DE19729073A1 - Verfahren zur Herstellung einer Klebeverbindung zwischen einem elektronischen Bauelement und einem Trägersubstrat - Google Patents
Verfahren zur Herstellung einer Klebeverbindung zwischen einem elektronischen Bauelement und einem TrägersubstratInfo
- Publication number
- DE19729073A1 DE19729073A1 DE19729073A DE19729073A DE19729073A1 DE 19729073 A1 DE19729073 A1 DE 19729073A1 DE 19729073 A DE19729073 A DE 19729073A DE 19729073 A DE19729073 A DE 19729073A DE 19729073 A1 DE19729073 A1 DE 19729073A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- component
- carrier substrate
- opening
- adhesive
- contact elements
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 65
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 title claims description 67
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 title claims description 67
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 10
- 230000009969 flowable effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 abstract description 9
- 239000012530 fluid Substances 0.000 abstract 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 15
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 6
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 230000002028 premature Effects 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 210000003608 fece Anatomy 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/303—Surface mounted components, e.g. affixing before soldering, aligning means, spacing means
- H05K3/305—Affixing by adhesive
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/27—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
- H01L2224/83102—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus using surface energy, e.g. capillary forces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
- H01L2224/921—Connecting a surface with connectors of different types
- H01L2224/9212—Sequential connecting processes
- H01L2224/92122—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector
- H01L2224/92125—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector the second connecting process involving a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
- H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
- H01L2224/9222—Sequential connecting processes
- H01L2224/92222—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector
- H01L2224/92225—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector the second connecting process involving a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01032—Germanium [Ge]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01068—Erbium [Er]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15151—Shape the die mounting substrate comprising an aperture, e.g. for underfilling, outgassing, window type wire connections
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09009—Substrate related
- H05K2201/09072—Hole or recess under component or special relationship between hole and component
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10189—Non-printed connector
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
- H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
- H05K2201/10674—Flip chip
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
- H05K2201/10954—Other details of electrical connections
- H05K2201/10977—Encapsulated connections
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer
Klebeverbindung zwischen einem elektronischen Bauelement und
einem Trägersubstrat mit den im Oberbegriff des Anspruchs 1
angegebenen Merkmalen.
Es ist bereits bekannt, elektronische Bauelemente in der so
genannten Flip-Chip-Technik auf ein Trägersubstrat aufzu
bringen. Die in der Flip-Chip-Technik aufgebrachten Bauele
mente weisen Kontaktelemente zum Löten, isotrop leitfähigem
Kleben oder Thermokompressions-Bonden auf. Beim Flip-Chip-
Löten wird ein Chip auf der Anschlußseite mit einer Vielzahl
von kleinen als Löthöckern ausgebildeten Kontaktelementen,
sogenannten "solder bumps" versehen, anschließend mit der
Anschlußseite nach unten gewandt und auf ein mit Kontaktflä
chen versehenes Trägersubstrat aufgesetzt, wobei die Anord
nung der Kontaktflächen auf dem Trägersubstrat dem Raster
der Löthöcker auf dem Chip entspricht. Anschließend werden
die Löthöcker im Reflow-Lötverfahren mit den Kontaktflächen
auf dem Trägersubstrat verlötet. Mit dem Flip-Chip-Verfahren
läßt sich vorteilhaft eine Vielzahl von drahtlosen, elek
trisch leitenden Verbindungen zwischen einem Chip und einem
mit einer elektronischen Schaltung versehenem Trägersubstrat
in einem Arbeitsgang herstellen. Aufgrund der unterschiedli
chen Ausdehnungskoeffizienten des Chips (Silicium) und des
Trägersubstrats (Leiterplattenmaterial) muß in einem soge
nannten "Underfillprozeß" ein Kleber zwischen Chip und Trä
gersubstrat eingebracht werden, damit die Lötstellen bei
Temperaturwechselbelastungen nicht beschädigt werden. Hierfür
werden spezielle kapillar fließfähige Kleber mit einer Dis
pens-Vorrichtung entlang wenigstens einer Chipkante auf das
Trägersubstrat aufgebracht. Angetrieben durch die Kapillar
kraft des Klebers fließt der Kleber in den schmalen Spalt
zwischen Chip und Substrat. Nach dem Aushärten nimmt der
Kleber mechanische Spannungen auf und schützt somit die Löt
verbindung und erhöht deren Lebensdauer.
