DE2261580C3 - Kanalwähler - Google Patents
KanalwählerInfo
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- 230000008859 change Effects 0.000 description 15
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 8
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03J—TUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
- H03J5/00—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner
- H03J5/02—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with variable tuning element having a number of predetermined settings and adjustable to a desired one of these settings
- H03J5/0218—Discontinuous tuning using an electrical variable impedance element, e.g. a voltage variable reactive diode, by selecting the corresponding analogue value between a set of preset values
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- Channel Selection Circuits, Automatic Tuning Circuits (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft einen Kanalwähler mit einem Abstimmkreis, dessen Frequenz durch die Gleichspannung bestimmt ist, mit dor seine Dioden veränderlicher
Kapazität vorgespannt sind, mit einer Gleichspannungsqueue, die eine Anzahl von Wählschaltem für die jedem
Kanal entsprechende Gleichspannung aufweist, und mit Dioden, deren Anzahl gleich der Anzahl der benutzten
Kanäle ist und die in Durchlaßrichtung zwischen die Wählschalter der Gleichspannungsquelle und — mit
einer gemeinsamen Verbindung — den Abstimmkreis geschaltet sind.
Wenn bei einem derartigen Kanalwähler, der aus der Zeitschrift »Funkschau«, 1970, Heft 7, S. 203 und 204,
bekannt ist, ein zu einem gewünschten Kanal gehörender Schalter umgelegt wird, wird eine Gleichspannung,
die diesem Kanal entspricht, über die zugehörige Diode
an die Diode veränderlicher Kapazität der elektronischen Abstimmschaltung gelegt, um diese zu betätigen.
Die zu einem gewünschten Kanal gehörende Diode zeigt eine relativ starke Änderung des Spannungsabfalls
in Durchlaßrichtung mit der Umgebungstemperatur von etwa -2 mV pro 0C, was zu Störungen bei der
Abstimmung führen kann. Deshalb kann sich selbst dann, wenn ein gewünschter Kanal ausgewählt ist, durch
den Anstieg der Temperatur beispielsweise eine Fernsehempfängeranlage oder die Änderung der
Zimmertemperatur eine Verstimmung ergeben.
Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe liegt
daher darin, den Kanalwähler der eingangs genannten Art so weiterzubilden, daß die Vorjpannung, die über
die mit der Gleichspannungsquelle verbundenen Dioden an den Dioden veränderlicher Kapazität der Abstimmschaltung liegt, von der Umgebungstemperatur und der
Stromspannungskennlinie der mit der Gleichspannungsquelle verbundenen Dioden unabhängig ist
Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung gelöst durch eine zusätzliche Diode mit den gleichen
Charakteristiken wie die der zwischen die Wählschalter und den Abstimmkreis geschalteten Dioden, die mit
einer diesen Dioden entgegengesetzten Polarität zwischen die gemeinsame Verbindung der Dioden und
den Abstimmkreis geschaltet ist, durch eine erste konstante Stromquelle, die mit einer Elektrode der
zusätzlichen Diode verbunden ist und durch die ein Strom fließt, dessen Stärke gleich der Stromstärke des
durch die anderen Dioden fließenden Stromes ist, und durch eine zweite konstante Stromquelle, die mit der
anderen Elektrode der zusätzlichen Diode verbunden ist und durch die die Summe der Ströme durch die
zusätzliche Diode und die anderen Dioden fließt
Auf diese Weise wird erreicht, daß durch die Dioden,
die mit der Gleichspannungsquelle verbunden sind, als auch durch die zusätzliche Diode, die mit einer dazu
entgegengesetzten Polarität geschaltet ist, der gleiche Strom fließt, was zur Folge hat, daß der Durchlaßspannungsabfall der mit der Gleichspannungsquelle verbundenen Dioden sowie der zusätzlichen Dioden in
Vorwärtsrichtung, der jeweils in entgegengesetzte
Richtung auftritt, gleich groß ist Somit hebt sich der
Spannungsabfall Ober den Dioden, die mit der Gleichspannungiquelle verbunden sind, und Ober der
zusätzlichen Diode auf, so daß die tatsächlich zu einem bestimmten Kanal gehörende Vorspannung direkt an
der Abstimmschaltung liegt und sowohl von der Umgebungstemperatur als auch von der Starke des
durch die Dioden fließenden Stromes unabhängig ist
Im folgenden werden anhand der zugehörigen Zeichnung beispielsweise bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung näher erläutert:
Fig. 1 zeigt ein schematisches Schaltbild einer
Ausführungsform des erfindungsgeroäßen Kanalwählers;
F i g. 2 stellt einen detaillierten Schaltungsaufbau der
Ausführungsform von F i g. 1 dar;
F i g. 3 zeigt den Temperaturverlauf der in den F i g. 1,
2 und 5 dargestellten Vorrichtungen;
Fig.4 ist ein Schaltbild eines elektronischen Tuners,
der mit der in F i g. 1,2 and 5 dargestellten Vorrichtung
verbunden ist;
F i g. 5 ist ein Schaltbild einer anderen Ausfuhrungsform eines erfindungsgemäßen Kanalwählers, und
Fig.6 bis 8 zeigen den Schaltungsaufbau von
Modifikationen einer konstanten Stromquelle, die bei den in Fig. 1 und 2 dargestellten Vorrichtungen
verwandt werden.
