DE1292253B - Halbleiteranordnung - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung mit einem pn-übergang, bei der der Halbleiterkörper zur Erhöhung der Spannungsabhängigkeit der Sperrschichtkapazität im Bereich der Raumladungszone des Überganges eine solche Querschnittsänderung aufweist, daß sich beim spannungsabhängigen Verschieben der Sperrschicht eine Änderung der Sperrschichtflache ergibt. Die Erfindung besteht bei einer solchen Halbleiteranordnung darin, daß eine sperrende Elektrode auf der einen Oberflächenseite und eine nichtsperrende Elektrode auf der gegenüberliegenden Oberflächenseite des Halbleiterkörpers ' angeordnet ist und daß eine keilförmige Nut mit ihrem sich verjüngenden Teil zur sperrenden Elektrode weisend in den Halbleiterkörper eingebracht ist.

Es ist bereits eine Halbleiterdiode vorgeschlagen worden (Patentanmeldung B 56973 VIIIc/21g), bei der durch eine Einschnürung des Halbleiterkörpers die Spannungsabhängigkeit der Sperrschichtkapazität beeinflußt werden soll. Diese bekannte Diode hat jedoch den Nachteil, daß ihr Herstellungsprozeß zweifelsohne wesentlich aufwendiger und schwieriger ist als der der erfindungsgemäßen Halbleiteranordnung. Denn soll die Querschnittseinschnürung bei dieser bekannten Halbleiterdiode auch tatsächlich zu einer Erhöhung der Spannungsabhängigkeit der Sperrschichtkapazität führen, so muß bei ihrer Herstellung durch sicherlich nicht ganz einfache Verfahren dafür gesorgt werden, daß sich der pn-übergang dieser Diode auf einer ganz bestimmten Seite des Einschnürungsmaximums befindet, da eine falsche Anordnung dieses Überganges an Stelle der gewünschten Erhöhung der Spannungsabhängigkeit deren Verringerung verursachen würde.

Weiterhin ist eine Halbleiterdiode bekannt (österreichische Patentschrift 180 958), die vor allem zur Spannungsbegrenzung bestimmt ist und bei der der Halbleiterkörper in seinem mittleren Bereich, in dem sich auch der pn-übergang befindet, eine sprunghaft verlaufende Querschnittsverengung aufweist. Eine derart abrupte Querschnittsänderung verursacht jedoch eine in Abhängigkeit von der anliegenden Spannung sprunghaft verlaufende Sperrschichtkapazität und ist aus diesem Grund zur Erhöhung der Spannungsabhängigkeit der Sperrschichtkapazität einer Kapazitätsvariationsdiode denkbar ungeeignet.

Schließlich wurde auch schon vorgeschlagen (deutsches Patent 1075 745), einen Halbleiterkörper keilförmig auszubilden, um durch die damit verbundene Querschnittsänderung des Halbleiterkörpers die Spannungsabhängigkeit der Sperrschichtkapazität eines im Halbleiterkörper vorhandenen pn-Überganges zu erhöhen. Die Spannungsabhängigkeit der Sperrschichtkapazität wird jedoch noch größer, wenn an Stelle einer keilförmigen Ausbildung des Halbleiterkörpers in diesen eine keilförmige Nut eingebracht ist.

Die Erfindung wird im folgenden an einem Ausführungsbeispiel erläutert.

Die Figur zeigt einen Halbleiterkörper 1 mit pnübergang, der auf der dem pn-übergang gegenüberliegenden Seite mit einer keilförmigen Aussparung! versehen ist. Die Öffnung dieser Aussparung, die den Öffnungswinkel α besitzt, ist gegen die Elektrode 3 gerichtet, die den Halbleiterkörper 1 sperrschichtfrei kontaktiert. Bei jeder Erweiterung der zur Sperrschichtelektrode 4 gehörenden Sperrschicht S verkleinert sich der Querschnitt der Sperrschicht um die jeweilige Querschnittsfläche der Öffnung 2.

Ist die Anordnung nach der Figur derart ausgebildet, daß beispielsweise eine Verdoppelung der Sperrschichtweite eine Querschnittsverkleinerung der Sperrschicht im Verhältnis 1:2 ergibt, so ist damit eine Kappazitätsverkleinerung im Verhältnis 1:4 verbunden.

Claims (1)

1. Patentanspruch:

   Halbleiteranordnung mit einem pn-übergang, bei der der Halbleiterkörper zur Erhöhung der Spannungsabhängigkeit der Sperrschichtkapazität im Bereich der Raumladungszone des Überganges eine solche Querschnittsänderung aufweist, daß sich beim spannungsabhängigen Verschieben der Sperrschicht eine Änderung der Sperrschichtfläche ergibt, dadurch gekennzeichnet, daß eine sperrende Elektrode auf der einen Oberflächenseite und eine nichtsperrenden Elektrode auf der gegenüberliegenden Oberflächenseite des Halbleiterkörpers angeordnet ist und daß eine keilförmige Nut mit ihrem sich verjüngenden Teil zur sperrenden Elektrode weisend in den Halbleiterkörper eingebracht ist.