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DE2433981A1 - Semiconductor capacitative microphone element - using poly-crystalline base material has flexible capacitor electrode - Google Patents

Semiconductor capacitative microphone element - using poly-crystalline base material has flexible capacitor electrode

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DE2433981A1
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Shinzi Okohara
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Abstract

The microphone element consists of two audio sensitive parts mounted on a single base of poly-crystalline material. The junction between the two parts, and the base of the crystalline material form the two electrical external contacts. Pressure waves hitting the surface of the device cause a noticeable difference in the electrostatic capacitance between the plates, and this property is used to convert the audio signal, into an electrical signal. Electrodes for electrical connections are mounted on the flexible diaphragm disc.

Description

Halbleitersprechpfadschalter Die Erfindung bezieht sich auf einen Halbleitersprechpfadschalter, der ein ausgezeichnetes Hochfrequenzverhalten aufweist und sich gut für einen Breitbandbetrieb eignet. Solid State Speech Path Switch The invention relates to a Solid state speech path switch that has excellent high frequency behavior and is well suited for broadband operation.

Mit der neuerlichen Tendenz zum Ersetzen mechanischer Einrichtungen durch gleichwertige elektronische Einrichtungen wurde auch die Aufmerksamkeit auf einen Halbleitersprechpfadschalter als Ersatz für einen Sprechpfadschalter mit mechanischen Kontakten gelenkt. With the recent tendency to replace mechanical devices attention was also drawn to by equivalent electronic devices a solid state speech path switch to replace a mechanical speech path switch Steered contacts.

Ein Halbleitersprechpfadschalter ist ein Schalter, bei dem Halbleiterelemente als Kontakte an den Kreuzungspunkten der Reihen und Säulen der Sprechpfadmatrix dienen und Sprechsignale und andere Informationssignale durch selektives Betätigen einiger der Flalbleiterelemente weitergeleitet werden. Die erstrangige Anforderung an einen solchen Halbleitersprechpfadschalter ist die, daß die Einfügungsdämpfung und das Nebensprechen von einer besetzten Leitung ZU einer anderen gering gehalten werden müssen. A semiconductor voice path switch is a switch in which semiconductor elements as contacts at the crossing points of the rows and columns of the speech path matrix serve and speech signals and other information signals by selective actuation some of the semiconductor elements are passed on. The primary requirement to such a semiconductor speech path switch is that the insertion loss and low crosstalk from one busy line TO another Need to become.

Beim Herstellen eines Halbleitersprechpfadschalters mittels integrierter Schaltungstechniken werden die Sprechpfadelemente des Schalters gegenseitig nach dem Verfahren mit PN-Ubergangsisolation isoliert. When manufacturing a semiconductor voice path switch by means of integrated Circuit techniques are mutually following the speech path elements of the switch isolated using the PN junction isolation method.

Dieses Verfahren wird gegenwärtig am meisten bevorzugt, während das Verfahren der gegenseitigen Trennung durch dielektrische Isolation weniger günstig anwendbar ist.This method is currently most preferred, while the Methods of mutual separation by dielectric isolation are less favorable is applicable.

Ein Halbleitersprechpfadschalter mit Verwendung der PN-U#bergangsisolation hat jedoch eine große Ubergangskapazität, und außerdem tritt dabei durch die Sprechpfadelemente und die Unterlage die Funktion eines parasitären aktiven Elementes auf. Demgemäß ergeben sich Nachteile: Das Nebensprechen von einer besetzten Leitung zur anderen, wenn die Elemente abgeschaltet sind, und die Einfügungsdämpfung, wenn die Elemente angeschaltet sind, sind beträchtlich. A solid-state speech path switch using PN transition isolation however, has a large transition capacity, and it also passes through the speech path elements and the pad functions as a parasitic active element. Accordingly there are disadvantages: crosstalk from one busy line to another, when the elements are turned off, and the insertion loss when the elements switched on are considerable.

Wenn andererseits die dielektrische Isolation verwendet wird, existiert kein parasitäres Element zwischen den Sprechpfadelementen und der Unterlage, und die parasitäre elektrostatische Kapazität aufgrund des dielektrischen Bereichs ist geringer als die Übergangskapazität nach dem Verfahren der Trennung durch PN-Übergänge, so daß sich die oben erwähnten Nachteile fast völlig beseitigen lassen. On the other hand, when the dielectric isolation is used, exists no parasitic element between the speech path elements and the pad, and is the parasitic electrostatic capacitance due to the dielectric region less than the transition capacity after the procedure of separation by PN junctions, so that the disadvantages mentioned above are almost completely eliminated permit.