Anhand von F i g. 1 wird im folgenden das grundlegende Prinzip einer ersten Ausführungsform der
Erfindung beschrieben. Mit den Kanalwählspannungsklemmen U bis in einer Kanalwählgleichspannungsquelle 10, die für die jeweiligen Kanäle vorgesehen ist,
ist in Durchlaßanordnung eine Vielzahl von Kanaldioden D1 bis Dn verbunden, die gemeinsam als eine Art
ODER-Schaltung 20 arbeiten. Die gemeinsame Verbindung 21 dieser Dioden an der Katodenseite ist mit einer
Vorspannungssteuerklemme 23 einer Diode VD veränderliher Kapazität eines elektronischen Tuners 22
verbunden. Aui diese Weise ist der Kanalwähler zusammengesetzt Die Diode VD veränderlicher Kapazität und die Induktivität L bilden eine Abstimnschaltung.
Die Teile der Schaltung des bekannten Kanalwählers haben die obengenannte Anordnung. Wenn ein
Kanalwählerschalter SWA beispielsweise umgelegt wurde, wurde die Kanalwählgleichspannung eines
variablen Spannungsteilerwiderstandes VK 4, die für den entsprechenden Kanal vorher bestimmt wurde, der
Vorspannungssteuerklemme 23 durch die entsprechende Kanaldiode DA eingeprägt In diesem Fall wird die
Kanalwählspannung jedoch durch die Temperaturcharakteristik der Kanaldiode D A nachteilig beeinflußt, so
daß sie nicht genau wie, ursprünglich erzeugt dem Tuner zugeleitet wird.
Um diesen Nachteil zu beseitigen, weist der erfindungsgemäße Kanalwähler eine gemeinsame Ausgleichsdiode DO, die nahezu die gleiche Charakteristik
wie die Kanaldioden D1 bis Dn aufweist die in der dazu
entgegengesetzten Richtung in Serie verbunden sind, zwischen der gemeinsamen Verbindung 21 der Kanaldioden D1 bis Dn und der Vorspannungssteuerklemme
23 auf. Unter dem hier verwandten Ausdruck »gleiche Charakteristik« sind hauptsächlich die gleichen Temperaturcharakteristiken und Stromspannungscharakteristiken zu verstehen. Eine integrierte Schaltung macht es es
möglich, daß die darin enthaltenen Dioden leicht mit den gleichen Charakteristiken versehen sind. Da sowohl
die Kanaldioden D1 bis Pn als auch die gemeinsame
Ausgleichsdiode £>0 den gleichen Spannungsabfall zeigen, wird dei Wert der Kanalwählspannung, der an
einer der Klemmen ti bis In erhalten wird, wirklich der
Vorspannungssteuerklemme 23 eingeprägt, wodurch es möglich ist daß beide Diodenarten mit einem
konstanten Strom / durch konstante Stromquellen 25 und 27 versorgt werden. Die Ausgleichsdiode DO ist
nämlich mit ihrer Anode mit der Quelle 25 des konstanten Stroms /verbunden. Weiterhin ist die Quelle
27 des konstanten Stroms 2/ mit dem Kontakt 26 der gemeinsamen Verbindung 21 der Kanaldioden D1 bis
Dn und der Ausgleichsdiode DO verbunden. Bei dieser Anordnung wirkt am Kontakt 26 das Kirchhoffsche
Gesetz, was zur Folge hat daß der konstante Strom /, der durch eine der Kanaldioden D1 bis Dn und durch
die Ausgleichsdiode DO fließt zu dem Kontakt 26 geleitet wird, wodurch ein konstanter Stromdurchfluß
gebildet wird, durch den der konstante Strom 2/ zur Quelle 27 geleitet wird. Jeder der veränderlichen
Widerstände VR1 bis VRn hat einen Wi&rstand in der
Größenordnung von einigen k£2, während die konstante
Stromquelle 27 eine Ausgangsimpedanz in der Größenordnung von mehr als einigen ΜΩ aufweist Dementsprechend werden die Ströme, die durch die Kanaldioden D1 bis Dn Hießen, unabhängig von der Höhe der
den Kanaldioden eingeprägten geteilten Spannungen nahezu gleich gemacht Der konstante Strom / muß
lediglich eine ausreichende Stärke aufweisen, damit die Kanaldioden Dl bis Dj? und die Ausgleichsdiode DO
leitend gehalten werden. Daher sind die konstanten Stromquellen 25 und 27 so gewählt daß sie einen Strom
von beispielsweise mehr als 50 Mikroamperes liefern. Ein Spannungsabfall in einer der Kanaldioden D1 bis
Dn ist gleich dem Spannungsabfall in der Ausgleichsdiode DO. Daher kann die Kanalwählspannung, die an
einer der Ausgangsklemmen 11 bis 1 η der Gleichspannungsquelle 10 erhalten wird, der Vorspannungssteuerklemme 23 zugeleitet werden, ohne daß sie durch eine
Änderung der Temperatur beider Dioden sowie der Umgebungstemperatur beeinflußt wird.
Anhand von F i g. 2, die eine konkretere Anordnung
der in F i g. 1 dargestellten Schaltung zeigt wird die Erfindung im einzelnen im folgenden beschrieben.
