JPS61133633A - 半導体ウエ−ハの洗浄装置 - Google Patents
半導体ウエ−ハの洗浄装置Info
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- JPS61133633A JPS61133633A JP25594784A JP25594784A JPS61133633A JP S61133633 A JPS61133633 A JP S61133633A JP 25594784 A JP25594784 A JP 25594784A JP 25594784 A JP25594784 A JP 25594784A JP S61133633 A JPS61133633 A JP S61133633A
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- H01L21/3046—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、製造処理工程で汚染した半導体ウェーハを
薬液及び純水で洗浄するようにした、半導体ウェーハの
洗浄装置に関する０ 〔従来の技術〕 従来の製造工程における半導体ウェーハ（以下「ウェー
ハ」と称する）の洗浄装置は、第２図に構成図で示すよ
うになっていた。（１）及び（２）は薬液槽で、ウェー
ハに付着している処理液や異物を除去するための薬液が
ためられている０（３）及び（４）は薬液槽（１）及び
（２）に順に浸漬処理されたウェーハを純水で洗浄する
洗浄槽、（５）は洗浄？１（４）からのウェーハに純水
を噴射後、遠心脱水乾燥するすすぎ乾燥機である。（６
）は薬液の供給管、（７）は弁、（８）は汚れた薬液の
排出管、（９）は弁、α〔は薬液槽１１） 、 ＋２）
に供給された薬液を洗浄効率のよいように８０°〜１５
０℃に加熱するヒータである。
薬液及び純水で洗浄するようにした、半導体ウェーハの
洗浄装置に関する０ 〔従来の技術〕 従来の製造工程における半導体ウェーハ（以下「ウェー
ハ」と称する）の洗浄装置は、第２図に構成図で示すよ
うになっていた。（１）及び（２）は薬液槽で、ウェー
ハに付着している処理液や異物を除去するための薬液が
ためられている０（３）及び（４）は薬液槽（１）及び
（２）に順に浸漬処理されたウェーハを純水で洗浄する
洗浄槽、（５）は洗浄？１（４）からのウェーハに純水
を噴射後、遠心脱水乾燥するすすぎ乾燥機である。（６
）は薬液の供給管、（７）は弁、（８）は汚れた薬液の
排出管、（９）は弁、α〔は薬液槽１１） 、 ＋２）
に供給された薬液を洗浄効率のよいように８０°〜１５
０℃に加熱するヒータである。
上記従来装置において、カセットに収容した多数枚のウ
ェーハ（図示は略す）を、薬液槽（１） 、 （２）の
高温の薬液に順次浸漬し、つづいて、水洗槽（３）。
ェーハ（図示は略す）を、薬液槽（１） 、 （２）の
高温の薬液に順次浸漬し、つづいて、水洗槽（３）。
（４）に順次入れられ、純水で洗われる。次にウェーハ
はすすぎ乾燥機（５）Ｋ入れられ、純水の噴射を受けて
から遠心脱水乾燥される。
はすすぎ乾燥機（５）Ｋ入れられ、純水の噴射を受けて
から遠心脱水乾燥される。
薬液槽１１） 、 ＋２）でのウェーハの浸漬処理で、
ウェーハの持込みなどによる異物が薬液中に増加し、ウ
ェーハの洗浄能力が低下するので、数十サイクルの浸漬
使用後、ウェーハの浸漬処理を中断し、薬液の加熱をや
め、温度が５０″Ｃ以下になるのを待って排出していた
。つづいて、新薬液を供給管（６）により空の薬液槽（
１）又は（２）に供給し、ヒータ（Ｉｎで薬液を８０〜
１５０°Ｃに加熱し、処理を再開し、とのような操作を
繰返していた。
ウェーハの持込みなどによる異物が薬液中に増加し、ウ
ェーハの洗浄能力が低下するので、数十サイクルの浸漬
使用後、ウェーハの浸漬処理を中断し、薬液の加熱をや
め、温度が５０″Ｃ以下になるのを待って排出していた
。つづいて、新薬液を供給管（６）により空の薬液槽（
１）又は（２）に供給し、ヒータ（Ｉｎで薬液を８０〜
１５０°Ｃに加熱し、処理を再開し、とのような操作を
繰返していた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記のような従来のウェーハの洗浄装置では、使用薬液
に汚れがでてきても、温度が高くて使用中に薬液を循環
ろ過することはできなかった。このため、薬液が汚れた
薬液槽（１）又は（２）のウェーハの浸漬を中止し、薬
液の６温度低下をまち排出しなければならず、生産性を
低下させていた。また、排出薬液の処理が面倒であり、
排出量が多いことは好ましくなかった。このため、薬液
をできるだけ長く使用し、処理サイクル数を増加すると
、薬液中の異物量が増加し、処理されたウェーハに異物
が付着し、パターン欠陥や薄酸化膜の絶縁特性の低下な
ど悪影響を及ぼすという問題点があった。
に汚れがでてきても、温度が高くて使用中に薬液を循環
ろ過することはできなかった。このため、薬液が汚れた
薬液槽（１）又は（２）のウェーハの浸漬を中止し、薬
液の６温度低下をまち排出しなければならず、生産性を
低下させていた。また、排出薬液の処理が面倒であり、
排出量が多いことは好ましくなかった。このため、薬液
をできるだけ長く使用し、処理サイクル数を増加すると
、薬液中の異物量が増加し、処理されたウェーハに異物
が付着し、パターン欠陥や薄酸化膜の絶縁特性の低下な
ど悪影響を及ぼすという問題点があった。
この発明は、このような問題点を解決するためになされ
たもので、薬液槽の薬液が所定浸漬サイクル数を終えて
も再使用ができ、ウェーハの薬液槽への浸漬処理の中止
をなくして生産性を向上し、薬液の使用量が低減され、
排出薬液量を減少できるウェーハ洗浄装置を得ることを
目的としている。
たもので、薬液槽の薬液が所定浸漬サイクル数を終えて
も再使用ができ、ウェーハの薬液槽への浸漬処理の中止
をなくして生産性を向上し、薬液の使用量が低減され、
排出薬液量を減少できるウェーハ洗浄装置を得ることを
目的としている。
この発明にかかるウェーハの洗浄装置は、常用の薬液槽
の外に予備として交代の薬液槽を設は薬液を入れておき
、常用の薬液槽の薬液が所定処理回数に至ると、交代の
薬液槽でウェーハの浸漬処理をするようにし、使用限度
に至った薬液を排出して冷却槽に入れ温度降下させ、低
温になった薬液をフィルタに通しろ過して元の薬液槽に
戻し再使用するようにしたものである。
の外に予備として交代の薬液槽を設は薬液を入れておき
、常用の薬液槽の薬液が所定処理回数に至ると、交代の
薬液槽でウェーハの浸漬処理をするようにし、使用限度
に至った薬液を排出して冷却槽に入れ温度降下させ、低
温になった薬液をフィルタに通しろ過して元の薬液槽に
戻し再使用するようにしたものである。
この発明においては、常用の薬液槽の薬液が所定処理回
数に至るとウェーハが交代の薬液槽で浸漬処理され、使
用中止の薬液槽の薬液は排出され冷却槽で低温になり、
フィルタでろ過され異物が除去されて元の薬液槽に戻さ
れ、こうして薬液は数回の繰返し再使用がされる０ 〔実施例〕 第１図はこの発明によるウェーハの洗浄装置の一実施例
を示す構成図であり、（１）〜（５） ’＋ （７）
、 （９） 。
数に至るとウェーハが交代の薬液槽で浸漬処理され、使
用中止の薬液槽の薬液は排出され冷却槽で低温になり、
フィルタでろ過され異物が除去されて元の薬液槽に戻さ
れ、こうして薬液は数回の繰返し再使用がされる０ 〔実施例〕 第１図はこの発明によるウェーハの洗浄装置の一実施例
を示す構成図であり、（１）〜（５） ’＋ （７）
、 （９） 。
Ｑｌは上記従来装置と同一のものである。（ホ）は交代
用の薬液槽で、収容した薬液を加熱するヒータａ〔が設
けられである。に）は各薬液槽＜１１．１２） 、 ｅ
Ａの薬液を排出する排出管、翰はとの排出管ｅηからの
薬液を一時ためておき、低温に降下させるための冷却槽
、（財）は冷却槽（イ）の薬液の温度を検出する温度セ
ンサ、（ハ）は冷却槽（イ）の薬液を送る送り管、に）
はポンプ、（ホ）は送り管（ハ）の途中に入れられ低温
の薬液が通され、異物を除去するフィルタ、（支）は弁
、に）は新薬液の供給管、翰は使用できなくなった薬液
の排出管、（至）は弁である。
用の薬液槽で、収容した薬液を加熱するヒータａ〔が設
けられである。に）は各薬液槽＜１１．１２） 、 ｅ
Ａの薬液を排出する排出管、翰はとの排出管ｅηからの
薬液を一時ためておき、低温に降下させるための冷却槽
、（財）は冷却槽（イ）の薬液の温度を検出する温度セ
ンサ、（ハ）は冷却槽（イ）の薬液を送る送り管、に）
はポンプ、（ホ）は送り管（ハ）の途中に入れられ低温
の薬液が通され、異物を除去するフィルタ、（支）は弁
、に）は新薬液の供給管、翰は使用できなくなった薬液
の排出管、（至）は弁である。
上記一実施例の装置によるウェーハの洗浄は、次のよう
にする。まず、新薬液が冷却槽（イ）に供給され、ポン
プ（ハ）によシ送り管（ハ）からフィルタ（ホ）釦通さ
れ、各薬液槽（１１、（２１、翰に供給充満される０そ
こで、薬液槽（１） 、 ＋２）のヒータ傾が入れられ
薬液が設定した高温度に達すると、ウェーハを薬液槽（
１） 、 （２）に順に一定時間宛浸漬する。つづいて
、薬液槽（２）からのウェーハを水洗槽（３） 、 （
４）に順に入れ純水で洗う。ついで、ウェーハをすすぎ
乾燥機（５）に入れ、純水の噴射をしてから遠心脱水乾
燥する。
にする。まず、新薬液が冷却槽（イ）に供給され、ポン
プ（ハ）によシ送り管（ハ）からフィルタ（ホ）釦通さ
れ、各薬液槽（１１、（２１、翰に供給充満される０そ
こで、薬液槽（１） 、 ＋２）のヒータ傾が入れられ
薬液が設定した高温度に達すると、ウェーハを薬液槽（
１） 、 （２）に順に一定時間宛浸漬する。つづいて
、薬液槽（２）からのウェーハを水洗槽（３） 、 （
４）に順に入れ純水で洗う。ついで、ウェーハをすすぎ
乾燥機（５）に入れ、純水の噴射をしてから遠心脱水乾
燥する。
各薬液槽＋１） 、 （２１、Ｈの薬液の自動交換は、
次のようにして行われる０薬液槽＋１１ 、 （２）
、 ｅｌｌごとにウェーハの処理回数を計数している。
次のようにして行われる０薬液槽＋１１ 、 （２）
、 ｅｌｌごとにウェーハの処理回数を計数している。
例として薬液槽（２）が所定回数の５サイクル前になる
と、待期していた薬液槽（イ）のヒータａ〔が入れられ
る。この檜の薬液の温度が所定値に上昇後、薬液槽（２
）が所定処理回数に達するとこの槽の使用を中止し、薬
液槽翰に交代して使用を開始する。薬液槽（２）の薬液
を排出管Ｑηから冷却槽（イ）に入れろ。ここで薬液が
冷却され温度が５０°Ｃ以下に力ると、温度センサ（ホ
）の検出信号によりポンプ（ハ）が始動し、薬液は送り
管（ハ）からフィルタ翰に通されろ過され、薬液槽（２
）に戻され待摘状態になる０次Ｋ、薬液槽（１）が所定
処理回数の５サイクル前になると、薬液槽（２）のヒー
タＯＱが入れられる。
と、待期していた薬液槽（イ）のヒータａ〔が入れられ
る。この檜の薬液の温度が所定値に上昇後、薬液槽（２
）が所定処理回数に達するとこの槽の使用を中止し、薬
液槽翰に交代して使用を開始する。薬液槽（２）の薬液
を排出管Ｑηから冷却槽（イ）に入れろ。ここで薬液が
冷却され温度が５０°Ｃ以下に力ると、温度センサ（ホ
）の検出信号によりポンプ（ハ）が始動し、薬液は送り
管（ハ）からフィルタ翰に通されろ過され、薬液槽（２
）に戻され待摘状態になる０次Ｋ、薬液槽（１）が所定
処理回数の５サイクル前になると、薬液槽（２）のヒー
タＯＱが入れられる。
このようにして、各薬液槽ｔｌ） 、 ＋２） 、 Ｈ
の使用前の新薬液は、昇温→ウェーハ処理（所定回数）
→冷却槽（イ）での冷却→ろ過→元の薬液槽へ戻し→昇
温→ウェーハ処理（所定回数）と、この循環サイクルを
２．３回繰返し使用された後、限度に至った薬液として
排出管−から排出される。つづいて、再び冷却槽（イ）
に新薬液が供給される。
の使用前の新薬液は、昇温→ウェーハ処理（所定回数）
→冷却槽（イ）での冷却→ろ過→元の薬液槽へ戻し→昇
温→ウェーハ処理（所定回数）と、この循環サイクルを
２．３回繰返し使用された後、限度に至った薬液として
排出管−から排出される。つづいて、再び冷却槽（イ）
に新薬液が供給される。
なお、上記実施例では常用の薬液槽を２檜と、水洗槽を
２槽とを設けたが、必要によシそれぞれ槽数を変えても
よい０ 〔発明の効果〕 以上のように、この発明によれば、それぞれ薬液を充て
んした複数槽の薬液槽のうち、一槽を交代用に待誘し、
薬液を高温にして使用中の他の檜がウェーハの所定処理
回数に至ると使用中止し、交代の槽を使用し°、使用中
止の槽の薬液を冷却槽に入れ低温にし、フィルタに通し
て元の薬液槽に戻すようにし、使用限度に至った薬液は
外部に排出し、新液を補充するようにしたので、ウェー
７１の薬液槽への浸漬処理が中止することなく連続して
行え、自動化することができ、生産性が向上され、薬液
の再使用ができ排出量が低減し、薬液の使用量が減少さ
れる０
２槽とを設けたが、必要によシそれぞれ槽数を変えても
よい０ 〔発明の効果〕 以上のように、この発明によれば、それぞれ薬液を充て
んした複数槽の薬液槽のうち、一槽を交代用に待誘し、
薬液を高温にして使用中の他の檜がウェーハの所定処理
回数に至ると使用中止し、交代の槽を使用し°、使用中
止の槽の薬液を冷却槽に入れ低温にし、フィルタに通し
て元の薬液槽に戻すようにし、使用限度に至った薬液は
外部に排出し、新液を補充するようにしたので、ウェー
７１の薬液槽への浸漬処理が中止することなく連続して
行え、自動化することができ、生産性が向上され、薬液
の再使用ができ排出量が低減し、薬液の使用量が減少さ
れる０
第１図はこの発明によるウェーノーの洗浄装置の一実施
例の構成図１、第２図は従来のウェーハの洗浄装置の構
成図である。 １．２・・・薬液槽、３．４・・・水洗槽、５・・・乾
燥機（すすぎ乾燥機）、１０・・・ヒータ、２０・・・
交代用薬液槽、２２・・・冷却槽、２４・・・送り管、
２５・・・ポンプ、２６・・・フィルタ
例の構成図１、第２図は従来のウェーハの洗浄装置の構
成図である。 １．２・・・薬液槽、３．４・・・水洗槽、５・・・乾
燥機（すすぎ乾燥機）、１０・・・ヒータ、２０・・・
交代用薬液槽、２２・・・冷却槽、２４・・・送り管、
２５・・・ポンプ、２６・・・フィルタ
Claims (1)
- 薬液槽の高温にした薬液に半導体ウェーハを浸漬し汚染
を除き、この半導体ウェーハを水洗槽で洗い、この水洗
槽からのウェーハを乾燥機に入れ、乾燥するようにした
装置において、それぞれ薬液をためており、そのうちの
１種を交代用に待機させてあり、他の槽がウェーハの所
定処理回数に至ると使用を中止し、上記交代用の槽を使
用するようにした複数槽の薬液槽、上記使用中止の薬液
槽から排出された高温の薬液を受入れ、温度降下させる
冷却槽、この冷却槽の低温に下つた薬液を元の薬液槽に
戻す送り管、及びこの送り管の途中に設けられ、戻す薬
液をろ過するフィルタを備え、上記薬液槽の所定使用限
度に至つた薬液は上記冷却槽を経て外部に排出し、補充
の新薬液を上記冷却槽に入れ、上記フィルタに通して空
の上記薬液槽に充てんするようにしたことを特徴とする
半導体ウェーハの洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25594784A JPS61133633A (ja) | 1984-12-03 | 1984-12-03 | 半導体ウエ−ハの洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25594784A JPS61133633A (ja) | 1984-12-03 | 1984-12-03 | 半導体ウエ−ハの洗浄装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61133633A true JPS61133633A (ja) | 1986-06-20 |
| JPH0481858B2 JPH0481858B2 (ja) | 1992-12-25 |
Family
ID=17285786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25594784A Granted JPS61133633A (ja) | 1984-12-03 | 1984-12-03 | 半導体ウエ−ハの洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61133633A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01135024A (ja) * | 1987-11-20 | 1989-05-26 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 洗浄方法 |
| DE19926462C1 (de) * | 1999-02-18 | 2000-11-30 | Steag Micro Tech Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von Substraten |
| KR100891067B1 (ko) | 2007-12-03 | 2009-03-31 | 주식회사 동부하이텍 | 웨트 스테이션 장치 |
| KR101099737B1 (ko) | 2010-01-05 | 2011-12-28 | 세메스 주식회사 | 고온의 약액을 공급하는 장치 |
| JP2018018990A (ja) * | 2016-07-28 | 2018-02-01 | 株式会社カネカ | エッチング処理装置、およびエッチング処理方法 |
| CN111370294A (zh) * | 2020-03-17 | 2020-07-03 | 长江存储科技有限责任公司 | 采用化学试剂对晶圆处理的方法、装置和存储介质 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57148480U (ja) * | 1981-03-12 | 1982-09-17 | ||
| JPS587830A (ja) * | 1981-07-08 | 1983-01-17 | Hitachi Ltd | 薄片状物品の洗浄方法及び装置 |
| JPS5981030U (ja) * | 1982-11-24 | 1984-05-31 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | 半導体製造装置 |
| JPS59123581A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-17 | 株式会社東芝 | 洗浄装置 |
-
1984
- 1984-12-03 JP JP25594784A patent/JPS61133633A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57148480U (ja) * | 1981-03-12 | 1982-09-17 | ||
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| JPS5981030U (ja) * | 1982-11-24 | 1984-05-31 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | 半導体製造装置 |
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Cited By (7)
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|---|---|---|---|---|
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| DE19926462C1 (de) * | 1999-02-18 | 2000-11-30 | Steag Micro Tech Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von Substraten |
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| KR101099737B1 (ko) | 2010-01-05 | 2011-12-28 | 세메스 주식회사 | 고온의 약액을 공급하는 장치 |
| JP2018018990A (ja) * | 2016-07-28 | 2018-02-01 | 株式会社カネカ | エッチング処理装置、およびエッチング処理方法 |
| CN111370294A (zh) * | 2020-03-17 | 2020-07-03 | 长江存储科技有限责任公司 | 采用化学试剂对晶圆处理的方法、装置和存储介质 |
| CN111370294B (zh) * | 2020-03-17 | 2023-04-07 | 长江存储科技有限责任公司 | 采用化学试剂对晶圆处理的方法、装置和存储介质 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0481858B2 (ja) | 1992-12-25 |
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