Andere Flip-Chip-Techniken sehen vor, den Chip mit Kontakte
lementen zu versehen, die mit einem isotrop leitfähigen
Kleber beschichtet werden und anschließen auf die Kontakt
flächen des Trägersubstrats aufgeklebt werden. Auch bei die
ser Technik muß nach Herstellung der elektrischen Verbindung
zwischen Chip und Trägersubstrat in einem Underfillprozeß
ein Kleber eingebracht werden, welche die isotrop leitfähi
gen Klebeverbindungen schützt.
Darüber hinaus sind Flip-Chip-Techniken bekannt, bei denen
der Chip mit Kontaktelementen versehen ist und im Thermokom-
Pressions-Bondverfahren auf die Kontaktflächen eines Träger
substrats aufgebracht wird. Auch bei diesem Verfahren ist
ein Unterfillprozeß erforderlich, um eine ausreichende me
chanische Stabilität der Verbindung zu garantieren.
Zur Vermeidung von Lufteinschlüssen ist bei den oben darge
stellten Verfahren bekannt, den Kleber nur an einer oder
zwei Chipkanten aufzutragen, wobei sich der Kleber bis zur
gegenüberliegenden Chipseite allmählich unter dem Chip aus
breitet. Da nicht das gesamte Klebervolumen an einer Chip
kante aufgetragen werden kann, muß die Auftragung mehrmals
wiederholt werden, bis schließlich alle Kontaktelemente vom
Kleber umflossen sind. Ein derartiges Verfahren wird bei
spielsweise in dem Artikel "Key process controls for under
filling flip chips" von Alec. J. Babiarz, Solid State Tech
nology, April 1997 beschrieben. Nachteilig dabei ist, daß
zwischen den einzelnen Auftragungsschritten immer wieder von
der Fließzeit des Klebers abhängige Pausen eingelegt werden
müssen und erneut Kleber aufgetragen wird, bis der gesamte
Spalt zwischen Chip und Substrat schließlich aufgefüllt ist.
Insbesondere bei größeren Chips müssen deshalb langwierige
Wartezeiten in Kauf genommen werden. Durch die langen Warte
zeiten verlängert sich die Herstellungszeit ganz erheblich,
wodurch sich wiederum die Herstellungskosten wesentlich er
höhen.
Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung einer Klebe
verbindung zwischen einem elektronischen Bauelement und ei
nem Trägersubstrat mit den kennzeichnenden Merkmalen des An
spruchs 1 hat demgegenüber den Vorteil, daß das gesamte zur
Herstellung der Klebeverbindung benötigte Klebervolumen in
einem einzigen Arbeitsschritt mit der Dispens-Vorrichtung
aufgebracht werden kann. Von der Fließzeit des Klebers ab
hängige Wartezeiten werden hierdurch vorteilhaft vermieden,
wodurch sich die Herstellungskosten für die Verbindung er
heblich reduzieren lassen. Das erfindungsgemäße Verfahren
ist insbesondere zur Herstellung von Klebeverbindungen bei
größeren Chips mit einer Kantenlänge von bis zu 3 cm äußerst
vorteilhaft.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der
Erfindung werden durch die in den Unteransprüchen angegebe
nen Merkmale ermöglicht.
Besonders vorteilhaft ist es, den kapillar fließfähigen Kle
ber entlang eines um den Umfang des Bauelementes verlaufen
den, geschlossenen Weges in unmittelbarer Nähe zu dem Bau
element aufzutragen, so daß zunächst alle Kontaktelemente,
die am Rand des Bauelementes liegen, von dem Kleber umflos
sen werden. Eine geschlossene Kleberfront breites sich dann
zwischen Bauelement und Trägersubstrat bis zu der wenigstens
einen in dem Trägersubstrat unterhalb des Bauelementes vor
gesehenen Öffnung aus, wobei im Spalt befindliche Luft durch
die Öffnung entweichen kann. Mit diesem Verfahren wird ein
optimaler Schutz der Löt-, Klebe- oder Bondverbindung zwi
schen den Kontaktelementen des Bauelements und den Kontakt
flächen des Trägersubstrats erreicht.
Besonders einfach ist es, das Trägersubstrat mit dem aufge
brachten Bauelement vor dem Auftragen des Klebers zu wenden
und den Kleber mit der Dispens-Vorrichtung auf die Rückseite
des Trägersubstrats unmittelbar über der in dem Träger
substrat vorgesehenen Öffnung aufzubringen. Bedingt durch
seine Kapillarkraft dringt der Kleber in die Öffnung und den
Spalt zwischen Bauelement und Trägersubstrat ein und um
fließt schließlich die am Umfang des Bauelementes angeordne
ten Kontaktelemente.
