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DE2148948A1 - Elektrischer kondensator in einer integrierten schaltung, insbesondere als speicher fuer halbleiterspeicher - Google Patents

Elektrischer kondensator in einer integrierten schaltung, insbesondere als speicher fuer halbleiterspeicher

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DE2148948A1
DE2148948A1 DE19712148948 DE2148948A DE2148948A1 DE 2148948 A1 DE2148948 A1 DE 2148948A1 DE 19712148948 DE19712148948 DE 19712148948 DE 2148948 A DE2148948 A DE 2148948A DE 2148948 A1 DE2148948 A1 DE 2148948A1
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semiconductor material
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transistor
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Karl-Ulrich Dr Stein
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Siemens Corp
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Description

Elektrischer Kondensator in einer integrierten Schaltung, insbesondere als Speicher für Halbleiterspeicher
Die Erfindung bezieht sich auf einen elektrischen Kondensator in einer integrierten Schaltung in bzw, auf einem Halbleitermaterial, wobei der Kondensator eine auf der Oberfläche des Halbleitermaterials befindliche Isolationsschicht und als Elektrode eine darauf angeordnete, wenigstens an einer Stelle bis zum Rande der Schicht reichende, elektrisch leitfähige Belegung mit einem Anschluß aufweist, sowie auf die bevorzugte Anwendung dieses Kondensators als auch auf eine besonders vorteilhafte, flächensparende Anordnung einer Vielzahl derartiger Kondensatoren in einer Speichermatrix eines Halbleiterspeichers.
Es ist an sich bekannt, Kondensatoren in integrierten Schaltungen auf Halbleitermaterial dadurch herzustellen, daß auf der Oberfläche eines Halbleitermaterials, das in einem vorgegebenen Bereich in dem das Halbleitermaterial wenigstens an der Oberfläche z.B. durch Dotierung entsprechend gut leitfähig gemacht ist, eine elektrisch isolierende Schicht und darauf eine elektrisch leitende Belegung angebracht wird. Die Isolierschicht wirkt als Dielektrikum zwisehen zwei Elektroden, von denen die eine Elektrode der in dem Halbleitermaterial eingebrachte leitende Bereich und die andere Elektrode die Belegung ist. Solche Kondensatoren sind insbesondere für Ein-Transistor-Speicherelemente verwendet worden, wie dies aus Electronics • vom 2.8.1971, S. 69.-75 bekannt ist.
Halbleiterspeicher mit Ein-Transistor-Speicherelementen sind bereits in der deutschen Offenlegungsschrift 20 12
309815/0417
" 2 ~ 2H8948
beschrieben worden. Bei diesen Halbleiterspeichern wird die als eingeschriebenes Signal in einem Kondensator gespeicherte Ladung über einen Transistor ausgelesen, der für den Leseprozeß von einer Auswahleinrichtung her gesteuert und entsprechend leitfähig gemacht wird.
Speziell bei Halbleiterspeichern mit Kondensatoren in den Speicherelementen kommt es für die integrierte Bauweise entscheidend auf den Platzbedarf für ein einzelnes Speicherelement an. Je kleiner ein einzelnes Speicherelement fc ausgeführt ist, um so größer kann die Anzahl der Speicherelemente, d.h. kann das Speichervermögen des gesamten Speichers bei vorgegebener, zur Verfügung stehender Fläche sein. Speziell bei Ein-Transistor-Speicherelementen nehmen die -Kondensatoren der Elemente den wesentlichen Anteil der gesamten zur Verfügung stehenden Fläche ein.
Es ist mithin eine Aufgabe der Erfindung, einen elektrischen Kondensator für eine integrierte Schaltung und insbesondere als Speicherkondensator für ein Ein-Transistor-Speicherelement anzugeben, der einen besonders geringen Flächenbedarf bei vorgegebenem Kapazitätswert hat und insbesondere in einer Halbleitertechnik mit selbstjustieren-™ dem Gate zu realisieren ist..
Diese Aufgabe wird durch einen wie oben angegebenen Kondensator gelöst, der erfindungsgemäß dadurch gekennzeichnet ist, daß als Anschluß für eine Gegenelektrode des Kondensators ein elektrischer Kontakt in der Halbleiteroberfläche vorgesehen ist, der mindestens an einer Stelle bis wenigstens an den Rand der Belegung auf der Isolierschicht reicht, daß an dem Halbleitermaterial ein elektrischer Anschluß vorgesehen ist und daß der Anschluß einer elektrischen Vorspannung quelle zwischen der Belegung und dem Anschluß vorgesehen ist, wobei ein Spannungswert vorgegeben
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ist, der wenigstens so hoch ist, daß sich aufgrund des in der Isolierschicht auftretenden elektrischen Feldes eine Inversionsrandschicht an der Oberfläche des Halbleitermaterials ausbildet.