In Fig.2 sind die Klemmen an einem Ende einer
Vielzahl von Kanalwählschaltern 5Wl bis Swn, die für
die jeweiligen Kanäle vorgesehen sind, gemeinsam mit einer Anodenenergiequelle verbunden, die eine Spannung von etwa +30V aufweist Die Klemmen am
gegenüberliegenden Ende der Schalter SWl bis SWn sind mit einer Vielzahl /on veränderlichen Spannungsteilerwidemänden VR1 bis VRn verbunden. Für
praktisch«: Zwecke besteher, die Kanalwählschalter SWl bis SWn vorzugsweise aus Transistoren oder
Feldeffekttransistoren, sie können aber auch vom mechanischen Typ sein. Die Kanalwählgleichspannungsquelle 10 ist so geschaltet, daß sie den Ausgangsklemmen U bis In der veränderlichen Widerstände
VR1 bis VRn, mit der ,n Schleifkontakten sie verbunden
ist eine Gleichspannung unterschiedlicher Höhe eingeprägt die den jeweiligen Kanälen entspricht Die
Schleifkontakte oder Ausgangsklemmen Ii bis In sind
mit den Anoden der Kanaldioden D1 bis Dn verbunden,
um eine Zwischenkanalstörung zu vermeiden. Die Katoden der Kanaldioucn D1 bis Dn sind miteinander
verbunden, so daß sie eine Art ODER-Schaltung 20 bilden. Die gemeinsame Verbindung der Kanaldioden
D1 bis Dn ist mit der Katode einer Ausgleichsdiode D 0
verbunden, dis dieselbe Durchlaßspannungsstromcha-
rakteristik zeigt wie die Kanaldioden D1 bis Dn, wobei
die Anode der Ausgleichsdiode DO mit der Vorspannungssteuerklemme 23 verbunden ist Die Kathode der
Ausgleichsdiode ist Ober eine Serienschaltung geerdet,
die aus dem Kollektor CA und Emitter EA eines s npn-Transistors QA und einem Widerstand RA besteht
und wirkt als konstante Stromquelle 27.
Die Ausgleichsdiode DO ist mit der konstanten Stromquelle 25 verbunden, die hauptsächlich aus einem
jjnp-Transistor Q 2 besteht und von der im folgenden
beschriebenen Schaltung gebildet wird.
Der Kollektor C2 des als konstante Stromquelle wirkenden Transistors Q 2 ist mit der Anode der
Ausgleichsdiode DO, der Emitter £2 des Transistors Q 2 mit einer Energieversorgungsklemme Vcc über
einen Widerstand R 2 und die Basis B 2 mit der Basis B 1 eines Transistors Qi verbunden, der den Vorspannungskreis
des pnp-Transistors Q 2 bildet Der Emitter £1 des Transistors Q1 ist mit der Energieversorgungsquelle Vcc und der Kollektor C1 des Transistors Q1 mit
der Basis B1 verbunden. Die zuletzt genannte
Schaltung bildet im wesentlichen eine Diodenschaltung, nämlich eine Schaltung zum Festlegen der Basisvorspannung
des Transistors Q 2, dessen Basis B 2 über einen Widerstand R 5 mit dem Kollektor C3 des
Transistors Q 3 verbunden ist, der einen Teil der obengenannten konstanten Stromquelle 27 bildet Der
Kollektor C3 ist mit der Basis 53 desselben Transistors
Q3 verbunden. Dementsprechend bildet ein solcher Kreis einen Diodenkreis oder einen Basisvorspannungskreis
eines konstanten Stromtransistors QA. Auf diese Weise ist der Emitter £3 des Vorspannungstransistors
ζ>3 über einen Widerstand A3 geerdet und ist seine
Basis B 3 mit der Basis BA eines Transistors QA konstanten Stroms verbunden. Die Transistoren Q1
und Q 3, die über einen Widerstand /?5 miteinander verbunden sind, nehmen einen Strom auf, um die
Transistoren Q 2 und QA mit einem konstanten Strom zu erregen. Dementsprechend wird der Transistor QA
mit einem Strom versorgt, der zweimal so stark ist wie der, der durch den Transistor Q 2 fließt
Wenn bei dem oben beschriebenen Schaltungsaufbau wahlweise beispielsweise ein Kanalwählschalter SWA
geschlossen ist, dann wird im Schleifkontakt eines veränderbaren Widerstandes VR 4 eine Gleichspannung
für den entsprechenden Kanal erzeugt Diese Gleichspannung hält die Kanaldiode DA leitend, um
einen Gleichstrom id dem Transistor QA zu liefern. Der Gleichstrom id entspricht dem Strom /von Fig. 1, der
von der Kanaldiele DA zum Kontakt 26 fließt Der
Konstantstromtransistor Q A wird über die Ausgleichsdiode DO vom Konstantstromtransistor Q 2 mit einem
Strom /5 versorgt der dieselbe Stromstärke wie der Strom id aufweist Dieser Strom /5 entspricht ebenfalls
dem Strom / von Fig. 1, der von der konstanten
Stromquelle 25 zur Ausgleichsdiode DO fließt Der Strom /5 kann dadurch auf dieselbe Stromstärke wie
der Strom /(/gebracht werden, daß die Widerstandswerte der Emitterwiderstände Ri, R2, A3, RA der
Transistoren Qi, Q 2, <?3, QA so eingestellt werden,
daß sie das später beschriebene Verhältnis zueinander habea Wenn die Ströme /c/und /5 dieselbe Stromstärke
haben, zeigen die Kanaldiode DA und die Ausgleichsdiode DO ohne Rücksicht auf eine Änderung der
Umgebungstemperatur den gleichen DurchlaßspannungsabfalL Dementsprechend wird die Vorspannungssteuerklemme
23 für die Diode VD veränderlicher Kapazität immer mit genau der Spannung versorgt die
im veränderlichen Widerstand VRA erzeugt wird und
an dessen Schleifkontakt erscheint Die Kanalwählgleichspannung ändert sich nicht mit der Umgebungstemperatur.
