DE1541546B1 - Schaltungsanordnung zur verstaerkungsregelung - Google Patents
Schaltungsanordnung zur verstaerkungsregelungInfo
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Description
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Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung Arbeitsweise solcher Schaltungen durch Betriebszur
Verstärkungsregelung und zur Stabilisierung des Spannungsschwankungen beeinträchtigt wird, da
Arbeitspunktes des Demodulators für eine ampli- sonst keine einwandfreie Wiedergewinnung der im
tudenmodulierte Trägerschwingung gegen Speisespan- empfangenen Signal enthaltenen Information mögnungsschwankungen
in einem Funkempfänger, bei 5 lieh ist. Eine Beeinträchtigung des Empfanges kann
dem der Trägerfrequenzverstärker eine einer Gleich- beispielsweise stattfinden, wenn der Arbeitspunkt
Spannungskomponente überlagerte modulierte Träger- der Demodulatorschaltung durch die Betriebsspanschwingung
über eine Gleichspannungskopplung an nung bestimmt wird und wenn die Schaltung zur
den Demodulator liefert und der Demodulator über automatischen Verstärkungsregelung durch die Auseine
weitere Gleichspannungskopplung mit einer io gangsgleichspannung des Demodulators gesteuert
Regelspannungserzeugerschaltung zur Gewinnung wird.
einer der Trägerspannung entsprechenden und dem Der Erfindung liegt also die Aufgabe zugrunde,
Trägerfrequenzverstärker zugeführten Regelspannung eine Empfängerschaltung mit gleichspannungsgekop-
verbunden ist. pelten Verstärkerstufen anzugeben, die eine Schal-
Insbesondere handelt es sich um eine in integrierter 15 tungsanordnung zur Stabilisierung der Arbeitsweise
Form ausgebildete Schaltungsanordnung. Die Kon- der den Demodulator steuernden Schaltungen gegen
struktion integrierter Schaltungen wirft eine ganze Betriebsspannungsschwankungen enthält.
Reihe von Problemen auf. So ist es beispielsweise Dies wird bei einer Schaltungsanordnung zur Verziemlich
schwierig, i?C-gekoppelte Verstärker herzu- Stärkungsregelung und zur Stabilisierung des Arbeitsstellen,
da ein Kondensator bei einer integrierten 20 punktes des Demodulators für eine amplitudenmodu-Schaltung
eine relativ große Fläche des Halbleiter- lierte Trägerschwingung gegen Speisespannungskörpers
oder -plättchens, auf dem die integrierte Schwankungen in einem Funkempfänger, bei dem der
Schaltung gebildet ist, einnimmt, auch wenn es sich Trägerfrequenzverstärker eine einer Gleichspannungsxim
relativ kleine Kapazitätswerte handelt. komponente überlagertemodulierteTrägerschwingung
Die Abmessungen des die integrierte Schaltung 25 über eine Gleichspannungskopplung an den Demoduenthaltenden
Plättchens sind jedoch begrenzt. Dem- lator liefert und der Demodulator über eine weitere
entsprechend sind auch die Abmessungen der Kon- Gleichspannungskopplung mit einer Regelspannungsdensatoren
und die zur Kopplung zweier Stufen zur erzeugerschaltung zur Gewinnung einer der Träger-Verfügung
stehende Kapazität Beschränkungen spannung entsprechenden und dem Trägerfrequenzunterworfen.
Beschränkungen bezüglich der Abmes- 30 verstärker zugeführten Regelspannung verbunden ist,
sung von Kondensatoren beeinträchtigt aber den erfindungsgemäß erreicht durch eine auf Schwan-Frequenzgang
von Verstärkerschaltungen sowohl bei kungen der Speisespannung ansprechende Stabilisieniedrigen
als auch bei hohen Frequenzen und damit rungsschaltung, welche ein diesen Schwankungen
den bei einer bestimmten Signalfrequenz erreichbaren etwa proportionales Korrektursignal an die Regel-Verstärkungsgrad.