Weiterbildungen des erfindungsgemäßeh Kondensators gehen aus den im folgenden noch zu beschreibenden Beispielen bevorzugter Ausführungsformen der Erfindung sowie aus den Unteransprüchen hervor.
Einen besonders geringen Flächenbedarf nimmt eine Halbleiterspeichermatrix mit Ein-Transistor-Speicherelementen ein, wenn nicht nur allein die erfindungsgemäßen „Kondensatoren verwendet werden, sondern wenn, gemäß einer bevorzugten Weiterbildung des Erfindungsgedankens, eine solche Anordnung für die Gesamtheit der vorhandenen Speicherelemente gewählt wird, wie sie noch im Zusammenhang mit der Figur 4 näher beschrieben wird. Für die Zusammenordnung von einzelnen Speicherelementen zu einer Speichermatrix wird auch der Begriff "Design" verwendet.
Figur 1 zeigt eine bevorzugte AusfUhrungsform eines erfir-dungsgemäßen Kondensators,
2 zeigt eine andere bevorzugte Ausführungsform eines Kondensators nach der Erfindung,
3 zeigt im Schnitt die bevorzugte Verwendung eines erfindungsgemäßen Kondensators in einem Ein-Transistor-Speicherelement in integrierter Halbleitertechnik,
Figur 4 zeigt einen Ausschnitt einer Aufsicht eines besonders bevorzugten Designs für eine Speichermatrix mit Ein-Transistor-Speicherelementen mit erfindungsgemäßen Kondensatoren und
Fipur 5 zeigt einen Schnitt AA' aus Figur 4.
BAD 309816/0417
2U8948
In Figur 1 ist ein, beispielsweise η-leitendes, Halbleitersubstrat mit 2 bezeichnet. An dessen Stelle kann auch ein sonstiges Substrat mit einer darauf befindlichen n- oder p-leitenden Halbleiterschicht, die vorzugsweise epitaxial aufgewachsen ist., vorgesehen sein. Auf einem Teil der Oberfläche des Substrats befindet sich eine Schicht aus elektrisch isolierendem Material, die in einem Bereich 5 erheblich dünner als in einem Bereich 6 der Schicht ist. Auf der Oberfläche der Schicht 4 befindet sich im wesentlichen im Bereich 5 mit geringer Schichtdicke eine elektrisch leitfähige Belegung 7. Diese Belegung ist,wie bekannt, als eine Elektrode des Kondensators wirksam, und besitzt den elektrischen Anschluß 8. Mit 9 ist ein dotiertes Gebiet im Halbleitermaterial bezeichnet, wobei der Leitungstyp dieses Gebietes durch entsprechende Dotierung entgegengesetzt dem Leitungstyp des Substrats 2 ist. Auf einem Teil der Oberfläche des Gebietes 9 ist eine elektrische leitende Belegung 10 mit einem elektrischen Anschluß 11 vorgesehen.
Beim Anliegen einer 4 entsprechend dem Leitungstyp des Substrats 2 gerichteten elektrischen Spannung zwischen den Anschlüssen 8 und dem Anschluß 12 an dem Halbleitermaterial des Substrates 2 bildet sich unterhalb des Bereiches 5 an bzw. in der Oberfläche des Halbleitermaterials eine elektrische Inversionsrandschicht aus, und zwar dann, wenn, wie an sich bekannt, die elektrische Feldstärke in der Isolationsschicht 5 einen ausreichend hohen Wert hat. Diese Inversionsrandschicht ist durch die gestrichelte Linie 14 angedeutet. Es handelt sich dabei um eine Schicht an der Oberfläche des Halbleitermaterials, in der aufgrund des erwähnten .elektrischen Feldes überwiegend nur Ladungsträger des Vorzeichens vorhanden sind, die in dem Substrat 2 die Minoritätsträger bilden. Der Leitungstyp der überwiegenden Ladungsträger der Inversionsrandschicht 14 stimmt
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Ä ORfGHNAL
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damit mit dem Leitungstyp des Gebietes 9 überein. Zwischen 9 und 14 besteht damit eine elektrische Verbindung, wenn, wie dies erfindungsgemäß vorgesehen ist, das Gebiet 9 wenigstens zu einem Anteil unter der Schicht 5 bis unter die Belegung 7 reicht. Sas Gebiet 9 ist damit der Anschlußkontakt für die Schicht 14.