Die Fig.3A bis 3C zeigen die Änderung der
Kanalwahlspannung Veh in der Kanalwahlschaltung
von F i g. 2 mit der Umgebungstemperatur, wobei diese Spannungen eine Wert von 27 V, 15 V und 2 V jeweils
haben. Wie aus diesen Figuren zu ersehen ist ist die Änderung der Kanalwählspannung Veh selbst dann
kleiner als 5 mV, wenn sich die Umgebungstemperatur um 110°C Ändert Dementsprechend zeigt die Abstimmfrequenz
eine Änderung von weniger als 100 kHz beim UHF-Band und weniger als 2OkHz beim VHF-Band
und ist vor einem Verfehlen eines gewählten Kanals bewahrt Im Gegensatz dazu zeigt der bekannte
Kanalwähler bei derselben Temperaturänderung eine Spannungsänderung um 220 mV, was zur Folge hat, daß
sich die Abstimmfrequenz um 4,4 MHz verändert und beim Erfassen eines gewählten Kanals eventuell Fehler
auftreten.
Wie oben beschrieben, ist die Spannungsänderung des erfindungsgemäßen Kanalwählers auf weniger als
5 mV bei einer Temperaturänderung von 110°C begrenzt, wodurch ein Empfang mit äußerst guter
Reproduzierbarkeit der Einstellung erzielt wird. Weiterhin zeint die Abstimmfrequenz des vorliegenden
Kanalwählers eine Änderung von etwa 100 kHz für das UHF-Band, wodurch die Notwendigkeit entfällt eine
automatische Abstimmeinrichtung für den Empfang des UHF-Kanals mit einem breiten Abstimmbereich zu
entwerfen. Darüber hinaus ist die vorliegende Vorrichtung frei von einem fehlerhaften Betrieb, der aus einem
Bildsignal resultiert das zu einem Tonsignal, dessen Frequenz um 4,5 MHz von einem Bildträger versetzt ist
oder zu einem benachbarten Kanal gezogen ist, wodurch ein gewünschier Kanai iehicfif ei erfaßt wird.
Im folgenden wir die Konstantstromcharakteristik der obengenannten Kanalwählschaltung insbesondere
im Hinblick auf den Abschnitt der in F i g. 2 von den unterbrochenen Linien eingeschlossen wird, oder
vorzugsweise im Hinblick auf einen Abschnitt, der der Integration der Schaltung unterworfen ist, beschrieben.
Um den Strom id auf dieselbe Stromstärke wie den Strom /5 zu bringen, sollten die Eigenschaften der
Elemente folgende drei Bedingungen erfüllen:
1. Die Transistoren Ql und Q 2 sollten so ausgelegt
sein, daß sie eine Stromverstärkung mit ausreichend großem Verstärkungsgrad Λ/e durchfür-en.
2. Die Transistoren <?3 und QA sollten so ausgelegt
sein, daß sie eine Stromverstärkung mit ausreichend großem Verstärkungsgrad A/e durchführen.
3. Die Kanaldioden D1 bis Dn und die Ausgleichsdiode
D 0 sollten alle die gleichen Durchlaßcharakteristiken aufweisen.
Wenn unter den obengenannten Bedingungen von einem Reststrom abgesehen wird, der durch den
Obergang dei Dioden in umgekehrter Richtung läuft, dann ergeben sich die folgenden Beziehungen:
Für den Spannungsabfall in den Transistoren Q1 und
Q 3 ergibt sich
VcC = RlH + VBEl +/2-R5+ VBE3 + HR3
(D
Der Spannungsabfall im Transistor Ql, der Ausgleichsdiode DO und dem Transistor Q A lautet
Für den Kontakt 26 ergibt sich
id + i5 = Π .
(2)
(3)
In den obigen Gleichungen stellen KSfI und VBE 3
Spannungen zwischen Emitter und Basis der Transistoren <?1 und <?3 jeweils dar. VCE2 und VCE4
bezeichnen Spannungen zwischen Emitter und Kollektor der Transistoren Q 2 und Q 4. Ähnlich sind die
Spannungen zwischen den jeweiligen Elektroden des Traniistors dadurch bezeichnet daß die entsprechende
Bezugsziffer hinzugefügt ist Da ein großer Stromverstärkungsgrad hfe für die Transistoren erlaubt ist, ist
il = il = f3
iA = /5
i7 = i8.
Die Spannung VBE zwischen Basis und Emitter eines Transistors kann allgemein aus der folgenden
Gleichung bestimmt werden:
VBE
wobei
KT
In
_
iO
K —
Boltzmannkonstante
q — Elementarladung
iO — Reststrom am Übergang
is bedeutet
Die Basisemitterspannungen VSE3 und VBE4 der
Transistoren Q 3 und Q 4 können aus den folgenden Gleichungen bestimmt werden:
VBE3 =
In
und
VBEA =
IE3
iO3
KT . IEA
In
104
(H)
(12)
i5 = id.
(5)
2/5 = /7. (6)
Das Problem ist, daß Gleichung (6) immer erfuiit sein muß. Die erforderlichen Bedingungen, um diese
Bedingung zu erfüllen, können durch die folgenden Gleichungen (7), (8) und (9) ausgedrückt werden, die von
den Gleichungen (6), (4) und (2) jeweils abgeleitet sind:
VIS = K4-/8 = 2-R4-/5.
(8)
Die Spannung V 29 am Kontakt 29 zwischen dem Emitter des Transistors Q 3 und dem Widerstand J? 3
lautet
K29 = R3-/3 = R3 Π.
