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DE1952135B1 - Nichtreziproke Reaktanzverstaerkeranordnung - Google Patents

Nichtreziproke Reaktanzverstaerkeranordnung

Info

Publication number
DE1952135B1
DE1952135B1 DE19691952135D DE1952135DA DE1952135B1 DE 1952135 B1 DE1952135 B1 DE 1952135B1 DE 19691952135 D DE19691952135 D DE 19691952135D DE 1952135D A DE1952135D A DE 1952135DA DE 1952135 B1 DE1952135 B1 DE 1952135B1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
circuit
reactance
diode
lower sideband
sideband
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19691952135D
Other languages
English (en)
Inventor
Robert Dr-Ing Maurer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Original Assignee
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Licentia Patent Verwaltungs GmbH filed Critical Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority claimed from DE19691952138 external-priority patent/DE1952138C/de
Publication of DE1952135B1 publication Critical patent/DE1952135B1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F7/00Parametric amplifiers
    • H03F7/04Parametric amplifiers using variable-capacitance element; using variable-permittivity element

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Microwave Amplifiers (AREA)

Description

Die Erfindung befaßt sich mit einer nichtreziproken Reaktanzverstärkeranordnung, die aus der Kettenschaltung eines Aufwärts- und Abwärtsmischers besteht, deren Reaktanzdioden von einem gemeinsamen Pumpgenerator verschiedenphasig gepumpt werden. Der eingangsseitige Mischer dieser Anordnung besitzt einen auf die Signalfrequenz abgestimmten Eingangskreis. Der ausgangsseitige Mischer hat ebenfalls einen auf die Signalfrequenz abgestimmten Ausgangskreis. Die beiden Reaktanzdioden sind über einen gemeinsamen Hilfskreis miteinander gekoppelt. Derartige Reaktanzverstärkeranordnungen sind bekannt und. wurden beispielsweise in den deutschen Patentschriften 1 120 525 und 1 166 847 beschrieben.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Entkopplung in Rückwärtsrichtung und die übertragung in Vorwärtsrichtung dieser Reaktanzverstärkeranordnung möglichst breitbandig zu machen.
Ausgehend von der beschriebenen Verstärkeranordnung wird dies erfindungsgemäß dadurch erzielt, daß die Durchlaßkurve des Hilfskreises beim unteren Seitenband einen überkritischen, beim oberen Seitenband einen unterkritischen Verlauf aufweist.
In der F i g. 1 ist im Prinzip dargestellt, wie ein derartiger Verstärker aufgebaut ist. Er besteht aus der Kettenschaltung eines Aufwärts- und eines Abwärtsmischers. Die Reaktanzdiode des Aufwärtsmischers, die im allgemeinen durch eine sogenannte Kapazitätsdiode verwirklicht wird, ist in der Figur mit Dl dargestellt. Sie liegt parallel zu dem mit E bezeichneten und auf die Signalfreqüenz abgestimmten Eingangskreis. Der zweite Mischer, dessen Reaktanzdiode ebenfalls durch eine Kapazitätsdiode gebildet wird, ist mit D 2 bezeichnet und liegt parallel zum Ausgangskreis A, der auf die Signalfrequenz abgestimmt ist. Die Durchsteuerung der Reaktanzdioden erfolgt durch einen Pumposzülator P mit der Pumpfrequenz p. Um anzuzeigen, daß die beiden Reaktanzdioden durch den Pumposzülator verschiedenphasig durchgepumpt werden, ist in die Verbindungsleitung vom Pumposzillator zur zweiten Reaktanzdiode Dl ein Phasenschieber Ph eingefügt. Es versteht sich, daß durch eine geeignete Ausbildung der Schaltung eine gegenphasige Durchsteuerung der Reaktanzdioden ohne Verwendung eines zusätzlichen Phasenschiebers bewirkt werden kann. Zwischen den . Eingangsklemmen 1, Γ und den Ausgangsklemmen 3, 3' der Schaltung ist ein Rückwirkungsleitwert vorhanden. Dieser kann durch Einschalten eines geeigneten zusätzlichen Kompensationsnetzwerkes neutralisiert werden. In der Figur ist dies durch den mit K bezeichneten Zweipol angedeutet, der zwischen der Ausgangsklemme 3' und der Eingangsklemme Γ eingefügt ist. Bei spezieller Dimensionierung der Schaltung kann dieser zusätzliche Blindleitwert K entfallen.
Die beiden Reaktanzdioden D1 und Dl sind durch einen gemeinsamen Hilfskreis H miteinander gekoppelt.
Die gewünschte breitbandige Entkopplung der Anordnung bezüglich ihres Einganges bzw. Ausganges wird erfindungsgemäß durch eine besondere Dimensionierung des wirksamen Hilfskreises bewirkt, wenn man diesen so ausbildet, daß seine Durchlaßkürve beim unteren Seitenband (p—s) einen überkritischen Verlauf und beim oberen Seitenband (p+s) einen unterkritischen Verlauf aufweist. Mit ρ ist dabei die Pumpfrequenz und mit s die Signalfrequenz bezeichnet.
Eine Möglichkeit, ein derartiges Resonanzverhalten des Hilfskreises H zu bekommen, ist in der Fig. 2 angedeutet. Die dort dargestellte Schaltung zeigt das Ersatzschaltbild eines nichtreziproken parametrischen Verstärkers mit realen Reaktanzdioden bei hohen Frequenzen. Der eingangsseitige Signalkreis E, entsprechend der Fig. 1, wird durch die Induktivität L51 und die dazu parallelliegende Signalkreiskapazität C51 gebildet. Die Elemente des ausgangsseitigen Signalkreises sind mit C52 und L5 2 bezeichnet. Die Reaktanzdiode D1 ist ersatzschaltmäßig dargestellt durch den zwischen den Klemmen Γ und T liegenden S&rienkreis, gebildet aus der Induktivität LDS, der Kapazität CD1 und dem zugehörigen Diodenverlustwiderstand RDil. In gleicher Weise ist die Ersatzschaltung der weiteren Reaktanzdiode Dl durch die Serienschaltung der Kapazität CD,2, des Widerstandes RD2 und der Induktivität LD2 gebildet. Im Querzweig der Schaltung zwischen dem gemeinsamen Punkt der beiden Dioden 2' und dem Fußpunkt ist der Hilfskreis angeordnet, der durch die Kapazität Cn und die Induktivität Ln gebildet wird. Die Einspeisung des Pumposzillators P erfolgt parallel zum Hilfskreis und wird mit Hilfe eines Serienkreises vorgenommen, der auf das untere Seitenband {p—s) abgestimmt ist und aus der Pumpkreiskapazität Cp und der Pumpkreisinduktivität Lp sowie dem Innenwiderstand Ri der Pumpwelle P besteht.
Betrachtet man die Schaltung der F i g. 2 beim unteren Seitenband (p—s), so kommt man wirkungsmäßig zu der in der Fig. 3 dargestellten Schaltung. Der Eingangs- und der Ausgangskreis ist in diesem Frequenzbereich kapazitiv, so daß nur noch die Signalkreiskapazitäten C51 und C5 2 wirksam sind. Auch die Dioden-Ersatzschaltungen wirken bei dieser Frequenz (p—s) kapazitiv, weshalb die Induktivitäten LD1 und LB 2 in der Fig. 3 fehlen. Der als Parallelkreis ausgebildete Hilfskreis ist bei der erwähnten Frequenz induktiv, weshalb in der F i g. 3 lediglich noch die Hilfskreisinduktivität LH eingezeichnet ist.
Die Schaltelemente des Pumpkreises sind voll wirksam. Durch einfaches Umzeichnen der Schaltung gemäß der Fig. 3 erhält man die in der Fi g. 4 dargestellte Ersatzschaltung des nun wirksamen Hilfskreises, der aus der Parallelschaltung eines Parallelkreises, gebildet aus den Schaltelementen 1CD, RD
—2~ , 2C5, L11, mit einem Serienkreis, bestehend aus den Schaltelementen Cp, Lp, Ri, P, besteht. Sowohl der Parallelkreis als auch der Serienkreis ist dabei auf das untere Seitenband (p—s) abgestimmt. Mit ρ ist dabei die Pumpfrequenz und mit s die Signalfrequenz bezeichnet. Diese Schwingkreiskonfiguration ergibt eine überkritische Durchlaßkurve.
Beim oberen Seitenband (p+s) wirkt die in der F i g. 2 dargestellte Schaltung wie das in der F i g. 5 aufgezeigte Ersatzschaltbild hierfür. Von den ein- und ausgangsseitigen Signalkreisen sind lediglich die entsprechenden Kapazitäten C51 und C52 wirksam. Die Ersatzschaltungen der beiden Reaktanzdioden bestehen bei einer Frequenz nur noch aus der Serienschaltung der entsprechenden ohmschen Widerstände (RDM RD,2) und den entsprechenden Induktivitäten (Lj51, LD2). Der Hilfskreis wirkt bei dieser Frequenz kapazitiv, dargestellt durch die Hilfskreiskapazität C11. Der Serienkreis der Pumpankopplung bildet bei der in Frage stehenden Frequenz eine derart große In-
duktiviüit, daß die Pumpankopplung beim oberen Seitenband praktisch nicht mehr wirksam ist. Zeichnet man die Schaltung der F i g. 5 um, so kommt man schließlich zu dem in der Fig. b dargestellten Schaltbild, welches einen unterkritischen Verlauf der Durchlaßkurvc bei dem so gebildeten Hilfskreis ergibt.
In Wciterfiihrung der Erfindung werden die Kapazitäten der Signalkreisc gemäß folgender Bedingung dimensioniert:
2G0S'0'
(2 + 2 (/2
.-,) - ei2
1 + a
wenn mit
S'0) = reziproke Grundkapazität der Diode,
Bp+S = Bandbreite beim oberen Seitenband,
ßp_s = Bandbreite beim unteren Seitenband,
a — Verhältnis der Wirkleitwerte des oberen
und unteren Seitenbandes,
s = Signalfrequenz, -
ρ = Pumpfrequenz,
R0 = Verlustwiderstand der Diode,
G0 =
P+ 4-- 2R1, "
Aussteuerungsparameter der Diode
bezeichnet ist.
Außer der gewünschten breitbandigen Entkopplung ergibt die eriindungsgemäß ausgeführte Schallung darüber hinaus gleichzeitig eine möglichst breitbandige Ubertragungskurve des Gesamtverstärkers. Dies rührt daher, daß der Parallelkreis des Hilfskreises beim oberen Seitenband nach der Theorie der parametrischen Verstärker als Serienkreis mit «positiven Elementen« auf der Signalseite am Ein- und Ausgang erscheint. Dadurch ist eine Kompensation der Signalparallelkreisc E und Λ am Eingang und Ausgang der Gesamtanordnung möglich. Außerdem erscheint die Parallelschaltung eines Parallelkreises und eines Serienkreises, aus welcher der Hilfskreis aufgebaut ist, auf Grund der erwähnten Theorie beim unteren Seitenband am Eingang und Ausgang, bei der Signalfrequenz als Serienschaltung eines Serienkreises und eines Parallelkreises mit ».negativen Elementen«, wodurch ebenfalls eine Kompensation ermöglicht wird.
35
45

Claims (3)

Patentansprüche:
1. Niehtreziproke Reaktanzvcrstärkeranordnung, bestehend aus der Kettenschaltung eines Aufwärts- und Abwärtsmischers, deren Reaktanzdioden von einem gemeinsamen Pumpgenerator verschiedcnphasig gepumpt werden, wobei der eingangsseitige Mischer einen auf die Signalfrcquenz abgestimmten Eingangskreis und der ausgangsscitigc Mischer einen auf die Signalfrequenz abgestimmten Ausgangskreis hat und die beiden Reaktanzdioden über einen gemeinsamen Hilfelcreis miteinander gekoppelt- sind,-dadurch gekennzeichnet, daß eine breitbandige Entkopplung in Rückwärtsrichtung bei gleichzeitiger breitbandiger übertragung und Vorwärtsrichtung dadurch erzielt wird, daß die Durchlaßkurve des wirksamen Hilfskreises beim unteren Seitenband einen überkritischen, beim oberen Seitenband einen unterkritischen Verlauf aufweist.
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Hilfskreis aus der Parallelschaltung eines Serienkreises mit einem Parallelkreis gebildet wird und daß der Pumposzillator über einen auf das untere Seitenband abgestimmten Serienkreis angekoppelt wird.
3. Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß bei gleichen Dioden für die Signalkreiskapazitäten folgende Bedingung gilt:
2G0.
p-s) a~
1 -ι- α
wenn mit
Sm =
a =
s = P =
reziproke Grundkapazität der Diode, Bandbreite beim oberen Seitenband, Bandbreite beim unteren Seitenband, Verhältnis der Wirkleitwerte des oberen und unteren Seitenbandes. Signalfrequenz,
Pumpfrequenz,
Verlustwiderstand der Diode,
P+s- 2R,r
Aussteuerungsparameter der Diode
bezeichnet ist.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
DE19691952135D 1969-10-16 1969-10-16 Nichtreziproke Reaktanzverstaerkeranordnung Pending DE1952135B1 (de)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1952135 1969-10-16
DE19691952138 DE1952138C (de) 1969-10-16 Nichtreziproke Reaktanzverstärkeranordnung
DE1952134 1969-10-16
DE6940259 1969-10-16

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1952135B1 true DE1952135B1 (de) 1971-03-04

Family

ID=27430962

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19691952134D Pending DE1952134B1 (de) 1969-10-16 1969-10-16 Nichtreziproke Reaktanzverstaerkeranordnung
DE19691952135D Pending DE1952135B1 (de) 1969-10-16 1969-10-16 Nichtreziproke Reaktanzverstaerkeranordnung

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19691952134D Pending DE1952134B1 (de) 1969-10-16 1969-10-16 Nichtreziproke Reaktanzverstaerkeranordnung

Country Status (4)

Country Link
US (1) US3711780A (de)
DE (2) DE1952134B1 (de)
FR (1) FR2066039A5 (de)
GB (1) GB1323139A (de)

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Also Published As

Publication number Publication date
DE1952138B2 (de) 1972-08-24
FR2066039A5 (de) 1971-08-06
DE1952134B1 (de) 1971-03-04
US3711780A (en) 1973-01-16
GB1323139A (en) 1973-07-11
DE1952138A1 (de) 1971-05-06

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