Erfindungsgemäß besteht der Kondensator sowohl aus der bereits beschriebenen Kapazität mit der Schicht 5 als Dielektrikum als auch aus der Kapazität zwischen der Inversionsrandschicht 14 und dem der-Schicht 14 gegenüber >■ entgegengesetzt leitfähigen Substrat 2. Es handelt sich dabei um eine Sperrschichtkapazität.
Werden der Anschluß 12 und der Anschluß 8 (über die obenerwähnte Spannungsquelle) miteinander verbunden, so liegen · diese beiden Kapazitäten elektrisch parallel zueinander. Die Kapazität des erfindungsgemäßen Kondensators liegt dementsprechend elektrisch gesehen zwischen dem Anschluß 11 und den Anschlüssen 8 und 12 zusammengenommen.
Der Rand zwischen dem Bereich 6 und dem Bereich 5 der Schicht 4 gibt eine Begrenzung für die Ausdehnung der Inversionsrandschicht 14. Infolge der größeren Dicke des Isolationsmaterials wird im Bereich 6 nicht mehr diejenige hohe Feldstärke erreicht, die zur Bildung der Inversionsrandschicht erforderlich ist.
Figur 2 zeigt eine andere bevorzugte Ausführungsform eines Kondensators nach der Erfindung. Mit 21 ist ein Substrat bezeichnet, das dem Substrat 2 im wesentlichen entspricht. Einzelheiten der Figur, die mit denjenigen der Figur 1 übereinstimmen, tragen gleiche Bezugszeichen. Auf einemvorgegebenen Flächenbereich der Oberfläche des Substrates 21 befindet sich eine dünne Schicht 25 aus elektrisch
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isolierendem Material und die der Schicht im Bereich 5 entspricht und darauf eine elektrisch leitfähige 28. Diese Belegung ist eine der Elektroden des erfindungsgemäßen Kondensators. Zusätzlich zu dem dotierten Gebiet 9 in dem Substrat 21 befindet sich in dem Substrat noch ein weiteres vorzugsweise diffundiertes Gebiet, in dem der dort überwiegende Leitungstypus entgegengesetzt demjenigen des Substrates ist. Dieses Gebiet 22 greift wenigstens bis unter den Rand der Belegung 28. Vorzugsweise umgrenzt das Gebiet 22 die gesamte Fläche der Belegung 28, so daß das Gebiet 9 und das Gebiet 22 die Belegung 28 ring förmig umgeben. Das Gebiet 22 dient dazu, die Ausbildung besonders hoher Feldstärkewerte am Rande der Belegung 28 in der Schicht 25 zu vermeiden. Derartig übermäßig hohe elektrische Feldstärken führen nämlich zu erhöhten Sperrströmen. Von besonderem Vorteil ist es, den bezogen auf die Belegung 28 äußeren Rand des Gebietes 22 mit einer weiteren Schicht 23 aus elektrisch isolierendem Material abzudecken, damit sich nicht durch Oberflächenaufladungen der Halbleiteroberfläche eine weiter erstreckende Inversionsschicht in dem Halbleitermaterial ausbildet, wie dies an sich bekannt ist.
Figur 3 zeigt die Verwendung eines erfindungsgemäßen Kondensators als Kondensator in einem Ein-Transistor-Speicherelement, ausgeführt in integrierter Halbleitertechnik. Mit 31 ist ein Substrat bezeichnet, das im wesentlichen den Substraten 21 bzv/. 2 entspricht. Der für die Ausführungsform nach Figur 3 gewählte Kondensator entspricht in seinem Aufbau der Ausführungsform nach Figur 2. "Mit Figur 2 übereinstimmende Bezeichnungen von Einzelheiten des Kondensators sind in Figur 3 übernommen. Abweichend von der Ausführungsform nach Figur 2 kann auf dem Gebiet 9 die Elektrodenbelegung 10 mit dem Anschluß 11 entfallen. Mit 9 ist wieder der Kontakt zu der Inversionsrandschicht 14 ge-
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bildet, v/obei 'dieser Kontakt in der Darstellung der Figur 3 auf seiner rechten Seite zugleich eine elektrische Verbindung mit dein Transistor 32 herstellt. Vorzugsweise ist hier für 32 ein Feldeffekttransistor vorgesehen. Mit 33 iot die Gate-Isoliersohicht und mit 34 die Oateelektrode bezeichnet. Ein weiteres dotiertes Gebiet in dem Substrat 31 ist mit 35 bezeichnet. Die Gebiete 9 und 35 bilden zusammen das Drain- und Sourcegebiet des Transistors 32. Der sich wie bekannt ausbildende Kanal ist mit 36 bezeichnet. Auf dem Gebiet 35 befindet sich eine elektrisch leitfähige Belegung 37 mit dem Anschluß 38. Mit 39 ist der Anschluß der Gateelektrode des Transistors 32 und mit 12 ist der Anschluß an dem Substrat bezeichnet.