Bei der herkömmlichen dielektrischen Isolation wi rd jedoch die Unterlage (üblicherweise polykristallines Silizium) elektrisch ungeerdet benutzt, und die Sprechpfadelemente in der Unterlage sind gegenseitig durch die elektrostatischen Kapazitäten im dielektrischen Bereich elektrisch gekoppelt. Daher kann, wenn dieses Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersprechpfadschalters angewandt wird, bei dem das Nebensprechen für einen Hochfrequenzbereich über 1 MHz sehr gering sein muß, die Sprechableitung durch die Unterlage nicht vernachlässigt werden, obwohl die elektrostatische Kapazität des dielektrischen Bereichs viel geringer als die Übergangskapazität bei der PN-Übergangsisolation ist. With the conventional dielectric insulation, however, the base becomes (usually polycrystalline silicon) used electrically ungrounded, and the Speech path elements in the pad are mutually due to the electrostatic Electrically coupled capacitances in the dielectric range. Hence, if this can Method for manufacturing a semiconductor voice path switch is applied in which the crosstalk can be very low for a high frequency range above 1 MHz must not be neglected, the speech derivation through the underlay, though the electrostatic capacity of the dielectric region is much lower than that Junction capacitance in the PN junction isolation is.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, einen Halbleitersprechpfadschalter zu schaffen, der ein ausgezeichnetes Hochfrequenzverhalten aufweist und sich sehr gut für Hoch- bzw. Breitbandbetrieb eignet. Gleichzeitig soll damit ein Halbleitersprechpfadschalter geboten werden, der kaum durch die irrtümliche Betätigung aufgrund eines Gradienteneffekts, bei dem ein PNPN-Schalter durch Anliegen einer steilen Spannung, d. h. einer Spannung mit kurzer Anstiegszeit zwischen Anode und Kathode eingeschaltet wird, beeinträchtigt wird. The invention is therefore based on the object of a semiconductor speech path switch to create, which has an excellent high frequency behavior and very well suited for high or broadband operation. At the same time it is intended to be a semiconductor speech path switch are offered, which is hardly affected by the erroneous actuation due to a gradient effect, in which a PNPN switch by applying a steep voltage, i. H. a tension is switched on with a short rise time between anode and cathode will.

Gegenstand der Erfindung, womit diese Aufgabe gelöst wird, ist ein Halbleitersprechpfadschalter mit in einer polykristallinen Unterlage durch dielektrische Isolation elektrisch voneinander isolierten Sprechpfadelementen, mit dem Kennzeichen, daß an der polykristallinen Unterlage ein den Sprechpfadelementen gemeinsamer Kontakt angebracht und zur Vermeidung der gegenseitigen elektrischen Kopplung der Sprechpfadelemente durch die elektrostatische Kapazität des dielektrischen Isolationsteils geerdet ist. The invention, with which this object is achieved, is a Semiconductor voice path switch with in a polycrystalline base through dielectric Isolation electrically isolated from each other Speech path elements, with the indication that the speech path elements on the polycrystalline base common contact attached and to avoid mutual electrical Coupling of the speech path elements through the electrostatic capacitance of the dielectric Insulation part is grounded.

Die Erfindung gibt also einen Halbleitersprechpfadschalter mit durch dielektrische Isolation elektrisch voneinander getrennten Sprechpfadelementen an, bei dem ein Kontakt an der polykristallinen Unterlage gemeinsam für die Sprechpfadelemente vorgesehen ist und dieser Kontakt derart geerdet ist, daß die kapazitive Kopplung der einzelnen Sprechpfadelemente untereinander vermieden werden kann. Der Halbleitersprechpfadschalter weist somit ein ausgezeichnetes Hochfrequenzverhalten auf und ist gut für Breitbandbetrieb geeignet. The invention therefore also provides a semiconductor speech path switch dielectric isolation on electrically separated speech path elements, in which one contact on the polycrystalline base is common for the speech path elements is provided and this contact is grounded in such a way that the capacitive coupling between the individual speech path elements can be avoided. The solid state speech path switch thus has excellent high frequency behavior and is good for broadband operation suitable.

