DE19926462C1 - Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von Substraten - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von SubstratenInfo
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Abstract
Um die Durchsatzkapazität einer herkömmlichen Substratbehandlungsvorrichtung bei im wesentlichen gleichbleibender Stellfläche zu erhöhen, wird eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Behandeln von Substraten in wenigstens einem von zwei Becken, die jeweils mit wenigstens zwei Behandlungsfluids befüllbar sind, vorgesehen. Das Verfahren weist die folgenden Verfahrensschritte auf: a) Aufbereiten eines ersten Behandlungsfluids in einer für beide Becken gemeinsamen Behandlungsfluid-Aufbereitungseinheit, b) Beladen des Beckens mit Substraten, c) Einleiten des ersten Behandlungsfluids in das Becken für eine vorbestimmte Zeitperiode, d) Einleiten des wenigstens zweiten Behandlungsfluids in das Becken und e) Entnehmen der Substrate aus dem Becken, wobei die Verfahrensabläufe in den jeweiligen Becken zeitlich versetzt so gesteuert werden, daß zwischen dem Ende des Schrittes c) in einem der Becken und dem Beginn des Schrittes c) im anderen Becken ein für die Aufbereitung des ersten Behandlungsfluids ausreichender Zeitraum vorgesehen ist.
Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung und ein Verfahren
zum Behandeln von Substraten in einem Becken, das mit wenigsten zwei Be
handlungsfluids befüllbar ist.
Eine derartige Vorrichtung wird als Single Tank Tool (STT) bezeichnet, da in
nerhalb eines Behandlungsbeckens durch Einleiten unterschiedlicher Be
handlungsfluide mehrere Substratbehandlungen erfolgen. Eine derartige Vor
richtung ist beispielsweise in der auf dieselbe Anmelderin zurückgehenden,
nicht vorveröffentlichten DE 197 38 147 A1
sowie der auf dieselbe Anmelderin zurückgehenden DE 196 16 402 A1
beschrieben. Bei derartigen Vorrichtungen sind einem Behandlungsbecken
jeweils unterschiedliche Vorrichtungen zugeordnet. Diese umfassen unter an
derem eine Wafer-Eingabe-/Ausgabestation, eine Einrichtung zum Verdichten
der Wafer, die als Pusher bezeichnet wird, eine Transportvorrichtung, eine
elektronische Schaltungsvorrichtung sowie wenigstens zwei Behandlungs
fluid-Versorgungseinrichtungen. Diese zuvor genannten Vorrichtungen besit
zen jeweils eine Kapazität, die für ein einzelnes Becken ausgelegt ist.
Wenigstens eine der Behandlungsfluid-Versorgungseinrichtungen beinhaltet
in der Regel eine Behandlungsfluid-Aufbereitungseinrichtung, in der ein Be
handlungsfluid, wie beispielsweise SC1 bestehend aus einer Mischung aus
Ammoniak, Wasserstoffperoxid und Wasser, gemischt und erwärmt wird. Die
Behandlungfluid-Aufbereitungseinrichtung sowie die Vor- und Aufbereitung
selbst bilden einen erheblichen Kostenfaktor bei der Behandlung von Sub
straten.
Aus der JP 61-133633 A ist eine Vorrichtung zur Behandlung von Halbleiter
wafern mit drei identischen Behandlungsbecken bekannt, die über eine ge
meinsame Versorgungseinrichtung mit Behandlungsfluid versorgt werden. Die
Behandlungsbecken werden sequentiell derart zur Behandlung der Wafer ein
gesetzt, daß zu jedem Zeitpunkt jeweils nur ein Becken für die Behandlung
von Wafern eingesetzt wird. Die verbleibenden Becken werden in Bereitschaft
gehalten, um nach Ablauf einer bestimmten Anzahl von Behandlungszyklen in
dem gerade verwendeten Becken als Behandlungsbecken eingesetzt zu wer
den. Diese Vorrichtung benötigt Raum für drei Behandlungsbecken, obwohl zu
einem Zeitpunkt jeweils nur eines der Becken für die Behandlung von Wafern
eingesetzt wird. Dieser hohe Platzbedarf führt zu hohen Kosten für die Anla
ge, die in der Regel in teuren Reinsträumen aufgestellt sind.
Die JP 6-314683 A zeigt eine Vorrichtung zur Behandlung von Halbleiterwa
fern mit mehreren Behandlungsbecken, die über eine gemeinsame Versor
gungseinrichtung mit Behandlungsfluid versorgt werden. Bei dieser Vorrich
tung können mehrere Behandlungsbecken gleichzeitig eingesetzt werden,
wobei jeweils ein derzeit nicht eingesetztes Behandlungsbecken in Bereit
schaft gehalten wird, um eine fortlaufende Behandlung zu gewährleisten. Da
bei ist die Versorgungseinheit für die gleichzeitige Versorgung aller Becken
ausgelegt, obwohl diese zu keinem Zeitpunkt alle im Einsatz sind. Durch das
ständige Bereithalten eines Beckens sowie einer für alle Behandlungsbecken
ausgelegten Versorgungseinrichtung ergibt sich wiederum ein hoher Platzbe
darf.