Im Betrieb als Halbleiterspeicherelement einer Speicherma- ' trix wird das in Figur 3 dargestellte Element mit dem Anschluß 38 an der Digitleitung, mit dem Anschluß 39 an der Auswahlleitung (Wortleitung), mit dem Anschluß 12 zusammen mit dem Anschluß 8 an einem vorgegebenen Potential, beispielsweise an Masse angeschlossen. Zwischen den Anschlüssen 8 und 12 ist die zur Ausbildung der Inversionsrandschicht 14 notwendige, entsprechend gepolte Spannungsquelle mit entsprechend großer elektrischer Spannung vor- · gesehen. ■
Die Figur 4 zeigt in einer Aufsicht ein besonders bevorzugtes Design für eine Speichermatrix mit Kondensatoren nach der Erfindung. Mit diesem Design wird eine besonders große Packungsdichte der Speicherelemente und zusammen mit den erfindungsgemäßen Kondensatoren ein insgesamt sehr geringer Platzbedarf erzielt, weil bereits die Kondensatoren selbst einen optimal kleinen Flächenbedarf haben.
Figur 6 zeigt einen Schnitt AA1 durch das Design nach Figur 4. Mit 51 ist das Substrat bezeichnet, auf dem sich
- 0 309815/0417 bad
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eine durchgehende Isolierschicht 52 befindet. Mit 53 ist eine weitere Isolierschicht bezeichnet, auf der sich eine im Schnitt dargestellte Auswahlleitung 60 befindet. Einzelheiten der Ein-Transistor-Speicherelemente in den Darstellungen der Figuren 4 und 5 tragen, soweit sie mit Einzelheiten aus der Figur 3 wenigstens in ihrer Funktion im.Sinne der Erfindung übereinstimmen, die in Figur 3 "bereits verwendeten Bezeichnungen.
Der besseren Übersichtlichkeit halber sind die Einzelheiten des Designs in den Figuren 4 und 5 mit größeren Abständen voneinander dargestellt, als dies der tatsächlichen Ausführung entspricht. Einzelheiten, diejnur durch die Schicht 53 verdeckt sind, sind mit langgestrichelten. Linien dargestellt. Einzelheiten, die auch durch die Schicht 52 verdeckt sind, sind mit kurzgestrichelten Linien wiedergegeben. Der Übersichtlichkeit halter ist das gemäß der Ausführungsform nach Figur 3 vorzugsweise vorzusehende Gebiet 22 weggelassen.
I*
In der.Figur 4 sind die Ein-Transistor-Speicherelemente im Prinzip nach Zeilen" und Spalten einer Matrix angeordnet. Die erfindungsgemäßen Kondensatoren, durch die Elek- ψ trodenbelegungen 28 kenntlich gemacht, liegen, wie aus der Darstellung ersichtlich, in einzelnen Reihen nebeneinander angeordnet. Die Belegungen 28 einer Reihe sind jeweils durch die elektrisch leitfähigen Verbindungen 128 miteinander verbunden. In nicht dargestellter Weise sind » alle Belegungen 28 der Matrix am Anschluß 8 miteinander verbunden. Wie dies aus der Figur 4 ersichtlich ist, sind aber die zu den Belegungen 28 gehörenden erfindungsgemäßen Kondensatoren einer wie beschriebenen Reihe miteinander abwechselnd mit der in der Figur rechts der Reihe liegenden Digitleitung 135 oder der in der Figur links der Reihe liegenden Digitleitung 1135 elektrisch verbunden.
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" 9 " 2148943
Diese Verbindung erfolgt über je einen Transistor 132. Die Digitleitungen 135, 1135 sind durch entsprechende streifenförmige, dotierte und damit elektrisch leitfähig gemachte Bahnen in dem Substrat 51 gebildet. Die bereits oben erwähnten Gebiete 35 sind wie aus der Figur 4 ersichtlich, Abzweigungen der jeweiligen Digitleitung 135, 1135. Ein Transistor 132 besteht somit aus einem Gebiet 35, einem Gebiet 9, aus dem zwischen den Gebieten 9 und 35 befindlichen TeilstUck der darüberliegenden Isolierschicht 52 und aus der auf dieser Isolierschicht befindlichen Belegung 34, die die Funktion der Gateelektrode hat. Diese Belegung 34 hat in dem Design 4 eine längliche, streifenähnliche Form, wie dies aus der Figur 4 ersichtlich ist.
Eine jede dieser Gateelektrodenbelegungen 34 ist mit jeweils einer der Auswahlleitungen 60 verbunden. Dabei ist die Gateelektrode eines bestimmten Transistors jeweils an derjenigen Auswahlleitung 60 angeschlossen, die Über ' Belegungen 28 hinweg verläuft, die in der jeweiligen Reihe der Belegungen 28 auf einer Seite benachbart sind. In der Darstellung der Figur 4 verläuft, die Auswahlleitung, an die bestimmte, waagrecht nebeneinanderliegende BeIe-* gungen 28 angeschlossen sind, über die jeweils in der Aufsicht darunter liegenden Belegungen 28. Durch diese versetzte Anordnung der Anschlüsse zwischen den Gateelektroden und der jeweiligen Auswahlleitung wird erreicht, daß die Verbindungsstelle zwischen Gateelektrode und Auswahlleitung auf die Funktion des jeweiligen Transistors 132 keinen nachteiligen Einfluß ausüben kann. Vorzugsweise ist nämlich diese elektrische Verbindung zwischen Gateelektrode 34 und Auswahllei£ung 60, wie aus Figur 6 ersichtlich, in der Weise hergestellt, daß in der Isolier schicht 53 an der zu verbindenden Kreuzungsstelle zwisehen Gateelektrode und Auswahlleitung ein bis auf die V
:v - 10 -' ' 309815/0417
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Gateelektrode hinab .reichendes Loch vorgesehen ist. Die Verbindung zwischen der Gateelektrode und der Auswahllei- -;. tung ist sonst in an sich bekannter Weise hergestellt.
Es sei darauf hingewiesen, daß die Ausschnitte wiederge"-bender Darstellungen der Figuren 4 und 5 ein genaues Bild des Designs vermitteln, und zwar der Anordnung der'Einzelheit en zueinander. Der Fachmann kann aus diesen Darstellungen auch sonstige Einzelheiten des Designs entnehmen. Das Design ist hier lediglich mit größeren Abständen ;zwisehen den dargestellten Einzelheiten wiedergegeben. Außer-· dem ist, wie oben bereits erwähnt, das im ZusammenHang mit der Figur 2 beschriebene Gebiet 22 der Übersichtlichkeit halber hier weggelassen. .
Die genauen Formgebungen der Einzelheiten selbst, beispielsweise der Belegungen 34, der abzweigenden Gebiete 35 und der Gebiete 9 können Abweichungen von der Darstellung in Figur 4 aufweisen, soweit das in Figur 4 angegebene Prinzip der räumlichen Zuordnung der Einzelheiten des Designs zueinander beibehalten ist.
12 Patentansprüche ' ~ * 5 Figuren
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Claims (1)

  1. 2U89A8
    Patentansprüche
    Elektrischer Kondensator in einer integrierten Schaltung in bzw. auf einem Halbleitermaterial, wobei der Kondensator eine auf der Oberfläche des Halbleitermaterials befindliche Isolationsschicht und eine darauf angeordnete, wenigstens an einer Stelle bis zum Rande der Schicht reichende, elektrisch leitfähige Belegung mit einem Anschluß aufweist,
    dadurch ge. kennzeichnet, daß als Anschluß für eine Gegenelektrode (14) des Kondensators ein elektrischer Kontakt (9) in der Halbleiteroberfläche vorgesehen ist, der mindestens an einer Stelle bis wenigstens an den Bereich der Belegung (7, 28) auf der Isolierschicht (5·, 25) reicht, daß an dem Halbleitermaterial ein elektrischer Anschluß (12) vorgesehen ist und daß der Anschluß einer elektrischen Vorspannungsquelle zwischen der Belegung und dem Anschluß (12) vorgesehen ist, wobei ein Spannungswert vorgegeben ist, der wenigstens so hoch ist, daß sich aufgrund des in der Isolierschicht auftretenden elektrischen Feldes eine Inversionsrandschicht (14) an der Oberfläche des Halbleitermaterials ausbildet.
