DE1635713U - Halbleiter fuer dioden oder kristallverstaerker. - Google Patents

Description

• Halbleiter für Dioden oder Kristallverstärker

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  Die für Dioden oder Kristallverstärker benutzten Halbleiterstoffe, im wesentlichen Germanium oder Silizium, müssen vor dem Zusammenbau der Einrichtung an ihrer Oberfläche geätzt werden, um eine für die Wirkungsweise der Einrichtung ge-

  eignete Fläche zu sch-,. ifen.

• Die Neuerugn bezieht sich ebei@alls auf solche Halbleiter und schlägt vor, den Halbleiter vor der Ätzung mit. einem, gegen das Ätzmittel beständigen Überzug zu versehen, der während des Aufbringens oder auch nachträglich mit Durchbrechungen versehen ist, durch die das Ätzmittel nur an gewünschten Stellen wirksam ist. Deiser Überzug kann gegebenenfalls nach der ätzung wieder entfernt sein. Der Vorteile der sich hierdurch bietet, ist der, dass der Halbleiterkörper nur an jenen Stellen geätzt ist, die für seine spätere Verwendung benötigt werden. Wenn man ausserdem das Ätzmittellängere Zeit einwirken lässt, wird sich an jenen geätzten Stellen eien Vertiefung bilden in welche die Elektrode sicher gegen Verrücken eingesetzt werden k@nnen.

  . Der Überzug kann aus einem derartigen Stoff bestehen dass

  er. im Falle des Verbleibens auf dem Halbleiterkörpor für

  " diesen eine dauernde Snb+pcoh bdot.

  In der Zeichnung ist gezeigt, wie ein halbleiterkörper ent-

  sprechend der Neuerung ausgebildet ist.. Ii der FgT ist

  ein grosses Stück einer von einem Block'eines-Halbleiters

  abgeacigten Blatte mit, 1 bezeichnet, welche'auf ihrer Ober-

  fläche mit einer. ätzmittelfesten Schutzschicht 2 versehen ißt. In dieser Schutzschicht 2 sind beim Aufbringen oder auch

  nachträglich'Durchbrechungen 3 und 4 angebracht, an denen

  zu

  das Ätzmittel auf den Halbleiterkörper 1 einwirken kann.

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  An den mit 4 bezeichneten Stellen bilden sich danntinebeisonder abhängig von der Art des Ätzmittels, beispielsweise halbkugelförmige Vertiefungen aus, in die die Elektroden eingesetzt werden. Die mit 3 bezeichneten strichartigen Durchbrechungen sollen lediglich eine leichte Durchtrennung der Halbleiterplatte in einzelne Halbleiterelemente ermöglichen.
• In der Fig. 2 ist gezeigt, dass ein einzelnes Halbleiterelement 5 beiderseitig mit durch Ätzung ehrvorgerufenon VErtiefungen 6 und 8 hergestellt ist, in welche die Elektroden

  ;'7 und 9, gelegt sind. In diesem Fall handelt es sich um einen

  sogenannten koaxialen Transistor, bei dem die-Elektroden 7

  BHrr*

  und 9 durch eine bestimmte Halbleiterschichyvonöinander

  getrennt sind. In der. Fig. 3 soliliesslich ist ein keilförmig.

  , gestalteter Halbleiterkristall 10 gezeigt, bei welchem in-

  , folge der ätzmittelfesten abdeckung eine Rille 11 eignenetzt ist. Auf den durch die Ätzung beliebig dünn ausgebildeten Keilanfang in nächster Nähe der Keilschneide 12 sind die beiden Elektroden 13 und 14 aufgesetzt,

  Während in Fig. 1 und 2 auf dem Halbloiterplättohon die

  ätzfeste Schicht verblieben ist, ist sie im Beispiel der

  Fig3 nachträglich entfernt.

  a Schutzanapriiohe

  1. Blatt Zeichnungen Sohutzansprüoho

Claims (2)

1. Schutzansp r ü c h e ---------- 1. Halbleiter für Dioden : der Kri. tallverstärker, insbesondere aus Germanium oder Silizium, dessen Oberfläche wenigstens an den zur Wirkung kommenden Stellen geätzt ist,. dadurch gekenzneichent, dass die Oberfläche mit einem gegen das Ätzmittel beständigen Überzug versehen ist, der beim Aufbringenoder nachträglich mit Durchbrechungen versehen ist, die das Ätzmittel nur an gewünschten Stellen wirksam werden lassen und dass dieser Überzug nach der Ätzung gegebenenfalls entfernt ist.
2. 2. Halbleiter nach Anspruch 1, dadurch gekenzneicht, dass die geätzte Stelle eine Vertiefung im Halbleiterkörper bildet, in welche die zugehörige Elektrode eingesetzt ist.

   3a Halbleiter nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Überzug im Falle des Verbleiben gleichzeitig eine dauernde Schutzschicht für den Halbleiter bildet,