(9)
Wenn die Spannung VBEi zwischen Emitter und Basis des Transistors Q 3 gleich der ähnlichen Spannung
VBEA des Transistors QA gemacht ist, dann befinden sich die Basiselektroden beider Transistoren Q 3 und
QA auf demselben Potential, wobei sie den Kontakten 28 und 29 das gleiche Potential liefern. Daraus resultiert
folgende Gleichung:
Da die obengenannten Transistoren Q 3 und Q 4, die in dieselbe integrierte Schaltung eingeschlossen sind,
eine völlig einheitliche Temperaturverteilung aufweisen, ergeben sich die folgenden Gleichungen:
(7)
Für die Spannung V 28 am Kontakt 28 zwischen dem Emitter des Transistors Q A und dem Widerstand RA ergibt sich
/£3
fO3
IEA
104
(13)
Diese Gleichung sagt aus, daB das gewünschte Ziel
erreicht werden kann, wenn die Basisstromdichten der Transistoren Q 3 und QA gleich sind und der
Stromverstärkungsgrad Me dieser beiden Transistoren gleich ist
Bezüglich des Kontaktes V30 zwischen dem Emitter des Transistors Q1 und dem Widerstand R1 und des
Kontaktes V31 zwischen dem Emitter des Transistors Q 2 und dem Widerstand R 2 ergeben sich die folgenden
Gleichungen:
K30 = Vcc - Rl ti
K31 = Vcc - Rl /5.
(14)
(15)
Wenn die Transistoren Q 3 und QA die gleiche Basisemitterspannung, nämlich eine gleiche Basisstromdichte aufweisen und einen gleichen Stromverstärkungsgrad hfe hervorrufen, dann ist
K2-i5 = Rl il.
Aus Gleichung (10) ergibt sich
Rl ■ i5 =
2RXRA
R2,
iS.
(16)
(17)
2 ■ RAiS = R3-I1
(10)
R1R3 = 2R1R4.
(18)
ίο
ill =
RU
Die obige Beziehung zeigt, daß dann, wenn die
Transistoren Ql und Q 2, die in eine integrierte
Schaltung eingeschlossen sind, so ausgelegt sind, daß sie
die gleiche Basisstromdichte aufweisen und denselben Stromverstärkungsgrad hfe bewirken und wenn ähnlich
beide Transistoren Q 3 und QA die gleiche Basisstromdichte und de", gleichen Verstärkungsgrad hfe aufweisen
und weiterhin der Emitterwiderstand sämtlicher
dieser Transistoren so gewählt ist, daß er einen Wert
aufweist, der durch die Gleichung (18) dargestellt ist, die
Stromdichtecharakteristiken dieser Transistoren am Schleifkontakt des veränderlichen Widerstandes VR
immer eine Kanalwählgleichspannung erzeugen, die unabhängig von der Temperatur gleich einer Spannung
an der gemeinsamen Ausgangsklemme 23 ist Dementsprechend wird der Ausgangsklemme 23 eine Spannung
geliefert, die genau wie ursprünglich erzeugt einem gewählten Kanal entspricht, wobei diese Spannung
später einem Tuner 22 als Vorspannung eingeprägt wird.
Im folgenden wird der elektronische Tuner 22, der mit
der gemeinsamen Ausgangsklemme 23 verbunden ist, im Hinblick auf F i g. 4 beschrieben, die einen detaillierten
Schaltungsaufbau des Tuners 22 zeigt Da dieser Tunerschaltungsaufbau bereits bekannt ist, erübrigt sich
die Beschreibung der Art und Weise, wie die Schaltungselemente verbunden sind. Dem vorher
beschriebenen Schaltungsaufbau der Erfindung entsprechend wird eine der gemeinsamen Ausgangsklemme
eingeprägte Kanalwählgleichspannung wenigstens den Dioden veränderlicher Kapazität VDl, VD2, VD3und
VD4 bei der Auswahl eines VHF-Kanals zugeleitet, um eine exakte Abstimmung mit diesem Kanal zu erzielen.
Im Fall der Auswahl eines UHF-Kanals wird die obengenannte Gleichspannung wenigstens den Dioden
veränderlicher Kapazität VD 5, VD 6, VD 7 und VD 8
geliefert, um auf ähnliche Weise eine exakte Abstimmung mit dem Kanal zu erzielen.
Im folgenden wird anhand von F i g. 5 eine andere Ausführungsform des erfindungsgemäßen Kanalwäh- 40
lers beschrieben. Bei dieser Ausführungsform sind Kanalwählschalter 5Wl bis 5Wn zwischen den
jeweiligen variablen Spannungsteilerwiderständen VR 1 bis VRn und der Erde vorgesehen. Die Polarität
der Kanaldioden D1 bis Dn, die den Widerständen VR 1 45
bis VRn entsprechen, und der Ausgleichsdiode DO
sowie die Richtung, in die der Strom durch die konstanten Stromquellen 25 und 27 fließt, sind denen,
die in der in F i g. 1 dargestellten Schaltung verwandt wurden, entgegengesetzt. Daher arbeit« die in F i g. 5 so
dargestellte Ausführungsform auf die gleiche Weise wie die in Fig. 1 dargestellte, außer, daß der Strömfluß
entgegengesetzt ist Wenn daher einer der Kanalwählschalter SWl bis SWn, beispielsweise der Schalter
SW4, umgelegt ist, dann hat die Kathode der 55 entsprechenden Kanaldiode D 4 ein geringeres Potential
als die übrigen Kanaldioden. Die Folge ist, daß nur .
diese Kanaldiode D 4 leitend gehalten wird, was
bewirkt, daß die Gleichspannung am Schleifkontakt des veränderlichen Widerstandes VR 4 der Tunerklemme μ
23 wegen der Ausgleichsanode DO ohne Einfluß durch eine Temperaturänderung in der Kanaldiode D 4
zugeführt wird. i£12 * /C12.
