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DE19948618A1 - Magnetfeldsensitive Sensoreinrichtung mit einer Array-Anordnung mehrerer Sensoreinheiten - Google Patents

Magnetfeldsensitive Sensoreinrichtung mit einer Array-Anordnung mehrerer Sensoreinheiten

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DE19948618A1
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DE
Germany
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sensor
sensor device
magnetic field
sensor elements
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DE1999148618
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Gabriel Daalmans
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Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
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    • GPHYSICS
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Abstract

Die magnetfeldsensitive Sensoreinrichtung weist mindestens eine planare Array-Anordnung (20) mehrerer Sensoreinheiten (S¶1¶-S¶13¶) auf, die jeweils eine als symmetrisches Gradiometer (4) gestaltete Flußantenne zur Magnetfelderfassung und einen zugeordneten Flußspannungswandler mit zwei linearen Sensorelementen (6, 7) enthalten. Die Sensorelemente sind so angeordnet und so hintereinandergeschaltet, daß sich ihre durch die gradientenfreien Anteile des Magnetfeldes hervorgerufenen Spannungssignale zumindest weitgehend kompensieren. Die Sensoreinheiten (S¶1¶-S¶13¶) sind in mindestens zwei Gruppen (G1, G2) unterschiedlicher Ausrichtung zur Erfassung unterschiedlich gerichteter Magnetfeldgradienten DOLLAR F1 unterteilt.

Description

Die Erfindung betrifft eine magnetfeldsensitive Sensorein­ richtung mit wenigstens einer Array-Anordnung mehrerer Sen­ soreinheiten in zumindest weitgehend planarem Aufbau. Eine solche Sensoreinrichtung geht aus der DE 44 20 241 A1 hervor.
Zu einer hochauflösenden Magnetfeldmessung wurden bisher Dünnfilmsensoreinrichtungen in Form von SQUID-Magnetometern oder -Gradiometern vorgesehen. Solche Sensoreinrichtungen weisen eine supraleitende Flußantenne in Form einer Magneto­ meterschleife oder Gradiometerschleife auf, an die ein SQUID (Superconduction QUantum Interference Device) als ein Fluß- Spannungs-Wandler induktiv angekoppelt ist oder in die ein derartiges SQUID integriert ist (vgl. z. B. DE 42 16 907 A1 bzw. DE 41 25 087 A1). Als supraleitendes Material für eine derartige SQUID-Sensoreinrichtung ist auch sogenanntes Hoch- Tc-Supraleitermaterial vorgesehen (vgl. z. B. DE 44 19 297 A1 oder die eingangs genannte DE 44 20 241 A1). Hierbei handelt es sich um bekannte oxidische Materialien, insbesondere auf Cuprat-Basis, deren Sprungtemperaturen im magnetischen Null­ feld über 77 K liegen und die deshalb prinzipiell eine Küh­ lung mit flüssigem Stickstoff (LN2) zulassen. Es zeigt sich jedoch, daß das Spannungssignal von solchen Supraleitungsein­ richtungen bzw. ihrer SQUIDs keine lineare Proportionalität zu dem zu detektierenden Magnetfeld oder Magnetfeldgradienten zeigt und deshalb eine aufwendige Regelelektronik erforder­ lich wird.
Aus der eingangs genannten DE 44 20 241 A1 ist auch bekannt, für eine magnetfeldempfindliche Sensoreinrichtung mehrere ih­ rer SQUID-Sensoreinheiten zu einem Array in zumindest weitge­ hend planarem Aufbau anzuordnen. Hierzu enthält die Sen­ soreinrichtung ein Gradiometer bildende Antennenschleifen zur Erfassung eines Magnetfeldes, eine mit den Antennenschleifen verbundene supraleitende Einkoppeleinrichtung und mehrere, zu einer Reihe geschaltete, induktiv an die Einkoppeleinrichtung angekoppelte Gleichstrom-SQUIDs als Sensorelemente. Als Su­ praleitermaterial ist ein Hoch-Tc-Material vorgesehen, wobei die SQUIDs und zumindest die Einkoppeleinrichtung jeweils mit einer einlagigen Struktur von Leiterbahnen aus diesem Materi­ al gebildet sind.
Im Vergleich zu Flußspannungswandlern mit SQUIDs sind solche mit Hallsensorelementen extrem linear. Ein entsprechendes Element ist bei der aus der eingangs genannten Literaturstel­ le "Cryogenics", Vol. 38, No. 6, 1998, Seiten 625 bis 629, zu entnehmenden Sensoreinrichtung vorgesehen. Die bekannte, in Dünnfilmtechnik erstellte Sensoreinrichtung weist eine als Magnetometer gestaltete Flußantenne aus Hoch-Tc-Supraleiter­ material auf, an welche ein Dünnfilm-Hallsensorelement als ein Flußspannungswandler induktiv angekoppelt ist. Bei 77 K ist mit einer derartigen Sensoreinrichtung eine Auflösung von etwa 8 pT/√Hz im Bereich des sogenannten weißen Rauschens zu erreichen. Es zeigt sich jedoch, daß mit einer derartigen Sensoreinrichtung in hohem Maße auch magnetische Störfelder detektiert werden, die das zu detektierende Magnetfeld in un­ erwünschter Weise überlagern. Mit einer derartigen Sensorein­ richtung ist deshalb eine hochauflösende Magnetfelddetektion praktisch nicht möglich.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, die aus der ein­ gangs genannten DE 44 20 241 A1 bekannte Sensoreinrichtung mit einer Array-Anordnung mehrerer Sensoreinheiten dahinge­ hend auszugestalten, daß mit ihr eine hohe Störfeldunterdrüc­ kung bei hochauflösender Magnetfelddetektion zu gewährleisten ist. Zugleich soll ein sehr einfacher Dünnfilmaufbau zu rea­ lisieren sein. Als Dünnfilm wird hierbei jede Schicht mit ei­ ner Dicke von unter 100 µm verstanden. Außerdem soll im Fall einer Verwendung von supraleitenden Flußantennen ein Aufbau zu realisieren sein, der durch eine Begrenzung der Anzahl der erforderlichen elektrischen Verbindungsleitungen eine ent­ sprechende Begrenzung der Verluste bei einem Warm-kalt- Übergang ermöglicht.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß mit den Maßnahmen des An­ spruchs 1 gelöst. Diese Maßnahmen sind darin zu sehen, daß die magnetfeldsensitive Sensoreinrichtung wenigstens eine Array-Anordnung mehrerer Sensoreinheiten in zumindest weitge­ hend planarem Aufbau enthält, wobei die sensoreinheiten je­ weils
  • - eine als symmetrisches Gradiometer gestaltete Flußantenne mit einem Mittelteil zur Magnetfelderfassung
und
  • - einen zugeordneten Flußspannungswandler mit zwei linearen Sensorelementen, die jeweils symmetrisch zu dem Mittelteil so angeordnet und so hintereinandergeschaltet sind, daß sich ihre durch die gradientenfreien Anteile des Magnet­ feldes hervorgerufenen Spannungssignale zumindest weitge­ hend kompensieren,
aufweisen. Dabei sollen die Sensoreinheiten in mindestens zwei Gruppen unterschiedlicher Ausrichtung zur Erfassung un­ terschiedlich gerichteter Magnetfeldgradienten unterteilt sein.