Die Hochfrequenzeigenschaften 35 spannungserzeugerschaltung und den Demodulator
des Verstärkers werden ferner noch durch Streu- zur Stabilisierung von deren Arbeitspunkten gegen
kapazitäten beeinträchtigt, die zwischen den Konden- Auswirkungen der Speisespannungsschwankungen
satoren einer integrierten Schaltung und Masse vor- liefert,
handen sind. Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung näher
handen sind. Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung näher
Bei dem derzeitigen Stand der Technik zur Her- 40 erläutert, die das Schaltbild eines Empfängers für
stellung von Kondensatoren in integrierten Schal- amplitudenmodulierte hochfrequente Schwingungen
tungen führen die Größenbeschränkungen außerdem zeigt, der eine Schaltungsanordnung gemäß einem
sehr häufig zu Kurzschlüssen zwischen den Konden- Ausführungsbeispiel der Erfindung enthält,
satorbelägen. Aus allen diesen Gründen ist es wün- Die gestrichelte Linie 100 umschließt eine monoschenswert,
wenn möglich, zwischen den Verstärker- 45 lithische integrierte Halbleiterschaltung mit a) einem
stufen einer integrierten Schaltung eine galvanische Transistor 102, der einen Teil einer Mischstufe bildet,
oder Gleichspannungskopplung vorzusehen. b) einem dreistufigen gleichspannungsgekoppelten
Die Gleichspannungskopplung von Verstärker- Zwischenfrequenzverstärker 104, 106, 108, c) einem
stufen ist jedoch ein Problem für sich. So müssen Vorspannungskreis 110, d) einer Demodulatorstufe
beispielsweise im allgemeinen relativ komplizierte 50 112, die ein Tonfrequenzsignal und eine Regelspan-Vorspannungsschaltungen
verwendet werden, um die nung liefert, e) einer Regelspannungsverstärkerstufe gewünschten Arbeitspunkte von hintereinander- 114 und f) einer Stromstabilisierungsschaltung 116,
geschalteten gleichspannungsgekoppelten Stufen zu die zur Kompensation von Schwankungen in der
gewährleisten, da ja die an der Ausgangselektrode Ausgangsgleichspannung des Verstärkers 104, die
der einen Stufe auftretende Gleichspannung an der 55 durch die Regelung verursacht werden, dient. Das
nächstfolgenden Stufe als Eingangsspannung er- Plättchen, in dem die integrierte Schaltung 100 gescheint.
Zur Stabilisierung der verschiedenen Arbeits- bildet ist, hat an seinem Umfang eine Reihe von
punkte ist außerdem eine Gleichspannungsgegen- Anschlußkontakten. Die Größe des die integrierte
kopplung erforderlich. Wenn mit einer einzigen inte- Schaltung bildenden Halbleiterplättchens kann
grierten Schaltung eine hohe Verstärkung erzielt 60 beispielsweise 1,25 X 1,25 mm oder weniger bewerden
soll, besteht dann die Gefahr, daß die Schal- tragen.
tung durch Phasenverschiebungen in der Gegen- Der Transistor 102 bildet einen Teil einer Misch-
kopplungsschleife instabil wird. stufe, zu der außerdem eine Ferritantenne 118, ein
Bei Empfängerschaltungen mit Demodulator und Hochfrequenzkreis 120 und ein Oszillatorkreis 122,
Schaltungen zur automatischen Verstärkungsregelung 65 die im Gleichlauf abstimmbar sind, und ein Hochist
eine Gleichspannungskopplung hintereinander- frequenzeingangskreis 124 gehören. Die empfangenen
geschalteter Verstärkerstufen besonders schwierig. Es Hochfrequenzsignale, die erzeugte Oszillatorschwinmuß
insbesondere verhindert werden, daß die gung und eine am Verbindungspunkt zweier Wider-
3 4
stände 96, 98, die zwischen eine Klemme +E einer zur Einstellung der Lautstärke dienenden Potentio-Spannungsquelle
und Masse geschaltet sind, werden meter 168 zugeführt, an dessen Schleifer ein Tonder
Basiselektrode des Transistors 102 über einen frequenzverstärker 170 angeschlossen ist, der einen
Kontaktpunkt 126 der integrierten Schaltung züge- Lautsprecher 172 speist,
führt. 5 Das Ausgangssignal der Demodulatorstufe 112
führt. 5 Das Ausgangssignal der Demodulatorstufe 112
Die Emitterelektrode des Transistors 102 ist über wird durch einen Reihenwiderstand 174 und einen
einen Kontaktfleck 128 und ein Parallel-i?C-Glied Parallelkondensator 175 integriert und der Regel-130
mit Masse verbunden, während die Kollektor- spannungsverstärkerstufe 114 zugeführt. Die Stufe
elektrode dieses Transistors über einen Kontaktfleck 114 enthält zwei Transistoren 176, 180, die einen
134, eine Wicklung des Oszillatorkreises 122 und io emittergekoppelten Verstärker bilden, wobei das
eine Primärwicklung eines Zwischenfrequenztrans- integrierte Gleichspannungs-Ausgangssignal von der
formators 136 mit einer Betriebsspannungsklemme Demodulatorstufe 112 der Basiselektrode des Tran-132
verbunden ist. Die in der Sekundärwicklung des sistors 180 zugeführt ist.