Anhand der F i g. 6, 7 und 8 wird im folgenden die Schaltung der ersten konstanten Stromquelle 25
beschrieben, deren Konstantstromcharakteristik verbessert wurde. Es wird unter Bezug auf Fig.6 das
Grundprinzip erklärt, durch das diese Verbesserung erzielt werden kinn. Der Emitter £11 eines pnp-Transistors
Q11 ist mit einer positiven Energiequelle Vcc über
einen Widerstund RH verbunden. Der Emitter £11
und die Basis B11 des Transistors Q11 sind jeweils mit
dem Kollektor C12 und dem Emitter £12 eines npn-Transistors Q12 verbunden. Bei einer mit V12
bezeichneten Spannung zwischen der Basis B12 des
Transistors Q12 und der Verbindung zwischen dem
Widerstand RH und der positiven Energiequelle Vcc
sei angenommen, daß ein gewisser Strom /10 durch eine
Klemme 33 von einem Kontakt 22 zwischen der Basis BU des Transistors QU und dem Emitter £12 des
Transistors Q12 nach außen fließt Dann wird der
Emitter des Transistors Q12 eine um einen Betrag
geringere Spannung als die Spannung V12 aufweisen, der gleich der Basisemitterspannung VBE12 dts
Transistors Q12 ist Und der Emitter des Transistor
QU wird eine um einen Betrag höhere Spannung als die Emitterspannung des Transistors Q12 haben, der
gleich der Basisemitterspannung VB£11 des Transistors Q11 ist
Hinsichtlich der Endspannung VIl des Widerstandes
RIl ergeben sich daher die folgenden Gleichungen:
KIl = VXl + VBEM - VBEW
(20)
Damit kann der Strom /U, der durch den Widerstand R11 fließt ausgedrückt werden als
V\2 + VBE12 - VBEU
(21)
Mit einem tmitterstrom /tii des transistors QU
und einem Kollektorstrom /C 12 des Transistors Q12
kann der oben angeführte Strom /11 ausgedrückt werden als
/11 = i£ll + 1CI2.
(22)
Werden die Basis- und Kollektorströme des Transistors QU mit /fill und /CIl jeweils bezeichnet dann
ergibt sich
/Eil = /BIl + /CIl-
(23)
Mit den Basis- und Kollektorströmen iB 12 und /C12
des Transistors Q12 kann der Emitterstrom /£12 des
Transistors Q12 ausgedrückt werden:
/£12 = /B12 + /C12.
(24)
Da der Transistor Q12 im allgemeinen einen großen
Verstärkungsgrad hfe hervorruft, hat der Strom iB 12
eine äußerst geringe Stärke. Damit ist
(25)
Der oben angeführte Strom 110 kann ausgedrückt
werden als
/10 = /BlI + /£I2.
(26)
22 bl 5«U
Der Strom iC 11 kann daher aui den Gleichun-
;en (22) bis (25) wie folgt ausgedrückt werden:
RIl
(27)
Wenn die oben genannte Konstantstromschaltung integriert ist, ergibt sich die folgende Gleichung (28):
- VBEW < K12.
Die obige Gleichung (27) kann umgewandelt werden positiven Energiequelle Vcc über den Widerstand R12
verbunden. Der Kontakt 34 zwischen der Basis B12 und
dem Widerstand R12 ist Ober den npn-Transistor Q14
und den Widerstand R14, die in Reihe geschaltet sind,
s geerdet De'.· Emitter £ 15 eines npn-Transistors Q15 ist
über einen Widerstand R15 und seinen Kollekte C15
und seine Basis B15 geerdet, die miteinander verbunden
sind. Die Basis B15 ist mit den Basen B13 und B14 der
Transistoren Q13 und Q14 und der Emitter E15 ist mit
ίο einer positiven Energiequelle über einen Widerstand R16 verbunden. Auf diese Weise vervollständigt die
Schaltung von F i g. 7 die in F i g. 6 dargestellte Schaltung. Im folgenden wird die Arbeitsweise der in
F i g. 7 dargestellten Schaltung beschrieben. Der Transi-(28) 15 stör Q15, dessen Kollektor C15 und Basis B15
miteinander verbunden sind, bildet infolge seiner Diodenwirkung einen Vorspannungskreis, der bewirkt,
daß die Basen B13 und B14 der Transistoren Q13 und
20
/CIl =
ν η
RU
- ilO.