Weiterhin ist vorteilhaft, die Öffnung in Form einer zentral
unterhalb des Bauelementes angeordneten Bohrung vorzusehen,
da sich dann der Kleber unter dem Bauelement zwischen der
zentralen Öffnung und den Kontaktelementen besonders gleich
mäßig ausbreitet.
Wird der Kleber auf die mit dem Bauelement bestückte Seite
des Trägersubstrats aufgebracht, so daß er zunächst die Kon
taktelemente umfließt und sich anschließend bis zu der we
nigstens einen Öffnung ausbreitet, so kann die Kleberfront
an einem Abschnitt die Öffnung bereits erreicht haben, an
einem anderen Abschnitt aber noch nicht. Ein vorzeitiges
Eindringen des Klebers in die Öffnung vor einer Verdrängung
der gesamten Luft aus dem Spalt kann vorteilhaft durch eine
Beschichtung auf der mit dem Bauelement bestückten Seite des
Trägersubstrats verhindert werden, welche um den Rand der
Öffnung herum aufgebracht wird und aus einem von dem Kleber
schlecht benetzbaren Material besteht. Vorzugsweise ist die
Beschichtung eine Metallisierung aus Kupfer oder Gold.
An Stelle der Beschichtung kann auch ein abgesetzter stufen
förmiger Vorsprung auf der mit dem Bauelement versehenen
Seite des Trägersubstrats um den Rand der Öffnung herum an
geordnet sein, welcher wie die Metallisierung ein vorzeiti
ges Eindringen des Klebers in die Öffnung verhindert.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung
dargestellt und wird in der nachfolgenden Beschreibung näher
erläutert. Es zeigt
Fig. 1 bis Fig. 3 ein erstes Ausführungsbeispiel des erfin
dungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung einer Klebeverbin
dung zischen einem Substrat mit einem Flip-Chip-Bauelement,
Fig. 4a bis Fig. 4d unterschiedliche Phasen der Ausbreitung
einer Kleberfront bei dem in den Fig. 1 bis 3 gezeigten
Ausführungsbeispiel,
Fig. 5 und Fig. 6 ein zweites Ausführungsbeispiel des erfin
dungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung einer Klebeverbin
dung zischen einem Substrat mit einem Flip-Chip-Bauelement.
In den Fig. 1 bis 3 ist ein erstes Ausführungsbeispiel
des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung einer Kle
beverbindung zwischen einem Bauelement und einem Träger
substrat dargestellt. Auf ein Trägersubstrat 1, das z. B. ei
ne Leiterplatte aus FR4-Substrat, ein Keramikträger, ein
Chipträger-Bauelement oder ein sonstiges geeignetes Substrat
sein kann, ist ein Flip-Chip-Bauelement 2 in bekannter Weise
aufgelötet. An Stelle eines ungehäusten Flip-Chips kann aber
auch ein verpacktes Flip-Chip-Bauelement in z. B. Multi-Chip-
Modulen oder eine sogenannte Chip-Scale-Package auf das Trä
gersubstrat aufgebracht werden. Weiterhin ist es selbstver
ständlich auch möglich, mehr als ein Bauelement in der glei
chen Weise auf dem Trägersubstrat aufzubringen. Die hier ge
zeigte Darstellung beschränkt sich aber der Einfachheit hal
ber auf ein einzelnes Bauelement. Wie in Fig. 2 zu erkennen
ist, ist das Bauelement 2 auf seiner Anschlußseite mit über
den Umfang verteilten Kontaktelementen 3 versehen, welche
als Löthöcker (sogenannte "solder bumps") ausgebildet sind.
In Flip-Chip-Technik wird das Bauelement 2 mit den Löthök
kern 3 auf ein korrespondierendes Raster von Kontaktflächen
4 des Trägersubstrats 1 aufgesetzt und in einer Reflow-Löt
station mit diesen verlötet. Nach dem Reflow-Löten ist das
Bauelement 2 mit den Kontaktflächen 4 des Trägersubstrat 1
in der in Fig. 2 gezeigten Weise elektrisch verbunden. Es
ist aber genauso gut möglich, daß Flip-Chip-Bauelement mit
einem auf die Kontaktelemente 3 aufgebrachten isotrop leit
fähigen Kleber auf die Kontaktflächen 4 aufzukleben oder im
Thermokompressionsverfahren auf die Kontaktflächen aufzu
schweißen. Nach Herstellung der elektrischen Verbindung von
Kontaktelementen 3 und Kontaktflächen 4 verbleibt zwischen
Bauelement 2 und Substrat 1 ein schmaler etwa 30 bis 200 µm
großer Spalt 8.
Wie weiterhin in Fig. 2 zur erkennen ist, ist in dem Träger
substrat 1 eine zentrale Öffnung 5 mit kreisförmigem Quer
schnitt unterhalb des Bauelementes 2 vorgesehen, die sich
von der Bestückungsseite des Trägersubstrats bis zur gegen
überliegenden Rückseite erstreckt. An Stelle der einer zen
tralen Öffnung können auch mehrere Öffnungen unterhalb des
Bauelementes in das Trägersubstrat eingebracht sein. Die
Öffnung 5 kann z. B. vor der Aufbringung des Bauelementes 2
in das Substrat gebohrt werden oder mit einem der für die
Herstellung von Durchkontaktierungen bekannten Prozeß in das
Trägersubstrat eingebracht werden.
Nach dem Reflow-Löten wird ein kapillar fließfähiger Kleber,
z. B. ein Epoxidharz-Kleber mit einem SiO2-Füllstoff, in ei
nem speziellen Underfillprozeß in den Spalt 8 zwischen Bau
element 2 und Trägersubstrat 1 eingebracht. Der Kleber 10
wird mit einem Dispens-Gerät auf das Trägersubstrat 1 am
Rand des Bauelementes 2 aufgetragen. Anders als bei dem bis
her bekannten Underfillprozeß wird dabei die gesamte zur
Herstellung der Klebeverbindung benötigte Klebermenge in ei
nem Zug entlang der durch die Pfeile in Fig. 1 dargestellten
geschlossenen Linie aufgetragen. Der an allen vier Seiten
des Bauelementes aufgetragene Kapillar-Kleber 10 dringt nun
sofort in den Raum zwischen den Löthöckern 3 ein, umfließt
alle Löthöcker 3, wie in Fig. 2 in Verbindung mit Fig. 4a zu
erkennen ist, und breitet sich anschließend in Pfeilrichtung
bis zu der Öffnung 5 in dem Spalt 8 aus. Dabei wird die im
Spalt befindliche Luft durch die Öffnung 5 nach außen ge
drückt. Schließlich ist der gesamte Spalt 8 mit Kleber ge
füllt und der Kleber dringt, wie in Fig. 3 dargestellt, in
die Öffnung 5 ein. Besonders vorteilhaft ist, daß nach dem
Aufbringen des Klebers kein weiterer Schritt zur Auftragung
von Kleber mehr erforderlich ist, so daß das Dispens-Gerät
sofort zur Herstellung der nächsten Klebeverbindung einge
setzt werden kann. Fig. 4 zeigt einen Querschnitt durch den
Spalt 8 in Fig. 2. In den Fig. 4a bis 4d ist die Ausbrei
tung des Klebers 10 in dem Spalt 8 besonders gut zu erken
nen. Nach der Auftragung des Klebers 10 werden zunächst die
Löthöcker 3 umflossen und es bildet sich eine geschlossene
Kleberfront die sich in Pfeilrichtung zur Öffnung 5 hin zu
sammenzieht. Wie in Fig. 4b gezeigt kann es vorkommen, daß
ein Abschnitt der Kleberfront die Öffnung 5 schneller er
reicht als ein anderer Abschnitt. Um zu verhindern, daß
durch zu frühzeitiges Eindringen des Klebers in die Öffnung
5 ein Entweichen der Restluft aus dem Spalt 8 verhindert
wird, ist eine ringförmige Beschichtung 9 um den Rand der
Öffnung 5 herum auf das Trägersubstrat 1 aufgebracht. Die
Beschichtung kann mit Hilfe eines aus der Leiterplattentech
nik zur Herstellung von Leiterbahnen bekannten Prozesses
hergestellt werden und besteht aus einem von dem Kleber
schlecht benetzbaren Material. Vorzugsweise ist als Be
schichtung eine Metallisierung aus Kupfer oder Gold vorgese
hen. Da das organische Leiterplattenmaterial von dem Kleber
schneller benetzt wird, reguliert die Metallisierung die
Fließgeschwindigkeit der Kleberfront derart, daß sich die
Kleberfront zunächst vollständig um die Metallisierung zu
sammenzieht, wie in Fig. 4c dargestellt, und erst danach die
Metallisierung benetzt und in die Öffnung 5 eindringt, wie
in Fig. 4d dargestellt. Hierdurch ist sichergestellt, daß
keine Luftblasen in dem Spalt 8 eingeschlossen werden. Be
sonderes vorteilhaft ist, daß bei diesem Ausführungsbeispiel
zuerst die am Rande des Bauelementes 2 angeordneten Löthöcker
3 vom Kleber umflossen und somit geschützt werden.
In einem anderen Ausführungsbeispiel ist vorgesehen, an
Stelle der Beschichtung 9 einen zum Bauelement 2 hin abge
setzten ringförmigen Vorsprung auf dem Trägersubstrat vorzu
sehen, welcher den oberen Rand der Öffnung 5 ringförmig um
gibt. An der umlaufenden Kante des stufenförmigen Vorsprungs
sammelt sich dann die Kleberfront, ähnlich wie in Fig. 4c
des vorigen Beispiels, benetzt erst dann die Oberseite des
stufenförmigen Vorsprungs und dringt in die Öffnung ein.
Ein weiteres Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Ver
fahrens ist in den Fig. 5 und 6 dargestellt. Das Bauele
ment 2 ist wie bei dem vorigen Beispiel in der bekannten
Flip-Chip-Technik auf das Trägersubstrat aufgesetzt und mit
diesem verlötet. Wieder erstreckt sich eine Öffnung 5 am Ort
des aufgebrachten Bauelementes 2 durch das Trägersubstrat 1.
Die Öffnung 5 sollte einen für die kapillare Fließfähigkeit
des Klebers ausreichenden Durchmesser aufweisen. Weiterhin
ist auch bei diesem Ausführungsbeispiel das Bauelement 2
derart auf die Leiterplatte aufgebracht, daß sich die Öff
nung 5 zentral unter dem Bauelement befindet. Anders als in
dem Beispiel aus Fig. 2 ist bei diesem Ausführungsbeispiel
keine den Rand der Öffnung 5 begrenzende Metallisierung vor
gesehen. Nach dem Reflow-Löten wird das Trägersubstrat 1,
wie in Fig. 5 gezeigt, mit der Bestückungsseite nach unten
gewendet. Mit der Dispens-Vorrichtung wird nun die gesamte
für den Underfillprozeß benötigte Menge des kapillar fließ
fähigen Klebers 10 auf die nach oben gewendete Unterseite
des Trägersubstrats 1 im Bereich der Öffnung 5 aufgetragen.
Durch die Kapillarwirkung der kanalartigen Öffnung 5 dringt
nun der Kleber 10 in die Öffnung 5 ein bis er in den Spalt 8
gelangt. Im Spalt 8 breitet sich der Kleber 10, wie in Fig.
6 gezeigt, mit einer annähernd kreisförmigen Kleberfront zu
den Löthöckern 3 hin aus, bis er diese vollständig umfließt.
Dabei gelangt die im Spalt vorhandene Luft durch die Zwi
schenräume zwischen den Löthöckern nach außen. Anders als
bei dem ersten Ausführungsbeispiel dringt der Kleber 10 bei
diesem Ausführungsbeispiel erst am Ende des Fließvorgangs in
den Raum zwischen den Löthöckern 3 ein.
Claims (7)
1. Verfahren zur Herstellung einer Klebeverbindung zwischen
einem elektronischen Bauelement und einem Trägersubstrat,
bei dem wenigstens ein auf einer Seite umfänglich mit Kon
taktelementen (3) versehenes Bauelement (2), insbesondere
ein Flip-Chip-Bauelement, mit zu den Kontaktelementen korre
spondierend ausgerichteten Kontaktflächen (4) des Träger
substrats (1) elektrische leitend verbunden ist und bei dem
mit einer Dispens-Vorrichtung ein die Kontaktelemente (3)
umfließender kapillar fließfähiger Kleber (10) in einen -
Spalt (8) zwischen dem Bauelement (2) und dem Trägersubstrat
(1) eingebracht wird, dadurch gekennzeichnet, daß unterhalb
des auf das Trägersubstrat aufgebrachten Bauelements (2) we
nigstens eine durch das Trägersubstrat (1) durchgeführte
Öffnung (5) vorgesehen ist und daß der kapillar fließfähige
Kleber (10) derart auf das Trägersubstrat (1) aufgebracht
wird, daß er sich zwischen der wenigstens einen Öffnung (5)
und den Kontaktelementen (3) ausbreitet.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
der kapillar fließfähige Kleber (10) entlang eines um den
Umfang des Bauelementes (2) verlaufenden, geschlossenen We
ges in unmittelbarer Nähe zu dem Bauelement aufgebracht wird
und zunächst alle Kontaktelemente (3) umfließt, so daß eine
geschlossene Kleberfront entsteht, die sich durch die Kapil
larwirkung des Spaltes (8) zwischen Bauelement (2) und Trä
gerplatte (1) bis zu der wenigstens einen Öffnung (5) aus
breitet, wobei die in dem Spalt (8) befindliche Luft durch
die wenigstens eine Öffnung (5) nach außen verdrängt wird.
(Fig. 2)
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
das Trägersubstrat (1) mit dem aufgebrachten Bauelement (2)
nach unten gewendet wird und daß danach der kapillar fließ
fähige Kleber (10) mit der Dispens-Vorrichtung im Bereich
der wenigstens einen Öffnung (5) auf die von dem Bauelement
(2) abgewandte, nun oben liegende Seite des Trägersubstrats
(1) aufgetragen wird und sich durch die Kapillarwirkung der
Öffnung (5) durch die Öffnung bis in den Spalt (8) und von
dort bis zu den Kontaktelementen (3) ausbreitet. (Fig. 5)
4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet,
daß eine einzelne, zentral unterhalb des Bauelementes (2)
angeordnete, als Bohrung ausgebildete Öffnung (5) in dem
Trägersubstrat (1) vorgesehen ist.
5. Verfahren nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet,
daß der auf der mit dem Bauelement (2) versehenen Seite des
Trägersubstrats (1) befindliche Rand der Öffnung (5) von ei
ner Beschichtung (9) umgeben ist, die aus einem von dem ka
pillar fließfähigen Kleber (10) schlecht benetzbaren Materi
al besteht. (Fig. 4)
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß
die Beschichtung (9) eine vorzugsweise aus Kupfer oder Gold
hergestellte Metallisierung ist.
7. Verfahren nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeich
net, daß der auf der mit dem Bauelement (2) versehenen Seite
des Trägersubstrats (1) befindliche Rand der Öffnung (5) von
einem abgesetzten stufenförmigen Vorsprung umgeben ist.
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19729073A DE19729073A1 (de) | 1997-07-08 | 1997-07-08 | Verfahren zur Herstellung einer Klebeverbindung zwischen einem elektronischen Bauelement und einem Trägersubstrat |
EP98928066A EP0923791A1 (de) | 1997-07-08 | 1998-03-25 | Verfahren zur herstellung einer klebeverbindung zwischen einem elektronischen bauelement und einem trägersubstrat |
PCT/DE1998/000870 WO1999003145A1 (de) | 1997-07-08 | 1998-03-25 | Verfahren zur herstellung einer klebeverbindung zwischen einem elektronischen bauelement und einem trägersubstrat |
HU0000672A HUP0000672A3 (en) | 1997-07-08 | 1998-03-25 | Method for making a glued joint between an electronic component and a supporting substrate |
KR1019997002341A KR20000068591A (ko) | 1997-07-08 | 1998-03-25 | 전자 부품과 지지 기판 사이의 접착 연결 방법 |
JP11507956A JP2001501381A (ja) | 1997-07-08 | 1998-03-25 | 電子素子と支持基板との間の接着結合を形成するための方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19729073A DE19729073A1 (de) | 1997-07-08 | 1997-07-08 | Verfahren zur Herstellung einer Klebeverbindung zwischen einem elektronischen Bauelement und einem Trägersubstrat |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19729073A1 true DE19729073A1 (de) | 1999-01-14 |
Family
ID=7834968
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19729073A Withdrawn DE19729073A1 (de) | 1997-07-08 | 1997-07-08 | Verfahren zur Herstellung einer Klebeverbindung zwischen einem elektronischen Bauelement und einem Trägersubstrat |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0923791A1 (de) |
JP (1) | JP2001501381A (de) |
KR (1) | KR20000068591A (de) |
DE (1) | DE19729073A1 (de) |
HU (1) | HUP0000672A3 (de) |
WO (1) | WO1999003145A1 (de) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1014776A1 (de) * | 1998-12-24 | 2000-06-28 | Nokia Mobile Phones Ltd. | Verfahren zum mechanischen Befestigen von elektrischen Bauteilen auf einer Platine sowie eine Vorrichtung hergestellt nach diesem Verfahren |
DE19908474A1 (de) * | 1999-02-26 | 2000-09-07 | Siemens Ag | Verfahren zur Montage eines Halbleiterchips auf einer Tragschicht sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
DE10047135A1 (de) * | 2000-09-22 | 2002-04-25 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen eines Kunststoff umhüllten Bauelementes und Kunststoff umhülltes Bauelement |
DE10327767A1 (de) * | 2003-06-18 | 2005-01-05 | Marconi Communications Gmbh | Schaltungsbaugruppe und Herstellungsverfahren dafür |
EP1519641A3 (de) * | 2003-09-29 | 2005-08-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Modul und Verfahren zur Herstellung eines Modus |
DE102015207893B3 (de) * | 2015-04-29 | 2016-10-13 | Robert Bosch Gmbh | Elektronische Baugruppe, insbesondere für ein Getriebesteuermodul |
WO2021074713A1 (en) * | 2019-10-15 | 2021-04-22 | International Business Machines Corporation | Structure with controlled capillary coverage |
WO2023110389A1 (de) * | 2021-12-17 | 2023-06-22 | Jenoptik Optical Systems Gmbh | Verfahren zum herstellen eines diodenlasers und diodenlaser |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19902450B4 (de) * | 1999-01-22 | 2006-04-20 | Festo Ag & Co. | Miniaturisiertes elektronisches System und zu dessen Herstellung geeignetes Verfahren |
KR101194713B1 (ko) * | 2007-10-03 | 2012-10-25 | 가부시키가이샤후지쿠라 | 모듈, 배선판 및 모듈의 제조 방법 |
JP5442990B2 (ja) * | 2008-12-24 | 2014-03-19 | 京セラ株式会社 | 回路装置の製造方法及び電子機器の製造方法 |
JP2024141091A (ja) * | 2023-03-29 | 2024-10-10 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 実装基板の製造方法及び実装基板 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4143456A (en) * | 1976-06-28 | 1979-03-13 | Citizen Watch Commpany Ltd. | Semiconductor device insulation method |
CH660551GA3 (de) * | 1982-12-27 | 1987-05-15 | ||
US5218234A (en) * | 1991-12-23 | 1993-06-08 | Motorola, Inc. | Semiconductor device with controlled spread polymeric underfill |
US5311059A (en) * | 1992-01-24 | 1994-05-10 | Motorola, Inc. | Backplane grounding for flip-chip integrated circuit |
JP2962385B2 (ja) * | 1993-01-07 | 1999-10-12 | 松下電子工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1997
- 1997-07-08 DE DE19729073A patent/DE19729073A1/de not_active Withdrawn
-
1998
- 1998-03-25 EP EP98928066A patent/EP0923791A1/de not_active Withdrawn
- 1998-03-25 KR KR1019997002341A patent/KR20000068591A/ko not_active Application Discontinuation
- 1998-03-25 JP JP11507956A patent/JP2001501381A/ja active Pending
- 1998-03-25 WO PCT/DE1998/000870 patent/WO1999003145A1/de not_active Application Discontinuation
- 1998-03-25 HU HU0000672A patent/HUP0000672A3/hu unknown
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1014776A1 (de) * | 1998-12-24 | 2000-06-28 | Nokia Mobile Phones Ltd. | Verfahren zum mechanischen Befestigen von elektrischen Bauteilen auf einer Platine sowie eine Vorrichtung hergestellt nach diesem Verfahren |
DE19908474A1 (de) * | 1999-02-26 | 2000-09-07 | Siemens Ag | Verfahren zur Montage eines Halbleiterchips auf einer Tragschicht sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
DE19908474C2 (de) * | 1999-02-26 | 2001-02-15 | Siemens Ag | Verfahren zur Montage eines Halbleiterchips auf einer Tragschicht |
US6534345B1 (en) | 1999-02-26 | 2003-03-18 | Infineon Technologies Ag | Method for mounting a semiconductor chip on a carrier layer and device for carrying out the method |
DE10047135B4 (de) * | 2000-09-22 | 2006-08-24 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen eines Kunststoff umhüllten Bauelementes und Kunststoff umhülltes Bauelement |
DE10047135A1 (de) * | 2000-09-22 | 2002-04-25 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen eines Kunststoff umhüllten Bauelementes und Kunststoff umhülltes Bauelement |
DE10327767A1 (de) * | 2003-06-18 | 2005-01-05 | Marconi Communications Gmbh | Schaltungsbaugruppe und Herstellungsverfahren dafür |
US7231712B2 (en) | 2003-09-29 | 2007-06-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing a module |
EP1519641A3 (de) * | 2003-09-29 | 2005-08-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Modul und Verfahren zur Herstellung eines Modus |
DE102015207893B3 (de) * | 2015-04-29 | 2016-10-13 | Robert Bosch Gmbh | Elektronische Baugruppe, insbesondere für ein Getriebesteuermodul |
EP3089567A1 (de) | 2015-04-29 | 2016-11-02 | Robert Bosch Gmbh | Elektronische baugruppe, insbesondere für ein getriebesteuermodul |
