DE2407110C3 - Sensor zum Nachweis einer in einem Gas oder einer Flüssigkeit einthaltenen Substanz - Google Patents
Sensor zum Nachweis einer in einem Gas oder einer Flüssigkeit einthaltenen SubstanzInfo
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Description
Die Erfindung betrifft einen Sensor nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Aus »J. Electrochem. Soc: Solid-State Science and Technology-«, Vol. 119, Oct. 1972, S. 1424 bis 25 ist
ein Sensor aus Silizium mit einer natürlichen Oxydschicht und Drain- und Sourcekontakten ohne Gateelektrode
bekannt, bei dem eine Änderung der *>
Strom-Spannungs-Charakteristiken bei Eintauchen in organische Flüssigkeit infolge Abgabe von Ladungsträgern
in das Kanalgebiet eintritt.
In »Soap Perfumery & Cosmetics«, 37,1964, S. 38
bis 41, wird ein Sensor beschrieben, bei dem zwei in Brückenschaltung angeordnete Thermistoren, von
denen einer mit einer Schicht aus organischem Material umkleidet ist, bei Anwesenheit von Gasen und
Geruchsstoffen eine Verstimmung der Brücke infolge der frei werdenden Adsorptionswärme bewirken.
is In »Biochem. Biophys. Acta«, 148, 1967, S. 328
bis 334, wird erwähnt, daß in biologischen olfaktorischen Systemen insbesondere j3-Carotin vorkommt.
Nachteile der beiden beschriebenen Sensorsysteme
sind unzureichende Selektivität und Reversibilität sowje
Verringerung der Empfindlichkeit bei mehrfacher Benutzung.
Aufgabe der Erfindung ist es, einen bei Zimmertemperatur mit Relaxationszeiten von 1 ... 10 min reversibel
arbeitenden Sensor mit hoher Selektivität und Empfindlichkeit aufzufinden.
Diese Aufgabe wird bei dem oben angegeben Sensor erfindungsgemäß durch die im Kennzeichen des
Anspruches 1 angegebenen Merkmale gelöst. Weitere Ausgestaltungen gehen aus den Unteransprüchen
hervor.
Die Erfindung nutzt die Erkenntnis, daß die Adsorptionsenergie im Zimmertemperaturbereich bei
Adsorption der nachzuweisenden Substanzen an organischen Materialien im allgemeinen kleiner ist als
bei Adsorption an anorganischen Materialien. Der Bedeckungsgrad der nachzuweisenden Substanzen bei
konstanter Temperatur und Konzentration erreicht einen Gleichgewichtswert zwischen Adsorption und
Desorption, wodurch an der Oberfläche der Adsorp-
tionsschicht eine für den Bedeckungsgrad einer speziellen Substanz charakteristische Potential änderung
und damit eine Änderung der Schwellenspannung eines solchen Feldeffektsensors entsteht. Damit wird
eine Steuerung des Drainstromes in Abhängigkeit vom Bedeckungsgrad bewirkt. Die Nachweisempfindlichkeit
wird um so größer, je dünner die Adsorptionsschicht und je größer das Verhältnis von Kanalbreite
zu Kanallänge ist. Die Empfindlichkeit des erfindungsgemäßen Sensors für eine Molekülart wird
durch Wahl eines besonderen Adsorptionsmaterials hierfür gegenüber anderen Molekülarten erhöht.
Darüber hinaus wird Selektivität auch dadurch erreicht, daß bei vorgegebenem Adsorptionsmaterial für
zwei unterschiedliche Molekülarten die Drainstromänderung größer oder kleiner Null sein kann.
Weiter Erläuterungen gehen aus der Beschreibung zu Figuren bevorzugter Ausführungsbeispiele hervor.
Auf dem Substrat 30, welches vorzugsweise aus einem anorganischen Isolator, wie 7. B. AI-MG-Spinell,
besteht, ist eine Halbleiterschicht 10 aus Silizium, Germanium, Galliumarsenid oder anderen III-V-
oder II-VI-Verbindungen epitaktisch abgeschieden, auf die Drain-12 und Source-13 Kontaktstreifen aufgebracht
sind, um anschließend die gesamte Struktur mit einem hochohmigen organischen Material, der
Adsorptionsschicht 20, bedampfen zu können. Eine eventuell vorhandene Oxidationsschicht auf dem anorganischen
Halbleiter sollte möglichst dünn sein. Be-
sitzt das anorganische Halbleitermaterial 10 einen anderen
Leitungstyp als die Kontaktbereiche 12 und 13, so wird ein Kanal 11 vom Leitungstyp dieser Kontaktbereiche
implantiert, um Betrieb mit leitendem Transistor bei fehlendei Gatespannung (»normally on«)
zu ermöglichen. An die Kontaktbereiche sind an den Stellen 14 und 15 ca. 25 um dicke Golddrähte 16 und
17 angebondet, die durch die das Sensorelement umschließende Isolationsschicht 40 aus beispielsweise
Polytetrafluoräthylen geführt werden. Die durch die Adsorption verursachte Potentialänderung erfolgt in
dem Oberflächenbereich 21 der Adsorptionsschicht 20.
Dem Sensor kann ein Filter 41 vorgeschaltet sein, der nur für wenige oder eine einzige Molekülart 25
von beispielsweise zwei Arten 25 und 26 beidseitig, d. h. in beiden Richtungen, durchlässig ist und somit
selektivitätserhöhend wirkt. Beim Nachweis flüssiger Substanzen wird hierfür eine entsprechende Membran
eingesetzt. Die Dicke der Schicht 20 ist "deiner als 500 nm, vorzugsweise kleiner als 200 nm, damit die
Empfindlichkeit besonders groß ist. Die Schicht muß aber noch zusammenhängend sein.
