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DE1621351B2 - Stabilisiertes reduk lives Kupferbad - Google Patents

Stabilisiertes reduk lives Kupferbad

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Publication number
DE1621351B2
DE1621351B2 DE19671621351 DE1621351A DE1621351B2 DE 1621351 B2 DE1621351 B2 DE 1621351B2 DE 19671621351 DE19671621351 DE 19671621351 DE 1621351 A DE1621351 A DE 1621351A DE 1621351 B2 DE1621351 B2 DE 1621351B2
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DE
Germany
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diselenide
bis
stabilized
cuso
paraformaldehyde
Prior art date
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Granted
Application number
DE19671621351
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English (en)
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DE1621351A1 (de
DE1621351C3 (de
Inventor
W Clauss
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Bayer Pharma AG
Original Assignee
Schering AG
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Filing date
Publication date
Application filed by Schering AG filed Critical Schering AG
Publication of DE1621351A1 publication Critical patent/DE1621351A1/de
Publication of DE1621351B2 publication Critical patent/DE1621351B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE1621351C3 publication Critical patent/DE1621351C3/de
Expired legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31Coating with metals
    • C23C18/38Coating with copper
    • C23C18/40Coating with copper using reducing agents

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Preventing Corrosion Or Incrustation Of Metals (AREA)
  • Treatment Of Water By Oxidation Or Reduction (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein durch Selenverbindungen stabilisiertes Bad für die reduktive Abscheidung von Kupfer.
Zur Aufbringung von Metallschichten auf die verschiedensten Grundwerkstoffe finden technische Verfahren steigende Beachtung, bei denen die Metalle aus Bädern ohne äußere Stromquelle reduktiv abgeschieden werden. Insbesondere hat die Abscheidung von Kupfer durch Reduktion in den letzten Jahren steigende Bedeutung gefunden, da reduktive Kupferniederschläge zur Erzeugung leitender Schichten auf Kunststoffplatten, z. B. in der elektronischen Industrie zur Herstellung gedruckter Schaltungen, besonders geeignet sind.
Die bisher bekanntgewordenen Badzusammensetzungen reduktiver Kupferbäder haben indessen den Nachteil einer sehr geringen Stabilität, so daß sie zur Erreichung einer möglichst hohen Abscheidungsgeschwindigkeit meist stark überladen werden müssen und nach dem Ausarbeiten des Metalls verworfen werden.
Zur Erhöhung der Badstabilität sind zwar bereits Zusätze, und zwar bevorzugt schwefelhaltige Verbindungen, bekanntgeworden, doch dürfen diese nur in kleinen Mengen zugesetzt werden, da größere Konzentrationen die Abscheidungsgeschwindigkeit des Metalls stark verringern oder die Abscheidung sogar unterbinden können. Bei einigen Verbindungen hat es sich außerdem als nachteilig erwiesen, daß diese eine Dunkelfärbung der Kupferschicht verursachen. Wegen der insbesondere bei höheren Temperaturen überdies oft geringen Alkalibeständigkeit der schwefelhaltigen Verbindungen gelingt es daher nicht, reduktive Kupferbäder längere Zeit befriedigend zu stabilisieren.
Es wurde außerdem bereits vorgeschlagen, Monoselenidc der allgemeinen Formel
R1-Se-R2
in der R, und R2 gleich oder verschieden sind und Wasserstoff, einen organischen Rest oder ein einwertiges Metallatom bedeuten, und/oder deren Selenoniumverbindungen als stabilisierende Badzusätze zu verwenden. Diese Verbindungen wirken jedoch überwiegend nur stabilisierend und haben kaum Einfluß auf die Qualität der abgeschiedenen Niederschläge. Es wurde nun gefunden, daß Diselemente der allgemeinen Formel
R1 — Se — Se — R2
in der R1 und R2 gleich oder verschieden sind und ein einwertiges Metalläquivalcnt oder einen organisehen Rest bedeuten, reduktive Kupferbäder sowohl dauerhaft zu stabilisieren als auch die Qualität der hieraus abgeschiedenen Niederschläge zu verbessern vermögen.
Als einwertige Metalläquivalente kommen z. B.
in Betracht Na. K, Ca 2 oder Al 3 und andere; als organische Reste seien z. B. genannt aliphatische, cycloaliphatische, aromatische und araliphatische Reste, die gegebenenfalls auch substituiert und/Oder durch ein oder mehrere Heteroatome, wie Sauerstoff, Stickstoff oder Schwefel, und oder eine oder mehrere Heteroatomgruppen. wie
ι = O oder
unterbrochen sein können, sowie der Aracylrest.
Substituenten für die genannten organischen Reste sind z. B. Halogenatome, wie Chlor, Brom u. a., Hydroxylreste, Alkylreste, wie Methyl und Äthyl u. a., Aryloxyreste, wie Phenoxy u. a., Alkoxyreste, wie Methoxy und Äthoxy u. a., Acyloxyreste, wie Acetoxy u. a., die Nitro- und Cyangruppe, die Carboxyl- und die Sulfonsäuregruppe in freier oder funktionell abgewandelter Form, z. B. als Ester oder als Salze, heterocyclische Reste, wie Tetrahydrofuryl u. a., sowie die Reste
oder
H1N-CO-NH-CO-
Ar—NH-CO-
Reduktive Kupferbäder, welche die erfindungsgemäß zu verwendenden Verbindungen enthalten, eignen sich zur Abscheidung von Kupferschichten auf Metallen oder entsprechend vorbehandelten und aktivierten Kunststoffen bei absoluter Stabilität des Kupferreduktionsbades. Infolge ihrer besonderen Stabilität arbeiten diese Bäder ohne besondere Wartung und brauchen nach der jeweiligen Verwendung nicht erneuert zu werden. Es sind lediglich die durch Ausschleppung entstandenen Badverluste zu ergänzen. Die aus diesen Bädern abgeschiedenen Kupferschichten sind besonders dekorativ und zeichnen sich durch einen hellen, lachsartigen Metallglanz aus.
Erfindungsgemüß zu verwendende Verbindungen sind z. B. die folgenden:
K2Se2
(CH3 — CH2 — CH2 — CH2 -J2Se2 (CH3-(CH2U-J2Se2 (CH3-(CH2)5—)2Se2 (CH3-(CH2)6—J2Se2
/2Se2
\HOCH2 — CH — CH2 (KO3S -(CH2J3-J2Se2 (KO3S -(CH2),-)2Se2 (NaO3S — (CH2)4 -J2Se2, (NaOOC — CH2 -J2Se2
(KOOC — (CH2J3 -J2Se2 (KOOC-(CH2J10-J2Se2 C6H5-Se-Se-C6H5 (P-CH3C6H4 -J2Se2 (P-CH3OC6H4-J2Se2 (P-NO2-C6H4-J2Se2 (0-CH3CO — C6H4 -J2Se2 (2-C6H5-C6H4-J2Se2 (p-K03S C6H4 J2Se2 (p-Cl C6H4 J2Se2 (p-HOOC — C6H4 -J2Se2
H,N — C — NH — C — CH, —
(C6H5CH2 -)2Se2
Se,
-CH2-C-NH 0
NO2^ ^-CH2-ISe2
CH,-< >—CH,-Se, Kaliumdiselenid
Di-n-butyl-diselenid Di-n-amyl-diselenid Di-n-hexyl-diselenid Di-n-heptyl-diselenid
Di-( 1,3-dihydroxypropyl)-diselenid Di-(kaliumsulfopropyl)-diselenid Di-(kaliumsulfoäthyl)-diselenid Di-natriumsulfobutyl)-diselenid Bis-(natriumcarboxymethyl)-diselenid Bis-(kaliumcarboxyäthyl)-diselenid Bis-(kaliumcarboxypropyl)-diselenid Bis-(kaliumcarboxydecyl)-diselenid Diphenyldiselenid Di-p-tolyl-diselenid Di-(p-methoxyphenyl)-diselenid Di-(p-nitrophenyl)-diselenid Bis-(o-acetylphenyl)-diselenid Di-2,2'-biphenylyl-diselenid Bis-(p-kaliumsulfophenyl)-diselenid Bis-(p-chlorphenyl)-diselenid Bis-(p-carboxyphenyl)-diselenid
Diselendiacetylharnsto ff Dibenzyldiselenid
Diselendiglykolsäure-diphenylamid
Bis-(p-nitrobenzyl)-diselenid
Bis-(p-methylbenzyl)-diselenid
NC
χ X
Bis-(p-cyan-benzyl)-diselenid
HOOC
CH2-Se2 Bis-(p-carboxybenzyl)-diselenid
Br
CH,— Se, Bis-(p-brombenzyl)-diselenid
(HOCH2 — CH2 — CH2 —)2Se2
Ο —CH,-CH,-ISe
Bis-(/^-phenyläthyl)-diselenid
Bis-(3-hydroxypropyl)-diselenid
Bis-(u-tetrahydrofurylmethyl)-diselenid
Bis-(ß-phenoxyäthyl)-diselenid
Bis-(cyclohexyl)-diselenid
Bis-(cyclopentyl)-diselenid
/2
Besonders geeignet sind von den Verbindungen diejenigen mit einer wasserlöslichmachenden Gruppe, da diese leicht dosierbar sind und langanhaltend zu stabilisieren vermögen. Reduktive Kupferbäder, enthaltend eine oder mehrere dieser Verbindungen, sind außerordentlich lange haltbar.
Die bezeichneten Verbindungen sind an sich bekannt oder lassen sich in Analogie zu bekannten Verfahren herstellen, wie sie z. B. in H ο u b e η—W e y 1 »Methoden der organischen Chemie«, Bd. 9, S. 1086 bis 1105, beschrieben sind.
Die Anwendung der Zusätze zur Stabilisierung von reduktiven Kupferbädern üblicher Zusammensetzung kann in den Konzentrationen von etwa 0,0001 g/l bis 0,300 g/l Badflüssigkeit erfolgen, wobei die Verbindungen sowohl allein als auch gemischt miteinander zugegeben werden können. Die erfindungsgemäß stabilisierten Kupferbäder enthalten daneben die üblichen Bestandteile, d. h. Kupfersalze, Reduktionsmittel, Puffersubstanzen, Komplexbildner sowie Netz- und Glanzmittel u. a.
Die folgenden Beispiele beschreiben einige erfindungsgemäße Kupferbäder, mit denen beispielsweise Gegenstände aus Metallen, Kunststoffen oder anderen Materialien in an sich bekannter Weise verkupfert werden können.
Beispiel 3
CuSO4-5H2O 8g/l
Dinatriumäthylendiamintetra-
essigsäure 16 g/l
Natriumhydroxyd 8 g/l
Paraformaldehyd 15 g/l
Dibutyldiselenid 0,020 g/l
Beispiel 4
CuSO4-5H2O 20g/I
Dinatriumäthylendiamintetra-
essigsäure 35 g/l
Natriumhydroxyd 23 g/l
Paraformaldehyd 15 g/l
Dibenzyldiselenid 0,010 g/l
Beispiel 5
CuSO4-5H2O 12g/l
Triäthylendiamin 12 g/l
Natriumhydroxyd 16 g/l
Paraformaldehyd 10 g/l
Kaliumdiselenid 0,001 g/l
Beispiel 1
CuSO4-5H2O 10g/l
Dinatriumäthylendiamintetra-
essigsäure 20 g/l
Natriumhydroxyd 16 g/l
Paraformaldehyd 4 g/l
Di-(kaliumsulfopropyl)-diselenid 0,002 g/l
Beispiel 2
CuSO4-5H2O 20g/l
Dinatriumäthylendiamintetra-
essigsäure 25 g/l
Natriumhydroxyd 8 g/l
Paraformaldehyd 13 g/l
Di-(2,3-dihydroxypropyl)-diselenid .. 0,050 g/l
Beispiel 6
CuSO4-5H2O lOg/1
Triäthylentetramin 8 g/l
Natriumhydroxyd 16 g/l
Paraformaldehyd 16 g/l
Bis-(4-carboxyphenyl)-diselenid 0,100 g/l
Beispiel7
CuSO4-5H2O lOg/1
Dinatriumäthylendiamintetra-
essigsäure 20 g/l
Natriumhydroxyd 12 g/l
Paraformaldehyd 15 .g/I
Bis-(w-kaliumcarboxyldecyl)-
diselenid 0,150 g/l
16
Beispiel 8
CuSO4-5H2O 10 g/l
Rochellesalz (Kalium-natrium-
tartrat) 24 g/l
Natriumhydroxyd 24 g/l
Paraformaldehyd 12 g/l
Bis-(w-kaliumsulfopropyl)-diselenid 0,105 g/l
Beispiel 9
CuSO4-5H2O 10g/l
Trinatriumsalz der Hydroxyäthyl-
diaminäthylentriessigsäure 19 g/l
Natriumhydroxyd 11 g/l «5
Paraformaldehyd 8 g/l
Bis-(w-kaliumsulfopropyl)-diselenid 0,010 g/l
Beispiel 10
v
CuSO4-5H2O 10g/l
Dinatriumäthylendiamintetra-
essigsäure 20 g/l
Natriumhydroxyd 16 g/l
Paraformaldehyd 9 g/l
Di-(4-sulfophenyl)-diselenid 0,030 g/l
Beispiel 11
CuSO4-5H2O 10g/l
Dinatriumäthylendiamintetra-
essigsäure 20 g/l
Natriumhydroxyd 16 g/l
Paraformaldehyd 8 g/l
Bis-(4-methoxyphenyl)-diselenid 0,010 g/I
Beispiel 12
CuSO4-5H2O 15g/l
Dinatriumäthylendiamintetra-
essigsäure 25 g/l
Natriumhydroxyd 19 g/l
Paraformaldehyd 15 g/l
Bis-(p-nitrobenzyl)-diselenid 0,001 g/l
45
Beispiel 13
CuSO4-5H2O 20g/l
Dinatriumäthylendiamintetra-
essigsäure 25 g/l
Natriumhydroxyd 10 g/l
Paraformaldehyd 13 g/l
Bis-(p-cyan-benzyl)-diselenid 0,0009 g/l
Beispiel 14
CuSO4-5H2O 20g/l
Dinatriumäthylendiarnintetraessigsäure 25 g/l
351
Natriumhydroxyd 9 g/l
Paraformaldehyd 15 g/l
Bis-(p-carboxybenzyl)-diselenid 0,005 g/l
Beispiel 15
CuSO4-5H2O 20g/l
Dinatriumäthylendiamintetra-
essigsäure 30 g/l
Natriumhydroxyd 23 g/l
Paraformaldehyd 15 g/l
Bis-(p-brombenzyl)-diselenid 0,010 g/l
Beispiel 16
CuSO4-5H2O 19 g/l
Dinatriumäthylendiamintetra-
essigsäure 25 g/1
Natriumhydroxyd 20 g/l
Paraformaldehyd 19 g/1
Bis-(3-hydroxypropyl)-diselenid 0,030 g/l
Beispiel 17
CuSO4-5H2O 25 g/l
Dinatriumäthylendiamintetra-
essigsäure 30 g/l
Natriumhydroxyd 20 g/l
Paraformaldehyd 10 g/l
Bis-(/i-phenoxyäthyl)-diselenid 0,020 g/l
Beispiel 18
CuSO4 · 5H2O 10 g/l
Dinatriumäthylendiamintetra-
essigsäure 20 g/l
Natriumhydroxyd 12 g/l
Paraformaldehyd 15 g/l
Bis-(a-tetrahydrofurylmethyl)-
diselenid 0,010 g/l
Beispiel 19
CuSO4-5H2O 15 g/l
Dinatriumäthylendiamintetra-
essigsäure 25 g/l
Natriumhydroxyd 15 g/l
Paraformaldehyd 10 g/l
Bis-(cyclohexyl)-diselenid 0,008 g/l
Beispiel 20
CuSO4-5H2O 20 g/l
Dinatriumäthylendiamintetra-
essigsäure 25 g/l
Natriumhydroxyd 18 g/l
Paraformaldehyd 15 g/l
Bis-(cyclopentyl)-diselenid 0,003 g/l
509 687/53

Claims (3)

Patentansprüche:
1. Stabilisiertes reduktives Kupferbad, gekennzeichnet durch einen Gehalt an mindestens einer Verbindung der allgemeinen Formel
R1 Se Se R-2
in der Ri und R2 gleich oder verschieden voneinander sind und "ein einwertiges Metalläquivalent oder einen organischen Rest bedeuten.
2. Stabilisiertes reduktives Kupferbad, enthaltend mindestens eine Verbindung der allgemeinen Formel nach Anspruch 1, wobei R1 und R2 gleich oder verschieden voneinander sind und ein einwertiges Metalläquivalent oder einen aliphatischen, cycloaliphatische^ aromatischen oder araliphatischen Rest, der gegebenenfalls auch substituiert und/oder durch Heteroatome und/oder Heteroatomgruppen unterbrochen sein kann, oder den Aracylrest bedeuten.
3. Stabilisiertes reduktives Kupferbad nach Anspruch 1 oder 2, enthaltend die gekennzeichneten Verbindungen in einer Konzentration von etwa 0,0001 bis 0,300 g/l Badflüssigkeit.
DE19671621351 1967-02-01 1967-02-01 Stabilisiertes reduktives Kupferbad Expired DE1621351C3 (de)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
DESC040160 1967-02-01
DESC040160 1967-02-01

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE1621351A1 DE1621351A1 (de) 1971-05-13
DE1621351B2 true DE1621351B2 (de) 1975-07-03
DE1621351C3 DE1621351C3 (de) 1976-02-12

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DE1621351A1 (de) 1971-05-13

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Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
E77 Valid patent as to the heymanns-index 1977