Die Erfindung wird anhand der in der Zeichnung veranschaulichten Ausführungsbeispiele näher erläutert, darin zeigen: Fig. 1 ein Schaltungsdiagramm eines Sprechpfadschalters, Fig. 2 einen Querschnitt eines Teils eines bekannten Halbleitersprechpfadschalters, Fig. 3 a und 3 b Äquivalentschaltungen für den Schalter in Fig. 2, Fig. 4 einen Querschnitt eines Teils eines bekannten Halbleitersprechpfadschalters mit Verwendung der dielektrischen Isolation, Fig. 5 einen Querschnitt eines Teils eines Halbleitersprechpfadschalters als eines Ausführungsbeispiels der Erfindung, Fig. 6 einen Querschnitt eines Teils eines Halbleitersprechpfadschalters als eines weiteren Ausführungsbeispiels der Erfindung, und Fig. 7 eine Äquivalentschaltung für den Halbleitersprechpfadschalter nach Fig. 5 oder Fig. 6. The invention is illustrated with reference to the in the drawing Exemplary embodiments are explained in more detail, in which: FIG. 1 shows a circuit diagram a speech path switch, Fig. 2 is a cross-section of part of a known one Semiconductor voice path switch, Fig. 3 a and 3 b equivalent circuits for the switch in Fig. 2, Fig. 4 a cross section of part of a known semiconductor speech path switch with the use of dielectric isolation, Fig. 5 is a cross section of part of a semiconductor voice path switch as an embodiment of FIG Invention, Figure 6 is a cross-section of a portion of a semiconductor voice path switch as a further embodiment of the invention, and Fig. 7 shows an equivalent circuit for the semiconductor speech path switch according to FIG. 5 or FIG. 6.

Vor der näheren Beschreibung der bevorzugten Ausführungsbeispiele der Erfindung soll der Aufbau einer Sprechpfadmatrix und eines bekannten Halbleiternachrichtenkanalschalters anhand der Fig. 1 bis 4 erläutert werden. Before describing the preferred embodiments in detail The invention seeks to construct a voice path matrix and a known semiconductor message channel switch will be explained with reference to FIGS.

In Fig. 1, die eine Sprechpfadmatrix in der einfachsten Form zeigt, weist ein Sprechpfadschalter 1 Signal-Eingangsleitungen 2 und Signal-Ausgangsleitungen 3 und Kontakte 11, 12, 13 und 14 an den Kreuzungspunkten der Eingangs- und Ausgangsleitungen auf. In Fig. 1, which shows a speech path matrix in its simplest form, a speech path switch 1 comprises signal input lines 2 and signal output lines 3 and contacts 11, 12, 13 and 14 at the crossing points of the input and output lines on.

Wenn die Kontakte 11 und 14 geschlossen werden, um Sprechpfade zwischen der Eingangsleitung 21 und der Ausgangsleitung 31 sowie zwischen der Eingangsleitung 22 und der Ausgangsleitung 32 zu schaffen, kann z. B. das Sprechsignal auf der Eingangsleitung 21 durch die offenen Kontakte 12 und 13 in den Sprechpfad 22 - 32 abwandern. When contacts 11 and 14 are closed, speech paths between the input line 21 and the output line 31 and between the input line 22 and the output line 32 can, for. B. the speech signal on the input line 21 migrate through the open contacts 12 and 13 into the speech path 22-32.

Diese Erscheinung wird Nebensprechen genannt und wächst üblicherweise mit dem Steigen der Frequenz, da offene Kontakte als elektrostatische Kapazität wirken. Das Nebensprechen oberhalb eines gewissen Niveaus verursacht eine beträchtliche Verschlechterung der Sprechqualität .This phenomenon is called crosstalk and it usually grows with increasing frequency, since open contacts as electrostatic capacity works. The crosstalk above a certain level causes a considerable amount Deterioration in speech quality.