In Fig. 2 ist die Adsorptionsschicht 20 auf einem Feldeffekttransistor ohne Gateelektrode mit beispielsweise
diffundierten Drain- 12 und Source- 13 Bereichen dargestellt, wobei mittels der Mäanderform
ein hohes Verhältnis Kanalbreite: Kanallänge zur Steigerung der Empfindlichkeit angestrebt ist.
Darüber hinaus können mehrere Sensoren mit jeweils unterschiedlichen Adsorptionsschichten kombiniert
sein, so daß für verschiedene nachzuweisende Substanzen charakteristische Drainstromänderungen
der einzelnen Sensoren eintreten. Die Gesamtzahl der zu verwendenden Einzelsensoren braucht dabei nicht
zu groß zu sein, da auch der menschliche Gerachssinn sich aus nur sieben Grundempfindungen zusammensetzt.
Diese als künstliche Nase zu bezeichnende Zusammenschaltung kann sogar so ausgebildet sein, daß
sie nicht nur die dem Menschen zugänglichen Geruchsspektren erfaßt, sondern auch diejenigen Substanzen
nachweist, die das menschliche Geruchsempfinden nicht einschließt
Die Adsorptionsschichten bestehen bei den erfindungsgemäßen
Sensoren insbesondere aus Carotenoiden, vorzugsweise /3-CarGtin, Proteinen, Phthalocyaninen,
Polyvinylchloriden, Polypropylenen und Cellulose-Acetat.
Bevorzugte Anwendungen des erfindungsgemäßen Sensors sind Nachweise verschiedener Gase und Verunreinigungen
beim L'mweltschutz, vorzugsweise SO2, CO, CO2, NxO, und NH3 sowie medizinische
Diagnosen aus Atemluft und Ausdünstungen, ferner Kontroll- und Überwachungsprozesse in Industrie
und Landwirtschaft.
Bei Versuchen mit Feldeffektsensoren gemäß Fig. 1, jedoch ohne zusätzliche Filter, ergaben sich
folgende Drainstromänderungen
[(){p)](p)DD
mit /(O) = Stromfluß ohne Einwirkung der Substanz, I(p) = Stromfluß mit Einwirkung der Substanz, ID = Drainstrom für Beimischungen von Kohlenmonoxid bzw. Aceton zu Stickstoff:
mit /(O) = Stromfluß ohne Einwirkung der Substanz, I(p) = Stromfluß mit Einwirkung der Substanz, ID = Drainstrom für Beimischungen von Kohlenmonoxid bzw. Aceton zu Stickstoff:
Kohlenmonoxid pco ~ 10 PA AID/ID =6,6%o
Aceton pAcaon -2,5 · 104 PA A1D/ID - 5,6%
Aceton pAcaon -2,5 · 104 PA A1D/ID - 5,6%
Dabei bestand die Sensorschicht aus aufgedampftem und anschließend oxydiertem jö-Carotin mit einer
Schichtdicke 100 nm. Den anorganischen Halbleiterkörper bildete Silizium mit einer Löcherkonzentration
ρ «4· 10I5cm"3.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (13)
1. Sensor zum Nachweis einer in einem Gas oder einer Flüssigkeit enthaltenen Substanz mit
einem aus einem anorganischen Halbleitermaterial bestehenden Halbleiterkörper, der eine
Source- und eine Drainelektrode sowie ein sich zwischen den Elektroden erstreckendes Kanalgebiet
aufweist, welches einem zu einer Modulation des Drainstromes führenden Steuereinfluß durch
die Substanz unterliegt, dadurch gekennzeichnet, daß auf dem Halbleiterkörper (10) im
Bereich des Kanalgebietes eine Schicht (20) aus einem der Substanz ausgesetzten organischen Material
vorgesehen ist, durch das Teilchen der Substanz unter Erzeugung eines sich nach Maßgabe
der Substanzkonzentration ändernden Oberflächsnpotentials adsorbierbar sind.
2. Sensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Material der Schicht (20) ein organischer
Halbleiter vorgesehen ist.
3. Sensor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Material der Schicht (20) ein Carotenoid
vorgesehen ist.
4. Sensor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß als Material der Schicht (20) oxidiertes
β -Carotin vorgesehen ist.
5. Sensor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Material der Schicht (20)
Cellulose-Acetat vorgesehen ist.
6. Sensor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Materialien der Schicht (20)
Proteine vorgesehen sind.
7. Sensor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Materialien der Schicht (20)
Phthalocyanine vorgesehen sind.
8. Sensor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Materialien der Schicht (20)
Polyvinylchloride vorgesehen sind.
9. Sensor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Materialien der Schicht (20)
Polypropylene vorgesehen sind.
10. Sensor nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der
Schicht kleiner als 500 nm ist.
11. Sensor nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet,
daß die Dicke der Schicht kleiner als 200 nm ist.
12. Sensor nach einem der Ansprüche 1 bis 11,
dadurch gekennzeichnet, daß der Schicht (20) ein nur für eine oder mehrere ausgewählte gasförmige
nachzuweisende Substanzen (25, 26) in beiden Richtungen durchlässiger Filter (41) vorgeschaltet
ist.
13. Sensor nach einem der Ansprüche 1 bis 11,
dadurch gekennzeichnet, daß der Schicht (20) eine nur für eine oder wenige flüssige nachzuweisende
ausgewählte Substanzen in beiden Richtungen durchlässige Membran (41) vorgeschaltet ist.
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