DE1487397B2

DE1487397B2 - Schaltungsanordnung zur erzeugung stabilisierter gleichspannungen

Info

Publication number: DE1487397B2
Application number: DE19661487397
Authority: DE
Inventors: Leopold Albert Somerville N.J. Harwood (V.StA.). HOIq 11-10
Original assignee: RCA Corp
Current assignee: RCA Corp
Priority date: 1965-11-29
Filing date: 1966-11-29
Publication date: 1972-12-28
Also published as: US3430155A; NL152724B; JPS4517603B1; FR1502269A; NL6616717A; BE690350A; MY7300228A; DE1487397A1; SE345048B; GB1172366A

Description

Stand der Technik

Für Transistorschaltungen werden häufig relativ niedrige Gleichspannungen benötigt, die mit niedrigem Innenwiderstand der Spannungsquelle zur Verfügung gestellt werden und möglichst stabil sein sollen. Derartige Spannungen werden außer in Verstärkerschaltungen beispielsweise "auch bei mit niedrigen Pegeln arbeitenden Digitalschaltungen benötigt. Bei mit diskreten Elementen aufgebauten und auch in integrierter Form ausgeführten Transistorschaltungen bestehen außerdem die Probleme der Stabilisierung gegen Temperatur- und Versorgungsspannungsschwankungen, welche zu Arbeitspunktverschiebungen der Transistoren führen. Durch Verwendung von Bauelementen mit möglichst gleichen Temperatureigenschaften für die Transistorschaltungen und die die niedrigen Gleichspannungspotentiale liefernde Schaltung lassen sich derartige Arbeitspunktverschiebungen weitgehend kompensieren. Besonders günstig liegen die Voraussetzungen für eine derartige Kompensation bei integrierten Schaltungen, in deren

Halbleiterplättchen die Vorspannungsschaltung gleichfalls ausgebildet werden kann, so daß dieselben thermischen Eigenschaften innerhalb des Kristallplättchens sichergestellt sind.

Aus der deutschen Patentschrift 1 166 295 ist ein als Konstantspannungsqueile arbeitender astabiler Multivibrator mit zwei Transistoren bekannt, die derart^über Kreuz gekoppelt sind, daß der Anzapfungspunkt eines unterteilten Kollektorwiderstandes des einen Transistors mit d,er Basis des anderen Transistors verbunden ist und der Kollektor dieses anderen Transistors über ein ParallekRC-Glied und eine Zener-Diode auf die Basis des ersten Transistors geführt ist, die ferner über einen Widerstand mit seinem Emitter verbunden ist. Der Emitter des anderen Transistors ist über einen Widerstand mit dem Verbindungspunkt zwischen dem i?C-Glied und der Zener-Diode verbunden und stellt gleichzeitig die Ausgangsklemme für die konstante Spannung dar, welche außerdem durch einen Kondensator überbrückt ist. Die Spannungsstabilisierende Wirkung dieses astabilen Multivibrators besteht in einer derartigen Variation seiner Kippfrequenz und seines Tastverhältnisses durch die Betriebsspannung und den Laststrom, daß die Spannung am Ausgang nahezu konstant bleibt.

Aufgabe

Der im Anspruch 1 angegebenen Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine hochstabile und niederohmige Konstantspannungsqueile zu schaffen, welche niedrige Gleichspannungen liefert, die in einem bestimmten Verhältnis zu an pn-Übergängen auftretenden Sperrschichtspannungen stehen und die sich daher insbesondere für die Versorgung von Transistorschaltungen eignet.

Vorteile

Die Schaltungsanordnung gemäß der Erfindung stellt eine Vorspannungsquelle sehr niedriger Impedanz dar, die sich insbesondere zur Einstellung und Stabilisierung der Arbeitspunkte von Halbleiterschaltungen, wie z. B. Verstärkern, auf einen Pegel eignet, der in erster Linie durch den Kollektorwiderstand des ersten Transistors bestimmt wird. Eine besonders gute Stabilität des Arbeitspunktes von Transistorverstärkungen, auch bei starken Schwankungen der Betriebsspannungen und der Umgebungstemperatur, wird erreicht, wenn der Verstärker und die Vorspannungsschaltung in ein und derselben integrierten Schaltung ausgebildet sind.

Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen beschrieben.

Darstellung der Erfindung

Im folgenden ist die Erfindung an Hand von in den Zeichnungen dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigt

F i g. 1 ein Schaltbild einer stabilisierten Vorspannungsschaltung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung,

F i g. 2 ein Schaltbild eines zweiten Ausführungsbeispieles der Erfindung,

Fig.3 ein Schaltbild eines einstufigen Transistorverstärkers mit einer Vorspannungsschaltung gemäß der Erfindung und

Fig.4 ein Schaltbild eines Teiles eines Hochfrequenzempfängers, der eine Mischstufe, eine Zwischenfrequenzverstärkerstufe und eine stabilisierte Vorspannungsschaltung gemäß der Erfindung enthält, bei der außerdem Maßnahmen zur automatischen Verstärkungsregelung getroffen sind.
Die in Fig. 1 als Ausführungsbeispiel der Erfindung dargestellte Schaltungsanordnung enthält zwei Transistoren 12, 14. Der Transistor 12 arbeitet in Emitterschaltung,- seine Kollektorelektrode ist über einen Widerstand 18 mit einer Speisespannungsklemme 16 verbunden, während seine ^ Emitterelektrode an eine als Masse dargestellte Bezugsspannungsklemme 20 angeschlossen ist. Der andere Transistor 14 arbeitet in Kollektorschaltung, seine Kollektorelektrode ist mit der Klemme 16 verbunden, und seine Emitterelektrode ist über einen Widerstand 24 mit der Klemme 20 verbunden. Die Emitterelektrode des Transistors 14 ist außerdem mit der Basiselektrode des Transistors 12 und einer ersten Ausgangsklemme 22 verbunden. Die Kollektorelektrode des Transistors 12 ist außerdem an die Basiselektrode des Transistors 14 und an eine zweite Ausgangsklemme 26 angeschlossen.

Zwischen die erste und zweite Ausgangsklemme 22 bzw. 26 und die Klemme 20 ist jeweils ein Verbraucher 25 bzw. 27 geschaltet. Im Betrieb sind die Klemmen 16, 20 mit einer nicht dargestellten Betriebsspannungsquelle verbunden.

Wenn der vom Verbraucher 25 aufgenommene Strom nur für die Ausbildung eines normalen F_6e-Spannungsabfalls am Basis-Emitter-Ubergang des Transistors 14 ausreicht, kann der Widerstand 24 entfallen. Unter »F_6e-Spannung« soll hier die mittlere Basis-Emitter-Spannung eines Transistors verstanden werden, der als aktives Schaltungselement in einem Verstärker od. dgl. arbeitet. Für Silizium-Transistoren ist V_be etwa 0,7 Volt, was innerhalb des für eine Klasse-Α-Verstärkung geeigneten Bereiches der F_fte-Spannung liegt.

Wenn der in F i g. 1 dargestellten stabilisierten Vorspannungsschaltung im Betrieb über die Klemmen 16, 20 eine Betriebsspannung geeigneter Größe und Polarität zugeführt wird, stellt sich ein Gleichgewichtszustand ein, bei dem an den Basis-Emitter-Ubergängen jedes der Transistoren 12, 14 ein Spannungsabfall von V_be auftritt. Der Basis-Emitter-Übergang des Transistors 14 ist jedoch dem Kollektor-Basis-Übergang des Transistors 12 parallel geschaltet. Die Ruhespannung zwischen Kollektor- und Emitterelektrode des Transistors 12 ist daher gleich der Summe der F_6e-Spannungsabfälle der Transistoren 12,14. Wenn die Emitterelektrode des Transistors 12 über die Klemme 20 geerdet ist, tritt an der Ausgangsklemme 22 bezüglich der auf Massepotential liegenden Klemme 20 eine Spannung auf, die gleich dem ^-Spannungsabfall des Transistors 12 ist, während eine Ausgangsklemme 26 bezüglich der Masseklemme 20 eine Spannung gleich der Summe der F_he-Spannungsabfälle der Transistoren 12,14 erscheint. Wenn andererseits die Klemme 20 nicht geerdet ist, sondern sich auf einem bestimmten Bezugsspannungspegel gegen Masse befindet, sind die erwähnten Ausgangsspannungen entsprechend größer. Für die folgende Diskussion soll angenommen werden, daß die Transistoren 12, 14 aus dem gleichen Halbleitermaterial bestehen, wie es bei integrierten Schaltungen mit einem monolithischen Siliziumkörper der Fall ist, so daß auch die F_6e-Spannungsabfälle der beiden Transistoren gleich sind. Die an den

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Ausgangsklemmen 22, 26 bezüglich der Klemme 20 als drei V_1n, einfach dadurch hergestellt werden, daß auftretenden Potentiale sind also gleich ein bzw. man die Anzahl der hintereinander geschalteten und zwei F_h(,-Spannungsabfälle. in Kollektorschaltung arbeitenden Transistoren ent-

Die beschriebene Vorspannungsschaltung hat fol- sprechend erhöht. Bei Verwendung einer dritten in gende vorteilhafte Eigenschaften: Erstens enthält sie 5 Kollektorschaltung arbeitenden Stufe steht eine Spankeine Kondensatoren, so daß die bekannte Schwie- nung von vier V_bc zur Verfügung, während mit vier rigkeit vermieden wird, Kondensatoren in integrierten in Kollektorschaltung arbeitenden Stufen eine Span-Schaltungen herzustellen. Zweitens können der nung gleich fünf V_bc erzeugt wird. Stabilisierte Span-Widerstand 18 und der Widerstand 24 (falls er erfor- nungen, die kein ganzzahliges Produkt von F_6i,-Spanderlich ist) kleine Widerstandswerte haben (größen- io nungsabfällen sind, können mittels Spannungsteilerordnungsmäßig etwa 5000 0hm), so daß diese schaltungen erzeugt werden, die an eine oden.meh-Widerstände in der integrierten Schaltung nur wenig rere Ausgangsklemmen angeschlossen sind, an denen Raum einnehmen. Drittens ist die Ausgangsimpe- die F_6e-Spannungsabfälle auftreten,
danz, die die Schaltung an der Klemme 22 dem Die in Fig. 3 dargestellte Schaltungsanordnung

Verbraucher 25 darbietet, sehr niedrig. Die Aus- 15 enthält einen Transistorverstärker 52, der durch eine gangsimpedanz zwischen den Klemmen 20 und 22 ist Vorspannungsschaltung 10 stabilisiert wird, die entnämlich umgekehrt proportional dem Produkt des sprechend Fig. 1 aufgebaut ist. In Fig. 1, 3 und 4 Verstärkungsfaktors der in Emitterschaltung arbei- sind daher für entsprechende Bauteile gleiche Bezugstenden Stufe und der Steilheit der in Kollektor- zeichen verwendet worden. Die in Fig. 3 dargestellte schaltung arbeitenden Stufe, was zu sehr niedrigen 20 Schaltung unterscheidet sich von der der Fig. 1 je-Werten führt. doch darin, daß die Rückkopplung zwischen der

Die in Fig. 2 dargestellte Schaltung zeigt, wie eine Emitterelektrode des Transistors 14 und der Basis-Ausgangsspannung gleich einer ganzen Anzahl von elektrode des Transistors 12 einen Widerstand 56 stabilen F_öi,-Spannungsabfällen erzeugt werden kann. enthält.

In F i g. 2 sind drei Transistoren 30, 32, 34 darge- 25 Die in F i g. 3 dargestellte Verstärkerschaltung 52 stellt. Der erste Transistor 30 arbeitet in Emitter- enthält einen Transistor 58, dessen Kollektorelekschaltung, seine Kollektorelektrode ist über einen trode über einen Widerstand 62 mit einer Speise-Widerstand 38 mit einer Betriebsspannungsklemme Spannungsklemme 60 und dessen Emitterelektrode 36 und seine Emitterelektrode ist mit einer Bezugs- mit Masse verbunden sind. Die zu verstärkenden spannungsklemme 31, die geerdet dargestellt ist, ver- 30 Signale werden an Eingangsklemmen 64 angelegt und bunden. Die anderen beiden Transistoren 32, 34 über eine Leitung 98 auf die Basiselektrode des arbeiten hintereinandergeschaltet in Kollektorschal- Transistors 58 gekoppelt. Die verstärkten Signale tung, ihre Kollektorelektroden sind jeweils mit der werden an der Kollektorelektrode des Transistors 58 Speisespannungsklemme 36 verbunden, während ihre abgenommen und über eine Leitung 100 einer Aus-Emitterelektroden jeweils über einen Widerstand 40 35 gangsklemme 66 zugeführt. Das an der Emitterelek- bzw. 42 mit der Bezugsspannungsklemme verbunden trode des Transistors 14 auftretende Potential wird sind. Die Widerstände 40, 42 sind so gewählt, daß der Basiselektrode des Transistors 58 über einen sich an den Basis-Emitter-Übergängen der züge- Trennwiderstand 68 zugeführt, um diesen Transistor hörigen Transistoren 32 bzw. 34 der normale V_bc- vorzuspannen. Der Wert des zwischen die Emitter-Spannungsabfall ausbilden kann. Die Kollektorelek- 40 elektrode des Transistors 14 und die Basiselektrode trode des Transistors 30 ist außerdem mit der Basis- des Transistors 12 geschalteten· Widerstandes 56 ist elektrode des Transistors 32 verbunden, die Emitter- so gewählt, daß der an ihm auftretende Spannungselektrode des Transistors 32 ist mit der Basiselek- abfall gleich dem am Widerstand 68 durch den Vortrode des Transistors 34 verbunden und die Emitter- spannungsstrom des Transistors 58 erzeugten Spanelektrode des Transistors 34 ist mit der Basiselek- 45 nungsabfall ist.

trode des Transistors 30 verbunden. Mit der Kollek- Wenn an die Klemmen 60, 61 eine Vorspannung

torelektrode des Transistors 30, der Emitterelektrode geeigneter Polarität und Größe anliegt, wird der Ardes Transistors 32 und der Emitterelektrode des beitspunkt des Transistors 58 in erster Linie durch Transistors 34 ist je eine Ausgangsklemme 44, 46 den Wert des Widerstandes 18 bestimmt und auch bzw. 48 verbunden. 50 bei großen Schwankungen der Speisespannung und

Wenn im Betrieb zwischen den Klemmen 31, 36 Temperatur konstant gehalten.

eine geeignete Speisespannung liegt, stellt sich ein Die Vorspannungsschaltung 10 und die Verstär-

Gleichgewichtszustand ein, bei welchem am Basis- kerschaltung 54 gehören zur gleichen integrierten · Emitter-Übergänge jedes der Transistoren 30, 32, 34 Schaltung, sie sind also z. B. im gleichen Siliziumein Spannungsabfall von V_be auftritt. Wenn bei der 55 körper auf bekannte Weise gebildet. Gewünschtenbeschriebenen Schaltung die Klemme 31 geerdet ist falls kann die durch die Schaltung 10- erzeugte Vor- und die Transistoren 30, 32, 34 aus demselben Halb- spannung mehreren Verstärkern zugeführt werden, leitermaterial bestehen, stehen an der Klemme 48 Wegen der niedrigen A.usgangsirnpedanz der vorlieeine Spannung gleich V_bc, an der Klemme 46 eine genden Vorspannungsschaltung kann praktisch keine Spannung gleich zwei V_be und an der Klemme 44 60 Kopplung zwischen den an die gleiche Vorspaneine Spannung gleich drei V_bc zur Verfügung. Durch nungsschaltung angeschlossenen Verstärkern aufdie beschriebenen Verbindungen zwischen den ver- treten.

schiedenen Elektroden der Transistoren 30, 32, 34 Fig.4 zeigt einen Teil eines Radioempfängers,

bleiben diese Spannungen praktisch konstant, auch dessen Mischstufe einen in Emitterschaltung arbeiwenn sich die zugeführte Speisespannung in weiten 65 tenden Transistor 70 enthält, dessen Kollektorelek-Grenzen ändert. Diese Spannungen sind daher vor- trode über einen abgestimmten Primärkreis eines züglich als Vorspannungen geeignet. Zwischenfrequenztransformators 74 mit einer Speise-

Selbstverständlich können höhere Vorspannungen spannungsklemme 72 verbunden ist, während seine

Emitterelektrode an Masse liegt. Die Mischstufe enthält außerdem einen Hochfrequenz-Abstimmkreis 76 und einen mit diesem im Gleichlauf abstimmbaren Oszillatorkreis 78. Die hochfrequenten Eingangssignale werden der Basiselektrode des Transistors 70 über eine Sekundärwicklung des Kreises 76 zugeführt, die eine Klemme dieser Sekundärwicklung ist durch einen Kondensator 80 für Hochfrequenz geerdet. Die Oszillatorschwingung vom Oszillatorkreis 78 wird der Basiselektrode des Transistors 70 über:einen Kopplungskondensator 82 zugeführt und liefert durch Überlagerung mit den Hochfrequenzsignalen die gewünschte Zwischenfrequenz, die an der Kollektorelektrode des verstärkenden Transistors 70 auftritt. Die verstärkte Zwischenfrequenz wird über die Sekundärwicklung des Zwischenfrequenztransformators 74 der Basiselektrode eines Transistors 84 zugeführt, der zu der Zwischenfrequenzverstärkerstufe der in F i g. 4 dargestellten Schaltung gehört.

Der Transistor 84 arbeitet ebenfalls in Emitterschaltung, seine Kollektorelektrode ist mit der Speisespannungsklemme 72 über einen zweiten abgestimmten Zwischenfrequenztransformator 86 verbunden, während seine Emitterelektrode an Masse liegt. Der Transistor 84 verstärkt die seiner Basiselektrode zugeführten Zwischenfrequenzsignale, und die verstärkten Zwischenfreqüenzsignale stehen an der Sekundärwicklung des Zwischenfrequenziransformator 86 zur Verfugung. Diese Sekundärwicklung kann in üblicher Weise zu einer weiteren Zwischenfrequenzverstärkerstufe oder einer Demodulatorstufe führen, die jedoch nicht dargestellt sind.

An der Emitterelektrode des Transistors 14 der in Fig. 4 enthaltenen Vorspannungsschaltung 10 wird eine Vorspannung für den Mischstufentransistor 70 und den Zwischenfrequenzstufentransistor 84 abgenommen. Diese Vorspannung, die in der Größenordnung des F_6c-Abfalles für die dargestellte spezielle Schaltung liegt, wird über einen Widerstand 88 der Basiselektrode des Zwischenfrequenzverstärkertransistors 84 und außerdem über die Sekundärwicklung des Zwischenfrequenztransformators 74, ein Hochfrequenzfilter 90 und die Sekundärwicklung des Hochfrequenzkreises 76 der Basiselektrode des Mischstufentransistors 70 zugeführt. Zwischen den Verbindungspunkten des Hochfrequenzfilters 90 mit der Sekundärwicklung des Zwischenfrequenztransformators 74 einerseits und Masse andererseits ist ein Ableitkondensator 92 geschaltet. Das Hochfrequenzfilter 90 kann einen niedrigen Widerstand haben und beispielsweise aus einer Drosselspule oder einer mit Ferritperlen besetzten Leitung bestehen, so daß der Spannungsabfall, der durch den zum Transistor 70 fließenden Vorspannungsstrom entsteht, vernachlässigt werden kann.

Bei der in Fig. 4 dargestellten Schaltungsanordnung erfolgt eine automatische Verstärkungsregelung durch Veränderung der Vorspannung, die den Basiselektroden der Transistoren 70, 84 zugeführt wird. Hierzu ist ein in Emitterschaltung arbeitender Tran-

..·.,: sistor 94 vorgesehen, dessen Kollektorelektrode mit der Kollektorelektrode des Transistors 12 und dessen Emitterelektrode mit Masse verbunden sind. Die Leitfähigkeit des Transistors 94 wird durch eine Regelgleichspannung gesteuert, die an Klemmen 96 liegt. Für die folgende Diskussion wird vorausgesetzt, daß eine Zunahme der Regelgleichspannung an den Klemmen 96 einem Anstieg der Signalintensität von einem Schwellwertpotential für den signallosen Zustand entspricht. Ein Ansteigen der Regelgleichspannung soll ferner bedeuten, daß die Regelspannung positiver als der Schwellwert wird.

Im Betrieb wird durch einen Anstieg der den Klemmen 96 zugeführten Regelgleichspannung die Leitfähigkeit des Transistors 94 und damit der Spannungsabfall am Widerstand 18 vergrößert und die Spannung an der Basiselektrode des Transistors 14 verringert. Diese Verringerung der Spannung an der Basiselektrode des Transistors 14 hat eine Herabsetzung der an seiner Emitterelektrode entstehenden Spannung und damit der den Basiselektroden der Transistoren 70, 84 zugeführten Vorspannung zur Folge. Die dem Ruhearbeitspunkt entsprechenden Ströme und die Steilheiten der Transistoren 70, 84 und damit der Verstärkungsdraht der Misch- und Zwischenfrequenzstufe werden dadurch verringert. Die automatische Verstärkungsregelung kann jedoch die Stabilität dieser Stufen nicht beeinträchtigen, da ihr Arbeitspunkt wie bisher durch die Vorspannungsschaltung 10 gesteuert wird. Der Mischstufentransistor 70 und der ZF-Stufentransi stör 84 können offensichtlich zur gleichen integrierten Schaltung gehören wie die Vorspannungsschaltung 10 und der Transistor 94. Die Regelung kann auch bei der in Fig. 3 dargestellten Verstärkerschaltung Anwendung finden, und die zur Regelung erforderlichen Bauelemente können dann zur selben integrierten Schaltung wie der Verstärker gehören.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

209 553/435

Claims

Patentansprüche:

1. Schaltungsanordnung zur Erzeugung stabilisierter Gleichspannungen, deren Größe jeweils gleich der Sperrschichtspannung eines leitenden pn-Überganges oder der Summe der Sperrschichtspannungen mehrerer leitender pn-Übergänge ist, mit einem in Emitterschaltung geschalteten Transistor, in dessen Kollektorkreis ein Widerstand liegt, dadurch gekennzeichnet, daß der Kollektor und die Basis des Transistors (12) über eine gleichspannungsdurchlässige Koppelschaltung, welche einen pn-übergang (Basis-Emitter-Strecke des Transistors 14) enthält, miteinander verbunden sind und die Gleichspannungen zwischen Basis und Emitter und zwischen Kollektor und Emitter des Transistors (12) abnehmbar sind.

2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Koppelschaltung mehrere in Reihe geschaltete pn-Übergänge (Basis-Emitter-Strecken der Transistoren 32, 33) enthält, und daß an jedem der Verbindungspunkte (44, 46, 48) der pn-Übergänge Gleichspannungen abgreifbar sind (F i g. 1).

3. Schaltungsanordnung nach Ansprach 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens einer der pn-Übergänge der Basis-Emitter-Ubergang eines zweiten Transistors (14) ist, dessen Kollektor an ein Potential angeschlossen ist, welches höher als sein Emitterpotential ist.

4. Schaltungsanordung nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch den pn-Übergängen Gleichstrom zuführende Vorspannungs-Widerstände (40,42).

5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Kollektorwiderstand (18) des ersten Transistors (12) und der Kollektor des zweiten Transistors (14) am ersten Pol (16) einer Betriebsspannungsquelle und der Emitter des ersten Transistors (12) sowie ein mit dem Emitter des zweiten Transistors (14) verbundener Emitterwiderstand (24) am zweiten Pol (31) der Betriebsspannungsquelle liegen und daß die Basis des zweiten Transistors (14) mit dem Kollektor des ersten Transistors (12) sowie der Emitter des zweiten Transistors (14) mit der Basis des ersten Transistors (12) verbunden ist.

6. Schaltungsanordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß ein dritter Transistor (34) mit seinem Kollektor an dem ersten Pol (36) und mit seinem Emitter über einen Emitterwiderstand (42) an den zweiten Pol (31) der Betriebsspannungsquelle und mit seiner Basis an den Emitter des zweiten Transistors (32) angeschlossen ist, und daß der Emitter des dritten Transistors (24) außerdem mit der Basis des ersten Transistors (30) verbunden ist und daß die Gleichspannungen zwischen den Emittern und Basen des zweiten und dritten Transistors (32, 34) einerseits und dem zweiten Pol (31) der Betriebsspannungsquelle andererseits abnehmbar sind (Fig. 2).

7. Schaltungsanordnung nach Anspruch 5, gekennzeichnet durch die Verwendung als Vor-Spannungsschaltung zur Stabilisierung des Arbeitspunktes eines Verstärkertransistors (58), dem das am Emitter des zweiten Transistors (14) abgenommene Gleichspannungspotential zugeführt wird (Fig. 3).

8. Schaltungsanordnung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der KoHektorwiderstand (18) des ersten Transistors (12) so bemessen ist, daß er hauptsächlich den Arbeitspunkt des Verstärkertransistors (58) bestimmt.

9. Schaltungsanordnung nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekenzeichnet, daß die zwischen dem Emitter des zweiten Transistors (14) und dem zweiten Pol (61) der Betriebsspannungsquelle abgenommene :(Vorspannung der Basis-Emitter-Strecke · des Verstärkertransistors (58) zugeführt wird, dessen Basis das zu verstärkende Eingangssignal zugeführt und von dessen Kollektor das verstärkte Ausgangssignal abgenommen wird.

10. Schaltungsanordnung nach Ansprach 9, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den Emitter des zweiten Transistors (14) und die Basis des Verstärkertransistors (58) ein Isolationswiderstand (68) zur Verhinderung einer Ableitung des zu verstärkenden Signals eingefügt ist.

H. Schaltungsanordnung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen die Basis des ersten Transistors (12) und dem Emitter des zweiten Transistors (14) ein weiterer Widerstand (56) eingefügt ist, der so bemessen ist, daß der an ihm auftretende Spannungsabfall gleich dem am Isolationswiderstand (68) auftretenden Spannungsabfall ist.

12. Schaltungsanordnung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß dem Kollektor des ersten Transistors (12) eine Regelspannung zur Veränderung der erzeugten Gleichspannungen einschließlich der Vorspannung für den Verstärkertransistor (84) zugeführt wird (Fig. 4).

13. Schaltungsanordnung nach Anspruch 7 oder 12, dadurch gekennzeichnet, daß der Kollektor-Emitter-Strecke des ersten Transistors (12) die Kollektor-Emitter-Strecke eines Regel transistors (94) parallel geschaltet ist, an dessen Basis-Emitter-Strecke eine Regelspannung anlegbar ist.