DE19957758A1 - Vorrichtung und Verfahren zum Ausrichten von scheibenförmigen Substraten - Google Patents

Abstract

Um auf einfache und kostengünstige Weise eine Ausrichtung von Substraten zu ermöglichen, ist eine Vorrichtung zum Ausrichten von scheibenförmigen Substraten, insbesondere Halbleiterwafern, mit einer Ausrichtungs-Erfassungseinheit, wenigstens einer ersten Auflage zum Aufnehmen des Substrats, die eine zur Horizontalen schräge Ebene bildet, einem Anschlag, gegen den das Substrat aufgrund der Schräge bewegbar ist, und einer Drehvorrichtung zum Drehen des Substrats vorgesehen. Ferner ist ein Verfahren zum Ausrichten von scheibenförmigen Substraten, insbesondere Halbleiterwafern, mit den folgenden Verfahrensschritten angegeben: Bewegen des Substrats in eine zur Horizontalen schräge Stellung, in der das Substrat auf einer Auflage, die eine zur Horizontalen gekippte Ebene bildet, aufgenommen ist, und aufgrund der Schräge gegen wenigstens einen Anschlag anliegt; Drehen des Substrats in eine vorgegebene Drehposition und Überwachen der Drehposition mit einer Erfassungseinheit.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Ausrichten von scheibenförmigen Substraten, insbesondere Halbleiter­ wafern, mit einer Ausrichtungs-Erfassungseinheit.

In der Halbleiterindustrie werden zur Herstellung von Halbleiterelementen in der Regel aus einem Einkristall bestehende Halbleiterscheiben, auch Wafer genannt, unterschiedlichen Bearbeitungsprozessen unterzogen. Diese Bear­ beitungsprozesse sind stark automatisiert und zwischen den Bearbeitungs­ prozessen werden die Halbleiterscheiben mit Handhabungsvorrichtungen, die in der Regel Auflageteller aufweisen, transportiert. Dabei ist ein zentriertes Auflegen der Scheiben auf den Auflagetellern wichtig, um eine ordnungsge­ mäße Positionierung der Scheiben in den unterschiedlichen Bearbeitungsvor­ richtungen zu gewährleisten. Außerdem müssen die Scheiben gemäß den Achsen ihres Kristallgitters ausgerichtet werden. Sowohl die Zentrierung als auch die Ausrichtung der Scheiben wird von Ausrichtvorrichtungen, die auch als Aligner bezeichnet werden, übernommen.

Bei einem bekannten Aligner, der beispielsweise in den Fig. 11a-d ge­ zeigt ist, wird eine Halbleiterscheibe 1 von einer Handhabungsvorrichtung 2 auf Auflagestiften 3 des Aligners abgelegt. Anschließend wird die Handha­ bungsvorrichtung aus dem Bereich unterhalb des Wafers herausbewegt und die Stifte 3 werden abgesenkt, wodurch die Scheibe auf einem als Chuck be­ zeichneten Drehteller 4 positioniert wird. Der Drehteller 4 weist eine Unter­ druck-Ansaugvorrichtung auf, um die Scheibe fest daran zu halten. Wenn die Scheibe 1 angesaugt ist, wird der Drehteller 4 um seine Drehachse gedreht. Während dieser Drehung wird ein seitlicher Versatz der Scheibe bezüglich der Drehachse mit einer Kamera 5 gemessen. Danach werden die Stifte 3 wieder angehoben, um die Halbleiterscheibe 1 vom Drehteller 4 abzuheben und die Stifte werden in Abhängigkeit vom gemessenen Versatz in horizontaler Rich­ tung bewegt, um die Scheibe zum Drehteller 4 zu zentrieren. Anschließend wird die Scheibe wieder auf dem Drehteller 4 abgesetzt, um den obigen Meß­ vorgang zu wiederholen und sicherzustellen, daß die Scheibe 1 nunmehr zum Drehteller 4 zentriert ist. Dieser Vorgang wird so lange wiederholt, bis eine vollständige Zentrierung erreicht ist.

Neben der Messung des seitlichen Versatzes ist die Kamera 5 in der Lage, eine Markierung in der Form einer Aussparung, die auch als Notch bekannt ist, oder einer Abflachung des Randes der Scheibe 1, die auch als Flat be­ kannt ist, zu erkennen die die Kristallrichtung der Scheibe angibt. Nach der oben beschriebenen Zentrierung wird der Drehteller 4 in eine gewünschte Richtung gedreht, um die Markierung in eine vorbestimmte Position zu brin­ gen. Die Positionierung wird über die Kamera überwacht, die dann auch gleichzeitig die in die Halbleiterscheibe eingearbeitete ID-Nummer, die bei­ spielsweise die Form eines Strichkodes oder einer Zahlenfolge besitzt, ab­ liest.

Das oben beschriebene Ausrichtverfahren ist sehr aufwendig, und da es meh­ rere sich wiederholende Schritte umfaßt, ist es auch sehr zeitintensiv, wo­ durch sich ein geringer Durchsatz ergibt. Darüber hinaus ist eine umfangrei­ che Software zur Steuerung der unterschiedlichen Elemente sowie eine An­ saugvorrichtung zum Halten der Scheibe auf dem Drehteller notwendig, was die Kosten für die Vorrichtung unnötig erhöht.

Durch mechanische Bewegungen von Motoren oder anderen Teilen der Anla­ ge kann es zu Vibrationen erzeugenden Resonanzeffekten kommen, durch die eine auf den Stiften aufliegende Scheibe verschoben, und somit die Zentrie­ rung beeinflußt werden kann. Ein weiteres Problem ergibt sich durch das An­ saugen des Wafers an den Drehteller, da hierdurch in der Umgebung befindli­ che Staubpartikel angesogen werden, die sich großflächig im Bereich der An­ saugöffnungen auf der Waferoberfläche ansammeln, wie in den Fig. 12a und 12b gezeigt ist. Verunreinigungen dieser Art können die Brauchbarkeit der Halbleiterscheibe jedoch stark beeinträchtigen.

Fig. 12a zeigt die Unterseite einer Halbleiterscheibe 1, bevor sie auf einem Drehteller angesaugt wurde, und Fig. 12b zeigt die Oberfläche des Wafers nach dem Ansaugen auf den Drehteller. Wie in Fig. 12a zu erkennen ist, be­ findet sich eine geringe, über die gesamte Oberfläche verteilte Anzahl von Verunreinigungen auf der Unterseite des Wafers. Wie jedoch in Fig. 12b zu erkennen ist, sammeln sich durch das Ansaugen der Halbleiterscheibe eine große Anzahl von Partikeln auf der Unterseite an, und zwar insbesondere in dem Bereich, in dem die Ansaugvorrichtung des Drehtellers die Scheibe 1 an­ saugt.

Ausgehend von der zuvor beschriebenen Vorrichtung liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Ausrichten von scheibenförmigen Substraten, insbesondere Halbleiterwafern, mit einer Ausrichtungs-Erfassungseinheit anzugeben, welche auf einfache und kostengünstige Weise eine Ausrichtung des Substrats ermöglicht. Dabei beinhaltet eine Ausrichtung nicht nur eine räumliche Anordnung sondern auch eine bestimmte Drehanordnung des Substrates.

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe bei einer Vorrichtung der Eingangs ge­ nannten Art durch wenigstens eine erste Auflage zum Aufnehmen des Sub­ strats, die eine zur Horizontalen schräge Ebene bildet, einen Anschlag, gegen den das Substrat aufgrund der Schräge bewegbar ist und eine Drehvorrich­ tung zum Drehen des Substrats gelöst. Durch die schräge Auflage wird das Substrat automatisch in eine räumlich festgelegte Position gegen den An­ schlag bewegt. Durch die Drehvorrichtung läßt sich nunmehr das Substrat in eine vorgegebene Drehposition bewegen, welche durch die Ausrichtungs- Erfassungseinheit erfaßt wird. Die Positionierung und Ausrichtung erfolgt in einem einzigen Schritt und erfordert keine aufwendige Steuerung von unter­ schiedlichen Elementen. Darüber hinaus ist ein Ansaugen des Substrats nicht erforderlich, da ein seitliches Verrutschen während der Drehung durch die Schräglage und den Anschlag nicht möglich ist. Dadurch entfallen die mit der Ansaugvorrichtung anfallenden Kosten und Probleme.

Gemäß einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist eine Einrichtung zum Kippen der ersten Auflage bezüglich der Horizontalen vorge­ sehen, um ein Ablegen und ein Entnehmen des Substrats in einer im wesent­ lichen horizontalen Position zu ermöglichen, wodurch die Vorrichtung auf einfache Weise in bisher bestehende Systeme, in denen Handhabungsvor­ richtungen die Substrate in der Regel in horizontalen Positionen halten, inte­ griert werden können. Eine Änderung der bisher verwendeten Handhabungs­ vorrichtungen ist nicht notwendig.

Vorzugsweise weist die erste Auflage wenigstens zwei die Ebene bildende erste Auflageelemente auf, welche eine möglichst freie Bewegung der Hand­ habungsvorrichtung zum Be- und Entladen des Substrats ermöglichen. Dabei sind vorzugsweise drei erste Auflageelemente, welche eine Dreipunktauflage bilden, vorgesehen. Um bei einer Relativbewegung zwischen den Auflagee­ lementen und dem Substrat eine Beschädigung des Substrats und die Erzeu­ gung von Partikeln zu vermeiden, weisen die Auflageelemente wenigstens im Auflagebereich ein Material mit geringer Reibung, insbesondere Teflon, auf. Eine Beschädigung des Substrats bei einer Relativbewegung zwischen den Auflageelementen und dem Substrat kann vorzugsweise auch dadurch ver­ mieden werden, daß der Auflagebereich der Auflageelemente abgerundet ist.

Für eine gute Führung und zur Vermeidung einer Relativbewegung zwischen dem Substrat und dem Anschlag beim Kippen der ersten Auflage, ist der An­ schlag vorzugsweise ebenfalls kippbar. Vorzugsweise weist der Anschlag we­ nigstens zwei voneinander beabstandete Anschlagstifte auf, um das Substrat zumindest teilweise dazwischen aufzunehmen und eine feste räumliche Posi­ tionierung des Substrats zu gewährleisten.

Bei einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist wenig­ stens einer der Anschlagstifte drehbar, wodurch auf besonders einfache und kostengünstige Art und Weise das daran anliegende Substrat gedreht werden kann. Für eine gute und gleichmäßige Drehung des Substrats und zur Ver­ meidung von Relativbewegungen zwischen den Anschlagstiften und dem Substrat sind die Anschlagstifte vorzugsweise synchron zueinander drehbar. Dies wird vorzugsweise über ein gemeinsames Antriebselement, wie z. B. ei­ nen mit den Anschlagstiften in Eingriff stehenden gemeinsamen Antriebsrie­ men erreicht.

Um eine genaue Ausrichtung insbesondere einer Kristallrichtung des Sub­ strats zu ermöglichen, ist die Drehvorrichtung in Abhängigkeit von einer durch die Erfassungseinheit ermittelten Ausrichtung des Substrats steuerbar.

Bei einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Erfindung sind die Auflageelemente und/oder die Anschlagstifte auf einer gemeinsamen Platte angeordnet, die vorzugsweise kippbar ist.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung weist die Vorrichtung eine zweite, eine im wesentlichen horizontale Ebene bildende Auflage zum Aufnehmen des Substrats auf. Dabei sind die erste und die zweite Auflage vorzugsweise relativ zueinander bewegbar, um das Substrat von einer Aufla­ ge auf die andere zu übergeben und das Substrat insbesondere aus einer ho­ rizontalen Stellung in eine schräge Stellung zu bringen. Vorzugsweise weist die zweite Auflage wenigstens zwei die horizontale Ebene bildende zweite Auflageelemente auf, die vorzugsweise abgerundete Auflageflächen aufwei­ sen, um bei einer Relativbewegung zwischen Substrat und Auflageelement eine Beschädigung des Substrats an Kanten der Auflageelemente zu vermei­ den.

Bei einer einfachen Ausführungsform der Erfindung sind die zweiten Auflage­ elemente stationär ausgebildet. Dabei erstrecken sich die zweiten Auflagee­ lemente vorzugsweise durch Öffnungen in der Platte, an der die ersten Aufla­ geelemente und/oder die Anschlagstifte angebracht sind.

Gemäß einer alternativen Ausführungsform sind die zweiten Auflageelemente mit der Platte und relativ zu ihr bewegbar, um beim Verkippen der Platte eine Übergabe des Substrats von den zweiten Auflageelementen zu den ersten Auflageelementen und umgekehrt mit einem möglichst geringen Grad an Re­ lativbewegung zwischen dem Substrat und den zweiten Auflageelementen zu ermöglichen. Ferner läßt sich hierdurch erreichen, daß sich die Auflageflä­ chen der zweiten Auflageelemente immer im wesentlichen parallel zu einer Auflagefläche des Substrats erstrecken. Dabei sind die Auflageelemente vor­ zugsweise in eine vom Substrat wegweisende Richtung vorgespannt.

Um eine automatische Anpassung der Ausrichtvorrichtung an Substrate mit unterschiedlichen Durchmessern zu ermöglichen, weist die Vorrichtung vor­ zugsweise eine Einrichtung zum Messen des Substratdurchmessers auf. Vor­ zugsweise ist der Abstand zwischen den Anschlagstiften in Abhängigkeit vom Substratdurchmesser einstellbar, um hierdurch eine genaue und für Substrate mit unterschiedlichen Durchmessern gleichbleibende Positionierung des Sub­ stratmittelpunkts zu erreichen.

Um eine Drehung des Substrats vorzusehen, sind die ersten Auflageelemente bei einer Ausführungsform der Erfindung um einen gemeinsamen Mittelpunkt drehbar, der vorzugsweise mit dem Mittelpunkt des Wafers zusammenfällt. Durch eine Drehung der ersten Auflageelemente wird eine Relativbewegung zwischen dem Substrat und den Auflageelementen während der Drehung vermieden, wodurch die Gefahr einer Beschädigung des Substrats verringert wird. Dabei sind die ersten Auflageelemente vorzugsweise auf einem drehba­ ren Element angeordnet.

Bei Substraten mit unterschiedlichen Substratdurchmessern wird der Mittel­ punkt der Substrate bei der Ausrichtung in unterschiedlichen Stellen positio­ niert, sofern nicht eine gleichmäßige Positionierung des Mittelpunkts über eine vom Substratdurchmesser abhängige Einstellung der Anschlagstifte erfolgt. Um daher eine zentrierte Aufnahme des Substrats auf einer Substrat- Handhabungsvorrichtung nach der Ausrichtung zu gewährleisten, wird die Bewegung der Handhabungsvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung in Abhängigkeit vom Substratdurchmesser gesteuert.

Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung wird eine Zentrierung zwi­ schen Substrat und Handhabungsvorrichtung durch eine Einrichtung zum synchronen Bewegen der ersten oder zweiten Auflage abhängig vom Sub­ stratdurchmesser erreicht. Hierdurch wird nach dem Zurückkippen der ersten Auflage eine genaue, und für Substrate mit unterschiedlichen Durchmessern gleichbleibende Positionierung des Substratmittelpunkts erreicht, sodaß eine besondere Steuerung der Handhabungsvorrichtung entfällt.

Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe wird auch durch ein Verfahren zum Ausrichten von scheibenförmigen Substraten, insbesondere Halbleiter­ wafern, gelöst, indem das Substrat in eine zur Horizontalen schräge Stellung bewegt wird, in der das Substrat auf einer Auflage, die eine zur Horizontalen gekippte Ebene bildet, aufgenommen ist und aufgrund der Schräge gegen wenigstens einen Anschlag anliegt und das Substrat in eine vorgegebene Drehposition, die mit einer Erfassungseinheit überwacht wird, gedreht wird. Hierdurch ergeben sich die schon unter Bezug auf die Vorrichtung genannten Vorteile, und zwar insbesondere eine einfache und kostengünstige Ausrich­ tung von Substraten, die zeitsparend in einer einzelnen Abfolge von Schritten erfolgt.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird das Substrat durch Bewegen, insbesondere Kippen der Auflage in die schräge Stellung bewegt, wodurch das Substrat zunächst in einer im wesentlichen horizontalen Position auf der Auflage abgelegt werden kann, wie es bei bisherigen Vorrichtungen der Fall war. Hierdurch ergibt sich eine gute Kompatibilität der erfindungsge­ mäßen Vorrichtung mit bestehenden Substrat-Handhabungsvorrichtungen zum Transport des Substrats zu und von der erfindungsgemäßen Vorrichtung.

Um eine gute Führung des Substrats sicherzustellen und eine Relativbewe­ gung zwischen dem Substrat und anderen Elementen zu reduzieren, werden die Auflage und der Anschlag vorzugsweise gemeinsam bewegt.

Für eine einfache Drehung des Substrats wird es vorzugsweise durch Drehen wenigstens eines Anschlagelementes des Anschlags gedreht. Dabei werden für eine möglichst gleichmäßige Drehung vorzugsweise zwei beabstandete Anschlagelemente gedreht.

Vorzugsweise wird die Drehung des Substrats in Abhängigkeit von einer durch die Erfassungseinheit ermittelten Ausrichtung des Substrats gesteuert, um eine ordnungsgemäße und genaue Positionierung des Substrats in Dreh­ richtung zu gewährleisten.

Vorteilhafterweise wird der Durchmesser des Substrats ermittelt und bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird der Abstand zwischen den Anschlagelementen in Abhängigkeit vom Durchmesser des Substrats einge­ stellt. Hierdurch wird eine genaue und gleichbleibende Positionierung eines Mittelpunkts des Substrats unabhängig von seinem Durchmesser ermöglicht. Um eine Relativbewegung zwischen dem Substrat und der Auflage zu vermei­ den, wird das Substrat vorzugsweise durch eine Drehung der Auflage gedreht.

Bei einer Ausführungsform der Erfindung wird die Bewegung einer Substrat- Handhabungsvorrichtung in Abhängigkeit vom Durchmesser des Substrats gesteuert, um eine zentrierte Aufnahme des Substrats zu gewährleisten. Bei einer weiteren Ausführungsform wird die zentrierte Aufnahme dadurch er­ reicht, daß die Auflageelemente der ersten oder der zweiten Auflage nach dem Zurückkippen der ersten Auflage abhängig vom Substratdurchmesser synchron in eine Richtung bewegt werden.

Weitere Merkmaie, Vorteile und Einzelheiten der Erfindung werden nachfol­ gend anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele unter Bezugnahme auf die Figuren erläutert. Es zeigen:

Fig. 1a und b eine schematische Seitenansicht sowie eine Draufsicht auf eine Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung;

Fig. 2a und b eine schematische Seitenansicht sowie eine Draufsicht ähnlich zu Fig. 1, mit einem auf der Vorrichtung abgelegten Halbleiterwafer;

Fig. 3 eine schematische Seitenansicht der Vorrichtung gemäß Fig. 2a in einer Ausgangsposition;

Fig. 4 eine schematische Seitenansicht der Vorrichtung gemäß Fig. 3 in einer zweiten, gekippten Position;

Fig. 5 eine Draufsicht auf die Vorrichtung in ihrer gekippten Posi­ tion;

Fig. 6 eine schematische Darstellung von Halbleitersubstraten mit unterschiedlichen Durchmessern, wie sie an einem nicht- beweglichen Anschlag der erfindungsgemäßen Vorrichtung anliegen;

Fig. 7 eine schematische Darstellung von Halbleiterwafern mit unterschiedlichen Durchmessern, wie sie an einem beweg­ lichen Anschlag gemäß der erfindungsgemäßen Vorrich­ tung anliegen;

Fig. 8 eine vergrößerte Darstellung einer erfindungsgemäßen Vorrichtung gemäß Fig. 1;

Fig. 9 eine schematische Seitenansicht einer alternativen Ausfüh­ rungsform einer Ausrichtvorrichtung gemäß der vorliegen­ den Erfindung;

Fig. 10 eine schematische Seitenansicht einer Vorrichtung gemäß Fig. 9 in einer gekippten Stellung;

Fig. 11a-d schematische Seitenansichten einer herkömmlichen Aus­ richtvorrichtung, die den Arbeitsablauf der Vorrichtung dar­ stellen;

Fig. 12 das Ergebnis einer Oberflächenabtastung vor und nach einem Ausrichtvorgang auf der herkömmlichen Ausrich­ tungsvorrichtung.

Die Fig. 1a und b zeigen eine schematische Seitenansicht bzw. eine Draufsicht auf eine Vorrichtung 10 zum Ausrichten von scheibenförmigen Halbleiterwafern 12 (siehe Fig. 2). Die Vorrichtung 10 weist eine Platte 14 auf, die, wie nachfolgend noch beschrieben wird, kippbar ist. Die Platte 14 weist drei sich von unten nach oben durch die Platte 14 erstreckende ovale Öffnun­ gen 16 auf. Drei Auflagestifte 18 erstrecken sich durch die Öffnungen 16 in der Platte 14 und sind an einer nicht näher dargestellten Grundplatte befe­ stigt. Die Auflagestifte 18 bilden eine Dreipunktauflage mit einer im wesentli­ chen horizontalen Auflageebene zur Aufnahme des Halbleiterwafers 12, wie am besten in Fig. 2a zu erkennen ist. Auf einer Oberseite 20 der Platte 14 be­ finden sich drei Teflonscheiben 22, die, wie nachfolgend noch beschrieben wird, als Auflageelemente für den Halbleiterwafer 12 dienen, wenn die Platte 14 bezüglich der Horizontalen gekippt wird. Statt der drei Stifte 18 und der drei Scheiben 22 ist es auch möglich, jeweils zwei langgestreckte Elemente vorzusehen, die eine Auflageebene bilden und einen sicheren Halt des Wa­ fers erlauben.

An der Platte 14 sind ferner zwei drehbare Anschlagstifte 24 vorgesehen. Die Anschlagstifte 24 sind über einen nicht näher dargestellten Antriebsmecha­ nismus drehbar, wobei die zwei Stifte über einen gemeinsamen Antriebsrie­ men miteinander verbunden sind, um eine synchrone Drehung der beiden Stifte zu erreichen.

Fig. 3 zeigt eine schematische Seitenansicht der Vorrichtung 10 mit einem darauf abgelegten Wafer 12 in einer Ausgangsstellung. Der Wafer 12 ruht auf den Auflagestiften 18, und die Platte 14 befindet sich in einer horizontalen Ausrichtung.

Fig. 4 zeigt die Vorrichtung 10 in einer anderen Position. Die Platte 14 ist zur Horizontalen gekippt, so daß der Wafer 12 nicht mehr auf den stationären Auflagestiften 18, sondern auf den Teflonscheiben 22 aufliegt und sich daher ebenfalls in einer schrägen Stellung befindet. Durch die Schräge und dadurch, daß Teflon einen geringen Reibungswiderstand besitzt, rutscht der Wafer 12 gegen die Anschlagstifte 24 und wird dazwischen zentriert, wie am besten in der Draufsicht gemäß Fig. 5 zu sehen ist. In dieser Stellung werden die An­ schlagstifte 24 gedreht, um den Wafer 12 um seine Mittelachse zu drehen, wie ebenfalls am besten in der Draufsicht gemäß Fig. 5 zu sehen ist.

Es ist bekannt, daß Halbleiterwafer in der Regel eine Kerbe, die auch als Notch bezeichnet wird, oder eine Abflachung, die auch als Flat bekannt ist, aufweisen, anhand derer die Kristallrichtung des Wafers bestimmt werden kann. Die Vorrichtung 10 weist eine nicht näher dargestellte Sensoreinrich­ tung, wie beispielsweise eine Kamera oder eine CCD-Zeile auf, die in der La­ ge ist, die Markierung des Wafers zu erkennen und dessen Position während der oben genannten Drehung des Wafers um seine Mittelachse zu bestim­ men. Um eine gewünschte Kristallausrichtung des Wafers 12 zu erreichen, wird seine Drehung so gesteuert, daß die Markierung des Wafers in eine vor­ bestimmte Position, die von der Sensoreinrichtung erkannt wird, gedreht wird. Die Drehung wird daher anhand der vom Sensor ermittelten Position der Mar­ kierung gesteuert.

Wenn sich die Markierung in der vorbestimmten Position befindet, ist der Halbleiterwafer sowohl räumlich als auch bezüglich seiner Kristallrichtung ausgerichtet. Nun wird die Platte 14 zurückgekippt, wodurch der Wafer 12 wieder auf den Auflagestiften 18 abgelegt wird. Der Wafer 12 befindet sich nun in einer genau bestimmten räumlichen sowie bezüglich seiner Kristall­ richtung ausgerichteten Position auf den Auflagestiften 18. Zum Entnehmen des Substrats 12 wird eine Substrat-Handhabungsvorrichtung derart unter den Wafer 12 bewegt, daß sie ihn zentriert aufnimmt und zur weiteren Verarbei­ tung abtransportiert.

Bei dem zuvor beschriebenen Ausführungsbeispiel sind die Anschlagstifte 24 örtlich auf der Platte 14 fixiert. Wenn Halbleiterwafer mit unterschiedlichen Durchmessern auf der Vorrichtung 10 abgelegt und anschließend ausgerichtet werden, liegt der Mittelpunkt der jeweiligen Wafer an unterschiedlichen Stel­ len, wie in Fig. 6 zu erkennen ist. Bei Wafern mit geringeren Durchmessern rückt der Mittelpunkt der Wafer näher an eine durch die Anschlagstifte 24 ge­ hende Gerade A heran.

Um den Durchmesser des Wafers und somit dessen Mittelpunkt nach der Aus­ richtung genau zu bestimmen, ist ein Sensor zum Messen des Waferdurch­ messers vorgesehen. Diese Funktion wird durch den Ausrichtungssensor, d. h. beispielsweise durch eine Kamera oder CCD-Zeile ausgeführt. Eine Län­ genskala auf der Platte 14 wird durch die Kamera oder CCD-Zeile abgelesen, wodurch der Waferdurchmesser bekannt ist. Die Bewegung der Handha­ bungsvorrichtung zum Entnehmen des Halbleiterwafers wird in Abhängigkeit vom so ermittelten Waferdurchmesser gesteuert, so daß sie den Wafer immer genau zentriert aufnimmt. Natürlich sind auch andere Arten der Ermittlung des Waferdurchmessers möglich.

Fig. 7 zeigt schematisch eine alternative Ausführungsform der Erfindung, bei der im wesentlichen die selben Bauteile wie bei dem ersten Ausführungsbei­ spiel vorgesehen sind. Statt ein Paar seitlich fixierter Anschlagstifte 24 vorzu­ sehen, sind die Anschlagstifte 24 seitlich bewegbar auf der Platte 14 ange­ bracht. Durch eine seitliche Bewegung der Anschlagelemente 24 aus einer in Fig. 7 gezeigten ersten Position, die durch einen ausgefüllten Punkt darge­ stellt ist, zu einer zweiten Position, die durch einen Kreis dargestellt ist, ist es möglich, Halbleiterwafer mit unterschiedlichen Durchmessern so aufzuneh­ men, daß deren Mittelpunkt immer auf der selben Position liegt. Hierzu ist es wiederum notwendig, den Durchmesser des Wafers zu ermitteln und an­ schließend die Anschlagstifte seitlich zu bewegen, so daß der Mittelpunkt des Substrats auf einem vorbestimmten Punkt liegt. Hierdurch ergibt sich der Vorteil, daß die Substrat-Handhabungsvorrichtung unabhängig vom Wafer­ durchmesser immer in die selbe Position fahren kann, um den Wafer zentriert aufzunehmen. Darüber hinaus wird hierdurch eine Zentrierung des Wafers bezüglich der Teflonauflagen 22 unabhängig vom Waferdurchmesser ermög­ licht. In diesem Zusammenhang ist es möglich, die Teflonauflagen 22 derart anzuordnen, daß sie auf einem Kreis liegen, dessen Mittelpunkt mit den Mit­ telpunkten der Wafer zusammenfällt. Indem man die Teflonauflagen auf einem drehbaren Element, wie z. B. einem Drehteller oder einem drehbaren Kreis­ ring anordnet, kann die Drehung des Wafers, und somit die Ausrichtung des Wafers bezüglich Notch oder Flat, über die Teflonscheiben erfolgen. Hier­ durch wird insbesondere eine Reibung zwischen den Teflonscheiben und dem Wafer vermieden, da es während der Drehung zu keiner Relativbewegung zwischen dem Wafer und den Aufschlagscheiben kommt.

Für eine Zentrierung des Wafers bezüglich einer Handhabungsvorrichtung unabhängig von seinem Durchmesser ist es auch möglich, die Auflagestifte 18 oder die Teflonscheiben 22 bzw. die Kippplatte linear zu bewegen.

Bei einer weiteren Ausführungsform wird die zentrierte Aufnahme dadurch erreicht, daß die Auflageelemente der ersten oder der zweiten Auflage nach dem Zurückkippen der ersten Auflage abhängig vom Substratdurchmesser synchron in eine Richtung bewegt werden.

Fig. 8 zeigt, wie die Platte 14 der Vorrichtung 1 gemäß Fig. 1 nach einem Ausrichtvorgang zurückgekippt wird. Bei der in fig. 8 gezeigten Stellung ist der Wafer 12 teilweise auf einem der Auflagestifte 18 und teilweise auf einer der Teflonscheiben 22 aufgenommen. Dabei kommt es bei der Kippbewegung der Platte 14 zu einer Relativbewegung zwischen der eingekreisten Kante des Auflagestifts 18 sowie der eingekreisten Kante der Teflonscheibe 22, da der Wafer von den Anschlagstiften 24 nach rechts gedrückt wird. Dies kann zu unerwünschter Partikelbildung sowie zu Kratzern auf der Waferoberfläche füh­ ren.

Daher sind bei einer nicht näher dargestellten bevorzugten Ausführungsform der Erfindung die Kanten der Auflagestifte 18 sowie der Teflonscheiben 22 bzw. deren gesamten Auflagefläche abgerundet, wodurch ein Abrollen des Wafers auf den Stiften bzw. Scheiben erreicht wird. Insbesondere werden Kratzer durch Kanten der Auflagestifte bzw. der Teflonscheiben vermieden. Die Fig. 9 und 10 zeigen eine alternative Vorrichtung 30 zum Ausrichten von Halbleiterwafern 32. Die Vorrichtung 30 weist eine Basisplatte 34 und ei­ ne Kippplatte 36 auf, die über eine Gelenkverbindung 37 schwenkbar mitein­ ander verbunden sind.

An der Kippplatte 36 sind wie beim ersten Ausführungsbeispiel drehbare An­ schlagstifte 38 angebracht, die über eine nicht näher dargestellte Vorrichtung um ihre Mittelachse drehbar sind. An der Kippplatte 36 sind ferner erste Auf­ lagestifte 40 sowie zweite Auflagestifte 42 angeordnet. Es sind jeweils drei erste und zweite Auflagestifte 40, 42 vorgesehen, die jeweils eine Drei­ punktauflage für den Halbleiterwafer 32 bilden.

Die Auflagestifte 40 erstrecken sich durch die Kippplatte 36 hindurch und sind relativ zur Kippplatte 36 bewegbar. Die Bewegung der Auflagestifte 40 relativ zur Kippplatte 36 wird durch eine obere und eine untere Begrenzungsscheibe 44, 46 begrenzt, die oberhalb bzw. unterhalb der Kippplatte 36 angeordnet sind. Zwischen der unteren Begrenzungsscheibe 46 und einer Unterseite der Kippplatte 36 ist eine Feder 48 angeordnet, die den Auflagestift 40 nach unten, d. h. vom Halbleiterwafer 32 weg, vorspannt. Der Auflagestift 40 besitzt einen Fuß 50, der in einer ersten Position der Kippplatte 36, wie sie in Fig. 9 gezeigt ist, mit einer Oberseite der Basisplatte 34 in Kontakt steht und den Auflagestift 40 entgegen der Federvorspannung nach oben durch die Platte 36 hindurchdrückt. In dieser ersten, in Fig. 9 dargestellten Position, bilden die Auflagestifte 40 eine im wesentlichen horizontale Auflageebene, die über ei­ ner durch die Auflagestifte 42 gebildete Auflageebene liegt.

Wenn die Kippplatte 36 bezüglich der Basisplatte 34 gekippt wird, entfernen sich die Füße 50 der Auflagestifte 40 von der Oberseite der Basisplatte 34 und die Auflagestifte 40 bewegen sich durch die Federvorspannung vom Sub­ strat 32 weg. Diese Bewegung wird durch die obere Begrenzungsscheibe 44 begrenzt, wie in Fig. 10 zu erkennen ist. In dieser Stellung liegt die durch die Auflagestifte 40 gebildete Auflageebene unterhalb der von den Auflagestiften 42 gebildeten Auflageebene, so daß das Substrat nunmehr auf den Auflage­ stiften 42 ruht. In dieser Stellung rutscht der Wafer 32 gegen die Anschlag­ stifte 38 und wird wie bei dem ersten Ausführungsbeispiel dazwischen zen­ triert und wie zuvor beschrieben ausgerichtet.

Nach der Ausrichtung wird die Platte 36 zurückgekippt, wodurch die Füße 50 der Auflagestifte 40 mit der Basisplatte 34 in Eingriff kommen und die Stifte entgegen ihrer Federvorspannung in Richtung des Halbleiterwafers 32 drüc­ ken. Die Füße 50 der Auflagestifte 40 sind abgerundet, um sich beim Zurück­ kippen auf der Grundplatte abzurollen und ein Verkanten der Stifte innerhalb der Kippplatte 36 zu vermeiden. Da die Auflagestifte 40 mit der Kippplatte 36 gekippt werden, sind deren Auflageflächen stets parallel zur Waferoberfläche, wodurch ein Aufsetzen des Wafers auf nur einer Stiftkante sowie eine Relativ­ bewegung zwischen den Auflagestiften 40 und dem Wafer 32 beim Zurückkip­ pen im wesentlichen ausgeschlossen wird.

Obwohl die Erfindung anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele beschrieben wurde, ist die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt. Insbesondere ist es möglich, die Auflagestifte 18 und 40 gemäß den Ausführungsbeispielen wegzulassen, wodurch die Halbleiterwafer direkt auf den Teflonscheiben 22 bzw. den Auflagestiften 42 abgelegt würden. Auch ist es zwingend nicht not­ wendig, eine kippbare Platte vorzusehen. Eine schräge Auflageebene läßt sich auch durch eine Relativbewegung in Vertikalrichtung zwischen den Auf­ lageelementen erreichen. Ferner ist es auch möglich, die Halbleiterwafer auf einer stationären, eine zur Horizontalen schräge Ebene bildende Auflagevor­ richtung abzulegen. Für diesen Fall wäre es notwendig, eine Wafer- Handhabungsvorrichtung vorzusehen, die die Wafer in die schräge Position bringt und auf der Auflagevorrichtung ablegt. Das Problem einer Partikelan­ sammlung auf dem Wafer läßt sich dadurch vermindern, daß eine Partikel- Absaugvorrichtung vorgesehen wird, die insbesondere im gekippten Zustand der Platte auf dem Wafer befindliche Partikel nach unten absaugt.

Claims (36)

1. Vorrichtung (10; 30) zum Ausrichten von scheibenförmigen Substraten (12; 32), insbesondere Halbleiterwafern, mit einer Ausrichtungs- Erfassungseinheit, gekennzeichnet durch
wenigstens eine erste Auflage (22; 42) zum Aufnehmen des Substrats (12; 32), die eine zur Horizontalen schräge Ebene bildet;
einen Anschlag (24; 38), gegen den das Substrat aufgrund der Schräge bewegbar ist; und
eine Drehvorrichtung (24; 38) zum Drehen des Substrats.

2. Vorrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Einrichtung (14; 36) zum Kippen der ersten Auflage (22, 42) bezüglich der Horizon­ talen.

3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Auflage (22; 42) wenigstens zwei, die Ebene bildende erste Aufla­ geelemente (22; 42) aufweist.

4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten Auflageelemente (22; 42) wenigstens im Auflagebereich ein Material mit geringer Reibung, insbesondere Teflon, aufweisen.

5. Vorrichtung nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Auflagebereich der Auflageelemente abgerundet ist.

6. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge­ kennzeichnet, daß der Anschlag (24; 38) kippbar ist.

7. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge­ kennzeichnet, daß der Anschlag (24; 38) wenigstens zwei voneinander beabstandete Anschlagstifte (24; 38) aufweist.

8. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens einer der Anschlagstifte (24; 38) drehbar ist.

9. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die An­ schlagstifte (24; 38) synchron zueinander drehbar sind.

10. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Drehvorrichtung (24; 38) in Abhängigkeit von einer durch die Erfassungseinheit ermittelten Ausrichtung des Substrats (12; 32) steuerbar ist.

11. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Auflageelemente (22; 42) und/oder die Anschlag­ stifte (24; 38) auf einer gemeinsamen Platte (14; 36) angeordnet sind.

12. Vorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Platte (14; 36) kippbar ist.

13. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine zweite, eine im wesentlichen horizontale Ebene bildende Auflage (18; 40) zum Aufnehmen des Substrats.

14. Vorrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die erste (22; 42) und die zweite Auflage (18; 40) relativ zueinander bewegbar sind.

15. Vorrichtung nach Anspruch 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Auflage (18; 40) wenigstens zwei die horizontale Ebene bildende zweite Auflageelemente (18; 40) aufweist.

16. Vorrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die zweiten Auflageelemente (18; 40) stationär ausgebildet sind.

17. Vorrichtung nach Anspruch 15 oder 16, dadurch gekennzeichnet, daß sich die zweiten Auflageelemente (18; 40) durch Öffnungen in der Platte (14; 36) erstrecken.

18. Vorrichtung nach Anspruch 15 oder 17, dadurch gekennzeichnet, daß die zweiten Auflageelemente (40) mit der Platte (36) und relativ zu Ihr be­ wegbar sind.

19. Vorrichtung nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß die zweiten Auflageelemente (40) in eine vom Substrat (32) weg weisende Richtung vorgespannt sind.

20. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine Einrichtung zum Messen des Substratdurchmessers.

21. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge­ kennzeichnet, daß der Abstand zwischen den Anschlagstiften (24; 38) in Abhängigkeit vom Substratdurchmesser einstellbar ist.

22. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die ersten Auflageelemente (22; 42) um einen ge­ meinsamen Mittelpunkt drehbar sind.

23. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die ersten Auflageelemente (22; 42) auf einem dreh­ baren Element angeordnet sind.

24. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine Substrat-Handhabungsvorrichtung zum Transport des Sub­ strats (12; 32), wobei die Bewegung der Handhabungsvorrichtung in Ab­ hängigkeit vom Substratdurchmesser steuerbar ist.

25. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die ersten (22; 42) und/oder die zweiten Auflageele­ mente (18; 40) in Abhängigkeit vom Substratdurchmesser synchron in eine Richtung bewegbar sind.

26. Verfahren zum Ausrichten von scheibenförmigen Substraten, insbeson­ dere Halbleiterwafern; mit den folgenden Verfahrensschritten:
Bewegen des Substrats in eine zur Horizontalen schräge Stellung, in der das Substrat auf einer Auflage, die eine zur Horizontalen gekippte Ebene bildet, aufgenommen ist, und aufgrund der Schräge gegen wenigstens einen Anschlag anliegt;
Drehen des Substrats in eine vorgegebene Drehposition; und
Überwachen der Drehposition mit einer Erfassungseinheit.

27. Verfahren nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat durch Bewegen, insbesondere Kippen der Auflage in die schräge Stel­ lung bewegt wird.

28. Verfahren nach Anspruch 27, dadurch gekennzeichnet, daß die Auflage und der Anschlag gemeinsam bewegt werden.

29. Verfahren nach einem der Ansprüche 26 bis 28, dadurch gekennzeich­ net, daß das Substrat durch Drehen wenigstens eines Anschlagelements des Anschlags gedreht wird.

30. Verfahren nach Anspruch 29, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens zwei beabstandete Anschlagelemente gedreht werden.

31. Verfahren nach einem der Ansprüche 26 bis 30, dadurch gekennzeich­ net, daß die Drehung des Substrats in Abhängigkeit von einer durch die Erfassungseinheit ermittelten Ausrichtung des Substrats gesteuert wird.

32. Verfahren nach einem der Ansprüche 26 bis 31, dadurch gekennzeich­ net, daß der Durchmesser des Substrats ermittelt wird.

33. Verfahren nach Anspruch 32, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand zwischen den Anschlagelementen in Abhängigkeit vom Durchmesser des Substrats eingestellt wird.

34. Verfahren nach einem der Ansprüche 26 bis 33, dadurch gekennzeich­ net, daß das Substrat durch eine Drehung der Auflage gedreht wird.

35. Verfahren nach Anspruch 32, dadurch gekennzeichnet, daß die Bewe­ gung einer Substrat-Handhabungsvorrichtung in Abhängigkeit vom Durchmesser des Substrats gesteuert wird.

36. Verfahren nach Anspruch 32, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten und/oder die zweiten Auflageelemente in Abhängigkeit vom Substrat­ durchmesser synchron in eine Richtung bewegt werden.