(29)
Aus der vorhergehenden Beschreibung ist ersichtlich, daß der Strom /ClI durch eine Änderung der
Basisemitterspannungen VBfIl und VBE'12 der
Transistoren QIl und Q12 nicht beeinflußt wird. Der
Strom /CIl ist nämlich durch den Widerstand Λ11 (der
einen konstanten Widerstandswert aufweist), die Spannung V12 und den abgegebenen Strom /10 bestimmt
Der Strom /CIl ist theoretisch keine Funktion der Ausgangsspannung, die Ausgangsimpedanz eines durch
den Transistor QIl bewirkten Konstantstromkreises nimmt einen nahezu unbestimmten Wert ein (mehr als
20 ΜΩ, wie es tatsächlich gemessen wurde). Der Strom /CIi wird durch cir.e Änderung des Stromverstärkungsgrades
hfe, der von den Transistoren QIl und Q12 beiwrkt wird, nicht beeinflußt Wenn daher der
Konstantstromkreis entworfen wird, sollte lediglich darauf geachtet werden, daß der npn-Transistor Q12
dazu gebracht wird, eine Stromverstärkung mit hohem Verstärkungsgrad hfe zu bewirken. Andererseits ist die
minimale vom Transistor QIl durchgeführte Stromver-stärkung
im Hinblick auf einen maximalen Wert des Basisstroms /ßll bestimmt, der dazu erforderlich ist,
den Strom /CIl zu bekommen. Wenn der Emitterstrom des Transistors Q12 auf Null reduziert wird, wird der
zugehörige Kreis betriebsunfähig. Wenn daher die maximale Stärke des Stroms iBi\ kleiner als die des
Stroms /10 gemacht wird, wird es möglich sein, einen Konstantstromkreis so zu entwerfen, daß sein Betrieb
möglich ist, obwohl der pnp-Transistor QIl, der im allgemeinen als ein seitlicher Typ in einer integrierten
Schaltung wirkt, eine Stromverstärkung mit einem so kleinen Verstärkungsgraci wie etwa 0,1 durchführt
Der von der Klemme 251 des Konstantstromkreises abgegebene Ausgangsstrom, nämlich der Kollektorstrom
/ClI des Transistors QlI, kann einen konstanten
Wert dadurch haben, daß V12 und /10 in der Gleichung
(29) festgehalten werden. Die Spannung V12 und der Strom /10 können durch die in F i g. 7 dargestellte
Schaltung festgelegt werden. Der Koniakt 32 zwischen der Basis £11 des Transistors QU und dem Emitter
£12 des Transistors Q12 ist über den Kollektor C13 &5
und den Emitter £13 eines npn-Transistors Q13 und
eines Widerstandes R13, die in Reihe geschaltet sind,
geerdet Die Basis B12 des Transistors Q12 ist mit der
14 mit einer bestimmten Vorspannung versorgt
werden. Dementsprechend ist der obengenannte Strom /10 durch den Transistor Q13 bestimmt, und der
Kollektorstrom des Transistors Q14 wird ebenfalls konstant gehalten, wodurch die Endspannung V12 des
Widerstandes Λ12 und der vom Transistor QIl
abgegebene Ausgangsstrom /C11 festgehalten werden. Der Konstantstromkreis 25 von F i g. 7 kann praktisch
dadurch gebildet werden, daß der in F i g. 2 dargestellte Kreis mit geeigneten Abänderungen verwandt wird. Es
ist in diesem Fall nur erforderlich, die Klemme 251 in F i g. 7 mit der in F i g. 2 zu verbinden. Im Hinblick auf
den Konstantstromkreis 27 ist die Basis BA des Transistors Q 4 mit dem Kollektor des Transistors Q15
verbunden, wodurch ein Vorspannungskreis gebildet wird, um das Vorspannen hervorzurufen. Wie im obigen
beschrieben, kann ein in einer integrierten Form vorgesehener Seitentransistor beim Aufbau der erfindungsgemäßen
Kanalwählschaltung benutzt werden.
Als letztes wird anhand von F i g. 8 eine andere Ausführungsform der Erfindung beschrieben, bei der
der Konstantstromkreis eine stabilere Konstantstromcharakteristik zeigen kann. Fig.8 zeigt nur den
verbesserten Vorspannungskreis, der von der Basis B12
des Transistors Q12 gebildet wird. Die Basisvorspannung des Transistors Q12 wird durch einen Differen.:ilverstärker
DA stabiler gemacht Dieser Differentialverstärker DA vergleicht die Endspannung VIl des
Widerstandes RW und eine Vergleichsspannung Vref. Für praktische Zwecke wird die Vergleichsspannung
von der Spannung des Kollektorwiderstandes R12 des
Transistors Q14 abgeleitet. Ein Differentialausgang des
Differentialverstärkers DA erzeugt in einem Widerstand R17 ein.e Spannung, die später der Basis B12 des
Transistors Q12 eingeprägt wird. Die Folge ist, daß die
Basisspannung des Transistors Q12 so festgelegt ist,
daß sie mit der Spannung 711 und der Vergleichsspannung
Vref übereinstimmt Daher kann der Strom /11, der durch den Widerstand Λ11 fließt, ausgedrückt
werden als
/11 =
ZlL
RIl
Vref
rTT
Der Strom wird überhaupt nicht durch die Basisemitterspannung
der Transistoren QIl und Q12
beeinflußt, sondern bleibt immer konstant Wenn der Strom /10 als konstanter Strom verwandt wird, wird der
Ausgangsstrom /CIl, der vom Kollektor des Transi-
stors QIl gegeben wird, infolge der Beziehung von
/CIl -/11 - /10 eine größere StabQhitbekommen.
Durch die Anwendung des oben beschriebenen integrierten Konstjmtstronikreises wird die Erzeugung
einer genaueren und stabileren Kanatwihlspannung erzielt, wodurch es einem kapazitatsvariablen Tuner
möglich ist, eine wahrhaftigere Abstimmung durchzuführen.
Die obige Beschreibung bezieht sich auf Fernsehtuner. Es ist offensichtlich, daß der erfindungsgemiße
Kanalwähler beispielsweise auch auf einen FM-Radioempf anger anwendbar ist
Claims (7)
1. Kanalwähler mit einem Abitimmkreis, dessen Frequenz durch die Gleichspannung bestimmt ist,
mit der seine Dioden veränderlicher Kapazität vorgespannt sind, mit einer Gleichspannungsquelle,
die eine Anzahl von Wählschaltem für die jedem Kanal entsprechende Gleichspannung aufweist, und
mit Dioden, deren Anzahl gleich der Anzahl der benutzten Kanäle ist und die in Durchlaßrichtung
zwischen die Wählschalter der Gieichspannungsquelle und — mit einer gemeinsamen Verbindung —
den Abstimmkreis geschaltet sind, gekennzeichnet durch eine zusätzliche Diode (DO)
mit den gleichen Charakteristiken wie die der zwischen die Wählschalter (SWi bis SWn) und den
Abstimmkreis (22) geschalteten Dioden (D 1 bis Dn).