Fig. 2 ist ein Querschnitt durch einen bekannten PNPN-Schalter, der von benachbarten PNPN-Schaltern durch PN-Übergänge elektrisch getrennt oder isoliert ist und als ein Bestandteil des fIalbleftersprechpfadschalters dient. In Fig. 2 sind eine P-Unterlage 5, eine N-Epitaxialschicht 6, ein P -Diffusionsbereich 7 zur Isolation eines Sprechpfadelements von einem anderen, ein Anodenkontakt A, ein Kathodenkontakt K, ein Torkontakt G und eine Elektrode S in Berührung mit der Unterlage 5 dargestellt. Fig. 2 is a cross section through a known PNPN switch, the electrically isolated or isolated from neighboring PNPN switches by PN junctions and serves as part of the eventual voice path switch. In Fig. 2 are a P-pad 5, an N-epitaxial layer 6, a P -diffusion region 7 for Isolation of a speech path element from another, an anode contact A, a cathode contact K, a gate contact G and an electrode S in contact with the base 5 are shown.

Fig. 3 zeigt eine Äquivalentschaltung des in Fig. 2 dargestellten PNPN-Schalters. Da das Sprechpfadelement durch einen PN-Ubergang elektrisch isoliert ist, bildet sich ein zwischen dem Anodenkontakt A und der Unterlagenelektrode S dargestellter parasitärer Transistor 8. FIG. 3 shows an equivalent circuit of that shown in FIG PNPN switch. Since the speech path element is electrically isolated by a PN junction is, a forms between the anode contact A and the base electrode S. parasitic transistor 8 shown.

Fig. 3a entspricht dem Fall, wo die Unterlagenelektrode S geerdet ist, und Fig. 3 b dem Fall, wo die Unterlagenelektrode S mit dem Kathodenkontakt K verbunden ist. In der Schaltung gemäß Fig. 3a läßt sich das Nebensprechen zwischen dem Anodenkontakt A und dem Kathodenkontakt K im abgeschalteten Zustand verhindern, während die Einfiigungsdämpfung im leitenden Zustand aufgrund des parasitären PNPN-Transistors 8 beträchtlich ist. Andererseits ist in der Schaltung nach Fig.Fig. 3a corresponds to the case where the pad electrode S is grounded is, and Fig. 3b the case where the pad electrode S with the cathode contact K is connected. In the circuit according to FIG. 3a, the crosstalk between prevent the anode contact A and the cathode contact K when switched off, while the insertion loss in the conductive state due to the parasitic PNPN transistor 8 is considerable. On the other hand, in the circuit according to Fig.

3 b die Einfügungsdämpfung im leitenden Zustand gering, jedoch ist das Nebensprechen im abgeschalteten Zustand erheblich. Daher gleichen sich bei diesen Schaltungen die Vorteile mit den Nachteilen gerade aus.3 b the insertion loss in the conductive state is low, however the crosstalk significantly when switched off. Therefore, these are the same Circuits straight out the advantages with the disadvantages.

Fig. 4 zeigt einen Querschnitt eines bekannten PNPN-Schalters, bei dem die Sprechpfadelemente durch dielektrische Isolation getrennt sind. In einer polykristallinen Siliziumunterlage 9 ist eine Siliziumeinkristall-Insel 11 mit einer dielektrischen Schicht 10 aus z. B. SiO2 gebildet, die beide voneinander trennt. Das Sprechpfadelement (PNPN- Schalter in dieser Figur) wird in der Siliziumeinkristall-Insel 11 erzeugt. Die polykristalline Unterlage 9 ist elektrisch ungeerdet und dient nur zur Gewährleistung der mechanischen Festigkeit. Das Sprechpfadelement ist daher mit einem anderen durch die Unterlage infolge der parasitären elektrostatischen Kapazität aufgrund der dielektrischen Schicht elektrisch gekoppelt. Folglich ist das Nebensprechen im Hochfrequenzbereich über 1 MHz nicht vernachlässigbar. Fig. 4 shows a cross section of a known PNPN switch, at which the speech path elements are separated by dielectric isolation. In a polycrystalline silicon substrate 9 is a silicon single crystal island 11 with a dielectric layer 10 made of e.g. B. SiO2 is formed, which separates the two from each other. The speech path element (PNPN- Switch in this figure) is in the Silicon single crystal island 11 is generated. The polycrystalline base 9 is electrical ungrounded and is only used to guarantee mechanical strength. The speech path element is therefore with another through the pad as a result of the parasitic electrostatic Capacitance electrically coupled due to the dielectric layer. Hence is the crosstalk in the high frequency range above 1 MHz is not negligible.

Erfindungsgemäß wird nun ein Halbleitersprechpfadschalter mit ausgezeichnetem Hochfrequenzverhalten geboten, bei dem zur Vermeidung des oben erwähnten Nachteils durch die parasitäre Kapazität ein Kontakt an der Unterlage angebracht und geerdet ist. According to the present invention, a semiconductor voice path switch with excellent High-frequency behavior required in order to avoid the disadvantage mentioned above a contact attached to the base and grounded by the parasitic capacitance is.

Fig. 5 zeigt einen Querschnitt durch ein solches Sprechpfadelement (PNPN-Schalter in dieser Figur) mit Anwendung der dielektrischen Isolation Bs Bestandteil eines Halbleitersprechpfadschalters gemäß der Erfindung. Dieses Sprechpfadelement ist im Prinzip zunächst das gleiche wie das in Fig. 4 gezeigte. Die erfindungsgemäßen Maßnahmen sehen nun die Anbringung eines Kontakts 12 an der polykristallinen Unterlage 9 und über diesen Kontakt die Erdung der Unterlage 9 sowie vorzugsweise eine Hochkonzent rationsverunreinigungs-Diffusionszone 13 in der Unterlage 9 zum Anbringen des Kontakts 12 daran vor. Fig. 5 shows a cross section through such a speech path element (PNPN switch in this figure) with application of the dielectric isolation Bs component a semiconductor voice path switch according to the invention. This speech path element is in principle the same as that shown in FIG. 4. The invention Measures now see the attachment of a contact 12 to the polycrystalline base 9 and via this contact the grounding of the pad 9 and preferably a high concentration ration impurity diffusion zone 13 in the base 9 for attaching the contact 12 before.

Fig. 6 zeigt ein weiteres Ausfiihrungsbeispiel eines bei einem Halblefters##rechpfadschalter gemäß der Erfindung verwendeten Nachrichtenkaiiaieiements, bei dem ein ~ Kontakt 14 zum Erden der Unterlage an del- Riickseite der polykristallinen Unterlage 9 vorgesehen ist, der die gesamte Oberfläche dieser Rtickseite bedeckt. Der Kontakt 14 für die Unterlage 9 ist hier an einer Hochkonzentrationsverunreinigungs-Diffusionsschicht 15 angebracht, die in der polykristallinen Unterlage 9 gebildet ist. In dieser Figur bedeuten gleiche Bezugszeichen gleiche Teile oder Elemente wie in Fig. 5. 6 shows a further exemplary embodiment of a data path switch for a half-fan message kaiiaieiements used according to the invention, in which a ~ contact 14 provided for grounding the support on the rear side of the polycrystalline support 9 covering the entire surface of this reverse side. Contact 14 for the base 9 is here on a high concentration impurity diffusion layer 15 attached, which is formed in the polycrystalline base 9. In this figure The same reference symbols denote the same parts or elements as in FIG. 5.

Fig. 7 ist eine Äquivalentschaltung für das in Fig. 5 oder 6 gezeigte Sprechpfad- oder Kanalelement, worin die parasitäre elektrostatische Kapazität C5 bei 16 angedeutet ist. FIG. 7 is an equivalent circuit for that shown in FIG. 5 or 6 Speech path or channel element in which the parasitic electrostatic capacitance C5 is indicated at 16.

Und zwar wird bei dem Halbleitersprechpfadschalter gemäß der Erfindung die den Sprechpfadelementen gemeinsame polykristalline Unterlage so geerdet, daß sich die elektrische Kopplung eines Sprechpfadelements mit einem anderen durch die parasitäre Kapazität G5 beseitigen läßt. Namely, in the semiconductor speech path switch according to the invention the polycrystalline pad common to the speech path elements is grounded so that the electrical coupling of one speech path element to another through the can eliminate parasitic capacitance G5.

Wie vorstehend beschrieben, weist der erfindungsgemäße Halbleitersprechpfads chalter ein ausgezeichnetes Hochfrequenzverhalten auf, obwohl das Trennverfahren durch dielektrische Isolation angewendet wird. As described above, the semiconductor speech path according to the present invention has chalter an excellent high frequency behavior, although the separation process applied by dielectric isolation.

Weiter ist bei diesem Sprechpfadelement, beispielsweise PNPN-Schalter, verhindert, daß es irrtümlich aufgrund des Anstiegseffekts betätigt wird, bei dem der PNPN-Schalter durch Anlegen einer Stufenspannung, d. h. einer Spannung mit kurzer Anstiegszeit zwischen der Anode und der Kathode eingeschaltet wird, da erfindungsgemäß die Erdung der Unt erlage vorgenommen ist. Deshalb darf angenommen werden, daß die Erfindung eine große Verbesserung bietet.This speech path element, for example PNPN switch, is also prevents it from being operated by mistake due to the rising effect in which the PNPN switch by applying a step voltage, d. H. a tension with a short Rise time between the anode and the cathode is switched on, since according to the invention the grounding of the pad has been made. Therefore it can be assumed that the Invention offers a great improvement.

Claims (5)

Patentansprüche Claims Halbleitersprechpfadschalter mit in einer polykristallinen Unterlage durch dielektrische Isolation elektrisch voneinander isolierten Sprechpfadelementen, dadurch gekennzeichnet, daß an der polykristallinen Unterlage (9) ein den Sprechpfadelementen (in den Bereichen 11) gemeinsamer Kontakt (12; 14) angebracht und zur Vermeidung der gegenseitigen elektrischen Kopplung der Sprechpfadelemente durch die elektrostatische Kapazität des dielektrischen Isolationsteils (10) geerdet ist. Semiconductor voice path switch with in a polycrystalline base speech path elements electrically isolated from one another by dielectric isolation, characterized in that on the polycrystalline base (9) one of the speech path elements (in the areas 11) common contact (12; 14) attached and to avoid the mutual electrical coupling of the speech path elements through the electrostatic Capacitance of the dielectric insulation member (10) is grounded. 2. Schalter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Kontakt (12) an der Vorderseite der polykristallinen Unterlage (9) angebracht ist. 2. Switch according to claim 1, characterized in that the contact (12) is attached to the front of the polycrystalline base (9). 3. Schalter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Kontakt (14) an der Rückseite der polykristallinen Unterlage (9) angebracht ist. 3. Switch according to claim 1, characterized in that the contact (14) is attached to the back of the polycrystalline base (9). 4. Schalter nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Kontakt (14) die ganze Rückseite der Unterlage (9) bedeckt. 4. Switch according to claim 3, characterized in that the contact (14) covers the entire back of the pad (9). 5. Schalter nach einem der Ansprüche 1 bis 4 mit wenigstens einem in einer Hauptoberfläche der Unterlage (9) gebildeten Inselbereich (11) eines ersten Leitungstyps (z. B. N ), dielektrisch isolierenden Bereichen (10) zwischen der Unterlage (9) und den Inselbereichen (11) bis zu dieser Hauptoberfläche der Unterlage (9), einem ersten und einem zweiten in jedem Inselbereich (11) gebildeten, voneinander getrennten Halbleiterber eich mit dem ersten, dem der Inselbereiche entgegengesetzten Leitungstyp (z. B. P), einem dritten, innerhalb des zweiten Halbleiterbereichs gebildeten Halbleiterbereich mit dem zum zweiten Halbleiterbereich entgegengesetzten Leitungstyp (z. B. N), einer die gesamte Oberfläche dieser Hauptoberfläche der Unterlage (9) bedeckenden und zu dem ersten, zweiten und dritten Halbleiterbereich führende Löcher aufweisenden Isolierschicht und mit dem ersten, zweiten und dritten Halbleiterbereich verbundenen Kontakten (A, G, K) dadurch gekennzeichnet, daß in der Unterlage (9) Hochkonzentrationsverunreinigungszonen (13; 15) gebildet und an diesen Zonen Kontakte (12; 14) angebracht und geerdet sind. 5. Switch according to one of claims 1 to 4 with at least one in a main surface of the base (9) formed island region (11) of a first Conductor type (z. B. N), dielectrically insulating areas (10) between the base (9) and the island areas (11) up to this main surface the base (9), a first and a second formed in each island area (11), semiconductor area separated from one another with the first, that of the island areas opposite conductivity type (e.g. P), a third, within the second semiconductor region formed semiconductor region with the opposite to the second semiconductor region Conduction type (e.g. N), one the entire surface of this main surface of the pad (9) covering and leading to the first, second and third semiconductor regions Holes having insulating layer and with the first, second and third semiconductor regions connected contacts (A, G, K) characterized in that in the base (9) High-concentration contamination zones (13; 15) are formed and contacts are made at these zones (12; 14) are attached and earthed. L e e r s e i t eL e r s e i t e
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