DE2012101B2 - Field emission cathode and method of making it - Google Patents
Field emission cathode and method of making itInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Feldemissionskathode gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.The invention relates to a field emission cathode according to the preamble of claim 1.
Derartige Feldemissionskathoden sind für Elektronenröhren geeignet und dienen als punktförmige Quelle für einen Elektronenstrahl.Field emission cathodes of this type are suitable for electron tubes and are used as punctiform Source for an electron beam.
Bekannte Feldemissionskathoden dieser Art besitzen einen Überzug aus dem Metall mit niedrigerer Elektronenaustrittsarbeit. Dieser Überzug hat den Sinn, der Kathode eine Austrittsarbeit zu geben, die niedriger liegt als die des Trägermaterials, damit bereits bei niedriger Betriebsspannung eine hohe Feldemission erreicht wird. Ein Verzicht auf einen derartigen Metallüberzug ist nicht möglich, da diejenigen Metalle, die im Hinblick auf mechanische Festigkeit, Herstellbarkeit eines feinen Drahts mit einer Spitze als Emissionspunkt, chemische Inaktivität gegenüber Gasen unter Einschluß von Sauerstoff und Stabilität bei hohen Temperaturen den Anforderungen an ein Kathodenaiaterial gewachsen sind, sämtlich durch eine relativ hohe Elektronenaustrittsarbeit gekennzeichnet sind. Üblicherweise wird das Material von niedrigerer Austrittsarbeit im Vakuum auf das Trägermaterial aufgedampft. Für die Verdampfung geeignete Materialien sind Barium, Strontium und Calzium. Nach dem Aufdampfen wird die Kathode in einem Vakuum erwärmt, so daß das ίο angelagerte Material gleichförmig über die gesamte Oberfläche der Kathode diffundieren kann. Wenn auch die wenigen ersten der unmittelbar an der Kathodenoberfläche befindlichen Atomschichten fest mit der Oberfläche des Trägermaterials verbunden sind, nimmt die Bindungskraft mit zunehmender Entfernung von dei Kathodenoberfläche ab, so daß für weiter von dem Trägermaterial abliegende Atome die Neigung besteht, bei einer Erwärmung im Vakuum zu verdampfen. Dies führt zu einer nur wenige Atome starken Schicht, die beim Gebrauch der Kathode nach relativ kurzer Zeit abgebaut wird. Hierduich nimmt die Emissionsfähigkeit der Kathode schnell ab, was deren Lebensdauer verkürzt.Known field emission cathodes of this type have a coating of the metal with lower Electron work function. The purpose of this coating is to give the cathode a work function, which is lower than that of the carrier material, so that a high field emission even at low operating voltage is achieved. It is not possible to do without such a metal coating, since those Metals, in terms of mechanical strength, manufacturability of fine wire with a peak as an emission point, chemical inactivity to gases including oxygen and stability at high temperatures can meet the requirements of a cathode material are all characterized by a relatively high electron work function. Usually the material with a lower work function is vapor-deposited onto the carrier material in a vacuum. For Materials suitable for evaporation are barium, strontium and calcium. After the vapor deposition the cathode is heated in a vacuum so that the ίο deposited material is uniform over the entire Can diffuse surface of the cathode. Even if the first few are directly connected to the The atomic layers located on the cathode surface are firmly connected to the surface of the carrier material are, the binding force decreases with increasing distance from the cathode surface, so that For atoms that are further away from the carrier material there is a tendency when heated in To evaporate vacuum. This results in a layer that is only a few atoms thick when it is used the cathode is degraded after a relatively short time. Here you take the emissivity of the cathode quickly, which shortens their service life.
In der DT-AS 1 290 637 ist eine Feldemissionskathode der eingangs genannten Art beschrieben, beiIn DT-AS 1 290 637 a field emission cathode of the type mentioned is described at
der unter üen den Überzug bildenden Atomen eine dritte Art von Atomen vorhanden ist, die in der Spannungsreihe der Elemente so weit von den denof the atoms forming the coating below third type of atoms is present in the series of elements so far from the the
Überzug bildenden Atomen entfernt sind, daß sieCoating atoms are removed that they
diese anziehen. Durch das Einfügen der zusätzlichenput these on. By inserting the additional
Atome wird ein besseres Haften des Überzugs auf dem Trägermaterial bewirkt, was zu einer gewissenAtoms, the coating will adhere better to the substrate, which leads to a certain
Vergrößerung der Lebensdauer führt. Ein wirklichesLeads to an increase in service life. A real one
Festhalten des Überzugs wird durch dieses relativ aufwendige Zwischenfügen einer dritten Schicht gleichwohl nicht erreicht.This relatively complex interposition of a third layer ensures that the coating is held in place nevertheless not achieved.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Feldemissionskathode der im Oberbegriff des Anspruchs 1 genannten Art zu schaffen, die sich durch besonders festen Halt des Metalls von niedrigerer Austrittsarbeit auszeichnet.The invention is based on the object of providing a field emission cathode as described in the preamble of the claim 1 type mentioned, which is due to the particularly firm hold of the metal from lower Work work.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß das Metall von niedrigerer Elektronenaustrittsarbeit in Form von Ionen bis zu einer Tiefe von etwa 1000 bis 3000 A in das Trägermaterial eingebettet ist. Durch diese außerordentlich tiefe Einbettung verhält sich die Kathode hinsichtlich chemischer Reaktionen mit umgebendem Gas und Verdampfung bei erhöhten Temperaturen wie das Trägermaterial, während die Elektronenaustrittsarbeit der des eingebetteten Metalls entspricht, so daß eine hohe Elektronenemission bei relativ niedriger Betriebsspannung über lange Zeitspannen erreicht wird.According to the invention, this object is achieved in that the metal has a lower electron work function embedded in the carrier material in the form of ions to a depth of about 1000 to 3000 Å is. Due to this extremely deep embedding, the cathode behaves chemically Reactions with surrounding gas and evaporation at elevated temperatures such as the carrier material, while the electron work function corresponds to that of the embedded metal, so that a high electron emission is achieved at a relatively low operating voltage over long periods of time.
Aus J.Appl.Phys.Vol.37 (1966) Nr. 10, S. 4297 und 4298, ist es bekannt, durch Ionenbeschuß in einem Halbleitermaterial einen p-n-Übergang herzustellen, der weniger als 1000 A unter der Halbleiteroberfläche liegt. Die Herstellung eines derartig gelagerten p-n-Überganges, die mit der DifFusionstechnik technologisch schwierig ist, hat den Sinn, die Elektronenemission von Halbleiter-p-n-Übergängen im Vakuum meßbar zu machen, da sie andernfalls, wenn ein Materialschnitt durch einen Übergang gelegt wird, unmeßbar klein ist.From J.Appl.Phys.Vol. 37 (1966) No. 10, p. 4297 and 4298, it is known to produce a p-n junction in a semiconductor material by ion bombardment, which is less than 1000 A below the semiconductor surface. The production of such a stored The p-n junction, which is technologically difficult with the diffusion technique, has the meaning that Electron emission from semiconductor p-n junctions to make it measurable in a vacuum, otherwise, if a material cut is made through a transition becomes, is immeasurably small.
In Weiterbildung der Erfindung dient das Kathodenmaterial selbst als Trägermaterial.The cathode material is used in a further development of the invention even as a carrier material.
Mit Vorteil ist als Trägermaterial eine Schicht aus einem ein tieferes Eindringen der Metallionen er-A layer of a deeper penetration of the metal ions is advantageously used as the carrier material.
kiubenden Material im Bereich der Spitze auf das Kathodenmaterial aufgebracht.sticking material in the area of the tip to the Cathode material applied.
Diese Schicht besteht vorzugsweise aus einem Oxyd oder Karbid des Kathodenmaterials. Eine Spitzenkathode hoher Feldemission, die aus dem Karbid eines hochschmelzenden Metalls besteht, wobei das Karbid auf einen Metallträger aufgebracht ist, ist in der DT-AS 1200442 bereits beschrieben.This layer preferably consists of an oxide or carbide of the cathode material. A top cathode high field emission, which consists of the carbide of a refractory metal, the Carbide is applied to a metal carrier is already described in DT-AS 1200442.
Als Kathodenmaterial kommt insbesondere Wolfram, Molybdän, Tantal oder Rhenium in Betracht. Darüber hinaus kann das Trägermaterial vorteilhaft einen Whisker darstellen. Die stabilen Feldemissionseigenschaften eines Whiskers sind an sich bereits bekannt (J. Appl. Phys. Vol. 38 [1967], Nr. 13, S. 5417 bis 5419).Particularly suitable cathode materials are tungsten, molybdenum, tantalum or rhenium. In addition, the carrier material can advantageously represent a whisker. The stable field emission properties of a whisker are already known per se (J. Appl. Phys. Vol. 38 [1967], No. 13, pp. 5417 to 5419).
A!s Metall niedrigerer Austrittsarbeit ist vorzugsweise ein Alkalimetall wie Lithium, Natricm, Calium oder Cäsium, ein Erdalkalimetall, wie Barium, Strontium oder Calzium, Thorium oder Zirkonium vorgesehen. A! S metal of lower work function is preferably an alkali metal such as lithium, sodium, potassium or cesium, an alkaline earth metal such as barium, strontium or calcium, thorium or zirconium.
Gemäß einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung erfolgt die Einbettung der Ionen in die Kathode in der Weise, daß ein die Ionen des Metalls niedrigerer Austrittsarbeit enthaltendes Plasma einer hohen Beschleunigungsspannung ausgesetzt und der entstehende Metallionenstrahl von hoher Geschwindigkeit auf das Trägermaterial gerichtet wird.According to an advantageous embodiment of the invention, the ions are embedded in the cathode in such a way that a plasma containing the ions of the metal lower work function a exposed to high accelerating voltage and the resulting metal ion beam at high speed is directed to the carrier material.
Die erfindungsgemäßen Kathoden hoher Felderrission können im allgemeinen als punktförmige Quelle eines Elektronenstrahls mit geringeren Betriebsspannungen verwendet werden. Darüber hinaus finden die Kathoden ein weites Anwendungsfeld als Emitter einer Elektronenröhre, insbesondere als Kathode einer Elektronenschleuder.The high field emission cathodes according to the invention can generally be used as a point source an electron beam with lower operating voltages can be used. In addition, find The cathode has a wide field of application as an emitter of an electron tube, in particular as a cathode an electron gun.
Die Erfindung wird nachstehend an Hand der Beschreibung von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert.The invention is described below with reference to the description of exemplary embodiments explained in more detail on the drawing.
F i g. 1 zeigt schematisch die Wirkungsweise einer Feldemissionskathode mit scharfer Spitze nach der Erfindung;F i g. 1 shows schematically the mode of operation of a field emission cathode with a sharp tip according to FIG Invention;
F i g. 2 (a) zeigt schematisch das Vakuumenergieniveau von Wolfram;F i g. Fig. 2 (a) schematically shows the vacuum energy level of tungsten;
F i g. 2 (b) ist eine der F i g. 2 (a) entsprechende Darstellung, die das Energieniveau bei eir.em angelegten hohen elektrischen Feld verdeutlicht;F i g. 2 (b) is one of the FIGS. 2 (a) corresponding diagram showing the energy level at eir.em applied high electric field made clear;
F i g. 3 (a) zeigt ebenfalls schematisch das Vakuumenergieniveau von Wolfram mit einem Barium überzug;F i g. 3 (a) also schematically shows the vacuum energy level of tungsten with a barium coating;
F i g. 3 (b) ist eine der F i g. 3 (a) entsprechende Darstellung, die das Energieniveau bei einem angelegten hohen elektrischen Feld verdeutlicht;F i g. 3 (b) is one of FIGS. 3 (a) Corresponding illustration showing the energy level at an applied high electric field made clear;
F i g. 4 zeigt schematisch die Verteilung der in das Trägermaterial der Kathode eingebetteten Metallionen niedriger Austrittsarbeit in Abhängigkeit von der Eindringtiefe.F i g. 4 shows schematically the distribution of the metal ions embedded in the carrier material of the cathode lower work function depending on the penetration depth.
In F i g. 1 ist eine mit 10 bezeichnete typische Kathode hoher Feldemission mit einer scharfen Spitze verschen, die beispielsweise durch elektrochemisches Ätzen oder durch Funkenentladung erzeugt worden ist. In die Oberflächt, dieser scharfen Spitze werden Metallionen niedriger Austrittsarbeit mit Hilfe eines beschleunigenden elektrischen Felds eingebettet. Die ursprüngliche Kathode 10 bzw. die Metallionen können z. B. aus Wolfram bzw. Barium bestehen. Der Kathode 10 gegenüber ist eine als Anode wirkende Elektrode 11 angeordnet. Von einer Spannungsquelle 12 wird zwischen den beiden Elektroden 10 und 11 eine geeignete Spannung angelegt. Diese Spannung erzeugt zwischen den Elektroden 10 und 11 ein hohes elektrisches Feld, das die Oberflächenpotentialschwclle erniedrigt und Elektronen durch die Oberfläche zieht. Wenn auf der Kathode 10 kein Metall niedriger Austrittsarbeit vorgesehen ist, ist in diesem Fall das für die Überwindung der Oberflächenschwelle notwendige elektrische Feld so hoch, daß kaum Elektronen aus der Oberfläche entweichen: ist hingegen ein solches Metall eingebettet, ist dieIn Fig. 1 is a typical high field emission cathode, designated 10, with a sharp tip give away that have been generated, for example, by electrochemical etching or by spark discharge is. In the surface, this sharp point will be Metal ions with a low work function are embedded with the help of an accelerating electric field. the original cathode 10 or the metal ions can, for. B. made of tungsten or barium. Of the An electrode 11 acting as an anode is arranged opposite the cathode 10. From a voltage source 12, a suitable voltage is applied between the two electrodes 10 and 11. This tension generates a high electric field between the electrodes 10 and 11, which is the surface potential wave lowers and attracts electrons through the surface. If there is no on the cathode 10 Metal with a low work function is provided in this case for overcoming the surface threshold necessary electric field so high that hardly any electrons escape from the surface: on the other hand, if such a metal is embedded, it is
ίο Austrittsarbeit der Kathode im Ganzen herabgemindert. Das elektrische Feld läßt nunmehr die Elektronen durch die Potentialschwelle an der Oberfläche austreten und erzeugt dadurch einen Elektronenfluß, wie er mit dem Buchstaben e bezeichnet ist, der von der Oberfläche unter dem Einfluß des Felds ausgeht. Dieses Phänomen wird im folgenden an Hand der F i g. 2 (a) bis 3 (b) erläutert.ίο Work function of the cathode as a whole reduced. The electric field now lets the electrons exit through the potential threshold at the surface and thereby generates a flow of electrons, as indicated by the letter e , which emanates from the surface under the influence of the field. This phenomenon is illustrated below with reference to FIGS. 2 (a) to 3 (b).
In Fig. 2 (a) zeigt das Vakuumenergieniveau von Wolfram, abgekürzt V. L., einen gleichförmigen Ver-In Fig. 2 (a) shows the vacuum energy level of Wolfram, abbreviated V. L., a uniform
zo lauf und die Potentialschwelle insgesamt einen stufenförmigen Verlauf. Die Austrittsarbeit, deren Wert in diesem Fall mit 4,5 eV angegeben ist, ist definiert als Unterschied zwischen dem Vakuumniveau V. L. und dem sogenannten Ferminiveau, abgekürztzo runs and the potential threshold as a whole has a step-shaped course. The work function whose Value in this case given as 4.5 eV is defined as the difference between the vacuum level V. L. and the so-called Fermi level, abbreviated
F. L. Dies bedeutet mit anderen Worten, daß di" Austrittsarbeit eine Energie ist, die notwendig ist, damit ein Elektron auf dem Ferminiveau F. L. aus der Oberfläche von Wolfram frei wird. Wird an der Oberfläche ein elektrisches Feld erzeugt, so fällt das Vakuumniveau V. L. mit einem bestimmten Gefälle ab und die Potentialschwelle erscheint gemäß F i g. 2 (b) als dreieckförmiger Hocker. Je stärker das aufgebaute elektrische Feld wird, um so spitzer wird der dreieckförmige Hocker. Die Austrittsarbeit 4,5 eV bleibt trotzdem im wesentlichen unverändert. Tatsächlich fällt jedoch die Austrittsarbeit um wenige Zehntel von 1 eV ab, was als Schottky-Effekt bezeichnet wird. Somit können die Elektronen innerhalb des Wolframkörpers nur dann die Oberfläche verlassen, wenn ihnen die Energie von 4,5 eV gegeben wird.F. L. In other words, this means that the "work function is an energy that is necessary so that an electron at the Fermi level F.L. is released from the surface of tungsten. Will be at the If an electric field is generated on the surface, the vacuum level V.L. falls with a certain gradient from and the potential threshold appears according to FIG. 2 (b) as a triangular stool. The stronger that The electric field built up becomes the more pointed the triangular stool becomes. The work function 4.5 eV nevertheless remains essentially unchanged. In fact, however, the work function drops by a few Tenths of 1 eV from what is known as the Schottky effect. Thus the electrons can be inside of the tungsten body only leave the surface when given the energy of 4.5 eV will.
Wenn das Wolfram mit einem Metall niedriger Austrittsarbeit wie Barium überzogen ist oder wenn ein derartiges Metall in das Wolfram eingebettet ist, wird das Vakuumniveau V. L. abgesenkt, so daß sich der Wert der Austrittsarbeit von 4,5 eV auf 1,5 eV gemäß F i g. 3 (a) verschiebt. Daraus ergibt sich, daß die im Inneren des Wolframkörpers befindlichen Elektronen herausgezogen werden odtr leichter über die Schwelle aus der Oberfläche austreten, wenn das sie anziehende elektrische Feld relativ intensiv ist. Gemäß F i g. 3 (b) nimmt die PotenLialschwelle beim Anlegen eines hohen Feldes die Form eines spitzen dreieckförmigen Höckers an, der gegenüber dem Ferminiveau F. L. abgesenkt ist. Das Vakuumniveau V. L. hat ebenfalls ein negatives Gefälle, das um so steiler wird, je höher das angelegte elektrische Feld wird. In diesem Fall können selbst Elektronen mit Energien unter dem Ferminiveau durch den engen Abschnitt der Potentialschwelle wandern. Dieses Phänomen ist ais Tunneleffekt bekannt und wird bei der erfindungsgemäßen Kathode hoher Feldemission benutzt.When or when the tungsten is coated with a low work function metal such as barium Such a metal is embedded in the tungsten, the vacuum level V.L. is lowered, so that the value of the work function from 4.5 eV to 1.5 eV according to FIG. 3 (a) shifts. It follows that the electrons inside the tungsten body are drawn out or more easily over the threshold emerge from the surface when the electric field that attracts it is relatively intense. According to FIG. 3 (b), the potential threshold takes the form of a sharp point when a high field is applied triangular hump, which is lowered compared to the Fermi level F.L. The vacuum level V.L. also has a negative gradient, which becomes steeper the higher the applied electric field will. In this case, even electrons with energies below the Fermi level can pass through the narrow Hike section of the potential threshold. This phenomenon is and is known as the tunnel effect used in the high field emission cathode according to the invention.
Bei einem bevorzugten Verfahren nach der Erfindung wird Metall niedriger Austrittsarbeit in Form von Ionen durch ein elektrisches starkes Feld beschleunigt und darauf tief in das Innere einer üblichen Kathodensubstanz als Trägermaterial einge-In a preferred method of the invention, low work function metal is in the form accelerated by ions through a strong electric field and then deep inside a usual Cathode substance used as carrier material
bettet. Nach dieser Ionenimplantation wird die erhaltene Kathode in die freie Luft herausgenommen. Dann kann die Kathode in einem Vakuum, vorzugsweise in einer Elektronenröhre, einer Wärmebehandlung unterzogen werden, um Teiloxydbeläge und in die Oberflächenschicht absorbierte Gase zu entfernen. Während dieser Wärmebehandlung wird die Röhre entgast und die Oberfläche der Kathode durch Diffusion der MetaUionen aus dem Trägermaterialkörper zur Oberfläche aktiviert.beds. After this ion implantation, the cathode obtained is taken out into the open air. The cathode can then be subjected to a heat treatment in a vacuum, preferably in an electron tube to remove partial oxide deposits and gases absorbed into the surface layer. During this heat treatment, the tube is degassed and the surface of the cathode through Diffusion of the MetaUionen from the carrier material body to the surface activated.
Die Ionenimplantation wird in diesem Fall in der folgenden Weise durchgeführt: die Bariumionen werden aus einem Plasma erhalten, in dem das Barium wenigstens teilweise bei einer erhöhten Temperatur ionisiert ist. Bei einer intensiven Beschleunigungsspannung von beispielsweise etwa 40 kV werden die Bariumionen unter Bildung eines Strahls in eine gleichförmige Richtung orientiert. Dieser Bariumionenstrahl dringt tief in das Innere des das Kathodenträgermaterial bildenden Wolframs ein.The ion implantation in this case is carried out in the following way: the barium ions become obtained from a plasma in which the barium is at least partially at an elevated temperature is ionized. At an intense acceleration voltage of about 40 kV, for example, the Barium ions oriented in a uniform direction to form a beam. That barium ion beam penetrates deep into the interior of the tungsten which forms the cathode carrier material.
Die Verteilung des implantierten Bariumionengehalts ist in F i g. 4 in Abhängigkeit von der Eindringtiefe von der Substratoberfläche aus verdeutlicht. Aus F i g. 4 entnimmt man, daß der Scheitel der Verteilungskurve in einem geringen Abstand unterhalb der Oberfläche, d. h. nicht unmittelbar an der Oberfläche liegt und daß die Bariumionen etwa 1000 bis 3000 A tief in den Trägerkörper eindringen. Dieses tiefe Eindringen hat zur Folge, daß die Oberfläche des Wolframs trotz der implantierten Ionen ohne Beeinträchtigung durch die umgebenden Gasmoleküle bleibt. Somit verhält sich die Oberfläche des nach dem erfindungsgemäßen Verfahren behan delten Wolframs wie eine einfache Substanz. Dem entsprechend bietet eine Kathode hoher Feldemissioi nach der Erfindung dadurch Vorteile, daß die Ka thode frei von Verdampfung bei erhöhten Tempera türen und chemisch inert gegen Gasmoleküle ist un< daß sie bei verringerten Betriebsspannungen für langi Zeitspannen stabil arbeiten kann.The distribution of the implanted barium ion content is shown in FIG. 4 depending on the penetration depth illustrated from the substrate surface. From Fig. 4 you can see that the vertex the distribution curve at a short distance below the surface, d. H. not immediately the surface and that the barium ions penetrate about 1000 to 3000 Å deep into the carrier body. This deep penetration has the consequence that the surface of the tungsten in spite of the implanted ions remains unaffected by the surrounding gas molecules. This is how the surface behaves of the tungsten treated by the method according to the invention as a simple substance. To the accordingly, a high field emission cathode according to the invention offers advantages in that the Ka method free of evaporation at elevated temperatures and chemically inert to gas molecules is un < that at reduced operating voltages for langi Time spans can work stably.
Beispiele für Metalle, wie sie erfindungsgemäß füExamples of metals according to the invention fü
ίο das Implantieren in ein als gewöhnliche Kathodi wirkendes Trägermaterial geeignet sind, sind Alkali metalle wie Lithium (Li), Natrium (Na), Kalium (K und Cäsium (Cs), Erdalkalimetalle, wie Barium (Ba) Strontium (Sr) und Kalzium (Ca) und andere Me talle wie Thorium (Th) und Zirkonium (Zr). Dies« Metalle haben niedrige Austrittsarbeit und ionisieret bei einer hohen Temperatur leicht.ίο implanting in a than ordinary cathode active carrier material are alkali metals such as lithium (Li), sodium (Na), potassium (K and cesium (Cs), alkaline earth metals such as barium (Ba) strontium (Sr) and calcium (Ca) and other Me metals such as thorium (Th) and zirconium (Zr). These «metals have a low work function and are ionized at a high temperature easily.
Bei einem weiteren bevorzugten Verfahren nacl der Erfindung wird die gewöhnliche Kathode au; einfacher Substanz einmal mit einem bestimmtet Material überzogen, um das Implantieren der Me talle niedriger Austrittsarbeit zu verbessern, dami also größere Mengen an Metall tiefer in das Träger material eindringen. Die Ionenimplantation wire dann an dem, einmal überzogenen Trägermateria vorgenommen. Das Überzugsmaterial besteht vor zugsweise aus Oxiden oder Carbiden des Kathoden materials wie Wolfram (W), Molybdän (Mo), Tanta (Ta) oder Rhenium (Re); es sollte bei erhöhten Tem peraturen stabil sein, chemisch inert gegenüber Gaser einschließlich Sauerstoff und auf der Trägeroberflächf beschichtbar sein.In a further preferred method according to the invention, the ordinary cathode is au; simple substance once coated with a certain material to facilitate the implantation of the Me tall lower work function, thus allowing larger amounts of metal deeper into the carrier penetrate material. The ion implantation then takes place on the carrier material, once it has been coated performed. The coating material consists preferably of oxides or carbides of the cathode materials such as tungsten (W), molybdenum (Mo), tanta (Ta) or rhenium (Re); it should be used at elevated temp temperatures must be stable, chemically inert to gases including oxygen and on the carrier surface be coatable.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings
Claims (8)
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| E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
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