die mit £«ner diesen Dioden (Di bis Dn)
entgegengesetzten Polarität zwischen die gemeinsame Verbindung (26) der Dioden (D 1 bis D^ und den
Abstimmkreis (22) geschaltet ist, durch eine erste konstante Stromquelle (25), die mit einer Elektrode
der zusätzlichen Diode (DO) verbunden ist und durch die ein Strom fließt, dessen Stärke gleich der
Stromstärke des durch die anderen Dioden (D 1 bis Dn) fließenden Stromes ist, und durch eine zweite
konstante Stromquelle (27), die mit der anderen Elektrode der zusätzlichen Diode (DO) verbunden
ist und durch die die Summe der Ströme durch die zusätzliche Diode (DO) und die anderen Dioden (D 1
bis Dn) fließt
2. Kanalwähler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Wan schalter (SWi bis
SWn) elektronische Schalter sind, die jeweils mit einem veränderlichen Spannungsteilerwiderstand
(VR 1 bis VRn) in Reihe geschaltet sind, wobei die Gleichspannung wahlweise von den Schleifkontakten der veränderlichen Widerstände (VR 1 bis VRn;
abgenommen wird.
3. Kanalwähler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Dioden (D i bis Dn) und die
zusätzliche Diode CDO) so geschaltet sind, daß ihre
Kathoden miteinander verbunden sind, und daß die erste Stromquelle (25) mit der Anode der zusätzlichen Diode (DO) verbunden ist und einen Strom zur
zusätzlichen Diode (DO) liefert und daß die zweite Stromquelle (27) die Summe der Ströme durch die
zusätzliche Diode (D 0) und die anderen Dioden (D i bis Dn) empfängt.
4. Kanalwähler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Dioden (D 1 bis Dn) und die
zusätzliche Diode (DO) so geschaltet sind, daß ihre Anoden miteinander verbunden sind, daß die zweite
Stromquelle (27) mit der Anode der zusätzlichen Diode (DO) verbunden ist und einen Strom liefert,
der gleich der Summe der Ströme durch die zusätzliche Diode (DO) und die übrigen Dioden (D 1
bis Dn) ist, und daß die erste Stromquelle (25) den durch die zusätzliche Diode (DO) fließenden Strom «>
empfängt
5. Kanalwähler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Stromquellen (25, 27) von
Transistoren (Q 2, Q 4) entgegengesetzten Leitungstyps gebildet sind. «s
6. Kanalwähler nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorspannungsschaltkreise
für den Transistor (Q 2) der ersten Stromquelle (25)
und für den Transistor (Q 4} der zweiten Stromquelle
(27) miteinander verbunden sind.
7. Kanalwähler nach Anspruch 6, dadurch
gekennzeichnet, daß im Vorspannungsschaltkreis des Transistors (Q 2) der ersten Stromquelle (25) ein
Differentialverstärker (©^vorgesehen ist
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10140471A JPS528046B2 (de) | 1971-12-16 | 1971-12-16 | |
JP3244372A JPS5240423B2 (de) | 1972-03-31 | 1972-03-31 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2261580A1 DE2261580A1 (de) | 1973-06-28 |
DE2261580B2 DE2261580B2 (de) | 1980-03-27 |
DE2261580C3 true DE2261580C3 (de) | 1985-03-14 |
Family
ID=26371017
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2261580A Expired DE2261580C3 (de) | 1971-12-16 | 1972-12-15 | Kanalwähler |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3777289A (de) |
CA (1) | CA964735A (de) |
DE (1) | DE2261580C3 (de) |
GB (1) | GB1356553A (de) |
NL (1) | NL7217186A (de) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS544014A (en) * | 1977-06-10 | 1979-01-12 | Pioneer Electronic Corp | Muutuning circuit for electronic tuning receiver |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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GB1316871A (en) * | 1969-05-20 | 1973-05-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Tuning system for selecting channels |
DE2107714C3 (de) | 1971-02-18 | 1981-08-06 | Grundig E.M.V. Elektro-Mechanische Versuchsanstalt Max Grundig & Co KG, 8510 Fürth | Schaltung zum Umschalten der Resonanzfrequenzen elektrischer Schwingkreise |
-
1972
- 1972-12-14 US US00314948A patent/US3777289A/en not_active Expired - Lifetime
- 1972-12-14 GB GB5774272A patent/GB1356553A/en not_active Expired
- 1972-12-14 CA CA159,102A patent/CA964735A/en not_active Expired
- 1972-12-15 DE DE2261580A patent/DE2261580C3/de not_active Expired
- 1972-12-18 NL NL7217186A patent/NL7217186A/xx not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL7217186A (de) | 1973-06-19 |
DE2261580B2 (de) | 1980-03-27 |
GB1356553A (en) | 1974-06-12 |
DE2261580A1 (de) | 1973-06-28 |
US3777289A (en) | 1973-12-04 |
CA964735A (en) | 1975-03-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8281 | Inventor (new situation) |
Free format text: MAKINO, SHINICHI, FUJISAWA, KANAGAWA, JP |
|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, KAWASAKI, KANAGAWA, JP |
|
8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Free format text: ASSMANN, E., DIPL.-CHEM. DR.RER.NAT. ZUMSTEIN, F., DIPL.-CHEM. DR.RER.NAT., PAT.-ANW., 8000 MUENCHEN |
|
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |