohlenstoffpulver sowie
aus ungefähr O0Ol Gewichtsanteilen bis ungefähr 2 Gewichtsanteilen
- vorzugsweise 0„1 Gewichtsanteile bis ungefähr 2 Gewichtsanteile - metallisches Siliziumpulver
„ Wunschgemäß wird das Pulvergemenge durch Erwärmen auf eine Temperatur von ungefähr 135O°C bis unge-
7098U/0698
PATENTANWÄLTE F.W. HEMMERICH · GERC MüLLCR · D. GROSSE · F. POLLMEIER 72 572
fähr I55O C - vorzugsweise aber auf eine Temperatur
zwischen ungefähr 135O°C bis ungefähr l48O°C - in einer nichtoxydierenden und Stickstoff enthaltenden
Atmosphäre gebracht und bei dieser Temperatur gebrannt. Während dieses ErwärmungsVorganges laufen
die Reaktionen der Reduktion und der Aufnitrierung ab, während dieses ErwärmungsVorganges entsteht auch
das Silizium-Nitrid (Si_N. )„ Auf diesen Vorgang folgt
ein Aufheizvorgang in oxydierender Atmosphäre, beispielsweise
in Luft, der vorzugsweise bei einer Temperatur von ungefähr 600 C bis ungefähr 800 C, beispielsweise
bei einer Temperatur von rund 600 C bis rund 700°C, gefahren wirdo
Für das Gemenge aus Siliziumdioxid, Kohlenstoff und metallischem Silizium, d.ho für das SiO9-C-Si Gemenge,
wird das Mischungsverhältnis aus dem nachstehend angeführten Gründen vorzugsweise auf 1 : rund 0.4 bis
rund 4 : rund 0.1 bis rund 2 eingestellte Es ist festgestellt worden, daß sich dann eine große Menge Si9ON9
bildet, wenn die Mischung oder das Gemenge weniger als 0.4 Gewichtsanteile Kohlenstoff gegen 1 Gewichtsanteil Siliziumdioxid (SiO9) aufweist, wobei andererseits
wiederum die Menge des ^—Silizium-Nitrides,
(«■■< Si N. ) gering isto Bei einem Mischungsverhältnis
von ungefähr 4 Gewichtsanteilen Kohlenstoff (c) gegen 1 Gewichtsanteil Siliziumdioxid (Si0p) hat man festgestellt,
daß -Silizium-Nitrid. (^-Si Nj und Siliziumkarbid
(Sie) entstehen, was wiederum zur Folge hat, daß die Reinheit des <* -Silizium-Nitrides (ö/-Si„N^)
beeinträchtig wird,und eine geringere Menge an («*-Si„N4)
709814/0698
PATENTANWÄLTE F.W. HEMMER ICH · GERC V.ÜLLCR · D. GROSSE · F. POLLMEIER 72 572
9 - 6 -
ov.-Silizium-Nitrid erzeugt wird. Weist nun das Gemenge
weniger als ungefähr 0.1 Gewichtsanteile Silizium (Si) gegenüber 1 Gewichtsanteil Siliziumdioxid (SiOp) auf,
dann wird die Menge des gewonnenen oL -Si N. nur geringfügig
größer, wohingegen dann, wenn das Mischungsverhältnis von Silizium (Si) zu Siliziumdioxid (SiO2) größer
ist als 2 Gewichtsanteile Silizium (Si) gegen 1 Gewichtsanteil Siliziumdioxid (SiO2),ein feinkörniges
Si-Nr-Pulver, dessen Korngröße oder Korndurchmesser
nicht größer ist als 1 /im, nur sehr schwer hergestellt
werden kann. Ein solcher Fall macht einen Mahlvorgang erforderlich, bei dem Verunreinigungen eingeschleppt
werden können, so daß die gewünschte Feinverteilung im
Silizium-Nitrid-Pulver nicht erzielt werden kann.