    2. Kondensator nach Anspruch 1,
    dadurch gekennzeichnet , daß der Kontakt (9) ein Gebiet ist, in dem eine Dotierung mit einem Leitungstyp vorgesehen ist, der demjenigen des Substrats entgegengesetzt ist und sich dieses Gebiet von der Oberfläche des Halbleitermaterials her in dieses hinein erstreckt.
    3. Kondensator nach Anspruch 1 oder 2,
    dadurch gekennzeic h net, daß die Fläche des Kondensators durch die Fläche der Belegung (7, 28) gegeben ist.
    - 12 309 8 15/0417
    .21489*6
    h, Kondensator nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , daß der Rand der Fläche des Kondensators durch den Rand einer relativ dicken Isolationsbelegung (4) bestimmt ist.
    5. Kondensatorkabel·! Anspruch 1 oder 2,
    dadurch ^g e kennzeichnet , daß mindestens der Rand der Fläche- des Kondensators durch ein dem Halbleitermaterial entgegengesetzt dotiertes Gebiet (22) an. der Oberfläche und in dem Halbleitermaterial bestimmt ist, wobei dieses Gebiet die Fläche der Belegung weitgehend bis vollständig umgibt.
    6. Kondensator nach Anspruch 5, · ; dadurch gekennzeichnet , daß der bezogen auf die Fläche des Kondensators äußere Rand des die Fläche umgebenden dotierten Gebietes (22) durch eine Isolationsschicht (23) auf der Oberfläche des Halbleitermaterials abgedeckt ist.
    7. Verwendung eines Kondensators nach einem der Ansprüche 1 bis 6 als Ein-Transistor-Speicherelement eines Halbleiterspeichers, wobei eine Elektrode (9) des Transistors (32) zugleich der Kontakt (9) des Kondensators ist.
    8. Anordnung von Ein-Transistoren-Speicherelementen nach Anspruch 7 auf der Oberfläche des Halbleitermaterials, ' bei der die einander parallelen Auswahl- (60) und die · einander parallelen Digitleitungen (135, 1135) kreuzweise zueinander verlaufen, wobei die Auswahl- und Digitleitungen in Ebenen übereinander durch Isolierschicht (52, 53) elektrisch voneinander isoliert verlaufen und bei der die als Speicher vorgesehenen Kondensatoren in zueinander parallelen Reihen nebeneinander angeordnet
    - 13 3 0 9 8 1 5 / 0 U 1 7
    V. ;i
    sind und bei jeweils ein Kondensator und ein Transistor (132) "benachbart zueinander angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet , daß abwechselnd- und parallel miteinander jeweils eine Digitleitung und eine Reihe von Kondensatoren angeordnet sind, daß in der Reihe aufeinanderfolgende Kondensatoren über jeweils einen Transistor abwechselnd mit der einen (135) und mit der anderen (1135) der Digitleitungen / verbunden sind, die dieser Reihe der Kondensatoren benachbart sind, und daß die Auswahlleitungen (60) elektrisch isoliert über die Belegungen (28) der Kondensatoren und die Transistoren (132) verlaufen und elektrische Verbindungen zwischen jeweils einer Auswahlleitung und den Gateelektroden (34) der Transistoren vorgesehen sind, die in Richtung der jeweiligen Auswahlleitung in Reihe hintereinander liegend angeordnet sind, wobei eine Auswahlleitung mit den Gateelektroden der Transistoren verbunden ist, die unterhalb einer benachbarten Auswahlleitung in dieser Reihe angeordnet sind.
    9. Speicheranordnung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet , daß das Speicherelement in einer Feldeffekttransistor-Halbleitertechnik mit selbstjustierendem Gate ausgeführt ist.
    10. Speicheranordnung nach Anspruch 8 und 9,
    dadurch gekennzeichnet , daß die Speicheranordnung in Silizium-Gate-Technik ausgeführt ist.
    11. Speicheranordnung nach Anspruch 8 und 9,
    dadurch gekennzeichnet , daß die Speicheranordnung mit einer Zweilagen-Metallisierung ausgeführt ' ist.
    - 14 3098 15/0417
    -14- · . 2U3948
    12. Speicheranordnung nach Anspruch 8 und 9, dadurch gekennz eichnet, daß für die Belegung (7, 28) hochschmelzendes Metall verwendet wird.
    30981 570417
    Leerseite
DE2148948A 1971-09-30 1971-09-30 Speicheranordnung mit Ein-Transistor-Speicherelementen Expired DE2148948C3 (de)

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