Die mit dieser Ausgestaltung der Sensoreinrichtung verbunde­ nen Vorteile sind insbesondere darin zu sehen, daß in jeder ihrer Sensoreinheiten eine hochauflösende Magnetfeldmessung bei verhältnismäßig hohem Störpegel zu gewährleisten ist. Dies ist in erster Linie auf die Verwendung von zwei Fluß­ spannungswandlern pro Sensoreinheit in Form von linearen Sen­ sorelementen statt von SQUIDs und deren Hintereinanderschal­ tung mit einer antiparallelen Felderfassung beidseitig an dem Mittelteil des Gradiometers zurückzuführen. Damit ist - im Gegensatz zum Stand der Technik gemäß der genannten Litera­ turstelle aus "Cryogenics" - eine Berücksichtigung des gra­ dientenfreien Anteils des detektierten Magnetfeldes zumindest weitgehend durch Kompensation der diesbezüglichen Spannungs­ signale zu unterdrücken und praktisch nur eine Feldgradien­ tendetektion zu erreichen. Die Unterteilung der Sensoreinhei­ ten wird im allgemeinen so vorgenommen, daß die Sensoreinhei­ ten der einen Gruppe zur Detektion von ∂Bz/∂y-Magnetfeld­ gradienten und die Sensoreinheiten der anderen Gruppe zur De­ tektion von ∂Bz/∂x-Magnetfeldgradienten vorgesehen sind.
Unter einem für eine erfindungsgemäße Sensoreinrichtung ge­ eigneten linearen Sensorelement soll ein Sensorelement ver­ standen werden, das in einem zu berücksichtigenden Meßbereich ein der Feldstärke eines detektierten Magnetfeld zumindest annähernd (d. h. mit einer Abweichung von unter 10%) linear proportionales Spannungssignal erzeugt. Bei einer Verwendung solcher Sensorelemente sind vorteilhaft sogenannte Flux­ locked-Loop-Regelschleifen nicht unbedingt erforderlich. Da­ mit wird die benötigte Steuerelektronik entsprechend einfach. Falls unter extrem gestörten Bedingungen dennoch ein Regel­ kreis notwendig ist, so ist dieser verhältnismäßig einfach auszugestalten. Im Falle einer geplanten Kühlung der Flußan­ tennen und der Sensorelemente werden deshalb auch nur wenige eine Wärmeeinleitung in ein Kühlmedium verursachende Leitun­ gen benötigt. Da die thermische Last begrenzt ist, können verhältnismäßig kleine Kryostatengefäße vorgesehen werden.
Bevorzugte Ausführungsformen solcher linearen Sensorelemente sind Hallsensorelemente oder magnetoresistive Sensorelemente. Als magnetoresistive Sensorelemente können insbesondere sol­ che vorgesehen sein, die Dünnschichtsysteme mit erhöhtem ma­ gnetoresistiven Effekt sind.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der erfindungsgemäßen Sensoreinrichtung gehen aus den Unteransprüchen hervor.
So ist es besonders vorteilhaft, wenn jede Flußantenne als eine Gradiometer-Dreifachschleife mit einer zwischen zwei äu­ ßeren Einzelschleifen befindlichen, von diesen jeweils beab­ standeten mittleren Einzelschleife als dem Mittelteil gestal­ tet ist und wenn die jeder Flußantenne zugeordneten zwei li­ nearen Sensorelemente in den Beabstandungen zwischen den äu­ ßeren Einzelschleifen und der mittleren Einzelschleife ange­ ordnet sind. Damit lassen sich jede Flußantenne und ihre Sen­ sorelemente in wenigen Schichten bzw. Schichtsystemen in Dünnfilmtechnik aufbauen. Der herstellungsbedingte Aufwand für die Sensoreinrichtung ist dementsprechend gering. Außer­ dem können auf einfache Weise zueinander benachbarte Sen­ soreinheiten der Array-Anordnung an ihren einander zugewand­ ten äußeren Einzelschleifen hintereinandergeschaltet werden.
Gegebenenfalls ist es jedoch auch möglich, jede Flußantenne als eine achtförmige Gradiometer-Doppelschleife mit einem ge­ meinsamen Mittelsteg als dem Mittelteil zu gestalten und die jeder Flußantenne zuzuordnenden zwei linearen Sensorelemente beidseitig längs des Mittelstegs anzuordnen. Ein entsprechen­ des Gradiometer ist Gegenstand der nicht-vorveröffentlichten DE-Patentanmeldung 199 44 586.9. Entsprechende Flußantennen haben in diesem Fall einen besonders einfachen Aufbau.
Ferner ist es besonders vorteilhaft, wenn als lineare Senso­ relemente Hallsensorelemente vorgesehen werden. Da nämlich bei solchen Sensorelementen die Felderfassung senkrecht zur Fläche der Elemente erfolgt, können solche Elemente vorteil­ haft in der Ebene der Flußantennen liegen. Dies ermöglicht einen besonders einfachen Aufbau der Sensoreinrichtung.
Außerdem ist es von Vorteil, wenn Hallsensorelemente vom 4- Kontakt-Typ vorgesehen sind. Solche Elemente können nämlich insbesondere derart bezüglich des Mittelteils der jeweiligen Flußantenne angeordnet sein, daß sie diesen Mittelteil als gemeinsame Kontaktfläche besitzen. Eine derartige Anordnung zeichnet sich durch einen besonders einfachen Aufbau aus.
Vorteilhaft können Hallsensorelemente aus einem insbesondere halbleitenden Material mit einem Hallkoeffizienten von minde­ stens 100 cm3/A.s gebildet sein. Die Verwendung entsprechen­ der Materialien führt zu hohen Werten der zu gewinnenden Hallspannungen. Eine weitere diesbezügliche Verbesserung läßt sich dadurch erreichen, daß die Hallsensorelemente gekühlt werden. Dies ist insbesondere dann leicht vorzunehmen, wenn supraleitende Flußantennen vorgesehen werden.
Darüber hinaus ist für Hallsensorelemente vorteilhaft eine Streifenform zu wählen. Eine solche Form, bei der die Ausdeh­ nung in der Hauptausdehnungsrichtung mindestens doppelt so groß wie in der Querrichtung sein soll, bringt eine hohes Hallsignal mit sich.
Für die Flußantennen der Sensoreinrichtung können prinzipiell alle elektrisch gut leitenden Materialien, seien es normal­ leitende oder supraleitende Materialien, verwendet werden. Besonders vorteilhaft kann ein oxidisches Hoch-Tc-Supralei­ termaterial vorgesehen sein. Aus einem derartigen Material kann man nämlich durch Einstellung eines vorbestimmten Sauer­ stoffgehalts auch ein Material mit einem hinreichend großen Hallkoeffizienten ausbilden, so daß dann im Fall einer Ver­ wendung von Hallsensorelementen diese Elemente aus einem Ma­ terial bestehen, das die metallischen Komponenten des Hoch- Tc-Supraleitermaterials sowie einen vorbestimmten Anteil der Sauerstoffkomponente aufweist.
Vorteilhaft werden alle Sensoreinheiten auf einem gemeinsamen Substrat angeordnet. Dies bringt eine entsprechend einfache Herstellungstechnik sowie eine Begrenzung der erforderlichen Verbindungsleitungen zwischen den Sensoreinheiten mit sich. Gegebenenfalls ist es jedoch auch möglich, daß jede Gruppe der Sensoreinheiten auf einem eigenen Substrat angeordnet wird. Beispielsweise können diese Substrate der Gruppen z. B. mittels einer gemeinsamen Trägerstruktur auf verschiedene Flächen angeordnet sein. Dabei ist immer unter einem Substrat auch eine als Substrat dienende Fläche oder Flachseite einer Trägerstruktur zu verstehen.
Als besonders vorteilhaft ist es anzusehen, daß zumindest ei­ nige der, vorzugsweise alle Sensorelemente für einen gemein­ samen Einstellstrom elektrisch hintereinandergeschaltet sind. Damit kommt man mit einem Minimum an Stromversorgungsleitun­ gen aus. Dies ist insbesondere dann wichtig, wenn eine Küh­ lung vorgesehen werden soll und die Wärmeeinleitungsverluste in das erforderliche Kühlmedium zu begrenzen sind.
Bei einer gemeinsame Kühlung der Flußantennen und der Senso­ relemente in einem Kaltbereich und bei in einen Warmbereich führenden Anschlüssen kann vorteilhaft zu einem elektrischen Anschluß der Array-Anordnung ein Flachbandkabel vorgesehen werden, das sich von dem Warmbereich in den Kaltbereich er­ streckt. Dabei ist es besonders günstig, wenn in dem Kaltbe­ reich ein Wechselstromtransformator mit kleinerer Windungs­ zahl auf der Anschlußseite der Sensorelemente als auf der Seite einer externen Stromversorgung in dem Warmbereich vor­ gesehen wird. Wegen der größeren Windungszahl auf der dem Warmbereich zugewandten Seite lassen sich geringere Leiter­ querschnitte vorsehen, die entsprechend geringere Wärmeein­ leitungsverluste in den Kaltbereich mit sich bringen.
Für eine Sensoreinrichtung mit zu kühlenden Flußantennen kann vorteilhaft ein Kryostatengehäuse vorgesehen werden, das eine Bewandung in geringem Abstand von unter 1 cm von der Array- Anordnung aufweist. Das Kryostatengehäuse erfordert so wenig Raumbedarf und kann nah an der zu detektierenden Feldquelle angeordnet werden. Restfelder im Kryostatenmaterial bedingen deshalb auch keine wesentliche Änderung der Sensorempfind­ lichkeit.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand der Zeichnung noch wei­ ter erläutert. Dabei zeigen jeweils schematisch deren
Fig. 1 eine bevorzugte Ausführungsform einer Sensoreinheit für eine Sensoreinrichtung nach der Erfindung,
Fig. 2 eine Verschaltungsmöglichkeit mehrerer solcher Sen­ soreinheiten nach Fig. 1,
Fig. 3 eine Array-Anordnung von Sensoreinheiten,
Fig. 4 und 5 einen elektrischen Anschluß der Array- Anordnung nach Fig. 3,
Fig. 6 eine AC-Stromversorgung der Array-Anordnung nach Fig. 3,
Fig. 7 und 8 Ausführungsformen einer Spannungsauslese von Sensoreinheiten,
Fig. 9 und 10 Ausführungsformen einer Signalverarbeitung an einer Sensoreinheit,
Fig. 11 die Unterbringung einer Array-Anordnung in einem Kryostatengefäß und
Fig. 12 mehrere, ein Vektor-Magnetometer bildende Array- Anordnungen von Sensoreinheiten.
Dabei sind in den Figuren sich entsprechende Teile mit den­ selben Bezugszeichen versehen.
Fig. 1 zeigt in Aufsicht mit nicht-maßstabgetreuen Abmessun­ gen eine einzelne Sensoreinheit 2 einer Sensoreinrichtung nach der Erfindung. Diese Sensoreinheit ist neben weiteren solcher Einheiten nach bekannten Verfahren in Dünnfilmtechnik auf einem Substrat 3 aus nicht-magnetischem Material zu er­ stellen. Sie umfaßt als eine Flußantenne aus einem elektrisch gut leitenden Material eine Dreifachschleife 4 aus drei in sich geschlossenen, rechteckförmigen Einzelschleifen 4a bis 4c oder aus entsprechenden Flächen mit Innenlochöffnungen. Die beiden äußeren Einzelschleifen 4a und 4c sind gegenüber der zwischen ihnen liegenden mittleren Einzelschleife 4b je­ weils durch einen schmalen Spalt bzw. eine entsprechende Be­ abstandung 5a bzw. 5b getrennt. In diesen Beabstandungen ist jeweils als ein linearer Flußspannungswandler gemäß dem aus­ gewählten Ausführungsbeispiel ein vorzugsweise streifenförmi­ ges Hallsensorelement 6 bzw. 7 angeordnet; insbesondere wer­ den die Beabstandungen von diesen Elementen überbrückt. Dabei sind die seitlichen Ränder des Hallsensorelementes 6 mit der linken äußeren Einzelschleife 4a und der mittleren Einzel­ schleife 4b kontaktiert, während in entsprechender Weise das Hallsensorelement 7 mit der rechten äußeren Einzelschleife 4c und der mittleren Einzelschleife 4b verbunden ist. Die Hall­ sensorelemente können dabei jeweils in den Kontaktbereichen die Einzelschleifen geringfügig überlappen oder auch an diese Schleifen angrenzen.
Die Hallsensorelemente 6 und 7 können in Dünnfilm- bzw. Dünn­ schichttechnik mit einem für solche galvanomagnetischen Bau­ elemente typischen Material aufgebaut sein. Entsprechende, auch als Hallgeneratoren bezeichnete Hallsensorelemente und deren Funktionsweise sind allgemein bekannt (vgl. z. B. das Buch von H. Reichl u. a. mit dem Titel "Halbleitersensoren", Expert-Verlag, Ehningen (DE), 1989, insbesondere Seiten 243 bis 267, oder das Buch von U. von Borcke mit dem Titel "Feld­ platten und Hallgeneratoren", Verlag der Siemens Aktienge­ sellschaft, Berlin u. a., 1985, insbesondere Seiten 30 und 76 bis 87). Beispiele solcher Materialien sind Bi, InAs oder InAsP. Auch Materialien auf Basis von Hoch Tc-Supraleiter­ materialien, die gegenüber dieses Supraleitermaterialien auf­ grund einer Sauerstoffarmut halbleitend sind, können verwen­ det werden. So ist z. B. an sauerstoffarmem Y-Ba-Cu-O-Material ein hinreichend großer Hallkoeffizient zu beobachten. Die Hallsensorelemente 6 und 7 sind vorzugsweise vom sogenannten Vier-Kontakt-Typ in Rechteckform (vgl. z. B. das genannte Buch von U. von Borcke, Seiten 23 bis 30) und vorzugsweise als schmale Streifen ausgeführt.