Ein jeder der Ausgangsstoffe sollte vorzugsweise eine
Reinheit von 99 °ß> haben. Dies gilt für das Siliziumdioxid
(SiO ), für den Kohlenstoff (c) und für das metallische Silizium (Si). Was die Korngrößen betrifft,so
haben das Siliziumdioxid (SiO2) und der Kohlenstoff (c) einen Korndurchmesser von durchscnittlieh 1 /um,
während das metallische Silizium (Si) einen durchschnittlichen Korndurchmesser von 10 /um hat„
Die entsprechend dieser Erfindung ablaufende Nitrierungsreaktion
wird in einer Atmosphäre aus Np, NEL sowie aus einem aus N2 und Wasserstoff (Η«)-bestehenden
Gasgemisch ablaufen. Zu dieser Atmosphäre kann auch ein Schutzgas, beispielsweise Argon, gehören,
das Hauptreaktionsgas aber muß immer N? oder NHL sein.
Es ist experimentell nachgewiesen worden, daß diese
7098U/0698
PATENTANWÄLTE F.W. HEWMERlCH · GERD iV.üLLRR · D. GROSSE · F. POLLMEIER 72 572
10.8.1976
Gase N„ und. NH„ die Gewinnung von oL -Si„N^ hoher
Qualität sehr stark fördern,, Was nun die Temperatur betrifft,
auf die das SiO„-C-Si Gemenge erwärmt wird oder bei
der dieses Gemenge SiO_-C-Si gebrannt wird, und zwar
in der vorerwähnten nichtoxydierenden Atmosphäre,die
aus dem Hauptreaktionsgas N^ oder NH„ besteht, so
wird für diese Temperatur der Bereich von ungefähr 1350OC bis ungefähr 1550 C gewählt, vorzugsweise aber
der Temperaturbereich von ungefähr 1350 C bis ungefähr l48O C. Dieser Temperaturbereich ist aus den
nachstehend angeführten Gründen gewählt worden:- Xst
die Temperatur geringer als 1350 C, dann bilden sich die Si_N.-Partikel nur schwer. Überschreitet die Temperatur
den oberen Grenzwert, dann entsteht Siliziumkarbid (SiC) , dann kann das gewünschte .^-Si N.-Pulver
nicht in einer Form gewonnen werden, die zur Herstellung von hochtemperaturbeständigen und hochbeanspruchbaren
Ferkstoffen erforderlich isto
vorerwähnten Erwärmungs-und Brennvorgang, der in einer Atmosphäre, deren Hauptreaktionsgas zur Herbeiführung
der Nitrierung N2 oder dergleich ist, durchgeführt
wird, ist eine Wärmebehandlung in oxydierender Atmosphäre nachgeschaltet, mit der der restliche Kohlenstoff
entfernt werden solle Für diesen nachgeschalteten ErwärmungsVorgang wird eine Temperatur im Bereich
von ungefähr 600°C bis ungefähr 800°C gewählt, vorzugsweise eine Temperatur im Temperaturbereich von ungefähr
600°C bis 700°C 9 und zwar aus folgenden Gründen:- Wird
bei der Wahl des Temperaturbereiches zur Entfernung des nicht in Reaktion gegangenen Kohlenstoffes (c).
7098U/0898
PATENTANWÄLTE F.W. HEMMEFCCH · GERD V.ÜLLER · D. GROSSE · F. POLLMEIER 72 572
der jedoch noch immer vorhanden ist, der vorerwähnte
Temperaturbereich überschritten, dann wird dadurch eine Oxydation des erzeugten οζ. -Si_N. verursacht ,so
daß das gewünschte Si_N.-Pulver der ÖL-Ausführung
nicht gewonnen werden kann.
Überschreitet der Kohlenstoff (c) das stöchiometrische Mischungsverhältnis stark und wird bei der Reduktion
und bei dem NitrierungsVorgang verwendet,
wie dies zuvor beschrieben worden ist, dann wird die Reduktion des Siliziumdioxides (SiO2) stark gefördert,
dann verläuft auch die Nitrierung des Siliziums (Si) glatt, wobei ein oC -Si^N.-Pulver hoher Qualität mit
einem hohen Anteil an Si„N. in ausreichend guter Menge
gewonnen wird,, Bei Verwendung des mit dieser Erfindung
vorliegenden Verfahrens läßt sich ein Si„N.-Pulver,
das sich zur Herstellung von Si N.-Sinterwerkstoffen, (d„ho von Si„Nj,-Metalloxid-Sinterwerkstoffen) ,
die hochtemperaturbeständig und hochbeanspruchbar sind, leicht herstellen und gewinnen« Als Grund dafür wird
angenommen, daß die Reduktion von Siliziumdioxid SiO?
in Siliziumoxid SiO - SiO2 + C ^ SiO + CO
als die Hauptreaktion abläufto Bei dieser Reaktion
handelt es sich um eine Festphasenreaktiono Ist nun
das Mischungsverhältnis C/SiO? groß, dann vollzieht
sich diese Reaktion relativ schnell, und das dabei erzeugte Siliziumoxid (SiO) reagiert noch leichter
mit dem Np oder mit dem NH„. Bei dieser Reaktion können
das Siliziumoxid (SiO) und das N2 oder das ΝΗ~
im Zustand der Dampfphase vorhanden seinj und deshalb kann gesagt werden, daß von dem vorhandenen Anteil an
7098U/0698
PATENTANWÄLTE F.W. HEIVMER1CH · GE3C VöLLEH ■ D. GROSSE · F. POLLMEIER 72
JlX
- 9 -
Kohlenstoff (θ) die Reduktions-und Nitrierungsreaktion
des Siliziumoxides (SiO) gesteuert und geregelt wird. ¥as nun den Fall betrifft, in dem sich der Anteil an
Kohlenstoff (c) im stöchiometrischen Mischungsverhältnis befindet oder dieses stöchiometrische Mischungsverhältnis
nur geringfügig überschreitet, so ist festgestellt worden,daß SipON« entsteht, und die Umwandlung
des Si„ON2 in ein Sx„Nk der O^ -Ausführung außergewöhnlich
schwierig isto Der Anteil an Kohlenstoff (c)
überschreitet das stöchiometrische Mischungsverhältnis, wie dies zuvor beschrieben ist, sehr stark, und
es hat den Anschein, daß aus diesem Grunde die Bildung von Si 0N„ verhindert wird, was wiederum zur Folge hat,
das c^ -Si„Ni leicht hergestellt und gewonnen werden
kanne Einmal fördert eine Überschußmenge an Kohlenstoff
(c) die Bildung von Si„N. der <*- -Ausführung, zum anderen
aber verursacht sie auch die Bildung und Einführung von Siliziumkarbid (SiC) und anderen Verunreinigungen,
wodurch wiederum der Anteil an Si-Nr der0*- -Ausführung
relativ klein wird. Bei dem mit dieser Erfindung geschaffenen Verfahren ist aber auch eine bestimmte und
vorgegebene Menge an Silizium-Pulver, (Si-Pulver) im
Reaktionssystem vorhandene Nun wird dieses Siliziumpulver
(Si-Pulver) selber nitriert, aber die Reaktion
SiO2 >
SiO ist stärker,, Und weil dem so ist,
kommt es leicht zu einem Entstehen des SiO-Dampfes,
was wiederum zur Folge hat, daß durch die dann ablaufende
Reaktion SiO + C + N $ oi -Si N. das
Si N^ der 0^-Aus führung leicht gewonnen wird, und
zwar als C*v. -Si„N^ in einem feinkörnigen Zustand. Es
7098U/0698
PATENTANWÄLTE F.W. HEMMERICri ■ '3EPD MÜLLER · O. GROSSE · F. POLLMEIER 72 572
- 10 -
hat den Anschein, daß aus diesem Grunde der Anteil und die Ausbringung der Substanz sehr stark vergrößert
werden, und dies unter Verhinderung der Bildung von Siliziumoxid SiO und unter Verhinderung
der Bildung und Einführung von Verunreinigungen. Ganz besonders die Tatsache, daß die Bildung von
Siliziumoxid SiO gefördert wird, beschleunigt die dann folgende Gewinnung von Sx„Nk der &·—Ausführung.
Aus diesem Grunde entsteht dann auch ein feinkörniges Pulver mit einheitlicher Form, wie dies mit
der beiliegenden Figur dargestellt ist. Diese Figur zeigt eine Mikrofotografie, die mit einer Vergrößerung von χ 3000 die
feine Partxkelverteilung einer Probe des Si N, der
dL-Ausführung wiedergibt, das mit einem dieser Erfindung
entsprechenden Verfahren synthetisch gewonnen und hergestellt worden isto Durch Sintern dieses
Stoffes mit einem geeigneten Metalloxid kann ein sehr zuverlässiger Sinterwerkstoff hergestellt werden,
Damit aber kann bei Verwendung dieser Erfindung ein oc-Si_N.-Pulver gewonnen und hergestellt werden, das
eine hohe Qualität aufweist, das einen hohen Anteil an Si„NY derot -Ausführung hat und nur geringe Mengen
an Siliziumkarbid SiC und anderen Verunreinigungen enthält. Damit eignet sich aber das mit dieser Erfindung
entwickelte Verfahren zur Gewinnung und Herstellung von Si„Nr-Pulver, das als Ausgangswerkstoff für
gesinterte Konstruktionselemente eingesetzt werden kann, die hohe Temperaturen und hohe Beanspruchungen
aushalten können, beispielsweise als Bauelemente für
7098U/0698
PATENTANWÄLTE F.W. HEMMERICH · GEFiD FÜLLER · D. GROSSE · F. POLLMEIER 72 572
- bh -
10.8.1976
Gasturbinen a
Nachstehend soll nun diese Erfindung anhand der Beispiele 1 bis l4 näher erläutert werdeno Bei den mit
den Buchstaben a bis g gekennzeichneten Beispielen
handelt es sich um Referenzbeispiele.
Siliziumdioxidpulver - SiO_-Pulver - mit einem Korndurchmesser
von durchschnittlich 13 /um, Kohlenstoffpulver - C-Pulver - mit einem Korndurchmesser von
durchschnittlich 29 /um sowie metallisches Silizium-Si-Pulver
mit einem Korndurchmesser von durchschnittlich
Io8 /U sind in den mit Tabelle angeführten Mischungsverhältnissen
miteinander vermischt und vermengt worden o
Die vorerwähnten Pulver oder Pulvergemenge sind für
die Dauer von 2 Stunden bis 5 Stunden in einer nichtoxydierenden N„, N„ - KL, N„ - A oder NH„-Atmosphäre
auf eine Temperatur von 1350 C bis I5OO C gebracht
und bei dieser Temperatur gebrannt worden; Diesem Vorgang folgte eine Wärmebehandlung in oxydierender
Atmosphäre, die bei einer Temperatur von 700 C durchgeführt wurde und 8 Stunden dauerteo Mit diesem Verfahren
konnten Pulver des Si N.-Systems hergestellt
und gewonnen werden,, Für jedes der Pulver des Si„N. Systemes
wurden bestimmt und festgestellt: Der Stickstoffanteil N (in Gewichtsprozenten), der Anteil an
£ -Si^N. (nachgewiesen durch das Röntgen-Beugungsbild),
der Anteil an Siliziumkarbid SiC (Gewichtsprozente), die Anteile von metallischen Silizium Si sowie von
anderen anderen metallischen Verunreinigungen (Gewichtsprozente) sowie die durchschnittliche Abmessung und
7098U/0698
PATENTANWÄLTE F.W. HEMMERICH · GERD MÜLLER · D. GROSSE · F. POLLMEIER 72 572
- 12 -
die durchschnittliche Partikelgröße. Alle diese Werte
sind in der Tabelle angeführt,,
Für die Tabelle verwendet wurden die nachstehend angeführten
Kurbezeichnungen und Symbole:-
p = Siliziumdioxidpulver
C = Kohlenstoffpulver
Si = metallisches Siliziumpulver
temp. = Temperatur (Grad Celsius)
während der Reaktionsbehändlung.
T = Zeit zur Durchführung der
Reaktionsbehandlung (Stunde)
S = durchschnittlicher Korndurch
messer (Mikron)
N = Stickstoffanteil (Gewichts
prozente)
OC-Si N. = Anteil an -Si N. (Gewichts
prozente)
SiC = Anteil an Siliziumkarbid SIC
(Gewichtsprozente)
Verunreinigungen = andere metallische Verunreinigungen (Gewichtsprozente).
Bei einem modifizierten Verfahren dieser Erfindung
kann das Kohlenstoffpulver ganz oder zum Teil ersetzt
werden durch ein Kohlenwasserstoff (Cx Hy), vorzugsweise
durch ein festes Kohlenwasserstoff in Pulverform, (beispielsweise polyzyklisches, aromatisches Kohlenwasserstoff,
wie beispielsweise Anthrazen)„ Bei einer anderen Modifikation des Verfahrens kann das
metallische Siliziumpulver ersetzt werden durch eine anorganische Siliziumverbindung, welches in der Wärmebehandlung
metallisches Silizium bilden läßt»
7098 U/0698
CVl I ir- in xj P CM t- I |
ON H ο cn CO H O O H I |
Beispiel Nr. |
Zusammen setzung (Gewichts- |
, C Si | Reaktionsbe dingungen |
T (h) |
Atmos phäre |
N2 | Eigenschaften des | N (o/o) | erzeugten | Pulvers | 0.09 | igungeij | ro (T) |
|
LLMEIER | anteile) | 2 0.2 | Temp. | 5 | N2 | N2 | S Cm) | 37.3 | -Si3N^ [O/Oj | 0.22 | ||||||
O Q- |
1 | SiO. | 3 1 | i4oo | 5 | N2 | N2 | 0.78 | 36.8 | 98 | I SiC (0/0) Verunrein: | 0.09 | P1O cn |
|||
U- UJ |
2 | 1 | 2 2 | i4oo | 5 | N2 | N2 | 0.78 | 37 o0 | 98 | 0.08 | 0o23 | ||||
(Λ S |
3 | 1 | 4 0.5 | i4oo | 5 | N2 | N2 | 0.77 | 37.1 | 98 | 0.18 | O0O5 | ||||
cc
(D |
4 | 1 | 0.4 o.i | i4oo | 5 | N2 | N2 | 0.8 | 34.8 | 98 | 0o07 | O.O5 | ||||
O | 5 | 1 | 2 0.2 | 1400 | 5 | N2 | N2 | 0.77 | 36.1 | 96 | O.32 | o.o4 | ||||
CC UJ |
6 | 1 | 2 0.2 | i4oo | 5 | N2 | N2 | 0.77 | 34.0 | 97 | < OoOl | 0.08 | ||||
•ο | D | 7 | 1 | 2 0.2 | 1380 | 2 | N2 | N2 | 0.74 | 37oO | 97 | < OoOl | O.O7 | |||
co | Q Qr |
8 | 1 | 2 0.2 | 1450 | H 2 2 |
N2 + H2 | 0.83 | 36.9 | 98 | OoOl | O.O7 0.06 |
||||
00 | UJ O |
9 | 1 | 2 0.2 2 0.2 |
1400 | 1 : 1 NH NH |
0.75 | 37 ο 1 31.6 |
98 | 0.1 | 0o08 | i | ||||
EMMERICH · | 10 11 |
1 | 2 0.2 | i4oo 1350 |
2 '-'N0 + A | 0.74 0.7 |
35ol | 89 97 |
O0O6 | O.O5 | ||||||
8690 | X | 12 | 1 1 |
2 0.1 | i4oo | V. 5 |
0.66 | 36.9 | 97 | O0O2 | O.O5 | |||||
U-' | 13 | 1 | 2 0.05 | i4oo | 5 | 0.68 | 25.1 | 96 | O.O5 | O.27 | ||||||
UJ b |
14 | 1 | 4.5 - | i4oo | 2 | 0.7 | 19.2 | 94 | O.O6 | O.O9 | ||||||
a | 1 | 2 | l4oo | 2 | 0.8 | 16.3 | 83 | 0.04 | O.O9 | |||||||
I | b | 1 | 2 | l4oo | 2 | 0.71 | 35.2 | 81 | O.9I | O.O5 | ||||||
UJ | C | 1 | 0.4 - | 1500 | 2 | 1.2 | 9.1 | 82 | 0.50 | O.O5 | ||||||
d | 1 | 0.4 - | i4oo | 2 | 0.77 | 34.1 | 77 | 2.91 | 0.01 | |||||||
e | 1 | - 1 | 1500 | 2 | 1.1 | 36.6 | 80 | 0.04 | O.O7 | |||||||
f | 1 | 2 0.05 | i4oo | 2 | 2.0 | 19.0 | 66 | 1.17 | ||||||||
S | - | i4oo | 0.78 | 83 | -I | |||||||||||
1 | o.o4 |
Claims (8)
- PATENTANWÄLTE F.W. HEMWIEPICH · GtRO MÜLLER · ü. GROSSE · F. POLLMEIER 72 572- bh -2642554 10.8.1976Patentansprüche;-Verfahren zur Herstellung von «Λ. -Silizium-Nitrid-Pulver tdadurch gekennzeichnet, daß ein aus Silizumdioxidpulver, aus Kohlenstoffpulver und aus metallischen Siliziumpulver zusammengesetztes Gemenge in einer nichtoxydierenden Atmosphäre, die Stickstoff oder Ammoniak enthält, derart auf die Nitrierungstemperatur erwärmt wird, daß ein Produkt entsteht, welches Silizium-Nitrid enthält; daß das derart erhaltene Produkt sodann zur Entfernung des in ihm enthaltenen Kohlenstoffes auf höhere Temperaturen in einer oxydierenden Atmosphäre erwärmt wird,
- 2. Verfahren nach Anspruch 2,
- dadurch gekennzeichnet, daß das Gemenge sich zusammensetzt aus: 1 Gewichtsanteil Siliziumdioxydpulver, aus ungefähr 0.
- 4 Gewichtsanteilen bis ungefähr h Gewichtsanteilen Kohlenstoffpulver sowie aus ungefähr 0,01 Gewichts anteilen bis ungefähr 2 Gewichtsanteilen metallisches Siliziumpulvereβ Verfahren nach Anspruch 2,da durch gekennzeichnet, daß sich das Pulvergemenge zusammensetzt aus: 1 Gewichtsanteil Siliziumdioxidpulver, aus 0,4 Gewichtsanteilen bis ungefähr 4 Gewichtsanteilen Kohlenstoffpulver sowie aus ungefähr O0I Gewichtsanteilen bis ungefähr 2 Gewichtsanteilen metallisches Siliziumpulver.7098U/0B98PATENTANWÄLTE F.W. HEMMEPlCH - GhRD MÜLLER - D. GROSSE · F. POLLMEIER 72 572- bh -2642554 10.8.1976- 15 -k. Verfahren nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Pulvergemenge zum Zwecke des Aufnitrierens auf eine Temperatur im Bereich von 1350 C bis ungefähr 1550 C erwärmt wird.
- 5. Verfahren nach Anspruch kt
dadurch gekennzei c~h net, daß das Pulvergemenge zum Zwecke des Aufnitrierens auf eine Temperatur erwärmt wird die im Temperaturbereich zwischen 1350 C bis ungefähr l48O°C liegt. - 6. Verfahren nach irgendeinem der Anspruch 1 bis 5f dadurch gekennzeichnet, daß das aus dem Nitrierungsprozeß entstandene Produkte zum Zwecke der Entkohlung oder der Entfernung des Kohlenstoffes durch Erwärmen auf eine Temperatur im Temperaturbereich von 600 C bis ungefähr 800 C gebracht wird.
- 7. Verfahren nach Anspruch 6,
dadurch gekennzeichnet, daß das im Nitrierungsprozeß gewonnene Produkt zur Entkohlung oder Entfernung des Kohlenstoffes auf eine Temperatur von ungefähr 600 C bis ungefähr 70O°C erwärmt wird. - 8. Verfahren nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dafl das Kohlenstoffpulver durch einen Kohlenwasserstoff ersetzt wird.9· Verfahren nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet,7098U/0693PATENTANWÄLTE F.W. HEWMERICH · GEHC V.ÖLLCR · D. GROSSE · F. POLLMEIER 72 572- bh -2642554 10.8.1976 t - 16 -daß das metallische Siliziumpulver ersetzt wird von einer organischen Siliziumverbindung, die unter Wärmezufuhr metallisches Silizium entstehen läßt β- Ende -709814/0898
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP50113762A JPS5238500A (en) | 1975-09-22 | 1975-09-22 | Production of alpha-silicon nitride powder |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2642554A1 true DE2642554A1 (de) | 1977-04-07 |
DE2642554B2 DE2642554B2 (de) | 1978-09-14 |
DE2642554C3 DE2642554C3 (de) | 1979-05-03 |
Family
ID=14620488
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2642554A Expired DE2642554C3 (de) | 1975-09-22 | 1976-09-22 | Verfahren zur Herstellung von a- Siliziumnitrid |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4117095A (de) |
JP (1) | JPS5238500A (de) |
DE (1) | DE2642554C3 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4514370A (en) * | 1981-11-25 | 1985-04-30 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Process for preparing silicon nitride powder |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4218257A (en) * | 1975-04-07 | 1980-08-19 | Ngk Insulators, Ltd. | Sintered silicon nitride body and a method of producing the same |
JPS5290499A (en) * | 1976-01-27 | 1977-07-29 | Toshiba Ceramics Co | Process for preparing siliconnitride having high alphaaphase content |
JPS5443899A (en) * | 1977-09-16 | 1979-04-06 | Chisso Corp | Preparation of silicon nitride |
JPS5953234B2 (ja) * | 1978-05-08 | 1984-12-24 | 日本特殊陶業株式会社 | 高強度窒化けい素焼結体の製造法 |
JPS5515964A (en) * | 1978-07-21 | 1980-02-04 | Tokyo Shibaura Electric Co | Producing silicon nitride sintered body |
JPS5527844A (en) * | 1978-08-16 | 1980-02-28 | Tokyo Shibaura Electric Co | Manufacture of silicon nitride sintered article |
US4376652A (en) * | 1979-01-08 | 1983-03-15 | Gte Products Corporation | High density high strength Si3 N4 ceramics prepared by pressureless sintering of amorphous Si3 N4 powder and Ti |
JPS55113603A (en) * | 1979-02-19 | 1980-09-02 | Toshiba Corp | Manufacture of alpha silicon nitride powder |
JPS5673603A (en) * | 1979-11-14 | 1981-06-18 | Toshiba Corp | Manufacture of silicon nitride |
JPS5673604A (en) * | 1979-11-22 | 1981-06-18 | Toshiba Corp | Manufacture of silicon nitride |
US4396587A (en) * | 1980-08-29 | 1983-08-02 | Asahi-Dow Limited | Method for manufacture of silicon nitride |
US4388255A (en) * | 1981-03-27 | 1983-06-14 | Boeing Aerospace Co. (A Division Of The Boeing Company) | Method for producing pre-shaped α-silicon nitride whisker compacts and loose whiskers for composite material reinforcement |
SE449221B (sv) * | 1983-04-19 | 1987-04-13 | Kemanord Ind Ab | Forfarande for framstellning av kiselnitrid genom omsettning av kiseldioxid, kol och kveve vid en temperatur over 1300?59oc |
US4487840A (en) * | 1983-06-21 | 1984-12-11 | Cornell Research Foundation, Inc. | Use of silicon in liquid sintered silicon nitrides and sialons |
US4552711A (en) * | 1983-06-21 | 1985-11-12 | Cornell Research Foundation, Inc. | Use of free silicon in liquid phase sintering of silicon nitrides and sialons |
US4582696A (en) * | 1985-04-15 | 1986-04-15 | Ford Motor Company | Method of making a special purity silicon nitride powder |
US4604273A (en) * | 1985-04-19 | 1986-08-05 | Gte Products Corporation | Process for the growth of alpha silicon nitride whiskers |
US4701316A (en) * | 1986-08-29 | 1987-10-20 | Allied Corporation | Preparation of silicon nitride powder |
US5538675A (en) * | 1994-04-14 | 1996-07-23 | The Dow Chemical Company | Method for producing silicon nitride/silicon carbide composite |
US5935705A (en) * | 1997-10-15 | 1999-08-10 | National Science Council Of Republic Of China | Crystalline Six Cy Nz with a direct optical band gap of 3.8 eV |