Transformators 136 induzierte Zwischenfrequenz- An der Kollektorelektrode des Transistors 180
schwingung wird über einen Kontaktfleck 138 der 15 entsteht eine Regelgleichspannung, deren Amplitude
ersten Stufe 104 eines gleichspannungsgekoppelten eine Funktion der Empfangsfeldstärke ist. Die Regel-Zwischenfrequenzverstärkers
zugeführt. spannung wird zur Regelung des Verstärkungsgrades
Die erste ZF-Verstärkerstufe 104 enthält drei der Basiselektrode des Transistors 140 in der ersten
Transistoren 140, 142, 144, die einen Verstärker in ZF-Verstärkerstufe 104 über einen Kontaktneck 184,
Emitterschaltung bilden, welcher einen Verstärker 20 die Sekundärwicklung des ZF-Transformators 136
in Kollektorschaltung steuert, wie es bereits vorge- und den Kontaktfleck 138 zugeführt, so daß also der
schlagen worden ist. Die am Kontaktfleck 138 zur Verstärkungsgrad der Stufe 104 in Abhängigkeit von
Verfügung stehenden ZF-Signale werden der Basis- der Empfangsfeldstärke geregelt wird,
elektrode des Transistors 140 zugeführt, durch die Die Regelspannung, die durch den Transistor 180
elektrode des Transistors 140 zugeführt, durch die Die Regelspannung, die durch den Transistor 180
Transistoren 140, 142, 144 verstärkt und dann einer 25 im Regelspannungsverstärker 114 erzeugt wird, wird
galvanisch angeschlossenen zweiten ZF-Verstärker- außerdem der Stromstabilisierungsschaltung 116
stufe 106 zugeführt. direkt zugeführt. Diese Schaltung 116 enthält zwei
Die zweite ZF-Verstärkerstufe 106 enthält drei Transistoren 188, 190, die einen emittergekoppelten
Transistoren 146, 148, 150, die wie die Transistoren Verstärker bilden, dem die Regelspannung von der
der ersten ZF-Verstärkerstufe 104 geschaltet sind. 30 Regelspannungsverstärkerstufe 114 über die Basis-Die
zweite ZF-Verstärkerstufe ist galvanisch mit der elektrode des Transistors 188 zugeführt ist. Wie an
dritten ZF-Verstärkerstufe 108 gekoppelt. Auch die anderer Stelle vorgeschlagen ist, wird jede durch die
Stufe 108 enthält drei Transistoren 152, 154, 156, Regelung des Transistors 140 verursachte Änderung
die wie die Transistoren der anderen beiden Stufen des vom Transistor 142 durch einen Arbeitswidergeschaltet
sind. Die drei hintereinandergeschalteten 35 stand 216 fließenden Gleichstromes durch eine ent-ZF-Verstärkerstufen
104, 106, 108 bilden den Zwi- gegengesetzte, dem Betrag nach jedoch gleiche schenfrequenzteil des dargestellten AM-Empfängers. Änderung des vom Transistor 188 in der Schaltung
Das verstärkete Signal am Ausgang der dritten 116 durch den Arbeitswiderstand 216 fließenden
ZF-Verstärkerstufe 108, d. h. an der Emitterelektrode Stromes kompensiert. Die an der Kollektorelektrode
des Transistors 156, wird dem Eingang der Demodu- 40 des Transistors 142 herrschende Gleichspannung
latorstufe 112 direkt zugeführt. Diese Stufe enthält bleibt also praktisch konstant, so daß eine Beeinzwei
Transistoren 158, 160, die in einer als »Dar- trächtigung der Vorspannungen der folgenden ZF-lington-Schaltung«
bekannten Kollektorschaltung Verstärkerstufen 106, 108 vermieden wird,
arbeiten. Die beiden Transistoren sind für einen Da die Regelung andererseits die Kollektorströme
arbeiten. Die beiden Transistoren sind für einen Da die Regelung andererseits die Kollektorströme
nicht linearen Betrieb vorgespannt, ihr Arbeitspunkt 45 der Transistoren 140, 142 beeinflußt, steuert sie daliegt
knapp unterhalb des Knicks der Strom- durch den Verstärkungsgrad der ersten ZF-Ver-Spannungs-Kennlinie,
so daß eine Demodulation der stärkerstufe 104 derart, daß die der Demodulatorzugeführten
Zwischenfrequenzschwingung bewirkt stufe 112 zugeführten Zwischenfrequenzsignale wenigwird,
stens annähernd konstant gehalten wird.
Genauer gesagt wird das Ausgangssignal der 50 Die in dem Halbleiterplättchen der integrierten
ZF-Verstärkerstufe 108 durch die Transistoren 158, Schaltung 100 enthaltene Vorspannungsschaltung 110
160 gleichgerichtet und gefiltert, wobei ein demo- liefert die erforderlichen Vorspannungen für die
duliertes Wechselspannungssignal entsteht, dessen ZF-Verstärkerstufen 104, 106, 108, für die Regel-Auswanderungen
der Schwankungen der Intensität spannungsverstärkerstufe 114 und die Stromstabilides
empfangenen Hochfrequenzsignals entspricht. 55 sierungsschaltung 116. Die Vorspannungsschaltung
Ferner liefert diese Stufe ein Gleichspannungssignal, 110 enthält zwei Transistoren 192, 194, die in
dessen Größe der Summe der Ausgangsspannung der Emitterschaltung bzw. Kollektorschaltung arbeiten.
Demodulatorstufe 112 bei fehlendem Eingangssignal Die Ausgangsgleichspannung an der Emitterelek-
(im folgenden kurz als »Ruhespannung« bezeichnet) trode des Transistors 194 wird über einen Wider-
und dem Mittelwert des erzeugten Wechselspannungs- 60 stand 196 der Basiselektrode des Transistors 154 in
signals entspricht. der dritten ZF-Verstärkerstufe 108 zugeführt. Außer-
Das Wechselspannungssignal am Ausgang der dem wird diese Gleichspannung der Basiselektrode
Demodulatorstufe 112, das das Tonfrequenz-Nutz- des Transistors 140 in der ersten ZF-Verstärkerstufe
signal darstellt, tritt an einem Zwischenfrequenz- durch eine Reihenschaltung zugeführt, die einen
Ableitkondensator 162 auf, der über einen Kontakt- 65 Widerstand 198, den Kontaktneck 184, die Sekundärfleck
164 zwischen die Emitterelektrode des Transi- wicklung des ZF-Transformators 136 und den Konstors
160 und Masse geschaltet ist. Das Tonfrequenz- taktfleck 138 enthält. Ein in den Kollektorkreis des
signal wird dann über einen Kondensator 166 einem Transistors 192 geschalteter Widerstand 200 hat
wenigstens annähernd den gleichen Widerstandswert tungselement in einer Verstärkerschaltung od. dgl,
wie ein Widerstand 202, der im Emitterkreis dieses arbeitet. Für Siliciumtransistoren sind diese beiden
Transistors liegt. Spannungen jeweils etwa 0,7 Volt, was in dem für
Wenn, wie gleichzeitig an anderer Stelle vorge- eine Klasse-A-Verstärkung erforderlichen Bereich
schlagen wird, die Widerstände 200,202 so bemessen 5 liegt. Da die Transistoren 154, 156 zur gleichen intesind,
ist die Ausgangsgleichspannung an der Emitter- grierten Schaltung 100 gehören, bestehen sie aus
elektrode des Transistors 194 gleich der Hälfte der dem gleichen Halbleitermaterial, und ihre F6e-Span-Speisespannung,
die zwischen einem zur Zuführung nungen sind gleich.
der Speisespannung dienenden Kontaktfleck 204 und Es sei nun angenommen, daß sich die Speise-
einem auf Bezugspotential, z. B. Masse, liegenden io spannung um einen Betrag Δ e ändert. Die durch die
Kontaktfleck 206 herrscht. Vorspannungsschaltung 110 an der Emitterelektrode
Wenn die Widerstände 196, 198 den gleichen des Transistors 194 erzeugte Spannung ändert sich
Widerstandswert haben, sind die Vorspannungen, dann ebenfalls, der Betrag dieser Änderung ist jedie
der Basiselektrode des Transistors 140 in der doch gleich Δ ell, wie an anderer Stelle bezüglich
ersten ZF-Verstärkerstufe 104 und der Basiselektrode 15 dieser Schaltung näher ausgeführt ist. Diese Potendes
Transistors 154 in der dritten ZF-Verstärkerstufe tialänderung bewirkt, daß sich die Spannung an der
108 zugeführt werden, gleich. Basiselektrode des Transistors 154 um Δ ell ändert,
Um ein symmetrisches Arbeiten der drei ZF-Ver- daß in der Gleichstromkomponente des an der
stärkerstufen 104, 106, 108 zu gewährleisten, wird Emitterelektrode des Transistors 156 erzeugten Sieine
an der Emitterelektrode des Transistors 156 der 20 gnals eine entsprechende Änderung um Δ ell eintritt
Stufe 108 entstehende Gleichspannung über einen und daß dementsprechend die Arbeitspunkte der
Widerstand 208 auf die Basiselektrode des Transi- Transistoren 158, 160 in der Demodulatorstufe verstorsl48
und weiterhin über einen Widerstand 210 schoben werden.
auf die Basiselektrode des Transistors 124 in der Wenn diese Verschiebung zu groß ist, wird die
Stufe 104 rückgekoppelt. Ein symmetrischer Betrieb 25 Demodulation beeinträchtigt, und es treten Verzerist
gewährleistet, wenn der Widerstand 208 im rungen im demodulierten Signal auf. Die Arbeitswesentlichen
denselben Widerstandswert hat wie der punktverschiebung hat, unabhängig von ihrem BeWiderstand
210 und diese beiden Widerstände den trag, außerdem eine Änderung der Ausgangsgleichgleichen Widerstandswert wie die Widerstände 196, spannung der Demodulatorstufe 112, insbesondere
198 haben. 30 des Transistors 160, zur Folge, und hierdurch wird
Die Rückkopplung bewirkt, daß bei fehlendem auch der Arbeitspunkt des Regelspannungsverstär-Eingangssignal
den Basiselektroden der beiden Tran- kers 114 verschoben, da die Emitterelektrode des
sistoren der emittergekoppelten Verstärkerschal- Transistors 160 und die Basiselektrode des Transitung
in den ZF-Stufen 104, 106, 108 gleiche Vor- stors 180 über einen Widerstand miteinander gespannungen
zugeführt werden. 35 koppelt sind. Die Schwankungen der Speisespannung
Der zur Zuführung der Betriebsspannung dienende können also auch die Regelung beeinträchtigen.
Kontaktfleck 204 und der auf Bezugspotential Zur Vermeidung dieser nachteiligen Einflüsse von
Kontaktfleck 204 und der auf Bezugspotential Zur Vermeidung dieser nachteiligen Einflüsse von
liegende Kontaktfleck 206 sind über Leiter 212, 214 Speisespannungsschwankungen enthält die dargemit
den verschiedenen Stufen der integrierten stellte Schaltungsanordnung eine Stabilisierungs-Schaltung
100 verbunden. 40 schaltung gemäß der Erfindung, die nachteilige Ein-Es soll nun kurz die Arbeitsweise der Demodu- flüsse von Speisespannungsschwankungen auf die
latorstufe 112 und der Regelspannungsverstärker- Stufen 112, 114 verhindert. Als erstes ist der Widerstufe
114 betrachtet werden, wenn die Demodulator- stand 218 über eine Leitung 222 mit dem Verbinstufe
mit Masse verbunden ist. Dies wäre z. B. der dungspunkt der Emitterelektroden der Transistoren
Fall, wenn der Widerstand 218 über einen gestrichelt 45 176, 180 verbunden. Zweitens ist die Basiselektrode
dargestellten Leiter 220 zwischen die Emitterelek- des Transistors 176 über eine Leitung 224 direkt an
trode des Transistors 160 und den auf Masse liegen- die Emitterelektrode des Transistors 192 angeschlosden
Kontaktfleck 206 geschaltet wäre. sen. Eine andere Möglichkeit besteht darin, sie mit-Das
auf die Basiselektrode des Transistors 158 tels des gestrichelt gezeichneten Leiters 226 mit dem
gekoppelte Signal enthält eine Wechselspannungs- 50 Verbindungspunkt der Emitterelektroden der Trankomponente,
die die Intensitätsschwankungen der sistoren 188, 190 zu verbinden,
empfangenen Hochfrequenzsignale wiedergibt, und Bei der ersten Alternative hat eine Schwankung eine Gleichspannungskomponente entsprechend der der Speisespannung um den Betrag Δ e folgende Wir-Ruhespannung an der Emitterelektrode des Tran- kungen: Wie bereits erwähnt worden war, ändert sich sistors 156. 55 das Gleichspannungspotential an der Emitterelek-Die Ruhespannung ist etwa gleich der Vorspan- trode des Transistors 194 und der Emitterelektrode nung an der Basiselektrode des Transistors 154, da des Transistors 156 dann um Δ ell. Diese Gleichdie Gleichspannung an der Kollektorelektrode 154 Spannungsänderung um den Betrag Je/2 an der um Vbe höher (positiver) ist als die Gleichspannung Emitterelektrode des Transistors 194 wird praktisch an der Basiselektrode während die Gleichspannung 60 unverändert durch den Basis-Emitter-Übergang des an der Emitterelektrode des Transistors 156 um Vhe Transistors 192, die Leitung 224, den Basis-Emitterkleiner (negativer) ist als die Gleichspannung an Übergang des Transistors 176, die Leitung 222 und seiner Basiselektrode, und da die Kollektorelektrode den Widerstand 218 zur Emitterelektrode des Trandes Transistors 154 mit der Basiselektrode des Tran- sistors 160 übertragen.
empfangenen Hochfrequenzsignale wiedergibt, und Bei der ersten Alternative hat eine Schwankung eine Gleichspannungskomponente entsprechend der der Speisespannung um den Betrag Δ e folgende Wir-Ruhespannung an der Emitterelektrode des Tran- kungen: Wie bereits erwähnt worden war, ändert sich sistors 156. 55 das Gleichspannungspotential an der Emitterelek-Die Ruhespannung ist etwa gleich der Vorspan- trode des Transistors 194 und der Emitterelektrode nung an der Basiselektrode des Transistors 154, da des Transistors 156 dann um Δ ell. Diese Gleichdie Gleichspannung an der Kollektorelektrode 154 Spannungsänderung um den Betrag Je/2 an der um Vbe höher (positiver) ist als die Gleichspannung Emitterelektrode des Transistors 194 wird praktisch an der Basiselektrode während die Gleichspannung 60 unverändert durch den Basis-Emitter-Übergang des an der Emitterelektrode des Transistors 156 um Vhe Transistors 192, die Leitung 224, den Basis-Emitterkleiner (negativer) ist als die Gleichspannung an Übergang des Transistors 176, die Leitung 222 und seiner Basiselektrode, und da die Kollektorelektrode den Widerstand 218 zur Emitterelektrode des Trandes Transistors 154 mit der Basiselektrode des Tran- sistors 160 übertragen.
sistors 156 direkt verbunden ist. Unter »Vbe« soll 65 Man erreicht dadurch also, daß die Spannung an
hier sowohl die mittlere Basis-Emitter-Spannung als der Emitterelektrode des Transistors 160 der Gleichauch
die mittlere Kollektor-Basis-Spannung eines spannung an der Basiselektrode des Transistors 158
Transistors verstanden werden, der als aktives Schal- folgt, was zur Folge hat, daß die Vorspannung an
den in Reihe geschalteten Basis-Emitter-Strecken der Transistoren 158, 160 der Demodulatorstufe
konstant gehalten wird.
Ähnliche Verhältnisse liegen auch bei der anderen Schaltungsmöglichkeit vor. Hier wird nun die an der
Emitterelektrode des Transistors 194 auftretende Spannungsänderung des Betrages Δ ell praktisch unverändert
über den Widerstand 228 (der wenigstens annähernd den gleichen Widerstandswert hat wie
der Widerstand 198) zur Basiselektrode des Transistors 190, durch den Basis-Emitter-Übergang des
Transistors 190, die Leitung 226, den Basis-Emitter-Übergang des Transistors 176, den Leiter 222 und
den Widerstand 218 zur Emitterelektrode des Transistors 160 übertragen.
Dadurch, daß die Demodulatorstufe 112 auf ein Potential bezogen wird, das sich mit der Speisespannung
in der angegebenen Weise ändert, werden die Arbeitspunkte der Transistoren 158, 160 der Demodulatorstufe
im nicht linearen Kennlinienbereich festgehalten. Die Funktion der Demodulatorstufe wird
daher durch Speisespannungsschwankungen nicht beeinträchtigt.
Die Gleichspannungsänderung des Betrages Ae/2
an der Emitterelektrode des Transistors 160 wird außerdem praktisch unverändert durch den Widerstand
174 auf die Basiselektrode des Transistors 180 gekoppelt. Die Gleichspannung an der Basiselektrode
des Transistors 180 folgt dadurch der Gleichspannung an der Emitterelektrode dieses Transistors, so
daß auch die Vorspannung des Regelspannungsverstärkers unabhängig von Speisespannungsschwankungen
ist und die Regelung durch solche Schwankungen nicht beeinträchtigt wird.
Aus dem Schaltbild ist ersichtlich, daß zwischen der Emitterelektrode des Transistors 156 und dem
Verbindungspunkt der Emitterelektroden der Transistoren 176, 180 eine Potentialdifferenz von 2 Vbe
herrscht, da am Transistor 176 und am Transistor 192 oder 190 (je nachdem, welche der beiden Alternativmöglichkeiten
für den Anschluß der Basiselektrode des Transistors 176 gewählt wurde) jeweils
ein Spannungsabfall von Vbe auftritt.
Der Widerstandswert des Widerstandes 218 wird so gewählt, daß der an ihm auftretende Spannungsabfall
ausreicht, um die Transistoren 158,160 in den nicht linearen Bereich ihrer Arbeitskennlinie vorzuspannen.
Bei einem Ausführungsbeispiel der Erfindung wurde der Widerstand 218 so bemessen, daß
an ihm ein Spannungsabfall von 0,3 Volt auftrat und eine Potentialdifferenz von ungefähr 1,1 Volt
zwischen der Basiselektrode des Transistors 158 und der Emitterelektrode des Transistors 160 herrschte,
was etwa 0,55 Volt für den Basis-Emitter-Übergang jedes dieser Transistoren entspricht. Eine solche
Potentialdifferenz bewirkt, daß die Transistoren 158, 160 etwas leiten und die verwendeten Siliciumtransistoren
in dem für eine Demodulation erforderlichen Kennlinienbereich arbeiten. Es zeigt sich, daß der
Widerstand 218, wenn er in der oben angegebenen Weise bemessen ist, sehr viel größer ist als der
effektive Widerstand am Verbindungspunkt der Emitterelektroden der Transistoren 176, 180. Aus
diesem Grunde braucht an den Verbindungspunkt der Emitterelektroden der Transistoren 176,180 kein
Ableitkondensator angeschlossen zu werden, da auch ohne einen solchen Kondensator das an der Emitterelektrode
des Demodulator-Transistors 160 vorhandene Tonfrequenz-Nutzsignal die Regelung nicht
beeinträchtigen kann.
Wenn keine Hochfrequenzsignale empfangen werden, ist die an der Kollektorelektrode des Transistors
180 herrschende Gleichspannung im wesentlichen gleich der halben Speisespannung. Die Gleichspannung
an der Emitterelektrode des Transistors 180 ist um 2 Vbe niedriger (negativer) als diese Spannung,
und die Gleichspannung an der Basiselektrode ist um 0,3 Volt größer (positiver) als die Gleichspannung
an der Emitterelektrode. Im signallosen Zustand ist der Transistor 180 der Regelspannungsverstärkerstufe
114 praktisch gesperrt.
Der Transistor 180 bleibt auch bei Empfang eines
Nutzsignals gesperrt, bis die Gleichspannungskomponente des demodulierten Signals an der Emitterelektrode
des Transistors 160 genügend groß geworden ist, um die Gleichspannung an der Basiselektrode
des Transistors 180 so weit ansteigen zu lassen, daß dieser Transistor zu leiten beginnt. In
diesem Falle und beim weiteren Anstieg der Gleichspannungskomponente
des demodulierten Signals tritt ein Abfall der Gleichspannung an der Kollektorelektrode
des Transistors 180 auf, also eine Regelspannung, die in gleicher Weise zur Basiselektrode
des Transistors 140 in der ersten ZF-Verstärkerstufe 104 und zur Basiselektrode des Transistors 188 in
der Stromstabilisierungsschaltung 116 übertragen wird.
In der ZF-Verstärkerstufe 104 hat die negativer
werdende Gleichspannung an der Basiselektrode des Transistors 140 eine Verringerung des Stromflusses
durch den Widerstand 230, eine Erhöhung der Vorspannung des Transistors 142 und eine Erhöhung
des vom Transistor 142 durch den Widerstand 216 fließenden Gleichstromes zur Folge. Wenn der Transistor
142 ursprünglich auf einen Arbeitspunkt vorgespannt worden war, bei dem eine Erhöhung des
Gleichstromes von einer Verringerung der Steilheit begleitet ist, wird der Verstärkungsgrad der Stufe 104
durch die beschriebene Regelung wie erwünscht herabgesetzt.
In der Stromstabilisierungsschaltung 116 bewirkt die Abnahme der Gleichspannung an der Basiselektrode
des Transistors 188 eine Verringerung des Gleichstromes, der von diesem Transistor durch den
Widerstand 216 fließt. Da die Regelspannungssignale, die den Transistoren 140, 188 zugeführt worden
sind, praktisch gleich sind, kann die Stromabnahme im Transistor 180 praktisch gleich der Stromzunahme
im Transistor 142 gemacht werden, indem man den Widerstand 232 in der Stufe 116 gleich dem Widerstand
230 in der ZF-Verstärkerstufe 104 macht. Man kann also auf diese Weise erreichen, daß der den
Widerstand 216 durchfließende Gleichstrom unabhängig von der Regelung konstant bleibt und die
Vorspannungen der folgenden ZF-Verstärkerstufen 106, 108, die deren Arbeitspunkte bestimmen, nicht
geändert werden.
Claims (6)
1. Schaltungsanordnung zur Verstärkungsregelung und zur Stabilisierung des Arbeitspunktes
des Demodulators für eine amplitudenmodulierte Trägerschwingung gegen Speisespannungsschwankungen
in einem Funkempfänger, bei dem der Trägerfrequenzverstärker eine einer Gleich-
109511/283
Spannungskomponente überlagerte modulierte Trägerschwingung über eine Gleichspannungskopplung an den Demodulator liefert und der
Demodulator über eine weitere Gleichspannungskopplung mit einer Regelspannungserzeuger- S
schaltung zur Gewinnung einer der Trägerspannung entsprechenden und dem Trägerfrequenzverstärker
zugeführten Regelspannung verbunden ist, gekennzeichnet durch eine auf Schwankungen der Speisespannung ansprechende
Stabilisierungsschaltung (110), welche ein diesen Schwankungen etwa proportionales Korrektursignal
an die Regelspannungserzeugerschaltung (114) und den Demodulator (112) zur Stabilisierung
von deren Arbeitspunkten gegen Auswirkungen der Speisespannungsschwankungen liefert.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Demodulator
(112) mindestens einen Transistor (158 oder 160) enthält, dessen Basis die Trägerfrequenzschwingung
und dessen Emitter das Korrektursignal zugeführt wird und dessen Kollektor mit der
Speisespannungsquelle verbunden ist.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Demodulator
(112) an Stelle eines einzigen Transistors zwei in Darlington-Schaltung zusammengeschaltete Transistoren
(158, 160) enthält.
4. Schaltungsanordnung nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Stabilisierungsschaltung
(110) einen Transistor (194) enthält, dessen Kollektor an der Speisespannung
liegt, dessen Emitter mit dem Korrektursignaleingang des Demodulators (112) gekoppelt und
dessen Basis mit einer zweiten Gleichspannungsquelle (Kollektor des Transistors 192) gekoppelt ist,
welche eine Spannung liefert, die um(iV—I)Vbe
Volt kleiner ist als die Gleichspannungskomponente der Trägerschwingung im signallosen Zustand,
wobei N die Anzahl der Transistoren im Demodulator (112) und Vbe der mittlere Basis-Emitter-Spannungsabfall
des als Verstärker geschalteten Transistors ist.
5. Schaltungsanordnung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß der Trägerfrequenzverstärker (104,106,108), der Demodulator (112) und die Stabilisierungsschaltung (110) als integrierte Schaltung (100)
aufgebaut sind.
6. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Trägerfrequenzverstärker
(104, 106, 108) als Gleichspannungsverstärker ausgebildet ist und mindestens einen
ersten, zweiten und dritten Transistor (140, 142, 144) enthält, daß der Demodulator (112) einen
vierten und fünften Transistor (158, 160) enthält, daß die Stabilisierungsschaltung einen
sechsten Transistor (176) enthält, daß eine Gleichstromverbindung zwischen den Kollektorelektroden
des ersten, dritten, vierten, fünften und sechsten Transistor zu einer ersten Potentialklemme
(204) besteht, daß eine Gleichstromverbindung von der Kollektorelektrode des zweiten
Transistors (142) zur Basiselektrode des dritten Transistors (144) mit der Basiselektrode des
vierten Transistors (158) gleichstromgekoppelt ist, daß die Emitterelektrode des vierten Transistors
(158) mit der Basiselektrode des fünften Transistors (160) gleichstromgekoppelt ist, daß
die Basiselektrode des sechsten Transistors (176) mit einer dritten Potentialklemme (Emitterelektrode
des Transistors 192) gekoppelt ist, daß ein erster Widerstand (230) zwischen die Emitterelektroden
des ersten und zweiten Transistors (140, 142) und eine zweite Potentialklemme (206)
geschaltet ist, daß ein zweiter Widerstand (216) zwischen die Kollektorelektrode des zweiten
Transistors (142) und die erste Potentialklemme (204) geschaltet ist, daß ein dritter Widerstand
zwischen die Emitterelektrode des dritten Transistors (144) und die zweite Potentialklemme
(206) geschaltet ist, daß ein vierter Widerstand zwischen die Emitterelektrode des sechsten Transistors
(166) und die zweite Potentialklemme (206) geschaltet ist, daß ein fünfter Widerstand
(218) zwischen die Emitterelektrode des sechsten Transistors (176) und die Emitterelektrode des
fünften Transistors (160) geschaltet ist, daß ein sechster Widerstand zwischen die Basiselektrode
des zweiten Transistors (142) und eine vierte Potentialklemme geschaltet ist, daß der ersten
Potentialklemme (204) eine Betriebsspannung (+) zuführbar ist, daß der zweiten Potentialklemme
(206) eine Bezugsspannung zuführbar ist, daß der dritten Potentialklemme (Emitter des Transistors
192) ein Potential zuführbar ist, das etwa gleich der Hälfte der Betriebsspannung abzüglich
des Basis-Emitter-Spannungsabfalles des vierten oder fünften Transistors (158, 160), wenn diese
als aktive Bauelemente in einer Verstärkerschaltung arbeiten, ist, daß der vierten Potentialklemme
ein Potential zuführbar ist, das im wesentlichen gleich der Hälfte der Betriebsspannung
ist, und daß der Basiselektrode des ersten Transistors (140) ein Eingangssignal zuführbar
ist, das eine Wechselspannungskomponente enthält, die einer Gleichspannungskomponente
überlagert ist, welche wenigstens annähernd die gleiche Spannung hat, wie sie an der Basiselektrode
des zweiten Transistors (142) hat.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
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