Über die Einzelschleifen 4a bis 4c und die Hallsensorelemente 6 und 7 wird ein Einstell- oder Biasstrom IB an Stroman­ schlüssen 8a und 8b zu- bzw. abgeführt. Zur Abnahme der an den Hallsensorelementen hervorgerufenen Hallspannungen sind diese Elemente an einer Seite über einen streifenförmigen Verbindungsleiter 9 in Kontaktbereichen 6b und 7a derart elektrisch in Reihe geschaltet, daß sich die Anteile ihrer Hallspannungen, die durch die gradientenfreien Anteile des detektierten Magnetfeldes bzw. Störfeldes hervorgerufen sind, zumindest weitgehend, d. h. zu mehr als 90%, kompensieren. Die Komponenten EH1 und EH2 weisen in die gleiche Richtung. Bei einem gradientenfreien Feld sind nämlich EH1 und EH2 gleich in Amplitude und Richtung. Die Folge davon ist, daß für diesen Fall VH = VH1 - VH2 ≅ 0 gilt. Dabei sind VH1 und VH2 die Hallspannungen an den einzelnen Hallsensorelementen 6 bzw. 7 und VH die resultierende (Gesamt-)Hallspannung. Die bzgl. des Verbindungsleiters 9 gegenüberliegenden Enden der Hallsensorelemente sind in Kontaktbereichen 6a und 7b mit Kontaktflächen 10a bzw. 10b verbunden, die als Abgriffe für die gesamte Hallspannung VH dienen. Somit ist die Netto- Hallspannung proportional dem Feldgradienten über der Flußan­ tenne und ist eine praktisch reine Magnetfeldgradienten- Detektion eines magnetischen Feldes mit hoher Magnetfeldgra­ dientenauflösung auch bei verhältnismäßig hohem Störpegel zu gewährleisten.
Bei dem vorstehenden Ausführungsbeispiel wurde davon ausge­ gangen, daß auch für die Hallsensorelemente ein Bi-Material gewählt wird. Eine weitere Verbesserung ist zu erreichen, wenn man statt dessen andere Materialien für die Hallsenso­ relemente wählt, die einen größeren Hallkoeffizienten besit­ zen. Entsprechende Materialien sind dem vorgenannten Buch von U. von Borcke, Seite 30, zu entnehmen. So hat z. B. InAs einen Hallkoeffizienten von etwa 100 cm3/A.s und InAsP einen von 200 cm3/A.s bei Raumtemperatur. Durch Abkühlung der Hallsen­ sorelemente, insbesondere bei Verwendung von einer Gradiome­ terschleife mit supraleitendem Material, ergeben sich noch größere Hallkoeffizienten.
Bei Verwendung eines Hallsensormaterials auf Basis der Kompo­ nenten eines für die Gradiometer-Dreifachschleife verwendeten Hoch-Tc-Supraleitermaterials besteht die Möglichkeit, den Sauerstoffgehalt gegenüber dem Supraleitermaterial so einzu­ stellen, daß ein verhältnismäßig hoher Hallkoeffizient zu er­ reichen ist. Entsprechende Maßnahmen haben zusätzlich den Vorteil, daß man die Gegeninduktivität zwischen den Hallsen­ sorelementen und den ihnen jeweils zugeordneten Einzelschlei­ fen auch noch weiter optimieren kann.
Zweckmäßig wird für die Einzelschleifen 4a bis 4c, für den Verbindungsleiter 9 sowie für die Kontaktflächen 10a und 10b dasselbe Material vorgesehen, so daß diese Teile in einer er­ sten Ebene liegend ausgebildet werden können. In einer zwei­ ten Ebene liegen dann die Hallsensorelemente 6 und 7.
Eine entsprechende Sensoreinheit 2 läßt sich neben weiteren solcher Einheiten beispielsweise dadurch herstellen, daß man auf einem für ein Hoch-Tc-Supraleitermaterial wie Y-Ba-Cu-O geeignete Substrat, beispielsweise aus Glas, eine Schicht des Supraleitermaterials und anschließend in-situ eine Schutz­ schicht aus SrTiO3 oder aus Au aufbringt. Als Abscheidungs­ verfahren kann beispielsweise eine gepulste Laser- Depositionstechnik (PLD) gewählt werden. Anschließend wird dieser Aufbau mittels Photolithographie und Ionenstrahlätzens zu der Dreifachschleife 4, dem Verbindungsleiter 9 und den Kontaktflächen 10a und 10b strukturiert. Im Bereich der Beab­ standungen 5a und 5b wird dann eine Schicht z. B. aus halblei­ tendem Bi mittels Elektronenstrahl- oder thermischen Verdamp­ fens aufgebracht. Diese halbleitende Schicht wird anschlie­ ßend zu den beiden Hallsensorelementen 6 und 7 strukturiert.
Da insbesondere Hallsensorelemente lineare Sensorelemente sind, können mit ihnen vorteilhaft Sensorarrays aufgebaut werden, die nur mit einem gemeinsamen Einstellstrom IB seri­ ell versorgt werden. Die den Einstellstrom führenden Teile der Flußantenne kann man dann komplett supraleitend ausfüh­ ren, so daß ohmsche Verluste nicht auftreten. Dies ist inso­ fern wichtig, da die Empfindlichkeit der Sensoreinrichtungen proportional mit dem Einstellstrom zunimmt. Darüber hinaus ist durch eine effiziente Kühlung ein größerer Einstellstrom durch die einzelnen Hallsensorelemente zu leiten als es bei Raumtemperatur wegen dann auftretender Aufheizeffekte möglich wäre.
Bei dem vorstehend dargestellten Ausführungsbeispiel wurde davon ausgegangen, daß als lineare Flußspannungswandler Hall­ sensorelemente vorgesehen sind. Neben solchen Elementen sind für die erfindungsgemäße Sensoreinrichtung jedoch auch andere magnetfeldempfindliche Sensorelemente geeignet, die eine li­ neare Charakteristik zeigen. So können insbesondere magneto­ resistive Dünnfilmsensorelemente eingesetzt werden. Bei ent­ sprechenden Sensorelementen kann es sich dabei zum einen um solche vom sogenannten "AMR-Typ" oder zum anderen um solche vom "GMR- oder vom TMR- oder vom CMR- oder vom GMI-Typ" han­ deln, die gegenüber AMR-Typ-Elementen einen vergleichsweise erhöhten magnetoresistiven Effekt zeigen. Diese unter der Be­ zeichnung "XMR-Technologie" zusammengefaßten Typen sind bei­ spielsweise aus der Veröffentlichung "XMR-Technologien" des VDI-Technologiezentrums "Physikalische Technologien", Düssel­ dorf, August 1997 zu entnehmen.
Fig. 2 zeigt ebenfalls als Aufsicht in stark schematisierter Darstellung eine entsprechende Ausführungsform eine Reihen­ schaltung 12 mehrere Sensoreinheiten Si, die Teil einer Array-Anordnung einer erfindungsgemäßen Sensoreinrichtung sein können. Diese Reihenschaltung weist n = 4 Untereinheiten Si (mit 1 ≦ i ≦ n) auf, die jeweils aus einer Sensoreinheit 2 nach Fig. 1 bestehen. Diese Sensoreinheiten S1 bis S4 sind so in Führungsrichtung des Einstellstromes IB hintereinander­ geschaltet, daß benachbarte äußere Einzelschleifen 4c und 4a jeweils über streifenförmige Verbindungsleiter 13 miteinander verbunden sind. Die an den einzelnen Sensoreinrichtungen ab­ nehmbaren Gesamthallspannungen sind hier mit V1 bis V4 be­ zeichnet.
Aus Fig. 3 geht eine Array-Anordnung 20 einer erfindungsge­ mäßen Sensoreinrichtung hervor. Die in Aufsicht wiedergegebe­ ne Array-Anordnung umfaßt mehrere, hier z. B. in zwei Gruppen G1 und G2 unterteilte Sensoreinheiten Si (mit 1 ≦ i ≦ n), wo­ bei n die Gesamtzahl der einzelnen Sensoreinheiten ist. Gemäß dem stark schematisiert dargestellten Ausführungsbeispiel weist die erste Gruppe G1 neun Sensoreinheiten S1 bis S6 und S11 bis S13 auf. Dabei sind je drei Sensoreinheiten quasi in parallelen Zeilen angeordnet. Zwischen zwei dieser Zeilen liegt eine weitere Zeile mit beispielsweise vier Sensorein­ heiten S7 bis S10, die der zweiten Gruppe G2 zugehören. Mit den Sensoreinheiten der beiden Gruppen werden unterschiedlich ausgerichtete Magnetfeldgradienten detektiert. Hierzu müssen die Sensoreinheiten der beiden Gruppen entsprechend unter­ schiedlich ausgerichtet sein. So werden beispielsweise mit den Sensoreinheiten der Gruppe G1 nur ∂Bz/∂y-Magnetfeld­ gradienten detektiert, während die Sensoreinheiten der ande­ ren Gruppe G2 zur Detektion von ∂Bz/∂x-Magnetfeldgradienten dienen. Dabei wird der Array-Anordnung ein x-y-z- Koordinatensystem zugrundegelegt.
Alle Sensoreinheiten Si sind elektrisch hintereinanderge­ schaltet gemäß Fig. 2. Über sie wird deshalb ein Einstell­ strom IB geführt, der nur zwei Stromanschlüsse 8a und 8b er­ fordert. Außerdem sind für jede Sensoreinheit Si zwei Leitun­ gen zur Abnahme der jeweiligen Hallspannung Vi (mit 1 ≦ i ≦ n) vorzusehen. Alle Stromleitungen werden vorteilhaft an eine gemeinsame Seite der Array-Anordnung 20 bzw. eines sie tragenden Substrates geführt.
Zur Herstellung einer entsprechenden Array-Anordnung wird als Unterlage ein entsprechend großes, beispielsweise monokri­ stallines und epitaxiefähiges Substrat wie z. B. aus SrTiO3, MgO, Al2O3 oder LaAlO3 mit kreisrundem oder rechteckigem Quer­ schnitt und ebener oder gekrümmter Gestalt vorgesehen. Die Oberfläche dieses Substrates wird großflächig mit einem Hoch- Tc-Supraleitermaterial wie z. B. vom Typ YBa2Cu3Ox (sogenanntes YBCO) und gegebenenfalls in-situ mit einer Schutzschicht bei­ spielsweise aus Au oder SrTiO3 mittels eines PVD (Physical Vapor Deposition)-Verfahrens wie z. B. durch Laserablation be­ schichtet. Anschließend werden über Fototechnik und Ionen­ strahlätzen die Strukturen für die Flußantennen ausgebildet. Darauffolgend wird eine Beschichtung mit dem Material der Hallsensorelemente, beispielsweise einem halbleitenden Mate­ rial vorgenommen. Daran schließt sich eine Strukturierung zu diesen Elementen beispielsweise durch eine Lift-Off-Technik oder ein Ätzverfahren an.
Die Array-Anordnung 20 gemäß Fig. 3, die auch auf mehreren Substraten 3 ausgebildet sein kann, wird anschließend gemäß der Aufsicht der Fig. 4 auf einem Träger (bzw. einer Träger­ struktur) 22 montiert. Der Träger ist auf einer Seite mit mindestens einer Steckerleiste 23 versehen. Die elektrische Verbindung zwischen dieser Steckerleiste und der Array- Anordnung erfolgt durch Drahtbonden.
Wie aus der Seitenansicht der Fig. 5 hervorgeht, ist die Steckerleiste 23 beispielsweise mit einem flexiblen Flach­ bandkabel 24 verbunden, über welches ein elektrischer An­ schluß mit einer in der Figur nicht ausgeführten Elektronik erfolgt. Von dieser Elektronik ist lediglich eine Anschluß­ leiste 25 ersichtlich. Bei einer eventuell erforderlichen Kühlung der Array-Anordnung 20 erfolgt der Temperaturübergang zwischen einem Warmbereich W z. B. auf Raumtemperatur mit der Anschlußleiste 25 und einem Kaltbereich K eines Kühlmittels wie z. B. LN2 oder LHe mit der Steckerleiste 23 über das Flachbandkabel 24. Dabei sind die Leiterquerschnitte des Flachbandkabels so konzipiert, daß eine möglichst geringe Wärmeeinleitung in den Kaltbereich K des Kühlmittels erfolgt. Dies ist vorzugsweise dadurch zu erreichen, daß man als fle­ xibles Flachbandkabel 24 eine flexible Kunststoffolie oder - platte verwendet, auf der die erforderlichen Leiterbahnen aus­ latte verwendet, auf der die erforderlichen Leiterbahnen aus­ gebildet sind. Dabei ist es besonders vorteilhaft, daß sämt­ liche Sensoreinheiten von einer gemeinsamen Stromquelle über nur zwei Leitungen mit dem Einstellstrom IB versorgt werden müssen. In der Figur ist ein entsprechender Warm-Kalt- Übergang durch eine gestrichelte Linie 26 angedeutet.
Im Hinblick auf eine hohe Feldauflösung kann es erforderlich werden, daß die Hallsensorelemente der Array-Anordnung 20 mit einem verhältnismäßig hohen Einstellstrom IB z. B. von mehre­ ren Milliampere versorgt werden müssen. Dann müssen die hier­ für vorzusehenden elektrischen Leiter z. B. des Flachbandka­ bels 24 dementsprechend große Leiterquerschnitte aufweisen, die zu entsprechenden Wärmeeinleitungsverlusten in den Kalt­ bereich K der Array-Anordnung führen können. In diesem Falle läßt sich vorteilhaft eine Wechselstromversorgung für die Array-Anordnung vorsehen. Fig. 6 zeigt ein entsprechendes Ausführungsbeispiel in Schrägansicht. Eine Wechselstromver­ sorgung ermöglicht nämlich die Verwendung eines Transforma­ tors 28 im Kaltbereich K, der auf seiner in den raumtempera­ turseitigen Warmbereich W führenden Versorgungsseite mit vie­ len Windungen w1 ausgestattet sein kann. Diese Windungen er­ möglichen dann dementsprechend geringe Leiterquerschnitte. Auf der Anschlußseite zu der Array-Anordnung können dann we­ nige Windungen w2 mit größerem Querschnitt vorgesehen werden, um die höheren Ströme zu führen.
Gemäß dem in Fig. 7 angedeuteten Prinzipschaltbild eines Teils einer Array-Anordnung kann vorteilhaft die Spannungs­ auslese der einzelnen Sensoreinheiten Si jeweils über einen Differentialverstärker 30 i mit hochohmigem Eingang erfolgen. Dies erfordert für den Fall einer Kühlung der Array-Anordnung zwei Kaltleitungen 31a, 31b pro Sensoreinheit Si. In den Fäl­ len, z. B. bei einer sehr großen Array-Anordnung, wo dies aus kühltechnischen Gründen ein Problem ist, kann vorteilhaft statt einer Gleichstromversorgung (DC-Versorgung) eine Wech­ selstromversorgung (AC-Versorgung) vorgesehen werden. In Fig. 8 ist in Fig. 7 entsprechender Darstellung ein Ausfüh­ rungsbeispiel angedeutet. Hier wird die von der Sensoreinheit Si erzeugte Sensorspannung Vi bzw. Hallspannung mit einem kalten Resonanzkreis 32 i auf der Frequenz des Einstellstromes IB ausgelesen. Ein derartiger Resonanzkreis erfordert nur ei­ ne in den Warmbereich führende Ausleseleitung 33 i, da die an­ dere im Kaltbereich K auf Erdpotential, auf dem sich z. B. das Gehäuse eines erforderlichen Kryostaten befindet, gelegt wer­ den kann. Auf diese Weise läßt sich die Zahl der kalten Aus­ leseleitungen gegenüber der Ausführungsform nach Fig. 7 um den Faktor 2 reduzieren.
In Fig. 9 sind alternativ weitere Teile einer signalverar­ beitenden Elektronik für die Ausführungsformen nach den Fig. 7 und 8 für eine Sensoreinheit Si alternativ angedeutet. Die Signalverarbeitungskette nach dem Verstärker 30 i bei ei­ ner DC-Stromversorgung besteht aus einer Filterstufe 35, ei­ nem A/D-Wandler 36 und einer Rechnereinheit 37. Bei der für dieselbe Sensoreinheit gezeigten alternativen AC- Stromversorgung wird das amplitudenmodulierte Signal nach dem Resonanzkreis 32 i in einem Verstärker 38 verstärkt und an­ schließend phasenempfindlich demoduliert, bevor es wie im Falle der DC-Stromversorgung digitalisiert wird. Zur pha­ senempfindlichen Demodulation sind ein Bandfilter 39 und ein auf die AC-Frequenz ω bezogener Multiplizierer oder Gleich­ richter 40 vorgesehen.
Für die Fälle, z. B. bei einer kleinflächigen Array-Anordnung oder bei extremem Störsignalpegel, in denen ein Sensorbetrieb in einem bestimmten Einstellpunkt bezüglich eines Stromes und/oder bzgl. eines Feldes unbedingt erforderlich wird, kön­ nen gegebenenfalls nach der jeweiligen Filterstufe der in Fig. 9 alternativ aufgezeigten beiden Signalverarbeitungsmög­ lichkeiten noch Rückkopplungen zu den Sensoreinheiten vorge­ sehen werden. Fig. 10 zeigt ein entsprechendes Ausführungs­ beispiel für die in Fig. 9 gezeigte alternative Signalausle­ se. Die jeweilige Rückkopplung mit Leitungen 42 bzw. 43 weist üblicherweise eine Serienschaltung von einem nur ohmsche Ver­ luste erzeugenden Glied 44 bzw. 45 und einer Rückkopp­ lungsspule 46 bzw. 47 auf. Die Spule ist dabei magnetisch induktiv an die jeweilige Sensoreinheit bzw. deren Flußanten­ ne gekoppelt. Auf diese Weise ist am Ort der Flußantenne ein lokales Feld zu generieren, das unerwünschten Meß- oder Stör­ feldern entgegenwirkt.
Ein Offset-Abgleich eines jeder Sensoreinheit zugeordneten Vorverstärkers (30 i, 38) ist mit einer üblichen Potentiome­ terschaltung vornehmbar. Gegebenenfalls kann diese auch dazu genutzt werden, einen Offset der Sensoreinheit einschließlich ihres Vorverstärkers abzugleichen. Drift-Erscheinungen, inso­ fern diese in Differentialverstärkern noch eine Rolle spie­ len, lassen sich entweder mit einer Temperaturstabilisierung oder mittels Einsatzes einer AC-Stromversorgung entgegenwir­ ken.
In Fig. 11 ist ein Querschnitt durch ein für eine Array- Anordnung einer erfindungsgemäßen Sensoreinrichtung besonders geeignetes Kryostatengefäß 50 angedeutet. Dieses zur Aufnahme eines Kühlmediums M in einem Kaltbereich K vorgesehene Gefäß ist dabei so gestaltet, daß z. B. eine Array-Anordnung 20 ge­ mäß Fig. 5 möglichst nahe, vorzugsweise näher als 1 cm, an eine zu detektierende Magnetfeldquelle herangebracht werden kann. Dazu sind zum einen die von einem Träger 22 in dem Kaltbereich K gehaltenen, auf einem Substrat ausgebildeten Sensoreinheiten von der Bewandung 51 des Kryostatengefäßes 50 vorteilhaft in einem entsprechend geringen Abstand a von bei­ spielsweise zwischen 2 und 10 mm anzuordnen; zum anderen läßt sich diese Bewandung dünn ausgestalten. In der Figur sind ferner mitgekühlte passive Komponenten 52 auf der Rückseite des Trägers 22 nur angedeutet. Besonders für niederfrequente Signale mit einer Frequenz unter 10 kHz eignet sich ein dop­ pelwandiges Gefäß aus rostfreiem Stahl, das eine Warm-Kalt- Distanz von etwa 3 mm erlaubt. Für höherfrequente Signale wird beispielsweise ein vergleichsweise schlechter leitendes Material für das Gefäß, z. B. ein Kunststoff, vorgesehen. Die konkrete Ausgestaltung des Kryostatengefäßes hängt von den spezifischen Anwendungen ab. So wäre z. B. für die Kardiogra­ phie eine flache Array-Anordnung 20 mit einer Fläche von etwa 20 cm × 30 cm erforderlich. Eine flache Bewandung 51 eines entsprechenden Kryostatengefäßes 50 hätte dann etwa dieselben Abmessungen. Für einen Einsatz zur Prüfung von Platinen kann ebenfalls eine flache Array-Anordnung vorgesehen werden, de­ ren Abmessungen an die der zu prüfenden Platine angepaßt sind. Für eine Prüfung von gekrümmten Flächen in Großgeräten, z. B. zur Prüfung von Turbinenschaufeln von Dampfturbinen oder von Rohrleitungen, wird eine Array-Anordnung mit einer Flä­ chenkrümmung erforderlich, die an die Krümmung des zu prüfen­ den Teils angepaßt ist. Dementsprechend wird auch ein ge­ krümmtes Kryostatengefäß vorgesehen.
Falls nur kleine Flächen auf kleine Fehler geprüft werden müßten, kann eine Array-Anordnung auf wenige Sensoreinheiten reduziert werden, um damit räumlich aufgelöst nahe an der Si­ gnalquelle eine Prüfung zu ermöglichen.
Bei den vorstehenden Ausführungsbeispielen wurde davon ausge­ gangen, daß mit zwei Gruppen von Sensoreinheiten mit unter­ schiedlicher Ausrichtung unterschiedliche Magnetfeldgradien­ ten erfaßt werden. Gegebenenfalls sind jedoch mit solchen Array-Anordnungen von Sensoreinheiten auch mindestens drei Gruppen zu bilden, wenn es um die Erfassung einer räumlichen, vektoriellen Feldverteilung geht. Ein spezielles Ausführungs­ beispiel eines entsprechenden Vektor-Magnetometers ist in Fig. 12 in Schrägansicht angedeutet.
Das mit 60 bezeichnete Magnetometer enthält eine Trägerstruk­ tur 61, die insbesondere die Gestalt eines Würfels oder eines Quaders hat. Die sechs beispielsweise gleichgroßen Flachsei­ ten der Trägerstruktur sind mit 61a bis 61f bezeichnet und dienen jeweils als Substrat für eine planare Array-Anordnung von zwei Gruppen zuordbaren Sensoreinheiten z. B. gemäß Fig. 3. Ebensogut können aber auch auf der Trägerstruktur besonde­ re, die Array-Anordnungen jeweils tragende Substrate gemäß Fig. 4 angeordnet sein.
In Fig. 12 sind aus Gründen der Übersichtlichkeit lediglich von den einzelnen Array-Anordnungen jeweils nur eine einzige Sensoreinheit Si oder Si' (mit i = a, b oder c) angedeutet, obwohl zu jeder Array-Anordnung gemäß Fig. 3 auch dazu senk­ recht ausgerichtete, einer weiteren Gruppe zuzuordnende Sen­ soreinheiten gehören. D. h., auf jeder der Flachseiten 61a bis 61f befinden sich Sensoreinheiten zweier Gruppen, wobei die Sensoreinheiten auf parallelen, gegenüberliegenden Flachsei­ ten jeweils zur Erfassung derselben Magnetfeldgradienten vor­ gesehen sind. In der Figur sind aus Vereinfachungsgründen die beiden Gruppen auf jeweils parallel zueinander liegenden Flachseiten einheitlich mit Gj bzw. Gj' (mit j = 1, 2 oder 3) bezeichnet. Dabei ist mit der Bezeichnung Gj, Gj' berücksich­ tigt, daß parallel liegende Array-Anordnungen zwar zur selben Gruppe mit dem Index j gehören, sich jedoch auf verschiedenen Flachseiten der würfelförmigen Trägerstruktur befinden. In der Schrägansicht der Figur sind ferner die Bezugszeichen von verdeckten Flachseiten in Klammern gesetzt und die auf diesen verdeckten Flachseiten befindlichen Sensoreinheiten gestri­ chelt eingezeichnet.
Dementsprechend sind bei dem in Fig. 12 angedeuteten Vektor- Magnetometer 60 z. B. mit den auf den gegenüberliegenden Flachseiten 61a und 61b befindlichen Array-Anordnungen einer Gruppe G1 bzw. G1' jeweils ∂Bz/∂x- und ∂Bz/∂y-Magnetfeldgradienten zu erfassen. Von diesen Array-Anordnungen sind lediglich die Sensoreinheiten Sa und Sa' aus der Gruppe G1, G1' ersicht­ lich, die zur Erfassung der ∂Bz/∂x-Magnetfeldgradienten vorge­ sehen sind. In entsprechender Weise können mit den zu einer Gruppe G2, G2' gehörenden Array-Anordnungen auf den Flachsei­ ten 61c und 61d ∂Bx/∂y- und ∂Bx/∂z-Magnetfeldgradienten detektiert werden. Von diesen Array-Anordnungen sind lediglich die Sen­ soreinheiten Sb und Sb' für die ∂Bx/∂y-Magnetfeldgradienten­ erfassung angedeutet. Die in Array-Anordnungen auf den Flach­ seiten 61e und 61f befindlichen, zu einer Gruppe G3, G3' ge­ hörenden Sensoreinheiten Sc und Sc' erfassen dann ∂By/∂x- Magnetfeldgradienten. Die ferner ∂By/∂z-Magnetfeldgradienten detektierenden Sensoreinheiten dieser letztgenannten Array- Anordnungen sind in der Figur nicht angedeutet.
Mit einer Fig. 12 entsprechenden Ausbildung eines Vektor- Magnetometers 60 ist dann vorteilhaft eine räumliche, vekto­ rielle Feldverteilung eines im Volumen des Magnetometers vor­ handenen Magnetfeldes in x-, y- und z-Richtung gemäß dem ein­ gezeichneten Koordinatensystem erfaßbar.

Claims (30)

1. Magnetfeldsensitive Sensoreinrichtung mit wenigstens einer Array-Anordnung (20) mehrerer Sensoreinheiten (2; Si) in zu­ mindest weitgehend planarem Aufbau, welche Sensoreinheiten jeweils
  • - eine als symmetrisches Gradiometer gestaltete Flußantenne mit einem Mittelteil zur Magnetfelderfassung und
  • - einen zugeordneten Flußspannungswandler mit zwei linearen Sensorelementen (6, 7), die jeweils symmetrisch zu dem Mit­ telteil der Flußantenne so angeordnet und so hintereinan­ dergeschaltet sind, daß sich ihre durch die gradientenfrei­ en Anteile des Magnetfeldes hervorgerufenen Spannungssigna­ le zumindest weitgehend kompensieren,
aufweisen, wobei die Sensoreinheiten (2; Si) in mindestens zwei Gruppen (G2, G1) unterschiedlicher Ausrichtung zur Er­ fassung unterschiedlich gerichteter Magnetfeldgradienten (∂Bz/∂x, ∂Bz/∂y) unterteilt sind.
2. Sensoreinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jede Flußantenne als eine Gradiometer-Dreifachschleife (4) mit einer zwischen zwei äu­ ßeren Einzelschleifen (4a, 4c) befindlichen, von diesen je­ weils beabstandeten mittleren Einzelschleife (4b) als dem Mittelteil gestaltet ist und daß die jeder Flußantenne zuge­ ordneten zwei linearen Sensorelemente (6, 7) in den Beabstan­ dungen (5a, 5b) zwischen den äußeren Einzelschleifen (4a, 4c) und der mittleren Einzelschleife (4b) angeordnet sind.
3. Sensoreinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jede Flußantenne als eine achtförmige Gradiometer-Doppelschleife mit einem gemeinsamen Mittelsteg als dem Mittelteil gestaltet ist und daß die jeder Flußantenne zugeordneten zwei linearen Sensorelemente (6, 7) beidseitig längs des Mittelstegs angeordnet sind.
4. Sensoreinrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß jede Gruppe (G1, G2) der Sensoreinheiten (Si) auf einem eigenen Substrat (3) angeordnet ist.
5. Sensoreinrichtung nach Anspruch 4, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Substrate der Gruppen auf verschiedenen Flächen angeordnet sind.
6. Sensoreinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß alle Sen­ soreinheiten (2; Si) auf einem gemeinsamen Substrat (3) angeordnet sind.
7. Sensoreinrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest einige der, vorzugsweise alle Sensorelemente (6, 7) für einen gemeinsamen Einstellstrom (IB) elektrisch hintereinanderge­ schaltet sind.
8. Sensoreinrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Sen­ sorelemente (6, 7) den Mittelteil als gemeinsames Kontaktele­ ment besitzen.
9. Sensoreinrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß Verbin­ dungsleiter (9) und Kontaktflächen (10a, 10b) der linearen Sensorelemente (6, 7) aus dem Material der Flußantenne gebil­ det sind.
10. Sensoreinrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die li­ nearen Sensorelemente (6, 7) Hallsensorelemente sind.
11. Sensoreinrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Hallsensorelemente (6, 7) vom 4-Kontakt-Typ sind.
12. Sensoreinrichtung nach Anspruch 10 oder 11, ge­ kennzeichnet durch Hallsensorelemente (6, 7) in Streifenform.
13. Sensoreinrichtung nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Hall­ sensorelemente (6, 7) auf Basis eines Hoch-Tc-Supraleiter­ materials mit demgegenüber verschiedener Stöchiometrie ausge­ bildet sind.
14. Sensoreinrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß sich das Material der Hallsensorelemente (6, 7) bezüglich des Anteils der Sauer­ stoffkomponente von dem Hoch-Tc-Supraleitermaterial unter­ scheidet.
15. Sensoreinrichtung nach einem der Ansprüche 10 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Hall­ sensorelemente (6, 7) aus einem halbleitenden Material mit einem Hallkoeffizienten von mindestens 100 cm3/A.s gebildet sind.
16. Sensoreinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die li­ nearen Sensorelemente magnetoresistive Sensorelemente sind.
17. Sensoreinrichtung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß die magnetoresistiven Sensorelemente Dünnschichtensysteme mit erhöhtem magnetoresi­ stiven Effekt sind.
18. Sensoreinrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Fluß­ antennen aus elektrisch normalleitendem Material bestehen.
19. Sensoreinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß die Fluß­ antennen aus supraleitendem Material bestehen.
20. Sensoreinrichtung nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß das supraleitende Materi­ al ein oxidisches Hoch-Tc-Supraleitermaterial ist.
21. Sensoreinrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine gemeinsame Kühlung der Flußantennen und der Sensorelemente (6, 7) in einem Kalt­ bereich (K) und durch in einen Warmbereich (W) führende An­ schlüsse.
22. Sensoreinrichtung nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß zu einem elektrischen An­ schluß der Array-Anordnung (20) ein Flachbandkabel (24) vor­ gesehen ist, das sich von dem Warmbereich (W) in den Kaltbe­ reich (K) erstreckt.
23. Sensoreinrichtung nach Anspruch 21 oder 22, da­ durch gekennzeichnet, daß zur Versor­ gung der Sensorelemente (6, 7) mit einem Einstellstrom (IB) in dem Kaltbereich (K) ein Wechselstromtransformator (28) mit kleinerer Windungszahl (w2) auf der Anschlußseite der Senso­ relemente als auf der Seite einer externen Stromversorgung in dem Warmbereich (W) vorgesehen ist.
24. Sensoreinrichtung nach einem der Ansprüche 21 bis 23, dadurch gekennzeichnet, daß in dem Kaltbereich (K) zu einer Spannungsauslese jeder Sensoreinheit (Si) ein Wechselstrombetrieb mit einem Resonanzkreis (32 i) und einer in den Warmbereich (W) führenden Ausleseleitung (33 i) vorgesehen ist.
25. Sensoreinrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zu einer Spannungsauslese jeder Sensoreinheit (Si) eine signalverar­ beitende Elektronik vorgesehen ist, die zumindest einen Ver­ stärker (30 i, 38), einen Filter (35), einen A/D-Wandler (36) sowie eine nachgeordnete Recheneinheit (37) enthält.
26. Sensoreinheit nach Anspruch 25, gekenn­ zeichnet durch eine Rückkopplungsleitung (42, 43) von der signalverarbeitenden Elektronik zu einer induktiv an die jeweilige Sensoreinheit (Si) angekoppelte Rückkopp­ lungsspule (46, 47).
27. Sensoreinrichtung nach einem der Ansprüche 21 bis 23, gekennzeichnet durch ein Kryostatengehäuse (50) mit einer Bewandung (51) in geringem Abstand von unter 1 cm von der Array-Anordnung (20).
28. Sensoreinrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Sen­ soreinheiten der einen Gruppe (G1) zur Detektion von ∂Bz/∂y- Magnetfeldgradienten und die Sensoreinheiten der anderen Gruppe (G2) zur Detektion von ∂Bz/∂x-Magnetfeldgradienten vor­ gesehen sind.
29. Sensoreinrichtung nach Anspruch 28, dadurch gekennzeichnet, daß mittels einer weiteren Gruppe (G3) von Sensoreinheiten eine Detektion von ∂Bz/∂z- Magnetfeldgradienten vorgesehen ist.
30. Sensoreinrichtung nach Anspruch 29, gekenn­ zeichnet durch eine Anordnung der Gruppen (G1, G1'; G2, G2'; G3, G3') auf den Flachseiten einer würfel- oder qua­ derförmigen Trägerstruktur (61).
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