Die JP 6-204201 A zeigt ebenfalls eine Vorrichtung zur Behandlung von
Halbleiterwafern mit mehreren Behandlungsbecken, die über eine gemeinsa
me Versorgungseinrichtung mit Behandlungsfluid versorgt werden. Die Bec
ken werden alle gleichzeitig eingesetzt und die Versorgungseinrichtung ist für
die gleichzeitige Versorgung aller Becken ausgelegt.
Ausgehend von den zuvor genannten Verfahren und Vorrichtungen liegt der vorliegenden Erfin
dung die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Behan
deln von Substraten vorzusehen, welche eine kostengünstige Behandlung
der Substrate ermöglichen. Darüber hinaus soll der Durchsatz der Vorrichtung
erhöht werden, ohne einen wesentlich erhöhten Platzbedarf für die Vorrich
tung, da diese in der Regel in Reinsträumen aufgestellt ist, die in ihrer Bereit
stellung und im Betrieb sehr kostenintensiv sind.
Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein
Verfahren zum Behandeln von Substraten in wenigstens einem von zwei Bec
ken, die jeweils mit wenigstens zwei Behandlungsfluids befüllbar sind, durch
Vorsehen der folgenden Verfahrensschritte gelöst: a) Aufbereiten eines ersten
Behandlungsfluids in einer für beide Becken gemeinsamen Behandlungsfluid-
Aufbereitungseinheit, deren Kapazität für ein Becken ausgelegt
ist, b) Beladen des Beckens mit Substraten, c) Einleiten des ersten Behand
lungsfluids in das Becken für eine vorbestimmte Zeitperiode, d) Einleiten des
wenigstens zweiten Behandlungsfluids in das Becken und e) Entnehmen der
Substrate aus dem Becken, wobei die Verfahrensabläufe in den jeweiligen
Becken parallel und zeitlich versetzt so gesteuert werden, daß zwischen dem
Ende des Schrittes c) in einem der Becken und dem Beginn des Schrittes c)
im anderen Becken ein für die Aufbereitung des ersten Behandlungsfluids
ausreichender Zeitraum vorgesehen ist. Durch die Verwendung von zwei Be
handlungsbecken und die zeitliche versetzte Steuerung der Verfahrensabläufe
in den Becken, ist es möglich, die Durchsatzkapazität eines herkömmlichen
Eintankprozessors bzw. eines Single Tank Tools zu verdoppeln. Durch die
zeitlich versetzte Steuerung der Verfahrensabläufe in den jeweiligen Becken
ist es möglich, die mit den Becken in Zusammenhang stehenden Vorrichtun
gen und Elemente gemeinschaftlich zu nutze, ohne daß deren Kapazität für
mehrere Becken ausgefegt ist. Dadurch sind keine zwei vollständigen Single
Tank Tools erforderlich, so daß die Stellfläche gegenüber der Verwendung
von zwei herkömmlichen Single Tank Tools erheblich reduziert werden kann.
Dies ist insbesondere im Hinblick darauf vorteilhaft, daß die Vorrichtung in der
Regel in Reinsträumen angeordnet sind, deren Herstellung und Unterhaltung
sehr kostenintensiv ist.
Vorzugsweise wird das erste Behandlungsfluid vor dem Einleiten des zweiten
Behandlungsfluids abgelassen oder durch das Einleiten des zweiten Behand
lungsfluids aus dem Becken verdrängt.
Vorzugsweise wird das erste Behandlungsfluid bei der Aufbereitung aus un
terschiedlichen Chemikalien gemischt und/oder erwärmt, um für die Behand
lung frisch aufbereitetes Behandlungsfluid mit den jeweils notwendigen
Mischverhältnissen vorsehen zu können. Gemäß einer bevorzugten Ausfüh
rungsform wird das erste Behandlungsfluid nach dem Ende des Schrittes c)
jeweils wenigstens teilweise zur Behandlungsfluid-Aufbereitungseinheit zu
rückgeleitet, um das Behandlungsfluid wiederaufzubereiten, was zu erhebli
chen Kosteneinsparungen bei den verwendeten Chemikalien führt, da diese
zumindest teilweise wiederverwendet werden.
Vorzugsweise wird während der Behandlung ein drittes Behandlungsfluid in
das Becken eingeleitet, wobei entweder das zweite oder das dritte Fluid ein
Spülfluid zur Reinigung der Substrate ist.
Für weitere Platzersparnis werden die zweiten und/oder dritten Behandlungs
fluide über jeweils für beide Becken gemeinsame Behandlungsfluid-
Versorgungseinrichtungen bereitgestellt und die Becken werden mit einer ge
meinsamen Handhabungsvorrichtung be- und entladen. Bei einer Ausfüh
rungsform der Erfindung werden die Substrate zum Be- und Entladen des ei
nen Beckens über das andere Becken hinweg bewegt, wobei diese Bewegung
nur während eines Spülvorgangs in dem anderem Becken erfolgt, um eine
Beeinträchtigung der Substrate durch eine chemische Behandlung in dem an
deren Becken zu vermeiden. Bei einer alternativen Ausführungsform der Er
findung ist eine Verschlußeinrichtung vorgesehen, die das Behandlungsbec
ken während einer Bewegung der Handhabungsvorrichtung darüber hinweg
verschließt. Vorzugsweise ist die Verschlußeinrichtung ein im wesentlichen
flacher Deckel. Vorzugsweise greift die Handhabungsvorrichtung auf eine
gemeinsame Eingabe-/Ausgabestation zu.
Für eine gute und schnelle Trocknung der Substrate werden diese bei der
Entnahme aus dem jeweiligen Becken nach dem Marangoni-Prinzip getrock
net, wobei aber auch alternative Trocknungsverfahren eingesetzt werden
können.
Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe wird auch durch eine Vorrich
tung zum Behandeln von Substraten mit zwei mit wenigstens zwei Behand
lungsfluids befüllbaren Becken, wenigstens einer ersten für Becken gemein
samen Behandlungsfluid-Versorgungseinrichtung, die wenigstens eine Be
handlungsfluid-Aufbereitungseinheit aufweist, deren Kapazität für ein Becken
ausgelegt ist, wenigstens einer zweiten Behandlungsfluid-Versorgungseinrich
tung und einer Steuervorrichtung zum zeitlich versetzten Steuern von paral
lelen Prozeßabläufen in den jeweiligen Becken gelöst. Bei einer derartigen
Vorrichtung ergeben sich die schon oben ausgeführten Vorteile.
Vorzugsweise weist jedes Becken ein Schnellablaßventil und/oder einen
Überlauf auf. Um ein Entmischen oder eine statische Veränderung des Be
handlungsfluids in der Behandlungsfluid-Versorgungseinrichtung zu verhin
dern, weist diese einen Fluid-Kreislauf auf, in dem das Behandlungsfluid
ständig in Bewegung gehalten werden kann. Für eine Wiederaufbereitung der
bei der Behandlung verwendeten Chemikalien weist die Vorrichtung bei einem
bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung eine Einrichtung zum Zu
rückleiten von Behandlungsfluid von den Becken zu der ersten Behandlungs
fluid-Versorgungseinrichtung auf, in der eine Wiederaufbereitungseinheit vor
gesehen ist.
Damit die Vorrichtung einen möglichst geringen Raum einnimmt, ist vorzugs
weise eine gemeinsame Substrathandhabungsvorrichtung zum Be- und Entla
den beider Becken, eine gemeinsame Eingabe-/Ausgabestation für die Bereit
stellung von Substraten und/oder eine gemeinsame Einrichtung zum Ver
dichten der Substrate für die Behandlung in den beiden Becken vorgesehen.
Damit die Substrathandhabungsvorrichtung einen möglichst einfachen Bewe
gungsmechanismus besitzen kann, sind die Eingabestation, die Einrichtung
zum Verdichten der Substrate und/oder die Becken in einer Reihe angeord
net.
Um zu verhindern, daß die Substrathandhabungsvorrichtung zum Be- und
Entladen eines Becken das andere überqueren muß, sind die beiden Becken
vorzugsweise auf unterschiedlichen Seiten der Einrichtung zum Verdichten der
Substrate angeordnet.
Die Erfindung wird nachstehend anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele
unter Bezugnahme auf die Figuren näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Draufsicht auf eine erfindungsgemäße Be
handlungsvorrichtung;
Fig. 2 eine schematische Darstellung eines Behandlungsfluid-
Strömungskreislaufs;
Fig. 3 eine schematische Ansicht eines alternativen Behandlungsfluid-
Strömungskreislaufs;
Fig. 4 eine Prozeßsequenz für die Behandlung von Substraten in der
erfindungsgemäßen Vorrichtung.
Fig. 1 zeigt eine schematische Draufsicht auf eine erfindungsgemäß Wafer
behandlungsvorrichtung 1. Die Vorrichtung 1 weist eine Behandlungsstation 2,
einen elektronischen Schaltungsschrank 3, eine Heizvorrichtung 4 für deioni
siertes Wasser (DIW), eine erste Chemikalien-Versorgungseinrichtung 5 für
verdünnte Flußsäure (DHF) sowie eine Versorgungseinrichtung 6 für deioni
siertes Wasser auf. Der elektronische Schaltschrank 3, die Heizvorrichtung 4,
die Chemikalien-Versorgungseinrichtung 5 sowie die Versorgungseinrichtung
6 sind alle außerhalb der eigentlichen Behandlungsstation 2 angeordnet. Al
ternativ könnten sie jedoch auch in der Behandlungsstation 2 aufgenommen
sein.
Innerhalb der Behandlungsstation 2 ist ein Eingabe-/Ausgabespeicher 8 vor
gesehen, der zur Aufnahme einer Vielzahl von Waferkassetten 10 dient, die
über eine nicht dargestellte Schleuse in den Eingabe-/Ausgabespeicher ein
gesetzt und aus diesem entnommen werden. Benachbart zu dem Eingabe-
/Ausgabespeicher 8 ist eine erste Vorrichtung zum Verdichten der Wafer, ein
sogenannter Pusher 12, angeordnet, in dem die Wafer aus zwei Waferkas
setten 10 ineinander geschachtelt werden, um für eine nachfolgende Be
handlung ein kompaktes Paket aus Wafern zu bilden. Wenn in einer Wafer
kassette 10 beispielsweise 26 Wafer enthalten sind, beinhaltet das ineinander
geschobene Paket in dem Pusher 52 Wafer.
Der erste Pusher 12 dient in gleicher Weise dazu, die Substrate nach einer
Behandlung wieder auf zwei getrennte Waferkassetten 10 aufzuteilen.
Optional kann benachbart zu dem ersten Pusher 12 ein zweiter Pusher 14
vorgesehen sein, wie in Fig. 1 gezeigt ist. Bei der Verwendung von zwei sepa
raten Pushern kann einer der Pusher, beispielsweise der Pusher 12, die Sub
strate in ein Paket zusammenfügen, während der zweite Pusher, beispiels
weise Pusher 14, die Pakete jeweils aufteilt.
In der Behandlungsstation 2 ist ferner ein mit STT1 bezeichnetes Behand
lungsbecken 16 sowie ein mit STT2 bezeichnetes Behandlungsbecken 18 an
geordnet. Zum Transport der Waferpakete zwischen den Pushern 12 und 14
und den Behandlungsbecken 16 und 18 ist eine Transportvorrichtung in der
Form einer bewegbaren Haube 20 vorgesehen. Die Behandlungsbecken 16
und 18 sind in einer Reihe mit den Pushern 12 und 14 angeordnet. Durch die
Reihenanordnung der Pusher 12, 14 und der Behandlungsbecken 16, 18
reicht es aus, daß die Haube nur in zwei Bewegungsrichtungen, d. h. hori
zontal und vertikal, bewegbar ist.
Innerhalb der Behandlungsstation 2 ist ferner eine Chemikalien-Versorgungs
einrichtung 22, beispielsweise für SC1, d. h. eine Mischung aus Ammoniak,
Wasserstoffperoxid und Wasser vorgesehen. Auf die Chemikalien-Versor
gungseinrichtung 22 wird nachfolgend unter Bezugnahme auf Fig. 2 näher
eingegangen.
Wie aus Fig. 1 zu erkennen ist, muß die Haube 20 vor dem Beladen des Be
handlungsbeckens 18 bzw. nach dem Entladen des Behandlungsbeckens 18
jeweils das Behandlungsbecken 16 überqueren. Dabei könnte eine Beeinflus
sung der in der Haube 20 befindlichen Wafer durch die in dem Behandlungs
becken 16 ablaufenden Behandlungsvorgänge erfolgen. Daher können die
Behandlungsbecken 16, 18 alternativ auf gegenüberliegenden Seiten der
Pusher 12, 14 angeordnet sein, damit ein Überqueren des Behandlungsbec
kens 16 zum Be- und Entladen des Behandlungsbeckens 18 entfällt. Darüber
hinaus ist es auch möglich, die Behandlungsbecken 16, 18 derart nebenein
ander anzuordnen, daß die Haube 20 auf dem Weg zu einem der Behand
lungsbecken nicht das andere überqueren muß. In diesem Fall ist allerdings
ein komplizierterer Bewegungsmechanismus für die Haube 20 notwendig, da
diese neben einer Linear- und Vertikalbewegung auch eine Bewegung in eine
dritte Richtung durchführen müßte.
Anhand der Fig. 2 wird nun der Aufbau und die Funktion der Chemikalien-
Versorgungseinrichtung 22 näher erläutert. Die Chemikalien-
Versorgungseinrichtung 22 beinhaltet eine Heizvorrichtung 24, eine Mischvor
richtung 26, eine Pumpe 28, Filter 29, 30, eine Konzentrationsvorrichtung 32
sowie eine Temperiervorrichtung 34. Die jeweiligen Elemente sind über Lei
tungen in der in Fig. 2 gezeigten Weise miteinander verbunden, um einen ge
schlossenen Kreislauf zu bilden.
Die Heizvorrichtung 24 und/oder die Mischvorrichtung 26 stehen über Leitun
gen mit Chemikalienbehältern in Verbindung, über die die benötigten Chemi
kalien in den Kreislauf eingeführt werden. Natürlich ist es auch denkbar, die
Chemikalien an einer anderen Stelle in den Kreislauf einzuleiten.
Von dem geschlossenen Kreislauf erstrecken sich Leitungen 36, 38 zu Einläs
sen 37, 39 der ersten und zweiten Behandlungsbecken 16, 18. Von dem Be
handlungsbecken 16, 18 erstrecken sich Rückführleitungen 40, 42 zurück zu
dem Kreislauf in der Chemikalien-Versorgungseinrichtung 22.
Wie in Fig. 2 zu erkennen ist, besitzt das erste Behandlungsbecken 16 einen
Ablaß 44. Der Ablaß 44 besitzt eine relativ große Öffnung, die ein rasches
Ablassen des in dem Behandlungsbecken 16 befindlichen Behandlungsfluids
ermöglicht. Darüber hinaus besitzt das Behandlungsbecken 16 einen Überlauf
46, der mit einem Ablaß verbunden ist, um über das Becken hinwegströmen
des Behandlungsfluid abzuleiten.
Das Behandlungsbecken 18 besitzt in gleicher Weise einen Ablaß 48 und ei
nen Überlauf 50. Die Rückführleitungen 40, 42 können mit den Überläufen 46,
50 und/oder den Ablässen 44, 48 in Verbindung stehen.
Innerhalb der Chemikalien-Versorgungseinrichtung bilden insbesondere die
Heizvorrichtung 24 und die Mischvorrichtung 26 eine Chemikalien-
Aufbereitungseinheit, in der die Chemikalien für eine Behandlung von Wafern
in den Behandlungsbecken 16, 18 vorbereitet werden. Die Kapazität der
Chemikalien-Versorgungseinrichtung, und insbesondere der Chemikalien-
Aufbereitungseinheit ist für ein einzelnes Behandlungsbecken 16 oder 18
ausgelegt. Nach der Aufbereitung der Chemikalien werden diese über die
Pumpe 28 und die Filter 29, 30 zu dem Behandlungsbecken 16 oder 18 ge
leitet, in denen es für eine vorbestimmte Zeitperiode gehalten wird, um eine
Behandlung der darin enthaltenen Wafer durchzuführen. Anschließend wer
den die Chemikalien von dem Behandlungbecken 16 oder 18 zu der Chemi
kalien-Versorgungseinrichtung 22 zurückgeleitet. Dort werden sie innerhalb
der Konzentrationsvorrichtung 32 konzentriert und zu der Temperiervorrich
tung 34 weitergeleitet, in der sie temperiert werden. Von dort gehen die Che
mikalien zu der Heizvorrichtung 24, in der sie in geeigneter Weise auf die Be
handlungstemperatur erwärmt werden.
Von der Heizvorrichtung 24 werden die Chemikalien zu der Mischvorrichtung
26 geleitet, in der ggf. frische Chemikalien zugesetzt und vermischt werden,
bevor sie über die Pumpe 28 und die Filter 29, 30 zu dem anderem der Bec
ken 16, 18 geleitet werden. Die Aufbereitung der Chemikalien innerhalb der
Chemikalien-Versorgungseinrichtung nimmt eine gewisse Zeit in Anspruch, so
daß die Prozeßabläufe innerhalb der Becken 16, 18 in bestimmter Weise ge
steuert werden, wie nachfolgend anhand der Fig. 4 näher beschrieben wird.
Obwohl oben unter Bezugnahme auf die Fig. 2 beschrieben wurde, daß das
gesamte Behandlungsfluid nach einer Behandlung in dem Becken 16, 18 zu
der Chemikalien-Versorgungseinrichtung zurückgeleitet wird, ist es auch
möglich, daß es entweder nur teilweise oder überhaupt nicht zurückgeleitet
wird und entweder über den Überlauf 46, 50 oder den Ablaß 44, 48 abgeleitet
wird.
Anhand der Fig. 3 wird nun die Chemikalien-Versorgungseinrichtung 5 für
verdünnte Flußsäure (DHF) beschrieben. Die Einrichtung 5 beinhaltet eine
Mischvorrichtung 52, eine Pumpe 54, Filter 55, 56, 57, einer Temperiervor
richtung 58 und eine Konzentrationsvorrichtung 60, die über jeweilige Leitun
gen miteinander verbunden sind, um einen geschlossenen Kreislauf zu bilden.
Der Kreislauf ist über geeignete Leitungen 61, 62 mit den Einlässen 37, 39
der Behandlungsbecken 16, 18 verbunden. Die Kapazität der Chemikalien-
Versorgungseinrichtung 5 ist für ein Behandlungsbecken 16, 18 ausgelegt und
kann immer nur ein Becken mit DHF versorgen. Die Mischvorrichtung 52 steht
mit Chemikalienbehältern in Verbindung, über die Chemikalien in den Kreis
lauf eingeleitet werden können. Die Chemikalien in dem Kreislauf befinden
sich in ständiger Bewegung und, sofern sie nicht über die Leitungen 61, 62 zu
den Becken 16, 18 geleitet werden, strömen sie in den geschlossenen Kreis
lauf.
Die Chemikalien-Versorgungseinrichtung 5 ist für relativ hohe Strömungsge
schwindigkeiten, wie beispielsweise 50 Liter pro Minute, ausgelegt, und die
Chemikalien können ohne erhebliche Vorbereitungszeit sofort zur Verfügung
gestellt werden.
Anhand der Fig. 4 wird nun die zeitlich versetzte Steuerung der Prozeßab
läufe in den Behandlungbecken 16, 18, die über eine nicht dargestellte Steu
ereinrichtung erfolgt, erläutert. Fig. 4 zeigt eine zeitliche Abfolge der Pro
zeßabläufe in den einzelnen Behandlungsbecken, wobei die Zeitachse von
oben nach unten verläuft.
Die in der Figur verwendeten Abkürzungen haben folgende Bedeutungen:
SC1 = Behandlung der Wafer mit dem in der Chemikalien-Versorgungs einrichtung 22 aufbereiteten SC1;
OR = Overflow Rinse, d. h. das in dem jeweiligen Becken befindliche Be handlungsfluid wird durch Einleiten eines anderen Behandlungs fluids aus dem Becken verdrängt und zum Überströmen gebracht;
QDR = Quick Dump Rinse, d. h. das in dem Becken befindliche Behand lungsfluid wird über den jeweiligen Auslaß 44 oder 48 sehr schnell abgelassen;
DHF = Behandlung der Wafer mit verdünnter Flußsäure;
FR = Final Rinse, d. h. die Wafer werden mit deionisiertem Wasser ge spült;
MG/Dry = die Substrate werden aus dem Behandlungsfluid herausbewegt und gemäß dem Marangoni-Verfahren getrocknet.
SC1 = Behandlung der Wafer mit dem in der Chemikalien-Versorgungs einrichtung 22 aufbereiteten SC1;
OR = Overflow Rinse, d. h. das in dem jeweiligen Becken befindliche Be handlungsfluid wird durch Einleiten eines anderen Behandlungs fluids aus dem Becken verdrängt und zum Überströmen gebracht;
QDR = Quick Dump Rinse, d. h. das in dem Becken befindliche Behand lungsfluid wird über den jeweiligen Auslaß 44 oder 48 sehr schnell abgelassen;
DHF = Behandlung der Wafer mit verdünnter Flußsäure;
FR = Final Rinse, d. h. die Wafer werden mit deionisiertem Wasser ge spült;
MG/Dry = die Substrate werden aus dem Behandlungsfluid herausbewegt und gemäß dem Marangoni-Verfahren getrocknet.
Zunächst wird das Behandlungsbecken 18 (STT2) mit Wafern beladen, wäh
rend gleichzeitig das SC1 in der Chemikalien-Versorgungseinrichtung 22 auf
bereitet wird. Nach dem Beladen wird für eine bestimmte Zeitperiode eine Be
handlung der Wafer mit SC1 in dem Behandlungsbecken 18 durchgeführt.
Nach der Behandlung wird der Zufluß von SC1 in das Behandlungsbecken 18
gestoppt, und gleichzeitig wird in der Chemikalien-Versorgungseinrichtung 22
neues SC1 für die nächste Behandlung aufbereitet. Das noch in dem Be
handlungsbecken 18 befindliche SC1 wird zum Spülen der Wafer durch Ein
leiten von DI-Wasser aus dem Becken verdrängt und zum Überlaufen ge
bracht oder das SC1 wird über den Schnellablaß 48 abgelassen, und nachfol
gend wird DI-Wasser in das Becken 18 eingeleitet. Anschließend wird für eine
gewisse Zeitperiode DHF in das Behandlungsbecken 18 eingeleitet und dort
gehalten bzw. ständig dorthindurchgeleitet. Nach der DHF-Behandlung der
Wafer wird das DHF durch Einleiten von deionisiertem Wasser aus dem Bec
ken verdrängt und zum Überlaufen gebracht, und die Wafer werden mit deio
nisiertem Wasser gespült. Anschließend werden die Wafer beim Entnehmen
aus dem deionisiertem Wasser gemäß dem Marangoni-Verfahren getrocknet.