RU2556931C1 (ru) * | 2014-02-11 | 2015-07-20 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт структурной макрокинетики и проблем материаловедения Российской академии наук | Способ получения композиционных порошков на основе альфа-фазы нитрида кремния методом свс |
KR102704177B1 (ko) * | 2021-03-19 | 2024-09-06 | 주식회사 아모텍 | 기판 제조용 질화규소 분말 제조방법 및 이를 통해 제조된 질화규소 분말 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1104384A (en) * | 1904-12-30 | 1914-07-21 | George Westinghouse | Process of producing silicon monoxid. |
US1054901A (en) * | 1909-11-23 | 1913-03-04 | Basf Ag | Compounds containing silicon and nitrogen and process of producing such compounds. |
GB1121293A (en) * | 1963-10-28 | 1968-07-24 | Mini Of Technology | Improvements in the manufacture of silicon nitride |
US3244480A (en) * | 1964-03-03 | 1966-04-05 | Robert C Johnson | Synthesis of fibrous silicon nitride |
US3728436A (en) * | 1970-11-09 | 1973-04-17 | V Kokin | Method of obtaining silicon monoxide |
US3855395A (en) * | 1972-09-06 | 1974-12-17 | Univ Utah | Production of silicon nitride from rice hulls |
US3959446A (en) * | 1974-03-01 | 1976-05-25 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Synthesis of high purity, alpha phase silicon nitride powder |
-
1975
- 1975-09-22 JP JP50113762A patent/JPS5238500A/ja active Granted
-
1976
- 1976-09-22 US US05/725,669 patent/US4117095A/en not_active Expired - Lifetime
- 1976-09-22 DE DE2642554A patent/DE2642554C3/de not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4514370A (en) * | 1981-11-25 | 1985-04-30 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Process for preparing silicon nitride powder |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5413240B2 (de) | 1979-05-29 |
US4117095A (en) | 1978-09-26 |
DE2642554C3 (de) | 1979-05-03 |
JPS5238500A (en) | 1977-03-25 |
DE2642554B2 (de) | 1978-09-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2642554A1 (de) | Verfahren zur herstellung von alpha- silizium-nitrid-pulver (alpha-si tief 3 n tief 4 -pulver) | |
DE2814235A1 (de) | Verfahren zur herstellung von alpha- siliziumnitridpulver | |
DE2940629C2 (de) | ||
DE2736861C3 (de) | Polykohlenstofffluoride und Verfahren zur Herstellung derselben | |
DE69504196T2 (de) | Verfahren zur herstellung von siliciumcarbid | |
DE2733354A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines keramikproduktes | |
EP0012915B1 (de) | Verfahren zur Herstellung von oxidischen Kernbrennstoffkörpern | |
DE3719515A1 (de) | Oxidationsbeständiger Körper aus Kohlenstoff und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE2909023B2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Siliciumcarbidpulvers | |
DD159764A5 (de) | Verfahren zur herstellung eines siliciumdioxid und kohlenstoff enthaltenden vorproduktes fuer die silicium-und/oder siliciumcarbiderze ugung | |
DE3510264A1 (de) | Amorphes feinteiliges pulver und verfahren zur herstellung einer feinteiligen pulvermischung aus siliciumnitrid und siliciumcarbid | |
DE102008062177A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von hochreinem Siliciumnitrid | |
DE69714275T2 (de) | Verfahren zum herstellen rissfreier diffusionskomponenten aus siliziumcarbid | |
DE2700208A1 (de) | Polykristalliner siliziumnitrid- koerper und verfahren zu dessen herstellung | |
DE3100554C2 (de) | ||
DE69024106T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von kubischem Bornitrid aus hexagonalem, beschichteten Bornitrid | |
DD279465A5 (de) | Verfahren zur herstellung selbsttragender keramikkoerper mit gerader form | |
DE69525939T2 (de) | Gesintertes siliciumnitrid und verfahren zu seiner herstellung | |
DE69104918T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Verbundkörpers auf der Basis von Siliziumcarbid. | |
DE3338755A1 (de) | Formkoerper auf siliziumkarbidbasis zum einsatz bei der halbleiterherstellung | |
DE3531790A1 (de) | Verfahren zur herstellung de (beta)-form von si(pfeil abwaerts)3(pfeil abwaerts)n(pfeil abwaerts)4(pfeil abwaerts) | |
DE282748C (de) | ||
DE3602647C2 (de) | ||
DE3543752C2 (de) | ||
DE2461821A1 (de) | Verfahren zur herstellung von hexagonalem bornitrid |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, KAWASAKI, KANAGAWA, JP |
|
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |