DE1952135B1 - Nichtreziproke Reaktanzverstaerkeranordnung - Google Patents
Nichtreziproke ReaktanzverstaerkeranordnungInfo
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F7/00—Parametric amplifiers
- H03F7/04—Parametric amplifiers using variable-capacitance element; using variable-permittivity element
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Description
Die Erfindung befaßt sich mit einer nichtreziproken Reaktanzverstärkeranordnung, die aus der Kettenschaltung
eines Aufwärts- und Abwärtsmischers besteht, deren Reaktanzdioden von einem gemeinsamen
Pumpgenerator verschiedenphasig gepumpt werden. Der eingangsseitige Mischer dieser Anordnung besitzt
einen auf die Signalfrequenz abgestimmten Eingangskreis. Der ausgangsseitige Mischer hat ebenfalls einen
auf die Signalfrequenz abgestimmten Ausgangskreis. Die beiden Reaktanzdioden sind über einen gemeinsamen
Hilfskreis miteinander gekoppelt. Derartige Reaktanzverstärkeranordnungen sind bekannt und.
wurden beispielsweise in den deutschen Patentschriften 1 120 525 und 1 166 847 beschrieben.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Entkopplung in Rückwärtsrichtung und die übertragung
in Vorwärtsrichtung dieser Reaktanzverstärkeranordnung möglichst breitbandig zu machen.
Ausgehend von der beschriebenen Verstärkeranordnung wird dies erfindungsgemäß dadurch erzielt, daß
die Durchlaßkurve des Hilfskreises beim unteren Seitenband einen überkritischen, beim oberen Seitenband
einen unterkritischen Verlauf aufweist.
In der F i g. 1 ist im Prinzip dargestellt, wie ein
derartiger Verstärker aufgebaut ist. Er besteht aus der Kettenschaltung eines Aufwärts- und eines Abwärtsmischers.
Die Reaktanzdiode des Aufwärtsmischers, die im allgemeinen durch eine sogenannte
Kapazitätsdiode verwirklicht wird, ist in der Figur mit Dl dargestellt. Sie liegt parallel zu dem mit E
bezeichneten und auf die Signalfreqüenz abgestimmten Eingangskreis. Der zweite Mischer, dessen Reaktanzdiode
ebenfalls durch eine Kapazitätsdiode gebildet wird, ist mit D 2 bezeichnet und liegt parallel
zum Ausgangskreis A, der auf die Signalfrequenz abgestimmt ist. Die Durchsteuerung der Reaktanzdioden
erfolgt durch einen Pumposzülator P mit der Pumpfrequenz p. Um anzuzeigen, daß die beiden
Reaktanzdioden durch den Pumposzülator verschiedenphasig durchgepumpt werden, ist in die Verbindungsleitung
vom Pumposzillator zur zweiten Reaktanzdiode Dl ein Phasenschieber Ph eingefügt. Es
versteht sich, daß durch eine geeignete Ausbildung der Schaltung eine gegenphasige Durchsteuerung der
Reaktanzdioden ohne Verwendung eines zusätzlichen Phasenschiebers bewirkt werden kann. Zwischen den
. Eingangsklemmen 1, Γ und den Ausgangsklemmen 3, 3' der Schaltung ist ein Rückwirkungsleitwert vorhanden.
Dieser kann durch Einschalten eines geeigneten zusätzlichen Kompensationsnetzwerkes neutralisiert
werden. In der Figur ist dies durch den mit K bezeichneten Zweipol angedeutet, der zwischen der
Ausgangsklemme 3' und der Eingangsklemme Γ eingefügt
ist. Bei spezieller Dimensionierung der Schaltung kann dieser zusätzliche Blindleitwert K entfallen.
Die beiden Reaktanzdioden D1 und Dl sind durch
einen gemeinsamen Hilfskreis H miteinander gekoppelt.
Die gewünschte breitbandige Entkopplung der Anordnung bezüglich ihres Einganges bzw. Ausganges
wird erfindungsgemäß durch eine besondere Dimensionierung des wirksamen Hilfskreises bewirkt,
wenn man diesen so ausbildet, daß seine Durchlaßkürve beim unteren Seitenband (p—s) einen überkritischen
Verlauf und beim oberen Seitenband (p+s) einen unterkritischen Verlauf aufweist. Mit ρ ist dabei
die Pumpfrequenz und mit s die Signalfrequenz bezeichnet.
Eine Möglichkeit, ein derartiges Resonanzverhalten des Hilfskreises H zu bekommen, ist in der Fig. 2
angedeutet. Die dort dargestellte Schaltung zeigt das Ersatzschaltbild eines nichtreziproken parametrischen
Verstärkers mit realen Reaktanzdioden bei hohen Frequenzen. Der eingangsseitige Signalkreis E, entsprechend
der Fig. 1, wird durch die Induktivität
L51 und die dazu parallelliegende Signalkreiskapazität
C51 gebildet. Die Elemente des ausgangsseitigen
Signalkreises sind mit C52 und L5 2 bezeichnet. Die
Reaktanzdiode D1 ist ersatzschaltmäßig dargestellt
durch den zwischen den Klemmen Γ und T liegenden
S&rienkreis, gebildet aus der Induktivität LDS, der
Kapazität CD1 und dem zugehörigen Diodenverlustwiderstand
RDil. In gleicher Weise ist die Ersatzschaltung
der weiteren Reaktanzdiode Dl durch die Serienschaltung der Kapazität CD,2, des Widerstandes
RD2 und der Induktivität LD2 gebildet. Im Querzweig
der Schaltung zwischen dem gemeinsamen Punkt der beiden Dioden 2' und dem Fußpunkt ist
der Hilfskreis angeordnet, der durch die Kapazität Cn
und die Induktivität Ln gebildet wird. Die Einspeisung
des Pumposzillators P erfolgt parallel zum Hilfskreis und wird mit Hilfe eines Serienkreises
vorgenommen, der auf das untere Seitenband {p—s) abgestimmt ist und aus der Pumpkreiskapazität Cp
und der Pumpkreisinduktivität Lp sowie dem Innenwiderstand
Ri der Pumpwelle P besteht.
Betrachtet man die Schaltung der F i g. 2 beim unteren Seitenband (p—s), so kommt man wirkungsmäßig
zu der in der Fig. 3 dargestellten Schaltung. Der Eingangs- und der Ausgangskreis ist in
diesem Frequenzbereich kapazitiv, so daß nur noch die Signalkreiskapazitäten C51 und C5 2 wirksam sind.
Auch die Dioden-Ersatzschaltungen wirken bei dieser Frequenz (p—s) kapazitiv, weshalb die Induktivitäten
LD1 und LB 2 in der Fig. 3 fehlen. Der als Parallelkreis
ausgebildete Hilfskreis ist bei der erwähnten Frequenz induktiv, weshalb in der F i g. 3 lediglich
noch die Hilfskreisinduktivität LH eingezeichnet
ist.
Die Schaltelemente des Pumpkreises sind voll wirksam. Durch einfaches Umzeichnen der Schaltung
gemäß der Fig. 3 erhält man die in der Fi g. 4 dargestellte Ersatzschaltung des nun wirksamen
Hilfskreises, der aus der Parallelschaltung eines Parallelkreises, gebildet aus den Schaltelementen 1CD,
RD
—2~ , 2C5, L11, mit einem Serienkreis, bestehend aus den Schaltelementen Cp, Lp, Ri, P, besteht. Sowohl der Parallelkreis als auch der Serienkreis ist dabei auf das untere Seitenband (p—s) abgestimmt. Mit ρ ist dabei die Pumpfrequenz und mit s die Signalfrequenz bezeichnet. Diese Schwingkreiskonfiguration ergibt eine überkritische Durchlaßkurve.
—2~ , 2C5, L11, mit einem Serienkreis, bestehend aus den Schaltelementen Cp, Lp, Ri, P, besteht. Sowohl der Parallelkreis als auch der Serienkreis ist dabei auf das untere Seitenband (p—s) abgestimmt. Mit ρ ist dabei die Pumpfrequenz und mit s die Signalfrequenz bezeichnet. Diese Schwingkreiskonfiguration ergibt eine überkritische Durchlaßkurve.
Beim oberen Seitenband (p+s) wirkt die in der
F i g. 2 dargestellte Schaltung wie das in der F i g. 5 aufgezeigte Ersatzschaltbild hierfür. Von den ein-
und ausgangsseitigen Signalkreisen sind lediglich die entsprechenden Kapazitäten C51 und C52 wirksam.
Die Ersatzschaltungen der beiden Reaktanzdioden bestehen bei einer Frequenz nur noch aus der Serienschaltung
der entsprechenden ohmschen Widerstände (RDM RD,2) und den entsprechenden Induktivitäten
(Lj51, LD2). Der Hilfskreis wirkt bei dieser Frequenz
kapazitiv, dargestellt durch die Hilfskreiskapazität C11.
Der Serienkreis der Pumpankopplung bildet bei der in Frage stehenden Frequenz eine derart große In-
duktiviüit, daß die Pumpankopplung beim oberen
Seitenband praktisch nicht mehr wirksam ist. Zeichnet man die Schaltung der F i g. 5 um, so kommt
man schließlich zu dem in der Fig. b dargestellten
Schaltbild, welches einen unterkritischen Verlauf der Durchlaßkurvc bei dem so gebildeten Hilfskreis
ergibt.
In Wciterfiihrung der Erfindung werden die Kapazitäten der Signalkreisc gemäß folgender Bedingung
dimensioniert:
2G0S'0'
(2 + 2 (/2
.-,) - ei2
1 + a
wenn mit
S'0) = reziproke Grundkapazität der Diode,
Bp+S = Bandbreite beim oberen Seitenband,
ßp_s = Bandbreite beim unteren Seitenband,
a — Verhältnis der Wirkleitwerte des oberen
und unteren Seitenbandes,
s = Signalfrequenz, -
ρ = Pumpfrequenz,
R0 = Verlustwiderstand der Diode,
G0 =
P+ 4-- 2R1, "
Aussteuerungsparameter der Diode
Aussteuerungsparameter der Diode
bezeichnet ist.
Außer der gewünschten breitbandigen Entkopplung ergibt die eriindungsgemäß ausgeführte Schallung
darüber hinaus gleichzeitig eine möglichst breitbandige Ubertragungskurve des Gesamtverstärkers.
Dies rührt daher, daß der Parallelkreis des Hilfskreises
beim oberen Seitenband nach der Theorie der parametrischen Verstärker als Serienkreis mit
«positiven Elementen« auf der Signalseite am Ein- und Ausgang erscheint. Dadurch ist eine Kompensation
der Signalparallelkreisc E und Λ am Eingang und Ausgang der Gesamtanordnung möglich. Außerdem
erscheint die Parallelschaltung eines Parallelkreises und eines Serienkreises, aus welcher der
Hilfskreis aufgebaut ist, auf Grund der erwähnten Theorie beim unteren Seitenband am Eingang und
Ausgang, bei der Signalfrequenz als Serienschaltung eines Serienkreises und eines Parallelkreises mit
».negativen Elementen«, wodurch ebenfalls eine Kompensation
ermöglicht wird.
35
45
Claims (3)
1. Niehtreziproke Reaktanzvcrstärkeranordnung,
bestehend aus der Kettenschaltung eines Aufwärts- und Abwärtsmischers, deren Reaktanzdioden
von einem gemeinsamen Pumpgenerator verschiedcnphasig gepumpt werden, wobei der
eingangsseitige Mischer einen auf die Signalfrcquenz
abgestimmten Eingangskreis und der ausgangsscitigc Mischer einen auf die Signalfrequenz
abgestimmten Ausgangskreis hat und die beiden Reaktanzdioden über einen gemeinsamen
Hilfelcreis miteinander gekoppelt- sind,-dadurch
gekennzeichnet, daß eine
breitbandige Entkopplung in Rückwärtsrichtung bei gleichzeitiger breitbandiger übertragung und
Vorwärtsrichtung dadurch erzielt wird, daß die Durchlaßkurve des wirksamen Hilfskreises beim
unteren Seitenband einen überkritischen, beim oberen Seitenband einen unterkritischen Verlauf
aufweist.
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Hilfskreis aus der Parallelschaltung
eines Serienkreises mit einem Parallelkreis gebildet wird und daß der Pumposzillator
über einen auf das untere Seitenband abgestimmten Serienkreis angekoppelt wird.
3. Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß bei gleichen
Dioden für die Signalkreiskapazitäten folgende Bedingung gilt:
2G0.
p-s) a~
1 -ι- α
wenn mit
Sm =
Sm =
a =
s =
P =
reziproke Grundkapazität der Diode, Bandbreite beim oberen Seitenband,
Bandbreite beim unteren Seitenband, Verhältnis der Wirkleitwerte des oberen und unteren Seitenbandes.
Signalfrequenz,
Pumpfrequenz,
Verlustwiderstand der Diode,
Pumpfrequenz,
Verlustwiderstand der Diode,
P+s- 2R,r
Aussteuerungsparameter der Diode
Aussteuerungsparameter der Diode
bezeichnet ist.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Applications Claiming Priority (4)
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---|---|---|---|
DE1952135 | 1969-10-16 | ||
DE19691952138 DE1952138C (de) | 1969-10-16 | Nichtreziproke Reaktanzverstärkeranordnung | |
DE1952134 | 1969-10-16 | ||
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1952135B1 true DE1952135B1 (de) | 1971-03-04 |
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ID=27430962
Family Applications (2)
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Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19691952134D Pending DE1952134B1 (de) | 1969-10-16 | 1969-10-16 | Nichtreziproke Reaktanzverstaerkeranordnung |
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WO2019023432A1 (en) * | 2017-07-26 | 2019-01-31 | The Regents Of The University Of Colorado, A Body Corporate | INVERTER CIRCUIT WITH VARIABLE COMPENSATION AND ASSOCIATED TECHNIQUES |
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- 1969-10-16 DE DE19691952135D patent/DE1952135B1/de active Pending
-
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Also Published As
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