WO2021074713A1 (en) * | 2019-10-15 | 2021-04-22 | International Business Machines Corporation | Structure with controlled capillary coverage |
US11152226B2 (en) | 2019-10-15 | 2021-10-19 | International Business Machines Corporation | Structure with controlled capillary coverage |
GB2604793A (en) * | 2019-10-15 | 2022-09-14 | Ibm | Structure with controlled capillary coverage |
GB2604793B (en) * | 2019-10-15 | 2023-12-20 | Ibm | Structure with controlled capillary coverage |
WO2023110389A1 (de) * | 2021-12-17 | 2023-06-22 | Jenoptik Optical Systems Gmbh | Verfahren zum herstellen eines diodenlasers und diodenlaser |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO1999003145A1 (de) | 1999-01-21 |
HUP0000672A3 (en) | 2000-07-28 |
HUP0000672A2 (hu) | 2000-06-28 |
JP2001501381A (ja) | 2001-01-30 |
EP0923791A1 (de) | 1999-06-23 |
KR20000068591A (ko) | 2000-11-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69935628T2 (de) | Hybridmodul | |
DE69737375T2 (de) | Verfahren zur Befestigung eines elektronischen Bauteils auf einer Leiterplatte und System zum Ausführen des Verfahrens | |
DE69525697T2 (de) | Halbleiteranordnung vom Filmträgertyp mit Anschlusshöcher | |
DE102006001767B4 (de) | Halbleitermodul mit Halbleiterchips und Verfahren zur Herstellung desselben | |
DE60125999T2 (de) | Verfahren zur flip-chip-Montage von Halbleitervorrichtungen mit Klebstoffen | |
DE69831100T2 (de) | Montagemethode für Halbleiterbauteile auf einer Leiterplatte | |
DE102007017831B4 (de) | Halbleitermodul und ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls | |
DE19848834A1 (de) | Verfahren zum Montieren eines Flipchips und durch dieses Verfahren hergestellte Halbleiteranordnung | |
DE69431023T2 (de) | Halbleiteraufbau und Verfahren zur Herstellung | |
DE19640225A1 (de) | Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE102011055884A1 (de) | Gedruckte Schaltplatine für ein Halbleitergehäuse zum Verbessern der Lötverbindungszuverlässigkeit und Halbleitergehäuse dieselbe enthaltend | |
DE10142120A1 (de) | Elektronisches Bauteil mit wenigstens zwei gestapelten Halbleiterchips sowie Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE102006016345A1 (de) | Halbleitermodul mit diskreten Bauelementen und Verfahren zur Herstellung desselben | |
DE102004001829A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE19729073A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Klebeverbindung zwischen einem elektronischen Bauelement und einem Trägersubstrat | |
DE102005034485A1 (de) | Verbindungselement für ein Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung | |
WO2018202439A1 (de) | Elektronische baugruppe mit einem zwischen zwei substraten eingebauten bauelement und verfahren zu dessen herstellung | |
DE10059176C2 (de) | Zwischenträger für ein Halbleitermodul, unter Verwendung eines derartigen Zwischenträgers hergestelltes Halbleitermodul sowie Verfahren zur Herstellung eines derartigen Halbleitermoduls | |
DE19907168C1 (de) | Schichtanordnung sowie Verfahren zu deren Herstellung | |
DE112005003634T5 (de) | Ein integrierter Schaltungsbaustein und ein Verfahren zum Ausbilden eines integrierten Schaltungsbausteins | |
DE10145468C1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Befestigen von Halbleitereinrichtungen auf einer Schalteinrichtung | |
DE10162676B4 (de) | Elektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip und einer Umverdrahtungsplatte und Systemträger für mehrere elektronische Bauteile sowie Verfahren zur Herstellung derselben | |
EP2492959A1 (de) | Elektrisches Bauelement mit einer elektrischen Verbindungsanordnung und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE102006024147B3 (de) | Elektronisches Modul mit Halbleiterbauteilgehäuse und einem Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung desselben | |
DE10142117A1 (de) | Elektronisches Bauteil mit wenigstens zwei gestapelten Halbleiterchips sowie Verfahren zu seiner Herstellung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |