DE19708529C1 - Fluidsensor für flüssige und gasförmige organische Verbindungen sowie Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft einen Fluidsensor gemäß Gattungsbegriff des Patentanspruchs 1 sowie ein Verfahren zu seiner Herstellung.

Derartige Fluidsensoren finden Verwendung vor allem zur Leck­ erkennung an Rohrleitungen oder Tanks und ggf. zur Erkennung von Gewässerverunreinigungen.

Ein Fluidsensor gemäß Gattungsbegriff ist aus der EP-OS 0 372 697 in der Form bekannt, daß in einem gezogenen porösen Polytetrafluorethylenkörper, der selbst wiederum von einer Abdeckung aus gezogenem Polytetrafluorethylen umgeben ist, feine Kohlenstoffpartikel eingelagert sind, die einen Überzug aus einem Fluorharz-Kautschuk aufweisen. Dem Fluorharz-Kautschuk fällt dabei ebenso wie auch der Polytetrafluorethyleneinbettung die Aufgabe zu, von den Kohlenstoffpartikeln Wasserfeuchte abzu­ halten.

Des weiteren gibt die DE-PS 12 94 705 einen Sensor für Flüssig­ keiten, Dämpfe und Gase an, bei dem elektrisch leitfähige und adsorptionsfähige Teilchen, wie z. B. Metall- oder Kohlenstoff­ teilchen mit Abmessungen zwischen 0,001 und etwa 1,25 mm, über eine elastische Schicht, beispielsweise aus Kautschuk, an einem plattenförmigen Träger, beispielsweise aus Metall, polymerisier­ ten Kunstharzen, Glas, Porzellan oder Keramik, anhaften und der Übergangswiderstand zwischen den Teilchen durch sich an diese anlagernde Feuchtigkeit veränderlich ist, indem die Teilchen hierdurch voneinander getrennt werden.

Beiden vorgenannten Sensoren ist gemein, daß sie makroskopisch quellfähige Körper aufweisen, derjenige nach der EP-OS 0 372 697 in Gestalt des Polytetrafluorethylenkörpers und derjenige nach der DE-PS 12 94 705 in Gestalt zumindest der elastischen Schicht. Auf diese Weise können sich lang anhaltende und zuwei­ len dauerhafte Formänderungen ergeben, die Abdrift des Meßver­ haltens zur Folge haben. Des weiteren besitzen die betreffenden Materialien einen beträchtlichen thermischen Ausdehnungskoeffi­ zienten, wodurch sich auch noch Temperaturabdrift einstellt. Um mit wünschenswert nahe beieinanderliegenden Ansprechschwellen arbeiten zu können, wären von Zeit zu Zeit durchgeführte Refe­ renzmessungen erforderlich, doch sind solche etwa bei der Leck­ überwachung von verdeckt verlegten Rohrleitungen nur schwer durchführbar, während bei offenliegenden Rohrleitungen Tempera­ turschwankungen und damit Temperaturabdrift kurzfristig und be­ sonders groß sein können. Dazu noch bieten die aktiven Körper in Gestalt des kohlenstoffbeladenen Polytetrafluorethylenkörpers bzw. der an einem Träger anhaftenden adsorbierenden Teilchen eine im Verhältnis zu ihrem Volumen geringe Oberfläche, wodurch Gase und Dämpfe nur verhältnismäßig schwer einzudringen vermö­ gen, so daß die betreffenden Sensoren gegenüber Gasen und Dämp­ fen ziemlich unempfindlich sind. Etwa für die Leckerkennung ist jedoch das Messen unvermittelt auftretender Gase und Dämpfe insofern von besonderem Interesse, als sich damit Undichtigkei­ ten frühzeitig zu erkennen geben. Auch dringen Flüssigkeiten mit niedrigem Dampfdruck infolge der geringen spezifischen Oberflä­ che nur sehr langsam ein, so daß mit den vorgenannten Sensoren nur leichterflüchtige Substanzen in vertretbar kurzer Zeit er­ kannt werden können. Schließlich aber lösen sich auch einmal eingedrungene Kontaminierungen nur schwer wieder heraus, so daß die Sensoren ein befriedigendes Rückstellverhalten vermissen lassen, sofern sie nach einer Kontaminierung mit schwerflüchti­ gen Medien überhaupt noch wiederverwendbar sind.

Von daher liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, einen Fluid­ sensor anzugeben, der flüssige und gasförmige organische Verbin­ dungen im wesentliche jedweder Art mit hoher Zuverlässigkeit und innerhalb kurzer Zeit zu erkennen gestattet und ein gutes Rück­ stellverhalten besitzt. Dazu noch soll er einfach und kostengün­ stig herstellbar sein und für seinen Betrieb keine eigene Ener­ giequelle erfordern.

Diese vielfältige Aufgabe ist durch einen Fluidsensor gemäß Pa­ tentanspruch 1 gelöst. Anspruch 16 gibt ein vorteilhaftes Her­ stellungsverfahren für einen solchen Sensor an, und die jeweili­ gen Unteransprüche beinhalten bevorzugte Ausgestaltungen des be­ treffenden Sensors bzw. Herstellungsverfahrens.

In den als Schichtwiderstand ausgebildeten Sensorwiderstand ver­ mögen die zu ermittelnden Fluide auch in gas- oder dampfförmigem Zustand und auch in schwerflüchtiger Form rasch, d. h. innerhalb weniger Sekunden bis allenfalls Minuten, einzudringen. Dazu noch besitzt der an dem selbst sehr formbeständigen Substrat unmit­ telbar anhaftende dünne Sensorwiderstand eine hohe Formbestän­ digkeit, wodurch Abdrift weitgehend unterbunden ist. Mittels ge­ bräuchlicher Dickschichttechniken unter Einsatz des Siebdruck­ verfahrens ist der betreffende Sensor leicht und kostengünstig herstellbar. Die Empfindlichkeit des Sensorwiderstands für ein­ dringende Kohlenwasserstoffe beruht im wesentlichen darauf, daß zwischen den eingelagerten Ultrafeinstrußpartikeln ein Elektro­ nensprungeffekt (Elektronen-Hopping-Effekt) auftritt. Hinzu ge­ sellt sich bei Messungen unter Wechselspannung ein Tunneleffekt, wodurch sich die Empfindlichkeit noch erhöht. Damit besitzt der Sensor neben hoher Dynamik einen Widerstandsänderungsfaktor von in der Regel <15, so daß sich ein nachgeschalteter Verstärker erübrigt. Infolgedessen macht der Sensor eine eigene Energiever­ sorgung überflüssig, was ihn u. a. geeignet macht, in explosions­ gefährlicher Atmosphäre zum Einsatz zu kommen. Ebenso kann er wasserdicht gekapselt werden, etwa um für die Überwachung von Trinkwasser Anwendung zu finden. Aus dem dünnen Schichtwider­ stand lassen sich Kontaminationen verhältnismäßig leicht und schnell wieder herauslösen, wodurch sich ein gutes Rückstellver­ halten ergibt, und schließlich läßt sich der betreffende Sensor in einem Massenproduktionsprozeß auf hohem Qualitätsniveau ko­ stengünstig herstellen.

Aus der DE-OS 195 24 943 ist zwar bereits ein Feuchtigkeitssen­ sor bekannt, bei dem eine elektrisch leitende Schicht in einem Muster mittels Drucktechnik unter Verwendung einer Leitpaste auf eine nichtleitende Trägerscheibe, wie z. B. die Windschutzscheibe eines Kraftfahrzeugs, aufgebracht ist. Hier aber besteht die leitende Schicht vorzugsweise aus einer Glasfritte mit eingebet­ teten Platinteilchen und wird der Sensorwiderstand maßgeblich von der Menge der in geringem Abstand nebeneinander verlaufende Leiterbahnen gemeinsam überdeckenden Feuchtigkeit, vor allem Regenwassertropfen, bestimmt. Für die Erfassung flüssiger und vor allem gasförmiger organischer Verbindungen ist ein solcher Sensor naturgemäß ungeeignet.

Nachfolgend wird ein solcher Sensor zusammen mit dem betreffen­ den Herstellungsverfahren in verschiedenen Ausführungsformen an­ hand der Zeichnungen genauer beschrieben. Von diesen zeigt

Fig. 1 eine etwa zehnfach vergrößerte Draufsicht auf den Sensor in einer ersten Ausführungsform,

Fig. 2 eine ebenso vergrößerte Rückansicht des Sensors aus Fig. 1,

Fig. 3 einen noch etwas stärker vergrößerten Detail-Querschnitt durch einen Abschnitt des gleichen Sensors etwa entlang der Linie III-III von Fig. 1 und

Fig. 4 eine etwa zehnfach vergrößerte Draufsicht auf den Sensor in einer anderen Ausführungsform.

Gemäß den Fig. 1 bis 3 ist auf ein kreisrundes, flaches Sub­ strat 2 aus geschlossenporiger Aluminiumoxidkeramik eine Elek­ trodenanordnung 4 in Gestalt von sieben konzentrischen kreis- bzw. ringförmigen Elektroden 6 aufgebracht, die zwischen sich Abstände zwischen 0,1 und 0,5 mm, vorzugsweise zwischen 0,15 und 0,25 mm, einnehmen. Diese Elektroden 6 sind in einer für die Herstellung von Leiterbahnen üblichen Weise mittels Siebdruck­ technik unter Verwendung einer edelmetallhaltigen Siebdruckpa­ ste, vorzugsweise einer solchen auf Platin-Gold-Basis, herge­ stellt, in die allerdings Silikatkristalle mit einer Korngröße zwischen 0,3 µm und 50 µm, vorzugsweise zwischen 1,0 µm und 10 µm eingemischt wurden. Diese eingemischten Kristalle lassen beim Einbrennen auf der Oberfläche der Elektroden 6 eine Mikrozahnstruktur entstehen.

Auf die so hergestellten Elektroden 6 samt Mikrozahnstruktur ist, die gesamte Elektrodenanordnung 4 überdeckend, der Sensor­ widerstand 8 in Gestalt eines Schichtwiderstandes aus Polysi­ loxan mit Ultrafeinstrußdotierung aufgebracht. Die Schichtdicke des Sensorwiderstandes 8 beträgt zwischen 1 µm und 100 µm, vor­ zugsweise zwischen 2 µm und 10 µm und am zweckmäßigsten etwa 3 µm. Das Polysiloxan bildet ein Nichtleiterskelett, in das die Ultrafeinstrußpartikel mit einer Korngröße zu 90% zwischen 3 nm und 300 nm, vorzugsweise zwischen 10 nm und 100 nm, in solcher Dotierung eingebettet sind, daß zwischen ihnen im trockenen Zu­ stand des Polysiloxans ein durchschnittlicher Abstand zwischen 0,3 nm und 30 nm, vorzugsweise zwischen 1,0 nm und 10 nm, be­ steht.

Der ohnedies fest an dem Substrat anhaftende, dünnschichtige Sensorwiderstand 8 erhält zusätzliche mechanische Festigkeit durch seinen formschlüssigen Eingriff mit der Mikrozahnstruktur im Bereich der Elektroden 6. Da das Substrat 2 zudem nur einen sehr geringen Temperaturausdehnungskoeffizienten aufweist, wird auf diese Weise ein äußerst formstabiler Sensorwiderstand erhal­ ten, der als solcher eine entsprechend geringe Abdrift in seinem Meßverhalten zeigt.

Wie die Fig. 1 bis 3 erkennen lassen, sind die Elektroden 6 durch Durchbohrungen 10 des Substrats 2 hindurch gruppenweise mit Kontaktflächen 12 bzw. 14 auf der Rückseite des Substrats kontaktiert, zwischen denen zudem ein ebenso wie die Kontaktflä­ chen 12 und 14 in Dickfilmtechnik hergestellter Nebenschlußwi­ derstand 16 ausgebildet ist. Zur Vermeidung der Entstehung einer geradlinigen Perforationslinie, an welcher das Substrat 2 zum Brechen neigen könnte, sind die Durchbohrungen 10, wie gezeigt, unregelmäßig oder zumindest zickzackförmig angeordnet.

Die Größe des Nebenschlußwiderstandes 16 wird zwischen 1 kΩ und 100 kΩ, vorzugsweise zwischen 10 kΩ und 50 kΩ und am zweckmäßig­ sten etwa 20 kΩ betragen. Durch Abbrennen mittels Laserstrahl kann der Widerstand 16 in an sich bekannter Weise kalibriert werden. Nachdem der Sensorwiderstand 8 durch eindringendes Fluid eine Widerstandsänderung von etwa 20 Ω auf mehrere hundert kΩ erfahren mag, stellt der Nebenschlußwiderstand 16 sicher, daß die sich infolge eines Lecks ergebende starke Widerstandsvergrö­ ßerung noch zuverlässig von einem Leitungsbruch zu unterscheiden ist. Dabei mag die Ansprechschwelle für den Meldevorgang etwa bei 300 Ω liegen.

Der vorausgehend beschriebene Sensor wird zweckmäßigerweise zu­ sammen mit einer Mehrzahl gleichartiger Sensoren folgendermaßen hergestellt:

In einer geschlossenporigen Aluminiumoxidkeramikplatte gleicher Stärke wie derjenigen des Substrats 2 jedoch einem Vielfachen von dessen Größe werden an entsprechenden Stellen die Durchboh­ rungen 10 für die einzelnen Sensoren hergestellt und zugleich die Umrisse der Sensoren angerissen oder vorgeschnitten. Sodann werden in der so vorbehandelten Keramikplatte die Bohrungswände samt den anschließenden Randbereichen in einem ersten Siebdruck­ vorgang mit einer dünnflüssigen metallhaltigen Siebdruckpaste überzogen, worauf der Überzug eingebrannt wird. Ebenso werden, soweit gewünscht, in einem weiteren Siebdruckvorgang mit an­ schließendem Einbrennen an geeigneter Stelle zwischen den späte­ ren Kontaktflächen 12 und 14 auf der Rückseite der Keramikplatte mittels einer geeigneten handelsüblichen Siebdruck-Widerstands­ paste die Nebenschlußwiderstände 16 hergestellt. Dann werden in einem weiteren Siebdruckvorgang mit anschließendem Einbrennen, vorzugsweise unter Verwendung der gleichen Siebdruckpaste wie vorausgehend für die Bohrungswände angewandt, auf der Rückseite der Keramikplatte die Kontaktflächen 12 und 14 hergestellt, ggf. so, daß sie die Anschlüsse bzw. Enden des jeweiligen Neben­ schlußwiderstands 16 geringfügig überdecken.

In eine handelsübliche Siebdruckpaste auf Edelmetallbasis werden die für die Herstellung der vorerwähnten Mikrozahnstruktur erforderlichen Silikatkristalle eingemischt. Sodann werden mit­ tels dieser so aufbereiteten Siebdruckpaste in einem weiteren Siebdruckvorgang mit anschließendem Einbrennen auf der Vorder­ seite der Keramikplatte die Elektroden 6 gebildet.

In einem letzten Siebdruckvorgang mit anschließender Polymeri­ sierung werden mittels einer die miteinander zu vereinigenden Polysiloxankomponenten sowie die erforderliche Feinstrußdotie­ rung enthaltenden Siebdruckpaste über die jeweilige Elektroden­ anordnung 4 hinweg die Sensorwiderstände 8 hergestellt.

Wie gesagt können die vorausgehend hergestellten Nebenschlußwi­ derstände 16 mittels Laserstahls kalibriert werden.

Schließlich werden die fertiggestellten Sensoren aus der Kera­ mikplatte herausgebrochen. In einem praktischen Beispiel besit­ zen sie einen Durchmesser in der Größenordnung von 10 mm. Das beschriebene Herstellungsverfahren eignet sich hervorragend für eine kostengünstige Massenfertigung mit hoher Präzision.

Die betreffenden Sensoren können bedarfsweise in ein lediglich ihre Vorderseite freigebendes wasserdichtes Gehäuse eingesetzt werden, um etwa in der Gewässerüberwachung Anwendung zu finden. Andererseits können sie mit Vorteil in der Lecküberwachung etwa von Pipelines Verwendung finden, da sie rasch und zuverlässig ebenso auf Gase und Dämpfe wie auf schwerflüchtige Kohlenwasser­ stoffe reagieren, keine eigene Energieversorgung benötigen und eine hohe Temperatur- wie auch Langzeitstabilität aufweisen, welche die Durchführung von Referenzmessungen erübrigt.

Fig. 4 zeigt eine andere Ausführungsform, bei der eine Elektro­ denanordnung 18 gleicher Beschaffenheit wie die Elektrodenanord­ nung 4 der vorausgehend beschriebenen Ausführungsform samt inte­ gralen Anschlüssen 20 und, gewünschtenfalls, ein Nebenschluß­ widerstand 22 ähnlich dem Nebenschlußwiderstand 16 auf die glei­ che Seite eines Substrats 24 aufgebracht sind, das hierzu nicht durchbohrt zu sein braucht. Die Elektrodenanordnung 18 weist im gezeigten Beispiel zwei kammförmige, ineinandergreifende Elek­ troden 26 auf, doch kann die Gestalt der Elektrodenanordnung 18 variieren, solange nur zwei Elektroden gesamtheitlich mit zwei Anschlüssen auf der gleichen Seite des Substrats in Verbindung stehen.

Die Herstellungstechnik für die Elektrodenanordnung 18 samt An­ schlüssen 20, Sensorenwiderstand 28 und ggf. Nebenschlußwider­ stand 22 kann die gleiche sein wie vorausgehend für die Herstel­ lung der Elektrodenanordnung 4, den Sensorwiderstand 8 und den Nebenschlußwiderstand 16 beschrieben. Indessen entfällt eine Durchbohrung des Substrats mit anschließender Durchkontaktie­ rung, wodurch sich die Herstellung weiter vereinfacht.

Auch der Sensor nach Fig. 4 kann für die Gewässerüberwachung zum Einsatz kommen, wozu dann lediglich die Anschlüsse 20 durch eine geeignete Beschichtung wasserdicht einzuschließen oder durch ein wasserdicht abschließendes Gehäuse abzudecken sind.

Claims (20)

1. Fluidsensor für flüssige und gasförmige organische Verbin­ dungen mit einem infolge des eindringenden Fluids in seiner elektrischen Leitfähigkeit veränderlichen elektrischen Sen­ sorwiderstand (8; 28) aus einem von dem betreffenden Fluid diffundierbaren Nichtleiter und darin eingebetteten Kohlen­ stoffpartikeln, dadurch gekennzeichnet, daß der Sensorwider­ stand (8; 28) ein auf ein nichtleitendes Substrat (2; 24) in Gestalt eines Keramikkörpers aufgebrachter Schichtwiderstand ist, bei dem die Kohlenstoffpartikel als Ultrafeinstrußpar­ tikel in einer Menge eingelagert sind, daß sie sich im Re­ gelfall gerade nicht berühren.

2. Fluidsensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Ultrafeinstrußpartikel zu 90% eine Korngröße zwischen 3 nm und 300 nm, vorzugsweise zwischen 10 nm und 100 nm, be­ sitzen.

3. Fluidsensor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Ultrafeinstrußpartikel in dem Nichtleiter im trockenen Zustand einen durchschnittlichen Abstand zwischen 0,3 nm und 30 nm, vorzugsweise zwischen 1,0 nm und 10 nm, einnehmen.

4. Fluidsensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Sensorwiderstand (8; 28) eine Schichtdicke zwischen 1 µm und 100 µm, vorzugsweise zwischen 2 µm und 10 µm und am zweckmäßigsten von etwa 3 µm, besitzt.

5. Fluidsensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Nichtleiter aus einem Polysiloxan besteht.

6. Fluidsensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (2; 24) aus einer geschlossenporigen Aluminiumoxidkeramik besteht.

7. Fluidsensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Sensorwiderstand (8; 28) über in Dickschichttechnik auf dem Substrat (2; 24) hergestellte Elektroden (6; 26) kontaktiert ist.

8. Fluidsensor nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß in die Elektroden (6; 26) eine Mikrozahnstruktur bildende kleine Kristalle eingelagert sind und der Sensorwiderstand (8; 28) diese Mikrozahnstruktur übergreift.

9. Fluidsensor nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Kristalle zu 90% eine Korngröße zwischen 0,3 µm und 50 µm, vorzugsweise zwischen 1,0 µm und 10 µm, besitzen.

10. Fluidsensor nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Kristalle Silikatkristalle sind.

11. Fluidsensor nach einem der Ansprüche 8 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektroden (6; 26) einen gegenseiti­ gen Abstand zwischen 0,1 und 0,5 mm, vorzugsweise zwischen 0,15 mm und 0,25 mm, einnehmen.

12. Fluidsensor nach einem der Ansprüche 8 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektroden (26) mit gegenseitigem Abstand ineinandergreifen oder jeweils mehrere einzelne Elektroden (6) miteinander abwechselnd angeordnet sind und der Sensorwiderstand (8; 28) über die gesamte Elektrodenan­ ordnung (4; 18) hinwegreicht.

13. Fluidsensor nach Anspruche 12, dadurch gekennzeichnet, daß einzelne Elektroden (6) in Gestalt konzentrischer Ringe und ggf. einer zentralen Kreisfläche angeordnet sind.

14. Fluidsensor nach einem der Ansprüche 8 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektroden (6) durch Durchbohrungen (10) des Substrats (2) hindurch mit Kontaktflächen (12, 14) auf der Rückseite des Substrats kontaktiert sind.

15. Fluidsensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß auf dem gleichen Substrat (2; 24) vorder- oder rückseitig ein den Sensorwiderstand (8; 28) überbrückender Nebenschlußwiderstand (16; 22) als Schichtwi­ derstand (18) ausgebildet ist.

16. Verfahren zur Herstellung eines Fluidsensors nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß in einem Siebdruckvorgang mit anschließendem Einbrennen auf dem Substrat (2; 24) mittels einer edelmetallhaltigen Siebdruckpaste mit eingelagerten Kristallen die Elektroden (6; 26) samt Mikrozahnstruktur hergestellt werden und daß in einem weiteren Siebdruckvor­ gang mit anschließender Polymerisierung mittels einer die erforderlichen Komponenten des Sensorwiderstandes (8; 28) enthaltenden Siebdruckpaste über die Gesamtheit der Elektro­ den (6; 26) hinwegreichend der Sensorwiderstand (8; 28) her­ gestellt wird.

17. Verfahren nach Anspruch 16 zur Herstellung eines Sensors mit mehreren miteinander abwechselnd angeordneten einzelnen Elektroden (6) nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (2) vorausgehend an den für die Durchkontaktie­ rung erforderlichen Stellen durchbohrt wird, daß die Boh­ rungswände und daran anschließende umgebende Flächenab­ schnitte der Substrataußenflächen in einem ersten Siebdruck­ vorgang mit einer dünnflüssigen metallhaltigen Siebdruckpa­ ste überzogen werden und der Überzug daraufhin eingebrannt wird und daß in einem weiteren Siebdruckvorgang mit an­ schließendem Einbrennen, vorzugsweise mittels der gleichen Siebdruckpaste, auf der Rückseite des Substrats (2) die Kon­ taktflächen (12, 14) hergestellt werden.

18. Verfahren nach Anspruch 16 oder 17 zur Herstellung eines Sensors nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß auf dem gleichen Substrat (2; 24) in einem zusätzlichen Sieb­ druckvorgang mit anschließendem Einbrennen mittels einer ge­ eigneten Siebdruck-Widerstandspaste der Nebenschlußwider­ stand (16; 22) hergestellt wird.

19. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß der hergestellte Nebenschlußwiderstand (16; 22) durch Abbrennen mittels eines Laserstrahls kalibriert wird.

20. Verfahren nach einem der Ansprüche 16-19, dadurch gekenn­ zeichnet, daß entsprechende Fluidsensoren zugleich zu mehre­ ren auf einer Substratplatte hergestellt und nach Fertig­ stellung ausgeschnitten oder ausgebrochen werden.