Nun wird das Behandlungsbecken 18 entladen und nach einer kurzen Zwi
schenzeit, die notwendig ist, um die gereinigten Wafer abzutransportieren und
neue zu reinigende Substrate zu holen, erneut beladen.
Zeitlich versetzt dazu läuft der oben beschriebene Prozeß auch in dem Be
handlungsbecken 16, wobei das Behandlungsbecken 16 während der DHF-
Behandlung in dem Becken 18 mit Wafern beladen wird. Die SC1-Behandlung
in dem Becken 16 wird während des Overflow Rinse/Final
Rinse und der Marangoni-Trocknung in dem Becken 18 durchgeführt. Das Ausleiten der
SC1-Chemikalie und das Einleiten der DHF-Chemikalie in das Behandlungs
becken 16 erfolgt während des Entladens des Beckens 18, und die DHF-
Behandlung in dem Becken 16 erfolgt während der Pause zwischen dem
Entladen und dem Beladen des Beckens 18. Das Overflow Rinse/Final Rinse
im Becken 16 erfolgt während des Beladens des Beckens 18. Die Marangoni-
Trocknung und das Entladen des Beckens 16 erfolgen während der SC1-
Behandlung im Becken 18.
Durch die wie oben beschriebene zeitlich versetzte Steuerung wird sicherge
stellt, daß zwischen dem Ende der SC1-Behandlung im Becken 18 und dem
Beginn der SC1-Behandlung im Becken 16 ein für die Aufbereitung der SC1-
Chemikalie ausreichender Zeitraum verbleibt. Ferner sind die DHF-
Behandlung und die Overflow Rinse/Final Rinse Behandlungen in den jewei
ligen Becken zeitlich so versetzt, daß sie sich nicht überschneiden. Aufgrund
dieses zeitlichen Versatzes zwischen den Prozeßabläufen in den Behand
lungsbecken 16 und 18 ist es möglich, trotz der erforderlichen Aufbereitungs
zeit für das SC1 eine SC1-Versorgungseinrichtung zu verwenden, deren Ka
pazität im wesentlichen für die Bedienung nur eines Behandlungsbeckens
ausgelegt ist. Dasselbe gilt für die DHF-Versorgungseinrichtung, obwohl bei
dieser nicht die Problematik einer erheblichen Aufbereitungszeit für die Che
mikalie zwischen aufeinanderfolgenden Behandlungsvorgängen gegeben ist.
Darüber hinaus erfolgt das Be- und Entladen des Behandlungsbeckens 18
jeweils zwischen den SC1-Behandlungsschritten im Behandlungsbecken 16.
Dadurch wird erreicht, daß der Transport der Wafer zu dem Becken 18 und
von dem Becken 18 weg jeweils zwischen den SC1-Behandlungsschritten im
Becken 16 erfolgt, so daß die über das Becken 16 hinweg transportierten
Wafer nicht durch die SC1-Behandlung in dem Becken 16 beeinträchtigt wer
den können.
Obwohl die Erfindung anhand eines bevorzugten Ausführungsbeispiels be
schrieben wurde, sei bemerkt, daß die Erfindung nicht auf das konkret darge
stellte Ausführungsbeispiel beschränkt ist. Beispielsweise könnte eine Abdec
kung in der Form eines im wesentlichen flachen Deckels vorgesehen sein, um
wenigstens eines der Becken abzudecken, wenn die Handhabungsvorrichtung
über das Becken hinweg bewegt wird. Der Deckel könnte das Becken entwe
der nur abdecken oder dicht verschließen, um eine Verunreinigung der Hand
habungsvorrichtung bzw. der darin aufgenommenen Wafer zu verhindern.
Insbesondere können auch die verwendeten Chemikalien sowie die Prozeß
abläufe innerhalb der Behandlungsbecken von den konkret dargestellten ab
weichen.
Claims (30)
1. Verfahren zum Behandeln von Substraten in wenigstens einem von
zwei Becken, die jeweils mit wenigstens zwei Behandlungsfluids befüll
bar sind, mit den folgenden Verfahrensschritten:
- a) Aufbereiten eines ersten Behandlungsfluids in einer für beide necken gemeinsamen Behandlungsfluid-Aufbereitungseinheit, deren Kapazität für ein Becken ausgelegt ist,
- b) Beladen des Beckens mit Substraten,
- c) Einleiten des ersten Behandlungsfluids in das Becken für eine vorbestimmte Zeitperiode,
- d) Einleiten des wenigstens zweiten Behandlungsfluids in das Becken, und
- e) Entnehmen der Substrate aus den Becken,
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das erste
Behandlungsfluid vor dem Einleiten des zweiten Behandlungsfluid ab
gelassen wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das erste
Behandlungsfluid durch das Einleiten des zweiten Behandlungsfluid aus
dem Becken verdrängt wird.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge
kennzeichnet, daß das erste Behandlungsfluid bei der Aufbereitung aus
unterschiedlichen Chemikalien gemischt und/oder erwärmt wird.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge
kennzeichnet, daß das erste Behandlungsfluid nach dem Ende des
Schritts c) jeweils wenigstens teilweise zur Behandlungsfluid-Aufberei
tungseinheit zurückgeleitet wird.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge
kennzeichnet, daß sich die Aufbereitung des ersten Behandlungsfluid
und die Beladung des Beckens zumindest teilweise zeitlich über
schneiden.
7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet
durch Einleiten eines dritten Behandlungsfluids.
8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge
kennzeichnet, daß das zweite und/oder dritte Fluid ein Spülfluid ist.
9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge
kennzeichnet, daß die zweiten und/oder dritten Behandlungsfluide über
jeweils für beide Becken gemeinsame Behandlungsfluid-Versorgungs
einrichtungen bereitgestellt werden.
10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Becken mit einer gemeinsamen Handhabungs
vorrichtung be- und entladen werden.
11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Substrate zum Be- und Entladen des einen Bec
kens über das andere Becken hinweg bewegt werden, und daß diese
Bewegung nur während eines Spülvorgangs in dem anderen Becken
erfolgt.
12. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche dadurch ge
kennzeichnet, daß eines der Becken während einer Bewegung einer
Handhabungsvorrichtung darüber hinweg abgedeckt wird.
13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß das Becken
mittels eines im wesentlichen flachen Deckels abgedeckt wird.
14. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Handhabungsvorrichtung auf eine gemeinsame
Eingabe-/Ausgabestation zugreift.
15. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Substrate bei der Entnahme aus dem jeweiligen
Becken getrocknet werden.
16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die
Trocknung nach dem Marangoni-Prinzip erfolgt.
17. Vorrichtung zum Behandeln von Substraten mit
- - zwei mit wenigstens zwei Behandlungsfluids befüllbaren Becken,
- - wenigstens einer ersten, für die Becken gemeinsamen Behandlungs fluid-Versorgungseinrichtung, die wenigstens eine Behandlungsfluid- Aufbereitungseinheit aufweist, deren Kapazität für ein Becken aus gelegt ist,
- - wenigstens einer zweiten Behandlungsfluid-Versorgungseinrichtung, und
- - einer Steuervorrichtung zum zeitlich versetzten Steuern von paralle len Prozeßabläufen in den jeweiligen Becken.
18. Vorrichtung nach Anspruch 17, gekennzeichnet durch ein Schnellab
lassventil am Boden jedes Beckens.
19. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 17 oder 18, gekennzeichnet
durch einen Überlauf an jedem Becken.
20. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis 19, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Behandlungsfluid-Aufbereitungseinheit eine Chemika
lien-Mischvorrichtung und/oder eine Heizvorrichtung aufweist.
21. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis 20, dadurch gekenn
zeichnet, daß die erste Behandlungsfluid-Versorgungseinrichtung einen
Fluid-Kreislauf aufweist.
22. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis 21, gekennzeichnet
durch eine Einrichtung zum Zurückleiten von Behandlungsfluid von den
Becken zu der ersten Behandlungsfluid-Versorgungseinrichtung.
23. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis 22, gekennzeichnet
durch eine Wiederaufbereitungseinheit innerhalb der ersten Behand
lungsfluid-Versorgungseinrichtung.
24. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis 23, gekennzeichnet
durch eine gemeinsame Substrat-Handhabungsvorrichtung zum Be-
und Entladen beider Becken.
25. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis 24, gekennzeichnet
durch eine bewegbare Abdeckung für wenigstens eines der Becken.
26. Vorrichtung nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, daß die Ab
deckung ein im wesentlicher flacher Deckel ist.
27. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis 26, gekennzeichnet
durch eine Eingabe-/Ausgabestation für die Bereitstellung von Sub
straten für beide Becken.
28. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis 27, gekennzeichnet
durch eine Einrichtung zum Verdichten der Substrate für die Behand
lung in den beiden Becken.
29. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis 28, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Eingabestation die Einrichtung zum Verdichten der
Substrate und/oder die beiden Becken in einer Reihe angeordnet sind.
30. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis 29, dadurch gekenn
zeichnet, daß die beiden Becken auf unterschiedlichen Seiten der Ein
richtung zum Verdichten der Substrate angeordnet sind.
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- 1999-06-10 DE DE19926462A patent/DE19926462C1/de not_active Expired - Fee Related
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- 2000-02-02 KR KR1020017010481A patent/KR20020018651A/ko not_active Application Discontinuation
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